JPH0926176A - 処理システムとこれを用いたデバイス生産方法 - Google Patents
処理システムとこれを用いたデバイス生産方法Info
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- JPH0926176A JPH0926176A JP7172066A JP17206695A JPH0926176A JP H0926176 A JPH0926176 A JP H0926176A JP 7172066 A JP7172066 A JP 7172066A JP 17206695 A JP17206695 A JP 17206695A JP H0926176 A JPH0926176 A JP H0926176A
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- clean room
- processing system
- wafer
- processing
- adjusting
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
- H10P72/0612—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Ventilation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 主として空調の観点から、生産の設備コスト
やランニングコストの削減にアプローチすること。 【解決手段】 クリーンルームと、該クリーンルームの
コンディション（クリーン度や温度など）を調整する調
整手段と、クリーンルーム内に設置された処理装置と、
該処理装置の稼働状況に応じて前記調整手段の動作を制
御する制御手段とを有することにより、クリーンルーム
内の必要な場所を必要な時に適切なレベルに向上するこ
とができる。
やランニングコストの削減にアプローチすること。 【解決手段】 クリーンルームと、該クリーンルームの
コンディション（クリーン度や温度など）を調整する調
整手段と、クリーンルーム内に設置された処理装置と、
該処理装置の稼働状況に応じて前記調整手段の動作を制
御する制御手段とを有することにより、クリーンルーム
内の必要な場所を必要な時に適切なレベルに向上するこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体などの微小デ
バイスを製造するための生産工場における処理システム
の技術分野に属する。
バイスを製造するための生産工場における処理システム
の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの高集積度化の追求はと
どまるところを知らず、リソグラフィ技術を応用した加
工はますますの微細化が要求されてきている。これに応
えるために、生産工場でのエアーのクリーン度や温度管
理などの空調制御もより高度になりつつある。そのため
半導体生産工場の生産ラインにおいては、クリーンルー
ム内部で非常に高いレベルでクリーン（低塵）度や温度
などを維持し続けることにより、生産歩留まりの向上を
図っている。
どまるところを知らず、リソグラフィ技術を応用した加
工はますますの微細化が要求されてきている。これに応
えるために、生産工場でのエアーのクリーン度や温度管
理などの空調制御もより高度になりつつある。そのため
半導体生産工場の生産ラインにおいては、クリーンルー
ム内部で非常に高いレベルでクリーン（低塵）度や温度
などを維持し続けることにより、生産歩留まりの向上を
図っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、集積度
の向上につれて生産のための設備コストやランニングコ
ストが飛躍的に増大し、投資に対する採算をとるために
は、いかにして総合的な生産コストを抑えるかが大きな
課題になりつつある。
の向上につれて生産のための設備コストやランニングコ
ストが飛躍的に増大し、投資に対する採算をとるために
は、いかにして総合的な生産コストを抑えるかが大きな
課題になりつつある。
【０００４】上記従来例では、クリーンルーム内部の全
ての箇所で、常に高いレベルで維持し続けるために、そ
れほど厳密な管理を必要としない箇所、また厳密な管理
が必要な時と必要でない時も、絶えず全体のクリーン度
や温度を高度に維持管理している。このために大型の空
調装置で常に大きな電力を必要とし、設備コストやラン
ニングコストの上昇を招いている。
ての箇所で、常に高いレベルで維持し続けるために、そ
れほど厳密な管理を必要としない箇所、また厳密な管理
が必要な時と必要でない時も、絶えず全体のクリーン度
や温度を高度に維持管理している。このために大型の空
調装置で常に大きな電力を必要とし、設備コストやラン
ニングコストの上昇を招いている。
【０００５】本発明は上記課題に鑑み、主として空調の
観点から、設備コストやランニングコストの削減にアプ
ローチすることを目的とするものである。
観点から、設備コストやランニングコストの削減にアプ
ローチすることを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、クリーンルームと、該クリーンルームのコンディシ
ョンを調整する調整手段と、クリーンルーム内に設置さ
れた処理装置と、該処理装置の稼働状況に応じて前記調
整手段の動作を制御する制御手段とを有することによ
り、クリーンルーム内の必要な場所を必要な時に適切な
レベルに向上することができる。これにより、工場全体
の設備投資額やランニングコストを削減することが可能
となる。
に、クリーンルームと、該クリーンルームのコンディシ
ョンを調整する調整手段と、クリーンルーム内に設置さ
れた処理装置と、該処理装置の稼働状況に応じて前記調
整手段の動作を制御する制御手段とを有することによ
り、クリーンルーム内の必要な場所を必要な時に適切な
レベルに向上することができる。これにより、工場全体
の設備投資額やランニングコストを削減することが可能
となる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態とし
て、半導体デバイスの生産ラインの処理システムについ
て説明する。
て、半導体デバイスの生産ラインの処理システムについ
て説明する。
【０００８】図１において、１は生産工場で、内部には
クリーンルーム２が設けられている。クリーンルーム２
の床の上には第１処理チャンバ３及び第２処理チャンバ
４が設置されている。露光室である第１処理チャンバ３
は、マスク３１を保持するマスクステージ３２及びウエ
ハ３３を保持するウエハ位置決めステージ３４を気密に
収容している。そして光源からの放射光によってマスク
パターンをウエハに露光転写する。また第１処理チャン
バ３にはウエハ出入扉３５が設けられている。一方、第
２処理チャンバ４はコーターデベロッパーを有してお
り、ウエハに対してレジスト塗布処理を行うコーター４
１と、露光処理後のウエハの現像処理を行うデベロッパ
ー４２とが１つのチャンバ内に気密に設けられている。
また第２処理チャンバ４にはウエハ出入扉４３及び４４
が設けられている。ウエハ出入扉４４を経て第２処理チ
ャンバ４に接続されたＡＧＶ(Automated Guided Vehicl
e)経路６は、第２処理チャンバ４と他の処理装置との間
でウエハの搬送を行うためのものである。また、５はマ
スク収納装置であり、重ね焼き露光に必要な複数のマス
クを収納するもので、不図示の搬送機構により第１処理
チャンバ３内のマスクステージ３２との間でマスクを搬
送することができる。
クリーンルーム２が設けられている。クリーンルーム２
の床の上には第１処理チャンバ３及び第２処理チャンバ
４が設置されている。露光室である第１処理チャンバ３
は、マスク３１を保持するマスクステージ３２及びウエ
ハ３３を保持するウエハ位置決めステージ３４を気密に
収容している。そして光源からの放射光によってマスク
パターンをウエハに露光転写する。また第１処理チャン
バ３にはウエハ出入扉３５が設けられている。一方、第
２処理チャンバ４はコーターデベロッパーを有してお
り、ウエハに対してレジスト塗布処理を行うコーター４
１と、露光処理後のウエハの現像処理を行うデベロッパ
ー４２とが１つのチャンバ内に気密に設けられている。
また第２処理チャンバ４にはウエハ出入扉４３及び４４
が設けられている。ウエハ出入扉４４を経て第２処理チ
ャンバ４に接続されたＡＧＶ(Automated Guided Vehicl
e)経路６は、第２処理チャンバ４と他の処理装置との間
でウエハの搬送を行うためのものである。また、５はマ
スク収納装置であり、重ね焼き露光に必要な複数のマス
クを収納するもので、不図示の搬送機構により第１処理
チャンバ３内のマスクステージ３２との間でマスクを搬
送することができる。
【０００９】７ａ〜７ｅは空気中の異物粒子を濾過する
フィルタと送風用の回転ファンとが一体になったＦＦＵ
(Fan Filter Unit)で、各ユニットがクリーンルーム２
の天井壁部分に並べられ、それぞれが独立に回転数（送
風能力）を制御することが可能である。なお、フィルタ
とファンは必ずしもユニット化する必要はない。また、
８ａ〜８ｅは各ＦＦＵに対応して設けられた冷却コイル
であり、各ＦＦＵで送風されるエアーの温度を個別に調
節することが可能である。９ａ〜９ｃはクリーンルーム
内の各箇所でのクリーン（低塵）度を測定するパーティ
クルディテクタ、ならびにエアー温度を測定する温度セ
ンサが対になった測定手段、１０はそのコントローラで
ある。パーティクルディテクタはエアーのゴミや塵など
の異物微粒子をカウントすることによりクリーン度を計
測する。１１は工場全体のシステム全体の統合的な制御
を行うメインコントローラであり、露光装置３、コータ
ーデベロッッパー４の稼働状態、パーティクルディテク
タ９ａ〜９ｃの測定値などをモニタし、モニタ結果に基
づいて各ＦＦＵ７ａ〜７ｅのそれぞれの送風能力並びに
各冷却コイル８ａ〜８ｅの冷却能力、及び各処理装置の
動作シーケンスを制御する。
フィルタと送風用の回転ファンとが一体になったＦＦＵ
(Fan Filter Unit)で、各ユニットがクリーンルーム２
の天井壁部分に並べられ、それぞれが独立に回転数（送
風能力）を制御することが可能である。なお、フィルタ
とファンは必ずしもユニット化する必要はない。また、
８ａ〜８ｅは各ＦＦＵに対応して設けられた冷却コイル
であり、各ＦＦＵで送風されるエアーの温度を個別に調
節することが可能である。９ａ〜９ｃはクリーンルーム
内の各箇所でのクリーン（低塵）度を測定するパーティ
クルディテクタ、ならびにエアー温度を測定する温度セ
ンサが対になった測定手段、１０はそのコントローラで
ある。パーティクルディテクタはエアーのゴミや塵など
の異物微粒子をカウントすることによりクリーン度を計
測する。１１は工場全体のシステム全体の統合的な制御
を行うメインコントローラであり、露光装置３、コータ
ーデベロッッパー４の稼働状態、パーティクルディテク
タ９ａ〜９ｃの測定値などをモニタし、モニタ結果に基
づいて各ＦＦＵ７ａ〜７ｅのそれぞれの送風能力並びに
各冷却コイル８ａ〜８ｅの冷却能力、及び各処理装置の
動作シーケンスを制御する。
【００１０】各ＦＦＵ７ａ〜７ｅの運転によって天井部
からクリーンルーム２内に吹き出した清浄且つ温度管理
されたエアーは、図示のようにクリーンルームの床から
排出され、クリーンルーム外の経路を通って再度ＦＦＵ
に達し循環する。ここで、各ＦＦＵ及び冷却コイルの運
転能力を個別に変化させることで、エアーの供給量及び
供給エアー温度が場所によって変化し、クリーンルーム
内部のクリーン度ならびに温度を局所的に調整すること
ができる。
からクリーンルーム２内に吹き出した清浄且つ温度管理
されたエアーは、図示のようにクリーンルームの床から
排出され、クリーンルーム外の経路を通って再度ＦＦＵ
に達し循環する。ここで、各ＦＦＵ及び冷却コイルの運
転能力を個別に変化させることで、エアーの供給量及び
供給エアー温度が場所によって変化し、クリーンルーム
内部のクリーン度ならびに温度を局所的に調整すること
ができる。
【００１１】前工程処理の済んだウエハは、ＡＧＶ経路
６を経由して第２処理チャンバ４のコーター４１に導入
する。ここでレジスト塗布及びプリベークを行ない、そ
の後、不図示のウエハ搬送機構により第１処理チャンバ
３の露光装置に搬送し露光処理を行う。露光処理後のウ
エハは第１処理チャンバ３から第２処理チャンバ４のデ
ベロッパー４２に搬送し、現像処理の後にＡＧＶ経路６
に搬出し、次の工程に移行させる 図２は以上のウエハ
処理手順を具体的に示すフローチャート図である。
６を経由して第２処理チャンバ４のコーター４１に導入
する。ここでレジスト塗布及びプリベークを行ない、そ
の後、不図示のウエハ搬送機構により第１処理チャンバ
３の露光装置に搬送し露光処理を行う。露光処理後のウ
エハは第１処理チャンバ３から第２処理チャンバ４のデ
ベロッパー４２に搬送し、現像処理の後にＡＧＶ経路６
に搬出し、次の工程に移行させる 図２は以上のウエハ
処理手順を具体的に示すフローチャート図である。
【００１２】ここでＡＧＶ搬送もしくは各処理チャンバ
の間でウエハを搬送するときは、ウエハ（もしくはウエ
ハキャリア）がクリーンルームのエアーに直接触れるた
め、ウエハに異物が付着しないように特に高いクリーン
度を要すると共に高レベルの温度管理も要する。そこで
メインコントローラ１１では各処理チャンバでの処理状
態をモニタし、ウエハがクリーンルーム内を搬送する際
には、搬送経路付近のクリーン度を局所的に向上させる
べく、該経路付近のみＦＦＵの運転能力（ファンの回転
数）を高める。同時に、測定手段の温度測定値が規定の
温度管理範囲内になるように冷却コイルの冷却能力を制
御する。具体的には、ＡＧＶ搬送するの際にはＦＦＵ７
ａ及び７ｂのファン回転数を高めると共に冷却コイル８
ａ及び８ｂの能力を調整する。また、第１処理チャンバ
３と第２処理チャンバ４の間でウエハを搬送する際には
ＦＦＵ７ｃ及び７ｄのファン回転数を高めると共に冷却
コイル８ｃ及び８ｄの能力を調整する。なお、ＦＦＵの
ファン回転を上げてから実際にクリーン度が向上するま
で、及び冷却コイルの冷却能力を変えてから実際にクリ
ーンルーム内のエアー温度に反映するまでは、若干のタ
イムラグが生じる。そこでこのタイムラグを見込んで、
実際にウエハが搬送されよりも所定時間だけ前にＦＦＵ
や冷却コイルの能力を調整するようにする。このタイム
ラグは予めシステムが稼働する前に測定して得ておく。
の間でウエハを搬送するときは、ウエハ（もしくはウエ
ハキャリア）がクリーンルームのエアーに直接触れるた
め、ウエハに異物が付着しないように特に高いクリーン
度を要すると共に高レベルの温度管理も要する。そこで
メインコントローラ１１では各処理チャンバでの処理状
態をモニタし、ウエハがクリーンルーム内を搬送する際
には、搬送経路付近のクリーン度を局所的に向上させる
べく、該経路付近のみＦＦＵの運転能力（ファンの回転
数）を高める。同時に、測定手段の温度測定値が規定の
温度管理範囲内になるように冷却コイルの冷却能力を制
御する。具体的には、ＡＧＶ搬送するの際にはＦＦＵ７
ａ及び７ｂのファン回転数を高めると共に冷却コイル８
ａ及び８ｂの能力を調整する。また、第１処理チャンバ
３と第２処理チャンバ４の間でウエハを搬送する際には
ＦＦＵ７ｃ及び７ｄのファン回転数を高めると共に冷却
コイル８ｃ及び８ｄの能力を調整する。なお、ＦＦＵの
ファン回転を上げてから実際にクリーン度が向上するま
で、及び冷却コイルの冷却能力を変えてから実際にクリ
ーンルーム内のエアー温度に反映するまでは、若干のタ
イムラグが生じる。そこでこのタイムラグを見込んで、
実際にウエハが搬送されよりも所定時間だけ前にＦＦＵ
や冷却コイルの能力を調整するようにする。このタイム
ラグは予めシステムが稼働する前に測定して得ておく。
【００１３】さらに、上記ウエハが搬送される搬送経路
付近の測定手段９ａ又は９ｂの計測値をモニタし、クリ
ーン度が所定の値以下（エアーの単位量当たりの異物粒
子が規定値よりも多い）の場合、及び／又はエアー温度
が所定の範囲外の場合は異常と判断し、ディテクタの計
測値が所定の範囲内になるまでウエハの搬送を一時保留
する。ウエハの搬送が終了してウエハが気密な処理チャ
ンバ内に収まったら、高いクリーン度管理及び温度管理
は必要無くなるので、ＦＦＵ及び冷却コイルの運転能力
を低減して消費電力を抑える。図３は以上の空調制御手
順を具体的に示すフローチャート図である。
付近の測定手段９ａ又は９ｂの計測値をモニタし、クリ
ーン度が所定の値以下（エアーの単位量当たりの異物粒
子が規定値よりも多い）の場合、及び／又はエアー温度
が所定の範囲外の場合は異常と判断し、ディテクタの計
測値が所定の範囲内になるまでウエハの搬送を一時保留
する。ウエハの搬送が終了してウエハが気密な処理チャ
ンバ内に収まったら、高いクリーン度管理及び温度管理
は必要無くなるので、ＦＦＵ及び冷却コイルの運転能力
を低減して消費電力を抑える。図３は以上の空調制御手
順を具体的に示すフローチャート図である。
【００１４】以上はウエハの搬送時に搬送経路付近のク
リーン度や温度等のコンディションを局所的に向上させ
る説明であるが、これはマスクについても全く同様であ
る。すなわちマスク交換の際にマスク収納装置５と第１
処理チャンバ３の間でマスクを搬送する際にも、マスク
（もしくはマスクキャリア）がクリーンルーム内のエア
ーに露出する。そこで、マスク搬送時にはマスク搬送経
路付近のクリーン度及び温度を高レベルに管理すべく、
計測手段５ｃの計測値をモニタしながら、ＦＦＵ７ｅ並
びに冷却コイル８ｅを制御する。
リーン度や温度等のコンディションを局所的に向上させ
る説明であるが、これはマスクについても全く同様であ
る。すなわちマスク交換の際にマスク収納装置５と第１
処理チャンバ３の間でマスクを搬送する際にも、マスク
（もしくはマスクキャリア）がクリーンルーム内のエア
ーに露出する。そこで、マスク搬送時にはマスク搬送経
路付近のクリーン度及び温度を高レベルに管理すべく、
計測手段５ｃの計測値をモニタしながら、ＦＦＵ７ｅ並
びに冷却コイル８ｅを制御する。
【００１５】なお本実施例では、第１処理チャンバ３を
露光装置とし、第２処理チャンバ４をコーターデベロッ
パーとした例を示したが、半導体生産ラインの処理シス
テムにはこれら以外にもチャンバを必要とする処理装
置、例えば熱処理装置、スパッタ装置、ＣＶＤ装置、エ
ピタキシャル装置、拡散装置、アニーリング装置、検査
装置などがあり、上記実施例と同様に適用可能である。
すなわち、第１処理チャンバ及び第２処理チャンバのそ
れぞれを、露光装置、コーター装置、デベロッパ装置、
熱処理装置、スパッタ装置、ＣＶＤ装置、エピタキシャ
ル装置、拡散装置、アニーリング装置、検査装置のいず
れかの組み合わせとすることができる。
露光装置とし、第２処理チャンバ４をコーターデベロッ
パーとした例を示したが、半導体生産ラインの処理シス
テムにはこれら以外にもチャンバを必要とする処理装
置、例えば熱処理装置、スパッタ装置、ＣＶＤ装置、エ
ピタキシャル装置、拡散装置、アニーリング装置、検査
装置などがあり、上記実施例と同様に適用可能である。
すなわち、第１処理チャンバ及び第２処理チャンバのそ
れぞれを、露光装置、コーター装置、デベロッパ装置、
熱処理装置、スパッタ装置、ＣＶＤ装置、エピタキシャ
ル装置、拡散装置、アニーリング装置、検査装置のいず
れかの組み合わせとすることができる。
【００１６】本実施例によれば、各処理装置の稼働状況
をモニタして、これに応じてクリーンルームのコンディ
ションを局部的に調整することで、必要な時に必要な箇
所のコンディションを集中的に高レベルに管理すること
ができる。これにより大型の空調施設を用いてクリーン
ルーム内全体のコンディションを高レベルに維持する場
合に比べて、設備コストや消費電力（ランニングコス
ト）が少なくて済み、ひいてはデバイス生産の低コスト
化を達成することができる。
をモニタして、これに応じてクリーンルームのコンディ
ションを局部的に調整することで、必要な時に必要な箇
所のコンディションを集中的に高レベルに管理すること
ができる。これにより大型の空調施設を用いてクリーン
ルーム内全体のコンディションを高レベルに維持する場
合に比べて、設備コストや消費電力（ランニングコス
ト）が少なくて済み、ひいてはデバイス生産の低コスト
化を達成することができる。
【００１７】次に上記処理システムでの処理工程を含む
デバイスの生産方法の実施例を説明する。
デバイスの生産方法の実施例を説明する。
【００１８】図４は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ
製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ
製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００１９】図５は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）では上記コーターを用いてウエハに感
光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明し
た露光装置を用いてマスクの回路パターンをウエハに焼
付露光する。ステップ１７（現像）では上記デベロッパ
ーを用いて露光したウエハを現像する。ステップ１８
（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削
り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチング
が済んで不要となったレジストを取り除く。これらのス
テップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重
に回路パターンが形成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）では上記コーターを用いてウエハに感
光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明し
た露光装置を用いてマスクの回路パターンをウエハに焼
付露光する。ステップ１７（現像）では上記デベロッパ
ーを用いて露光したウエハを現像する。ステップ１８
（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削
り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチング
が済んで不要となったレジストを取り除く。これらのス
テップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重
に回路パターンが形成される。
【００２０】本実施例の生産方法を用いれば、高集積度
の半導体デバイスを低コストに生産することができる。
の半導体デバイスを低コストに生産することができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、生産処理システムのク
リーンルームのコンディションを必要に応じて制御する
ことにより、施設の大型化を抑制すると共にランニング
コストを減らし、生産コストを削減をすることができ
る。
リーンルームのコンディションを必要に応じて制御する
ことにより、施設の大型化を抑制すると共にランニング
コストを減らし、生産コストを削減をすることができ
る。
【図１】本発明の実施例を処理システムの構成を説明す
る構成図である。
る構成図である。
【図２】図１の処理システムにおけるウエハ処理のフロ
ーを示す図である。
ーを示す図である。
【図３】図１の処理システムの空調制御のフローを示す
図である。
図である。
【図４】半導体デバイス生産の全体フローを示す図であ
る。
る。
【図５】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。
る。
１ 半導体生産工場 ２ クリーンルーム ３ 第１処理チャンバ（露光装置） ４ 第２処理チャンバ（コーターデベロッパー） ５ マスク収納装置 ６ ＡＧＶ経路 ７ ＦＦＵ ８ 冷却コイル ９ 測定手段 １０ コントローラ １１ メインコントローラ ３１ マスク ３２ マスクステージ ３３ ウエハ ３４ ウエハステージ ３５ ウエハ出入扉 ４１ コーター ４２ デベロッパー ４３、４４ ウエハ出入扉
Claims (12)
- 【請求項１】 クリーンルームと、該クリーンルームの
コンディションを調整する調整手段と、クリーンルーム
内に設置された処理装置と、該処理装置の稼動状況に応
じて前記調整手段の動作を制御する制御手段とを有する
ことを特徴とする処理システム。 - 【請求項２】 調整手段は、クリーンルーム内のクリー
ン度を部分的に調節する空調手段を有することを特徴と
する請求項１記載の処理システム。 - 【請求項３】 空調手段は各々が独立に制御可能な送風
手段がクリーンルームの壁付近に複数配置されているこ
とを特徴とする請求項２記載の処理システム。 - 【請求項４】 クリーンルーム内の複数の位置において
それぞれクリーン度を測定する測定手段を有し、該測定
手段の測定に基づいて前記送風手段を制御することを特
徴とする請求項３記載の処理システム。 - 【請求項５】 調整手段は、クリーンルーム内の温度を
部分的に調節する空調手段を有することを特徴とする請
求項１記載の処理システム。 - 【請求項６】 空調手段は各々が独立に制御可能な冷却
手段がクリーンルームの壁付近に複数配置されているこ
とを特徴とする請求項５記載の処理システム。 - 【請求項７】 クリーンルーム内の複数の位置において
それぞれ温度を測定する測定手段を有し、該測定手段の
測定に基づいて前記冷却手段を制御することを特徴とす
る請求項５記載の処理システム。 - 【請求項８】 クリーンルーム内に、クリーンルームと
は独立して雰囲気管理が可能なチャンバが設置され、該
チャンバ内に処理装置が設置されていることを特徴とす
る請求項１乃至７のいずれか記載の処理システム。 - 【請求項９】 クリーンルーム内に複数のチャンバが設
置されていることを特徴とする請求項８記載の処理シス
テム。 - 【請求項１０】 処理装置は、露光装置、コーター装
置、デベロッパー装置、熱処理装置、スパッタ装置、Ｃ
ＶＤ装置、エピタキシャル装置、拡散装置、アニーリン
グ装置、検査装置のうちの少なくとも一つであることを
特徴とする請求項８記載の処理システム。 - 【請求項１１】 基板が搬送される際に、搬送経路近傍
のコンディションを集中的に向上させることを特徴とす
る請求項１乃至１０のいずれか記載の処理システム。 - 【請求項１２】 請求項１乃至１のいずれか記載の処理
システムを用いてデバイスを生産することを特徴とする
デバイス生産方法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP7172066A JPH0926176A (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | 処理システムとこれを用いたデバイス生産方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7172066A JPH0926176A (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | 処理システムとこれを用いたデバイス生産方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0926176A true JPH0926176A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=15934909
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP7172066A Pending JPH0926176A (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | 処理システムとこれを用いたデバイス生産方法 |
Country Status (2)
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