JPH09263450A - 高周波用誘電体組成物 - Google Patents
高周波用誘電体組成物Info
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- JPH09263450A JPH09263450A JP8074230A JP7423096A JPH09263450A JP H09263450 A JPH09263450 A JP H09263450A JP 8074230 A JP8074230 A JP 8074230A JP 7423096 A JP7423096 A JP 7423096A JP H09263450 A JPH09263450 A JP H09263450A
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- glass
- dielectric composition
- high frequency
- bao
- frequency dielectric
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 共振周波数の温度係数τf が０ｐｐｍ／℃に
近く、比誘電率の温度係数τεが−６０ｐｐｍ／℃≦τ
ε≦６０ｐｐｍ／℃を満足する高周波用誘電体組成物を
提供する。 【解決手段】 Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 及びＢａ
（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3（ただし、ＭIIはＮｉ，Ｍｇ又
はＺｎ、ＭV はＮｂ又はＴａを示し、ＭV ＝Ｎｂのとき
ＭII＝Ｎｉ，Ｍｇ，Ｚｎ、ＭV ＝ＴａのときＭII＝Ｍ
ｇ，Ｚｎ）よりなるセラミックス成分に対して０．１〜
５０重量％のガラスを添加した高周波用誘電体組成物。 【効果】 Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 セラミックス
−（ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）ガラス複合
材料に更にＢａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 を複合化するこ
とにより、τf ，τεが良好な高特性高周波用誘電体組
成物が得られる。
近く、比誘電率の温度係数τεが−６０ｐｐｍ／℃≦τ
ε≦６０ｐｐｍ／℃を満足する高周波用誘電体組成物を
提供する。 【解決手段】 Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 及びＢａ
（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3（ただし、ＭIIはＮｉ，Ｍｇ又
はＺｎ、ＭV はＮｂ又はＴａを示し、ＭV ＝Ｎｂのとき
ＭII＝Ｎｉ，Ｍｇ，Ｚｎ、ＭV ＝ＴａのときＭII＝Ｍ
ｇ，Ｚｎ）よりなるセラミックス成分に対して０．１〜
５０重量％のガラスを添加した高周波用誘電体組成物。 【効果】 Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 セラミックス
−（ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）ガラス複合
材料に更にＢａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 を複合化するこ
とにより、τf ，τεが良好な高特性高周波用誘電体組
成物が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路に使用
される素子を構成する誘電体として有効な高周波用誘電
体組成物に関する。
される素子を構成する誘電体として有効な高周波用誘電
体組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術及び先行技術】高周波回路に使用されるフ
ィルタ等の部品の小型・高信頼化には、多層デバイスが
有効である。この場合、多層デバイス用材料は、ある程
度高い誘電率（εr＝１０以上）、高いＱ（即ち、低い
誘電損失）を示し、ＣｕやＡｇ／Ｐｄ導体との同時焼成
が必要であることから、１０００℃以下での焼成が可能
であること（即ち、１０００℃以下の焼成で十分に緻密
化すること）が必要とされる。
ィルタ等の部品の小型・高信頼化には、多層デバイスが
有効である。この場合、多層デバイス用材料は、ある程
度高い誘電率（εr＝１０以上）、高いＱ（即ち、低い
誘電損失）を示し、ＣｕやＡｇ／Ｐｄ導体との同時焼成
が必要であることから、１０００℃以下での焼成が可能
であること（即ち、１０００℃以下の焼成で十分に緻密
化すること）が必要とされる。
【０００３】従来、１０００℃以下の焼成が可能な高周
波用誘電体として ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 又はＢａ
Ｏ−ＳｒＯ−ＺｒＯ2−ＳｉＯ2 系ガラス材料 Ｐｂ含有ペロブスカイト系材料 Ｂｉ含有系材料 セラミックス−ガラス複合系材料 が開発され、使用されている。
波用誘電体として ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 又はＢａ
Ｏ−ＳｒＯ−ＺｒＯ2−ＳｉＯ2 系ガラス材料 Ｐｂ含有ペロブスカイト系材料 Ｂｉ含有系材料 セラミックス−ガラス複合系材料 が開発され、使用されている。
【０００４】上記従来の材料では、次のような問題点が
あった。即ち、Ｐｂ含有ペロブスカイト系やＢｉ含有系
材料では、焼成中の成分揮発による組成のズレが発生
し、安定な製造が困難である。また、ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ
3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 又はＢａＯ−ＳｒＯ−ＺｒＯ2
−ＳｉＯ2 系ガラス材料やセラミックス−ガラス複合系
材料では、比誘電率が、それぞれεr ＝６，εr ＝１５
と低く、Ｑも１０００程度（１ＭＨｚ）と比較的小さ
い。
あった。即ち、Ｐｂ含有ペロブスカイト系やＢｉ含有系
材料では、焼成中の成分揮発による組成のズレが発生
し、安定な製造が困難である。また、ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ
3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 又はＢａＯ−ＳｒＯ−ＺｒＯ2
−ＳｉＯ2 系ガラス材料やセラミックス−ガラス複合系
材料では、比誘電率が、それぞれεr ＝６，εr ＝１５
と低く、Ｑも１０００程度（１ＭＨｚ）と比較的小さ
い。
【０００５】上記従来の問題点を解決し、高周波回路に
使用される素子の小型・高信頼化に有効な多層デバイス
用材料として有用な、誘電率及びＱが共に高く、１００
０℃以下での焼成が可能な高周波用誘電体組成物とし
て、本出願人は先に、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 を
主成分とし、該主成分に対し０．１〜５０重量％のガラ
ス、好ましくは、ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラスを添加した高周波用誘電体組成物を提案した
（特願平７−２９２７５０号。以下「先願」とい
う。）。
使用される素子の小型・高信頼化に有効な多層デバイス
用材料として有用な、誘電率及びＱが共に高く、１００
０℃以下での焼成が可能な高周波用誘電体組成物とし
て、本出願人は先に、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 を
主成分とし、該主成分に対し０．１〜５０重量％のガラ
ス、好ましくは、ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラスを添加した高周波用誘電体組成物を提案した
（特願平７−２９２７５０号。以下「先願」とい
う。）。
【０００６】上記先願に係るＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）
Ｏ3 セラミックス−（ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｓｉ
Ｏ2 ）ガラス複合材料であれば、誘電率及びＱが共に高
く、１０００℃以下での焼成が可能である。
Ｏ3 セラミックス−（ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｓｉ
Ｏ2 ）ガラス複合材料であれば、誘電率及びＱが共に高
く、１０００℃以下での焼成が可能である。
【０００７】ところで、誘電体共振器等に用いる高周波
用誘電体組成物では、共振周波数の温度係数τf を０ｐ
ｐｍ／℃に近づける必要があり、一方、コンデンサ材料
としての高周波用誘電体組成物では、比誘電率の温度係
数τεは、−６０ｐｐｍ／℃≦τε≦６０ｐｐｍ／℃
（ＣＨ特性）を満足する必要がある。
用誘電体組成物では、共振周波数の温度係数τf を０ｐ
ｐｍ／℃に近づける必要があり、一方、コンデンサ材料
としての高周波用誘電体組成物では、比誘電率の温度係
数τεは、−６０ｐｐｍ／℃≦τε≦６０ｐｐｍ／℃
（ＣＨ特性）を満足する必要がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｓ
ｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 セラミックス−（ＭｇＯ−
ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）ガラス複合材料は、共振
周波数の温度係数がτf＝−４０ｐｐｍ／℃と負に大き
く、比誘電率の温度係数がτε＝６０ｐｐｍ／℃と正に
大きいという問題点があった。
ｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 セラミックス−（ＭｇＯ−
ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）ガラス複合材料は、共振
周波数の温度係数がτf＝−４０ｐｐｍ／℃と負に大き
く、比誘電率の温度係数がτε＝６０ｐｐｍ／℃と正に
大きいという問題点があった。
【０００９】本発明は上記Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ
3 セラミックス−（ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ
2 ）ガラス複合材料の問題点を解決し、高周波回路に使
用される素子の小型・高信頼化に有効な多層デバイス用
材料として有用な、共振周波数の温度係数τf が０ｐｐ
ｍ／℃に近く、また、比誘電率の温度係数τεが−６０
ｐｐｍ／℃≦τε≦６０ｐｐｍ／℃を満足する高周波用
誘電体組成物を提供することを目的とする。
3 セラミックス−（ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ
2 ）ガラス複合材料の問題点を解決し、高周波回路に使
用される素子の小型・高信頼化に有効な多層デバイス用
材料として有用な、共振周波数の温度係数τf が０ｐｐ
ｍ／℃に近く、また、比誘電率の温度係数τεが−６０
ｐｐｍ／℃≦τε≦６０ｐｐｍ／℃を満足する高周波用
誘電体組成物を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波用誘電体
組成物は、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 及びＢａ（Ｍ
II 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 （ただし、ＭIIはＮｉ，Ｍｇ又はＺ
ｎ、ＭV はＮｂ又はＴａを示し、ＭV がＮｂのときＭII
はＮｉ，Ｍｇ又はＺｎであり、ＭV がＴａのときＭIIは
Ｍｇ又はＺｎである。）よりなるセラミックス成分に対
して０．１〜５０重量％のガラスを添加したことを特徴
とする。
組成物は、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 及びＢａ（Ｍ
II 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 （ただし、ＭIIはＮｉ，Ｍｇ又はＺ
ｎ、ＭV はＮｂ又はＴａを示し、ＭV がＮｂのときＭII
はＮｉ，Ｍｇ又はＺｎであり、ＭV がＴａのときＭIIは
Ｍｇ又はＺｎである。）よりなるセラミックス成分に対
して０．１〜５０重量％のガラスを添加したことを特徴
とする。
【００１１】Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 セラミック
ス−ガラス複合材料、特に、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）
Ｏ3 セラミックス−（ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｓｉ
Ｏ2）ガラス複合材料に、更にＢａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）
Ｏ3 （ただし、ＭIIはＮｉ，Ｍｇ又はＺｎ、ＭV はＮｂ
又はＴａを示し、ＭV がＮｂのときＭIIはＮｉ，Ｍｇ又
はＺｎであり、ＭV がＴａのときＭIIはＭｇ又はＺｎで
ある。）を複合化することにより、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 セラミックス−（ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3
−ＳｉＯ2 ）ガラス複合材料の問題を解消し、共振周波
数の温度係数τf が０ｐｐｍ／℃に近く、また、比誘電
率の温度係数τεが−６０ｐｐｍ／℃≦τε≦６０ｐｐ
ｍ／℃を満足する高特性高周波用誘電体組成物を実現す
ることができる。
ス−ガラス複合材料、特に、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）
Ｏ3 セラミックス−（ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｓｉ
Ｏ2）ガラス複合材料に、更にＢａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）
Ｏ3 （ただし、ＭIIはＮｉ，Ｍｇ又はＺｎ、ＭV はＮｂ
又はＴａを示し、ＭV がＮｂのときＭIIはＮｉ，Ｍｇ又
はＺｎであり、ＭV がＴａのときＭIIはＭｇ又はＺｎで
ある。）を複合化することにより、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 セラミックス−（ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3
−ＳｉＯ2 ）ガラス複合材料の問題を解消し、共振周波
数の温度係数τf が０ｐｐｍ／℃に近く、また、比誘電
率の温度係数τεが−６０ｐｐｍ／℃≦τε≦６０ｐｐ
ｍ／℃を満足する高特性高周波用誘電体組成物を実現す
ることができる。
【００１２】なお、本発明において、セラミックス成分
のＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 とＢａ（ＭII 1/3 ＭV
2/3）Ｏ3 とは、モル比でＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3
：Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 ＝（１−ｘ）：ｘ（た
だし、０＜ｘ≦０．８）の割合であることが好ましい。
また、ガラスとしては、ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 系ガラスが好ましく、特に、前記セラミックス成
分に対するガラス添加量を１〜４０重量％とすることが
望ましい。
のＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 とＢａ（ＭII 1/3 ＭV
2/3）Ｏ3 とは、モル比でＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3
：Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 ＝（１−ｘ）：ｘ（た
だし、０＜ｘ≦０．８）の割合であることが好ましい。
また、ガラスとしては、ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 系ガラスが好ましく、特に、前記セラミックス成
分に対するガラス添加量を１〜４０重量％とすることが
望ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１４】本発明の高周波用誘電体組成物は、Ｓｒ
（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 及びＢａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）
Ｏ3 （ただし、ＭIIはＮｉ，Ｍｇ又はＺｎ、ＭV はＮｂ
又はＴａを示し、ＭV がＮｂのときＭIIはＮｉ，Ｍｇ又
はＺｎであり、ＭV がＴａのときＭIIはＭｇ又はＺｎで
ある。）をセラミックス成分とし、このセラミックス成
分に対してガラスを０．１〜５０重量％添加したもので
ある。
（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 及びＢａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）
Ｏ3 （ただし、ＭIIはＮｉ，Ｍｇ又はＺｎ、ＭV はＮｂ
又はＴａを示し、ＭV がＮｂのときＭIIはＮｉ，Ｍｇ又
はＺｎであり、ＭV がＴａのときＭIIはＭｇ又はＺｎで
ある。）をセラミックス成分とし、このセラミックス成
分に対してガラスを０．１〜５０重量％添加したもので
ある。
【００１５】本発明において、セラミックス成分を構成
するＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3とＢａ（ＭII 1/3 ＭV
2/3）Ｏ3 とは、モル比がＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3
：Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 ＝（１−ｘ）：ｘ（た
だし、０＜ｘ≦０．８）の割合、即ち、セラミックス成
分組成が（１−ｘ）Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ・ｘ
Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 （０＜ｘ≦０．８）で表さ
れることが好ましい。ここで、ｘが０．８を超えると、
Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 の割合が多過ぎて、Ｓｒ
（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −ガラス複合材料に更にＢａ
（ＭII 1/3 ＭV 2/3)O3 を複合化させることによる本発明
の効果が損なわれ、τf ，τεの良好な値を得ることが
できない。好ましいｘの値は、Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）
Ｏ3 との関係で次の通りである。
するＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3とＢａ（ＭII 1/3 ＭV
2/3）Ｏ3 とは、モル比がＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3
：Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 ＝（１−ｘ）：ｘ（た
だし、０＜ｘ≦０．８）の割合、即ち、セラミックス成
分組成が（１−ｘ）Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ・ｘ
Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 （０＜ｘ≦０．８）で表さ
れることが好ましい。ここで、ｘが０．８を超えると、
Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 の割合が多過ぎて、Ｓｒ
（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −ガラス複合材料に更にＢａ
（ＭII 1/3 ＭV 2/3)O3 を複合化させることによる本発明
の効果が損なわれ、τf ，τεの良好な値を得ることが
できない。好ましいｘの値は、Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）
Ｏ3 との関係で次の通りである。
【００１６】Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 がＢａ（Ｎｉ
1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 の場合：０＜ｘ≦０．８ Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 がＢａ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 の場合：０＜ｘ≦０．３４ Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 がＢａ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 の場合：０＜ｘ≦０．３３ Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 がＢａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ
2/3 ）Ｏ3 の場合：０＜ｘ≦０．７３ Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 がＢａ（Ｚｎ1/3 Ｔａ
2/3 ）Ｏ3 の場合：０＜ｘ≦０．７６ 本発明において、このようなセラミックス成分に対する
ガラスの添加量が０．１重量％未満では、１０００℃以
下の焼成で十分に緻密化することができず、Ｑが低いも
のとなる。主成分に対するガラスの添加量が５０重量％
を超えると相対的にセラミックス成分の含有量が少なく
なるために、誘電率及びＱが低下する。
1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 の場合：０＜ｘ≦０．８ Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 がＢａ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 の場合：０＜ｘ≦０．３４ Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 がＢａ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 の場合：０＜ｘ≦０．３３ Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 がＢａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ
2/3 ）Ｏ3 の場合：０＜ｘ≦０．７３ Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 がＢａ（Ｚｎ1/3 Ｔａ
2/3 ）Ｏ3 の場合：０＜ｘ≦０．７６ 本発明において、このようなセラミックス成分に対する
ガラスの添加量が０．１重量％未満では、１０００℃以
下の焼成で十分に緻密化することができず、Ｑが低いも
のとなる。主成分に対するガラスの添加量が５０重量％
を超えると相対的にセラミックス成分の含有量が少なく
なるために、誘電率及びＱが低下する。
【００１７】本発明においては、セラミックス成分に対
するガラス添加量を１〜４０重量％、特に２〜３０重量
％とした場合、誘電率及びＱが共に著しく高く、しか
も、τf ，τεが良好な高周波用誘電体組成物を得るこ
とができる。
するガラス添加量を１〜４０重量％、特に２〜３０重量
％とした場合、誘電率及びＱが共に著しく高く、しか
も、τf ，τεが良好な高周波用誘電体組成物を得るこ
とができる。
【００１８】なお、本発明において、ガラスとしては、
ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスが好適で
あり、その好適な組成割合は、下記の通りである。
ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスが好適で
あり、その好適な組成割合は、下記の通りである。
【００１９】ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガ
ラス組成（重量％） ＭｇＯ ：２０〜５０ ＢａＯ ： ５〜２５ Ｂ2 Ｏ3 ：１５〜３０ ＳｉＯ2 ：１０〜２５ 本発明の高周波用誘電体組成物は、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 及びＢａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 を構成する
金属元素の酸化物又は炭酸塩、例えば、ＳｒＣＯ3 ，Ｂ
ａＣＯ3 ，ＮｉＯ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，Ｔａ
2 Ｏ5 を、所定のＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ，Ｂａ
（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 組成比となるように混合、仮焼
して得られるＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ，Ｂａ（Ｍ
II 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 を、所定のモル比で採取すると共
に、これに所定割合のガラスを添加混合することにより
容易に調製することができ、このような本発明の高周波
用誘電体組成物は、適当なバインダを添加して成形し、
１０００℃以下、例えば９５０〜９８０℃で焼成するこ
とにより、容易に使用に供することができる。
ラス組成（重量％） ＭｇＯ ：２０〜５０ ＢａＯ ： ５〜２５ Ｂ2 Ｏ3 ：１５〜３０ ＳｉＯ2 ：１０〜２５ 本発明の高周波用誘電体組成物は、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 及びＢａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 を構成する
金属元素の酸化物又は炭酸塩、例えば、ＳｒＣＯ3 ，Ｂ
ａＣＯ3 ，ＮｉＯ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，Ｔａ
2 Ｏ5 を、所定のＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ，Ｂａ
（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 組成比となるように混合、仮焼
して得られるＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ，Ｂａ（Ｍ
II 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 を、所定のモル比で採取すると共
に、これに所定割合のガラスを添加混合することにより
容易に調製することができ、このような本発明の高周波
用誘電体組成物は、適当なバインダを添加して成形し、
１０００℃以下、例えば９５０〜９８０℃で焼成するこ
とにより、容易に使用に供することができる。
【００２０】なお、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ・Ｂ
ａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 セラミックス成分にガラス、
例えば、ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラス
を添加する場合、ガラス成分と同重量比の各酸化物又は
相当量の炭酸塩をＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ・Ｂａ
（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 セラミックス成分に添加混合
し、熱処理時にガラス化と焼成とを同時に行っても良い
が、予め製造したガラスフリットとして添加するのが望
ましい。
ａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 セラミックス成分にガラス、
例えば、ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラス
を添加する場合、ガラス成分と同重量比の各酸化物又は
相当量の炭酸塩をＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ・Ｂａ
（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 セラミックス成分に添加混合
し、熱処理時にガラス化と焼成とを同時に行っても良い
が、予め製造したガラスフリットとして添加するのが望
ましい。
【００２１】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。
説明する。
【００２２】実施例１ ＳｒＣＯ3 ，ＢａＣＯ3 ，ＮｉＯ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｍｇ
Ｏ，ＺｎＯ，Ｔａ2 Ｏ5をＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3
化学量論比及びＢａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 （ただ
し、ＭIIはＮｉ，Ｍｇ又はＺｎ、ＭV はＮｂ又はＴａを
示す。）化学量論比となるように各々秤量し、２−プロ
パノールを分散媒として、２４時間ボールミルで粉砕・
混合した後、乾燥し、その後、大気中にて１４００℃で
４時間仮焼した。仮焼物を再度２−プロパノールを分散
媒として、２４時間ボールミルで粉砕・混合し、Ｓｒ
（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 及びＢａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）
Ｏ3 をそれぞれ合成した。
Ｏ，ＺｎＯ，Ｔａ2 Ｏ5をＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3
化学量論比及びＢａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 （ただ
し、ＭIIはＮｉ，Ｍｇ又はＺｎ、ＭV はＮｂ又はＴａを
示す。）化学量論比となるように各々秤量し、２−プロ
パノールを分散媒として、２４時間ボールミルで粉砕・
混合した後、乾燥し、その後、大気中にて１４００℃で
４時間仮焼した。仮焼物を再度２−プロパノールを分散
媒として、２４時間ボールミルで粉砕・混合し、Ｓｒ
（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 及びＢａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）
Ｏ3 をそれぞれ合成した。
【００２３】得られたＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 及
びＢａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 を表１に示すセラミック
ス成分組成となるように秤量し、更に、このセラミック
ス成分に対して、ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラス（成分重量比ＭｇＯ：ＢａＯ：Ｂ2 Ｏ3 ：Ｓｉ
Ｏ2 ＝４５：１５：２５：１５）フリットを１０重量％
添加混合し、バインダ（５重量％ポリビニルアルコール
水溶液）を混合物に対して２０重量％加えて、直径１５
ｍｍ、厚み１．５ｍｍのペレットに成形し、大気中にて
９８０℃で１時間焼成した。
びＢａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 を表１に示すセラミック
ス成分組成となるように秤量し、更に、このセラミック
ス成分に対して、ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラス（成分重量比ＭｇＯ：ＢａＯ：Ｂ2 Ｏ3 ：Ｓｉ
Ｏ2 ＝４５：１５：２５：１５）フリットを１０重量％
添加混合し、バインダ（５重量％ポリビニルアルコール
水溶液）を混合物に対して２０重量％加えて、直径１５
ｍｍ、厚み１．５ｍｍのペレットに成形し、大気中にて
９８０℃で１時間焼成した。
【００２４】得られた試料について、共振周波数の温度
係数τf 及び比誘電率の温度係数τεを測定し、結果を
表１に示した。
係数τf 及び比誘電率の温度係数τεを測定し、結果を
表１に示した。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１より、Ｂａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 を
配合することにより、共振周波数の温度係数τf 及び比
誘電率の温度係数τεが良好な値となることが明らかで
ある。
配合することにより、共振周波数の温度係数τf 及び比
誘電率の温度係数τεが良好な値となることが明らかで
ある。
【００２７】実施例２ 実施例１において、０．８Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ
3 ・０．２Ｂａ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 に対するガラ
ス添加量を表２に示す割合としたこと以外は同様にして
試料を製造し、各試料について諸特性を調べ、結果を表
２に示した。なお、比誘電率εr 及びＱ値は１ＭＨｚで
測定した。
3 ・０．２Ｂａ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 に対するガラ
ス添加量を表２に示す割合としたこと以外は同様にして
試料を製造し、各試料について諸特性を調べ、結果を表
２に示した。なお、比誘電率εr 及びＱ値は１ＭＨｚで
測定した。
【００２８】
【表２】
【００２９】表２より、ガラスをセラミックス成分に対
して０．１〜５０重量％、特に１〜４０重量％添加する
ことにより、良好な特性を得ることができることが明ら
かである。
して０．１〜５０重量％、特に１〜４０重量％添加する
ことにより、良好な特性を得ることができることが明ら
かである。
【００３０】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の高周波用誘
電体組成物は、Ｑ，εが共に高く、１０００℃以下での
焼成も可能である上に、共振周波数の温度係数τf が０
ｐｐｍ／℃に近く、また、比誘電率の温度係数τεが−
６０ｐｐｍ／℃≦τε≦６０ｐｐｍ／℃を満足する高特
性高周波用誘電体組成物である。このため、本発明によ
れば、誘電体共振器、或いは、コンデンサ材料としての
高特性多層デバイスを構成することにより、高周波回路
に使用される素子の小型・高信頼化を有効に達成するこ
とができる。
電体組成物は、Ｑ，εが共に高く、１０００℃以下での
焼成も可能である上に、共振周波数の温度係数τf が０
ｐｐｍ／℃に近く、また、比誘電率の温度係数τεが−
６０ｐｐｍ／℃≦τε≦６０ｐｐｍ／℃を満足する高特
性高周波用誘電体組成物である。このため、本発明によ
れば、誘電体共振器、或いは、コンデンサ材料としての
高特性多層デバイスを構成することにより、高周波回路
に使用される素子の小型・高信頼化を有効に達成するこ
とができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 及びＢａ
（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 （ただし、ＭIIはＮｉ，Ｍｇ又
はＺｎ、ＭV はＮｂ又はＴａを示し、ＭV がＮｂのとき
ＭIIはＮｉ，Ｍｇ又はＺｎであり、ＭV がＴａのときＭ
IIはＭｇ又はＺｎである。）よりなるセラミックス成分
に対して０．１〜５０重量％のガラスを添加したことを
特徴とする高周波用誘電体組成物。 - 【請求項２】 請求項１の組成物において、前記セラミ
ックス成分組成は、（１−ｘ）Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 ・ｘＢａ（ＭII 1/3 ＭV 2/3）Ｏ3 （ただし、
ＭIIはＮｉ，Ｍｇ又はＺｎ、ＭV はＮｂ又はＴａを示
し、ＭV がＮｂのときＭIIはＮｉ，Ｍｇ又はＺｎであ
り、ＭV がＴａのときＭIIはＭｇ又はＺｎである。ｘ
は、０＜ｘ≦０．８である。）で表されることを特徴と
する高周波用誘電体組成物。 - 【請求項３】 請求項１又は２の組成物において、前記
ガラスはＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 を主成分
とし、該ガラスを前記セラミックス成分に対して１〜４
０重量％添加したことを特徴とする高周波用誘電体組成
物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07423096A JP3225833B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 高周波用誘電体組成物 |
| TW085113434A TW416063B (en) | 1995-11-10 | 1996-11-04 | Dielectric composition for high frequency |
| US08/745,770 US5723396A (en) | 1995-11-10 | 1996-11-08 | Dielectric composition for high frequencies |
| KR1019960053034A KR100434004B1 (ko) | 1995-11-10 | 1996-11-09 | 고주파용 유전체 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07423096A JP3225833B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 高周波用誘電体組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09263450A true JPH09263450A (ja) | 1997-10-07 |
| JP3225833B2 JP3225833B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=13541173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07423096A Expired - Fee Related JP3225833B2 (ja) | 1995-11-10 | 1996-03-28 | 高周波用誘電体組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3225833B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115490514A (zh) * | 2021-06-18 | 2022-12-20 | 阜新德尔汽车部件股份有限公司 | 压电陶瓷及其制备方法与应用 |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP07423096A patent/JP3225833B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115490514A (zh) * | 2021-06-18 | 2022-12-20 | 阜新德尔汽车部件股份有限公司 | 压电陶瓷及其制备方法与应用 |
| CN115490514B (zh) * | 2021-06-18 | 2023-07-11 | 阜新德尔汽车部件股份有限公司 | 压电陶瓷及其制备方法与应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3225833B2 (ja) | 2001-11-05 |
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