JPH09255489A - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
シリコン単結晶の製造方法Info
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- JPH09255489A JPH09255489A JP7190896A JP7190896A JPH09255489A JP H09255489 A JPH09255489 A JP H09255489A JP 7190896 A JP7190896 A JP 7190896A JP 7190896 A JP7190896 A JP 7190896A JP H09255489 A JPH09255489 A JP H09255489A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】育成時の多結晶化を防止し、任意の酸素濃度を
有するシリコン単結晶の製法の提供。 【解決手段】シリコン原料を減圧された不活性雰囲気
中で溶融し、種結晶を用いて上方に引き上げながら凝固
させるシリコン単結晶の製造方法において、カーボン坩
堝の内部に挿入される坩堝として、すべてがボロンナイ
トライドである坩堝を用いて酸素濃度が 1.5×1018 ato
ms/cm3以下の単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造
方法。 上記のシリコン単結晶の製造方法において、シリコ
ン溶融液に石英を浸漬させ任意の酸素濃度を有する単結
晶を引き上げるシリコン単結晶の製造方法。
有するシリコン単結晶の製法の提供。 【解決手段】シリコン原料を減圧された不活性雰囲気
中で溶融し、種結晶を用いて上方に引き上げながら凝固
させるシリコン単結晶の製造方法において、カーボン坩
堝の内部に挿入される坩堝として、すべてがボロンナイ
トライドである坩堝を用いて酸素濃度が 1.5×1018 ato
ms/cm3以下の単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造
方法。 上記のシリコン単結晶の製造方法において、シリコ
ン溶融液に石英を浸漬させ任意の酸素濃度を有する単結
晶を引き上げるシリコン単結晶の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、シリコン溶融坩
堝上部の変形による多結晶化を防止し、単結晶の育成中
に導入される酸素濃度を調整することができるシリコン
単結晶の製造方法に関するものである。
堝上部の変形による多結晶化を防止し、単結晶の育成中
に導入される酸素濃度を調整することができるシリコン
単結晶の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコン単結晶を製造するには、高純度
シリコン原料を減圧下のアルゴン雰囲気で溶融し、種結
晶を用いて上方に引き上げながら凝固させる方法が多用
されている。
シリコン原料を減圧下のアルゴン雰囲気で溶融し、種結
晶を用いて上方に引き上げながら凝固させる方法が多用
されている。
【０００３】図２は、引き上げながら凝固させるシリコ
ン単結晶の製造装置を示す縦断面図である。図中の符号
1 はシリコン単結晶2 の引上げ雰囲気を減圧するチャン
バーであり、チャンバーの内部には二重構造の溶融坩堝
3 が配置され、坩堝の外側にはこれを囲んで構成された
加熱用ヒーター4 が、更にその外側に断熱材で円筒状に
構成された保温壁5 が配設されている。溶融坩堝内には
ヒーターにより溶融された結晶育成用原料、つまりシリ
コン原料の溶融液6 が収容されている。引上げワイヤ7
の先端に種結晶保持具8 を介して取り付けた種結晶9 の
下端に、前記溶融液の表面を接触させ、この種結晶を上
方に引き上げることによって、その下端に溶融液が凝固
したシリコン単結晶2 を成長させていく。
ン単結晶の製造装置を示す縦断面図である。図中の符号
1 はシリコン単結晶2 の引上げ雰囲気を減圧するチャン
バーであり、チャンバーの内部には二重構造の溶融坩堝
3 が配置され、坩堝の外側にはこれを囲んで構成された
加熱用ヒーター4 が、更にその外側に断熱材で円筒状に
構成された保温壁5 が配設されている。溶融坩堝内には
ヒーターにより溶融された結晶育成用原料、つまりシリ
コン原料の溶融液6 が収容されている。引上げワイヤ7
の先端に種結晶保持具8 を介して取り付けた種結晶9 の
下端に、前記溶融液の表面を接触させ、この種結晶を上
方に引き上げることによって、その下端に溶融液が凝固
したシリコン単結晶2 を成長させていく。
【０００４】このとき溶融坩堝は回転軸10で、シリコン
単結晶は引上げワイヤの上部に設けた回転駆動装置11に
よって、お互いに反対方向に回転させられる。溶融坩堝
は二重構造であり、通常、内側が石英ガラス製の容器3a
（以下、これを「石英坩堝」という）、外側がカーボン
製の容器3b（以下、これを「カーボン坩堝」という）か
ら構成されている。
単結晶は引上げワイヤの上部に設けた回転駆動装置11に
よって、お互いに反対方向に回転させられる。溶融坩堝
は二重構造であり、通常、内側が石英ガラス製の容器3a
（以下、これを「石英坩堝」という）、外側がカーボン
製の容器3b（以下、これを「カーボン坩堝」という）か
ら構成されている。
【０００５】シリコン原料を石英坩堝で溶解すると、石
英ガラスから酸素が溶出して単結晶中の酸素濃度を高め
るとともに、溶出した酸素がSiO ガスとなり溶融液面か
ら蒸発する。SiO ガスは、チャンバー内を約 10 torrに
減圧してガス供給口12からアルゴンガスを供給し、カー
ボン坩堝やヒーターから発生するCOガスなどとアルゴン
ガスとともにガス排気口13から排出されている。しか
し、石英坩堝の上端部は高温にさらされて内部に倒れ込
む変形が生じ、蒸発したSiO ガスやCOガスなどが倒れ込
み部の内面に付着し、凝縮され不純物としてシリコン溶
融液に戻される。これらの不純物が単結晶育成界面14に
取り込まれると、単結晶の成長が途中で途絶え、多結晶
化する現象（以下、これを「ＤＦ切れ」という）が発生
する。
英ガラスから酸素が溶出して単結晶中の酸素濃度を高め
るとともに、溶出した酸素がSiO ガスとなり溶融液面か
ら蒸発する。SiO ガスは、チャンバー内を約 10 torrに
減圧してガス供給口12からアルゴンガスを供給し、カー
ボン坩堝やヒーターから発生するCOガスなどとアルゴン
ガスとともにガス排気口13から排出されている。しか
し、石英坩堝の上端部は高温にさらされて内部に倒れ込
む変形が生じ、蒸発したSiO ガスやCOガスなどが倒れ込
み部の内面に付着し、凝縮され不純物としてシリコン溶
融液に戻される。これらの不純物が単結晶育成界面14に
取り込まれると、単結晶の成長が途中で途絶え、多結晶
化する現象（以下、これを「ＤＦ切れ」という）が発生
する。
【０００６】これを解決するため特開昭63-315263 号公
報には、石英坩堝の円筒状側壁の上端に、外側に広がる
フランジが一体に設けられた溶融坩堝が提案されてい
る。しかし、前記フランジを一体に設ける加工は煩雑で
あり、コスト高になる。このため、特開平3-290393号公
報には、溶融坩堝の円筒状側壁上端に、これを被う石英
リングを設けた溶融坩堝が提案されている。しかし、高
温に曝されたとき、石英リングは石英坩堝と融合し、取
り外しできなくなり、この石英リングの再利用ができな
いという問題がある。
報には、石英坩堝の円筒状側壁の上端に、外側に広がる
フランジが一体に設けられた溶融坩堝が提案されてい
る。しかし、前記フランジを一体に設ける加工は煩雑で
あり、コスト高になる。このため、特開平3-290393号公
報には、溶融坩堝の円筒状側壁上端に、これを被う石英
リングを設けた溶融坩堝が提案されている。しかし、高
温に曝されたとき、石英リングは石英坩堝と融合し、取
り外しできなくなり、この石英リングの再利用ができな
いという問題がある。
【０００７】近年、直径の大きなシリコン単結晶の要望
が多くなり、引き上げられるシリコン単結晶が大径化
（８インチから12インチ）され、ＤＦ切れによる単結晶
の歩留りが低下することになる。図２に示すように、通
常、シリコン単結晶の引き上げ中は、シリコン溶融液6
と単結晶との育成界面14をチャンバーの側壁に設けたカ
メラ装置15によって、覗き窓16を通して監視しており、
単結晶にＤＦ切れが発生すると引上げを中止する。この
ため、残湯の処理やＤＦ切れによる単結晶の歩留が低下
するという問題があり、これを防止することが、特に大
径化された単結晶の引上げにおいて重要課題である。
が多くなり、引き上げられるシリコン単結晶が大径化
（８インチから12インチ）され、ＤＦ切れによる単結晶
の歩留りが低下することになる。図２に示すように、通
常、シリコン単結晶の引き上げ中は、シリコン溶融液6
と単結晶との育成界面14をチャンバーの側壁に設けたカ
メラ装置15によって、覗き窓16を通して監視しており、
単結晶にＤＦ切れが発生すると引上げを中止する。この
ため、残湯の処理やＤＦ切れによる単結晶の歩留が低下
するという問題があり、これを防止することが、特に大
径化された単結晶の引上げにおいて重要課題である。
【０００８】ＤＦ切れの発生を防止するには、単結晶育
成界面に不純物を取り込まなくすることであり、この対
策には前述の石英坩堝上部の倒れ込みを防止するものの
ほかにも種々提案、実施されている。石英坩堝の材質に
関しては、石英ガラス中に微量に含まれている気泡がシ
リコン溶融液に溶出し、ＤＦ切れの原因になると考えら
れている。また、石英坩堝から溶出し、シリコン単結晶
中に混入した酸素は、単結晶の電気的性質の低下防止や
機械的性質（特に強度）を確保するため必要な元素であ
り、これの濃度調整も重要である。
成界面に不純物を取り込まなくすることであり、この対
策には前述の石英坩堝上部の倒れ込みを防止するものの
ほかにも種々提案、実施されている。石英坩堝の材質に
関しては、石英ガラス中に微量に含まれている気泡がシ
リコン溶融液に溶出し、ＤＦ切れの原因になると考えら
れている。また、石英坩堝から溶出し、シリコン単結晶
中に混入した酸素は、単結晶の電気的性質の低下防止や
機械的性質（特に強度）を確保するため必要な元素であ
り、これの濃度調整も重要である。
【０００９】石英坩堝を使用してシリコン原料を溶解す
ると、酸素は、石英からシリコン溶融液に必然的に溶出
する。従って、引き上げ後の単結晶の酸素濃度は、頭部
で高く、尾部で低くなり、通常両者間で 0.3×1018 ato
ms/cm3程度の差のあることがわかっている。
ると、酸素は、石英からシリコン溶融液に必然的に溶出
する。従って、引き上げ後の単結晶の酸素濃度は、頭部
で高く、尾部で低くなり、通常両者間で 0.3×1018 ato
ms/cm3程度の差のあることがわかっている。
【００１０】結晶中の酸素濃度の調整は、坩堝内のシリ
コン溶融液の対流を制御して石英からの溶出量を変化さ
せる方法が採られ、坩堝の回転速度を調整する方法、加
熱パターンを制御する方法、磁界による対流制御、二層
引き上げ法などが提案されている。しかし、いずれの方
法も石英坩堝を使用するかぎり単結晶の酸素濃度は、引
き上げの頭部で高く、尾部で低くなる現象を解決するこ
とができない。これを解決するには、石英坩堝を使用し
ないことであり、ＧａＡｓ単結晶の製造に使用されてい
るボロンナイトライドを使用する方法がある。しかし、
ボロンナイトライド坩堝は高価であり、気相成長法など
で製造されるので直径の大きな坩堝は製造できなかっ
た。
コン溶融液の対流を制御して石英からの溶出量を変化さ
せる方法が採られ、坩堝の回転速度を調整する方法、加
熱パターンを制御する方法、磁界による対流制御、二層
引き上げ法などが提案されている。しかし、いずれの方
法も石英坩堝を使用するかぎり単結晶の酸素濃度は、引
き上げの頭部で高く、尾部で低くなる現象を解決するこ
とができない。これを解決するには、石英坩堝を使用し
ないことであり、ＧａＡｓ単結晶の製造に使用されてい
るボロンナイトライドを使用する方法がある。しかし、
ボロンナイトライド坩堝は高価であり、気相成長法など
で製造されるので直径の大きな坩堝は製造できなかっ
た。
【００１１】ボロンナイトライド坩堝に関する報文は種
々あるが、いずれもＧａＡｓ単結晶を製造するものであ
り、シリコン単結晶の製造には使用されていない。例え
ば、特開平3-8792号公報には、密度がそれぞれ異なる窒
化ホウ素の薄膜を多層に積層させてなる構造を有する坩
堝が、特開平4-231459号公報には、外面が熱分解グラフ
ァイトと熱分解窒化ホウ素のトップコートとを備える２
重コーティングを有する坩堝が、特公平5-11073 号公報
には、１層の厚みが１μｍ以上30μｍ未満である第１の
壁と、厚みが第１の壁の1/50〜1/2 である第２の壁とが
互いに結合をもつて交互に積層されてなつており、か
つ、全体の壁厚が 0.5〜３mmである坩堝が開示されてい
る。
々あるが、いずれもＧａＡｓ単結晶を製造するものであ
り、シリコン単結晶の製造には使用されていない。例え
ば、特開平3-8792号公報には、密度がそれぞれ異なる窒
化ホウ素の薄膜を多層に積層させてなる構造を有する坩
堝が、特開平4-231459号公報には、外面が熱分解グラフ
ァイトと熱分解窒化ホウ素のトップコートとを備える２
重コーティングを有する坩堝が、特公平5-11073 号公報
には、１層の厚みが１μｍ以上30μｍ未満である第１の
壁と、厚みが第１の壁の1/50〜1/2 である第２の壁とが
互いに結合をもつて交互に積層されてなつており、か
つ、全体の壁厚が 0.5〜３mmである坩堝が開示されてい
る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ボロ
ンナイトライド坩堝を使用してシリコン原料を溶解し、
ＤＦ切れが少なく、任意の酸素濃度を有するシリコン単
結晶の製造方法を提供することにある。
ンナイトライド坩堝を使用してシリコン原料を溶解し、
ＤＦ切れが少なく、任意の酸素濃度を有するシリコン単
結晶の製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者は、気泡による
ＤＦ切れを無くし、しかも単結晶中の酸素濃度を調節で
きるのは、石英以外の材料、すなわちＧａＡｓなどの結
晶育成に用いられているボロンナイトライドの使用しか
ないと考え、本発明を完成した。本発明の要旨は、下記
に示すおよびのシリコン単結晶の製造方法にある。
ＤＦ切れを無くし、しかも単結晶中の酸素濃度を調節で
きるのは、石英以外の材料、すなわちＧａＡｓなどの結
晶育成に用いられているボロンナイトライドの使用しか
ないと考え、本発明を完成した。本発明の要旨は、下記
に示すおよびのシリコン単結晶の製造方法にある。
【００１４】シリコン原料を減圧された不活性雰囲気
中で溶融し、種結晶を用いて上方に引き上げながら凝固
させるシリコン単結晶の製造方法において、カーボン坩
堝の内部に挿入される坩堝として、すべてがボロンナイ
トライドである坩堝を用いて酸素濃度が 1.5×1018 ato
ms/cm3以下の単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造
方法。
中で溶融し、種結晶を用いて上方に引き上げながら凝固
させるシリコン単結晶の製造方法において、カーボン坩
堝の内部に挿入される坩堝として、すべてがボロンナイ
トライドである坩堝を用いて酸素濃度が 1.5×1018 ato
ms/cm3以下の単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造
方法。
【００１５】シリコン原料を減圧された不活性雰囲気
中で溶融し、種結晶を用いて上方に引き上げながら凝固
させるシリコン単結晶の製造方法において、カーボン坩
堝の内部に挿入される坩堝として、すべてがボロンナイ
トライドである坩堝を用い、シリコン溶融液に石英を浸
漬させ任意の酸素濃度を有する単結晶を引き上げるシリ
コン単結晶の製造方法。
中で溶融し、種結晶を用いて上方に引き上げながら凝固
させるシリコン単結晶の製造方法において、カーボン坩
堝の内部に挿入される坩堝として、すべてがボロンナイ
トライドである坩堝を用い、シリコン溶融液に石英を浸
漬させ任意の酸素濃度を有する単結晶を引き上げるシリ
コン単結晶の製造方法。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明のボロンナイトラ
イド坩堝をカーボン坩堝の内部に挿入したシリコン溶融
用坩堝を示す縦断面図である。同図に示すように、本発
明の溶融坩堝3 は、外側のカーボン坩堝3bの内部にボロ
ンナイトライド製の坩堝3cが挿入された二重構造であ
る。
イド坩堝をカーボン坩堝の内部に挿入したシリコン溶融
用坩堝を示す縦断面図である。同図に示すように、本発
明の溶融坩堝3 は、外側のカーボン坩堝3bの内部にボロ
ンナイトライド製の坩堝3cが挿入された二重構造であ
る。
【００１７】ボロンナイトライドは、ｐＢＮ（Ｐyrolyt
ic Boron Nitride）が用いられ、ＢＣl3ガスとＮＨ3 ガ
スの気相熱分解反応によるＣＶＤ法により、薄膜を堆積
させて製造される。例えば、直径８インチの単結晶を引
き上げる場合には、外径560mm、高さ360 mm、厚さ 12 m
mの坩堝が製作される。
ic Boron Nitride）が用いられ、ＢＣl3ガスとＮＨ3 ガ
スの気相熱分解反応によるＣＶＤ法により、薄膜を堆積
させて製造される。例えば、直径８インチの単結晶を引
き上げる場合には、外径560mm、高さ360 mm、厚さ 12 m
mの坩堝が製作される。
【００１８】ボロンナイトライドはシリコン溶融液と反
応しないので、シリコン単結晶中の酸素濃度は、主にシ
リコン原料に含まれている酸素量に依存する。しかし、
前述したように単結晶中の酸素は、電気的性質の低下防
止および機械的性質の上で必要な元素であり、その濃度
を調整する必要がある。ボロンナイトライド坩堝を用い
て溶解すれば、単結晶中の酸素濃度は低値になるので、
浸漬する石英ガラス板の表面積を調整することによっ
て、酸素濃度を任意に調整することができる。
応しないので、シリコン単結晶中の酸素濃度は、主にシ
リコン原料に含まれている酸素量に依存する。しかし、
前述したように単結晶中の酸素は、電気的性質の低下防
止および機械的性質の上で必要な元素であり、その濃度
を調整する必要がある。ボロンナイトライド坩堝を用い
て溶解すれば、単結晶中の酸素濃度は低値になるので、
浸漬する石英ガラス板の表面積を調整することによっ
て、酸素濃度を任意に調整することができる。
【００１９】シリコン単結晶の酸素濃度を一定にするに
は、ボロンナイトライド坩堝へシリコン原料を装入した
後、坩堝の内径よりも小さな外径を有し単結晶の外径よ
りも大きな内径を有する石英ガラス製のリングを坩堝の
内部に挿入し、シリコンの溶解を開始する。シリコンが
溶融すると石英ガラス製リングは、液面に浮かび液面か
らのSiO ガスの蒸発を抑制するとともに、下面からシリ
コン中に溶出し、単結晶中の酸素濃度を一定にする。な
お、単結晶中の酸素濃度を増加させるには、石英ガラス
製リングの下面に石英ガラス板を取り付けるとよい。さ
らに、ボロンナイトライド坩堝の底部に石英ガラス板を
固定することもできる。
は、ボロンナイトライド坩堝へシリコン原料を装入した
後、坩堝の内径よりも小さな外径を有し単結晶の外径よ
りも大きな内径を有する石英ガラス製のリングを坩堝の
内部に挿入し、シリコンの溶解を開始する。シリコンが
溶融すると石英ガラス製リングは、液面に浮かび液面か
らのSiO ガスの蒸発を抑制するとともに、下面からシリ
コン中に溶出し、単結晶中の酸素濃度を一定にする。な
お、単結晶中の酸素濃度を増加させるには、石英ガラス
製リングの下面に石英ガラス板を取り付けるとよい。さ
らに、ボロンナイトライド坩堝の底部に石英ガラス板を
固定することもできる。
【００２０】
（実施例１）図１に示すようなボロンナイトライド坩堝
をカーボン坩堝内に挿入した溶融坩堝を配置した図２に
示すシリコン単結晶製造装置を用い、直径200 mmの単結
晶を製造した。
をカーボン坩堝内に挿入した溶融坩堝を配置した図２に
示すシリコン単結晶製造装置を用い、直径200 mmの単結
晶を製造した。
【００２１】外径560 mm、高さ360 mm、厚さ 12 mmのボ
ロンナイトライド坩堝を、カーボン坩堝に挿入した二重
構造溶融坩堝とし、100 kgの多結晶シリコンを溶融し、
1000mm長さの単結晶を製造した。また、比較例として石
英ガラス坩堝を用い、同様のシリコン単結晶を製造し
た。得られたシリコン単結晶の頭部Ｔ、中央部Ｍおよび
尾部Ｂについての酸素濃度結果とＤＦ切れ率（多結晶化
されている部分の長さを全長で除した値）を調査し、そ
の結果を表１に示した。
ロンナイトライド坩堝を、カーボン坩堝に挿入した二重
構造溶融坩堝とし、100 kgの多結晶シリコンを溶融し、
1000mm長さの単結晶を製造した。また、比較例として石
英ガラス坩堝を用い、同様のシリコン単結晶を製造し
た。得られたシリコン単結晶の頭部Ｔ、中央部Ｍおよび
尾部Ｂについての酸素濃度結果とＤＦ切れ率（多結晶化
されている部分の長さを全長で除した値）を調査し、そ
の結果を表１に示した。
【００２２】
【表１】
【００２３】本発明のボロンナイトライド坩堝を配置し
た発明例１は、単結晶の成長方向のＴＭＢにおける酸素
濃度はいずれも0.01×1018 atoms/cm3以下、ＤＦ切れ率
は５％と小さく良好である。
た発明例１は、単結晶の成長方向のＴＭＢにおける酸素
濃度はいずれも0.01×1018 atoms/cm3以下、ＤＦ切れ率
は５％と小さく良好である。
【００２４】一方、比較例は、従来の石英坩堝の大きさ
を変えた場合であるが、比較例５では、単結晶の成長方
向のＴＭＢにおける酸素濃度は、 1.3×1018 atoms/c
m3、 1.1×1018 atoms/cm3、 1.0×1018 atoms/cm3と変
動が大きく、また、ＤＦ切れ率は 15 ％と大きい。ま
た、比較例６では、単結晶の成長方向のＴＭＢにおける
酸素濃度は、 1.2×1018 atoms/cm3、 1.0×1018 atoms
/cm3、 0.8×1018 atoms/cm3と変動が大きく、また、Ｄ
Ｆ切れ率は 17 ％と大きい。
を変えた場合であるが、比較例５では、単結晶の成長方
向のＴＭＢにおける酸素濃度は、 1.3×1018 atoms/c
m3、 1.1×1018 atoms/cm3、 1.0×1018 atoms/cm3と変
動が大きく、また、ＤＦ切れ率は 15 ％と大きい。ま
た、比較例６では、単結晶の成長方向のＴＭＢにおける
酸素濃度は、 1.2×1018 atoms/cm3、 1.0×1018 atoms
/cm3、 0.8×1018 atoms/cm3と変動が大きく、また、Ｄ
Ｆ切れ率は 17 ％と大きい。
【００２５】（実施例２）本発明のボロンナイトライド
坩堝を使用し、予め坩堝の底部に表面積の異なる石英ガ
ラスを装入した後、シリコン原料を装入し溶解して単結
晶の引上げ試験をおこない、実施例１と同様な調査をお
こなった。それらの調査結果も発明例２〜４として表１
に示した。
坩堝を使用し、予め坩堝の底部に表面積の異なる石英ガ
ラスを装入した後、シリコン原料を装入し溶解して単結
晶の引上げ試験をおこない、実施例１と同様な調査をお
こなった。それらの調査結果も発明例２〜４として表１
に示した。
【００２６】いずれもＴＭＢにおける酸素濃度の変動は
少なく、石英ガラスの表面積に比例して酸素濃度が高く
なっている。また、ＤＦ切れ率は３、７および10％と小
さく良好である。
少なく、石英ガラスの表面積に比例して酸素濃度が高く
なっている。また、ＤＦ切れ率は３、７および10％と小
さく良好である。
【００２７】
【発明の効果】本発明のシリコン溶融用石英坩堝を配設
したシリコンの単結晶製造装置によれば、転位の発生に
よるＤＦ切れ率を軽減することができる。
したシリコンの単結晶製造装置によれば、転位の発生に
よるＤＦ切れ率を軽減することができる。
【図１】本発明のボロンナイトライド坩堝を挿入したシ
リコン溶融用二重坩堝を示す縦断面である。
リコン溶融用二重坩堝を示す縦断面である。
【図２】引き上げながら凝固させるシリコン単結晶製造
装置を示す縦断面図である。
装置を示す縦断面図である。
１．チャンバー ２．種結晶 ３．溶融坩堝 3a．石英坩堝 3b．カーボン坩堝 3c．ボロンナイトライド坩堝 ４．加熱用ヒータ ５．保温筒 ６．溶融液 ７．引上げワイヤ ８．種結晶保持具 ９．種結晶 10．回転軸 11．回転駆動装置 12．ガス供給口 13．ガス排出口 14．育成界面 15．カメラ装置 16．覗き窓
Claims (2)
- 【請求項１】シリコン原料を減圧された不活性雰囲気中
で溶融し、種結晶を用いて上方に引き上げながら凝固さ
せるシリコン単結晶の製造方法において、カーボン坩堝
の内部に挿入される坩堝として、すべてがボロンナイト
ライドである坩堝を用いて酸素濃度が 1.5×1018 atoms
/cm3以下の単結晶を引き上げることを特徴とするシリコ
ン単結晶の製造方法。 - 【請求項２】シリコン原料を減圧された不活性雰囲気中
で溶融し、種結晶を用いて上方に引き上げながら凝固さ
せるシリコン単結晶の製造方法において、カーボン坩堝
の内部に挿入される坩堝として、すべてがボロンナイト
ライドである坩堝を用い、シリコン溶融液に石英を浸漬
させ任意の酸素濃度を有する結晶を引き上げることを特
徴とするシリコン単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7190896A JPH09255489A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | シリコン単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7190896A JPH09255489A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | シリコン単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09255489A true JPH09255489A (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=13474120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7190896A Pending JPH09255489A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | シリコン単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09255489A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012246218A (ja) * | 2009-09-29 | 2012-12-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウェーハおよびシリコン単結晶の製造方法 |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP7190896A patent/JPH09255489A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012246218A (ja) * | 2009-09-29 | 2012-12-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウェーハおよびシリコン単結晶の製造方法 |
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