JPH09249966A - 金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリングターゲット - Google Patents
金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリングターゲットInfo
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- JPH09249966A JPH09249966A JP8056162A JP5616296A JPH09249966A JP H09249966 A JPH09249966 A JP H09249966A JP 8056162 A JP8056162 A JP 8056162A JP 5616296 A JP5616296 A JP 5616296A JP H09249966 A JPH09249966 A JP H09249966A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ビームを用いて情報の記録および消去を行
う光ディスクなどの光メディアに用いられる反射膜また
は液晶ＴＦＴの配線を形成するための金属間化合物分散
型焼結Ａｌ合金製スパッタリングターゲットを提供す
る。 【解決手段】 金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパ
ッタリングターゲットの表面がＡｌとＴａとの金属間化
合物、ＡｌとＺｒとの金属間化合物、ＡｌとＴｉとの金
属間化合物、ＡｌとＨｆとの金属間化合物、ＡｌとＮｂ
との金属間化合物、ＡｌとＣｒとの金属間化合物、Ａｌ
とＷとの金属間化合物、ＡｌとＭｏとの金属間化合物の
内の１種または２種以上を２．０〜６０モル％を含有
し、残りがＡｌおよび不可避不純物からなる組成を有
し、かつこれら金属間化合物はスパッタリングターゲッ
トの表面から裏面に向かって厚さ方向に０．０２〜２．
０モル％／ｍｍの濃度勾配で減少している。
う光ディスクなどの光メディアに用いられる反射膜また
は液晶ＴＦＴの配線を形成するための金属間化合物分散
型焼結Ａｌ合金製スパッタリングターゲットを提供す
る。 【解決手段】 金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパ
ッタリングターゲットの表面がＡｌとＴａとの金属間化
合物、ＡｌとＺｒとの金属間化合物、ＡｌとＴｉとの金
属間化合物、ＡｌとＨｆとの金属間化合物、ＡｌとＮｂ
との金属間化合物、ＡｌとＣｒとの金属間化合物、Ａｌ
とＷとの金属間化合物、ＡｌとＭｏとの金属間化合物の
内の１種または２種以上を２．０〜６０モル％を含有
し、残りがＡｌおよび不可避不純物からなる組成を有
し、かつこれら金属間化合物はスパッタリングターゲッ
トの表面から裏面に向かって厚さ方向に０．０２〜２．
０モル％／ｍｍの濃度勾配で減少している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光ビームを用い
て情報の記録および消去を行う光ディスクなどの光メデ
ィアに用いられる反射膜または液晶ＴＦＴの配線を形成
するための金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタ
リングターゲットに関するものである。
て情報の記録および消去を行う光ディスクなどの光メデ
ィアに用いられる反射膜または液晶ＴＦＴの配線を形成
するための金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタ
リングターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ビームを用いて情報の記録および消去
を行う光ディスクなどの光メディアに用いられる反射膜
を形成するためのスパッタリングターゲットとして、Ａ
ｌとＴａとの金属間化合物、ＡｌとＺｒとの金属間化合
物、ＡｌとＴｉとの金属間化合物、ＡｌとＨｆとの金属
間化合物、ＡｌとＮｂとの金属間化合物、ＡｌとＣｒと
の金属間化合物、ＡｌとＷとの金属間化合物、ＡｌとＭ
ｏとの金属間化合物の内の１種または２種以上（以下、
ＩＭＣという）を２．０〜６０モル％を含有し、残りが
Ａｌおよび不可避不純物からなる組成を有する金属間化
合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリングターゲットは
知られている。
を行う光ディスクなどの光メディアに用いられる反射膜
を形成するためのスパッタリングターゲットとして、Ａ
ｌとＴａとの金属間化合物、ＡｌとＺｒとの金属間化合
物、ＡｌとＴｉとの金属間化合物、ＡｌとＨｆとの金属
間化合物、ＡｌとＮｂとの金属間化合物、ＡｌとＣｒと
の金属間化合物、ＡｌとＷとの金属間化合物、ＡｌとＭ
ｏとの金属間化合物の内の１種または２種以上（以下、
ＩＭＣという）を２．０〜６０モル％を含有し、残りが
Ａｌおよび不可避不純物からなる組成を有する金属間化
合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリングターゲットは
知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来のＩ
ＭＣ：２．０〜６０モル％を含有し、残りがＡｌおよび
不可避不純物からなる組成を有する金属間化合物分散型
焼結Ａｌ合金製スパッタリングターゲットを用いて成膜
すると、最後にスパッタリングして得られた膜に含まれ
るＩＭＣの含有量は最初にスパッタリングして得られた
膜に含まれるＩＭＣの含有量よりも多くなり、従って、
安定した膜特性が得られなくなると共に、光メディアの
品質にばらつきが生じ、信頼性が失われることがあっ
た。
ＭＣ：２．０〜６０モル％を含有し、残りがＡｌおよび
不可避不純物からなる組成を有する金属間化合物分散型
焼結Ａｌ合金製スパッタリングターゲットを用いて成膜
すると、最後にスパッタリングして得られた膜に含まれ
るＩＭＣの含有量は最初にスパッタリングして得られた
膜に含まれるＩＭＣの含有量よりも多くなり、従って、
安定した膜特性が得られなくなると共に、光メディアの
品質にばらつきが生じ、信頼性が失われることがあっ
た。
【０００４】実際に、Ａｌ3 Ｔａ：６モル％を含有し、
残りがＡｌおよび不可避不純物からなる組成を有するス
パッタリングターゲットを用いて薄膜を２００枚形成す
ると、最初の薄膜に含まれるＡｌ3 Ｔａ含有量は６モル
％であるが、最後の２００枚目に形成された薄膜のＴａ
含有量は６．９２モル％であり、０．９２モル％も増加
していることが分かった。
残りがＡｌおよび不可避不純物からなる組成を有するス
パッタリングターゲットを用いて薄膜を２００枚形成す
ると、最初の薄膜に含まれるＡｌ3 Ｔａ含有量は６モル
％であるが、最後の２００枚目に形成された薄膜のＴａ
含有量は６．９２モル％であり、０．９２モル％も増加
していることが分かった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
膜のＩＭＣ濃度にばらつきが生じることのない金属間化
合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリングターゲットを
得るべく研究を行なった結果、図１の断面図に示される
ように、金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリ
ングターゲット１の表面２から裏面３に向かって厚さ方
向にＩＭＣ含有量が減少する濃度勾配を有する金属間化
合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリングターゲットを
用いてスパッタリング行うと、最初に形成された薄膜に
含まれるＩＭＣ含有量と最後に形成された薄膜に含まれ
るＩＭＣ含有量とにほとんど差が生じることがなく、し
たがって常に一定のＩＭＣ含有量を有する薄膜が得られ
るという知見を得たのである。
膜のＩＭＣ濃度にばらつきが生じることのない金属間化
合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリングターゲットを
得るべく研究を行なった結果、図１の断面図に示される
ように、金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリ
ングターゲット１の表面２から裏面３に向かって厚さ方
向にＩＭＣ含有量が減少する濃度勾配を有する金属間化
合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリングターゲットを
用いてスパッタリング行うと、最初に形成された薄膜に
含まれるＩＭＣ含有量と最後に形成された薄膜に含まれ
るＩＭＣ含有量とにほとんど差が生じることがなく、し
たがって常に一定のＩＭＣ含有量を有する薄膜が得られ
るという知見を得たのである。
【０００６】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、（１）図１に示されるように、スパッ
タリングターゲットの表面２はＩＭＣ：２．０〜６０モ
ル％を含有し残りがＡｌおよび不可避不純物からなる組
成を有し、かつスパッタリングターゲットの表面２から
裏面３に向かって厚さ方向にＩＭＣ含有量が減少する濃
度勾配を有する金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパ
ッタリングターゲット、（２）前記スパッタリングター
ゲットの表面から裏面に向かって厚さ方向にＩＭＣ含有
量が減少する濃度勾配は、０．０２〜２．０モル％／ｍ
ｍの範囲内にある（１）記載の金属間化合物分散型焼結
Ａｌ合金製スパッタリングターゲット、に特徴を有する
ものである。
たものであって、（１）図１に示されるように、スパッ
タリングターゲットの表面２はＩＭＣ：２．０〜６０モ
ル％を含有し残りがＡｌおよび不可避不純物からなる組
成を有し、かつスパッタリングターゲットの表面２から
裏面３に向かって厚さ方向にＩＭＣ含有量が減少する濃
度勾配を有する金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパ
ッタリングターゲット、（２）前記スパッタリングター
ゲットの表面から裏面に向かって厚さ方向にＩＭＣ含有
量が減少する濃度勾配は、０．０２〜２．０モル％／ｍ
ｍの範囲内にある（１）記載の金属間化合物分散型焼結
Ａｌ合金製スパッタリングターゲット、に特徴を有する
ものである。
【０００７】この発明の濃度勾配を有する金属間化合物
分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリングターゲットは、表
面から裏面に向かって厚さ方向にＩＭＣ含有量が減少す
る濃度勾配があれば良いが、その濃度勾配は、０．０２
〜２．０モル％／ｍｍの範囲内にあることが好ましく、
０．０４〜０．２０モル％／ｍｍの範囲内にあることが
いっそう好ましい。
分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリングターゲットは、表
面から裏面に向かって厚さ方向にＩＭＣ含有量が減少す
る濃度勾配があれば良いが、その濃度勾配は、０．０２
〜２．０モル％／ｍｍの範囲内にあることが好ましく、
０．０４〜０．２０モル％／ｍｍの範囲内にあることが
いっそう好ましい。
【０００８】図１に示されるこの発明の濃度勾配を有す
る金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリングタ
ーゲットは、まず、Ｔａ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｍｏの内の１種とＡｌとを金属間化合物を作る
配合比に調合し、熔解、反応させた後、ガスアトマイズ
法によりＩＭＣ粉末を作製し、これらＩＭＣ粉末を用い
て、（ａ）ホットプレス用モールドに原料粉末であるＡ
ｌ粉末およびＩＭＣ粉末を、ＩＭＣ含有量の濃度勾配が
生じるように配合比を層状に変化させて積み重ね充填
し、ついでホットプレス金属間化合物分散型焼結する方
法、（ｂ）均一に混合された原料粉末をホットプレス用
モールドに充填したのち、モールドに振動を加え、Ａｌ
粉末とＩＭＣ粉末の比重差を利用してＩＭＣ含有量の濃
度勾配を生じさせ、ついでホットプレス金属間化合物分
散型焼結する方法、などの方法により、厚さ方向にＩＭ
Ｃ成分の濃度勾配を有する金属間化合物分散型焼結体を
作製し、この金属間化合物分散型焼結体の表面を研削し
たのち、所定の形状に切削加工してターゲット形状に仕
上げることにより製造することができる。
る金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリングタ
ーゲットは、まず、Ｔａ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｍｏの内の１種とＡｌとを金属間化合物を作る
配合比に調合し、熔解、反応させた後、ガスアトマイズ
法によりＩＭＣ粉末を作製し、これらＩＭＣ粉末を用い
て、（ａ）ホットプレス用モールドに原料粉末であるＡ
ｌ粉末およびＩＭＣ粉末を、ＩＭＣ含有量の濃度勾配が
生じるように配合比を層状に変化させて積み重ね充填
し、ついでホットプレス金属間化合物分散型焼結する方
法、（ｂ）均一に混合された原料粉末をホットプレス用
モールドに充填したのち、モールドに振動を加え、Ａｌ
粉末とＩＭＣ粉末の比重差を利用してＩＭＣ含有量の濃
度勾配を生じさせ、ついでホットプレス金属間化合物分
散型焼結する方法、などの方法により、厚さ方向にＩＭ
Ｃ成分の濃度勾配を有する金属間化合物分散型焼結体を
作製し、この金属間化合物分散型焼結体の表面を研削し
たのち、所定の形状に切削加工してターゲット形状に仕
上げることにより製造することができる。
【０００９】これらの方法でＩＭＣ成分の濃度勾配を有
する金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリング
ターゲットを製造するための原料粉末は、球状よりも偏
平状の粉末の方がＩＭＣ成分の濃度勾配をつけやすく、
偏平状の粉末の短径ａに対する厚さｂの比率ｂ／ａ（以
下、偏平率という）が０．２〜０．８の範囲内にある偏
平状の粉末であることが好ましい。
する金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリング
ターゲットを製造するための原料粉末は、球状よりも偏
平状の粉末の方がＩＭＣ成分の濃度勾配をつけやすく、
偏平状の粉末の短径ａに対する厚さｂの比率ｂ／ａ（以
下、偏平率という）が０．２〜０．８の範囲内にある偏
平状の粉末であることが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】 実施例 原料粉末として、いずれも偏平率が０．５のＡｌ粉末、
Ａｌ3 Ｔａ粉末、Ａｌ 3 Ｔｉ粉末、Ａｌ3 Ｚｒ粉末、Ａ
ｌ3 Ｈｆ粉末、Ａｌ3 Ｎｂ粉末、Ａｌ4 Ｃｒ粉末、Ａｌ
4 Ｗ粉末、Ａｌ4 Ｍｏ粉末およびＡｌ3 Ｔａ2 粉末を用
意し、これら原料粉末を、表１〜表３に示される配合組
成の表面層および裏面層を有しかつ表面層から裏面層に
向かって減少するＩＭＣの濃度勾配が生じるように、黒
鉛製モールドに積層充填し、ついでＡｒ雰囲気中、温
度：６００℃、２時間保持の条件でホットプレスするこ
とにより金属間化合物分散型焼結体を作製し、この金属
間化合物分散型焼結体を機械加工して直径：２００ｍ
ｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有し、表１〜表３に示される
表面および裏面のＩＭＣ濃度並びにＩＭＣの濃度勾配を
有する円盤状の本発明ターゲット１〜２４を製造した。
Ａｌ3 Ｔａ粉末、Ａｌ 3 Ｔｉ粉末、Ａｌ3 Ｚｒ粉末、Ａ
ｌ3 Ｈｆ粉末、Ａｌ3 Ｎｂ粉末、Ａｌ4 Ｃｒ粉末、Ａｌ
4 Ｗ粉末、Ａｌ4 Ｍｏ粉末およびＡｌ3 Ｔａ2 粉末を用
意し、これら原料粉末を、表１〜表３に示される配合組
成の表面層および裏面層を有しかつ表面層から裏面層に
向かって減少するＩＭＣの濃度勾配が生じるように、黒
鉛製モールドに積層充填し、ついでＡｒ雰囲気中、温
度：６００℃、２時間保持の条件でホットプレスするこ
とにより金属間化合物分散型焼結体を作製し、この金属
間化合物分散型焼結体を機械加工して直径：２００ｍ
ｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有し、表１〜表３に示される
表面および裏面のＩＭＣ濃度並びにＩＭＣの濃度勾配を
有する円盤状の本発明ターゲット１〜２４を製造した。
【００１１】従来例 一方、実施例で用意した原料粉末を表３に示される成分
組成となるように配合し、均一に混合した後、黒鉛製モ
ールドに積層充填し、ついでＡｒ雰囲気中、温度：６０
０℃、２時間保持の条件でホットプレスすることにより
直径：２００ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有する円盤状
の従来ターゲット１〜３を製造した。
組成となるように配合し、均一に混合した後、黒鉛製モ
ールドに積層充填し、ついでＡｒ雰囲気中、温度：６０
０℃、２時間保持の条件でホットプレスすることにより
直径：２００ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有する円盤状
の従来ターゲット１〜３を製造した。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【表２】
【００１４】
【表３】
【００１５】これら本発明ターゲット１〜２４のＩＭＣ
濃度の低い裏面をＣｕ製バッキングプレートにろう付け
し、さらに従来ターゲット１〜３もＣｕ製バッキングプ
レートにろう付けしたのち、直流マグネトロンスパッタ
リング装置にターゲットと基板との距離が７０ｍｍとな
るようにセットし、基板温度：２５０℃、Ａｒ雰囲気圧
力：５×１０-3ｔｏｒｒ、出力：５００Ｗの条件でスパ
ッタリングを行い、基板表面に膜厚：０．２μｍの薄膜
を２００回形成した。
濃度の低い裏面をＣｕ製バッキングプレートにろう付け
し、さらに従来ターゲット１〜３もＣｕ製バッキングプ
レートにろう付けしたのち、直流マグネトロンスパッタ
リング装置にターゲットと基板との距離が７０ｍｍとな
るようにセットし、基板温度：２５０℃、Ａｒ雰囲気圧
力：５×１０-3ｔｏｒｒ、出力：５００Ｗの条件でスパ
ッタリングを行い、基板表面に膜厚：０．２μｍの薄膜
を２００回形成した。
【００１６】本発明ターゲット１〜２４および従来ター
ゲット１〜３を用いてそれぞれ第１回のスパッタリング
により基板表面に形成された薄膜の組成および最終回の
第２００回目のスパッタリングにより基板表面に形成さ
れた薄膜の組成を測定し、その結果を表４に示した。
ゲット１〜３を用いてそれぞれ第１回のスパッタリング
により基板表面に形成された薄膜の組成および最終回の
第２００回目のスパッタリングにより基板表面に形成さ
れた薄膜の組成を測定し、その結果を表４に示した。
【００１７】
【表４】
【００１８】
【発明の効果】表１〜表４に示される結果から、厚さ方
向にＩＭＣの濃度勾配がある本発明ターゲット１〜２４
は、ＩＭＣの濃度勾配のない従来ターゲット１〜３に比
べて、最初の薄膜のＩＭＣ濃度と最後の薄膜のＩＭＣ濃
度の差が極めて少ないことが分かる。
向にＩＭＣの濃度勾配がある本発明ターゲット１〜２４
は、ＩＭＣの濃度勾配のない従来ターゲット１〜３に比
べて、最初の薄膜のＩＭＣ濃度と最後の薄膜のＩＭＣ濃
度の差が極めて少ないことが分かる。
【００１９】上述のように、この発明は、多数の薄膜を
形成しても、薄膜のＩＭＣ濃度のばらつきが極めて少な
い金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリングタ
ーゲットを提供することができるところから、膜の信頼
性が向上し、光メディア産業の発展に大いに貢献し得る
ものである。
形成しても、薄膜のＩＭＣ濃度のばらつきが極めて少な
い金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリングタ
ーゲットを提供することができるところから、膜の信頼
性が向上し、光メディア産業の発展に大いに貢献し得る
ものである。
【図１】この発明の金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製
スパッタリングターゲットの断面図である。
スパッタリングターゲットの断面図である。
１ 金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリング
ターゲット ２ 表面 ３ 裏面
ターゲット ２ 表面 ３ 裏面
Claims (3)
- 【請求項１】 ＡｌとＴａとの金属間化合物、ＡｌとＺ
ｒとの金属間化合物、ＡｌとＴｉとの金属間化合物、Ａ
ｌとＨｆとの金属間化合物、ＡｌとＮｂとの金属間化合
物、ＡｌとＣｒとの金属間化合物、ＡｌとＷとの金属間
化合物、ＡｌとＭｏとの金属間化合物の内の１種または
２種以上（以下、ＩＭＣという）を含有する焼結Ａｌ合
金製スパッタリングターゲットにおいて、 スパッタリングターゲットの表面から裏面に向かって厚
さ方向にＩＭＣ含有量が減少する濃度勾配を有すること
を特徴とする金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッ
タリングターゲット。 - 【請求項２】 前記スパッタリングターゲットの表面は
ＩＭＣ：２．０〜６０モル％を含有し、残りがＡｌおよ
び不可避不純物からなる組成を有し、かつスパッタリン
グターゲットの表面から裏面に向かって厚さ方向にＩＭ
Ｃ含有量が減少する濃度勾配を有することを特徴とする
請求項１記載の金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパ
ッタリングターゲット。 - 【請求項３】 前記スパッタリングターゲットの表面か
ら裏面に向かって厚さ方向にＩＭＣ含有量が減少する濃
度勾配は、０．０２〜２．０モル％／ｍｍの範囲内にあ
ることを特徴とする請求項１または２記載の金属間化合
物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8056162A JPH09249966A (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8056162A JPH09249966A (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09249966A true JPH09249966A (ja) | 1997-09-22 |
Family
ID=13019409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8056162A Withdrawn JPH09249966A (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 金属間化合物分散型焼結Ａｌ合金製スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09249966A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7135399B2 (en) * | 2000-04-19 | 2006-11-14 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Deposition method for wiring thin film |
| JP2016519218A (ja) * | 2013-04-18 | 2016-06-30 | エリコン サーフェス ソリューションズ アーゲー、 トリュープバッハ | Ａｌ−Ｃｒ−Ｎコーティングを生成するための金属、金属間化合物及びセラミックターゲット材料のアーク蒸着 |
| CN112813326A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-05-18 | 有研工程技术研究院有限公司 | 一种钛铝铬合金靶及其制备方法 |
-
1996
- 1996-03-13 JP JP8056162A patent/JPH09249966A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7135399B2 (en) * | 2000-04-19 | 2006-11-14 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Deposition method for wiring thin film |
| JP2016519218A (ja) * | 2013-04-18 | 2016-06-30 | エリコン サーフェス ソリューションズ アーゲー、 トリュープバッハ | Ａｌ−Ｃｒ−Ｎコーティングを生成するための金属、金属間化合物及びセラミックターゲット材料のアーク蒸着 |
| CN112813326A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-05-18 | 有研工程技术研究院有限公司 | 一种钛铝铬合金靶及其制备方法 |
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