JPH09261111A - Ｒｆスイッチ及びｒｆ信号セレクタ - Google Patents
Ｒｆスイッチ及びｒｆ信号セレクタInfo
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- JPH09261111A JPH09261111A JP8072320A JP7232096A JPH09261111A JP H09261111 A JPH09261111 A JP H09261111A JP 8072320 A JP8072320 A JP 8072320A JP 7232096 A JP7232096 A JP 7232096A JP H09261111 A JPH09261111 A JP H09261111A
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- pin diode
- bias signal
- bias
- diode
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 101150061050 CIN1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101150005988 cin2 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Transceivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＲＦ信号線のオフ時に通過するＲＦ信号をグ
ランドに落してアイソレーションを良好にすることにあ
る。 【解決手段】 ＲＦスイッチのＰＩＮダイオードＤ１の
出力側に、ＰＩＮダイオードＤ２と、そのオン，オフを
制御するバイアス信号Ｓ２の入力回路と、ＲＦ信号とバ
イアス信号Ｓ２を絶縁するコンデンサ及びコイルとから
成る短絡回路を設ける。ＲＦ信号線をオン状態にする時
は、バイアス信号Ｓ１に順電流を流してＰＩＮダイオー
ドＤ１をオンし、バイアス信号Ｓ２に逆電圧を加えてＰ
ＩＮダイオードＤ２をオフさせる。またＲＦ信号線をオ
フ状態にする時は、バイアス信号Ｓ１に逆電圧を加えて
ＰＩＮダイオードＤ１をオフさせ、バイアス信号Ｓ２に
順電流を流してＰＩＮダイオードＤ２をオンしてＰＩＮ
ダイオードＤ１を通過するＲＦ信号をグランドＧＮＤに
落す。
ランドに落してアイソレーションを良好にすることにあ
る。 【解決手段】 ＲＦスイッチのＰＩＮダイオードＤ１の
出力側に、ＰＩＮダイオードＤ２と、そのオン，オフを
制御するバイアス信号Ｓ２の入力回路と、ＲＦ信号とバ
イアス信号Ｓ２を絶縁するコンデンサ及びコイルとから
成る短絡回路を設ける。ＲＦ信号線をオン状態にする時
は、バイアス信号Ｓ１に順電流を流してＰＩＮダイオー
ドＤ１をオンし、バイアス信号Ｓ２に逆電圧を加えてＰ
ＩＮダイオードＤ２をオフさせる。またＲＦ信号線をオ
フ状態にする時は、バイアス信号Ｓ１に逆電圧を加えて
ＰＩＮダイオードＤ１をオフさせ、バイアス信号Ｓ２に
順電流を流してＰＩＮダイオードＤ２をオンしてＰＩＮ
ダイオードＤ１を通過するＲＦ信号をグランドＧＮＤに
落す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、周波数ホッピング
通信の送受信機で使用する周波数可変フィルタに用いら
れるＲＦスイッチ及びＲＦ信号セレクタに関するもので
ある。
通信の送受信機で使用する周波数可変フィルタに用いら
れるＲＦスイッチ及びＲＦ信号セレクタに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来のＲＦスイッチ回路の一例を図５に
示す。図において、ＲＦスイッチは、ＰＩＮダイオード
Ｄ１と、そのオン，オフを制御するバイアス信号Ｓ１の
入力回路と、入力されるＲＦ信号とバイアス信号Ｓ１を
絶縁するコンデンサＣＩＮ，ＣＯＵＴ及びコイルＬ１，
Ｌ２とにより構成される。
示す。図において、ＲＦスイッチは、ＰＩＮダイオード
Ｄ１と、そのオン，オフを制御するバイアス信号Ｓ１の
入力回路と、入力されるＲＦ信号とバイアス信号Ｓ１を
絶縁するコンデンサＣＩＮ，ＣＯＵＴ及びコイルＬ１，
Ｌ２とにより構成される。
【０００３】この回路の動作は、入力回路から順電流
（直流電流）のバイアス信号Ｓ１を加えることによりＰ
ＩＮダイオードＤ１が導通（以下、オン）となり、入力
から出力に通じるＲＦ信号線がオンとなる。また入力回
路から逆電圧（マイナス電圧）を加えることによりＰＩ
ＮダイオードＤ１が絶縁（以下、オフ）となり、入力か
ら出力にかけたＲＦ信号線がオフとなる。
（直流電流）のバイアス信号Ｓ１を加えることによりＰ
ＩＮダイオードＤ１が導通（以下、オン）となり、入力
から出力に通じるＲＦ信号線がオンとなる。また入力回
路から逆電圧（マイナス電圧）を加えることによりＰＩ
ＮダイオードＤ１が絶縁（以下、オフ）となり、入力か
ら出力にかけたＲＦ信号線がオフとなる。
【０００４】このＲＦスイッチ回路を組み合せて構成し
たＲＦ信号セレクタを図６に示す。図は、ＲＦスイッチ
回路を２つ組み合せたＲＦ信号セレクタ回路で、回路図
において、Ｐ１→Ｐ２をオン、Ｐ１→Ｐ３をオフとして
動作させる場合には、バイアス信号Ｓ１１に順電流を流
してＰＩＮダイオードＤ１１をオンさせ、Ｐ１→Ｐ２を
オンさせる。またバイアス信号Ｓ２１に逆電圧をかけて
ＰＩＮダイオードＤ２１をオフさせ、Ｐ１→Ｐ３をオフ
させる。
たＲＦ信号セレクタを図６に示す。図は、ＲＦスイッチ
回路を２つ組み合せたＲＦ信号セレクタ回路で、回路図
において、Ｐ１→Ｐ２をオン、Ｐ１→Ｐ３をオフとして
動作させる場合には、バイアス信号Ｓ１１に順電流を流
してＰＩＮダイオードＤ１１をオンさせ、Ｐ１→Ｐ２を
オンさせる。またバイアス信号Ｓ２１に逆電圧をかけて
ＰＩＮダイオードＤ２１をオフさせ、Ｐ１→Ｐ３をオフ
させる。
【０００５】ところで、ＰＩＮダイオードは、理想スイ
ッチではないため、これがオフ状態でも若干のＲＦ信号
が通過する。その通過する信号の比率がアイソレーショ
ンである。図６において、Ｐ１→Ｐ２をオン、Ｐ１→Ｐ
３をオフとしたとき、Ｐ１→Ｐ２が挿入損失、Ｐ３→Ｐ
１がアイソレーションとなる。
ッチではないため、これがオフ状態でも若干のＲＦ信号
が通過する。その通過する信号の比率がアイソレーショ
ンである。図６において、Ｐ１→Ｐ２をオン、Ｐ１→Ｐ
３をオフとしたとき、Ｐ１→Ｐ２が挿入損失、Ｐ３→Ｐ
１がアイソレーションとなる。
【０００６】図７に実際の設計数値を適用した回路例を
示し、これによりＰ１→Ｐ２をオン、Ｐ１→Ｐ３をオフ
としたときの特性を図８に示す。なお、実施例図７にお
いては、オン電流を１００ｍＡ，オフ電圧を−１００Ｖ
として等価回路を図９としたときのシミュレーション結
果である。
示し、これによりＰ１→Ｐ２をオン、Ｐ１→Ｐ３をオフ
としたときの特性を図８に示す。なお、実施例図７にお
いては、オン電流を１００ｍＡ，オフ電圧を−１００Ｖ
として等価回路を図９としたときのシミュレーション結
果である。
【０００７】図８の特性図によれば、周波数１００〜５
００ＭＨｚにおいて、Ｐ３→Ｐ１のアイソレーションが
−４０〜−２０Ｖである。
００ＭＨｚにおいて、Ｐ３→Ｐ１のアイソレーションが
−４０〜−２０Ｖである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
回路構成によれば、ＰＩＮダイオードがオフ状態でもＲ
Ｆ信号が通過して、アイソレーションが高くとれない欠
点がある。
回路構成によれば、ＰＩＮダイオードがオフ状態でもＲ
Ｆ信号が通過して、アイソレーションが高くとれない欠
点がある。
【０００９】本発明の目的は、ＲＦ信号線のＲＦスイッ
チがオフした時に通過するＲＦ信号をグランドに落とし
てやることにより、アイソレーションを良好にすること
にある。
チがオフした時に通過するＲＦ信号をグランドに落とし
てやることにより、アイソレーションを良好にすること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、ＲＦスイ
ッチにおいて、該ＲＦスイッチのＰＩＮダイオードＤ１
の出力側に、他のＰＩＮダイオードＤ２と、該ＰＩＮダ
イオードＤ２のオン，オフを制御するバイアス信号Ｓ２
の入力回路と、上記ＰＩＮダイオードＤ２を通過するＲ
Ｆ信号と上記バイアス信号Ｓ２を絶縁するコンデンサ及
びコイルとより成り、上記バイアス信号Ｓ２を上記ＰＩ
ＮダイオードＤ１のバイアス信号Ｓ１と可逆的に加え上
記ＰＩＮダイオードＤ１がオフしたときに通過するＲＦ
信号をＰＩＮダイオードＤ２を通してグランドＧＮＤに
落す短絡回路を設けたＲＦスイッチによって達成され
る。
ッチにおいて、該ＲＦスイッチのＰＩＮダイオードＤ１
の出力側に、他のＰＩＮダイオードＤ２と、該ＰＩＮダ
イオードＤ２のオン，オフを制御するバイアス信号Ｓ２
の入力回路と、上記ＰＩＮダイオードＤ２を通過するＲ
Ｆ信号と上記バイアス信号Ｓ２を絶縁するコンデンサ及
びコイルとより成り、上記バイアス信号Ｓ２を上記ＰＩ
ＮダイオードＤ１のバイアス信号Ｓ１と可逆的に加え上
記ＰＩＮダイオードＤ１がオフしたときに通過するＲＦ
信号をＰＩＮダイオードＤ２を通してグランドＧＮＤに
落す短絡回路を設けたＲＦスイッチによって達成され
る。
【００１１】また、上記目的は、上記ＲＦスイッチ回路
を少なくとも２つ組み合せてＲＦ信号線に設け、各ＲＦ
スイッチのバイアス信号Ｓ１及びＳ２の制御によりＲＦ
信号線のセレクトを行なうＲＦ信号セレクタによって達
成される。
を少なくとも２つ組み合せてＲＦ信号線に設け、各ＲＦ
スイッチのバイアス信号Ｓ１及びＳ２の制御によりＲＦ
信号線のセレクトを行なうＲＦ信号セレクタによって達
成される。
【００１２】上記の手段を用いると、ＲＦスイッチを設
けたＲＦ信号線をオン状態にする時は、バイアス信号Ｓ
１に順電流を加えると共にバイアス信号Ｓ２に逆電圧加
え、入力されたＲＦ信号がＰＩＮダイオードＤ１を通過
するようにし、ＲＦ信号線をオフ状態にする時は、バイ
アス信号Ｓ２に順電流を加えてバイアス信号Ｓ１に逆電
圧を加え、入力されたＲＦ信号がＰＩＮダイオードＤ１
で遮断されると共に通過ＲＦ信号がＰＩＮダイオードＤ
２を通ってグランドＧＮＤに落ちるようにする。
けたＲＦ信号線をオン状態にする時は、バイアス信号Ｓ
１に順電流を加えると共にバイアス信号Ｓ２に逆電圧加
え、入力されたＲＦ信号がＰＩＮダイオードＤ１を通過
するようにし、ＲＦ信号線をオフ状態にする時は、バイ
アス信号Ｓ２に順電流を加えてバイアス信号Ｓ１に逆電
圧を加え、入力されたＲＦ信号がＰＩＮダイオードＤ１
で遮断されると共に通過ＲＦ信号がＰＩＮダイオードＤ
２を通ってグランドＧＮＤに落ちるようにする。
【００１３】また、上記ＲＦスイッチ回路を設けた各Ｒ
Ｆ信号線は、各ＲＦスイッチのバイアス信号Ｓ１及びＳ
２の制御によりＲＦ信号が通過するＲＦ信号線のセレク
トを行なうことができる。
Ｆ信号線は、各ＲＦスイッチのバイアス信号Ｓ１及びＳ
２の制御によりＲＦ信号が通過するＲＦ信号線のセレク
トを行なうことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下本発明を実施の形態によって
説明する。図１は、本発明の一実施形態のＲＦスイッチ
で、従来と同符号は同一もしくは相当部分を示し、ＰＩ
ＮダイオードＤ１の出力側に、他のＰＩＮダイオードＤ
と、このＰＩＮダイオードＤ２のオン，オフを制御する
バイアス信号Ｓ２の入力回路と、ＲＦ信号とバイアス信
号Ｓ２を絶縁するコンデンサＣ１及びコイルＬ３とで構
成された短絡回路を設けたものである。
説明する。図１は、本発明の一実施形態のＲＦスイッチ
で、従来と同符号は同一もしくは相当部分を示し、ＰＩ
ＮダイオードＤ１の出力側に、他のＰＩＮダイオードＤ
と、このＰＩＮダイオードＤ２のオン，オフを制御する
バイアス信号Ｓ２の入力回路と、ＲＦ信号とバイアス信
号Ｓ２を絶縁するコンデンサＣ１及びコイルＬ３とで構
成された短絡回路を設けたものである。
【００１５】本実施形態では、バイアス信号Ｓ２に順電
流（直流電流）を流すことにより、ＰＩＮダイオードＤ
２がオン状態となり、ＲＦ信号の一部がグランドＧＮＤ
に落とされる。また、バイアス信号Ｓ２に逆電圧（マイ
ナス電圧）をかけることによりＰＩＮダイオードＤ２が
オフとなり、ＲＦ信号はグランドＧＮＤに落ちないよう
に制御される。
流（直流電流）を流すことにより、ＰＩＮダイオードＤ
２がオン状態となり、ＲＦ信号の一部がグランドＧＮＤ
に落とされる。また、バイアス信号Ｓ２に逆電圧（マイ
ナス電圧）をかけることによりＰＩＮダイオードＤ２が
オフとなり、ＲＦ信号はグランドＧＮＤに落ちないよう
に制御される。
【００１６】したがって、このＲＦスイッチが設けられ
た入力から出力にかけてのＲＦ信号線をオン状態にする
時は、バイアス信号Ｓ１に順電流を加えてＰＩＮダイオ
ードＤ１をオンし、バイアス信号Ｓ２に逆電圧を作用す
ることによってＰＩＮダイオードＤ２をオフさせること
により、入力されたＲＦ信号がそのままＰＩＮダイオー
ドＤ１を通って出力する。
た入力から出力にかけてのＲＦ信号線をオン状態にする
時は、バイアス信号Ｓ１に順電流を加えてＰＩＮダイオ
ードＤ１をオンし、バイアス信号Ｓ２に逆電圧を作用す
ることによってＰＩＮダイオードＤ２をオフさせること
により、入力されたＲＦ信号がそのままＰＩＮダイオー
ドＤ１を通って出力する。
【００１７】また、ＲＦ信号線をオフ状態にする時は、
バイアス信号Ｓ１に逆電圧を加えてＰＩＮダイオードＤ
１をオフさせ、バイアス信号Ｓ２に順電流を流せば、Ｐ
ＩＮダイオードＤ２がオンし、オフ状態のＰＩＮダイオ
ードＤ１を通過するＲＦ信号の一部をオン状態のＰＩＮ
ダイオードＤ２を通してグランドＧＮＤに落とすことが
でき、オフ状態のＲＦ信号線を通過するＲＦ信号を少な
くすることができる。このようにバイアス信号Ｓ１とＳ
２を可逆的に制御することによりＲＦ信号線のオン，オ
フを確実に行なうことができる。
バイアス信号Ｓ１に逆電圧を加えてＰＩＮダイオードＤ
１をオフさせ、バイアス信号Ｓ２に順電流を流せば、Ｐ
ＩＮダイオードＤ２がオンし、オフ状態のＰＩＮダイオ
ードＤ１を通過するＲＦ信号の一部をオン状態のＰＩＮ
ダイオードＤ２を通してグランドＧＮＤに落とすことが
でき、オフ状態のＲＦ信号線を通過するＲＦ信号を少な
くすることができる。このようにバイアス信号Ｓ１とＳ
２を可逆的に制御することによりＲＦ信号線のオン，オ
フを確実に行なうことができる。
【００１８】図２は、本発明のＲＦスイッチを用いたＲ
Ｆ信号セレクタの一実施形態である。図１のＲＦスイッ
チ回路を２つ組み合せてＲＦ信号線に設け、入力Ｐ１の
ＲＦ信号を出力Ｐ２またはＰ３にセレクトするものであ
る。
Ｆ信号セレクタの一実施形態である。図１のＲＦスイッ
チ回路を２つ組み合せてＲＦ信号線に設け、入力Ｐ１の
ＲＦ信号を出力Ｐ２またはＰ３にセレクトするものであ
る。
【００１９】このセレクタ回路において、Ｐ１→Ｐ２を
オン、Ｐ１→Ｐ３をオフさせる時は、バイアス信号Ｓ１
１に順電流を流して、ＰＩＮダイオードＤ１１をオンさ
せバイアス信号Ｓ１２に逆電圧をかけることによってＰ
ＩＮダイオードＤ１２をオフしてＰ１→Ｐ２をオンさ
せ、またバイアス信号Ｓ２１に逆電圧をかけてＰＩＮダ
イオードＤ２１をオフさせ、バイアス信号Ｓ２２に順電
流を流すことによりＰＩＮダイオードＤ２２をオンさせ
てＰ１→Ｐ３をオフさせる。
オン、Ｐ１→Ｐ３をオフさせる時は、バイアス信号Ｓ１
１に順電流を流して、ＰＩＮダイオードＤ１１をオンさ
せバイアス信号Ｓ１２に逆電圧をかけることによってＰ
ＩＮダイオードＤ１２をオフしてＰ１→Ｐ２をオンさ
せ、またバイアス信号Ｓ２１に逆電圧をかけてＰＩＮダ
イオードＤ２１をオフさせ、バイアス信号Ｓ２２に順電
流を流すことによりＰＩＮダイオードＤ２２をオンさせ
てＰ１→Ｐ３をオフさせる。
【００２０】図３に実際の設計数値を適用した回路例を
示し、これによるＰ１→Ｐ２をオン、Ｐ１→Ｐ３をオフ
したときの特性を図４に示す。但し、図４の実施例にお
いては、オン電流を１００ｍＡ，オフ電圧を−１００Ｖ
として等価回路を図９とした時のシミュレーション結果
である。
示し、これによるＰ１→Ｐ２をオン、Ｐ１→Ｐ３をオフ
したときの特性を図４に示す。但し、図４の実施例にお
いては、オン電流を１００ｍＡ，オフ電圧を−１００Ｖ
として等価回路を図９とした時のシミュレーション結果
である。
【００２１】図４の特性図によれば、周波数１００〜５
００ＭＨｚにおいて、Ｐ３→Ｐ１のアイソレーションが
−７０〜−６０Ｖとなった。これは従来の図８の特性図
と比較して明らかにアイソレーションが良好になってい
ることがわかる。
００ＭＨｚにおいて、Ｐ３→Ｐ１のアイソレーションが
−７０〜−６０Ｖとなった。これは従来の図８の特性図
と比較して明らかにアイソレーションが良好になってい
ることがわかる。
【００２２】図２において、Ｐ１→Ｐ３をオンさせる場
合は、バイアス信号Ｓ１１に逆電圧をかけてＰＩＮダイ
オードＤ１１をオフさせ、バイアス信号Ｓ１２に順電流
を流してＰＩＮダイオードＤ１２をオンさせることによ
りＰ１→Ｐ２をオフさせ、バイアス信号Ｓ２１に順電流
を流してＰＩＮダイオードＤ２１をオンさせ、バイアス
信号Ｓ２２に逆電圧をかけてＰＩＮダイオードＤ２２を
オフしてＰ１→Ｐ３をオンさせる。これにより入力Ｐ１
のＲＦ信号を出力Ｐ３のＲＦ信号線にセレクトし、オフ
する出力Ｐ２のＲＦ信号線のアイソレーションを良好に
することができる。
合は、バイアス信号Ｓ１１に逆電圧をかけてＰＩＮダイ
オードＤ１１をオフさせ、バイアス信号Ｓ１２に順電流
を流してＰＩＮダイオードＤ１２をオンさせることによ
りＰ１→Ｐ２をオフさせ、バイアス信号Ｓ２１に順電流
を流してＰＩＮダイオードＤ２１をオンさせ、バイアス
信号Ｓ２２に逆電圧をかけてＰＩＮダイオードＤ２２を
オフしてＰ１→Ｐ３をオンさせる。これにより入力Ｐ１
のＲＦ信号を出力Ｐ３のＲＦ信号線にセレクトし、オフ
する出力Ｐ２のＲＦ信号線のアイソレーションを良好に
することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、アイソレ
ーションが良好になることにより、より理想的なＲＦス
イッチに近づけることができる。また、オフ状態のＲＦ
信号線のインピーダンスが、オン状態のＲＦ信号線に影
響することが少なくなる。
ーションが良好になることにより、より理想的なＲＦス
イッチに近づけることができる。また、オフ状態のＲＦ
信号線のインピーダンスが、オン状態のＲＦ信号線に影
響することが少なくなる。
【図１】本発明の一実施例ＲＦスイッチ回路図である。
【図２】本発明の一実施例ＲＦ信号セレクタ回路図であ
る。
る。
【図３】図２に実際の数値を適用した回路図である。
【図４】図３の回路例の特性図である。
【図５】従来のＲＦスイッチ回路図である。
【図６】従来のＲＦ信号セレクタ回路図である。
【図７】図６に実際の数値を適用した回路図である。
【図８】図７の回路例の特性図である。
【図９】ＰＩＮダイオードの等価回路図である。
Ｐ１…ＲＦ信号入力、Ｐ２、Ｐ３…ＲＦ信号出力、Ｄ
１，Ｄ２，Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２…ＰＩＮダ
イオード、ＣＩＮ，ＣＩＮ１，ＣＩＮ２，Ｃ１，ＣＯＵ
Ｔ１，ＣＯＵＴ２…コンデンサ、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ
１１，Ｌ１２，Ｌ１３，Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３…コイ
ル、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２…バ
イアス信号、ＧＮＤ…グランド。
１，Ｄ２，Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２…ＰＩＮダ
イオード、ＣＩＮ，ＣＩＮ１，ＣＩＮ２，Ｃ１，ＣＯＵ
Ｔ１，ＣＯＵＴ２…コンデンサ、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ
１１，Ｌ１２，Ｌ１３，Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２３…コイ
ル、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２…バ
イアス信号、ＧＮＤ…グランド。
Claims (2)
- 【請求項１】 ＰＩＮダイオードＤ１と、該ＰＩＮダイ
オードＤ１のオン，オフを制御するバイアス信号Ｓ１の
入力回路と、上記ＰＩＮダイオードＤ１を通過するＲＦ
信号と上記バイアス信号Ｓ１とを絶縁するコンデンサ及
びコイルとで構成されたＲＦスイッチにおいて、上記Ｐ
ＩＮダイオードＤ１の出力側に、他のＰＩＮダイオード
Ｄ２と、該ＰＩＮダイオードＤ２のオン，オフを制御す
るバイアス信号Ｓ２の入力回路と、上記ＰＩＮダイオー
ドＤ２を通過するＲＦ信号と上記バイアス信号Ｓ２を絶
縁するコンデンサ及びコイルとより成り、上記バイアス
信号Ｓ２を上記バイアス信号Ｓ１と可逆的に加え上記Ｐ
ＩＮダイオードＤ１がオフしたときに通過するＲＦ信号
をＰＩＮダイオードＤ２を通してグランドＧＮＤに落す
短絡回路を設けたことを特徴とするＲＦスイッチ。 - 【請求項２】 ＰＩＮダイオードＤ１と、該ＰＩＮダイ
オードＤ１のオン，オフを制御するバイアス信号Ｓ１の
入力回路と、上記ＰＩＮダイオードＤ１を通過するＲＦ
信号と上記バイアス信号Ｓ１とを絶縁するコンデンサ及
びコイルとで構成されたＲＦスイッチの上記ＰＩＮダイ
オードＤ１の出力側に、他のＰＩＮダイオードＤ２と、
該ＰＩＮダイオードＤ２のオン，オフを制御するバイア
ス信号Ｓ２の入力回路と、上記ＰＩＮダイオードＤ２を
通過するＲＦ信号と上記バイアス信号Ｓ２を絶縁するコ
ンデンサ及びコイルとより成り、上記バイアス信号Ｓ２
を上記バイアス信号Ｓ１と可逆的に加え上記ＰＩＮダイ
オードＤ１がオフしたときに通過するＲＦ信号をＰＩＮ
ダイオードＤ２を通してグランドＧＮＤに落す短絡回路
を設けたＲＦスイッチ回路を、少なくとも２つ組み合せ
てＲＦ信号線に設け、上記各ＲＦスイッチ回路のバイア
ス信号Ｓ１及びＳ２の制御によりＲＦ信号線のセレクト
を行なうようにしたことを特徴とするＲＦ信号セレク
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8072320A JPH09261111A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | Ｒｆスイッチ及びｒｆ信号セレクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8072320A JPH09261111A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | Ｒｆスイッチ及びｒｆ信号セレクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09261111A true JPH09261111A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13485882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8072320A Pending JPH09261111A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | Ｒｆスイッチ及びｒｆ信号セレクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09261111A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004086623A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-10-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electronically controllable rf switch |
| KR100550784B1 (ko) * | 1998-12-07 | 2006-06-23 | 엘지전자 주식회사 | 이동통신 단말기에서의 수신신호 경로 제어회로 |
| KR100940216B1 (ko) * | 2009-04-24 | 2010-02-04 | 주식회사 유텔 | 핀다이오드를 이용한 광대역 알에프 스위칭 회로 |
| CN107819174A (zh) * | 2017-09-19 | 2018-03-20 | 四川海湾微波科技有限责任公司 | 一种lc谐振式单刀五掷微波开关 |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP8072320A patent/JPH09261111A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100550784B1 (ko) * | 1998-12-07 | 2006-06-23 | 엘지전자 주식회사 | 이동통신 단말기에서의 수신신호 경로 제어회로 |
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