JPH01152639A - 吸着保持装置 - Google Patents

吸着保持装置

Info

Publication number
JPH01152639A
JPH01152639A JP62310826A JP31082687A JPH01152639A JP H01152639 A JPH01152639 A JP H01152639A JP 62310826 A JP62310826 A JP 62310826A JP 31082687 A JP31082687 A JP 31082687A JP H01152639 A JPH01152639 A JP H01152639A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
specimen
cooling
insulating layer
workpiece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62310826A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidehiko Fujioka
秀彦 藤岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP62310826A priority Critical patent/JPH01152639A/ja
Priority to EP88311704A priority patent/EP0320297B1/en
Priority to DE88311704T priority patent/DE3884921T2/de
Publication of JPH01152639A publication Critical patent/JPH01152639A/ja
Priority to US07/648,312 priority patent/US5134436A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0432—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/72—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using electrostatic chucks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、静電吸着力および真空吸着力を利用してウェ
ハを保持する吸着保持装置に関し、特に、吸着台の温度
調整を可能にした吸着保持装置に関する。
［従来の技術］ 従来、静電吸着力により物体を吸着して保持する静電吸
着保持装置としては、第５図に示すような構成のものが
知られている。この装置は、光やＸ線、電子ビーム、イ
オンビーム等を用いた半導体製造装置、例えば露光装置
やエツチング装置にマスクやウェハあるいはその装置の
構成部品等を必要に応じて固定し解放するために用いら
れる。
図中、１は有機物やセラミックス材料で作られた吸着基
板、２．３は一対の電極、４はシリコンの酸化膜や窒化
膜等の絶縁層、９は試料（被吸着物）である。
この装置において、電極２．３間に電圧を印加すると、
導電性の試料９を介して電界が絶縁層４の中に発生する
。この結果、絶縁層４は話電分極を生じである電荷を発
生するため、試料９と電極２．３との間に静電的な吸引
力が発生する。すなわち、試料９は絶縁層４に静電吸着
される。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、Ｘ線リソグラフィの場合のように、この
ような静電吸着保持装置に保持されているウェハに強力
な照射エネルギーが照射される場合、クエへの温度が上
昇するため種々の問題を生ずる。
ステップ・アンド・リピートを行なう露光方法のように
、照射エネルギーがウニへの一部に局所的に照射される
場合は、第６図に示すようにウェハの温度は、照射前の
温度に対して、照射後、照射範囲を中心にΔＴだけ上昇
する。このような偏フたウニへの温度分布は局所的な熱
変位を引き起こしステップごとに位置合せを行なう場合
、位置ずれを生ずることになる。
本発明の目的は、上述の従来形の問題点に鑑み、静電吸
着ならびに真空吸着保持装置において、吸着面の温度変
化を制御することにより、照射エネルギーによる被保持
物たとえばウェハの熱的変形を抑制・安定化し、高精度
なパターン形成を可能にすることにある。
［問題点を解決するための手段および作用］上記目的を
達成するため本発明では、静電吸引力もしくは真空吸引
力によりクエへを吸着保持する吸着保持装置において、
吸着台の温度を調整する手段を備えている。
この構成において、強力な照射エネルギでウェハをステ
ップ・アンドリピートの露光方法で露光すると、クエへ
の温度は上昇して、ウェハおよび吸着台が部分的に変位
しようとするが、あらかじめ照射エネルギの強さと照射
時間、および露光シーケンスからウェハおよび吸着台の
温度上昇データに基づいた吸着台の温度調整を行なえば
、ウェハの温度は均一な所定の値に維持される。
したがって、上記熱による変形が抑制され、安定化され
て、ウェハに対して、高精度なりソグラフィが可能とな
る ［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の実施例を示す。
第１図は、本発明の実施例に係る基本的な考え方を示す
フローチャートである。同図において、静電吸着ならび
に真空保持装置に吸着保持されているウェハに、ある照
射エネルギ強度と照射エネルギ照射時間および焼付露光
シーケンスが与えられると、インプロセスですなわち実
際に焼付時に温度測定することなしで、吸着台の温度を
各種方法により均一温度にすることが可能となる。しか
しながら、そのためには、焼付露光シーケンスとステッ
プごとの吸着台の温度分布を測定しておくことが前提条
件となる。そのため、以下に示す実施例では温度センサ
が取り付けであるものの、実際のプロセスでは温度検出
は行なわないで温度調整を行なう。
第２図（ａ）は、本発明の第１の実施例に係る部分温度
調節付静電吸着保持装置の構成を示す概略断面図で（ｂ
）はＡＡ断面図である。同図において、１は有機物やセ
ラミックで作られた吸着基板、２．３は一対の電極、４
は絶縁層、５は吸着台（吸着基板１）の裏面に取り付け
られた管、６は管５内を流れる流体である。流体６とし
ては、液体または気体のいずれでもかまわないが主に水
、ヘリウムまたは窒素が用いられる。管５の材質は、流
体６によって決められ、ステンレス、真鍮、鋼等が用い
られる。管５の吸着台裏面における取付は位置は、ステ
ップ・アンド・リピート露光の中心位置となるように配
置しである。７はガラスウール等でできた断熱材である
。８は吸着台の裏面の温度を検知する温度センサで、最
も安定である白金測温抵抗体（制御幅±０．０００１℃
）等を用い、ステップ数だけ配置しである。９はクエへ
等の試料である。２１は吸着基板１上の試料９をステッ
プ送りさせる為の周知のＸＹステージ、２２は複数の管
５の流体６の温度を個別制御する温度調節部、２３はＸ
Ｙステージの駆動制御および温度調節部の制御を行なう
ＣＰＵである。
上記構成において、まず試料９として試験用ウェハを載
置し電極２．３間に電極を印加すると、試料９を介して
電解が絶縁層４の中に発生する。
この結果、絶縁層４は誘電分極を生じて、ある電荷を発
生するため、試料９と電極２．３との間に静電的な吸引
力が発生する。したがって、試料９は絶縁層４に静電吸
着される。まずこの試料９に、ステップ・アンド・リピ
ート露光を行なうと局所的な温度上昇は、温度センサ８
により検出される。この検出された温度に基づいて、吸
着台の温度を全体的に所定の設定温度に維持するための
管５を流れる流体６の温度および／または流量がコント
ロールされる。この温度調整は露光中にリアルタイムで
行なってもいいが、フィードバック制御では、遅れ時間
を生じるために露光前に、照射エネルギの強度、照射時
間、焼付露光シーケンスを決めてデータを収集しておく
ものとする。言いかえれば、この資料９の露光後、次の
試料、すなわち本露光用クエへを露光する場合にステッ
プ・アンド・リピート露光による各部分を順次照射した
際の、それぞれの部分照射時の局所的な温度上昇を、す
でにデータとして持っている制御装置により照射時刻と
のタイミングを図って各ステップ位置での局所温度上昇
に応じて管５それぞれを流れる流体６の温度および／ま
たは流量をコントロールし、吸着台温度制御時の応答性
を良くするものである。この実施例においては複数の管
５のうちエネルギ照射位置の下側あるいはその近辺にあ
たる管に流れる流体のみ冷却のため周囲の管の流体より
低い温度になるよう温度調節部で調節している。例えば
、第３図に示すように、照射前のウェハ温度が−様な温
度分布を示す場合、局所的な照射エネルギーによる温度
上昇は、その位置における集中した強制冷却により、所
定の吸着面温度に調整する。ＣＰＵ２３は試料の各部を
順次照射位置にステップ送りし、同時に温度調節部に前
述データに基づいて、照射によって温度が上昇する前に
照射位置の冷却が開始されるよう温度制御させる。照射
終了後、照射位置の冷却は終了し、次の照射位置が同様
に冷却される。
第４図は本発明の第２の実施例に係る静電吸着保持装置
を示す概略断面図である。第１図の装置と対応する部分
は第１図と同一の番号を付しである。第４図において、
１２は吸熱フィン、　１３は放熱フィン、１４．１５は
Ｂ１．Ｔｅ、などの金属間化合物で電流を流すとペルチ
ェ効果により接合点の温度が下がる電子冷却素材である
。
同図の構成において、不図示の電源装置によりＰ型およ
びＮ型の電子冷却素材１４．１５に電流を流すと、上述
のペルチェ効果により吸着基板１の裏面が冷却されるが
、この電流をＣＰＵからの信号に基づいて同様に制御す
ることにより、吸着基板１の裏面の温度を一定にする。
また、本発明の実施例では、静電吸着保持装置のみ示し
てきたが真空吸着保持装置においても、同様の温度調整
手段を設ければ、同様の効果が得られる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、照射エネルギー
による吸着面の温度変化を制御し、所定の温度にするこ
とによって被保持物の熱的安定性を向上させ、被保持物
例えばクエへ等に描かれた回路パターンの所定寸法を維
持し、高精度なりソグラフィを可能にする。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施例に係る温度調整の考え方を示
すフローチャート、 第２図は、本発明の第１の実施例に係る部分温度調節静
電吸着保持装置の構成を示す概略断面図、 第３図は、第２図の装置における部分温度調整の概念を
示すグラフ、 第４図は、本発明の第２の実施例に係る静電吸着装置′
を示す概略断面図、 第５図は、従来例に係る静電吸着保持装置の構成を示す
概略断面図、 第６図は、部分照射におけるウェハの温度分布を示すグ
ラフである。 １：吸着基板、２．３＝電極、４：絶縁層、５．５Ｈ：
管、６：流体、７：断熱材、８：温度センサ、９：試料
、 １２：吸熱フィン、１３：放熱フィン、１４、１５：電
子冷却素材。 第５図 第６図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、被保持物を吸着保持する吸着台と、前記吸着台に保
    持された被保持物の各部分を順次エネルギー照射位置に
    移動させる手段と、前記移動手段の移動と連動して被保
    持物の照射位置に移動した部分を集中的に強制冷却する
    様に前記吸着台を冷却する冷却手段とを備えたことを特
    徴とする吸着保持装置。 ２、前記冷却手段は、あらかじめ求めた被保持物の各部
    分それぞれの照射時の局所的な温度上昇の情報に基づい
    て前記強制冷却を行なうことを特徴とする特許請求の範
    囲第１項記載の吸着保持装置。
JP62310826A 1987-12-10 1987-12-10 吸着保持装置 Pending JPH01152639A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62310826A JPH01152639A (ja) 1987-12-10 1987-12-10 吸着保持装置
EP88311704A EP0320297B1 (en) 1987-12-10 1988-12-09 Method of temperature control of a wafer on a chuck
DE88311704T DE3884921T2 (de) 1987-12-10 1988-12-09 Verfahren zur Temperaturkontrolle einer Halbleiterscheibe auf einer Einspannvorrichtung.
US07/648,312 US5134436A (en) 1987-12-10 1991-01-29 Exposure control method for adjusting the temperature of a workpiece holding chuck attracting surface based on memorized data

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62310826A JPH01152639A (ja) 1987-12-10 1987-12-10 吸着保持装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01152639A true JPH01152639A (ja) 1989-06-15

Family

ID=18009874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62310826A Pending JPH01152639A (ja) 1987-12-10 1987-12-10 吸着保持装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5134436A (ja)
EP (1) EP0320297B1 (ja)
JP (1) JPH01152639A (ja)
DE (1) DE3884921T2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01251735A (ja) * 1988-03-31 1989-10-06 Toshiba Corp 静電チャック装置
JPH10163303A (ja) * 1996-11-22 1998-06-19 Samsung Electron Co Ltd 半導体デバイス製造装置のウェーハ用ステージ
JP2001297971A (ja) * 2000-04-14 2001-10-26 Ulvac Japan Ltd 露光装置
WO2005096101A1 (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Pioneer Corporation 露光装置
JP2010114397A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2010245541A (ja) * 2009-04-09 2010-10-28 Carl Zeiss Smt Ag 光線束を案内するためのミラー
WO2018030111A1 (ja) * 2016-08-10 2018-02-15 株式会社日本マイクロニクス 製造装置、及び製造方法

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2731950B2 (ja) * 1989-07-13 1998-03-25 キヤノン株式会社 露光方法
US5231291A (en) * 1989-08-01 1993-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Wafer table and exposure apparatus with the same
JP2737010B2 (ja) * 1989-08-01 1998-04-08 キヤノン株式会社 露光装置
DE69033002T2 (de) * 1989-10-02 1999-09-02 Canon K.K. Belichtungsvorrichtung
US5227000A (en) * 1990-04-09 1993-07-13 Nippon Scientific Co., Ltd. Plasma etching apparatus with accurate temperature and voltage level control on device under test
DE69130205T2 (de) * 1990-12-25 1999-03-25 Ngk Insulators, Ltd., Nagoya, Aichi Heizungsapparat für eine Halbleiterscheibe und Verfahren zum Herstellen desselben
JP2864060B2 (ja) * 1991-09-04 1999-03-03 キヤノン株式会社 縮小投影型露光装置及び方法
US5511799A (en) * 1993-06-07 1996-04-30 Applied Materials, Inc. Sealing device useful in semiconductor processing apparatus for bridging materials having a thermal expansion differential
US5593800A (en) * 1994-01-06 1997-01-14 Canon Kabushiki Kaisha Mask manufacturing method and apparatus and device manufacturing method using a mask manufactured by the method or apparatus
US5883778A (en) * 1994-02-28 1999-03-16 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with fluid flow regulator
JPH0926176A (ja) * 1995-07-07 1997-01-28 Canon Inc 処理システムとこれを用いたデバイス生産方法
US5667622A (en) * 1995-08-25 1997-09-16 Siemens Aktiengesellschaft In-situ wafer temperature control apparatus for single wafer tools
AU7438296A (en) * 1995-10-12 1997-04-30 Magapanel Corporation Magnification control and thermal substrate chuck for photolithography
US6645701B1 (en) 1995-11-22 2003-11-11 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
US5740016A (en) * 1996-03-29 1998-04-14 Lam Research Corporation Solid state temperature controlled substrate holder
US5761023A (en) * 1996-04-25 1998-06-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with pressure zones having reduced contact area and temperature feedback
US5802856A (en) * 1996-07-31 1998-09-08 Stanford University Multizone bake/chill thermal cycling module
US5835334A (en) * 1996-09-30 1998-11-10 Lam Research Variable high temperature chuck for high density plasma chemical vapor deposition
EP0994645B1 (en) * 1997-04-04 2003-09-24 Unisys Corporation Temperature control system for an electronic device in which device temperature is estimated from heater temperature and heat sink temperature
US5978202A (en) * 1997-06-27 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a thermal transfer regulator pad
KR100274595B1 (ko) * 1997-10-06 2000-12-15 윤종용 반도체 프로브 스테이션, 이의 냉각장치, 이의 냉각방법 그리고 이를 이용한 이디에스 방법
JPH11307430A (ja) 1998-04-23 1999-11-05 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法ならびに駆動装置
US5996353A (en) * 1998-05-21 1999-12-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system with a thermoelectric cooling/heating device
JP2000277237A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Komatsu Ltd 基板温度制御プレート及びそれを備える基板温度制御装置
US6592673B2 (en) * 1999-05-27 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for detecting a presence or position of a substrate
EP1229573A4 (en) * 1999-07-16 2006-11-08 Nikon Corp EXPOSURE METHOD AND SYSTEM
WO2001011664A1 (fr) * 1999-08-09 2001-02-15 Ibiden Co., Ltd. Recipient de support et dispositif semiconducteur de fabrication/inspection
TWI238292B (en) * 2000-02-10 2005-08-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus having a temperature controlled heat shield
JP3870002B2 (ja) * 2000-04-07 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置
JP4458447B2 (ja) * 2000-11-10 2010-04-28 株式会社アドバンテスト 電子部品試験用保持装置、電子部品試験装置および電子部品試験方法
US6508062B2 (en) 2001-01-31 2003-01-21 Applied Materials, Inc. Thermal exchanger for a wafer chuck
JP2004158510A (ja) * 2002-11-01 2004-06-03 Canon Inc デバイス製造装置
JP4307130B2 (ja) * 2003-04-08 2009-08-05 キヤノン株式会社 露光装置
SG109000A1 (en) * 2003-07-16 2005-02-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4241295B2 (ja) * 2003-09-26 2009-03-18 キヤノン株式会社 ステージ装置
JP4666908B2 (ja) * 2003-12-12 2011-04-06 キヤノン株式会社 露光装置、計測方法及びデバイス製造方法
EP1713115B1 (en) 2004-02-04 2016-05-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
JP2005353762A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置及びパターン形成方法
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7196768B2 (en) 2004-10-26 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060163490A1 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Advanced Ion Beam Technology Inc. Ion implantation cooling system
US20060258128A1 (en) * 2005-03-09 2006-11-16 Peter Nunan Methods and apparatus for enabling multiple process steps on a single substrate
US20070000441A1 (en) * 2005-07-01 2007-01-04 Applied Materials, Inc. Scalable uniform thermal plate
US8068208B2 (en) * 2006-12-01 2011-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for improving immersion scanner overlay performance
JP2009021555A (ja) * 2007-06-12 2009-01-29 Canon Inc 露光装置
US20090153812A1 (en) * 2007-12-17 2009-06-18 Canon Kabushiki Kaisha Positioning apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101849443B1 (ko) * 2010-12-20 2018-04-16 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단
JP6122856B2 (ja) 2011-10-06 2017-04-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． チャック、リソグラフィ装置及びチャックを使用する方法
US9091943B2 (en) * 2012-12-28 2015-07-28 Globalfoundries Inc. Asymmetric reticle heating of multilayer reticles eliminated by dummy exposures and related methods
US9703212B2 (en) * 2015-03-12 2017-07-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Exposure apparatus
DE102018117393A1 (de) 2018-07-18 2020-01-23 Infineon Technologies Ag Auflagetisch, auflagetischbaugruppe,verarbeitungsanordnung und verfahren dafür

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57169244A (en) * 1981-04-13 1982-10-18 Canon Inc Temperature controller for mask and wafer

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01251735A (ja) * 1988-03-31 1989-10-06 Toshiba Corp 静電チャック装置
JPH10163303A (ja) * 1996-11-22 1998-06-19 Samsung Electron Co Ltd 半導体デバイス製造装置のウェーハ用ステージ
JP2001297971A (ja) * 2000-04-14 2001-10-26 Ulvac Japan Ltd 露光装置
WO2005096101A1 (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Pioneer Corporation 露光装置
JP2010114397A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2010245541A (ja) * 2009-04-09 2010-10-28 Carl Zeiss Smt Ag 光線束を案内するためのミラー
US8717531B2 (en) 2009-04-09 2014-05-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror for guiding a radiation bundle
WO2018030111A1 (ja) * 2016-08-10 2018-02-15 株式会社日本マイクロニクス 製造装置、及び製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0320297B1 (en) 1993-10-13
EP0320297A3 (en) 1990-01-24
DE3884921T2 (de) 1994-02-24
DE3884921D1 (de) 1993-11-18
US5134436A (en) 1992-07-28
EP0320297A2 (en) 1989-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH01152639A (ja) 吸着保持装置
KR101780407B1 (ko) 전기장/자기장 가이딩 산 확산
KR102610050B1 (ko) 액침 필드 가이드 노광 및 노광-후 베이크 프로세스
US9280070B2 (en) Field guided exposure and post-exposure bake process
JP2002501305A (ja) 迅速な光−熱表面処理
US9366966B2 (en) Electric/magnetic field guided acid profile control in a photoresist layer
Osgood et al. Laser-induced chemistry for microelectronics
KR20250117741A (ko) 전기장 유도 포토레지스트 패터닝 프로세스를 위한 막 구조
TW202349139A (zh) 用於光阻圖案化的微影處理窗增強
US5746829A (en) Impurity concentrator and analyzer
US4330932A (en) Process for preparing isolated junctions in thin-film semiconductors utilizing shadow masked deposition to form graded-side mesas
JPH0834254B2 (ja) 電気導体に開路を形成する装置
CN1319135C (zh) 直流或交流电场辅助退火
US6891176B2 (en) Planar electron emitter with extended lifetime and system using same
US6300256B1 (en) Method and device for producing electrically conductive continuity in semiconductor components
JP2000114207A (ja) 微細加工方法及び装置
JP2002164323A (ja) フォーカスリング、基板処理装置および基板処理方法
JPS6129534B2 (ja)
JPH10223743A (ja) 荷電粒子線描画装置及びそれに用いる静電チャック
Vallo Performance Enhancement of Evaporated Thin Film Field Effect Transistors
JPH02215119A (ja) 荷電粒子ビーム露光装置
Kozicki et al. A low energy electron beam annealing system: Design, capability and use
Sasaki 4471525 Method for manufacturing semiconductor device utilizing two-step etch and selective oxidation to form isolation regions
Bensalem Rapid thermal annealing of donor implants in gallium arsenide
JPS63269527A (ja) 荷電ビ−ム装置