JPH09249410A

JPH09249410A - 帯電防止・反射防止膜

Info

Publication number: JPH09249410A
Application number: JP8056159A
Authority: JP
Inventors: Kenji Takahashi; 賢次高橋; Masaru Uehara; 賢上原; Katsuhiko Masaki; 克彦正木
Original assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Priority date: 1996-03-13
Filing date: 1996-03-13
Publication date: 1997-09-22

Abstract

(57)【要約】【課題】透明基材表面の塗膜により形成される帯電防
止・反射防止膜に関し、透明基材の表面上に、画像解像
度を低下させることのない、十分な帯電防止・反射防止
効果のある膜を形成できるようにすることを目的とす
る。【解決手段】シリコンアルコキシドと、溶媒と、二酸
化ケイ素微粉末と、アンチモン含有酸化錫微粉末とを、
少なくとも含有してなる分散液により形成された被膜に
おいて、該被膜の表面に高さ0.01〜0.1 μｍの微細な凹
凸面を備えるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透明基材表面の塗
膜により形成される帯電防止・反射防止膜に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】近年、ディスプレイ装置の表示面、その
表面カバー材料、窓ガラス、ショーウィンドー用ガラ
ス、ＴＶブラウン管の表示面、液晶装置の表示面、計器
のカバーガラス、時計のカバーガラス、または陰極線管
の画像表示面等のように、帯電防止および／または映り
込みの防止を要求される製品が増加してきている。この
ため、帯電防止および／または映り込みの防止を必要と
する透明基材表面に形成される帯電防止・反射防止膜が
注目されるようになってきた。

【０００３】一般に、画像表示用透明基材、例えばＴＶ
ブラウン管の画像表示面には静電気が帯電し易く、この
静電気によってほこりが表示面に付着するという問題点
が知られている。また、上記画像表示面に、外部の光が
反射し、あるいは外部映像が映り込み、表示面の画像を
不明瞭にするなどの問題点も知られている。

【０００４】上記の問題点を解決するために、従来、透
明基材の表面に、アンチモン含有酸化錫微粉末とシリコ
ンアルコキシドの加水分解生成物（以下、「シリカゾ
ル」という）との非水分散液を塗布・乾燥して帯電防止
膜を形成することが行われていた。即ち、前述のアンチ
モン含有酸化錫微粉末と上記のシリカゾルとの混合物を
含む非水分散液からなる塗料を用いて帯電防止膜を形成
するものである。そして、前記帯電防止塗料をスプレー
により表示面に吹き付けて、凹凸のある膜を形成し、光
散乱により反射防止効果を付与させるようにした陰極線
管がある（例えば、特開昭62─176946号、特開昭 3−20
940 号等）。また、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）微粒子と
アンチモン含有酸化錫微粉末を含有する分散液を用い
て、凹凸面を形成させ、光散乱により反射防止効果を付
与させるものもある（特公昭 5─88875 号、特公昭 7−
98380 号等）。また、シリカゾルに界面活性剤である、
４級アンモニウム塩、あるいは硝酸塩を添加して、帯電
防止膜を形成することも行われている。

【０００５】前述のアンチモン含有酸化錫微粉末を添加
した場合には、帯電防止膜の屈折率ｎは、ｎ＝1.50〜1.
54程度であり、基材となるガラス基材の屈折率との差
が、ほとんどないか、それより高いため反射防止効果は
十分なものではなかった。また、従来、提案されている
二酸化ケイ素微粒子とアンチモン含有酸化錫微粉末を含
有する分散液を用いて、凹凸面を形成させ、光散乱によ
り反射防止効果を付与させたもの、あるいは、帯電防止
塗料をスプレー法により表示面に吹き付け凹凸面を形成
し、光散乱により反射防止効果を付与させたものでは、
形成された凹凸膜の表面の粗さが大きいため、ヘーズ値
が大きくなり、画像の解像度が著しく低下するといった
問題点があった。さらに、シリカゾルに４級アンモニウ
ム塩あるいは硝酸塩を添加した帯電防止膜では、帯電防
止効果が不十分であり、また湿度の低下により導電性の
劣化を生じたりする欠陥があり、また、シリカゾルを焼
き付け処理を施して生成するシリカ膜では、十分な反射
防止効果は認められなかった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来技術における問題点に鑑みてなされたもので、その
課題は、透明基材の表面上に、画像解像度を低下させる
ことのない、十分な帯電防止・反射防止効果のある帯電
防止・反射防止膜を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を達成
できるようにするため、請求項１に係る帯電防止・反射
防止膜は、シリコンアルコキシドと、溶媒と、二酸化ケ
イ素微粉末と、アンチモン含有酸化錫微粉末とを、少な
くとも含有してなる分散液により形成された被膜におい
て、該被膜の表面に高さ0.01〜0.1 μｍの微細な凹凸面
を有していることを特徴とするものである。

【０００８】請求項２に係る帯電防止・反射防止膜は、
前記被膜の表面から前記二酸化ケイ素微粉末の一部が露
出していることを特徴とする。

【０００９】請求項３に係る帯電防止・反射防止膜は、
前記二酸化ケイ素微粉末の平均粒子径が0.05〜0.5 μｍ
であることを特徴とする。

【００１０】請求項４に係る帯電防止・反射防止膜は、
前記アンチモン含有酸化錫微粉末の平均粒子径が 0.001
〜0.1 μｍであることを特徴とする。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を具
体的に説明する。ただし、この実施の形態は本発明の趣
旨をより良く理解させるために具体的に述べるものであ
り、特に指定のない限り、本発明を限定させるものでは
ない。本発明における実施の形態においては、シリコン
アルコキシドと溶媒と二酸化ケイ素微粉末とアンチモン
含有酸化錫微粉末とを少なくとも含有させてなる分散液
を、透明基材の表面上に塗布することにより形成される
被膜であって、その被膜の表面に高さ0.01〜0.1 μｍの
微細な凹凸面を形成させることによって所定の目的が達
成される。この場合において、望ましくは、その被膜の
表面から二酸化ケイ素微粉末の一部を露出させる。

【００１２】二酸化ケイ素微粉末は、0.05〜0.5 μｍの
平均粒子径、好ましくは、0.07〜0.15μｍの平均粒子径
を有するものとする。また、アンチモン含有酸化錫微粉
末は、 0.001〜0.1 μｍの平均粒子径を有するものとす
る。透明基材上に形成される帯電防止・反射防止膜の厚
さについては、好ましくは、0.05〜0.5 μｍの厚さを有
するものとする。

【００１３】このような帯電防止・反射防止膜において
は、二酸化ケイ素微粉末の平均粒子径、反射防止膜中の
二酸化ケイ素微粉末の分散量、及び帯電防止・反射防止
膜の膜厚を適宜選択することにより、その被膜の表面か
ら二酸化ケイ素の微粉末の一部が露出し、被膜表面に形
成された凸部の頂点と凹部の底点との高低差を「表面凹
凸の高さ」と呼ぶことにすると、被膜の表面凹凸の高さ
が0.01〜0.1 μｍの微細な凹凸面となっている帯電防止
・反射防止膜を形成することが可能となる。被膜の表面
凹凸の高さが0.01〜0.1 μｍとは、JIS-B-061 の「表面
粗さの定義と表示」に規定されている山頂と谷底との高
低差を意味し、最大粗さ（Ｒ_max）に相当するものであ
る。

【００１４】この微細な凹凸面を有する被膜表面が形成
できることにより、被膜表面に対し入射する光が、凹凸
面によって散乱するため、反射率の低減を図ることがで
き、低屈折率の二酸化ケイ素微粉末による低反射化に加
え、被膜表面での光の散乱による低反射化が加味され
て、高屈折率材料であるアンチモン含有酸化錫微粉末が
添加されても十分な反射防止効果が得られるようにな
る。しかも、被膜表面の凹凸が微細なため、解像度には
影響を及ぼさない。一方、乾燥工程において、導電性を
有するアンチモン含有酸化錫微粉末が互いに引き寄せら
れ、粒子同士の接触により導電性が得られ、その結果湿
度の影響を受けず、十分な帯電防止効果が得られる。

【００１５】上述の透明基材上に形成される帯電防止・
反射防止膜は、シリコンアルコキシドと溶媒と二酸化ケ
イ素微粉末にアンチモン含有酸化錫微粉末を含有してな
る分散液を、透明基材の表面に通常のスピンコート法、
ディッピング法等の塗工法を利用して塗布され、これを
乾燥し、さらに焼き付け処理を施して形成することがで
きる。

【００１６】帯電防止・反射防止膜の膜厚については、
微細な凹凸の平均粗さにおける被膜の厚さを膜厚という
ことにすると、膜厚は厚みが薄いほど位相条件（膜の屈折率）×（膜厚）＝（設計波長）／４を容易に満足させることができるので、反射防止のため
には望ましいことではあるが、一方、形成する膜が最外
層を形成するものとなるので、ある程度の硬度を有する
ことが必須であり、これを達成するには厚さが大きいほ
うが望ましい。このような観点から膜厚は0.05〜0.5 μ
ｍの厚さを有することが好ましい。膜厚が0.05μｍ以下
では膜強度が弱くなりすぎて好ましくなく、また、膜厚
が0.5μｍ以上では乾燥時の膜の収縮により亀裂が入る
場合が生じるなど好ましくないためである。

【００１７】この帯電防止・反射防止膜は、シリコンア
ルコキシドと溶媒と、二酸化ケイ素微粉末と、アンチモ
ン含有酸化錫微粉末とを少なくとも含有してなる分散液
から形成することができ、塗布・乾燥したのち、焼き付
け処理を施すことにより製造される。使用されるシリコ
ンアルコキシドは、テトラアルコキシシラン系化合物、
アルキルトリアルコキシシラン系化合物、ジアルキルジ
アルコキシシラン系化合物等から選ぶことができ、好ま
しくは、これら化合物を加水分解して得られるシリカゾ
ルからなるものとする。これはシリカの屈折率ｎがｎ＝
1.46 と低く、また、加水分解により得られたシリカゾ
ルで形成された膜は、膜強度も強く、膜に必要な耐久性
が良好であることによる。また、溶媒は、アルコール系
化合物、エステル系化合物、グリコールエーテル系化合
物、およびケトン系化合物から選ぶことができる。これ
らは、単一種で用いても良く、２種以上の混合物として
もよい。

【００１８】前述のように、シリコンアルコキシドは、
基材表面に塗布され、焼き付け処理される際にシリカと
なり、それ相応に反射防止に寄与するものであるが、更
なる反射率低減のために二酸化ケイ素微粉末を添加す
る。二酸化ケイ素微粉末は、シリコンのアルコキシドを
高分子、例えばポリビニルアルコール、セルロースの存
在下において加水分解させることなどにより製造された
ものを使用する。この二酸化ケイ素微粉末は、粉末状で
添加しても良く、分散されたゾル状で添加しても良い。
粉末状の二酸化ケイ素微粉末の形状は、球状、針状、板
状、および鎖状のいずれであっても良い。

【００１９】この二酸化ケイ素微粉末の分散量は、形成
される被膜の表面から二酸化ケイ素微粉末の一部が露出
し、被膜の表面凹凸の高さが0.01〜0.1 μｍの微細な凹
凸面にすることが可能な配合であれば良く、これにより
凹凸状にした被膜表面への入射光を散乱させ、二酸化ケ
イ素の低屈折率による反射防止効果に加えて、この散乱
による低反射効果により、アンチモン含有酸化錫の影響
を抑制し、十分な反射防止効果が得られる。

【００２０】この時の二酸化ケイ素微粉末の添加量は、
反射防止効果が得られれば良く、適宜テストして添加量
を決定する必要がある。この目的に用いる二酸化ケイ素
微粉末は、平均子粒径が0.05〜0.5 μｍ、好ましくは0.
07〜0.15μｍのものである。この平均粒子径が0.5 μｍ
を越えると、得られる膜において、レイリー散乱による
光の乱反射が強くなり、膜の曇り度が高くなり過ぎるた
め、白っぽく見え、その透明性が低下しがちである。ま
た、二酸化ケイ素微粉末の平均粒子径が0.05μｍ未満で
あると、粒子による散乱効果が得られないこともあり、
十分な反射防止効果が得られない。

【００２１】また、アンチモン含有酸化錫微粉末につい
ては、帯電防止効果を発現させるために必要な添加量
を、適宜実験して決定する必要がある。このアンチモン
含有酸化錫微粉末は、 0.001〜0.1 μｍの平均粒子径を
有するものであることが好ましい。この平均粒子径が
0.001μｍ未満であると、通電性が低下し、かつ粒子が
凝集し易くなり、分散液中において均一な分散が困難に
なり、塗料の粘度が増大し、この粘度を下げるために多
量の分散溶媒の添加が必要になり、このため分散液中の
アンチモン含有酸化錫微粉末の濃度が過度に低くなる場
合がある。また、アンチモン含有酸化錫微粉末の平均粒
子径が0.1 μｍを越えると、帯電防止・反射防止膜の表
面から露出するようになり、高屈折率材料による反射強
度の増大が認められ、十分な反射防止効果が得られなく
なる。

【００２２】このようなアンチモン含有酸化錫微粉末に
おいて、酸化錫は、気相法（当該化合物をガス化し、こ
れを気相法で冷却固化する）、ＣＶＤ法（成分元素をガ
ス化し、気相法においてこれらを反応させ、生成物を冷
却固化する）、または炭酸塩（シュウ酸塩）法（当該金
属元素の炭酸塩（シュウ酸塩）から気相中で変成し、冷
却固化する）等の、いずれかの既知の方法によって製造
されたものであってもよい。また、成分元素の塩化物と
塩基性化合物との混合溶液を反応させ、目的化合物の超
微粒子ゾルを製造する酸アルカリ法、又は、それから溶
媒を除去する水熱法なども酸化錫微粉末の製造に用いる
ことができる。水熱法においては、微粒子の成長、球状
化、または表面改質が可能である。微粒子の形状には、
格別の制限はなく、球状、板状、針状、および鎖状等の
いずれであっても良い。

【００２３】酸化錫に対するアンチモンのドープ方法お
よび、ドープされているアンチモンの量には、格別の制
限はないが、一般に、酸化錫の重量に対して 1〜5 ％で
あることが好ましい。これによって、酸化錫微粉末は、
その帯電防止効果をいっそう増進させることができる。
また、このような帯電防止・反射防止膜を透明基材表面
に形成するには、前述の分散液を用い、これを透明基材
の表面に塗布して、乾燥し、さらに焼き付け処理を施せ
ば良いので、製造が容易で、生産性が高く、低コストで
提供できる。

【００２４】このようにして得られる帯電防止・反射防
止膜は、ディスプレイ装置の表示面、その表面カバー材
料、窓ガラス、ショーウィンドー用ガラス、ＴＶブラウ
ン管の表示面、液晶装置の表示面、計器のカバーガラ
ス、時計のカバーガラス、または陰極線管の画像表示面
等に好適に用いられる。なお、使用する透明基材として
は、ガラス基材が好ましく、例えば無アルカリガラス、
アルカリホウケイ酸ガラス、アルミナケイ酸ガラス、鉛
ガラス、その他のガラスよりなるものが用いられる。

【００２５】

【実施例】以下、実施例について説明するが、この実施
例が別態様を制限し、本発明を限定させるものではな
い。（実施例１） (1) 分散液（Ａ）の調製 0.6ｇの平均粒子径が 0.1μｍの二酸化ケイ素微粉末
（住友大阪セメント社製）と、 0.6ｇのアンチモン含有
酸化錫微粉末（住友大阪セメント社製）と、26.5ｇのシ
リコンアルコキシド加水分解液（ 40 ｇのテトラエトキ
シシランを 35 ｇの 0.1Ｎ塩酸と 181ｇのエタノールを
混合して均一溶液としたもの）に、メチルセロソルブ 2
0 ｇとエタノール52.3ｇを添加し、超音波ホモジナイザ
ー（セントラル科学貿易社製：ソニファイヤー 450）で
10 分間分散させ、均一な溶液とした。 (2) 帯電防止・反射防止膜の製造室温においてガラス基板に分散液（Ａ）をスピンコート
法により塗布し、 50℃の温風で 30 秒間乾燥した後、
120℃で 30 分間焼き付け処理を行った。形成された塗
膜は0.15μｍの厚さを有し、さらに被膜表面に高さ0.05
μｍの微細な凹凸を有する帯電防止・反射防止膜が形成
された。 (3) 評価ここで得られた被膜のヘーズ値、表面抵抗値（表面抵抗
計による）、表面反射率（入射角５度の正反射治具を用
いた片面の測定値）、および密着性（消しゴムテスト：
１ｋｇ荷重 20 回往復による）を測定した。その評価結
果を表１に示す。

【００２６】（実施例２） (1) 分散液（Ｂ）の調製 0.7ｇの平均粒子径が0.07μｍの二酸化ケイ素微粉末
（住友大阪セメント社製）と、 0.5ｇのアンチモン含有
酸化錫微粉末（住友大阪セメント社製）と、26.5ｇのシ
リコンアルコキシド加水分解液（ 40 ｇのテトラエトキ
シシランを 35 ｇの 0.1Ｎ塩酸と 181ｇのエタノールを
混合して均一溶液としたもの）に、メチルセロソルブ 2
0 ｇとエタノール52.4ｇを添加し、超音波ホモジナイザ
ー（セントラル科学貿易社製：ソニファイヤー 450）で
10 分間分散させ、均一な溶液とし、帯電防止・反射防
止膜形成用分散液（Ｂ）とした。 (2) 帯電防止・反射防止膜の製造分散液（Ｂ）を用い、実施例１と同様な操作を行い、0.
15μｍの厚さを有し、さらに被膜表面に高さ0.02μｍの
微細な凹凸を有する帯電防止・反射防止膜を得た。 (3) 評価得られた被膜につき、実施例１と同様な測定を行って評
価し、その評価結果を表１に示す。

【００２７】〔実施例３） (1) 分散液（Ｃ）の調製 0.6ｇの平均粒子径が0.13μｍの二酸化ケイ素微粉末
（住友大阪セメント社製）と、 0.6ｇのアンチモン含有
酸化錫微粉末（住友大阪セメント社製）と、31.3ｇのシ
リコンアルコキシド加水分解液（ 40 ｇのテトラエトキ
シシランを 35 ｇの 0.1Ｎ塩酸と 181ｇのエタノールを
混合して均一溶液としたもの）に、メチルセロソルブ 1
0 ｇとエタノール57.5ｇを添加し、超音波ホモジナイザ
ー（セントラル科学貿易社製：ソニファイヤー 450）で
10 分間分散させ、均一な溶液とし、帯電防止・反射防
止膜形成用分散液（Ｃ）とした。 (2) 帯電防止・反射防止膜の製造分散液（Ｃ）を用い、実施例１と同様な操作を行い、0.
15μｍの厚さを有し、さらに被膜表面に高さ0.02μｍの
微細な凹凸を有する帯電防止・反射防止膜を得た。 (3) 評価得られた被膜につき、実施例１と同様な測定を行って評
価し、その評価結果を表１に示す。

【００２８】（比較例１） (1) 分散液（Ｄ）の調製 0.2ｇの平均粒子径が 0.1μｍの二酸化ケイ素微粉末
（住友大阪セメント社製）と、12.2ｇのシリコンアルコ
キシド加水分解液（ 40 ｇのテトラエトキシシランを 3
5 ｇの 0.1Ｎ塩酸と 181ｇのエタノールを混合して均一
溶液としたもの）に、メチルセロソルブ 20 ｇとエタノ
ール67.6ｇを添加し、超音波ホモジナイザー（セントラ
ル科学貿易社製：ソニファイヤー 450）で 10 分間分散
させ、均一な溶液とし、帯電防止・反射防止膜形成用分
散液（Ｄ）とした。 (2) 帯電防止・反射防止膜の製造分散液（Ｄ）を用い、実施例１と同様な操作を行い、0.
13μｍの厚さを有し、さらに被膜表面に高さ0.03μｍの
微細な凹凸を有する反射防止膜を得た。 (3) 評価得られた被膜につき、実施例１と同様な測定を行って評
価し、その評価結果を表１に示す。

【００２９】（比較例２） (1) 分散液（Ｅ）の調製 0.7ｇのアンチモン含有酸化錫微粉末（住友大阪セメン
ト社製）と、43.8ｇのシリコンアルコキシド加水分解液
（ 40 ｇのテトラエトキシシランを 35 ｇの 0.1Ｎ塩酸
と 181ｇのエタノールを混合して均一溶液としたもの）
に、メチルセロソルブ 20 ｇとエタノール 35.5 ｇを添
加し、超音波ホモジナイザー（セントラル科学貿易社
製：ソニファイヤー 450）で 10 分間分散させ、均一な
溶液とし、帯電防止・反射防止膜形成用分散液（Ｅ）と
した。 (2) 帯電防止・反射防止膜の製造分散液（Ｅ）を用い、実施例１と同様な操作を行い、0.
15μｍの厚さを有し、さらに被膜表面に高さ0.01μｍの
微細な凹凸を有する帯電防止・反射防止膜を得た。 (3) 評価得られた被膜につき、実施例１と同様な測定を行って評
価し、その評価結果を表１に示す。

【００３０】（比較例３） (1) 分散液（Ｆ）の調製 1.0ｇの平均粒子径が 0.6μｍの二酸化ケイ素微粉末
（住友大阪セメント社製）と、 1.0ｇのアンチモン含有
酸化錫微粉末（住友大阪セメント社製）と、12.5ｇのシ
リコンアルコキシド加水分解液（ 40 ｇのテトラエトキ
シシランを 35 ｇの 0.1Ｎ塩酸と 181ｇのエタノールを
混合して均一溶液としたもの）に、メチルセロソルブ 2
0 ｇとエタノール65.5ｇを添加し、超音波ホモジナイザ
ー（セントラル科学貿易社製：ソニファイヤー 450）で
10 分間分散させ、均一な溶液とし、帯電防止・反射防
止膜形成用分散液（Ｆ）とした。 (2) 帯電防止・反射防止膜の製造分散液（Ｆ）を用い、実施例１と同様な操作を行い、0.
85μｍの厚さを有し、さらに被膜表面に高さ 0.2μｍの
微細な凹凸を有する帯電防止・反射防止膜を得た。 (3) 評価得られた被膜につき、実施例１と同様な測定を行って評
価し、その評価結果を表１に示す。

【００３１】

【表１】

【００３２】

【発明の効果】以上のように本発明では、請求項１に係
る帯電防止・反射防止膜では、シリコンアルコキシドと
溶媒と二酸化ケイ素微粉末とアンチモン含有酸化錫微粉
末とを含有してなる分散液により形成された被膜の表面
に、高さ0.01〜0.1 μｍの微細な凹凸面を有しているこ
とによって、画像解像度を低下させることなく、被膜に
入射する光が散乱し、反射率の低減を図ることができ、
これに、さらに二酸化ケイ素自身の低屈折率による反射
率の低減効果を合わせることにより、高屈折率材料であ
るアンチモン含有酸化錫微粉末の共存下においても十分
な反射防止効果を得ることができ、同時に、導電性につ
いても、アンチモン含有酸化錫微粉末の粒子同士の接触
による導電性により安定した十分な帯電防止効果を得る
ことができる。また、上述の分散液を塗布し、乾燥、焼
き付け処理を施すことによって、解像度に影響を及ぼさ
ない程度に被膜表面を凹凸面にすることが可能となり、
これによる反射防止効果の著しい向上とアンチモン含有
酸化錫による帯電防止効果が同時に得られ、帯電防止・
反射防止膜を極めて容易に製造することが可能となり、
生産性が高く、低コストにすることができる。このよう
にして得られた帯電防止・反射防止膜は、ディスプレイ
装置の表示面、その表面カバー材料、窓ガラス、ショー
ウィンドー用ガラス、ＴＶブラウン管の表示面、液晶装
置の表示面、計器のカバーガラス、時計のカバーガラ
ス、または陰極線管の画像表示面などに好適に用いるこ
とができる。

【００３３】また、請求項２に係る帯電防止・反射防止
膜では、被膜の表面から二酸化ケイ素微粉末の一部が露
出していることによって、低屈折率の二酸化ケイ素微粉
末自身の低屈折率による反射率の低減効果と微細な凹凸
面による入射光の散乱との組合せにより効果的に反射防
止効果を向上させることができる。

【００３４】また、請求項３に係る帯電防止・反射防止
膜では、二酸化ケイ素微粉末が平均粒子径0.05〜0.5 μ
ｍであることによって、膜厚に応じて、二酸化ケイ素微
粉末の平均粒子径を適宜選択して形成する被膜の表面か
ら二酸化ケイ素微粉末の一部を露出させ、入射光の散乱
効果を高めることができる。

【００３５】また、請求項４に係る帯電防止・反射防止
膜では、アンチモン含有酸化錫微粉末の平均粒子径を
0.001〜0.1 μｍとしたことによって、被膜形成後に通
電性を示し、湿度の影響などを受けさせずに必要な帯電
防止効果を発揮させることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ０２Ｆ 1/1335 Ｈ０１Ｊ 29/88 Ｈ０１Ｊ 5/08 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ 29/88 Ｚ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】シリコンアルコキシドと、溶媒と、二酸化
ケイ素微粉末と、アンチモン含有酸化錫微粉末とを、少
なくとも含有してなる分散液により形成された被膜にお
いて、該被膜の表面に高さ0.01〜0.1 μｍの微細な凹凸
面を有していることを特徴とする帯電防止・反射防止
膜。
【請求項２】前記被膜の表面から前記二酸化ケイ素微粉
末の一部が露出していることを特徴とする請求項１記載
の帯電防止・反射防止膜。
【請求項３】前記二酸化ケイ素微粉末の平均粒子径が0.
05〜0.5 μｍであることを特徴とする請求項１または２
記載の帯電防止・反射防止膜。
【請求項４】前記アンチモン含有酸化錫微粉末の平均粒
子径が 0.001〜0.1 μｍであることを特徴とする請求項
１〜３のいずれかに記載の帯電防止・反射防止膜。