JPH09265663A

JPH09265663A - デジタルビデオディスク基板

Info

Publication number: JPH09265663A
Application number: JP8073858A
Authority: JP
Inventors: Masaya Okamoto; 正哉岡本
Original assignee: Idemitsu Petrochemical Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Petrochemical Co Ltd
Priority date: 1996-03-28
Filing date: 1996-03-28
Publication date: 1997-10-07

Abstract

(57)【要約】【課題】成形時の割れが少ない上、複屈折が小さく、
かつ転写性に優れるデジタルビデオディスク基板を提供
すること。【解決手段】（ａ）下記の一般式（Ｉ）で表されるポ
リカーボネート構造単位と一般式（II）で表されるポリ
オルガノシロキサン構造単位とからなるポリカーボネー
ト−ポリオルガノシロキサン共重合体５〜１００重量
％、【化１】（式中の各記号は明細書に規定したとおりである。）及び（ｂ）ポリカーボネート樹脂９５〜０重量％を含有
し、かつ上記ポリオルガノシロキサン構造単位を樹脂成
分全量に基づき0.１〜１０重量％の割合で含有する樹脂
組成物からなるデジタルビデオディスク基板である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はデジタルビデオディ
スク基板に関し、さらに詳しくは、成形時の割れが少な
い上、複屈折が小さく、かつ転写性に優れるポリカーボ
ネート樹脂組成物からなるデジタルビデオディスク基板
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の光ディスクであるＣＤやＣＤ−Ｒ
ＯＭなどの規格は、ディスク径：１２０ｍｍ、ディスク
厚：1.２ｍｍ、構造：単板片面である。これに対し、デ
ジタルビデオディスク（ＤＶＤ）の規格は、ディスク
径：１２０ｍｍ、ディスク厚：1.２ｍｍ、構造：両面貼
せであり、したがって、ディスク基板としては、厚み0.
６ｍｍとなる。このように、ディスク基板の厚みが1.２
ｍｍから0.６ｍｍに薄くなると、成形時に破損が生じた
り、複屈折が増大するなど、好ましくない事態を招来す
る。このディスク基板材料としては、透明性，耐熱性，
耐衝撃性，耐水性などに優れることから、近年、ポリカ
ーボネートが多用されている。該ディスク基板の成形時
の割れを防止するために、基板材料のポリカーボネート
の分子量を増加させると、複屈折がさらに増大する。ま
た複屈折を低減するために、超音波成形，多段圧縮成
形、高速充填成形などの方法を用いて、デジタルビデオ
ディスク基板を成形する試みがなされているが、これら
の成形方法でも、複屈折の低減は充分ではない上、むし
ろ、通常の成形方法に比べて破損が生じやすいという問
題がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況下で、成形時の割れが少ない上、複屈折が小さく、
かつ転写性に優れるデジタルビデオディスク基板を提供
することを目的とするものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者は、成形時の割
れが少なく、かつ複屈折の小さいデジタルビデオディス
ク基板について鋭意研究を重ねた結果、基板材料とし
て、離型性に優れる特定構造のポリカーボネート−ポリ
オルガノシロキサン共重合体を含有するポリカーボネー
ト樹脂組成物を用いることにより、前記目的を達成しう
ることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完
成したものである。すなわち、本発明は、（ａ）一般式
（Ｉ）

【０００５】

【化４】

【０００６】（式中、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれハロゲ
ン原子，炭素数１〜６のアルキル基又はフェニル基を示
し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、Ｚ
は単結合，炭素数１〜２０のアルキレン基若しくはアル
キリデン基，炭素数５〜２０のシクロアルキレン基若し
くはシクロアルキリデン基，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ
−，−ＳＯ₂又は−ＣＯ−を示し、ｐ及びｑは、それぞ
れ０〜４の整数、ｍは１〜１５０の整数を示す。）で表
されるポリカーボネート構造単位及び一般式（II）

【０００７】

【化５】

【０００８】（式中、Ｒ³〜Ｒ⁶は、それぞれ炭素数１
〜６のアルキル基又はフェニル基を示し、それらはたが
いに同一でも異なっていてもよく、Ａは二価の有機残
基、Ｒは一価又は二価の有機残基、ｎは１〜６０の整数
を示す。）で表されるポリオルガノシロキサン構造単位
からなるポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン共
重合体５〜１００重量％、及び（ｂ）ポリカーボネート
樹脂９５〜０重量％を含有し、かつ上記ポリオルガノシ
ロキサン構造単位を樹脂成分全量に基づき0.１〜１０重
量％の割合で含有する樹脂組成物からなるデジタルビデ
オディスク基板を提供するものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明のデジタルビデオディスク
基板（ＤＶＤ基板）の材料として用いられる樹脂組成物
においては、（ａ）成分として、一般式（Ｉ）

【００１０】

【化６】で表されるポリカーボネート構造単位及び一般式（II）

【００１１】

【化７】

【００１２】で表されるポリオルガノシロキサン構造単
位からなるポリカーボネート−ポリオルガノシロキサン
共重合体（以下、ＰＣ−ＰＯＳ共重合体と略記する。）
が用いられる。上記一般式（Ｉ）において、Ｒ¹及びＲ
²は、それぞれハロゲン原子，炭素数１〜６のアルキル
基又はフェニル基を示す。ここで、ハロゲン原子として
は、塩素，臭素，フッ素，ヨウ素原子が挙げられ、炭素
数１〜６のアルキル基としては、直鎖状，分岐状，環状
のいずれであってもよく、例えばメチル基，エチル基，
ｎ−プロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，イソ
ブチル基，ｔ−ブチル基，アミル基，イソアミル基，ヘ
キシル基，イソヘキシル基，シクロヘキシル基などが挙
げられる。このＲ¹及びＲ²は、たがいに同一でも異な
っていてもよい。また、Ｒ¹が複数ある場合は、複数の
Ｒ¹は同一でも異なっていてもよく、Ｒ²が複数ある場
合は、複数のＲ²は同一でも異なっていてもよい。ｐ及
びｑは、それぞれ０〜４の整数である。そして、Ｚは単
結合，炭素数１〜２０のアルキレン基若しくはアルキリ
デン基，炭素数５〜２０のシクロアルキレン基若しくは
シクロアルキリデン基，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，−
ＳＯ₂−又は−ＣＯ−を示す。ここで、炭素数１〜２０
のアルキレン基若しくはアルキリデン基としては、例え
ばメチレン基，エチレン基，プロピレン基，ブチレン
基，ペンチレン基，ヘキシレン基，エチリデン基，イソ
プロピリデン基などが挙げられ、炭素数５〜２０のシク
ロアルキレン基若しくはシクロアルキリデン基として
は、例えばシクロペンチレン基，シクロヘキシレン基，
シクロペンチリデン基，シクロヘキシリデン基などが挙
げられる。ｍは１〜１５０の整数を示す。

【００１３】一方、上記一般式（II）において、Ｒ³〜
Ｒ⁶は、それぞれ炭素数１〜６のアルキル基又はフェニ
ル基を示す。ここで、炭素数１〜６のアルキル基として
は、直鎖状，分岐状，環状のいずれであってもよく、例
えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピ
ル基，ｎ−ブチル基，イソブチル基，ｔ−ブチル基，ア
ミル基，イソアミル基，ヘキシル基，イソヘキシル基，
シクロヘキシル基などが挙げられる。このＲ³〜Ｒ
⁶は、たがいに同一でも異なっていてもよい。Ａは二価
の有機残基を示し、その例としては、

【００１４】

【化８】

【００１５】で示される基などを挙げることができる。
なお、この二価の基において、＊印のついた側の結合手
がＳｉと結合していることを意味する。Ｒは一価又は二
価の有機残基を示す。ここで、二価の有機残基として
は、上記Ａの説明で例示したものと同じものを挙げるこ
とができ、また、一価の有機残基としては、炭素数１〜
８のアルキル基（例えばメチル基，エチル基，ｎ−プロ
ピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，イソブチル
基，アミル基，ヘキシル基など）又は炭素数６〜２０の
アリール基（例えばフェニル基，トリル基，キシリル
基，ナフチル基など）を好ましく挙げることができる。
ｎは１〜６０、好ましくは５〜４０、より好ましくは１
０〜３０の整数を示す。ｎが６０を超えると樹脂の透明
性が低下し、ＤＶＤ基板材料として適さなくなる。

【００１６】この（ａ）成分のＰＣ−ＰＯＳ共重合体は
ブロック共重合体又はグラフト共重合体が好ましく、そ
のタイプについては特に制限されず、どのようなタイプ
のものであってもよい。例えばブロック共重合体として
は、一般式（Ｉ）で表されるポリカーボネート構造単位
をＡブロック、一般式（II）で表されるポリオルガノシ
ロキサン構造単位をＢブロックとした場合、ＡＢ型，Ａ
ＢＡ型，ＢＡＢ型及びマルチブロック型などを挙げるこ
とができる。これらの中で、ＡＢ型及びＡＢＡ型ブロッ
ク共重合体が好ましく、特にＡＢＡ型ブロック共重合体
が好適である。該ＰＣ−ＰＯＳ共重合体がＡＢＡ型ブロ
ック共重合体の場合、一般式（II）におけるＲは二価の
有機残基となり、一方、ＡＢ型ブロック共重合体の場合
は、Ｒは一価の有機残基となる。また、ＡＢＡ型ブロッ
ク共重合体における両末端基、あるいはＡＢ型ブロック
共重合体においてＡに結合する末端基としては、一般式
(III)

【００１７】

【化９】

【００１８】で表される基を挙げることができる。この
一般式(III) において、Ｒ⁷はハロゲン原子、炭素数１
〜２０のアルキル基，炭素数６〜２０のアリール基又は
炭素数７〜２０のアリールアルキル基を示す。ここで、
ハロゲン原子としては、塩素，臭素，フッ素，ヨウ素原
子が挙げられる。炭素数１〜２０のアルキル基として
は、直鎖状，分岐状，環状のいずれであってもよく、例
えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピ
ル基，ｎ−ブチル基，イソブチル基，ｓｅｃ−ブチル
基，ｔｅｒｔ−ブチル基，ペンチル基，ヘキシル基，オ
クチル基，デシル基，ドデシル基，シクロペンチル基，
シクロヘキシル基などが挙げられる。一方、炭素数６〜
２０のアリール基としては、芳香環上に置換基を有しな
いものであってもよいし、低級アルキル基などの適当な
置換基を有するものであってもよく、例えばフェニル
基，トリル基，キシリル基，ナフチル基，メチルナフチ
ル基などが挙げられる。また、炭素数７〜２０のアリー
ルアルキル基としては、芳香環上に置換基を有しないも
のであってもよいし、低級アルキル基などの適当な置換
基を有するものであってもよく、例えばベンジル基，フ
ェネチル基，ナフチルメチル基，クミル基などが挙げら
れる。このＡＢＡ型のＰＣ−ＰＯＳ共重合体は、様々な
方法により製造することができるが、例えば一般式（I
V）

【００１９】

【化１０】（式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｚ，ｐ及びｑは上記と同じであ
る。）で表される二価フェノールと、一般式（Ｖ）

【００２０】

【化１１】（式中、Ｒ³〜Ｒ⁶，Ａ及びｎは上記と同じであり、Ａ
¹はＡと同種の二価の有機残基を示す。）で表されるポ
リオルガノシロキサンと炭酸エステル形成性誘導体とを
液体媒体中において、一般式（VI）

【００２１】

【化１２】

【００２２】（式中、Ｒ⁷及びｒは上記と同じであ
る。）で表される一価フェノールからなる末端停止剤の
存在下反応させることにより、効率よく製造することが
できる。反応方法としては、公知の界面重縮合法やピリ
ジン法などを適用することができる。例えば、塩化メチ
レン，クロロホルム，クロロベンゼン，四塩化炭素など
の不活性有機溶媒に一般式（Ｖ）のポリオルガノシロキ
サンを溶解させた溶液及びアルカリ水溶液（水酸化ナト
リウム水溶液，水酸化カリウム水溶液，炭酸ナトリウム
水溶液など）に一般式（IV）の二価フェノールを溶解さ
せた溶液の混合物に、ホスゲン等の炭酸エステル形成性
誘導体を吹込んで界面重縮合反応を行う。この反応にあ
たっては、予めあるいは反応のある程度進んだ段階で一
般式（VI）の末端停止剤を反応系に加えておくのがよ
い。また反応系にはトリエチルアミン等の第三級アミン
を触媒として加えておくことも有効である。

【００２３】なお、予め一般式（IV）の二価フェノール
と炭酸エステル形成性誘導体によりポリカーボネートオ
リゴマーを調製しておき、このオリゴマー，一般式
（Ｖ）のポリオルガノシロキサン及び一般式（VI）の末
端停止剤と上述した不活性有機溶媒ならびにアルカリ水
溶液、さらには触媒を所定量比で混合攪拌して、界面重
縮合反応を行う方法も有効である。また、ピリジン法に
よれば、原料である一般式（IV）の二価フェノールと一
般式（Ｖ）のポリオルガノシロキサン及び一般式（VI）
の末端停止剤をピリジンあるいはピリジンと不活性溶剤
との混合溶媒に溶解し、この溶液にホスゲン等の炭酸エ
ステル形成性誘導体を吹込めば、所望のＡＢＡ型のＰＣ
−ＰＯＳ共重合体が得られる。一方、ＡＢ型のＰＣ−Ｐ
ＯＳ共重合体についても様々な方法により製造すること
ができるが、例えば上記一般式（IV）で表される二価フ
ェノール及び一般式（VI）で表される一価フェノールの
存在下、ポリカーボネートオリゴマーと、一般式（VII)

【００２４】

【化１３】

【００２５】（式中、Ｒ’は一価の有機基、例えば炭素
数１〜８のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基
を示し、Ｒ³〜Ｒ⁶，Ａ及びｎは上記と同じである。）
で表される片末端が封止されたポリオルガノシロキサン
を反応させることにより、効率よく製造することができ
る。該ポリカーボネートオリゴマーは、溶剤法、すなわ
ち塩化メチレンなどの有機溶剤中で公知の酸受容体、一
般式（VI) の末端停止剤の存在下、一般式（IV）の二価
フェノールとホスゲンのような前駆体との反応、又は該
二価フェノールと炭酸ジエステル（例えばジフェニルカ
ーボネートなど）とのエステル交換反応によって調製す
ることができる。

【００２６】上記一般式（IV）で表される二価フェノー
ルとしては、様々なものがあるが、特に２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン〔ビスフェノール
Ａ〕が好適である。ビスフェノールＡ以外の二価フェノ
ールとしては、例えばビス（４−ヒドロキシフェニル）
メタン；ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェ
ニル）メタン；ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキ
シフェニル）メタン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）エタン；１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン；２−メチル−１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン；２，２−ビス（３，５−ジメチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン；１−エチル−
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン；
２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン；２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４
−ヒドロキシフェニル）プロパン；２，２−ビス（３−
クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン；２，２−
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン；２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ブタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
ブタン；１，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタ
ン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタ
ン；４−メチル−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ペンタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘキサン；４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘプタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ノナン；１，１０−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）デカン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン；２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，
３−ヘキサフルオロプロパンなどのジヒドロキシジアリ
ールアルカン類、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン；１，１−ビス（３，５−ジクロロ
−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン；１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロデカンなどのジ
ヒドロキシジアリールシクロアルカン類、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）スルホン；ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）スルホン；ビス（３−クロ
ロ−４−ヒドロキシフェニル）スルホンなどのジヒドロ
キシジアリールスルホン類、ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）エーテル；ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロ
キシフェニル）エーテルなどのジヒドロキシジアリール
エーテル類、４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン；
３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジヒド
ロキシベンゾフェノンなどのジヒドロキシジアリールケ
トン類、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド；
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィ
ド；ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）スルフィドなどのジヒドロキシジアリールスルフィ
ド類、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシドな
どのジヒドロキシジアリールスルホキシド類などが挙げ
られる。これらの二価フェノールは単独で用いてもよ
く、二種以上を組み合わせて用いてもよい。

【００２７】また、一般式（VI) で表される一価フェノ
ールの末端停止剤としては、例えばフェノール；ｏ−ｎ
−ブチルフェノール；ｍ−ｎ−ブチルフェノール；ｐ−
ｎ−ブチルフェノール；ｏ−イソブチルフェノール；ｍ
−イソブチルフェノール；ｐ−イソブチルフェノール；
ｏ−ｔ−ブチルフェノール；ｍ−ｔ−ブチルフェノー
ル；ｐ−ｔ−ブチルフェノール；ｏ−ｎ−ペンチルフェ
ノール；ｍ−ｎ−ペンチルフェノール；ｐ−ｎ−ペンチ
ルフェノール；ｏ−ｎ−ヘキシルフェノール；ｍ−ｎ−
ヘキシルフェノール；ｐ−ｎ−ヘキシルフェノール；ｏ
−シクロヘキシルフェノール；ｍ−シクロヘキシルフェ
ノール；ｐ−シクロヘキシルフェノール；ｏ−フェニル
フェノール；ｍ−フェニルフェノール；ｐ−フェニルフ
ェノール；ｏ−ｎ−ノニルフェノール；ｍ−ｎ−ノニル
フェノール；ｐ−ｎ−ノニルフェノール；ｏ−クミルフ
ェノール；ｍ−クミルフェノール；ｐ−クミルフェノー
ル；ｏ−ナフチルフェノール；ｍ−ナフチルフェノー
ル；ｐ−ナフチルフェノール；２，６−ジ−ｔ−ブチル
フェノール；２，５−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，
４−ジ−ｔ−ブチルフェノール；３，５−ジ−ｔ−ブチ
ルフェノール；２，５−ジクミルフェノール；３，５−
ジクミルフェノールなどが挙げられる。これらは単独で
用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。

【００２８】この（ａ）成分のＰＣ−ＰＯＳ共重合体に
おける前記一般式（Ｉ）で表されるポリカーボネート構
造単位と一般式（II）で表されるポリオルガノシロキサ
ン構造単位との割合については、該ポリオルガノシロキ
サン構造単位が少なくとも0.１重量％の割合で含有して
いればよく、特に制限はない。このポリオルガノシロキ
サン構造単位の含有量が0.１重量％未満では樹脂組成物
を調製した際、ポリオルガノシロキサン構造単位の含有
量を、樹脂成分全量に基づき、0.１〜１０重量％の範囲
に制御することができない。なお、このＰＣ−ＰＯＳ共
重合体の製造時に、ポリオルガノシロキサン構造単位を
含まないホモポリカーボネートも製造され、実質的には
ＰＣ−ＰＯＳ共重合体とホモポリカーボネートとのブレ
ンド品となるが、ここではこのブレンド品も共重合体と
呼ぶこととする。

【００２９】本発明のＤＶＤ基板の材料として用いられ
る樹脂組成物においては、（ｂ）成分としてポリカーボ
ネート樹脂が用いられる。このポリカーボネート樹脂
は、その製造方法については特に制限はなく、二価フェ
ノールとホスゲンとを界面重縮合法により直接反応させ
て得られたものであってもよく、また二価フェノールと
炭酸ジエステルを溶融状態でエステル交換反応させる方
法（溶融重合法）により得られたものであってもよい。
二価フェノールとしては、前記（ａ）成分のＰＣ−ＰＯ
Ｓ共重合体の製造についての説明において例示したもの
と同じものを挙げることができ、このほか、ハイドロキ
ノンや９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオ
レン及びそれらのハロゲン誘導体なども用いることがで
きる。これらは一種用いてもよく、二種以上を組み合わ
せて用いてもよいが、これらの中で、特に２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノール
Ａ）が好適である。また、炭酸ジエステルとしては、例
えばジフェニルカーボネートなどのジアリールカーボネ
ート、ジメチルカーボネートやジエチルカーボネートな
どのジアルキルカーボネートなどが好ましく挙げられ
る。これらは一種用いてもよく、二種以上を組み合わせ
て用いてもよいが、これらの中で、特にジフェニルカー
ボネートが好適である。

【００３０】このポリカーボネート樹脂を製造する際に
は、通常末端停止剤が用いられる。この末端停止剤は一
価フェノールであればよく、特に制限されず、例えば、
前記（ａ）成分のＰＣ−ＰＯＳ共重合体の製造について
の説明において、末端停止剤として例示したものと同じ
ものを挙げることができる。これらは一種用いてもよ
く、二種以上を組み合わせて用いてもよい。さらに、こ
のポリカーボネート樹脂を製造する際、本発明の効果が
損なわれない範囲で、必要に応じ分岐剤を二価フェノー
ルと併用してもよい。この分岐剤としては官能基３個以
上を有する化合物、例えば１，１，１−トリス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エタン；α，α’，α”−トリス
（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリイソプ
ロピルベンゼン；１−〔α−メチル−α−（４’−ヒド
ロキシフェニル）エチル〕−４−〔α’，α’−ビス
（４”−ヒドロキシフェニル）エチル〕ベンゼン；フロ
ログリシン；トリメリット酸；イサチンビス（ｏ−クレ
ゾ−ル）などが挙げられる。これらは単独で用いてもよ
く、二種以上を組み合わせて用いてもよい。

【００３１】本発明のＤＶＤ基板の材料として用いられ
る樹脂組成物においては、前記（ａ）成分のＰＣ−ＰＯ
Ｓ共重合体と（ｂ）成分のポリカーボネート樹脂との割
合は、（ａ）成分が５〜１００重量％で、（ｂ）成分が
９５〜０重量％の範囲である。（ａ）成分の量が５重量
％未満では所望の物性を有するＤＶＤ基板が得られな
い。また、この樹脂組成物における前記一般式（II）で
表されるポリオルガノシロキサン構造単位の含有量は、
樹脂成分全量に基づき、0.１〜１０重量％の範囲であ
る。この量が0.１重量％未満ではＤＶＤ基板成形時に割
れが生じるおそれがあり、また１０重量％を超えると耐
熱性及び剛性が低下し、ＤＶＤ基板材料として不適当と
なる。基板成形時の割れ防止性，耐熱性及び剛性のバラ
ンスなどの面から、このポリオルガノシロキサン構造単
位の好ましい含有量は、樹脂成分全量に基づき0.３〜８
重量％の範囲であり、特に0.５〜６重量％の範囲が好適
である。

【００３２】また、この樹脂組成物の粘度平均分子量は
１００００〜１７０００の範囲にあるのが好ましい。こ
の粘度平均分子量が１００００未満ではＤＶＤ基板成形
時に割れが生じるおそれがあり、また１７０００を超え
ると得られるＤＶＤ基板の複屈折が増大する。ＤＶＤ基
板成形時の割れ防止及びＤＶＤ基板の複屈折などの面か
ら、この粘度平均分子量のより好ましい範囲は１２００
０〜１６０００であり、特に１３５００〜１５５００の
範囲が好適である。この樹脂組成物は、前記（ａ）成分
のＰＣ−ＰＯＳ共重合体と（ｂ）成分のポリカーボネー
ト樹脂を適当な混練機でブレンドしたものであってもよ
く、また単にドライブレンドしたものであってもよい。
さらに、この樹脂組成物には、本発明の目的が損なわれ
ない範囲で、所望により各種添加剤、例えば酸化防止
剤，滑剤（離型剤），無機充填剤，難燃剤，着色剤など
を適宜配合してもよい。

【００３３】上記酸化防止剤としては、リン系酸化防止
剤が好ましく、例えばトリメチルホスファイト，トリエ
チルホスファイト，トリブチルホスファイト，トリオク
チルホスファイト，トリノニルホスファイト，トリデシ
ルホスファイト，トリオクタデシルホスファイト，ジス
テアリルペンタエリスチルジホスファイト，トリス（２
−クロロエチル）ホスファイト，トリス（２，３−ジク
ロロプロピル）ホスファイトなどのトリアルキルホスフ
ァイト；トリシクロヘキシルホスファイトなどのトリシ
クロアルキルホスファイト；トリフェニルホスファイ
ト，トリクレジルホスファイト，トリス（エチルフェニ
ル）ホスファイト，トリス（ブチルフェニル）ホスファ
イト，トリス（ノニルフェニル）ホスファイト，トリス
（ヒドロキシフェニル）ホスファイトなどのトリアリー
ルホスファイト；２−エチルヘキシルジフェニルホォス
ファイトなどのモノアルキルジアリールホスファイト；
トリメチルホスフェート，トリエチルホスフェート，ト
リブチルホスフェート，トリオクチルホスフェート，ト
リデシルホスフェート，トリオクタデシルホスフェー
ト，ジステアリルペンタエリスリチルジホスフェート，
トリス（２−クロロエチル）ホスフェート，トリス
（２，３−ジクロロプロピル）ホスフェートなどのトリ
アルキルホスフェート；トリシクロヘキシルホスフェー
トなどのトリシクロアルキルホスフェート；トリフェニ
ルホスフェート，トリクレジルホスフェート，トリス
（ノニルフェニル）ホスフェート，２−エチルフェニル
ジフェニルホスフェートなどのトリアリールホスフェー
トなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、二
種以上を組み合わせて用いてもよい。

【００３４】また、滑剤（離型剤）としては、例えばス
テアリルアルコールや、ステアリン酸モノグリセリド，
ペンタエリスリトールステアリン酸エステルなどのステ
アリン酸エステル、あるいは蜜ろうなどが挙げられる。
これらの滑剤は成形時の離型性を向上させる作用を有し
ている。本発明のＤＶＤ基板は、上記ポリカーボネート
及び所望により用いられる各種添加成分からなる材料を
用いて成形されるが、その成形方法については、特に制
限はなく、ディスク成形用金型を使用し、射出成形又は
圧縮成形する通常の成形法の他に、超音波成形，多段圧
縮成形，高速充填成形などの方法も用いることができ
る。

【００３５】成形温度は、通常３００〜３４５℃の範
囲、金型温度は通常８０〜１２５℃の範囲である。複屈
折の低減及び転写性向上のためには、樹脂の流動性を向
上させる必要があるが、成形温度が３４５℃を超えると
ポリカーボネートの劣化が生じ、透明性が低下するおそ
れがある。ＤＶＤ基板は透明性に優れていることが不可
欠である。また、金型温度についても、流動性向上の点
からは、高い方が好ましいが、１２５℃を超えると基板
の形が崩れるおそれがある。さらに、射出率に関しては
１５０ｃｍ³／秒以上、好ましくは２００ｃｍ³／秒以
上が有利である。この射出率が１５０ｃｍ³／秒未満で
は金型内で成形材料が急冷されて流動圧力損失が大きく
なり、樹脂の配向性が増加し、その結果、成形品に歪み
などの不良が生じるおそれがある。また、金型の材質と
しては特に制限はなく、金属，セラミックス，グラファ
イトなどが用いられる。

【００３６】このようにして得られた本発明のＤＶＤ基
板は再生専用型，追記型，書換え型など各種デジタルビ
デオディスク（ＤＶＤファミリー）の基板として好適で
ある。本発明のＤＶＤ基板を用いてデジタルビデオディ
スク基板を製造する方法としては特に制限はなく、通常
のコンパンクトディスクの場合と同様の方法を用いるこ
とができる。例えば成膜工程により、該基板上に、保護
層及び記録層を設け、さらにその上にハードコート層及
び必要に応じてオーバーコート層を設けて２枚のディス
ク単板を作製したのち、一般的な方法、例えばホットメ
ルト型接着剤や粘着シートを用いて貼合し、必要に応じ
ハブ付けを行うことにより、所望のデジタルビデオディ
スクが得られる。この際用いられるホットメルト型接着
剤としては、例えばエチレン−酢酸ビニル共重合体（Ｅ
ＶＡ）系，ポリオレフィン系，合成ゴム系，ポリエステ
ル系，ポリアミド系などが挙げられる。一方、粘着シー
トの接着剤としては、例えばゴム系，アクリル系，シリ
コーン系などが挙げられ、またシートの材料としては、
例えばポリエステル系，ポリイミド系，ポリウレタン
系，ポリオレフィン系などの樹脂シートやアルミ箔など
の金属のシートを挙げることができる。

【００３７】

【実施例】次に、本発明を実施例によりさらに詳しく説
明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定さ
れるものではない。製造例１ポリカーボネートオリゴマーの調製５重量％水酸化ナトリウム水溶液４００リットルに、ビ
スフェノールＡ６０ｋｇを溶解し、ビスフェノールＡの
水酸化ナトリウム水溶液を調製した。次いで、室温に保
持したこのビスフェノールＡの水酸化ナトリウム水溶液
を、１３８リットル／時間の流量で、またメチレンクロ
ライドを６９リットル／時間の流量で、内径１０ｍｍ，
管長１０ｍの管型反応器にオリフィス板を通して導入
し、これにホスゲンを並流して１0.７ｋｇ／時間の流量
で吹き込み、３時間連続的に反応させた。ここで用いた
管型反応器は二重管となっており、ジャケット部分には
冷却水を通して反応液の排出温度を２５℃に保った。ま
た、排出液のｐＨは１０〜１１を示すように調整した。
このようにして得られた反応液を静置することにより、
水相を分離除去し、メチレンクロライド相（２２０リッ
トル）を採取し、ポリカーボネートオリゴマー溶液を得
た。

【００３８】製造例２反応性ポリジメチルシロキサン
（ＰＤＭＳ）の製造オクタメチルシクロテトラシロキサン１４８３ｇ、１，
１，３，３−テトラメチルジシロキサン９６ｇ及び８６
重量％硫酸３５ｇを混ぜ、室温で１７時間撹拌したの
ち、オイル相を分離し、炭酸水素ナトリウム２５ｇを加
えて１時間撹拌した。次いでろ過し、ろ液を１５０℃で
３ｔｏｒｒにて真空蒸留して低沸点物を除いた。２−ア
リルフェノール６０ｇと塩化白金−アルコラート錯体と
してのプラチナ0.００１４ｇとの混合物に、上記で得ら
れたオイル２９４ｇを９０℃で添加したのち、この混合
物を９０〜１１５℃の温度に保ちながら３時間撹拌し
た。生成物を塩化メチレンで抽出し、８０重量％の水性
メタノールで３回洗浄し、過剰の２−アリルフェノール
を除いた。その生成物を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、
真空中で１１５℃まで昇温して溶剤を留去した。核磁共
鳴スペクトル（ＮＭＲ）の測定によれば、得られた末端
フェノールＰＤＭＳのジメチルシラノオキシ単位の繰り
返し数は３０であった。

【００３９】製造例３ＰＣ−ＰＤＭＳ共重合体Ａの製
造製造例２で得られた反応性ＰＤＭＳ１８５ｇをメチレン
クロライド２リットルに溶解させ、製造例１で得られた
ポリカーボネートオリゴマー溶液１０リットルと混合し
た。次いで、これに、水酸化ナトリウム２６ｇを水１リ
ットルに溶解させたものとトリエチルアミン5.７ミリリ
ットルを加えて５００ｒｐｍで室温にて１時間撹拌し
た。その後、5.２重量％の水酸化ナトリウム水溶液５リ
ットルにビスフェノールＡ６００ｇを溶解させたもの、
メチレンクロライド８リットル及びｐ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェノール１２3.５ｇを加え、５００ｒｐｍで室温に
て１時間撹拌した。次に、メチレンクロライド５リット
ル及び水５リットルを加え、５００ｒｐｍで室温にて１
０分間撹拌したのち、静置し、有機相を分取した。この
有機相を0.０３規定の水酸化ナトリウム水溶液５リット
ルでアルカリ洗浄、0.２規定の塩酸５リットルで酸洗
浄、水５リットルで水洗（２回）を順次行ったのち、メ
チレンクロライドを留去し、フレーク状のポリカーボネ
ート−ポリジメチルシロキサン（ＰＣ−ＰＤＭＳ）共重
合体Ａを得た。このＰＣ−ＰＤＭＳ共重合体Ａの粘度平
均分子量（Ｍｖ）及びＰＤＭＳ構造単位の含有量を第１
表に示す。

【００４０】製造例４ＰＣ−ＰＤＭＳ共重合体Ｂの製
造製造例３において、反応性ＰＤＭＳ１８５ｇを９３ｇ
に、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１２3.５ｇをｐ−
クミルフェノール１７4.５ｇに変えた以外は、製造例３
と同様にしてＰＣ−ＰＤＭＳ共重合体Ｂを得た。このＰ
Ｃ−ＰＤＭＳ共重合体Ｂの粘度平均分子量及びＰＤＭＳ
構造単位の含有量を第１表に示す。

【００４１】製造例５ポリカーボネート樹脂Ｃの製造製造例１で得られたポリカーボネートオリゴマー溶液１
0.０リットルにｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１２3.
５ｇを溶解させた。次いで、これに、メチレンクロライ
ド８リットル、ビスフェノールＡの水酸化ナトリウム水
溶液（ビスフェノールＡ：８００ｇ、ＮａＯＨ：４２０
ｇ、水：6.５５リットル）及びトリエチルアミン1.１７
ミリリットルを加え、５００ｒｐｍで室温にて１時間撹
拌した。その後、メチレンクロライド５リットル及び水
５リットルを加え、５００ｒｐｍで常温にて１０分間撹
拌した。撹拌停止後、静置分離し、有機相を得た。この
有機相を0.０３規定の水酸化ナトリウム水溶液５リット
ルでアルカリ洗浄、0.２規定の塩酸５リットルで酸洗浄
及び水５リットルで水洗（２回）を順次行ったのち、メ
チレンクロライドを留去し、フレーク状のポリカーボネ
ート樹脂Ｃを得た。このポリカーボネート樹脂Ｃの粘度
平均分子量を第１表に示す。

【００４２】製造例６ポリカーボネート樹脂Ｄの製造製造例５において、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１
２3.５ｇをｐ−クミルフェノール１７4.５ｇに変えた以
外は、製造例５と同様にしてポリカーボネート樹脂Ｄを
得た。このポリカーボネート樹脂Ｄの粘度平均分子量を
第１表に示す。

【００４３】

【表１】

【００４４】注１）ＰＤＭＳ構造単位含有量プロトン核磁気共鳴スペクトル（¹Ｈ−ＮＭＲ）の測定
において、1.７ｐｐｍに見られるビスフェノールＡのイ
ソプロピルのメチル基のピークと0.２ｐｐｍに見られる
ジメチルシロキサンのメチル基のピークの強度比で求め
た。２）粘度平均分子量（Ｍｖ）ウベローデ型粘度管にて、２０℃における塩化メチレン
溶液の極限粘度〔η〕を測定し、次の関係式より計算し
た〔η〕＝1.２３×１０^-5・Ｍｖ^0.83

【００４５】実施例１〜５及び比較例１〜３第２表に示す配合割合で、各成分をドライブレンドし、
２３０℃にて押出して、ペレット化した。なお、酸化防
止剤としては、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
フェニル）ホスファイトを、離型剤としては、ステアリ
ン酸モノグリセリドを用いた。得られたペレットの粘度
平均分子量（Ｍｖ），ＰＤＭＳ構造単位含有量及び離型
圧を第２表に示す。なお、離型圧は、円筒状の金型を用
い、２８０℃で成形し、突出し（離型）時の離型抵抗を
測定した。次に、得られたペレットを、成形機：東芝機
械社製ＩＳ８０ＥＰＮ，型締力：５０トン，射出率：２
５０ｃｍ³／秒，射出圧力：１５００ｋｇ／ｃｍ²，金
型材質：ジュラルミン２０２４，成形温度：３４０℃，
金型温度：１１５℃，冷却時間５秒：キャビティ部：無
電解ニッケルメッキの条件で射出成形し、径１２０ｍ
ｍ，厚さ0.６ｍｍのＤＶＤ基板を作成した。

【００４６】ＤＶＤ基板を各１００枚成形し、割れなか
った枚数を第３表に示す。なお、ここでの割れとは、ス
プルー部とディスクが切断され、成形機内にスプルー部
が残ることをいう。また、成形後、４８時間経過時の成
形品の落錘衝撃強度を荷重3.７６ｋｇ，速度１ｍ／秒，
受台長径５０ｍｍで測定した。なお、半径１８ｍｍの所
の内部を打撃した。落錘衝撃強度のエネルギー（Ｊ）を
第３表に示す。さらに、実施例１及び比較例１のものに
ついて、転写性及び複屈折（Δｎ）を測定した。ここ
で、転写性とは、〔成形品の凸部の高さ／金型面の凹部
深さ（５μｍ）〕×１００をいい、２０箇所の平均値を
用いた。なお、測定はニコン社製メジャースコープＵＭ
−３を用いた。結果を第４表に示す。また、複屈折（Δ
ｎ）の測定は、オーク社製ダブルリフラクションメジャ
ーメントシステムＡＤＲ−２０００を用い、ディスクの
中心から１０ｍｍ，３０ｍｍ及び５０ｍｍの円周上の任
意の点を選んで測定した。第４表にレターデーション
（Ｒ＝Δｎ・ｔ）の値を示す。ここで、ｔはディスク厚
さ（ｎｍ）である。

【００４７】

【表２】

【００４８】

【表３】

【００４９】

【表４】

【００５０】

【表５】

【００５１】

【発明の効果】本発明のデジタルビデオディスク基板
は、成形時の割れが少ない上、複屈折が小さく、かつ転
写性に優れている。したがって、このデジタルビデオデ
ィスク基板は、再生専用型，追記型，書換え型などのデ
ジタルビデオディスク（ＤＶＤファミリー）の基板とし
て好適に用いられる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（ａ）一般式（Ｉ）【化１】（式中、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれハロゲン原子，炭素
数１〜６のアルキル基又はフェニル基を示し、それらは
たがいに同一でも異なっていてもよく、Ｚは単結合，炭
素数１〜２０のアルキレン基若しくはアルキリデン基，
炭素数５〜２０のシクロアルキレン基若しくはシクロア
ルキリデン基，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，−ＳＯ₂又
は−ＣＯ−を示し、ｐ及びｑは、それぞれ０〜４の整
数、ｍは１〜１５０の整数を示す。）で表されるポリカ
ーボネート構造単位及び一般式（II）【化２】（式中、Ｒ³〜Ｒ⁶は、それぞれ炭素数１〜６のアルキ
ル基又はフェニル基を示し、それらはたがいに同一でも
異なっていてもよく、Ａは二価の有機残基、Ｒは一価又
は二価の有機残基、ｎは１〜６０の整数を示す。）で表
されるポリオルガノシロキサン構造単位からなるポリカ
ーボネート−ポリオルガノシロキサン共重合体５〜１０
０重量％、及び（ｂ）ポリカーボネート樹脂９５〜０重
量％を含有し、かつ上記ポリオルガノシロキサン構造単
位を樹脂成分全量に基づき0.１〜１０重量％の割合で含
有する樹脂組成物からなるデジタルビデオディスク基
板。
【請求項２】（ａ）成分が、一般式（Ｉ）で表される
ポリカーボネート構造単位をＡブロック、一般式（II）
で表されるポリオルガノシロキサン構造単位をＢブロッ
クとした場合、両末端に一般式(III) 【化３】（式中、Ｒ⁷はハロゲン原子，炭素数１〜２０のアルキ
ル基，炭素数６〜２０のアリール基又は炭素数７〜２０
のアリールアルキル基を示し、ｒは０〜５の整数を示
す。）で表される末端基を有するＡＢＡ型ブロック共重
合体である請求項１記載のデジタルビデオディスク基
板。
【請求項３】（ａ）成分のポリカーボネート−ポリオ
ルガノシロキサン共重合体及び（ｂ）成分のポリカーボ
ネート樹脂が、それぞれ２，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）プロパンから誘導されたものである請求項１
記載のデジタルビデオディスク基板。