JPH09255334A - バルク酸化物超電導体の作製方法 - Google Patents
バルク酸化物超電導体の作製方法Info
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- JPH09255334A JPH09255334A JP8065900A JP6590096A JPH09255334A JP H09255334 A JPH09255334 A JP H09255334A JP 8065900 A JP8065900 A JP 8065900A JP 6590096 A JP6590096 A JP 6590096A JP H09255334 A JPH09255334 A JP H09255334A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 超電導体中に分散した第２相（常電導体）を
微細化して、超電導特性を改良する。 【解決手段】 半溶融法（メルトプロセス法）でＲＥＢ
ａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（ｘは欠損失量、ＲＥは希土類元素）系
の超電導体を作製する酸化物超電導体はバルクの作製方
法であって、前記予め結晶化したＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x
系の超電導体の粉末と、ＲＥ2ＢａＣｕＯ5もしくはＲＥ
4Ｂａ2Ｃｕ2Ｏ5系の第２相常電導体の粒径を可能な限り
小さい径にした粉末を出発原料として用いたものであ
る。
微細化して、超電導特性を改良する。 【解決手段】 半溶融法（メルトプロセス法）でＲＥＢ
ａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（ｘは欠損失量、ＲＥは希土類元素）系
の超電導体を作製する酸化物超電導体はバルクの作製方
法であって、前記予め結晶化したＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x
系の超電導体の粉末と、ＲＥ2ＢａＣｕＯ5もしくはＲＥ
4Ｂａ2Ｃｕ2Ｏ5系の第２相常電導体の粒径を可能な限り
小さい径にした粉末を出発原料として用いたものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半溶融法（メルト
プロセス法）でＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（ｘは欠損失量、
ＲＥは希土類元素）系のバルク酸化物超電導体を作製す
る作製方法に関し、特に、バルク酸化物超電導体を用い
た磁気浮上装置、磁気シールド、超電導バルクマグネッ
トの作製技術に適用して有効な技術に関するものであ
る。
プロセス法）でＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（ｘは欠損失量、
ＲＥは希土類元素）系のバルク酸化物超電導体を作製す
る作製方法に関し、特に、バルク酸化物超電導体を用い
た磁気浮上装置、磁気シールド、超電導バルクマグネッ
トの作製技術に適用して有効な技術に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】特開平７−１１１２１３号公報に記載さ
れるように、溶融法でＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（ｘは欠損
量）（以下、ＲＥ１２３と称する）系の超電導バルク体
内のピンニングセンタに磁場を捕捉するバルク酸化物超
電導体を用いた超電導磁石が開示されている。
れるように、溶融法でＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（ｘは欠損
量）（以下、ＲＥ１２３と称する）系の超電導バルク体
内のピンニングセンタに磁場を捕捉するバルク酸化物超
電導体を用いた超電導磁石が開示されている。
【０００３】一般に行われている溶融法で、これら超電
導体を作製すると、希土類元素のイオン半径が大きいた
め、Ｂａサイトと容易に置換し、臨界温度が大きく低下
してしまうという問題があった。例えば、H.Uwe et a
l.：Physica C vol.153-155(1988)P.930-931にその関連
技術が開示されている。
導体を作製すると、希土類元素のイオン半径が大きいた
め、Ｂａサイトと容易に置換し、臨界温度が大きく低下
してしまうという問題があった。例えば、H.Uwe et a
l.：Physica C vol.153-155(1988)P.930-931にその関連
技術が開示されている。
【０００４】また、ＲＥ１２３は、材料のμｍオーダの
構造から、主に（ａ）多結晶、（ｂ）単結晶、（ｃ）バ
ルク（超電導相中にピン止め点を有し、すぐれた超電導
特性を示す）の３つの範疇に分類される。
構造から、主に（ａ）多結晶、（ｂ）単結晶、（ｃ）バ
ルク（超電導相中にピン止め点を有し、すぐれた超電導
特性を示す）の３つの範疇に分類される。
【０００５】ＲＥ１２３バルク超電導体は、半溶融法
（メルトプロセス法）により作製される。この半溶融法
には、ＭＴＧ(Ｍelt-Ｔxture-Ｇrowth process)法、Ｍ
ＰＭＧ(Ｍelt-Ｐowder-Ｔxture-Ｇrowth process)法
(“Melt processed high-temperature superconductor
s” World Scientific,Editor.Masato Murakami参照)、
ＱＭＧ(Ｑuench and Ｍelt Ｇrowth process)法、ＰＤ
ＭＧ法(Ｐlatinum Ｄoped Ｍelt Ｇrowth process：白
金添加溶融法，固体物理 Vol.26 No12 1991 p11〜17参
照)などが知られている。
（メルトプロセス法）により作製される。この半溶融法
には、ＭＴＧ(Ｍelt-Ｔxture-Ｇrowth process)法、Ｍ
ＰＭＧ(Ｍelt-Ｐowder-Ｔxture-Ｇrowth process)法
(“Melt processed high-temperature superconductor
s” World Scientific,Editor.Masato Murakami参照)、
ＱＭＧ(Ｑuench and Ｍelt Ｇrowth process)法、ＰＤ
ＭＧ法(Ｐlatinum Ｄoped Ｍelt Ｇrowth process：白
金添加溶融法，固体物理 Vol.26 No12 1991 p11〜17参
照)などが知られている。
【０００６】特に、前記ＱＭＧ法、ＭＰＭＧ法は、図２
に示すように、原料を１４００℃で溶融後急冷して中
間体を作製する溶融急冷過程と溶融成長過程の２段階
の熱処理過程から成っている。この方法によると、試料
は通常の溶融法よりも２１１相が微細に分散した組織が
得られ、さらにクラックが減少し、強いピニング力が得
られることが知られている。
に示すように、原料を１４００℃で溶融後急冷して中
間体を作製する溶融急冷過程と溶融成長過程の２段階
の熱処理過程から成っている。この方法によると、試料
は通常の溶融法よりも２１１相が微細に分散した組織が
得られ、さらにクラックが減少し、強いピニング力が得
られることが知られている。
【０００７】また、前記ＰＤＭＧ法（白金添加溶融法）
は、Ｙ１２３系の超電導体の仮焼粉末と白金粉末（０.
５重量％）を混合した後、ペレット状に成形する。この
成形体を１１００℃で１時間、半溶融状態とした後、１
０００℃から９４０℃まで１℃／時（ｈ）でゆっくり降
温し結晶成長させる。その後アニールする。このよう
に、白金を添加した溶融法でＹ１２３系の超電導体を作
製すると、Ｙ２１１相が微細分散した組織となり高い臨
界電流密度Ｊｃの超電導バルク体を得ることができる。
は、Ｙ１２３系の超電導体の仮焼粉末と白金粉末（０.
５重量％）を混合した後、ペレット状に成形する。この
成形体を１１００℃で１時間、半溶融状態とした後、１
０００℃から９４０℃まで１℃／時（ｈ）でゆっくり降
温し結晶成長させる。その後アニールする。このよう
に、白金を添加した溶融法でＹ１２３系の超電導体を作
製すると、Ｙ２１１相が微細分散した組織となり高い臨
界電流密度Ｊｃの超電導バルク体を得ることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前記従来
の技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
の技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
【０００９】低い磁場での臨界電流密度を向上するに
は、超電導体中に分散した第２相（常電導体）を微細化
することが不可欠である。しかし、ＲＥ１２３系超電導
体に対して従来の方法をそのまま用いるとＲＥ２１１相
やＲＥ４１１の第２相が粗大化してしまうという問題が
あった。以下にその理由について検討して見る。
は、超電導体中に分散した第２相（常電導体）を微細化
することが不可欠である。しかし、ＲＥ１２３系超電導
体に対して従来の方法をそのまま用いるとＲＥ２１１相
やＲＥ４１１の第２相が粗大化してしまうという問題が
あった。以下にその理由について検討して見る。
【００１０】前記従来のＭＰＭＧ法をＹＢＣＯ系に対し
て用いた場合、溶融急冷後に得られる組織は、ＹＢＣＯ
系の場合、Ｙ2Ｏ3とアモルファス相（ＢａＣｕ2Ｏ2相を
含む）のみでＹ１２３やＹ２１１等の相を含まない。
て用いた場合、溶融急冷後に得られる組織は、ＹＢＣＯ
系の場合、Ｙ2Ｏ3とアモルファス相（ＢａＣｕ2Ｏ2相を
含む）のみでＹ１２３やＹ２１１等の相を含まない。
【００１１】一方、希土類系超電導体の場合には溶融急
冷後に得られる相が、Ｙ系と異なりＲＥ１２３やＲＥ２
１１（あるいはＲＥ４２２）という相がＲＥ2Ｏ3とアモ
ルファス相と一緒にできる。このＲＥ２１１（あるいは
ＲＥ４２２）は数１０ミクロンに成長しているため、そ
の後に粉砕混合しても、粗大なＲＥ２１１（あるいはＲ
Ｅ４２２）がそのまま残ってしまう。
冷後に得られる相が、Ｙ系と異なりＲＥ１２３やＲＥ２
１１（あるいはＲＥ４２２）という相がＲＥ2Ｏ3とアモ
ルファス相と一緒にできる。このＲＥ２１１（あるいは
ＲＥ４２２）は数１０ミクロンに成長しているため、そ
の後に粉砕混合しても、粗大なＲＥ２１１（あるいはＲ
Ｅ４２２）がそのまま残ってしまう。
【００１２】希土類系超電導体で溶融急冷後に１２３相
や２１１相あるいは４２２相の第２相ができてしまう理
由は、図３（ＲＥ１２３系の擬２元系相図）に示すよう
に、希土類系超電導体の状態図では太線で示す液相線の
傾きが、Ｙ系に比べて急になっているためである。これ
は液相中への希土類元素の溶解度の温度変化がＹ系に比
べて大きいことを示している。Ｙ系の場合、溶解度の温
度変化が少ないために、温度変化による相の成長速度が
小さく、Ｙ2Ｏ3＋液相は急冷後にもそのままＹ2Ｏ3＋ア
モルファスとして残る。
や２１１相あるいは４２２相の第２相ができてしまう理
由は、図３（ＲＥ１２３系の擬２元系相図）に示すよう
に、希土類系超電導体の状態図では太線で示す液相線の
傾きが、Ｙ系に比べて急になっているためである。これ
は液相中への希土類元素の溶解度の温度変化がＹ系に比
べて大きいことを示している。Ｙ系の場合、溶解度の温
度変化が少ないために、温度変化による相の成長速度が
小さく、Ｙ2Ｏ3＋液相は急冷後にもそのままＹ2Ｏ3＋ア
モルファスとして残る。
【００１３】一方、希土類元素、例えば、Ｎｄの場合で
あれば、急冷中に溶解度の急激な変化が起るため、液相
から大量のＮｄが供給され、Ｎｄ2Ｏ3がＮｄ１２３やＮ
ｄ４２２も急激に成長してしまうため、溶融急冷後にＮ
ｄ2Ｏ3やアモルファス相の他に１２３相や第２相が残っ
てしまう結果となる。
あれば、急冷中に溶解度の急激な変化が起るため、液相
から大量のＮｄが供給され、Ｎｄ2Ｏ3がＮｄ１２３やＮ
ｄ４２２も急激に成長してしまうため、溶融急冷後にＮ
ｄ2Ｏ3やアモルファス相の他に１２３相や第２相が残っ
てしまう結果となる。
【００１４】本発明の目的は、超電導特性のよいバルク
酸化物超電導体の作製方法を提供することにある。
酸化物超電導体の作製方法を提供することにある。
【００１５】本発明の他の目的は、超電導体中に分散し
た第２相（常電導体）を微細化するバルク酸化物超電導
体の作製方法を提供することにある。
た第２相（常電導体）を微細化するバルク酸化物超電導
体の作製方法を提供することにある。
【００１６】本発明の前記ならびにその他の目的及び新
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本願によって開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
【００１８】（１）半溶融法（メルトプロセス法）でＲ
ＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（ｘは欠損量、ＲＥは希土類元素）
系の超電導体を作製する酸化物超電導体はバルクの作製
方法であって、前記予め結晶化したＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ
7-x系の超電導体の粉末と、ＲＥ2ＢａＣｕＯ5もしくは
ＲＥ4Ｂａ2Ｃｕ2Ｏ5系の第２相常電導体の粒径を可能な
限り小さい径にした粉末を出発原料として用いたもので
ある。
ＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（ｘは欠損量、ＲＥは希土類元素）
系の超電導体を作製する酸化物超電導体はバルクの作製
方法であって、前記予め結晶化したＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ
7-x系の超電導体の粉末と、ＲＥ2ＢａＣｕＯ5もしくは
ＲＥ4Ｂａ2Ｃｕ2Ｏ5系の第２相常電導体の粒径を可能な
限り小さい径にした粉末を出発原料として用いたもので
ある。
【００１９】（２）前記（１）のバルク酸化物超電導体
の作製方法において、ＲＥ2ＢａＣｕＯ5もしくはＲＥ4
Ｂａ2Ｃｕ2Ｏ5系の第２相常電導体の粉末として、ＲＥ2
ＢａＣｕＯ5もしくはＲＥ4Ｂａ2Ｃｕ2Ｏ5系の第２相常
電導体の結晶を粉砕した後分級したもの、あるいはスプ
レードライ法、共沈法、金属アルコキシド等から得られ
る粒径３μｍ以下の微細な粉末を用いたものである。
の作製方法において、ＲＥ2ＢａＣｕＯ5もしくはＲＥ4
Ｂａ2Ｃｕ2Ｏ5系の第２相常電導体の粉末として、ＲＥ2
ＢａＣｕＯ5もしくはＲＥ4Ｂａ2Ｃｕ2Ｏ5系の第２相常
電導体の結晶を粉砕した後分級したもの、あるいはスプ
レードライ法、共沈法、金属アルコキシド等から得られ
る粒径３μｍ以下の微細な粉末を用いたものである。
【００２０】（３）前記（１）のバルク酸化物超電導体
の作製方法において、予め結晶化したＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ
7-x系の超電導体の粉末と、ＲＥ2ＢａＣｕＯ5もしくは
ＲＥ4Ｂａ2Ｃｕ2Ｏ5系の第２相常電導体の粒径を可能な
限り小さい径にした粉末の代りに、予め結晶化したＲＥ
Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-x系の超電導体の粉末を厚さ３μｍ以下
のＲＥ2ＢａＣｕＯ5もしくはＲＥ4Ｂａ2Ｃｕ2Ｏ5系の第
２相常電導体でコーティングしたものを用いたものであ
る。
の作製方法において、予め結晶化したＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ
7-x系の超電導体の粉末と、ＲＥ2ＢａＣｕＯ5もしくは
ＲＥ4Ｂａ2Ｃｕ2Ｏ5系の第２相常電導体の粒径を可能な
限り小さい径にした粉末の代りに、予め結晶化したＲＥ
Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-x系の超電導体の粉末を厚さ３μｍ以下
のＲＥ2ＢａＣｕＯ5もしくはＲＥ4Ｂａ2Ｃｕ2Ｏ5系の第
２相常電導体でコーティングしたものを用いたものであ
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て説明する。
て説明する。
【００２２】本実施形態のバルク酸化物超電導体の作製
方法は、発出原料として、予め結晶化したＮｄＢａ2Ｃ
ｕ3Ｏ7-x（Ｎｄ１２３）系の超電導体の粉末と、Ｎｄ4
Ｂａ2Ｃｕ2Ｏ5（Ｎｄ４２２）もしくはＮｄ2ＢａＣｕＯ
5（Ｎｄ２１１）系の第２相常電導体を粉砕し、分級
し、粒径を１μｍ以下の微細な粉末にしたものを用い
た。第２相常電導体の粉末の粒径は、超電導特性上は可
能な限り小さい径にした粉末が理想であるが、製作の手
間及びコスト点から粒径１μｍ以下の微細な粉末が好ま
しい。
方法は、発出原料として、予め結晶化したＮｄＢａ2Ｃ
ｕ3Ｏ7-x（Ｎｄ１２３）系の超電導体の粉末と、Ｎｄ4
Ｂａ2Ｃｕ2Ｏ5（Ｎｄ４２２）もしくはＮｄ2ＢａＣｕＯ
5（Ｎｄ２１１）系の第２相常電導体を粉砕し、分級
し、粒径を１μｍ以下の微細な粉末にしたものを用い
た。第２相常電導体の粉末の粒径は、超電導特性上は可
能な限り小さい径にした粉末が理想であるが、製作の手
間及びコスト点から粒径１μｍ以下の微細な粉末が好ま
しい。
【００２３】前記Ｎｄ１２３の結晶粉末と、Ｎｄ４２２
の結晶の粒径を１μｍ以下の微細な粉末を、目的組成に
なるように秤量して混合し、直径２０ｍｍ高さ７ｍｍに
圧粉成形してペレットを作製する。この成形体（ペレッ
ト）をアルゴン中１％酸素分圧の雰囲気下で１０８０℃
で３０分間溶融し、１０３０℃に急冷した後、９６０℃
まで毎時−１℃（−１℃／ｈ）で徐冷し、Ｎｄ１２３系
のバルク酸化物超電導体を得た。その結果、Ｎｄ１２３
中に分散するＮｄ４２２の第２相の平均粒径がＭＰＭＧ
法で作製したものでは１０μｍ以上であったのに対し、
２μｍ程度となった。
の結晶の粒径を１μｍ以下の微細な粉末を、目的組成に
なるように秤量して混合し、直径２０ｍｍ高さ７ｍｍに
圧粉成形してペレットを作製する。この成形体（ペレッ
ト）をアルゴン中１％酸素分圧の雰囲気下で１０８０℃
で３０分間溶融し、１０３０℃に急冷した後、９６０℃
まで毎時−１℃（−１℃／ｈ）で徐冷し、Ｎｄ１２３系
のバルク酸化物超電導体を得た。その結果、Ｎｄ１２３
中に分散するＮｄ４２２の第２相の平均粒径がＭＰＭＧ
法で作製したものでは１０μｍ以上であったのに対し、
２μｍ程度となった。
【００２４】図１はＭＰＭＧ法で得られたＮｄ１２３系
のバルク酸化物超電導体と本実施形態の方法で得られた
Ｎｄ１２３系のバルク酸化物超電導体の断面の走査型電
子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。図１において、（ａ）
はＭＰＭＧ法で得られたＮｄ１２３系のバルク酸化物超
電導体の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真、（ｂ）は本
実施形態の方法で得られたＮｄ１２３系のバルク酸化物
超電導体の断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真、白
い部分はＮｄ４２２の第２相、黒い部分がＮｄ１２３相
である。
のバルク酸化物超電導体と本実施形態の方法で得られた
Ｎｄ１２３系のバルク酸化物超電導体の断面の走査型電
子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。図１において、（ａ）
はＭＰＭＧ法で得られたＮｄ１２３系のバルク酸化物超
電導体の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真、（ｂ）は本
実施形態の方法で得られたＮｄ１２３系のバルク酸化物
超電導体の断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真、白
い部分はＮｄ４２２の第２相、黒い部分がＮｄ１２３相
である。
【００２５】また、本実施形態の方法で得られたＮｄ１
２３系のバルク酸化物超電導体は、０テスラ（Ｔ）にお
ける臨界電流密度が２００００Ａ／ｃｍ2から５０００
０Ａ／ｃｍ2に向上した。これにより、Ｎｄ１２３系の
バルク酸化物超電導体を用いた超電導マグネットの実用
化が図れる。
２３系のバルク酸化物超電導体は、０テスラ（Ｔ）にお
ける臨界電流密度が２００００Ａ／ｃｍ2から５０００
０Ａ／ｃｍ2に向上した。これにより、Ｎｄ１２３系の
バルク酸化物超電導体を用いた超電導マグネットの実用
化が図れる。
【００２６】また、前記実施形態ではＮｄ4Ｂａ2Ｃｕ2
Ｏ5（Ｎｄ４２２）もしくはＮｄ2ＢａＣｕＯ5（Ｎｄ２
１１）系の第２相常電導体を粉砕し、分級して粒径を１
μｍ以下の微細な粉末にしたものを用いたが、粒径を３
μｍ以下もしくは２μｍ以下の微細な粉末にしたものを
用いた場合においても、Ｎｄ１２３中に分散するＮｄ４
２２の第２相の平均粒径をＭＰＭＧ法で作製したものに
比べて小さくすることができた。
Ｏ5（Ｎｄ４２２）もしくはＮｄ2ＢａＣｕＯ5（Ｎｄ２
１１）系の第２相常電導体を粉砕し、分級して粒径を１
μｍ以下の微細な粉末にしたものを用いたが、粒径を３
μｍ以下もしくは２μｍ以下の微細な粉末にしたものを
用いた場合においても、Ｎｄ１２３中に分散するＮｄ４
２２の第２相の平均粒径をＭＰＭＧ法で作製したものに
比べて小さくすることができた。
【００２７】以上、本発明者がなされた発明を実施形態
（実施例）に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施形態（実施例）に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得ることはい
うまでもない。
（実施例）に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施形態（実施例）に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得ることはい
うまでもない。
【００２８】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
【００２９】ＲＥ１２３中に分散するＲＥ４２２もしく
はＲＥ２１１などの第２相の平均粒径を微細にしたバル
ク酸化物超電導体が得られるので、超電導特性のよいバ
ルク酸化物超電導体を作製することができた。また、臨
界電流密度の高いＲＥ１２３系のバルク酸化物超電導体
を合成することができた。
はＲＥ２１１などの第２相の平均粒径を微細にしたバル
ク酸化物超電導体が得られるので、超電導特性のよいバ
ルク酸化物超電導体を作製することができた。また、臨
界電流密度の高いＲＥ１２３系のバルク酸化物超電導体
を合成することができた。
【図１】ＭＰＭＧ法で得られたＮｄ１２３系のバルク酸
化物超電導体と本発明の実施形態の方法で得られたＮｄ
１２３系のバルク酸化物超電導体の断面の走査型電子顕
微鏡（ＳＥＭ）写真である。
化物超電導体と本発明の実施形態の方法で得られたＮｄ
１２３系のバルク酸化物超電導体の断面の走査型電子顕
微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図２】ＱＭＧ法、ＭＰＭＧ法を説明するための図であ
る。
る。
【図３】ＲＥ１２３（ＲＥ＝Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ）系の擬２
元系相図である。
元系相図である。
フロントページの続き (72)発明者 小城 宏樹 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内 (72)発明者 坂井 直道 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内 (72)発明者 村上 雅人 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 半溶融法（メルトプロセス法：Ｍelt pr
ocess法）でＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（ｘは欠損量、ＲＥは
希土類元素）系のバルク超電導体を作製するバルク酸化
物超電導体の作製方法であって、前記予め結晶化したＲ
ＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x系の超電導体の粉末と、ＲＥ2ＢａＣ
ｕＯ5もしくはＲＥ4Ｂａ2Ｃｕ2Ｏ5系の第２相常電導体
の粒径を可能な限り小さい径にした粉末を出発原料とし
て用いたことを特徴とするバルク酸化物超電導体の作製
方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載されるバルク酸化物超電
導体の作製方法において、ＲＥ2ＢａＣｕＯ5もしくはＲ
Ｅ4Ｂａ2Ｃｕ2Ｏ5系の第２相常電導体の粉末として、Ｒ
Ｅ2ＢａＣｕＯ5もしくはＲＥ4Ｂａ2Ｃｕ2Ｏ5系の第２相
常電導体の結晶を粉砕した後分級したもの、あるいはス
プレードライ法、共沈法、金属アルコキシド等から得ら
れる粒径３μｍ以下の微細な粉末を用いたことを特徴と
するバルク酸化物超電導体の作製方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載されるバルク酸化物超電
導体の作製方法において、予め結晶化したＲＥＢａ2Ｃ
ｕ3Ｏ7-x系の超電導体の粉末と、ＲＥ2ＢａＣｕＯ5もし
くはＲＥ4Ｂａ2Ｃｕ2Ｏ5系の第２相常電導体の粒径を可
能な限り小さい径にした粉末の代りに、予め結晶化した
ＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x系の超電導体の粉末を厚さ３μｍ
以下のＲＥ2ＢａＣｕＯ5もしくはＲＥ4Ｂａ2Ｃｕ2Ｏ5系
の第２相常電導体でコーティングしたものを用いたこと
を特徴とするバルク酸化物超電導体の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8065900A JPH09255334A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | バルク酸化物超電導体の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8065900A JPH09255334A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | バルク酸化物超電導体の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09255334A true JPH09255334A (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=13300310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8065900A Pending JPH09255334A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | バルク酸化物超電導体の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09255334A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006011389A1 (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-02 | International Superconductivity Technology Center, The Juridical Foundation | RE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体の作製方法 |
-
1996
- 1996-03-22 JP JP8065900A patent/JPH09255334A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006011389A1 (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-02 | International Superconductivity Technology Center, The Juridical Foundation | RE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体の作製方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060703 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070227 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070717 |