JPH09261014A - パルス電源 - Google Patents

パルス電源

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JPH09261014A
JPH09261014A JP6224296A JP6224296A JPH09261014A JP H09261014 A JPH09261014 A JP H09261014A JP 6224296 A JP6224296 A JP 6224296A JP 6224296 A JP6224296 A JP 6224296A JP H09261014 A JPH09261014 A JP H09261014A
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栄二 笹本
Takehisa Koganezawa
竹久 小金澤
Kiyoshi Hara
喜芳 原
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  • Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気パルス圧縮回路又はパルストランスに新
たな巻線を設けて直流バイアス電流を供給しておくこと
でコアの実効動作磁束密度量ΔＢを大きくするのでは直
流バイアス電流が電源効率を悪くし、また専用の電源を
必要とする。 【解決手段】 可飽和リアクトルにはそのコアの磁束方
向とは逆方向の極性になる直流バイアス電流を供給する
ための巻線ＬBを設け、高圧直流電源ＨＤＣからコンデ
ンサＣ0への初期充電のためのパルス電流の一部を電磁
エネルギーとして取り出すトランスＴ1を設け、トラン
スＴ1の出力電流を巻線ＬBに直流バイアス電流として供
給する直流リアクトルＬ1を設ける。これにより、可飽
和リアクトルの動作時のみ直流バイアス電流を供給して
電源効率を高める。また、回路に流れるパルス電流を直
流バイアス電源として利用することで専用の電源を不要
にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気パルス圧縮回路を
有して高電圧・大電流の短パルスを発生するパルス電源
に係り、特に磁気パルス圧縮回路のコアの磁化方式に関
する。
【０００２】
【従来の技術】パルスレーザ励起やパルスプラズマ発
生，パルス脱硝装置等のパルス電源には、サイラトロン
スイッチやトリガトロンスイッチ等の放電スイッチを用
いて直接に高電圧・大電流をスイッチングすることでパ
ルスを発生するものと、半導体スイッチと磁気スイッチ
になる可飽和リアクトルや可飽和トランスを組合せたも
のがある。
【０００３】図１５は、半導体スイッチと可飽和トラン
ス、可飽和リアクトル等を組み合わせ、磁気パルス圧縮
により高圧・大電流を得るパルス電源の例を示す。
【０００４】半導体スイッチＳＷは半導体スイッチング
素子とそのゲート制御回路，スナバ回路を有して構成さ
れた初段スイッチにされる。
【０００５】パルストランスＰＴと可飽和リアクトルＳ
Ｉ0と初段エネルギー蓄積用コンデンサＣ0及び高圧直流
電源ＨＤＣに半導体スイッチＳＷを組み合わせた初段パ
ルス発生回路が構成される。
【０００６】パルストランスＰＴの二次巻線には昇圧と
磁気パルス圧縮を行う可飽和トランスＳＴが接続され
る。可飽和トランスＳＴの二次巻線にはコンデンサ
Ｃ1、ＣPと可飽和リアクトルＳＩ1からなる回路が設け
られる。さらに、可飽和リアクトルＳＩ1とコンデンサ
ＣPの並列回路には負荷としてのレーザ発振器ＬＨが並
列接続される。
【０００７】パルス発生の開始に際し、コンデンサＣ0
は高圧直流電源ＨＤＣによって高圧充電しておく。この
充電後、半導体スイッチＳＷをオンさせることにより、
コンデンサＣ0→可飽和リアクトルＳＩ0→パルストラン
スＰＴの一次巻線→半導体スイッチＳＷの経路で矢印で
示す一次電流Ｉ0を流す。
【０００８】この電流Ｉ0に対し、可飽和リアクトルＳ
Ｉ0によりパルス電流の立ち上がりを遅らせることで半
導体スイッチＳＷのターンオン損失（電流と電圧の積）
を低減するためのスイッチングアシストがなされ、さら
にパルストランスＰＴと可飽和トランスＳＴによる２段
の昇圧がなされ、可飽和トランスＳＴと可飽和リアクト
ルＳＩ1による磁気パルス圧縮がなされ、負荷ＬＨに高
電圧・大電流の超短パルスを供給する。
【０００９】ここで、パルストランスＰＴは、商用周波
数（５０、６０ＨZ）のトランスに比べて高周波電流に
トランス作用を得るのに、鉄心等を用いたトランスでは
渦電流損が増加するため、一般的には低損失のコア材を
使用するか、又は空心トランスにされる。
【００１０】このようなパルス電源において、パルスト
ランスＰＴや可飽和トランスＳＴは、高電圧・短パルス
で使用され、高耐電圧絶縁した巻線は線径が大きくなる
ため、一次巻線及び二次巻線共に巻数を多くできない。
このため、昇圧トランス等では高い昇圧比を得ようとす
ると一次巻線が１ターンに制約されることが多い。
【００１１】一方、トランスの電圧時間積は磁心断面積
と巻数に比例するため、巻数を多く取れないパルス電源
用トランスでは磁心が大きくなる。結果的に、昇圧比が
制約され、しかもトランス自体の大型化を招く。
【００１２】このパルストランスを小型化し、装置全体
の小型化を可能にする方式として、図１６に示すよう
に、パルストランスには一次巻線１1と二次巻線１2の他
に第３の巻線１4を設け、第３の巻線には一次巻線に流
れるパルス電流で発生する磁束方向とは逆方向の極性に
なる直流定電流を定電流電源２からチョークコイル３を
通して供給しておくものを本願出願人は既に提案してい
る。
【００１３】これにより、パルストランスの磁化特性
は、図１７の（ｂ）に示す直流バイアスを与えない場合
に比べて、（ａ）に示すように直流バイアスで動作領域
が増し、実効動作磁束密度量ΔＢが大きくなる。
【００１４】そして、実効動作磁束密度量ΔＢは、コア
１3の電圧時間積に比例するため、トランスのコア断面
積を小さくでき、結果的にコア容積を小さくすることが
できる。また、角形比（Ｂｒ／Ｂｓ）の良い（≒１）コ
アであるときは直流バイアス電流により約２倍のΔＢ
（＝Ｂｒ＋Ｂｓ）を得ることができる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】直流バイアスを与えて
おく従来方式では、直流バイアス電流を流すために消費
される電力がパルス電源全体の電源効率に大きな影響を
与えるため、実効動作磁束密度量ΔＢを確保するのに必
要なだけの直流電流を流すようにしている。
【００１６】しかし、定常的に直流電流を流すため、直
流バイアスに無駄な電力消費が多く、結果的に電源効率
を悪くする一因になっている。
【００１７】また、実効動作磁束密度量ΔＢを確保する
のに必要なだけの直流電流を流すよう、直流電流を少な
くしようとすると、磁気パルス圧縮動作が高い繰り返し
になると、コアの磁化が時間的に遅れ、十分な磁化がで
きなくなって、所期の磁気パルス圧縮ができなくなる場
合もある。
【００１８】また、従来方式では、直流バイアス電流を
流すための専用の定電流電源を必要とする。
【００１９】本発明の目的は、電源効率を高め、しかも
直流バイアス用直流電源を不要にしながら従来と同等の
磁気パルス圧縮ができるパルス電源を提供することにあ
る。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題の解
決を図るため、初期充電から磁気パルス圧縮動作終了ま
でに発生する電流の電磁エネルギーを直流バイアス電流
の電源として利用し、この電磁エネルギーでスイッチン
グアシスト又は磁気パルス圧縮動作開始時、又はパルス
トランスの動作開始時のみ直流バイアス電流を供給する
ことで、直流バイアス電流供給に電源効率を高めると共
に直流バイアス電流を供給するための専用の電源を不要
にする。
【００２１】このため、本発明は、コアの磁気飽和特性
を用いて圧縮したパルス電流を得るスイッチングアシス
ト回路又は磁気パルス圧縮回路、又は単方向のパルス電
流が供給されるパルストランスを備えたパルス電源にお
いて、前記スイッチングアシスト回路又は磁気パルス圧
縮回路又はパルストランスは、コアの磁束方向とは逆方
向の極性になる直流バイアス電流を供給するための巻線
ＬBを設け、前記スイッチングアシスト回路又は磁気パ
ルス圧縮回路又はパルストランスの動作開始時のみ、回
路に流れるパルス電流の一部を電磁エネルギーとして取
り出すトランスＴ1又は巻線ＬGを設け、前記トランスＴ
1又は巻線ＬGの出力電流を前記巻線ＬBに直流バイアス
電流として供給する直流リアクトルＬ1又は可飽和リア
クトルＳＩ2を設けたことを特徴とする。
【００２２】また、本発明は、前記直流リアクトル又は
可飽和リアクトルに直列に整流用ダイオードＤ1を設け
たことを特徴とする。
【００２３】また、本発明は、前記トランスＴ1又は巻
線ＬGに並列にフライホイール用ダイオードＤ2を設けた
ことを特徴とする。
【００２４】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）図１は本発明の実施形態を示す要部
回路図であり、図１５の初段スイッチ回路の可飽和リア
クトルＳＩ0に適用した場合である。
【００２５】可飽和リアクトルＳＩ0には、その一次巻
線に流れるパルス電流で発生する磁束方向とは逆方向の
極性になる直流電流を供給するための直流バイアス巻線
ＬBを設ける。
【００２６】そして、高圧直流電源ＨＤＣから初期充電
用コンデンサＣ0への充電電流路にはトランスＴ1を介挿
し、このトランスＴ1の二次巻線から直流リアクトルＬ1
を通して可飽和リアクトルＳＩ0の直流バイアス巻線ＬB
に直流バイアス電流を供給する構成とする。
【００２７】なお、直流バイアス巻線ＬBに発生する電
流の大きさは、可飽和リアクトルＳＩ0の可飽和動作後
の保持力以上の磁束を発生するものにされる。また、可
飽和リアクトルＳＩ0のコアの形状は、トロイダル形や
レーストラック形、さらにはソレノイド形の何れかにさ
れる。また、コアの材質は、低損失・高透磁率の磁心に
され、例えば鉄系アモルファス、コバルト系アモルファ
ス、鉄系超微結晶質にされるのが好ましい。
【００２８】本実施形態において、パルス発生動作に際
し、直流電源ＨＤＣによりコンデンサＣ0が初期充電さ
れ、この充電完了直後に半導体スイッチＳＷがオン制御
されてコンデンサＣ0から可飽和リアクトルＳＩ0とパル
ストランスＰＴへの一次電流Ｉ0を供給する。
【００２９】この動作において、コンデンサＣ0の初期
充電電流エネルギーの一部がトランスＴ1を通してその
二次巻線に取り出され、直流リアクトルＬ1で平滑・遅
延して可飽和リアクトルＳＩ0の直流バイアス巻線ＬBに
供給され、可飽和リアクトルＳＩ0に直流バイアス電流
を供給することができる。
【００３０】この直流バイアス電流の供給のタイミング
は、コンデンサＣ0の初期充電から半導体スイッチＳＷ
のオン制御までの時間遅れに対し、直流リアクトルＬ1
の定数等で調整される。
【００３１】したがって、可飽和リアクトルＳＩ0のス
イッチングアシスト動作の直前に、コンデンサＣ0への
初期充電エネルギーの一部を直流バイアス巻線ＬBに直
流バイアス電流として供給することにより、可飽和リア
クトルＳＩ0のコアを飽和動作とは逆の深い磁束位置ま
で磁化させておくことができる。
【００３２】これにより、可飽和リアクトルＳＩ0への
直流バイアス電流は、その動作開始時のみかつ短時間の
み供給するため、従来の常時供給方式に比べて電力損失
を極めて少なくし、電源効率を高めることができる。ま
た、コンデンサＣ0の初期充電電流を利用するため、直
流バイアス電流を供給するための専用の直流電源を不要
にする。
【００３３】また、磁気パルス圧縮動作開始時にコアを
飽和の深いところまで磁化するため、コアの磁化曲線が
安定化するし、実効動作磁束密度量ΔＢを約２倍にでき
る。
【００３４】なお、可飽和リアクトルＳＩ0にエネルギ
ーを供給するトランスＴ1におけるインピーダンス整合
と、リセット磁化させるためのコア磁化回路のそれぞれ
においてインピーダンス整合を悪くするのが好ましい。
図示では、（ＨＤＣ→Ｔ1→Ｃ0）のインピーダンスと、
（Ｔ1→Ｌ→ＬB）のインピーダンスとを不整合にする。
また、（Ｃ０→ＳＩ０→ＰＴ→ＳＷ）のインピーダンス
と、（Ｔ1→Ｌ→ＬB）のインピーダンスとを不整合にす
る。
【００３５】これらインピーダンスの不整合は、エネル
ギーが多くコアへ流れてしまうのを防止ししたり、不必
要な誘導を防ぐのに効果的になる。
【００３６】図２は、本実施形態の各種変形例をその要
部構成で示す。同図の（ａ）は、直流リアクトルＬ1に
直列に整流用ダイオードＤ1を設け、可飽和リアクトル
ＳＩ0等からトランスＴ1側へ不必要な誘導電流が流れる
のを防止する。この場合、ダイオードＤ1の耐圧を軽く
するためには、トランスＴ1の巻数比を低くするのが好
ましい。
【００３７】同図の（ｂ）は、フライホイール用ダイオ
ードＤ2をトランスＴ1の二次巻線に並列に設け、直流リ
アクトルＬ1の残留エネルギーを直流バイアス電流とし
て有効に利用すると共に、可飽和リアクトルＳＩ0から
の逆の誘導電流がコアに流れるのを防止する。この場
合、ダイオードＤ2の耐電流を軽くするため、可飽和リ
アクトルＳＩ0とコア磁化回路（Ｌ1、ＬB）のインピー
ダンス整合を悪くするのが好ましい。
【００３８】（ｃ）は、直流リアクトルＬ1に代えて、
可飽和リアクトルＳＩ2を使用し、これにより直流バイ
アス電流を流すタイミング制御を容易にすると共に、パ
ルス圧縮した直流バイアス電流を得る。（ｄ）は、整流
用ダイオードＤ1を可飽和リアクトルＳＩ2と共に設け、
（ａ）及び（ｃ）の場合と同様の作用効果を得る。
（ｅ）は、フライホイール用ダイオードＤ2を可飽和リ
アクトルＳＩ2と共に設け、（ｂ）及び（ｃ）の場合と
同様の作用効果を得る。
【００３９】（第２の実施形態）図３は本発明の他の実
施形態を示す要部回路図である。同図が図１と異なる部
分は、可飽和リアクトルＳＩ0に代えてパルストランス
ＰＴに直流バイアス電流を供給する点にある。
【００４０】すなわち、パルストランスＰＴに直流バイ
アス電流供給用の第３の巻線ＬBを設け、パルストラン
スＰＴにパルス電流が流れる直前にトランスＴ1から巻
線ＬBに直流バイアス電流を供給する構成としている。
【００４１】本実施形態においても、パルストランスＰ
Ｔへの直流バイアス電流は、その動作開始時のみかつ短
時間のみ供給するため、電力損失を極めて少なくする
し、直流バイアス電流を供給するための専用の直流電源
を不要にする。
【００４２】また、パルストランスのコアの磁化曲線が
安定化するし、実効動作磁束密度量ΔＢを約２倍にでき
る。
【００４３】図４は、本実施形態の各種変形例を示し、
図２の構成で可飽和リアクトルＳＩ0に代えたパルスト
ランスＰＴとしてダイオード等を付加したものであり、
それらの作用効果は図２の場合と同様になる。
【００４４】（第３の実施形態）図５は本発明の他の実
施形態を示す要部回路図である。同図が図１と異なる部
分は、可飽和リアクトルＳＩ0に代えて可飽和トランス
ＳＴに直流バイアス電流を供給する点にある。
【００４５】すなわち、可飽和トランスＳＴに直流バイ
アス電流供給用の第３の巻線ＬBを設け、可飽和トラン
スＳＴにパルス電流が流れる直前にトランスＴ1から巻
線ＬBに直流バイアス電流を供給する構成としている。
【００４６】本実施形態においても、可飽和トランスＳ
Ｔへの直流バイアス電流は、その動作開始時のみかつ短
時間のみ供給するため、電力損失を極めて少なくする
し、直流バイアス電流を供給するための専用の直流電源
を不要にする。
【００４７】また、パルストランスのコアの磁化曲線が
安定化するし、実効動作磁束密度量ΔＢを約２倍にでき
る。
【００４８】図６は、本実施形態の各種変形例を示し、
図２の構成で可飽和リアクトルＳＩ0に代えた可飽和ト
ランスＳＴとしてダイオード等を付加したものであり、
それらの作用効果は図２の場合と同様になる。
【００４９】（第４の実施形態）図７は本発明の他の実
施形態を示す要部回路図である。同図が図１と異なる部
分は、可飽和リアクトルＳＩ0に代えて可飽和リアクト
ルＳＩ1に直流バイアス電流を供給する点にある。
【００５０】すなわち、可飽和リアクトルＳＩ1に直流
バイアス電流供給用の第３の巻線ＬBを設け、可飽和リ
アクトルＳＩ1にパルス電流が流れる直前にトランスＴ1
から巻線ＬBに直流バイアス電流を供給する構成として
いる。
【００５１】本実施形態においては、可飽和リアクトル
ＳＩ1は、磁気パルス圧縮動作開始時に飽和状態から動
作開始すると共に、コアを飽和の深いところまで磁化す
るため、コアの透磁率を１に近づけて可飽和リアクトル
ＳＩ1の巻線インダクタンスを小さくすることができ、
これに伴い可飽和リアクトルの磁気パルス圧縮動作によ
るパルス圧縮動作を得やくすること、及び巻線インダク
タンスによる抵抗損失が小さくなってリンギング等の現
象が低減される。
【００５２】また、本実施形態の各種変形例を図８に示
すように、可飽和リアクトルＳＩ1の磁気パルス圧縮動
作開始時に直流バイアス電流を供給し、前記までの各実
施形態と同等の作用効果を得ることができる。
【００５３】（第５の実施形態）図９は本発明の他の実
施形態を示す要部回路図である。同図が図５と異なる部
分は、可飽和トランスＳＴに直流バイアス電流を供給す
る電源を可飽和リアクトルＳＩ0に設けた第２の巻線ＬG
とした点にある。
【００５４】すなわち、可飽和リアクトルＳＩ0にパル
ス電流Ｉ0が流れたときのエネルギーの一部を巻線ＬGに
取り出し、この電流を直流リアクトルＬ1を通して可飽
和トランスＳＴの直流バイアス巻線ＬBに供給し、パル
ストランスＰＴの二次電流Ｉ1で誘導されて可飽和トラ
ンスＳＴにパルス電流Ｉ2が流れる直前に巻線ＬGから巻
線ＬBに直流バイアス電流を供給する構成としている。
【００５５】本実施形態においても、直流バイアス電流
は、可飽和トランスＳＴの動作開始時のみかつ短時間の
み供給するため、電力損失を極めて少なくし、電源効率
を高めることができる。また、直流バイアス電流を供給
するための専用の直流電源を不要にする。
【００５６】これに加えて、本実施形態では、可飽和リ
アクトルＳＩ0の磁気パルス圧縮動作中に流れる電流に
より、可飽和トランスＳＴに直流バイアス電流を供給す
ることで、可飽和トランスＳＴに流れる電流による磁化
の方向とは逆向きに適当な磁化をかけ、可飽和トランス
ＳＴにおける実効動作磁束密度量ΔＢを高く得ることが
できる。
【００５７】これにより、可飽和トランスＳＴのコアに
必要な実効動作磁束密度量ΔＢを小さくすることがで
き、コアの容積を小さくし得て、その小型化が可能とな
る。また、コアの容積が小さくなると巻線のインダクタ
ンスを減らすことができ、短パルスを発生させ易くな
る。
【００５８】図１０は、本実施形態の各種変形例を示
し、図２等の変形例と同様に、ダイオードＤ1等を付加
したもので、前記までの各実施形態と同等の作用効果を
得ることができる。
【００５９】（第６の実施形態）図１１は本発明の他の
実施形態を示す要部回路図である。同図が図９と異なる
部分は、可飽和トランスＳＴに直流バイアス電流を供給
する電源をパルストランスＰＴに設けた第３の巻線ＬG
とした点にある。
【００６０】すなわち、パルストランスＰＴにパルス電
流Ｉ0が流れたときのエネルギーの一部を巻線ＬGに取り
出し、この電流を直流リアクトルＬ1を通して可飽和ト
ランスＳＴの直流バイアス巻線ＬBに供給し、パルスト
ランスＰＴの二次電流Ｉ1で誘導されて可飽和トランス
ＳＴにパルス電流Ｉ2が流れる直前に巻線ＬGから巻線Ｌ
Bに直流バイアス電流を供給する構成としている。
【００６１】本実施形態においても、図９の場合と同様
に、電源効率を高め、直流バイアス電流を供給するため
の専用の直流電源を不要にすると共に、実効動作磁束密
度量ΔＢを増大させることができる。
【００６２】また、図１２に示す各種の変形例の構成に
して各種の作用効果を得ることができる。
【００６３】（第７の実施形態）図１３は、本発明の他
の実施形態を示す要部回路図である。本実施形態では、
可飽和リアクトルＳＩ1に直流バイアス電流を供給する
電源を可飽和トランスＳＴに設けた第３の巻線ＬGとし
た点にある。
【００６４】すなわち、可飽和トランスＳＴにパルス電
流Ｉ2が流れたときのエネルギーの一部を巻線ＬGに取り
出し、この電流を直流リアクトルＬ1を通して可飽和リ
アクトルＳＩ1の直流バイアス巻線ＬBに供給し、可飽和
トランスＳＴの可飽和動作により二次電流Ｉ2が流れた
ときの電流の一部を巻線ＬGに取り出し、この電流をそ
の後に可飽和リアクトルＳＩ1が磁気パルス圧縮する直
前に巻線ＬBに直流バイアス電流として供給する構成と
している。
【００６５】本実施形態においても、可飽和リアクトル
ＳＩ1の磁気パルス圧縮開始時のみに直流バイアス電流
を供給して電源効率を高め、直流バイアス電流を供給す
るための専用の直流電源を不要にすると共に、透磁率を
１に近づけてリンギング等を無くす効果がある。
【００６６】また、図１４に示す各種の変形例の構成に
して各種の作用効果を得ることができる。
【００６７】なお、以上までの各実施形態を適用できる
パルス電源は、図１５に示す構成に限らず、可飽和リア
クトルや可飽和トランス及びパルストランスを種々組み
合わせて構成する他の多くのパルス電源に適用して同等
の作用効果を得ることができる。例えば、可飽和トラン
スを用いた１段磁気パルス圧縮回路や多段磁気パルス圧
縮回路、ＬＣ反転倍電圧回路を設けたものなど、コアの
磁気飽和特性を利用したパルス電源に適用できる。
【００６８】
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、初期充
電から磁気パルス圧縮動作終了までに発生する電流の電
磁エネルギーを直流バイアス電流の電源として利用し、
この電磁エネルギーでスイッチングアシスト回路又は磁
気パルス圧縮動作開始時又はパルストランスの動作開始
時のみ直流バイアス電流を供給するようにしたため、直
流バイアスによりコア容積を小さくできるなどの効果に
加えて、動作開始時のみ直流バイアス電流の供給になっ
て電源効率を高めることができる。また、回路のパルス
電流の一部を利用することで直流バイアス電流を供給す
るための専用の電源が不要になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態を示す要部回路図。
【図２】図１の実施形態の変形例。
【図３】本発明の他の実施形態を示す要部回路図。
【図４】図３の実施形態の変形例。
【図５】本発明の他の実施形態を示す要部回路図。
【図６】図５の実施形態の変形例。
【図７】本発明の他の実施形態を示す要部回路図。
【図８】図７の実施形態の変形例。
【図９】本発明の他の実施形態を示す要部回路図。
【図１０】図９の実施形態の変形例。
【図１１】本発明の他の実施形態を示す要部回路図。
【図１２】図１１の実施形態の変形例。
【図１３】本発明の他の実施形態を示す要部回路図。
【図１４】図１３の実施形態の変形例。
【図１５】パルス電源の回路例。
【図１６】従来の要部回路図。
【図１７】直流バイアスの有る場合（ａ）と無い場合
（ｂ）の磁化特性図。
【符号の説明】
ＳＷ…半導体スイッチ ＳＴ…可飽和トランス ＰＴ…パルストランス ＳＩ0、ＳＩ1、ＳＩ2…可飽和リアクトル Ｔ1…トランス Ｌ1…直流リアクトル Ｄ1、Ｄ2…ダイオード ＬB…直流バイアス用の巻線 ＬG…電磁エネルギー取り出し用の巻線

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 コアの磁気飽和特性を用いて圧縮したパ
    ルス電流を得るスイッチングアシスト回路又は磁気パル
    ス圧縮回路、又は単方向のパルス電流が供給されるパル
    ストランスを備えたパルス電源において、 前記スイッチングアシスト回路又は磁気パルス圧縮回路
    又はパルストランスは、コアの磁束方向とは逆方向の極
    性になる直流バイアス電流を供給するための巻線ＬBを
    設け、 前記スイッチングアシスト回路又は磁気パルス圧縮回路
    又はパルストランスの動作開始時のみ、回路に流れるパ
    ルス電流の一部を電磁エネルギーとして取り出すトラン
    スＴ1又は巻線ＬGを設け、 前記トランスＴ1又は巻線ＬGの出力電流を前記巻線ＬB
    に直流バイアス電流として供給する直流リアクトルＬ1
    又は可飽和リアクトルＳＩ2を設けたことを特徴とする
    パルス電源。
  2. 【請求項２】 前記直流リアクトル又は可飽和リアクト
    ルに直列に整流用ダイオードＤ1を設けたことを特徴と
    する請求項１記載のパルス電源。
  3. 【請求項３】 前記トランスＴ1又は巻線ＬGに並列にフ
    ライホイール用ダイオードＤ2を設けたことを特徴とす
    る請求項１又は２記載のパルス電源。
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