JPH09260538A - 樹脂封止型半導体装置及び製造方法とその実装構造 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置及び製造方法とその実装構造

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JPH09260538A
JPH09260538A JP8070829A JP7082996A JPH09260538A JP H09260538 A JPH09260538 A JP H09260538A JP 8070829 A JP8070829 A JP 8070829A JP 7082996 A JP7082996 A JP 7082996A JP H09260538 A JPH09260538 A JP H09260538A
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semiconductor device
leads
encapsulated semiconductor
encapsulated
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Nobuhito Oouchi
伸仁 大内
Etsuo Yamada
悦夫 山田
Yasushi Shiraishi
靖 白石
Hiroshi Kono
博 河野
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Miyazaki Oki Electric Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Miyazaki Oki Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂封止型半導体装置の軽薄短小化と、その
高密度実装化を図り得る樹脂封止型半導体装置及び製造
方法とその実装構造を提供する。 【解決手段】 リードが外表面上に露出している樹脂封
止型半導体装置において、半導体素子１の回路形成面に
絶縁性接着テープ２を挟んで接着され、かつ前記半導体
素子１を内側にしてそれぞれが独立して規則的に整列さ
れ外部に露出しているスポットリード７を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置及び製造方法とその実装装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年では、ＩＣカードやメモリーカード
が急速に発達し、これに伴って、カードの中に搭載され
る樹脂封止型半導体装置も薄型のものが要求されるよう
になってきており、その薄型化を実現させる方法も、数
多く提案されている。その一つとして、例えば、特願平
６−２７３２６２号に示すように、チップサポートの表
面及び半導体素子裏面を露出させた構造がある。この構
造では、パッケージの厚み全体を０．５ｍｍ程度にする
ことができる。
【０００３】また、特開平５−３０９９８３号公報（特
願平４−１１９１３３号）に示すように、リードをＬ形
曲げにすることで、実装面積を小さくすることができ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の樹脂封止型半導体装置では、パッケージが薄く
なっても、実装面積は変わっていない。つまり、リード
がモールド樹脂外に長く延びているため、プリント基板
への実装面積は、半導体素子に比べると、かなり広い面
積となり、高密度実装の実現には程遠いものである。
【０００５】本発明は、上記問題点を除去し、樹脂封止
型半導体装置の軽薄短小化と、その高密度実装化を図り
得る樹脂封止型半導体装置及び製造方法とその実装構造
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕リードが外表面上に露出している樹脂封止型半導
体装置において、半導体素子の回路形成面に絶縁性接着
テープを挟んで接着され、かつ前記半導体素子を内側に
してそれぞれが独立して規則的に整列され外部に露出し
ているスポットリードを設けるようにしたものである。
【０００７】したがって、樹脂封止型半導体装置の軽薄
短小化と、その高密度実装化を図ることができる。 〔２〕上記〔１〕記載の樹脂封止型半導体装置におい
て、前記スポットリードと半導体素子との接続を行う、
絶縁性接着テープと同じ厚さの金属バンプを設けるよう
にしたものである。
【０００８】このように、半導体素子との接合が金属バ
ンプのみでなく絶縁性接着テープを用いることにより、
熱膨張の違いによる金属バンプへのストレスが緩和さ
れ、金属バンプの破壊等の電気的特性の低下や不良の発
生を防ぐことができる。 〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載の樹脂封止型半導体装
置において、前記スポットリードの側面を除いて金属メ
ッキを施すようにしたものである。
【０００９】このように、外部端子用および内部接続用
の金属メッキをスポットリードの側面には施さないよう
にしたので、モールド樹脂と金属メッキとの接触がなく
なり、モールド成形後のモールド樹脂のクラック等を防
ぐことができる。 〔４〕上記〔１〕、〔２〕又は〔３〕記載の樹脂封止型
半導体装置において、前記スポットリードと半導体素子
サポートとを有するリードフレームを設けるようにした
ものである。
【００１０】このように、スポットリードと半導体素子
サポートとを有するリードフレームを用いるようにした
ので、堅牢で信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を得る
ことができる。 〔５〕上記〔２〕、〔３〕又は〔４〕記載の樹脂封止型
半導体装置において、前記スポットリードに延長リード
を設け、この延長リードの下に金属バンプを設け、この
金属バンプを介して前記半導体素子に接続するようにし
たものである。
【００１１】このように、外部端子となっているスポッ
トリードを、配線のように半導体素子上の接合部まで延
長した延長リードを設けて、その延長リードに金属バン
プを接合するようにしたので、半導体素子上の回路形成
による接合部の位置にあまり依存しないで、整列された
外部端子を形成することができる。 〔６〕樹脂封止型半導体装置の製造方法において、リー
ドフレームにおける半導体素子サポートと金属メッキ後
の複数のリードを絶縁性接着テープで接着・固定する工
程と、前記複数のリードを前記リードフレームから切り
離してスポットリードを形成する工程とを施すようにし
たものである。
【００１２】このように、金属メッキ後の複数リードを
絶縁性接着テープで接着固定した後、スポットリードに
打ち抜くため、スポットリードが目的位置に、かつ所定
の大きさに固定される。また、事前に金属メッキされる
ため、半導体装置組立工程でも、金属メッキは不要とな
る。 〔７〕樹脂封止型半導体装置の製造方法において、リー
ドフレームにおける半導体素子サポートと金属メッキ後
の複数のリードを絶縁性接着テープで接着・固定する工
程と、前記複数のリードを前記リードフレームから切り
離してスポットリードを形成する工程と、前記接着テー
プにより接着される半導体素子をモールド樹脂により樹
脂封止する工程とを施すようにしたものである。
【００１３】したがって、半導体素子が安定的に支持さ
れ、堅牢な樹脂封止型半導体装置を得ることができる。 〔８〕リードが外表面上に露出している樹脂封止型半導
体装置において、複数のスポットリードが独立して半導
体素子の回路形成面に絶縁性接着テープを挟んで接着さ
れ、かつ、前記半導体素子を内側に配置してこの半導体
素子の側面にこの半導体素子の裏面に届くまで曲げら
れ、規則的に整列され外部に露出しているＬ形リードを
設けるようにしたものである。
【００１４】このように、Ｌ形リードは、半導体素子の
側面まで露出しているため、外部端子とプリント基板の
フットパターンを接合する半田の接合強度が向上でき
る。
〔９〕樹脂封止型半導体装置の製造方法において、リー
ドフレームにおける半導体素子サポートと金属メッキ後
の複数のリードを絶縁性接着テープで接着・固定する工
程と、前記接着テープにより接着される半導体素子をモ
ールド樹脂により樹脂封止する工程と、前記複数のリー
ドを前記リードフレームから切り離して前記半導体素子
を内側に配置してこの半導体素子の側面に該半導体素子
の裏面に届くまで曲げられ、規則的に整列され外部に露
出しているＬ形リードを形成する工程とを施すようにし
たものである。
【００１５】このように、スポットリードの形成は、リ
ードフレームの加工・形成後、モールド樹脂封止される
のではなく、半導体装置の組立のモールド樹脂封止工程
後に、リードフレームを加工・形成するようにしたの
で、高密度実装化を図り得る樹脂封止型半導体装置を製
造することができる。 〔１０〕樹脂封止型半導体装置の実装構造において、隣
合う前記樹脂封止型半導体装置のＬ形リードを、互いに
接続し、かつ基板の同一フットパターンに接続するよう
にしたものである。
【００１６】したがって、同一のプリント基板のフット
パターンに、前記２つのＬ形リードを一緒に接続するこ
とができる。したがって、基板上への高密度実装化を図
ることができる。 〔１１〕上記〔１０〕記載の樹脂封止型半導体装置の実
装構造において、基板上に実装される下段の前記樹脂封
止型半導体装置上に逆さまにして上段の前記樹脂封止型
半導体装置を積み重ね、それぞれの樹脂封止型半導体装
置のＬ形リードの先端を接続するようにしたものであ
る。
【００１７】このように、基板上に実装される下段の前
記樹脂封止型半導体装置上に逆さまにして上段の前記樹
脂封止型半導体装置を積み重ね、それぞれの樹脂封止型
半導体装置のＬ形リードの先端を接続するようにしたの
で、基板上への高密度実装化を図ることができる。 〔１２〕上記〔１１〕記載の樹脂封止型半導体装置の実
装構造において、前記下段と上段の前記樹脂封止型半導
体装置の裏面を接着剤を用いて互いに固定するようにし
たものである。
【００１８】このように、前記下段と上段の前記樹脂封
止型半導体装置の裏面を接着剤を用いて互いに固定する
ようにしたので、堅牢で、かつコンパクトな樹脂封止型
半導体装置を得ることができる。 〔１３〕上記〔１１〕又は〔１２〕記載の樹脂封止型半
導体装置の実装構造において、前記上段の樹脂封止型半
導体装置上に前記下段の樹脂封止型半導体装置と同じ向
きに更に積み重ねるようにしたものである。
【００１９】このように、上記（１１）の２段の樹脂封
止型半導体装置の積み重ねに、更にもう１段樹脂封止型
半導体装置を積み重ねて、３段重ねにしそれぞれのＬ形
リードを接合させるようにしたので、より一層の基板上
への高密度実装化を図ることができる。 〔１４〕上記〔１０〕記載の樹脂封止型半導体装置の実
装構造において、基板上に実装される下段の樹脂封止型
半導体装置上に同じ向きで上段の樹脂封止型半導体装置
を積み重ね、それぞれの樹脂封止型半導体装置のＬ形リ
ードの先端と曲げ部を接続するようにしたものである。
【００２０】このように、基板上に実装される下段の前
記樹脂封止型半導体装置上に同じ向きで上段の前記積み
重ね、それぞれの樹脂封止型半導体装置のＬ形リードの
先端と曲げ部を接続するようにしたので、同じ向きに順
番に接続樹脂封止型半導体装置を積み重ねるだけで、よ
り一層の基板上への高密度実装化を図ることができる。
【００２１】〔１５〕上記〔１４〕記載の樹脂封止型半
導体装置において、前記下段と上段の樹脂封止型半導体
装置間を接着剤を用いて互いに固定するようにしたもの
である。このように、前記下段と上段の前記樹脂封止型
半導体装置間を接着剤を用いて互いに固定するようにし
たので、堅牢で、かつコンパクトな樹脂封止型半導体装
置を得ることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
第１実施例を示す樹脂封止型半導体装置の断面図、図２
はその樹脂封止型半導体装置の部分斜視図である。これ
らの図に示すように、スポットリード７は、半導体素子
サポート４とともに絶縁性接着テープ（以下、単に接着
テープという）２によって、半導体素子１の回路形成面
に熱により接着されている。
【００２３】上記スポットリード７と半導体素子１の電
気的接続は、整列された金属バンプ９で行われている。
スポットリード７には、外部端子用及び内部接続用にそ
れぞれ金属メッキ８が施されている。そして、スポット
リード７、半導体素子サポート４と半導体素子１を金型
で挟むようにして、モールド樹脂６で封止している。な
お、スポットリード７は、半導体素子１の面積の内側に
規則正しく整列されている。
【００２４】また、上記金属バンプ９の高さと接着テー
プ２は、ほぼ同じ厚みである。従って、半導体装置の厚
みは、半導体素子１の厚みと金属バンプ９の高さとスポ
ットリード７の厚みとなり、外部端子は半導体装置内と
なる。このように第１実施例によれば、半導体装置の厚
みは、スポットリード７の厚さ約０．１２５ｍｍ、金属
バンプ９の高さ０．０５ｍｍ、半導体素子１の厚さ０．
２５０ｍｍで、０．４〜０．５ｍｍ程度と薄く、かつ、
面積は半導体素子１内に収めることが可能となる。ま
た、半導体素子１との接合が金属バンプ９のみでなく接
着テープ２を用いるため、熱膨張の違いによる金属バン
プ９へのストレスは緩和され、金属バンプ９の破壊等の
電気的特性の低下や不良の発生を防ぐことができる。
【００２５】また、図３及び図４に示すように、上記し
た半導体素子サポート４を無くした樹脂封止型半導体装
置に適用できることは言うまでもない。更に、図５に示
すように、スポットリード７とモールド樹脂６は、熱膨
張係数が異なるため、モールド樹脂６により封止後、常
温に戻されたとき、それぞれの境界より隙間１０１が生
じ、さらには、クラック１０２まで発展する場合が考え
られる。
【００２６】そこで、その境界で密着性を上げるため
に、図１及び図３に示すように、外部端子用および内部
接続用の金属メッキ８をスポットリード７の側面には施
さないようにする。金属メッキ８はモールド樹脂６との
密着を低下させてしまうからである。そして、モールド
樹脂６と金属メッキ８との接触面をなくすようにする。
このようにすれば、モールド樹脂６と金属メッキ８との
接触がなくなるので、モールド成形後のモールド樹脂の
クラック等は防ぐことができる。
【００２７】図６は、本発明の第１実施例のリードフレ
ームの製造工程平面図であり、図６（ａ）はリードフレ
ームの切断前の平面図、図６（ｂ）はそのリードフレー
ムの切断後の平面図である。まず、図６（ａ）に示すよ
うに、枠部１０ａと、仕切部１０ｂと、枠部１０ａを連
結する半導体素子サポート４と、仕切部１０ｂから内部
へ延びる複数リード７Ａとを有するリードフレーム１０
を用意する。その複数リード７Ａの先端部に金属メッキ
８を行い、その後、その複数リード７Ａの先端部と接着
テープ２とを熱圧着で接着させる。
【００２８】その後、図６（ｂ）に示すように、リード
７Ａと接着テープ２が接触していない部分、つまり、リ
ード７Ａの先端部と仕切部１０ｂとの間を打ち抜き、最
終的にスポットリード７を形成する。すなわち、スポッ
トリード７を外部端子となる大きさに打ち抜く。打ち抜
かれたスポットリード７は、接着テープ２に固定され、
そのまま半導体装置組立に入る。
【００２９】このように第１実施例によれば、金属メッ
キ８後の複数リード７Ａを接着テープ２で固定した後、
スポットリード７に打ち抜くため、スポットリード７が
目的位置に、かつ所定の大きさに固定される。また、事
前に金属メッキされるため、半導体装置組立工程でも、
金属メッキは不要となる。次に、本発明の第１実施例の
第２の変形例について説明する。
【００３０】図７は本発明の第１実施例の第２の変形例
を示す樹脂封止型半導体装置の要部斜視図である。図７
において、６はモールド樹脂、７はスポットリード、７
−１は延長リード、８はスポットリード及び延長リード
の表面に形成される金属メッキ、９は金属バンプであ
る。
【００３１】上記第１実施例のスポットリード７の配置
は整列されており、これに対応して、プリント基板（図
示なし）のフットパターン（図示なし）と半田接合され
る。このスポットリード７の位置と同じ位置に、半導体
素子１の接合部があることになるということは、半導体
素子の回路形成に自由度がなく、制約される場合がでて
くる。そこで、半導体素子上の接合部が、ある程度バラ
バラに配置されても、この実施例では、延長リード７−
１によりスポットリードの外部端子は整列できるように
した。
【００３２】すなわち、外部端子となっているスポット
リード７を、配線のように半導体素子上の接合部まで延
長した延長リード７−１を設けて、その延長リード７−
１の先端部に金属バンプ９を接合する。したがって、半
導体素子上の回路形成による接合部の位置にあまり依存
しないで、整列された外部端子を形成することができ
る。
【００３３】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図８は本発明の第２実施例を示す樹脂封止型半導体
装置の断面図である。この図に示すように、第１実施例
と構造はほとんど同じであるが、上記したスポットリー
ドが半導体素子１側面まで露出し、Ｌ形に曲げられたＬ
形リード１２となっている。
【００３４】従って、スポットリードの形成は、第１実
施例とは異なり、リードフレームの加工・形成後、モー
ルド樹脂封止されるのではなく、半導体装置の組立のモ
ールド樹脂封止工程後に、リードが加工・形成される。
このように、Ｌ形リード１２は、半導体素子１側面まで
露出しているため、外部端子とプリント基板（図示な
し）のフットパターン（図示なし）を接合する半田の接
合強度が向上できる。
【００３５】なお、図９に示すように、図８に示す半導
体素子サポート４をなくした樹脂封止型半導体装置に適
用できることは言うまでもない。図１０は図９に示す半
導体素子サポートをなくした樹脂封止型半導体装置の要
部斜視図であり、半導体素子が封止されたモールド樹脂
６の両側に、金属メッキ８が施されたＬ形リード１２が
配列される。
【００３６】図１１は本発明の第２実施例の第１の応用
例を示す断面図である。本発明の第２実施例で示したモ
ールド樹脂６により封止された樹脂封止型半導体装置
は、側面にＬ形リード１２が存在するため、樹脂封止型
半導体装置ＡのＬ形リード１２ａと隣合う、樹脂封止型
半導体装置ＢのＬ形リード１２ｂを接合することができ
る。
【００３７】また、同一のプリント基板１３のフットパ
ターン１５に上記Ｌ形リード１２ａとＬ形リード１２ｂ
を半田１４等で一緒に接続することができる。つまり、
Ｌ形リード１２ａとＬ形リード１２ｂを同じフットパタ
ーン１５の上に共有できる。これらの接合の仕方は、メ
モリとしての半導体素子に多く、隣同士の半導体素子の
回路形成は逆になっており、端子の入出力も逆になって
いる。
【００３８】このように、樹脂封止型半導体装置の側面
にＬ形リード１２が存在するため、樹脂封止型半導体装
置を同一のプリント基板１３上に直列にコンパクトに実
装することができる。また、プリント基板の配線の簡略
化を図ることができる。図１２は本発明の第２実施例の
第２の応用例を示す断面図である。
【００３９】本発明の第２実施例で示したモールド樹脂
６により封止された樹脂封止型半導体装置は、Ｌ形リー
ド１２が側面を通って、反対の面まで達しているため、
図１２に示すように、樹脂封止型半導体装置を逆にして
２段に積み重ねると、樹脂封止型半導体装置ＡのＬ形リ
ード１２ａの先端と、樹脂封止型半導体装置ＢのＬ形リ
ード１２ｂの先端とを、また、樹脂封止型半導体装置Ａ
のＬ形リード１２ｂの先端と、樹脂封止型半導体装置Ｂ
のＬ形リード１２ａの先端とを半田１４等により接続で
きる。更に、半導体素子１（図示なし）の裏面側同士を
接着剤１６で固定する。
【００４０】このように、Ｌ形リード１２が側面を通っ
て、反対の面まで達しているため、樹脂封止型半導体装
置Ａと逆さまにした樹脂封止型半導体装置Ｂのそれぞれ
のＬ形リード１２の先端同士で、半田１４等により接続
ができる。かつ、半導体素子１裏面側同士を接着剤１６
で固定するようにしたので、プリント基板１３への実装
密度の向上を図ることができる。
【００４１】なお、使用される樹脂封止型半導体装置
は、それぞれの半導体素子１の回路形成が逆になってお
り、端子の入出力も逆になっている。図１３は本発明の
第２実施例の第３の応用例を示す断面図である。この第
３の応用例によると、図１３に示すように、図１２に示
した２段の積み重ねに、更にもう１段積み重ねて、３段
重ねにしたものである。すなわち、２段目の樹脂封止型
半導体装置Ｂ上に、第１段目と同様の向きで３段目の樹
脂封止型半導体装置Ｃを積み重ねそれぞれのＬ形リード
１２を接合させるようにしたものである。
【００４２】このように、本発明の第２実施例の樹脂封
止型半導体を３段重ねにしたので、プリント基板１３へ
の更なる実装密度の向上を図ることができる。更に、４
段、５段と段数を増加させることも可能である。図１４
は本発明の第２実施例の第４の応用例を示す断面図であ
る。本発明の第２実施例で示したモールド樹脂６により
封止された樹脂封止型半導体装置は、Ｌ形リード１２が
側面を通って、反対の面まで達しているため、図１４に
示すように、同じ向きで上方へ積み重ねることができ
る。すなわち、樹脂封止型半導体装置Ａをプリント基板
１３上に実装し、その上に同じ向きに樹脂封止型半導体
装置Ｂを積み重ね、樹脂封止型半導体装置ＡのＬ形リー
ド１２ａと樹脂封止型半導体装置ＢのＬ形リード１２ａ
とを、樹脂封止型半導体装置ＡのＬ形リード１２ｂと樹
脂封止型半導体装置ＢのＬ形リード１２ｂとを、Ｌ形リ
ード１２の先端とＬ形の曲げ部にて半田１４等で接続が
できる。また、樹脂封止型半導体装置の間は接着剤１６
で固定する。
【００４３】したがって、プリント基板１３への実装密
度の向上を図ることができる。これらの接合の仕方は、
メモリ半導体素子に多く、まったく同一の回路形成素子
で、多段に積み重ねが可能となる。なお、本発明は上記
実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づ
いて種々の変形が可能であり、それらを本発明の範囲か
ら排除するものではない。
【００４４】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、樹脂封止型半導体
装置の軽薄短小化と、その高密度実装化を図ることがで
きる。
【００４５】（２）請求項２記載の発明によれば、特
に、半導体素子との接合が金属バンプのみでなく、絶縁
性接着テープを用いることにより、熱膨張の違いによる
金属バンプへのストレスは緩和され、金属バンプの破壊
等の電気的特性の低下や不良の発生を防ぐことができ
る。 （３）請求項３記載の発明によれば、外部端子用および
内部接続用の金属メッキをスポットリードの側面には施
さないようにしたので、モールド樹脂と金属メッキとの
接触がなくなり、モールド成形後のモールド樹脂のクラ
ック等を防ぐことができる。
【００４６】（４）請求項４記載の発明によれば、スポ
ットリードと半導体素子サポートとを有するリードフレ
ームを用いるようにしたので、堅牢で信頼性の高い樹脂
封止型半導体装置を得ることができる。 （５）請求項５記載の発明によれば、外部端子となって
いるスポットリードを、配線のように半導体素子上の接
合部まで延長した延長リードを設けて、その延長リード
に金属バンプを接合するようにしたので、半導体素子上
の回路形成による接合部の位置にあまり依存しないで、
整列された外部端子を形成することができる。
【００４７】（６）請求項６記載の発明によれば、金属
メッキ後の複数リードを絶縁性接着テープで接着固定し
た後、スポットリードに打ち抜くため、スポットリード
を目的位置に、かつ所定の大きさに固定することができ
る。また、事前に金属メッキされるため、半導体装置組
立工程でも、金属メッキは不要となる。 （７）請求項７記載の発明によれば、半導体素子が安定
的に支持され、堅牢な樹脂封止型半導体装置を得ること
ができる。
【００４８】（８）請求項８記載の発明によれば、Ｌ形
リードは、半導体素子の側面まで露出しているため、外
部端子とプリント基板のフットパターンを接合する半田
の接合強度を向上させることができる。 （９）請求項９記載の発明によれば、スポットリードの
形成は、リードフレームの加工・形成後、モールド樹脂
封止されるのではなく、半導体装置の組立のモールド樹
脂封止工程後に、リードフレームを加工・形成するよう
にしたので、高密度実装化を図え得る樹脂封止型半導体
装置を製造することができる。
【００４９】（１０）請求項１０記載の発明によれば、
隣合う前記樹脂封止型半導体装置のＬ形リードを、互い
に接続し、かつ基板の同一フットパターンに接続するよ
うにしたものである。したがって、同一のプリント基板
のフットパターンに、前記２つのＬ形リードを一緒に接
続することができる。
【００５０】（１１）請求項１１記載の発明によれば、
基板上に実装される下段の前記樹脂封止型半導体装置上
に逆さまにして上段の前記樹脂封止型半導体装置を積み
重ね、それぞれの樹脂封止型半導体装置のＬ形リードの
先端を接続するようにしたので、基板上への高密度実装
化を図ることができる。 （１２）請求項１２記載の発明によれば、前記下段と上
段の前記樹脂封止型半導体装置の裏面を接着剤を用いて
互いに固定するようにしたので、堅牢で、かつコンパク
トな樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
【００５１】（１３）請求項１３記載の発明によれば、
上記（１１）の２段の樹脂封止型半導体装置の積み重ね
に、更にもう１段樹脂封止型半導体装置を積み重ねて、
３段重ねにしそれぞれのＬ形リードを接合させるように
したので、より一層の基板上への高密度実装化を図るこ
とができる。 （１４）請求項１４記載の発明によれば、基板上に実装
される下段の前記樹脂封止型半導体装置上に同じ向きで
上段の前記積み重ね、それぞれの樹脂封止型半導体装置
のＬ形リードの先端と曲げ部を接続するようにしたの
で、同じ向きに順番に接続樹脂封止型半導体装置を積み
重ねるだけで、より一層の基板上への高密度実装化を図
ることができる。
【００５２】（１５）請求項１５記載の発明によれば、
前記下段と上段の前記樹脂封止型半導体装置間を接着剤
を用いて互いに固定するようにしたので、堅牢で、かつ
コンパクトな樹脂封止型半導体装置を得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の断面図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の部分斜視図である。
【図３】本発明の第１実施例の変形例を示す樹脂封止型
半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の第１実施例の変形例を示す樹脂封止型
半導体装置の部分斜視図である。
【図５】樹脂封止型半導体装置の問題点の説明図であ
る。
【図６】本発明の第１実施例のリードフレームの製造工
程平面図である。
【図７】本発明の第１実施例の第２の変形例を示す樹脂
封止型半導体装置の要部斜視図である。
【図８】本発明の第２実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の断面図である。
【図９】本発明の第２実施例の変形例を示す樹脂封止型
半導体装置の断面図である。
【図１０】本発明の第２実施例の変形例を示す樹脂封止
型半導体装置の部分斜視図である。
【図１１】本発明の第２実施例の第１の応用例を示す断
面図である。
【図１２】本発明の第２実施例の第２の応用例を示す断
面図である。
【図１３】本発明の第２実施例の第３の応用例を示す断
面図である。
【図１４】本発明の第２実施例の第４の応用例を示す断
面図である。
【符号の説明】
１ 半導体素子 ２ 絶縁性接着テープ ４ 半導体素子サポート ６ モールド樹脂 ７ スポットリード ７Ａ 複数リード ７−１ 延長リード ８ 金属メッキ ９ 金属バンプ １０ リードフレーム １０ａ 枠部 １０ｂ 仕切部 １２，１２ａ，１２ｂ Ｌ形リード １３ プリント基板 １４ 半田 １５ フットパターン １６ 接着剤
フロントページの続き (72)発明者 白石 靖 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 河野 博 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リードが外表面上に露出している樹脂封
    止型半導体装置において、 半導体素子の回路形成面に絶縁性接着テープを挟んで接
    着され、かつ前記半導体素子を内側にしてそれぞれが独
    立して規則的に整列され外部に露出しているスポットリ
    ードを具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装
    置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置に
    おいて、 前記スポットリードと半導体素子との接続を行う、前記
    絶縁性接着テープと同じ厚さの金属バンプを具備する樹
    脂封止型半導体装置。
  3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の樹脂封止型半導体
    装置において、 前記スポットリードの側面を除いて金属メッキを施して
    なる樹脂封止型半導体装置。
  4. 【請求項４】 請求項１、２又は３記載の樹脂封止型半
    導体装置において、 前記スポットリードと半導体素子サポートとを有するリ
    ードフレームを具備する樹脂封止型半導体装置。
  5. 【請求項５】 請求項２、３又は４記載の樹脂封止型半
    導体装置において、 前記スポットリードに延長リードを設け、該延長リード
    の下に金属バンプを設け、該金属バンプを介して前記半
    導体素子に接続してなる樹脂封止型半導体装置。
  6. 【請求項６】 樹脂封止型半導体装置の製造方法におい
    て、（ａ）リードフレームにおける半導体素子サポート
    と金属メッキ後の複数のリードを絶縁性接着テープで接
    着・固定する工程と、（ｂ）前記複数のリードを前記リ
    ードフレームから切り離してスポットリードを形成する
    工程とを施すことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の
    製造方法。
  7. 【請求項７】 樹脂封止型半導体装置の製造方法におい
    て、（ａ）リードフレームにおける半導体素子サポート
    と金属メッキ後の複数のリードを絶縁性接着テープで接
    着・固定する工程と、（ｂ）前記複数のリードを前記リ
    ードフレームから切り離してスポットリードを形成する
    工程と、（ｃ）前記接着テープにより接着される半導体
    素子をモールド樹脂により樹脂封止する工程とを施すこ
    とを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 リードが外表面上に露出している樹脂封
    止型半導体装置において、 複数のスポットリードが独立して半導体素子の回路形成
    面に絶縁性接着テープを挟んで接着され、かつ、前記半
    導体素子を内側に配置して該半導体素子の側面に該半導
    体素子の裏面に届くまで曲げられ、規則的に整列され外
    部に露出しているＬ形リードを具備する樹脂封止型半導
    体装置。
  9. 【請求項９】 樹脂封止型半導体装置の製造方法におい
    て、（ａ）リードフレームにおける半導体素子サポート
    と金属メッキ後の複数のリードを絶縁性接着テープで接
    着・固定する工程と、（ｂ）前記接着テープにより接着
    される半導体素子をモールド樹脂により樹脂封止する工
    程と、（ｃ）前記複数のリードを前記リードフレームか
    ら切り離して前記半導体素子を内側に配置して該半導体
    素子の側面に該半導体素子の裏面に届くまで曲げられ、
    規則的に整列され外部に露出しているＬ形リードを形成
    する工程とを施すことを特徴とする樹脂封止型半導体装
    置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 樹脂封止型半導体装置の実装構造にお
    いて、 隣合う前記樹脂封止型半導体装置のＬ形リードを、互い
    に接続し、かつ基板の同一フットパターンに接続してな
    る樹脂封止型半導体装置の実装構造。
  11. 【請求項１１】 請求項１０記載の樹脂封止型半導体装
    置の実装構造において、 基板上に実装される下段の前記樹脂封止型半導体装置上
    に逆さまにして上段の前記樹脂封止型半導体装置を積み
    重ね、それぞれの樹脂封止型半導体装置のＬ形リードの
    先端を接続してなる樹脂封止型半導体装置の実装構造。
  12. 【請求項１２】 請求項１１記載の樹脂封止型半導体装
    置の実装構造において、 前記下段と上段の樹脂封止型半導体装置の裏面を接着剤
    を用いて互いに固定してなる樹脂封止型半導体装置の実
    装構造。
  13. 【請求項１３】 請求項１１又は１２記載の樹脂封止型
    半導体装置の実装構造において、 前記上段の樹脂封止型半導体装置上に前記下段の樹脂封
    止型半導体装置と同じ向きに更に積み重ねてなる樹脂封
    止型半導体装置の実装構造。
  14. 【請求項１４】 請求項１０記載の樹脂封止型半導体装
    置の実装構造において、 基板上に実装される下段の樹脂封止型半導体装置上に同
    じ向きで上段の樹脂封止型半導体装置を積み重ね、それ
    ぞれの樹脂封止型半導体装置のＬ形リードの先端と曲げ
    部を接続してなる樹脂封止型半導体装置の実装構造。
  15. 【請求項１５】 請求項１４記載の樹脂封止型半導体装
    置の実装構造において、 前記下段と上段の樹脂封止型半導体装置間を接着剤を用
    いて互いに固定してなる樹脂封止型半導体装置の実装構
    造。
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