JPH09265914A - 高電圧ノイズフィルタ及びマグネトロン装置 - Google Patents
高電圧ノイズフィルタ及びマグネトロン装置Info
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- JPH09265914A JPH09265914A JP8072915A JP7291596A JPH09265914A JP H09265914 A JPH09265914 A JP H09265914A JP 8072915 A JP8072915 A JP 8072915A JP 7291596 A JP7291596 A JP 7291596A JP H09265914 A JPH09265914 A JP H09265914A
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- Microwave Tubes (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高電圧ノイズフィルタ及びマグネトロン装置
において、耐電圧特性の向上及び小型化することを目的
とする。 【解決手段】 コイル部３ａ、３ｂの導電層３４ａ、３
４ｂの端部近傍において、絶縁被覆３３ａ、３３ｂと導
電層３４ａ、３４ｂ間に半導電層又はポリイミドフィル
ムなどの絶縁部材による高耐電圧層を設けた三層の構成
とする。
において、耐電圧特性の向上及び小型化することを目的
とする。 【解決手段】 コイル部３ａ、３ｂの導電層３４ａ、３
４ｂの端部近傍において、絶縁被覆３３ａ、３３ｂと導
電層３４ａ、３４ｂ間に半導電層又はポリイミドフィル
ムなどの絶縁部材による高耐電圧層を設けた三層の構成
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波装置に使用
される高電圧ノイズフィルタ及びこの高電圧ノイズフィ
ルタを備えるマグネトロン装置に関するものである。
される高電圧ノイズフィルタ及びこの高電圧ノイズフィ
ルタを備えるマグネトロン装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１０は従来の高電圧ノイズフィルタ１
を備えるマグネトロンの要部の底面図である。図におい
て、マグネトロンのステム端子５ａ、５ｂから基本波ノ
イズ及び高調波ノイズが漏洩するのを防ぐために、ステ
ム端子５ａ、５ｂには、部分的にコイル状に巻回された
導電体２ａ、２ｂがそれぞれ接続されている。導電体２
ａ、２ｂは、ステム端子５ａ、５ｂに接続される端部３
０ａ、３０ｂの部分を除いてすべて絶縁物により被覆さ
れている。チョークコイル４ａ、４ｂを形成するコイル
部で導電体２ａ、２ｂは絶縁層１ａ、１ｂにより被覆さ
れている。導電体２ａ、２ｂのもう一方のコイル部３
ａ、３ｂでは、前記の絶縁層１ａ、１ｂの上にさらに斜
線で図示した導電層３４ａ、３４ｂを設けている。コイ
ル部３ａ、３ｂの端部３１ａ、３１ｂでは導電体２ａ、
２ｂはそれぞれ絶縁層１ａ、１ｂのみを有し、端末は高
周波電源部６に接続されるファストンタブ（締付端子）
７ａ、７ｂにそれぞれ接続されている。コイル部３ａ、
３ｂは筒状の導電部材８ａ、８ｂに収納されており、導
電層３４ａ、３４ｂはそれぞれ筒状の導電性部材８ａ、
８ｂの内壁に接触して電気的に接続されるとともに筒状
の導電部材８ａ、８ｂの内部で機械的に固定されてい
る。図１０は、コイル部３ａ、３ｂを示すために筒状の
導電部材８ａ、８ｂは断面を示している。筒状の導電部
材８ａ、８ｂは樹脂ケース１６ａ、１６ｂ内に収納され
ている。コイル部３ａ、３ｂが収納された導電部材８
ａ、８ｂ、端部３１ａ、３１ｂ及びファストンタブ７
ａ、７ｂと端部３１ａ、３１ｂとの接続部は樹脂ケース
１６ａ、１６ｂ内で絶縁物の樹脂１１によりモールドさ
れている。導電部材８ａ、８ｂは接地板９を介してフィ
ルタケース１０に電気的に接続されている。
を備えるマグネトロンの要部の底面図である。図におい
て、マグネトロンのステム端子５ａ、５ｂから基本波ノ
イズ及び高調波ノイズが漏洩するのを防ぐために、ステ
ム端子５ａ、５ｂには、部分的にコイル状に巻回された
導電体２ａ、２ｂがそれぞれ接続されている。導電体２
ａ、２ｂは、ステム端子５ａ、５ｂに接続される端部３
０ａ、３０ｂの部分を除いてすべて絶縁物により被覆さ
れている。チョークコイル４ａ、４ｂを形成するコイル
部で導電体２ａ、２ｂは絶縁層１ａ、１ｂにより被覆さ
れている。導電体２ａ、２ｂのもう一方のコイル部３
ａ、３ｂでは、前記の絶縁層１ａ、１ｂの上にさらに斜
線で図示した導電層３４ａ、３４ｂを設けている。コイ
ル部３ａ、３ｂの端部３１ａ、３１ｂでは導電体２ａ、
２ｂはそれぞれ絶縁層１ａ、１ｂのみを有し、端末は高
周波電源部６に接続されるファストンタブ（締付端子）
７ａ、７ｂにそれぞれ接続されている。コイル部３ａ、
３ｂは筒状の導電部材８ａ、８ｂに収納されており、導
電層３４ａ、３４ｂはそれぞれ筒状の導電性部材８ａ、
８ｂの内壁に接触して電気的に接続されるとともに筒状
の導電部材８ａ、８ｂの内部で機械的に固定されてい
る。図１０は、コイル部３ａ、３ｂを示すために筒状の
導電部材８ａ、８ｂは断面を示している。筒状の導電部
材８ａ、８ｂは樹脂ケース１６ａ、１６ｂ内に収納され
ている。コイル部３ａ、３ｂが収納された導電部材８
ａ、８ｂ、端部３１ａ、３１ｂ及びファストンタブ７
ａ、７ｂと端部３１ａ、３１ｂとの接続部は樹脂ケース
１６ａ、１６ｂ内で絶縁物の樹脂１１によりモールドさ
れている。導電部材８ａ、８ｂは接地板９を介してフィ
ルタケース１０に電気的に接続されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような高電圧ノイ
ズフィルタにおいては、導電体２ａ、２ｂの外周面に構
成された絶縁層１ａ、１ｂが耐電圧性に大きな影響を与
える。特に、コイル部３ａ、３ｂの端末領域１ｅ、１ｆ
において、導電層３４ａ、３４ｂの端部近傍の電界強度
が異常に高くなる場合があり、そのためにこの端部近傍
で絶縁破壊が発生しやすい。絶縁破壊を防ぐためには導
電体２ａ、２ｂの絶縁層１ａ、１ｂの耐電圧性を向上さ
せる必要がある。しかしながら、さらなる耐電圧性の向
上には絶縁層１ａ、１ｂの厚みを極端に厚くする必要が
ある。絶縁層１ａ、１ｂの厚みを増すと、コイル部３
ａ、３ｂが大きくなる。その結果、高電圧ノイズフィル
タが大型になるとともにコイル部３ａ、３ｂの外周面と
導電体２ａ、２ｂとの間の静電容量の低下を招き、ノイ
ズフィルタとしての特性を著しく悪化させることにな
る。本発明は、絶縁層１ａ、１ｂを厚くすることなく、
前記の端部近傍の電界集中を緩和して、高電圧ノイズフ
ィルタの耐電圧性の向上を図ることを目的とするもので
ある。
ズフィルタにおいては、導電体２ａ、２ｂの外周面に構
成された絶縁層１ａ、１ｂが耐電圧性に大きな影響を与
える。特に、コイル部３ａ、３ｂの端末領域１ｅ、１ｆ
において、導電層３４ａ、３４ｂの端部近傍の電界強度
が異常に高くなる場合があり、そのためにこの端部近傍
で絶縁破壊が発生しやすい。絶縁破壊を防ぐためには導
電体２ａ、２ｂの絶縁層１ａ、１ｂの耐電圧性を向上さ
せる必要がある。しかしながら、さらなる耐電圧性の向
上には絶縁層１ａ、１ｂの厚みを極端に厚くする必要が
ある。絶縁層１ａ、１ｂの厚みを増すと、コイル部３
ａ、３ｂが大きくなる。その結果、高電圧ノイズフィル
タが大型になるとともにコイル部３ａ、３ｂの外周面と
導電体２ａ、２ｂとの間の静電容量の低下を招き、ノイ
ズフィルタとしての特性を著しく悪化させることにな
る。本発明は、絶縁層１ａ、１ｂを厚くすることなく、
前記の端部近傍の電界集中を緩和して、高電圧ノイズフ
ィルタの耐電圧性の向上を図ることを目的とするもので
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の高電圧ノイズフ
ィルタは、コイル状の導電体の表面上に絶縁層を形成
し、さらにその上の少なくとも一部に金属材料の溶射ま
たは蒸着により導電層を形成し、導電層の端部近傍の絶
縁層の外周面と導電層との間に高耐電圧層を設ける。そ
れによりコイル部の端部近傍における電界集中を緩和す
る。
ィルタは、コイル状の導電体の表面上に絶縁層を形成
し、さらにその上の少なくとも一部に金属材料の溶射ま
たは蒸着により導電層を形成し、導電層の端部近傍の絶
縁層の外周面と導電層との間に高耐電圧層を設ける。そ
れによりコイル部の端部近傍における電界集中を緩和す
る。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の高電圧ノイズフィルタ
は、コイル状の導電体の表面に絶縁層を設けかつ前記絶
縁層の上の一部に導電層を形成している。前記導電層の
端部近傍の絶縁層の外周面と前記導電層との間には半導
電層または絶縁部材層のいずれか一方の層からなる高耐
電圧層を設ける。
は、コイル状の導電体の表面に絶縁層を設けかつ前記絶
縁層の上の一部に導電層を形成している。前記導電層の
端部近傍の絶縁層の外周面と前記導電層との間には半導
電層または絶縁部材層のいずれか一方の層からなる高耐
電圧層を設ける。
【０００６】前記導電層を設けたコイル状の導電体を筒
状の導電部材内に収納している。
状の導電部材内に収納している。
【０００７】前記半導電層は電気抵抗率が１０-4ないし
１０6（Ωｍ）の材料により形成されている。
１０6（Ωｍ）の材料により形成されている。
【０００８】前記絶縁部材がポリイミド樹脂である。
【０００９】前記絶縁部材がシリコン樹脂である。
【００１０】本発明のマグネトロン装置は、コイル状の
導電体の表面に絶縁層を設けかつ前記絶縁層の上の一部
に導電層を設け、前記導電層の端部近傍の絶縁層の外周
面と前記導電層との間に半導電層または絶縁部材層のい
ずれか一方のものからなる高耐電圧層を設けた高電圧ノ
イズフィルタを備えている。
導電体の表面に絶縁層を設けかつ前記絶縁層の上の一部
に導電層を設け、前記導電層の端部近傍の絶縁層の外周
面と前記導電層との間に半導電層または絶縁部材層のい
ずれか一方のものからなる高耐電圧層を設けた高電圧ノ
イズフィルタを備えている。
【００１１】またマグネトロン装置は、絶縁層及び導電
層を有する前記コイル状の導電体を筒状の導電部材内に
収納した高電圧ノイズフィルタを備えている。
層を有する前記コイル状の導電体を筒状の導電部材内に
収納した高電圧ノイズフィルタを備えている。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の各実施例について、図１ない
し図９を参照しながら説明する。 《第１実施例》図１は本発明の第１実施例の高電圧ノイ
ズフィルタの平面図である。図において、導電体２ａ、
２ｂは線径１〜２ｍｍの銅、アルミ等の導線で構成され
ている。粗い斜線部の導電体２ａ、２ｂは図示しないマ
グネトロンのステム端子に接続するために絶縁被膜のな
い裸線となっている。導電体２ａ、２ｂには、厚さ３０
〜５００μｍのフッ素樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン
樹脂等の耐熱性樹脂からなる絶縁物の被覆がなされて、
被覆電線２９ａ、２９ｂが構成されている。被覆電線２
９ａ、２９ｂを巻いて形成されたチョークコイル４ａ、
４ｂは、例えば外径１０〜２０ｍｍ、長さ１５〜２５ｍ
のコイル状になされており、中空部にはフエライト等の
コア４ｃ、４ｄがそれぞれ設けられている。
し図９を参照しながら説明する。 《第１実施例》図１は本発明の第１実施例の高電圧ノイ
ズフィルタの平面図である。図において、導電体２ａ、
２ｂは線径１〜２ｍｍの銅、アルミ等の導線で構成され
ている。粗い斜線部の導電体２ａ、２ｂは図示しないマ
グネトロンのステム端子に接続するために絶縁被膜のな
い裸線となっている。導電体２ａ、２ｂには、厚さ３０
〜５００μｍのフッ素樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン
樹脂等の耐熱性樹脂からなる絶縁物の被覆がなされて、
被覆電線２９ａ、２９ｂが構成されている。被覆電線２
９ａ、２９ｂを巻いて形成されたチョークコイル４ａ、
４ｂは、例えば外径１０〜２０ｍｍ、長さ１５〜２５ｍ
のコイル状になされており、中空部にはフエライト等の
コア４ｃ、４ｄがそれぞれ設けられている。
【００１３】チョークコイル４ａ、４ｂの端末部４ｅ、
４ｆを経てそれぞれ形成されているコイル部３ａ、３ｂ
はチョークコイル４ａ、４ｂより外径が大きい。コイル
部３ａ、３ｂにおいて被覆電線２９ａ、２９ｂには、前
記のフッ素樹脂等の耐熱性樹脂の被覆の上にさらに、導
電層３４ａ、３４ｂが設けられている。この導電層３４
ａ、３４ｂは亜鉛、ハンダ、銅、銀ペースト等の金属材
料の少なくとも一種のものを溶射または蒸着して形成し
てある。図１において被覆電線２９ａ、２９ｂの前記導
電層３４ａ、３４ｂを有する部分は密な斜線で示してい
る。
４ｆを経てそれぞれ形成されているコイル部３ａ、３ｂ
はチョークコイル４ａ、４ｂより外径が大きい。コイル
部３ａ、３ｂにおいて被覆電線２９ａ、２９ｂには、前
記のフッ素樹脂等の耐熱性樹脂の被覆の上にさらに、導
電層３４ａ、３４ｂが設けられている。この導電層３４
ａ、３４ｂは亜鉛、ハンダ、銅、銀ペースト等の金属材
料の少なくとも一種のものを溶射または蒸着して形成し
てある。図１において被覆電線２９ａ、２９ｂの前記導
電層３４ａ、３４ｂを有する部分は密な斜線で示してい
る。
【００１４】図２の（ａ）は、図１のコイル部３ｂのみ
の側面図である。コイル部３ａは、巻方向がコイル部３
ｂと逆（対称形）であることを除いて形状及び寸法とも
コイル部３ｂと同じであり、コイル部３ｂを示す図につ
いての以下の詳細な説明はコイル部３ａについても同様
に適用される。
の側面図である。コイル部３ａは、巻方向がコイル部３
ｂと逆（対称形）であることを除いて形状及び寸法とも
コイル部３ｂと同じであり、コイル部３ｂを示す図につ
いての以下の詳細な説明はコイル部３ａについても同様
に適用される。
【００１５】図１に示す境界領域１２ａ、１２ｂの被覆
電線２９ａ、２９ｂに続く端末部１ｃ、１ｄのｂ−ｂ断
面を図２の（ｂ）に示す。図２の（ｂ）に示すように、
導電体２ａ、２ｂの外周には被覆３３ａ、３３ｂが設け
られ、被覆３３ａ、３３ｂの外周に導電層３４ａ、３４
ｂが設けられ、二層の構造を構成している。
電線２９ａ、２９ｂに続く端末部１ｃ、１ｄのｂ−ｂ断
面を図２の（ｂ）に示す。図２の（ｂ）に示すように、
導電体２ａ、２ｂの外周には被覆３３ａ、３３ｂが設け
られ、被覆３３ａ、３３ｂの外周に導電層３４ａ、３４
ｂが設けられ、二層の構造を構成している。
【００１６】端末領域１ｅ、１ｆのｃ−ｃ断面を図２の
（ｃ）に示す。図２の（ｃ）において、導電体２ａ、２
ｂの被覆３３ａ、３３ｂの外周に高耐電圧層３５ａ、３
５ｂが設けられ、その外周にさらに導電層３４ａ、３４
ｂが設けられて三層の構造を形成している。
（ｃ）に示す。図２の（ｃ）において、導電体２ａ、２
ｂの被覆３３ａ、３３ｂの外周に高耐電圧層３５ａ、３
５ｂが設けられ、その外周にさらに導電層３４ａ、３４
ｂが設けられて三層の構造を形成している。
【００１７】図１において、交差した斜線で示す端末部
１ｃ、１ｄと、コイル部３ａ、３ｂのそれぞれの端末領
域１ｅ、１ｆとを含む境界領域１２ａ、１２ｂには、図
２に示したように、被覆電線２９ａ、２９ｂの被覆３３
ａ、３３ｂの上に、高耐電圧層３５ａ、３５ｂが設けら
れている。
１ｃ、１ｄと、コイル部３ａ、３ｂのそれぞれの端末領
域１ｅ、１ｆとを含む境界領域１２ａ、１２ｂには、図
２に示したように、被覆電線２９ａ、２９ｂの被覆３３
ａ、３３ｂの上に、高耐電圧層３５ａ、３５ｂが設けら
れている。
【００１８】高耐電圧層３５ａ、３５ｂは半導電体層ま
たは、ポリイミド樹脂及びシリコン樹脂等の絶縁部材に
より作られている。半導電体層は絶縁体と導体のほぼ中
間の電気抵抗率を有する層であり、電気抵抗率が１０-4
ないし１０6Ωｍのものが適している。半導電体層の材
料の例としては、黄鉄鉱、ゲルマニウム、亜酸化銅、セ
レン等がある。これらの材料の粉末を絶縁物に混合して
フィルム状またはチューブ状に成形したものを被覆電線
２９ａ、２９ｂの被覆３３ａ、３３ｂの外周に巻き付け
るかあるいはかぶせることにより半導電体層による高耐
電圧層３５ａ、３５ｂが形成される。また、絶縁部材と
してのポリイミド樹脂としてはポリイミドフィルムを巻
くのが実用的である。シリコン樹脂としてはチューブ状
のものをかぶせたり、ペースト状のものを塗布するのが
実用的である。コイル部３ａ、３ｂの端末部１ｃ、１ｄ
に近い端末領域１ｅ、１ｆでは、前記の亜鉛、ハンダ等
の比較的軟らかい金属の溶射による導電層３４ａ、３４
ｂは高耐電圧層３５ａ、３５ｂの上に設けられている。
従って、前記のように被覆電線２９ａ、２９ｂの被覆３
３ａ、３３ｂの上に前記高耐電圧層３５ａ、３５ｂを形
成し、さらにその上に亜鉛、ハンダ等の導電層３４ａ、
３４ｂを形成した構造になっている。前記高耐電圧層３
５ａ、３５ｂは、コイル部３ａ、３ｂからファストンタ
ブ７ａ、７ｂに至る境界領域３２ａ、３２ｂにも形成さ
れている。従ってコイル部３ａ、３ｂの端部の端末領域
３ｃ、３ｄも前記の端末領域１ｅ、１ｆと同様に、被覆
３３ａ、３３ｂ、高耐電圧層３５ａ、３５ｂ及び導電層
３４ａ、３４ｂの三層の構造となっている。
たは、ポリイミド樹脂及びシリコン樹脂等の絶縁部材に
より作られている。半導電体層は絶縁体と導体のほぼ中
間の電気抵抗率を有する層であり、電気抵抗率が１０-4
ないし１０6Ωｍのものが適している。半導電体層の材
料の例としては、黄鉄鉱、ゲルマニウム、亜酸化銅、セ
レン等がある。これらの材料の粉末を絶縁物に混合して
フィルム状またはチューブ状に成形したものを被覆電線
２９ａ、２９ｂの被覆３３ａ、３３ｂの外周に巻き付け
るかあるいはかぶせることにより半導電体層による高耐
電圧層３５ａ、３５ｂが形成される。また、絶縁部材と
してのポリイミド樹脂としてはポリイミドフィルムを巻
くのが実用的である。シリコン樹脂としてはチューブ状
のものをかぶせたり、ペースト状のものを塗布するのが
実用的である。コイル部３ａ、３ｂの端末部１ｃ、１ｄ
に近い端末領域１ｅ、１ｆでは、前記の亜鉛、ハンダ等
の比較的軟らかい金属の溶射による導電層３４ａ、３４
ｂは高耐電圧層３５ａ、３５ｂの上に設けられている。
従って、前記のように被覆電線２９ａ、２９ｂの被覆３
３ａ、３３ｂの上に前記高耐電圧層３５ａ、３５ｂを形
成し、さらにその上に亜鉛、ハンダ等の導電層３４ａ、
３４ｂを形成した構造になっている。前記高耐電圧層３
５ａ、３５ｂは、コイル部３ａ、３ｂからファストンタ
ブ７ａ、７ｂに至る境界領域３２ａ、３２ｂにも形成さ
れている。従ってコイル部３ａ、３ｂの端部の端末領域
３ｃ、３ｄも前記の端末領域１ｅ、１ｆと同様に、被覆
３３ａ、３３ｂ、高耐電圧層３５ａ、３５ｂ及び導電層
３４ａ、３４ｂの三層の構造となっている。
【００１９】図１において、コイル部３ａ、３ｂの端末
部３ｃ、３ｄの導電層（図２の（ｃ）の３４ａ、３４
ｂ）はハンダ等の導電部材１４により接地板９に接続さ
れている。コイル部３ａ、３ｂは、図１で断面を示す樹
脂ケース１６ａ内に収納されている。コイル部３ａ、３
ｂの境界領域３２ａ、３２ｂは、図１に断面を示した樹
脂ケース１６ｂ内に収納されている。コイル部３ａ、３
ｂの端末１２ｅ、１２ｆは樹脂ケース１６ｂを貫通して
外部へ突出しているファストンタブ７ａ、７ｂにそれぞ
れ接続されている。樹脂ケース１６ａ、１６ｂ内にはエ
ポキシ樹脂などの絶縁樹脂１１が充填され、コイル部３
ａ、３ｂの端末部１ｃ、１ｄから端末１２ｅ、１２ｆと
ファストンタブ７ａ、７ｂとの接続部までが前記の絶縁
樹脂１１によりモールドされている。
部３ｃ、３ｄの導電層（図２の（ｃ）の３４ａ、３４
ｂ）はハンダ等の導電部材１４により接地板９に接続さ
れている。コイル部３ａ、３ｂは、図１で断面を示す樹
脂ケース１６ａ内に収納されている。コイル部３ａ、３
ｂの境界領域３２ａ、３２ｂは、図１に断面を示した樹
脂ケース１６ｂ内に収納されている。コイル部３ａ、３
ｂの端末１２ｅ、１２ｆは樹脂ケース１６ｂを貫通して
外部へ突出しているファストンタブ７ａ、７ｂにそれぞ
れ接続されている。樹脂ケース１６ａ、１６ｂ内にはエ
ポキシ樹脂などの絶縁樹脂１１が充填され、コイル部３
ａ、３ｂの端末部１ｃ、１ｄから端末１２ｅ、１２ｆと
ファストンタブ７ａ、７ｂとの接続部までが前記の絶縁
樹脂１１によりモールドされている。
【００２０】本発明において上記のように、コイル部３
ａ、３ｂの端末領域１ｅ、１ｆ及び３ｃ、３ｄを三層の
構造にした理由は、端末領域１ｅ、１ｆ、３ｃ、３ｄは
最も電界集中が起こりやすく、従って絶縁破壊が生じや
すい部分であるからである。
ａ、３ｂの端末領域１ｅ、１ｆ及び３ｃ、３ｄを三層の
構造にした理由は、端末領域１ｅ、１ｆ、３ｃ、３ｄは
最も電界集中が起こりやすく、従って絶縁破壊が生じや
すい部分であるからである。
【００２１】そこで図３の（ａ）に示すように構成した
端末領域１ｅが三層の構造の本発明のコイル３ａ、３ｂ
の線材４０と、図３の（ｂ）に示す従来の二層の構造の
線材４１を、それぞれ直線状に延ばした状態で比較した
結果を図４に示す。図３の（ａ）に示す線材４０は、直
径１．４ｍｍの銅の導電体２ａの外周に、厚さ０．３ｍ
ｍのフッ素樹脂の被覆３３ａを設けている。被覆３３ａ
の外周には、高耐電圧層３５ａとして、厚さ０．２ｍｍ
のポリイミドフィルム４２を中心線Ｐを中心として長さ
２０ｍｍの範囲に設ける。さらに、中心線Ｐから右側の
領域には導電層３４ａとして厚さ０．１ｍｍのハンダ層
を設ける。実験によると、ポリイミドフィルム４２の長
さが２０ｍｍ程度の場合に絶縁層の耐圧特性が向上でき
るというよい結果が得られた。
端末領域１ｅが三層の構造の本発明のコイル３ａ、３ｂ
の線材４０と、図３の（ｂ）に示す従来の二層の構造の
線材４１を、それぞれ直線状に延ばした状態で比較した
結果を図４に示す。図３の（ａ）に示す線材４０は、直
径１．４ｍｍの銅の導電体２ａの外周に、厚さ０．３ｍ
ｍのフッ素樹脂の被覆３３ａを設けている。被覆３３ａ
の外周には、高耐電圧層３５ａとして、厚さ０．２ｍｍ
のポリイミドフィルム４２を中心線Ｐを中心として長さ
２０ｍｍの範囲に設ける。さらに、中心線Ｐから右側の
領域には導電層３４ａとして厚さ０．１ｍｍのハンダ層
を設ける。実験によると、ポリイミドフィルム４２の長
さが２０ｍｍ程度の場合に絶縁層の耐圧特性が向上でき
るというよい結果が得られた。
【００２２】一方従来の線材４１は、高耐電圧層として
のポリイミドフィルム４２を設けず、中心線Ｐから右の
領域に導電層３４ａを設けている。線材４１のその他の
仕様は線材４０と同様である。
のポリイミドフィルム４２を設けず、中心線Ｐから右の
領域に導電層３４ａを設けている。線材４１のその他の
仕様は線材４０と同様である。
【００２３】上記の図３の（ａ）及び（ｂ）の線材４
０、４１において、導電体２ａと導電層３４ａ間に３０
００Ｖないし７０００Ｖの交流電圧を印加したと仮定
し、有限要素法によって各線材４０、４１の被覆３３ａ
の外周面における電界強度を計算で求めた。その結果を
図４のグラフに示す。図４において、横軸は中心線Ｐを
零として線材４０、４１の左右方向の距離を示す。縦軸
は電界強度の計算値である。実線で示す本発明の線材４
０では、中心点Ｐの電界強度は約４６００Ｖ／ｍであ
る。そして左右３０ｍｍの位置で約３１００Ｖ／ｍであ
る。これに対して一点鎖線で示す従来の線材４１では、
中心点Ｐの電界強度は約７０００Ｖ／ｍである。左右３
０ｍｍの位置では約３２００Ｖ／ｍで本発明の線材４０
と大差はない。このグラフから明らかなように本発明の
線材４０では、電界強度が最も高くなる中心点Ｐの付近
での電界強度が従来の線材４１の電界強度に比べて大幅
に低下し電界集中が緩和されたことがわかる。
０、４１において、導電体２ａと導電層３４ａ間に３０
００Ｖないし７０００Ｖの交流電圧を印加したと仮定
し、有限要素法によって各線材４０、４１の被覆３３ａ
の外周面における電界強度を計算で求めた。その結果を
図４のグラフに示す。図４において、横軸は中心線Ｐを
零として線材４０、４１の左右方向の距離を示す。縦軸
は電界強度の計算値である。実線で示す本発明の線材４
０では、中心点Ｐの電界強度は約４６００Ｖ／ｍであ
る。そして左右３０ｍｍの位置で約３１００Ｖ／ｍであ
る。これに対して一点鎖線で示す従来の線材４１では、
中心点Ｐの電界強度は約７０００Ｖ／ｍである。左右３
０ｍｍの位置では約３２００Ｖ／ｍで本発明の線材４０
と大差はない。このグラフから明らかなように本発明の
線材４０では、電界強度が最も高くなる中心点Ｐの付近
での電界強度が従来の線材４１の電界強度に比べて大幅
に低下し電界集中が緩和されたことがわかる。
【００２４】次に、図１に示す本実施例の高電圧ノイズ
フィルタについて以下の試験を行った。導電体２ａ、２
ｂ、被覆３３ａ、３３ｂ、高耐電圧層３５ａ、３５ｂ及
び導電層３４ａ、３４ｂの仕様は前記図３の（ａ）に示
すものと同じであった。ファストンタブ７ａ、７ｂと接
地板９との間に高電圧発生装置１５を接続し、交流の５
ｋＶないし１８ｋＶの電圧を印加した。高耐電圧層３５
ａ、３５ｂとして半導電体層、ポリイミドフィルムおよ
びシリコンチューブをそれぞれ設けた１０個の被試験体
について、被覆３３ａ、３３ｂが絶縁破壊に至った電圧
を測定したそれぞれの結果を図５に示す。図において、
黒丸は各被試験体の絶縁破壊電圧（ｋＶ）を示す。また
黒丸を結ぶ縦線に交わる短い横線は絶縁破壊電圧の平均
電圧を示す。図５に示した従来例の１０個の被試験体に
ついては、７ないし１０ｋＶですべて絶縁破壊し、その
平均電圧は約９ｋＶであった。本実施例の被試験体につ
いては、高耐電圧層３５ａ、３５ｂとして、半導電体層
を用いたものの平均電圧は約１４ｋＶであった。またポ
リイミドフィルムまたはシリコンチューブを用いたもの
の平均電圧はそれぞれ１６ｋＶまたは１４ｋＶであっ
た。上記の結果から、本実施例による高電圧ノイズフィ
ルタの絶縁破壊電圧は従来のものに比べて約５０％増加
したことが分かる。特にポリイミドフィルムを用いたも
のは約７０％増加して耐電圧特性が著しく改善された。
フィルタについて以下の試験を行った。導電体２ａ、２
ｂ、被覆３３ａ、３３ｂ、高耐電圧層３５ａ、３５ｂ及
び導電層３４ａ、３４ｂの仕様は前記図３の（ａ）に示
すものと同じであった。ファストンタブ７ａ、７ｂと接
地板９との間に高電圧発生装置１５を接続し、交流の５
ｋＶないし１８ｋＶの電圧を印加した。高耐電圧層３５
ａ、３５ｂとして半導電体層、ポリイミドフィルムおよ
びシリコンチューブをそれぞれ設けた１０個の被試験体
について、被覆３３ａ、３３ｂが絶縁破壊に至った電圧
を測定したそれぞれの結果を図５に示す。図において、
黒丸は各被試験体の絶縁破壊電圧（ｋＶ）を示す。また
黒丸を結ぶ縦線に交わる短い横線は絶縁破壊電圧の平均
電圧を示す。図５に示した従来例の１０個の被試験体に
ついては、７ないし１０ｋＶですべて絶縁破壊し、その
平均電圧は約９ｋＶであった。本実施例の被試験体につ
いては、高耐電圧層３５ａ、３５ｂとして、半導電体層
を用いたものの平均電圧は約１４ｋＶであった。またポ
リイミドフィルムまたはシリコンチューブを用いたもの
の平均電圧はそれぞれ１６ｋＶまたは１４ｋＶであっ
た。上記の結果から、本実施例による高電圧ノイズフィ
ルタの絶縁破壊電圧は従来のものに比べて約５０％増加
したことが分かる。特にポリイミドフィルムを用いたも
のは約７０％増加して耐電圧特性が著しく改善された。
【００２５】《第２実施例》図６は本発明の第２実施例
の高電圧ノイズフィルタの平面図である。図６におい
て、チョークコイル４ａ、４ｂ及びコイル部３ａ、３ｂ
の構成は図１に示す第１実施例と同様である。第１実施
例と異なっている点は、コイル部３ａ、３ｂがそれぞれ
筒状の導電性部材８ａ、８ｂ内に収納されていることで
ある。図７は図６のVII−VII 断面を示す。図７に示す
ように、コイル部３ａ、３ｂは導電性部材８ａ、８ｂの
内壁に密着するように挿入されている。従ってコイル部
３ａ、３ｂの外周の比較的軟らかい金属で作られた導電
層３４ａ、３４ｂはそれぞれ導電性部材８ａ、８ｂの内
壁にその軟らかさの故に良く接触して電気的に接続され
ている。図１において、コイル部３ａ、３ｂの導電層３
４ａ、３４ｂは端末領域３ｃ、３ｄにおいて前記の導電
性部材８ａ、８ｂとともにハンダ等の導電性部材１４に
より接地板９に電気的に接続されている。図６及び図７
に示すように、コイル部３ａ、３ｂが挿入された筒状の
導電性部材８ａ、８ｂは樹脂ケース１６ａ、１６ｂ内に
収納され、第１実施例の場合と同様に絶縁樹脂１１によ
ってモールドされている。
の高電圧ノイズフィルタの平面図である。図６におい
て、チョークコイル４ａ、４ｂ及びコイル部３ａ、３ｂ
の構成は図１に示す第１実施例と同様である。第１実施
例と異なっている点は、コイル部３ａ、３ｂがそれぞれ
筒状の導電性部材８ａ、８ｂ内に収納されていることで
ある。図７は図６のVII−VII 断面を示す。図７に示す
ように、コイル部３ａ、３ｂは導電性部材８ａ、８ｂの
内壁に密着するように挿入されている。従ってコイル部
３ａ、３ｂの外周の比較的軟らかい金属で作られた導電
層３４ａ、３４ｂはそれぞれ導電性部材８ａ、８ｂの内
壁にその軟らかさの故に良く接触して電気的に接続され
ている。図１において、コイル部３ａ、３ｂの導電層３
４ａ、３４ｂは端末領域３ｃ、３ｄにおいて前記の導電
性部材８ａ、８ｂとともにハンダ等の導電性部材１４に
より接地板９に電気的に接続されている。図６及び図７
に示すように、コイル部３ａ、３ｂが挿入された筒状の
導電性部材８ａ、８ｂは樹脂ケース１６ａ、１６ｂ内に
収納され、第１実施例の場合と同様に絶縁樹脂１１によ
ってモールドされている。
【００２６】第２実施例の高電圧ノイズフィルタについ
て、第１実施例のものと同様に、ファストンタブ７ａ、
７ｂと接地板９との間に高電圧発生装置１５により交流
の高電圧を印加し、被覆電線２９ａ、２９ｂの被覆３３
ａ、３３ｂの絶縁破壊電圧を測定した。その結果を図８
のグラフに示す。図において横軸は、図６に示すよう
に、接地板９とコイル部３ａ、３ｂの端末領域１ｅ、１
ｆとの間に電気抵抗計２６を接続して測定した電気抵抗
値である。この電気抵抗値は、第１実施例のものでは、
０.１５Ωないし０.２Ωであるのに対し、第２実施例の
ものではそれよりはるかに低い０.０５Ωないし０.１Ω
であった。この理由は、コイル部３ａ、３ｂの導電層３
４ａ、３４ｂが筒状の導電部材８ａ、８ｂの内壁に複数
の接触部で接触しているからである。縦軸は電圧値であ
る。測定の結果、第１実施例のものが１１ないし１６ｋ
Ｖで絶縁破壊されたのに対して、第２実施例のものは、
１７ないし２２ｋＶで絶縁破壊され、第１実施例のもの
に比べて耐電圧特性が大幅に改善されたことを示してい
る。耐電圧特性は、電気抵抗値が低いほど改善されるこ
とが判る。この理由は以下の通りである。軟らかい金属
で作られた導電層３４ａ、３４ｂが導電部材８ａ、８ｂ
の内壁に多数の接触部で接触して電気抵抗値が減少する
ほど、導電層３４ａ、３４ｂの電位が低下する。その結
果、電界集中が生じやすい端末領域１ｅ、１ｆ、３ｃ、
３ｄの電位も低下するので電界集中が緩和され耐電圧特
性が改善されるからである。
て、第１実施例のものと同様に、ファストンタブ７ａ、
７ｂと接地板９との間に高電圧発生装置１５により交流
の高電圧を印加し、被覆電線２９ａ、２９ｂの被覆３３
ａ、３３ｂの絶縁破壊電圧を測定した。その結果を図８
のグラフに示す。図において横軸は、図６に示すよう
に、接地板９とコイル部３ａ、３ｂの端末領域１ｅ、１
ｆとの間に電気抵抗計２６を接続して測定した電気抵抗
値である。この電気抵抗値は、第１実施例のものでは、
０.１５Ωないし０.２Ωであるのに対し、第２実施例の
ものではそれよりはるかに低い０.０５Ωないし０.１Ω
であった。この理由は、コイル部３ａ、３ｂの導電層３
４ａ、３４ｂが筒状の導電部材８ａ、８ｂの内壁に複数
の接触部で接触しているからである。縦軸は電圧値であ
る。測定の結果、第１実施例のものが１１ないし１６ｋ
Ｖで絶縁破壊されたのに対して、第２実施例のものは、
１７ないし２２ｋＶで絶縁破壊され、第１実施例のもの
に比べて耐電圧特性が大幅に改善されたことを示してい
る。耐電圧特性は、電気抵抗値が低いほど改善されるこ
とが判る。この理由は以下の通りである。軟らかい金属
で作られた導電層３４ａ、３４ｂが導電部材８ａ、８ｂ
の内壁に多数の接触部で接触して電気抵抗値が減少する
ほど、導電層３４ａ、３４ｂの電位が低下する。その結
果、電界集中が生じやすい端末領域１ｅ、１ｆ、３ｃ、
３ｄの電位も低下するので電界集中が緩和され耐電圧特
性が改善されるからである。
【００２７】《第３実施例》図９は第１実施例の高電圧
ノイズフィルタ２５を設けたマグネトロン装置の断面図
である。図において、本実施例のマグネトロン装置で
は、マグネトロン１３はトリウムタングステンの螺旋状
の陰極１７、銅の円筒状の陽極１８、鉄などの磁性材か
らなる一対の磁極片１９ａ、１９ｂ、セラミックの支持
体２０、高周波放出用のアンテナ２１及びステム端子５
ａ、５ｂを有するステム２２を備えている。さらにマグ
ネトロン部１３に外部から磁界を与える永久磁石２３
ａ、２３ｂと継鉄２４を有する外部磁気回路部を備えて
いる。継鉄２４には導電性部材で作られたフィルタケー
ス１０が取り付けられている。フィルタケース１０内に
は前記第１実施例の高電圧ノイズフィルタ２５が収納さ
れている。高電圧ノイズフィルタ２５の導電体２ａ、２
ｂはそれぞれステム端子５ａ、５ｂに接続されている。
図９は断面図であるので、紙面に垂直の方向に配列され
ているそれぞれ２個のチョークコイル４ａ、４ｂおよび
コイル部３ａ、３ｂのうちの片方のみが図示されてい
る。第１実施例の高電圧ノイズフィルタの代わりに第２
実施例の高電圧ノイズフィルタを用いてもよい。本実施
例のマグネトロン装置では、耐電圧特性の優れた第１ま
たは第２実施例の高電圧ノイズフィルタを採用したこと
により耐電圧特性のよい長寿命のマグネトロン装置を得
ることができる。
ノイズフィルタ２５を設けたマグネトロン装置の断面図
である。図において、本実施例のマグネトロン装置で
は、マグネトロン１３はトリウムタングステンの螺旋状
の陰極１７、銅の円筒状の陽極１８、鉄などの磁性材か
らなる一対の磁極片１９ａ、１９ｂ、セラミックの支持
体２０、高周波放出用のアンテナ２１及びステム端子５
ａ、５ｂを有するステム２２を備えている。さらにマグ
ネトロン部１３に外部から磁界を与える永久磁石２３
ａ、２３ｂと継鉄２４を有する外部磁気回路部を備えて
いる。継鉄２４には導電性部材で作られたフィルタケー
ス１０が取り付けられている。フィルタケース１０内に
は前記第１実施例の高電圧ノイズフィルタ２５が収納さ
れている。高電圧ノイズフィルタ２５の導電体２ａ、２
ｂはそれぞれステム端子５ａ、５ｂに接続されている。
図９は断面図であるので、紙面に垂直の方向に配列され
ているそれぞれ２個のチョークコイル４ａ、４ｂおよび
コイル部３ａ、３ｂのうちの片方のみが図示されてい
る。第１実施例の高電圧ノイズフィルタの代わりに第２
実施例の高電圧ノイズフィルタを用いてもよい。本実施
例のマグネトロン装置では、耐電圧特性の優れた第１ま
たは第２実施例の高電圧ノイズフィルタを採用したこと
により耐電圧特性のよい長寿命のマグネトロン装置を得
ることができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明の高電圧ノイズフィルタでは、コ
イル状の導電体の表面に絶縁層を設けかつ前記絶縁層の
上の少なくとも一部にハンダ、亜鉛、銅などを溶射また
は蒸着して導電層を形成し、そして導電層の端部近傍の
絶縁層の外周面と前記導電層との間に半導電体層または
絶縁部材層のいずれか一方の層からなる高耐電圧層を設
ける。それにより、導電層の端部近傍における電界集中
が緩和される。その結果絶縁層の耐電圧特性が改善され
て信頼性が向上するとともに、絶縁層の厚さを減らすこ
とも可能となり、小型かつ低コストの高電圧ノイズフィ
ルタを提供することができる。
イル状の導電体の表面に絶縁層を設けかつ前記絶縁層の
上の少なくとも一部にハンダ、亜鉛、銅などを溶射また
は蒸着して導電層を形成し、そして導電層の端部近傍の
絶縁層の外周面と前記導電層との間に半導電体層または
絶縁部材層のいずれか一方の層からなる高耐電圧層を設
ける。それにより、導電層の端部近傍における電界集中
が緩和される。その結果絶縁層の耐電圧特性が改善され
て信頼性が向上するとともに、絶縁層の厚さを減らすこ
とも可能となり、小型かつ低コストの高電圧ノイズフィ
ルタを提供することができる。
【００２９】前記コイル状の導電体を筒状の導電部材内
に収納することにより、絶縁層の外周に設けられた導電
層が前記筒状の導電部材の内壁に多数の接触部を形成し
て接触する。その結果接地板に電気的に接続された前記
筒状の導電部材を介して、接続される導電層と接地板と
の間の抵抗が低くなり、導電層の電位が低下するととも
に導電層の端部近傍の電界集中がさらに緩和される。従
ってコイル状導電体の絶縁層の耐電圧特性がさらに改善
され信頼度がさらに向上する。
に収納することにより、絶縁層の外周に設けられた導電
層が前記筒状の導電部材の内壁に多数の接触部を形成し
て接触する。その結果接地板に電気的に接続された前記
筒状の導電部材を介して、接続される導電層と接地板と
の間の抵抗が低くなり、導電層の電位が低下するととも
に導電層の端部近傍の電界集中がさらに緩和される。従
ってコイル状導電体の絶縁層の耐電圧特性がさらに改善
され信頼度がさらに向上する。
【００３０】高耐電圧層として、電気抵抗率が１０-4な
いし１０6Ωｍの半導電層を用いることにより、導電層
の端部近傍の電界強度が低下する。
いし１０6Ωｍの半導電層を用いることにより、導電層
の端部近傍の電界強度が低下する。
【００３１】高耐電圧層として、ポリイミド材の層を設
けることにより導電層の端部近傍の電界強度が低下す
る。
けることにより導電層の端部近傍の電界強度が低下す
る。
【００３２】高耐電圧層として、シリコン材の層を設け
ることにより導電層の端部近傍の電界強度が低下する。
ることにより導電層の端部近傍の電界強度が低下する。
【００３３】本発明のマグネトロン装置は、コイル状の
導電体の導電層の端部近傍の絶縁層の外周面と導電層と
の間に前記の高耐電圧層を設けた耐電圧特性の改善され
た高電圧ノイズフィルタを備えているので、信頼性が改
善される。
導電体の導電層の端部近傍の絶縁層の外周面と導電層と
の間に前記の高耐電圧層を設けた耐電圧特性の改善され
た高電圧ノイズフィルタを備えているので、信頼性が改
善される。
【００３４】また前記コイル状の導電体を筒状の導電部
材内に収納することにより、高電圧ノイズフィルタの耐
電圧特性が更に改善され、これを備えたマグネトロン装
置の信頼性がさらに向上する。
材内に収納することにより、高電圧ノイズフィルタの耐
電圧特性が更に改善され、これを備えたマグネトロン装
置の信頼性がさらに向上する。
【図１】本発明の第１実施例の高電圧ノイズフィルタの
要部平面図
要部平面図
【図２】（ａ）は本発明の高電圧ノイズフィルタのコイ
ル部の平面図 （ｂ）は（ａ）の（ｂ−ｂ）断面図 （ｃ）は（ａ）の（ｃ−ｃ）断面図
ル部の平面図 （ｂ）は（ａ）の（ｂ−ｂ）断面図 （ｃ）は（ａ）の（ｃ−ｃ）断面図
【図３】（ａ）は本発明の高電圧ノイズフィルタの線材
の断面図 （ｂ）は従来の高電圧ノイズフィルタの線材の断面図
の断面図 （ｂ）は従来の高電圧ノイズフィルタの線材の断面図
【図４】図３の（ａ）及び（ｂ）に示す線材のそれぞれ
の絶縁層の外周面の電界強度の分布を示すグラフ
の絶縁層の外周面の電界強度の分布を示すグラフ
【図５】本発明の高電圧ノイズフィルタと従来の高電圧
ノイズフィルタの耐電圧特性を示すグラフ
ノイズフィルタの耐電圧特性を示すグラフ
【図６】本発明の第２実施例の高電圧ノイズフィルタの
要部平面図
要部平面図
【図７】図６のVII−VII断面図
【図８】本発明の高電圧ノイズフィルタにおける電気抵
抗と耐電圧との関係を示すグラフ
抗と耐電圧との関係を示すグラフ
【図９】本発明の高電圧ノイズフィルタを設けた第３実
施例のマグネトロン装置の正面断面図
施例のマグネトロン装置の正面断面図
【図１０】従来の高電圧ノイズフィルタを備えたマグネ
トロン装置の要部断面図
トロン装置の要部断面図
３ａ、３ｂ コイル部 ８ａ、８ｂ 筒状の導電部材 ３３ａ、３３ｂ 被覆 ３４ａ、３４ｂ 導電層 ３５ａ、３５ｂ 高耐電圧層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中野 康信 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 コイル状の導電体、 前記導電体の表面に設けられた絶縁層、 前記絶縁層の上の一部に設けられた導電層、及び前記導
電層の端部近傍の絶縁層の外周面と前記導電層との間に
設けられた半導電体または絶縁部材のいずれか一方から
なる高耐電圧層、 を有する高電圧ノイズフィルタ。 - 【請求項２】 前記絶縁層及び導電層を有するコイル状
の導電体を筒状の導電部材内に収納して固定したことを
特徴とする請求項１記載の高電圧ノイズフィルタ。 - 【請求項３】 前記半導電体が電気抵抗率が１０-4ない
し１０6（Ωｍ）であることを特徴とする請求項１記載
の高電圧ノイズフィルタ。 - 【請求項４】 前記絶縁部材がポリイミド樹脂であるこ
とを特徴とする請求項１記載の高電圧ノイズフィルタ。 - 【請求項５】 前記絶縁部材がシリコン樹脂であること
を特徴とする請求項１記載の高電圧ノイズフィルタ。 - 【請求項６】 コイル状の導電体、前記導電体の表面に
設けられた絶縁層、前記絶縁層の上に設けられた導電
層、及び前記導電層の端部近傍の絶縁層の外周面と前記
導電層との間に設けられた半導電体または絶縁部材のい
ずれか一方からなる高耐電圧層を有する高電圧ノイズフ
ィルタを備えることを特徴とするマグネトロン装置。 - 【請求項７】 前記絶縁層及び導電層を有するコイル状
の導電体を筒状の導電部材内に収納した高電圧ノイズフ
ィルタを備えることを特徴とする請求項６記載のマグネ
トロン装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07291596A JP3193976B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 高電圧ノイズフィルタ及びマグネトロン装置 |
| DE69724316T DE69724316T2 (de) | 1996-03-27 | 1997-03-22 | Entstörfilter eines Magnetrons |
| EP97104923A EP0798950B1 (en) | 1996-03-27 | 1997-03-22 | High voltage noise filter and magnetron device using it |
| US08/827,079 US5977713A (en) | 1996-03-27 | 1997-03-26 | High voltage noise filter and magnetron device using it |
| KR1019970010759A KR100241295B1 (ko) | 1996-03-27 | 1997-03-27 | 고전압노이즈필터 및 그를 이용한 마그네트론장치 |
| CN97109943A CN1075228C (zh) | 1996-03-27 | 1997-03-27 | 高压静噪滤波器及采用该滤波器的磁控管装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07291596A JP3193976B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 高電圧ノイズフィルタ及びマグネトロン装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09265914A true JPH09265914A (ja) | 1997-10-07 |
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Family
ID=13503134
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07291596A Expired - Fee Related JP3193976B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 高電圧ノイズフィルタ及びマグネトロン装置 |
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|---|---|
| US (1) | US5977713A (ja) |
| EP (1) | EP0798950B1 (ja) |
| JP (1) | JP3193976B2 (ja) |
| KR (1) | KR100241295B1 (ja) |
| CN (1) | CN1075228C (ja) |
| DE (1) | DE69724316T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7518457B2 (en) | 2005-09-28 | 2009-04-14 | Seiko Epson Corporation | Microwave generator using a diamond SAW oscillator |
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