JPH09263943A - 薄膜のパターン形成方法 - Google Patents
薄膜のパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH09263943A JPH09263943A JP7017996A JP7017996A JPH09263943A JP H09263943 A JPH09263943 A JP H09263943A JP 7017996 A JP7017996 A JP 7017996A JP 7017996 A JP7017996 A JP 7017996A JP H09263943 A JPH09263943 A JP H09263943A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- forming
- substrate
- pattern
- adhesion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims abstract 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 11
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】薄膜形成後複雑なパーターン形成処理を行うこ
と無く、簡便、安価に短時間で精度の良いパターン形成
を行うこと。 【解決手段】本発明による薄膜のパターン形成方法は、
薄膜を形成するための基板上に、あらかじめ、基板と形
成しようとする薄膜の密着性を低下させる密着性低下処
理を行うことにより、薄膜形成後に密着性低下処理を行
った部位の剥離を容易にし、所定のパターンに従った薄
膜のパターンニングを行うものである。
と無く、簡便、安価に短時間で精度の良いパターン形成
を行うこと。 【解決手段】本発明による薄膜のパターン形成方法は、
薄膜を形成するための基板上に、あらかじめ、基板と形
成しようとする薄膜の密着性を低下させる密着性低下処
理を行うことにより、薄膜形成後に密着性低下処理を行
った部位の剥離を容易にし、所定のパターンに従った薄
膜のパターンニングを行うものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はパターンニングされ
た薄膜の形成方法に関する。
た薄膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術における薄膜のパターンニング
方法としては、薄膜形成後にエッチングを行う方法や、
マスクを密着させ薄膜を形成する方法などがある。
方法としては、薄膜形成後にエッチングを行う方法や、
マスクを密着させ薄膜を形成する方法などがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】薄膜形成後にエッチン
グを行う製造方法では、処理工程が複雑となり、歩留ま
りの低下、処理時間の増加などの問題がある。さらにマ
スクを密着させ薄膜を形成する製造方法においては、薄
膜の形成時にマスク裏面に薄膜が回り込んだり、マスク
開口部全面に薄膜が形成されないなど、パターン精度を
向上することが困難であるとともに、使用後のマスクの
処理などにコストがかかるという問題がある。
グを行う製造方法では、処理工程が複雑となり、歩留ま
りの低下、処理時間の増加などの問題がある。さらにマ
スクを密着させ薄膜を形成する製造方法においては、薄
膜の形成時にマスク裏面に薄膜が回り込んだり、マスク
開口部全面に薄膜が形成されないなど、パターン精度を
向上することが困難であるとともに、使用後のマスクの
処理などにコストがかかるという問題がある。
【０００４】本発明の目的は、上記課題を解決して、簡
易で安価に精度良くパターンニングされた薄膜の形成方
法を提供することである。
易で安価に精度良くパターンニングされた薄膜の形成方
法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の薄膜のパターン形成方法では、薄膜を形成
しようとする基板上にあらかじめ所定のパターンにした
がって密着性低下処理を行った後、薄膜を形成し不要部
分を剥離することを特徴とする。
め、本発明の薄膜のパターン形成方法では、薄膜を形成
しようとする基板上にあらかじめ所定のパターンにした
がって密着性低下処理を行った後、薄膜を形成し不要部
分を剥離することを特徴とする。
【０００６】本発明の方法により、薄膜形成後に行うエ
ッチング行程などの複雑なパターンニング工程を省くこ
とができる。さらに、微細な密着性低下処理が行えるこ
とから、微細な薄膜のパターンニングを簡便、安価に、
短時間で行うことが可能となる。
ッチング行程などの複雑なパターンニング工程を省くこ
とができる。さらに、微細な密着性低下処理が行えるこ
とから、微細な薄膜のパターンニングを簡便、安価に、
短時間で行うことが可能となる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明による薄膜のパターン形成
方法は、薄膜を形成するための基板上に、あらかじめ、
基板と形成しようとする薄膜の密着性を低下させる密着
性低下処理を行うことにより、薄膜形成後に密着性低下
処理を行った部位の剥離を容易にし、所定のパターンに
従った薄膜のパターンニングを行うものである。
方法は、薄膜を形成するための基板上に、あらかじめ、
基板と形成しようとする薄膜の密着性を低下させる密着
性低下処理を行うことにより、薄膜形成後に密着性低下
処理を行った部位の剥離を容易にし、所定のパターンに
従った薄膜のパターンニングを行うものである。
【０００８】
【実施例】以下図面を用いて本発明による薄膜のパター
ン形成方法を説明する。図１は薄膜を形成しようとする
基板であり、図２は基板上に薄膜を形成した状態を示す
図であり、図３は薄膜の不要部分を剥離した状態を示し
た図である。図１中の斜線部３は最終的に薄膜を除去す
る部分である。この斜線部３に密着性低下処理を行う。
ン形成方法を説明する。図１は薄膜を形成しようとする
基板であり、図２は基板上に薄膜を形成した状態を示す
図であり、図３は薄膜の不要部分を剥離した状態を示し
た図である。図１中の斜線部３は最終的に薄膜を除去す
る部分である。この斜線部３に密着性低下処理を行う。
【０００９】密着性低下処理は、基板１と形成する薄膜
５の密着性を低下させる材料の塗布によって行うことが
できる。薄膜を真空中において形成する場合、密着性を
低下させる材料は真空中において気化しないものでなけ
ればならず、また形成する薄膜の使用目的を阻害するよ
うな不純物を放出しないものが望ましい。これらの条件
を満たす材料としては形成しようとする薄膜の主要な元
素からなるポリマーもしくはオリゴマーがある。例え
ば、プラズマＣＶＤ、またはスパッタリング装置などを
用いて基板上にアモルファスシリコン薄膜を形成する場
合、ポリシランのオリゴマーを用いることにより、真空
中において気化、蒸発することもなく、アモルファスシ
リコンの純度を低下させるような不純物の放出も押さえ
ることができる。またこの場合、溶媒を用いて溶解させ
た高分子量のポリシランを用いても良いが、薄膜形成時
に残留溶媒の放出が無いよう十分に乾燥させる必要があ
る。また、例えばダイヤモンドライクカーボン薄膜を形
成する場合にはポリエチレンのオリゴマーを用いても同
様の効果が得られる。また、この塗布には一般に用いら
れている印刷法を用いることができる。
５の密着性を低下させる材料の塗布によって行うことが
できる。薄膜を真空中において形成する場合、密着性を
低下させる材料は真空中において気化しないものでなけ
ればならず、また形成する薄膜の使用目的を阻害するよ
うな不純物を放出しないものが望ましい。これらの条件
を満たす材料としては形成しようとする薄膜の主要な元
素からなるポリマーもしくはオリゴマーがある。例え
ば、プラズマＣＶＤ、またはスパッタリング装置などを
用いて基板上にアモルファスシリコン薄膜を形成する場
合、ポリシランのオリゴマーを用いることにより、真空
中において気化、蒸発することもなく、アモルファスシ
リコンの純度を低下させるような不純物の放出も押さえ
ることができる。またこの場合、溶媒を用いて溶解させ
た高分子量のポリシランを用いても良いが、薄膜形成時
に残留溶媒の放出が無いよう十分に乾燥させる必要があ
る。また、例えばダイヤモンドライクカーボン薄膜を形
成する場合にはポリエチレンのオリゴマーを用いても同
様の効果が得られる。また、この塗布には一般に用いら
れている印刷法を用いることができる。
【００１０】密着性を低下させるために印刷を行う材料
は、形成しようとする薄膜の主要な元素からなるポリマ
ーもしくはオリゴマーに特に限定されるものではなく、
形成する薄膜の使用目的、形成方法に応じて選択するこ
とができる。
は、形成しようとする薄膜の主要な元素からなるポリマ
ーもしくはオリゴマーに特に限定されるものではなく、
形成する薄膜の使用目的、形成方法に応じて選択するこ
とができる。
【００１１】また、密着性低下処理は、基板１の斜線部
をプラズマ処理、密着性の低い材料のスパッタリング、
真空蒸着によっても行うことができる。
をプラズマ処理、密着性の低い材料のスパッタリング、
真空蒸着によっても行うことができる。
【００１２】さらに、密着性低下処理は基板１の斜線部
３を電子線照射する事でもおこなえる。この効果は電子
線の照射により基板上にわずかに残っている不純物が凝
集することによる。さらに、あらかじめメタンプラズマ
に数秒さらした基板を用いるとこの効果はより顕著とな
る。ただし、この場合メタンプラズマへの曝露が過剰に
なると基板全域において密着性の低下が起こるため、曝
露時間の制御が重要となる。
３を電子線照射する事でもおこなえる。この効果は電子
線の照射により基板上にわずかに残っている不純物が凝
集することによる。さらに、あらかじめメタンプラズマ
に数秒さらした基板を用いるとこの効果はより顕著とな
る。ただし、この場合メタンプラズマへの曝露が過剰に
なると基板全域において密着性の低下が起こるため、曝
露時間の制御が重要となる。
【００１３】上記方法で斜線部３を密着低下処理した基
板上に薄膜を形成する。薄膜の形成方法は特に限定され
るものではないが、プラズマＣＶＤ、スパッタリング、
真空蒸着など真空中で行う薄膜形成法に特に有効であ
る。
板上に薄膜を形成する。薄膜の形成方法は特に限定され
るものではないが、プラズマＣＶＤ、スパッタリング、
真空蒸着など真空中で行う薄膜形成法に特に有効であ
る。
【００１４】密着性低下処理による効果が十分な場合に
は、薄膜の形成時、または形成後に薄膜の残留応力など
によって自動的に剥離が起こりパターンニングが完成す
る。薄膜の残留応力が小さい場合などで自動的に剥離が
起こらない場合や、部分的に剥離が起こらない場合など
は、空気や窒素ガスなどによるブローを行うことで剥離
を行うことができる。また、ブラシなどを用いた機械的
な剥離や超音波洗浄などによっても剥離を行うことがで
きる。 （実施例１）ガラス基板上にポリシランオリゴマーを線
幅１ｃｍ、膜厚０．１ミクロンで塗布し、その上にアモ
ルファスシリコン薄膜をシランガスを用いプラズマＣＶ
Ｄ法によって、０．５ミクロン形成した。この基板を純
水中に浸し超音波洗浄機を用いて約５分間洗浄を行うこ
とにより線幅１ｃｍのパターンニングが行えた。 （実施例２）ステンレス基板上を線幅１００ミクロンの
パターンを有するマスクで覆い、酸素ガスプラズマに数
秒、さらに大気にさらした後に、メタンガスを用いたプ
ラズマＣＶＤ法によってダイアモンドライクカーボン薄
膜を形成した。基板をＣＶＤ装置から取り出すと酸素プ
ラズマに曝露されていた線部のダイアモンドカーボン薄
膜が剥離しており、線幅１００μｍのパターンニングが
行えた。 （実施例３）シリコンウェハー基板上をビーム径１μｍ
の電子線を用い、所定のパターンに従って、電子線照射
を行った後、シランガスを用いプラズマＣＶＤ方によ
り、アモルファスシリコン薄膜を膜厚０．２μｍ形成し
た。この基板を３００℃に加熱したところ、所定のパタ
ーンに従って剥離が起こり、線幅５μｍのパターンニン
グが行えた。 （実施例４）シリコンウェハー基板上をメタンガスプラ
ズマに１秒さらした後、ビーム径１μｍの電子線を用
い、所定のパターンに従って、電子線照射を行った。さ
らにシランガスを用いプラズマＣＶＤ方により、アモル
ファスシリコン薄膜を膜厚０．５μｍ形成した。この基
板を純水中に浸し超音波洗浄機を用いて約５分間洗浄を
行うことにより、線幅１０μｍのパターンニングが行え
た。
は、薄膜の形成時、または形成後に薄膜の残留応力など
によって自動的に剥離が起こりパターンニングが完成す
る。薄膜の残留応力が小さい場合などで自動的に剥離が
起こらない場合や、部分的に剥離が起こらない場合など
は、空気や窒素ガスなどによるブローを行うことで剥離
を行うことができる。また、ブラシなどを用いた機械的
な剥離や超音波洗浄などによっても剥離を行うことがで
きる。 （実施例１）ガラス基板上にポリシランオリゴマーを線
幅１ｃｍ、膜厚０．１ミクロンで塗布し、その上にアモ
ルファスシリコン薄膜をシランガスを用いプラズマＣＶ
Ｄ法によって、０．５ミクロン形成した。この基板を純
水中に浸し超音波洗浄機を用いて約５分間洗浄を行うこ
とにより線幅１ｃｍのパターンニングが行えた。 （実施例２）ステンレス基板上を線幅１００ミクロンの
パターンを有するマスクで覆い、酸素ガスプラズマに数
秒、さらに大気にさらした後に、メタンガスを用いたプ
ラズマＣＶＤ法によってダイアモンドライクカーボン薄
膜を形成した。基板をＣＶＤ装置から取り出すと酸素プ
ラズマに曝露されていた線部のダイアモンドカーボン薄
膜が剥離しており、線幅１００μｍのパターンニングが
行えた。 （実施例３）シリコンウェハー基板上をビーム径１μｍ
の電子線を用い、所定のパターンに従って、電子線照射
を行った後、シランガスを用いプラズマＣＶＤ方によ
り、アモルファスシリコン薄膜を膜厚０．２μｍ形成し
た。この基板を３００℃に加熱したところ、所定のパタ
ーンに従って剥離が起こり、線幅５μｍのパターンニン
グが行えた。 （実施例４）シリコンウェハー基板上をメタンガスプラ
ズマに１秒さらした後、ビーム径１μｍの電子線を用
い、所定のパターンに従って、電子線照射を行った。さ
らにシランガスを用いプラズマＣＶＤ方により、アモル
ファスシリコン薄膜を膜厚０．５μｍ形成した。この基
板を純水中に浸し超音波洗浄機を用いて約５分間洗浄を
行うことにより、線幅１０μｍのパターンニングが行え
た。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
薄膜のパターン形成方法においては、薄膜形成後複雑な
パーターン形成処理を行う必要が無く、簡便、安価に短
時間で精度の良いパターン形成を行うことができる。
薄膜のパターン形成方法においては、薄膜形成後複雑な
パーターン形成処理を行う必要が無く、簡便、安価に短
時間で精度の良いパターン形成を行うことができる。
【図１】薄膜を形成しようとする基板での図である３は
薄膜の不要部分を剥離した状態である。
薄膜の不要部分を剥離した状態である。
【図２】基板上に薄膜を形成した状態を示した図であ
る。
る。
【図３】パターンニングが終了した状態を示した図であ
る。
る。
１ 基板 ３ 密着性低下処理部 ５ 薄膜
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3205 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｂ
Claims (6)
- 【請求項１】 薄膜を形成する基板上に、薄膜の不要部
分を剥離するための所定のパターンに従い、該基板と薄
膜との密着性を低下させる処理を行う密着性低下工程
と、該基板上に薄膜を形成する行程と、該薄膜の不要部
分を剥離する行程からなることを特徴とする薄膜のパタ
ーン形成方法。 - 【請求項２】 前記密着性低下工程は密着性を低下させ
る材料を所定のパターンに従い塗布することを特徴とす
る請求項１記載の薄膜のパターン形成方法。 - 【請求項３】 前記密着性を低下させる材料は有機ある
いは無機オリゴマー、ポリマーであることを特徴とする
請求項２記載の薄膜のパターン形成方法。 - 【請求項４】 前記密着性低下工程はプラズマＣＶＤや
スパッタリング法により所定のパターンに従って形成を
行うことを特徴とする請求項１記載の薄膜のパターン形
成方法。 - 【請求項５】 前記密着性低下工程は基板上に所定のパ
ターン従い電子線照射を行うことを特徴とする請求項１
記載の薄膜のパターン形成方法。 - 【請求項６】 前記密着性低下工程は基板上に所定のパ
ターンに従い極薄膜を形成する行程と、形成しようとす
るパターンに従い電子線照射を行う行程からなることを
特徴とする請求項１記載の薄膜のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7017996A JPH09263943A (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 薄膜のパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7017996A JPH09263943A (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 薄膜のパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09263943A true JPH09263943A (ja) | 1997-10-07 |
Family
ID=13424051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7017996A Pending JPH09263943A (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 薄膜のパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09263943A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016181608A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン膜の成膜方法および成膜装置 |
-
1996
- 1996-03-26 JP JP7017996A patent/JPH09263943A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016181608A (ja) * | 2015-03-24 | 2016-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン膜の成膜方法および成膜装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4428796A (en) | Adhesion bond-breaking of lift-off regions on semiconductor structures | |
| JPH0149788B2 (ja) | ||
| JP2004513515A (ja) | ホトレジストの改良形接着用アモルファス炭素層 | |
| CN115893305A (zh) | 一种改善Lift-Off工艺图形异常的方法 | |
| JPS6272128A (ja) | Ｘ線ホトリソグラフイにおいて使用するマスクの製造方法 | |
| JPH07209864A (ja) | パターン形成方法およびパターン形成装置 | |
| JP2001052979A (ja) | レジストの形成方法及び基体の加工方法、並びにフィルター構造 | |
| US5001083A (en) | Method of priming semiconductor substrate for subsequent photoresist masking and etching | |
| JP3392231B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS59149060A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH05206022A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2502232B2 (ja) | 高分子系薄膜のドライ・エッチング加工法 | |
| EP0068098B1 (en) | Process for fabricating a device involving use of a photoresist | |
| JP2980130B2 (ja) | 高分子膜成長方法 | |
| JPH02138468A (ja) | パターン形成法 | |
| JP2001027812A (ja) | 基板表面のレジストまたは異物の除去方法 | |
| JPS6386434A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH0340935B2 (ja) | ||
| JPS582031A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02294017A (ja) | リソグラフィ法 | |
| JP2572263B2 (ja) | 超伝導薄膜の回路パターン形成方法 | |
| JP4321079B2 (ja) | 半導体装置を製造する方法 | |
| JPH02295107A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3387034B2 (ja) | 金属膜の表面処理プロセスおよび半導体メタライゼーションの製造プロセス | |
| JPS62256430A (ja) | 電極パタ−ンの形成方法 |