JPH09270657A - ノイズ吸収素子 - Google Patents
ノイズ吸収素子Info
- Publication number
- JPH09270657A JPH09270657A JP7770296A JP7770296A JPH09270657A JP H09270657 A JPH09270657 A JP H09270657A JP 7770296 A JP7770296 A JP 7770296A JP 7770296 A JP7770296 A JP 7770296A JP H09270657 A JPH09270657 A JP H09270657A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- absorbing element
- noise absorbing
- shaped electrode
- comb
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】内部構造の欠陥の低減化が図られ、高周波ノイ
ズのみならずサージ等の異常電圧を吸収することができ
るノイズ吸収素子を提供する。 【解決手段】セラミックバリスタ基板１１の表面に、櫛
形電極１３とその櫛形電極１３に沿って延びるつづら折
り状電極１２とを形成した。
ズのみならずサージ等の異常電圧を吸収することができ
るノイズ吸収素子を提供する。 【解決手段】セラミックバリスタ基板１１の表面に、櫛
形電極１３とその櫛形電極１３に沿って延びるつづら折
り状電極１２とを形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器のノイズ
対策に用いられるノイズ吸収素子に関する。
対策に用いられるノイズ吸収素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、セラミックスを用いたノイズ
対策部品として、高周波ノイズを吸収するＬＣ一体型チ
ップタイプノイズフィルタ、３端子型チップコンデン
サ、またサージ等の異常電圧を吸収するチップバリスタ
等のノイズ吸収素子が知られている。このようなノイズ
吸収素子は、主にグリーンシート積層法により製造され
ている。またチップバリスタのなかには、信号側の内部
電極とグラウンド側の内部電極の間でコンデンサ部が形
成されるとともに、そのコンデンサ部でバリスタ機能を
発揮する３端子コンデンサ形状のチップバリスタも知ら
れている。この３端子コンデンサ形状のチップバリスタ
の等価回路は、コンデンサ素子とバリスタ素子が互いに
並列接続され、かつグラウンドに接続された構成で表わ
すことができる。
対策部品として、高周波ノイズを吸収するＬＣ一体型チ
ップタイプノイズフィルタ、３端子型チップコンデン
サ、またサージ等の異常電圧を吸収するチップバリスタ
等のノイズ吸収素子が知られている。このようなノイズ
吸収素子は、主にグリーンシート積層法により製造され
ている。またチップバリスタのなかには、信号側の内部
電極とグラウンド側の内部電極の間でコンデンサ部が形
成されるとともに、そのコンデンサ部でバリスタ機能を
発揮する３端子コンデンサ形状のチップバリスタも知ら
れている。この３端子コンデンサ形状のチップバリスタ
の等価回路は、コンデンサ素子とバリスタ素子が互いに
並列接続され、かつグラウンドに接続された構成で表わ
すことができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したノイズ吸収素
子は、主にグリーンシート積層法を用いて製造されてい
る。ここで、ノイズ吸収素子として、内部電極を有する
チップ部品をグリーンシート積層法を用いて製造する場
合は、内部電極とセラミックスグリーンシートとの一体
焼成によるデラミなどの内部構造の欠陥を生じやすいと
いう問題がある。
子は、主にグリーンシート積層法を用いて製造されてい
る。ここで、ノイズ吸収素子として、内部電極を有する
チップ部品をグリーンシート積層法を用いて製造する場
合は、内部電極とセラミックスグリーンシートとの一体
焼成によるデラミなどの内部構造の欠陥を生じやすいと
いう問題がある。
【０００４】また、上述した、３端子コンデンサ形状の
チップバリスタでは、高周波ノイズを吸収するためのイ
ンダクタ成分についてはほとんど考慮されていなかっ
た。本発明は、上記事情に鑑み、内部構造の欠陥の低減
化が図られ、高周波ノイズのみならずサージ等の異常電
圧を吸収することができるノイズ吸収素子を提供するこ
とを目的とする。
チップバリスタでは、高周波ノイズを吸収するためのイ
ンダクタ成分についてはほとんど考慮されていなかっ
た。本発明は、上記事情に鑑み、内部構造の欠陥の低減
化が図られ、高周波ノイズのみならずサージ等の異常電
圧を吸収することができるノイズ吸収素子を提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のノイズ吸収素子は、少なくとも表面がセラミックで
形成された基板上の同一平面状に、互いの間に所定の間
隔を置いて延在する、インダクタを構成する第１の電
極、およびその第１の電極との間でコンデンサ及びバリ
スタを構成する第２の電極がスクリーン印刷法により形
成されてなることを特徴とする。
明のノイズ吸収素子は、少なくとも表面がセラミックで
形成された基板上の同一平面状に、互いの間に所定の間
隔を置いて延在する、インダクタを構成する第１の電
極、およびその第１の電極との間でコンデンサ及びバリ
スタを構成する第２の電極がスクリーン印刷法により形
成されてなることを特徴とする。
【０００６】ここで、上記第２の電極が複数の歯形を有
する櫛形形状の電極であり、上記第１の電極が、その第
２の電極の複数の歯形に沿って延びるつづら折り形の電
極であることが効果的である。また、上記第１の電極お
よび上記第２の電極が形成された基板の上にさらに誘電
体層が厚膜法で形成されてなることが好ましい。
する櫛形形状の電極であり、上記第１の電極が、その第
２の電極の複数の歯形に沿って延びるつづら折り形の電
極であることが効果的である。また、上記第１の電極お
よび上記第２の電極が形成された基板の上にさらに誘電
体層が厚膜法で形成されてなることが好ましい。
【０００７】さらに、上記第１の電極および上記第２の
電極が形成された基板の上にさらに磁性体層が厚膜法で
形成されてなることも好ましい。
電極が形成された基板の上にさらに磁性体層が厚膜法で
形成されてなることも好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図１は、本発明の第１実施形態のノイズ吸収
素子の平面図（ａ）と、そのノイズ吸収素子のＡ−Ａ’
断面図（ｂ）と、そのノイズ吸収素子の等価回路図
（ｃ）である。
説明する。図１は、本発明の第１実施形態のノイズ吸収
素子の平面図（ａ）と、そのノイズ吸収素子のＡ−Ａ’
断面図（ｂ）と、そのノイズ吸収素子の等価回路図
（ｃ）である。
【０００９】図１（ａ）に示すノイズ吸収素子１０は、
セラミックバリスタ基板１１と、つづら折り状電極１２
と、３本の歯を有する櫛形電極１３と、誘電体層１４と
を備えている。このノイズ吸収素子１０のセラミックバ
リスタ基板１１の表面には、櫛形電極１３とその櫛形電
極１３の有する３本の歯に対向するようにつづら折り状
電極１２とが厚膜印刷法により形成されている。また、
図１（ａ），（ｂ）に示すように、つづら折り状電極１
２，櫛形電極１３に挟まれた空間部分と、つづら折り状
電極１２の両端部以外の部分と、櫛形電極１３の歯の部
分とを覆うように誘電体層１４が厚膜印刷法により形成
されている。また、つづら折り状電極１２の、誘電体層
１４に覆われていない部分が、第１の端子電極１２ａ，
第２の端子電極１２ｂとなっており、櫛形電極１３の、
誘電体層１４に覆われていない部分が、第３の端子電極
１３ａとなっている。
セラミックバリスタ基板１１と、つづら折り状電極１２
と、３本の歯を有する櫛形電極１３と、誘電体層１４と
を備えている。このノイズ吸収素子１０のセラミックバ
リスタ基板１１の表面には、櫛形電極１３とその櫛形電
極１３の有する３本の歯に対向するようにつづら折り状
電極１２とが厚膜印刷法により形成されている。また、
図１（ａ），（ｂ）に示すように、つづら折り状電極１
２，櫛形電極１３に挟まれた空間部分と、つづら折り状
電極１２の両端部以外の部分と、櫛形電極１３の歯の部
分とを覆うように誘電体層１４が厚膜印刷法により形成
されている。また、つづら折り状電極１２の、誘電体層
１４に覆われていない部分が、第１の端子電極１２ａ，
第２の端子電極１２ｂとなっており、櫛形電極１３の、
誘電体層１４に覆われていない部分が、第３の端子電極
１３ａとなっている。
【００１０】ノイズ吸収素子１０は、例えば接地して使
用され、つづら折り状電極１２と櫛形電極１３の間で、
コンデンサ及びバリスタ特性を発揮し、つづら折り状電
極１２でインダクタンスを発揮する。また、セラミック
バリスタ基板１１に用いられた材料を変えることによっ
て、バリスタ電圧や非直線係数α等の、バリスタ特性を
制御することができる。さらに、セラミックバリスタ基
板１１の表面に形成されたつづら折り状電極１２の、長
さ，幅，厚さなどを調整することによって、インダクタ
ンスの値を調整することができ、つづら折り状電極１２
の、櫛形電極１３と対向している部分の長さ，つづら折
り状電極１２と櫛形電極１３の歯との距離，セラミック
バリスタ基板１１の誘電率，誘電体層１４の誘電率など
を調整することによって、静電容量の値を調整すること
ができる。
用され、つづら折り状電極１２と櫛形電極１３の間で、
コンデンサ及びバリスタ特性を発揮し、つづら折り状電
極１２でインダクタンスを発揮する。また、セラミック
バリスタ基板１１に用いられた材料を変えることによっ
て、バリスタ電圧や非直線係数α等の、バリスタ特性を
制御することができる。さらに、セラミックバリスタ基
板１１の表面に形成されたつづら折り状電極１２の、長
さ，幅，厚さなどを調整することによって、インダクタ
ンスの値を調整することができ、つづら折り状電極１２
の、櫛形電極１３と対向している部分の長さ，つづら折
り状電極１２と櫛形電極１３の歯との距離，セラミック
バリスタ基板１１の誘電率，誘電体層１４の誘電率など
を調整することによって、静電容量の値を調整すること
ができる。
【００１１】尚、誘電体層１４の上に、その誘電体層１
４よりも小さな面積の導体を印刷し焼成してフロート電
極を形成すると、より大きな静電容量を得ることができ
る。さらに、そのノイズ吸収素子１０の最上部印刷層の
上に、ガラスや樹脂などを用いてオーバーコート層を形
成することによって、ノイズ吸収素子１０に各種信頼性
試験を行う際に生じるノイズ吸収素子の特性の変化を抑
えることができる。
４よりも小さな面積の導体を印刷し焼成してフロート電
極を形成すると、より大きな静電容量を得ることができ
る。さらに、そのノイズ吸収素子１０の最上部印刷層の
上に、ガラスや樹脂などを用いてオーバーコート層を形
成することによって、ノイズ吸収素子１０に各種信頼性
試験を行う際に生じるノイズ吸収素子の特性の変化を抑
えることができる。
【００１２】また、ノイズ吸収素子１０は、セラミック
バリスタ基板を用いて製造されるが、セラミックバリス
タ基板以外の基板上に厚膜印刷法を用いてバリスタ層を
形成し、そのバリスタ層上に電極を形成してノイズ吸収
素子を製造してもよい。図１（ｃ）に示す等価回路は、
インダクタンス素子１５の一端がコンデンサ素子１６と
バリスタ素子１７とからなる並列回路の一端に接続さ
れ、この並列回路の他端は接地されており、インダクタ
ンス素子１５の他端は端子１８となり、インダクタンス
素子１５と上記並列回路との接続点が端子１９となって
いる回路である。
バリスタ基板を用いて製造されるが、セラミックバリス
タ基板以外の基板上に厚膜印刷法を用いてバリスタ層を
形成し、そのバリスタ層上に電極を形成してノイズ吸収
素子を製造してもよい。図１（ｃ）に示す等価回路は、
インダクタンス素子１５の一端がコンデンサ素子１６と
バリスタ素子１７とからなる並列回路の一端に接続さ
れ、この並列回路の他端は接地されており、インダクタ
ンス素子１５の他端は端子１８となり、インダクタンス
素子１５と上記並列回路との接続点が端子１９となって
いる回路である。
【００１３】インダクタンス素子１５は、つづら折り状
電極１２から形成されたものであり、コンデンサ素子１
６及びバリスタ素子１７は、つづら折り状電極１２と櫛
形電極１３とから形成されたものである。この等価回路
は、インダクタンス素子１５とコンデンサ素子１６とが
Ｔ型に接続されており、バリスタ素子１７が接続されて
いるので、一般にバリスタ機能付きＴ型ＬＣ回路と呼称
されている。
電極１２から形成されたものであり、コンデンサ素子１
６及びバリスタ素子１７は、つづら折り状電極１２と櫛
形電極１３とから形成されたものである。この等価回路
は、インダクタンス素子１５とコンデンサ素子１６とが
Ｔ型に接続されており、バリスタ素子１７が接続されて
いるので、一般にバリスタ機能付きＴ型ＬＣ回路と呼称
されている。
【００１４】本実施形態のノイズ吸収素子１０では、セ
ラミックバリスタ基板１１の表面に厚膜印刷法を用い
て、つづら折り状電極１２と櫛形電極１３とが形成され
ている。この厚膜印刷法では、厚膜層を印刷する毎に焼
成を行っているため、従来の、グリーンシート積層法を
用いて製造されたノイズ吸収素子にみられるデラミ等の
構造欠陥が生じることもない。さらに、セラミックバリ
スタ基板１１の表面に形成されたつづら折り状電極１２
からインダクタンスが得られるので、高周波ノイズを十
分に吸収することができる。
ラミックバリスタ基板１１の表面に厚膜印刷法を用い
て、つづら折り状電極１２と櫛形電極１３とが形成され
ている。この厚膜印刷法では、厚膜層を印刷する毎に焼
成を行っているため、従来の、グリーンシート積層法を
用いて製造されたノイズ吸収素子にみられるデラミ等の
構造欠陥が生じることもない。さらに、セラミックバリ
スタ基板１１の表面に形成されたつづら折り状電極１２
からインダクタンスが得られるので、高周波ノイズを十
分に吸収することができる。
【００１５】図２は、本発明の第２実施形態のノイズ吸
収素子の平面図（ａ）と、そのノイズ吸収素子のＡ−
Ａ’断面図（ｂ）と、そのノイズ吸収素子の等価回路図
（ｃ）である。図２（ａ）に示すノイズ吸収素子２０
は、セラミックバリスタ基板２１と、つづら折り状電極
２２と、２本の歯を有する櫛形電極２３と、誘電体層２
４とを備えている。このノイズ吸収素子２０のセラミッ
クバリスタ基板２１の表面には、櫛形電極２３と、その
櫛形電極２３の有する２本の歯に対向するようにつづら
折り状電極２２とが厚膜印刷法により形成されている。
また、図２（ａ），（ｂ）に示すように、つづら折り状
電極２２，櫛形電極２３に挟まれた空間部分と、つづら
折り状電極２２の両端部以外の部分と、櫛形電極２３の
歯の部分とを覆うように誘電体層２４が厚膜印刷法によ
り形成されている。また、つづら折り状電極２２の、誘
電体層２４に覆われていない部分が、第１の端子電極２
２ａ，第２の端子電極２２ｂとなっており、櫛形電極２
３の、誘電体層２４に覆われていない部分が、第３の端
子電極２３ａとなっている。また、図２（ｃ）に示す等
価回路は、図１（ｃ）に示す等価回路と同様の等価回路
で示すことができる。このような形状の、つづら折り状
電極２２，櫛形電極２３を用いてノイズ吸収素子を形成
してもよい。
収素子の平面図（ａ）と、そのノイズ吸収素子のＡ−
Ａ’断面図（ｂ）と、そのノイズ吸収素子の等価回路図
（ｃ）である。図２（ａ）に示すノイズ吸収素子２０
は、セラミックバリスタ基板２１と、つづら折り状電極
２２と、２本の歯を有する櫛形電極２３と、誘電体層２
４とを備えている。このノイズ吸収素子２０のセラミッ
クバリスタ基板２１の表面には、櫛形電極２３と、その
櫛形電極２３の有する２本の歯に対向するようにつづら
折り状電極２２とが厚膜印刷法により形成されている。
また、図２（ａ），（ｂ）に示すように、つづら折り状
電極２２，櫛形電極２３に挟まれた空間部分と、つづら
折り状電極２２の両端部以外の部分と、櫛形電極２３の
歯の部分とを覆うように誘電体層２４が厚膜印刷法によ
り形成されている。また、つづら折り状電極２２の、誘
電体層２４に覆われていない部分が、第１の端子電極２
２ａ，第２の端子電極２２ｂとなっており、櫛形電極２
３の、誘電体層２４に覆われていない部分が、第３の端
子電極２３ａとなっている。また、図２（ｃ）に示す等
価回路は、図１（ｃ）に示す等価回路と同様の等価回路
で示すことができる。このような形状の、つづら折り状
電極２２，櫛形電極２３を用いてノイズ吸収素子を形成
してもよい。
【００１６】図３は、本発明の第３実施形態のノイズ吸
収素子の平面図（ａ）と、そのノイズ吸収素子のＡ−
Ａ’断面図（ｂ）と、そのノイズ吸収素子の等価回路図
（ｃ）である。図３（ａ）に示すノイズ吸収素子３０
は、セラミックバリスタ基板３１と、つづら折り状電極
３２と、２本の歯を有する櫛形電極３３と、磁性体層３
４とを備えている。このノイズ吸収素子３０のセラミッ
クバリスタ基板３１の表面には、櫛形電極３３と、その
櫛形電極３３の有する２本の歯に対向するようにつづら
折り状電極３２とが厚膜印刷法により形成されている。
また、図３（ａ），（ｂ）に示すように、つづら折り状
電極３２，櫛形電極３３に挟まれた空間部分と、つづら
折り状電極３２の両端部以外の部分と、櫛形電極３３の
歯の部分とを覆うように磁性体層３４が厚膜印刷法によ
り形成されている。また、つづら折り状電極３２の、磁
性体層３４に覆われていない部分が、第１の端子電極３
２ａ，第２の端子電極３２ｂとなっており、櫛形電極３
３の、誘電体層３４に覆われていない部分が、第３の端
子電極３３ａとなっている。また、図３（ｃ）に示す等
価回路は、図１（ｃ），図２（ｃ）に示す等価回路と同
様の等価回路で示すことができる。このような形状の、
つづら折り状電極３２，櫛形電極３３，磁性体層３４を
用いてノイズ吸収素子を形成してもよい。
収素子の平面図（ａ）と、そのノイズ吸収素子のＡ−
Ａ’断面図（ｂ）と、そのノイズ吸収素子の等価回路図
（ｃ）である。図３（ａ）に示すノイズ吸収素子３０
は、セラミックバリスタ基板３１と、つづら折り状電極
３２と、２本の歯を有する櫛形電極３３と、磁性体層３
４とを備えている。このノイズ吸収素子３０のセラミッ
クバリスタ基板３１の表面には、櫛形電極３３と、その
櫛形電極３３の有する２本の歯に対向するようにつづら
折り状電極３２とが厚膜印刷法により形成されている。
また、図３（ａ），（ｂ）に示すように、つづら折り状
電極３２，櫛形電極３３に挟まれた空間部分と、つづら
折り状電極３２の両端部以外の部分と、櫛形電極３３の
歯の部分とを覆うように磁性体層３４が厚膜印刷法によ
り形成されている。また、つづら折り状電極３２の、磁
性体層３４に覆われていない部分が、第１の端子電極３
２ａ，第２の端子電極３２ｂとなっており、櫛形電極３
３の、誘電体層３４に覆われていない部分が、第３の端
子電極３３ａとなっている。また、図３（ｃ）に示す等
価回路は、図１（ｃ），図２（ｃ）に示す等価回路と同
様の等価回路で示すことができる。このような形状の、
つづら折り状電極３２，櫛形電極３３，磁性体層３４を
用いてノイズ吸収素子を形成してもよい。
【００１７】ノイズ吸収素子３０は、磁性体層３４を備
えているので、図１，図２に示すノイズ吸収素子１０，
２０よりも大きいインダクタンスを得ることができる。
また、磁性体層３４の誘電率を調整することによって、
ノイズ吸収素子３０の静電容量も調整することができ
る。尚、本実施形態のノイズ吸収素子１０，２０，３０
には、誘電体層あるいは磁性体層が形成されているが、
誘電体層あるいは磁性体層を形成しなくても充分な静電
容量が得られる場合には、誘電体層あるいは磁性体層を
形成しなくてもよい。
えているので、図１，図２に示すノイズ吸収素子１０，
２０よりも大きいインダクタンスを得ることができる。
また、磁性体層３４の誘電率を調整することによって、
ノイズ吸収素子３０の静電容量も調整することができ
る。尚、本実施形態のノイズ吸収素子１０，２０，３０
には、誘電体層あるいは磁性体層が形成されているが、
誘電体層あるいは磁性体層を形成しなくても充分な静電
容量が得られる場合には、誘電体層あるいは磁性体層を
形成しなくてもよい。
【００１８】また、本実施形態のノイズ吸収素子１０，
２０，３０は、セラミックバリスタ基板上に電極を形成
して製造されたものでもよいし、あるいはセラミックバ
リスタ基板以外の基板上に厚膜印刷法を用いて形成した
バリスタ層上に電極を形成して製造されたものでもよ
い。
２０，３０は、セラミックバリスタ基板上に電極を形成
して製造されたものでもよいし、あるいはセラミックバ
リスタ基板以外の基板上に厚膜印刷法を用いて形成した
バリスタ層上に電極を形成して製造されたものでもよ
い。
【００１９】
【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。
図４〜６は、本発明の第１実施例のノイズ吸収素子の製
造工程１〜３を示す平面図（ａ）およびそのＡ−Ａ’断
面図（ｂ）である。先ず、グリーンシート積層法を用い
てシート圧着をした後、１３００℃で焼成して、図４に
示す、表面粗さの小さい平滑なＴｉＯ2 バリスタ基板４
１を製造した。
図４〜６は、本発明の第１実施例のノイズ吸収素子の製
造工程１〜３を示す平面図（ａ）およびそのＡ−Ａ’断
面図（ｂ）である。先ず、グリーンシート積層法を用い
てシート圧着をした後、１３００℃で焼成して、図４に
示す、表面粗さの小さい平滑なＴｉＯ2 バリスタ基板４
１を製造した。
【００２０】次に、ＴｉＯ2 バリスタ基板４１の表面
に、図５に示す、つづら折り状パターンのＡｇ／Ｐｄ電
極と櫛形パターンのＡｇ／Ｐｄ電極とを、スクリーン印
刷法を用いて同時に印刷し乾燥して、８５０℃の温度に
設定されたベルト炉で焼成し、つづら折り電極４２と櫛
形電極４３とを得た。次に、大きな静電容量を得るため
に、つづら折り状電極４２，櫛形電極４３に挟まれた空
間部分と、つづら折り状電極４２の両端部以外の部分
と、櫛形電極４３の歯の部分とを覆うように、図６に示
すような長方形のパターンの、誘電率ε≒２０００の誘
電体ペーストを印刷し乾燥しさらに焼成して誘電体層４
４を得た。このようにして、つづら折り状電極４２の、
誘電体層４４に覆われていない部分が、第１の端子電極
４２ａ，第２の端子電極４２ｂとなり、櫛形電極４３
の、誘電体層４４に覆われていない部分が、第３の端子
電極４３ａとなるノイズ吸収素子４０を製造した。
に、図５に示す、つづら折り状パターンのＡｇ／Ｐｄ電
極と櫛形パターンのＡｇ／Ｐｄ電極とを、スクリーン印
刷法を用いて同時に印刷し乾燥して、８５０℃の温度に
設定されたベルト炉で焼成し、つづら折り電極４２と櫛
形電極４３とを得た。次に、大きな静電容量を得るため
に、つづら折り状電極４２，櫛形電極４３に挟まれた空
間部分と、つづら折り状電極４２の両端部以外の部分
と、櫛形電極４３の歯の部分とを覆うように、図６に示
すような長方形のパターンの、誘電率ε≒２０００の誘
電体ペーストを印刷し乾燥しさらに焼成して誘電体層４
４を得た。このようにして、つづら折り状電極４２の、
誘電体層４４に覆われていない部分が、第１の端子電極
４２ａ，第２の端子電極４２ｂとなり、櫛形電極４３
の、誘電体層４４に覆われていない部分が、第３の端子
電極４３ａとなるノイズ吸収素子４０を製造した。
【００２１】上述のようにして製造されたノイズ吸収素
子４０では、第３の端子電極４３ａと第１の端子電極４
２ａとの間の静電容量，バリスタ電圧，非直線係数α
は、それぞれ、６１ｐＦ，４５Ｖ，５．１であり、第１
の端子電極４２ａと第２の端子電極４２ｂとの間のイン
ダクタンスは、０．１５μＨであった。尚、上述したノ
イズ吸収素子４０を製造する際に用いた厚膜印刷法で
は、電極のスクリーン印刷は、乳剤厚みが１０μｍで、
３２５メッシュのステンレスを使用する条件で行った。
電極以外の部分のスクリーン印刷は、乳剤厚みが２５μ
ｍで、３２５メッシュのステンレスを使用する条件で行
った。印刷機は、スナップオフが１．０ｍｍ，印圧が２
ｋｇで、剣スキージを使用する条件で行った。乾燥は、
ベルト炉式乾燥炉を用いて１５０℃の温度で１５分間の
条件で行った。焼成は、ベルト式焼成炉を用いて、空気
中にて８５０℃の温度で１時間の条件で行った。
子４０では、第３の端子電極４３ａと第１の端子電極４
２ａとの間の静電容量，バリスタ電圧，非直線係数α
は、それぞれ、６１ｐＦ，４５Ｖ，５．１であり、第１
の端子電極４２ａと第２の端子電極４２ｂとの間のイン
ダクタンスは、０．１５μＨであった。尚、上述したノ
イズ吸収素子４０を製造する際に用いた厚膜印刷法で
は、電極のスクリーン印刷は、乳剤厚みが１０μｍで、
３２５メッシュのステンレスを使用する条件で行った。
電極以外の部分のスクリーン印刷は、乳剤厚みが２５μ
ｍで、３２５メッシュのステンレスを使用する条件で行
った。印刷機は、スナップオフが１．０ｍｍ，印圧が２
ｋｇで、剣スキージを使用する条件で行った。乾燥は、
ベルト炉式乾燥炉を用いて１５０℃の温度で１５分間の
条件で行った。焼成は、ベルト式焼成炉を用いて、空気
中にて８５０℃の温度で１時間の条件で行った。
【００２２】ここでは、ノイズ吸収素子４０を製造する
にあたり、ＴｉＯ2 バリスタ基板４１の表面に厚膜印刷
法を用いて、つづら折り状電極４２と櫛形電極４３とを
形成したので、グリーンシート積層法を用いてノイズ吸
収素子を製造するよりも製造工程が非常に簡略化され
た。また、厚膜層を印刷する毎に焼成を行っているの
で、グリーンシート積層法を用いて製造されたノイズ吸
収素子にみられるデラミ等の構造欠陥も生じなかった。
さらに、ＴｉＯ2 バリスタ基板４１の表面に形成された
つづら折り状電極４２からインダクタンスが得られるの
で、高周波ノイズを十分に吸収することができた。
にあたり、ＴｉＯ2 バリスタ基板４１の表面に厚膜印刷
法を用いて、つづら折り状電極４２と櫛形電極４３とを
形成したので、グリーンシート積層法を用いてノイズ吸
収素子を製造するよりも製造工程が非常に簡略化され
た。また、厚膜層を印刷する毎に焼成を行っているの
で、グリーンシート積層法を用いて製造されたノイズ吸
収素子にみられるデラミ等の構造欠陥も生じなかった。
さらに、ＴｉＯ2 バリスタ基板４１の表面に形成された
つづら折り状電極４２からインダクタンスが得られるの
で、高周波ノイズを十分に吸収することができた。
【００２３】図７〜１０は、本発明の第２実施例のノイ
ズ吸収素子の製造工程１〜５を示す図である。図７〜９
に示す（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図で
あり、図１０に示す（ａ）は平面図、（ｂ）はその側面
図である。先ず、ＴｉＯ2 バリスタ基板７１の表面に、
図７に示す、つづら折り状パターンのＡｇ電極と櫛形パ
ターンのＡｇ電極とを、スクリーン印刷法を用いて同時
に印刷し、つづら折り電極７２と櫛形電極７３とを得
た。
ズ吸収素子の製造工程１〜５を示す図である。図７〜９
に示す（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図で
あり、図１０に示す（ａ）は平面図、（ｂ）はその側面
図である。先ず、ＴｉＯ2 バリスタ基板７１の表面に、
図７に示す、つづら折り状パターンのＡｇ電極と櫛形パ
ターンのＡｇ電極とを、スクリーン印刷法を用いて同時
に印刷し、つづら折り電極７２と櫛形電極７３とを得
た。
【００２４】次に、図８に示すように、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚ
ｎフェライト厚膜ペーストを、つづら折り状電極７２，
櫛形電極７３に挟まれた空間部分と、つづら折り状電極
７２の両端部以外の部分と、櫛形電極７３の歯の部分と
を覆うように印刷し、その後９００℃の温度で焼成して
誘電的特性と磁気的特性とを有する磁性体層７４を得
た。
ｎフェライト厚膜ペーストを、つづら折り状電極７２，
櫛形電極７３に挟まれた空間部分と、つづら折り状電極
７２の両端部以外の部分と、櫛形電極７３の歯の部分と
を覆うように印刷し、その後９００℃の温度で焼成して
誘電的特性と磁気的特性とを有する磁性体層７４を得
た。
【００２５】次に、図９に示すように、耐湿性試験等を
行う際に生じるノイズ吸収素子の特性変化を防ぐために
磁性体層７４の表面に非晶質のガラスからなるオーバー
コート層７５を形成し、６００℃の温度で１時間焼成し
た。次に、ダイシングにてノイズ吸収素子７０をチップ
状に切断して、チップ状の素子にした。次に、図１０に
示すように、つづら折り状電極７２の露出部分を覆うよ
うにＡｇの第１の端子電極７６，第２の端子電極７７を
形成し、櫛形電極７３の露出部分を覆うようにグランド
電極７８を形成し、５８０℃の温度で焼付けた後にめっ
きを行い、ノイズ吸収素子７０（バリスタ機能付き３端
子型ＬＣチップ）を得た。
行う際に生じるノイズ吸収素子の特性変化を防ぐために
磁性体層７４の表面に非晶質のガラスからなるオーバー
コート層７５を形成し、６００℃の温度で１時間焼成し
た。次に、ダイシングにてノイズ吸収素子７０をチップ
状に切断して、チップ状の素子にした。次に、図１０に
示すように、つづら折り状電極７２の露出部分を覆うよ
うにＡｇの第１の端子電極７６，第２の端子電極７７を
形成し、櫛形電極７３の露出部分を覆うようにグランド
電極７８を形成し、５８０℃の温度で焼付けた後にめっ
きを行い、ノイズ吸収素子７０（バリスタ機能付き３端
子型ＬＣチップ）を得た。
【００２６】上述のようにして製造された、ノイズ吸収
素子７０では、第１の端子電極７６とグランド電極７８
との間の静電容量，バリスタ電圧，非直線指数は、それ
ぞれ、１２０ｐＦ，４８Ｖ，４．６であり、第１の端子
電極７６と第２の端子電極７７との間のインダクタンス
は、０．６２μＨであった。また、上述した厚膜印刷法
における電極および電極以外の部分のスクリーン印刷条
件，印刷機条件，乾燥条件，焼成条件は、前述したノイ
ズ吸収素子４０の製造する際に用いられた条件と同じで
ある。
素子７０では、第１の端子電極７６とグランド電極７８
との間の静電容量，バリスタ電圧，非直線指数は、それ
ぞれ、１２０ｐＦ，４８Ｖ，４．６であり、第１の端子
電極７６と第２の端子電極７７との間のインダクタンス
は、０．６２μＨであった。また、上述した厚膜印刷法
における電極および電極以外の部分のスクリーン印刷条
件，印刷機条件，乾燥条件，焼成条件は、前述したノイ
ズ吸収素子４０の製造する際に用いられた条件と同じで
ある。
【００２７】ここでは、ノイズ吸収素子７０を製造する
にあたり、ＴｉＯ2 バリスタ基板７１の表面に厚膜印刷
法を用いて、つづら折り状電極７２と櫛形電極７３とを
形成したので、グリーンシート積層法を用いてノイズ吸
収素子を製造するよりも製造工程が非常に簡略化され
た。また、厚膜層を印刷する毎に焼成を行っているの
で、グリーンシート積層法を用いて製造されたノイズ吸
収素子にみられるデラミ等の構造欠陥も生じなかった。
さらに、ＴｉＯ2 バリスタ基板７１の表面に形成された
つづら折り状電極７２からインダクタンスが得られるの
で、高周波ノイズを十分に吸収することができた。
にあたり、ＴｉＯ2 バリスタ基板７１の表面に厚膜印刷
法を用いて、つづら折り状電極７２と櫛形電極７３とを
形成したので、グリーンシート積層法を用いてノイズ吸
収素子を製造するよりも製造工程が非常に簡略化され
た。また、厚膜層を印刷する毎に焼成を行っているの
で、グリーンシート積層法を用いて製造されたノイズ吸
収素子にみられるデラミ等の構造欠陥も生じなかった。
さらに、ＴｉＯ2 バリスタ基板７１の表面に形成された
つづら折り状電極７２からインダクタンスが得られるの
で、高周波ノイズを十分に吸収することができた。
【００２８】また、第１，第２実施例では、セラミック
バリスタ基板として、グリーン積層法により製造したＴ
ｉＯ2 バリスタ基板を使用したが、セラミックバリスタ
基板に、押し出し法や粉末プレス法などにより製造し
た、ＺｎＯやＳｒＴｉＯ3 などを主成分としたセラミッ
クバリスタ基板を使用してもよい。
バリスタ基板として、グリーン積層法により製造したＴ
ｉＯ2 バリスタ基板を使用したが、セラミックバリスタ
基板に、押し出し法や粉末プレス法などにより製造し
た、ＺｎＯやＳｒＴｉＯ3 などを主成分としたセラミッ
クバリスタ基板を使用してもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
内部構造欠陥の低減化が図られ、高周波ノイズのみなら
ずサージ等の異常電圧を吸収できるノイズ吸収素子を得
ることができる。
内部構造欠陥の低減化が図られ、高周波ノイズのみなら
ずサージ等の異常電圧を吸収できるノイズ吸収素子を得
ることができる。
【図１】本発明の第１実施形態のノイズ吸収素子の平面
図（ａ）と、そのノイズ吸収素子のＡ−Ａ’断面図
（ｂ）と、そのノイズ吸収素子の等価回路図（ｃ）であ
る。
図（ａ）と、そのノイズ吸収素子のＡ−Ａ’断面図
（ｂ）と、そのノイズ吸収素子の等価回路図（ｃ）であ
る。
【図２】本発明の第２実施形態のノイズ吸収素子の平面
図（ａ）と、そのノイズ吸収素子のＡ−Ａ’断面図
（ｂ）と、そのノイズ吸収素子の等価回路図（ｃ）であ
る。
図（ａ）と、そのノイズ吸収素子のＡ−Ａ’断面図
（ｂ）と、そのノイズ吸収素子の等価回路図（ｃ）であ
る。
【図３】本発明の第３実施形態のノイズ吸収素子の平面
図（ａ）と、そのノイズ吸収素子のＡ−Ａ’断面図
（ｂ）と、そのノイズ吸収素子の等価回路図（ｃ）であ
る。
図（ａ）と、そのノイズ吸収素子のＡ−Ａ’断面図
（ｂ）と、そのノイズ吸収素子の等価回路図（ｃ）であ
る。
【図４】本発明の第１実施例のノイズ吸収素子の製造工
程１を示す平面図（ａ）およびそのＡ−Ａ’断面図
（ｂ）である。
程１を示す平面図（ａ）およびそのＡ−Ａ’断面図
（ｂ）である。
【図５】本発明の第１実施例のノイズ吸収素子の製造工
程２を示す平面図（ａ）およびそのＡ−Ａ’断面図
（ｂ）である。
程２を示す平面図（ａ）およびそのＡ−Ａ’断面図
（ｂ）である。
【図６】本発明の第１実施例のノイズ吸収素子の製造工
程３を示す平面図（ａ）およびそのＡ−Ａ’断面図
（ｂ）である。
程３を示す平面図（ａ）およびそのＡ−Ａ’断面図
（ｂ）である。
【図７】本発明の第２実施例のノイズ吸収素子の製造工
程１を示す平面図（ａ）およびそのＡ−Ａ’断面図
（ｂ）である。
程１を示す平面図（ａ）およびそのＡ−Ａ’断面図
（ｂ）である。
【図８】本発明の第２実施例のノイズ吸収素子の製造工
程２を示す平面図（ａ）およびそのＡ−Ａ’断面図
（ｂ）である。
程２を示す平面図（ａ）およびそのＡ−Ａ’断面図
（ｂ）である。
【図９】本発明の第２実施例のノイズ吸収素子の製造工
程３を示す平面図（ａ）およびそのＡ−Ａ’断面図
（ｂ）である。
程３を示す平面図（ａ）およびそのＡ−Ａ’断面図
（ｂ）である。
【図１０】本発明の第２実施例のノイズ吸収素子の製造
工程４を示す平面図（ａ）およびその側面図（ｂ）であ
る。
工程４を示す平面図（ａ）およびその側面図（ｂ）であ
る。
１０，２０，３０，４０，７０ ノイズ吸収素子 １１，２１，３１，４１，７１ 基板 １２，２２，３２，４２，７２ つづら折り状電極 １３，２３，３３，４３，７３ 櫛形電極 １２ａ，１２ｂ，１３ａ，２２ａ，２２ｂ，２３ａ，３
２ａ，３２ｂ，３３ａ，４２ａ，４２ｂ，４３ａ，７
６，７７ 端子電極 １４，２４，４４ 誘電体層 ３４，７４ 磁性体層 １５ インダクタンス素子 １６ コンデンサ素子 １７ バリスタ素子 １８，１９ 端子 ７５ オーバーコート層 ７８ グランド電極
２ａ，３２ｂ，３３ａ，４２ａ，４２ｂ，４３ａ，７
６，７７ 端子電極 １４，２４，４４ 誘電体層 ３４，７４ 磁性体層 １５ インダクタンス素子 １６ コンデンサ素子 １７ バリスタ素子 １８，１９ 端子 ７５ オーバーコート層 ７８ グランド電極
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも表面がセラミックで形成され
た基板上の同一平面状に、互いの間に所定の間隔を置い
て延在する、インダクタを構成する第１の電極、および
該第１の電極との間でコンデンサ及びバリスタを構成す
る第２の電極がスクリーン印刷法により形成されてなる
ことを特徴とするノイズ吸収素子。 - 【請求項２】 前記第２の電極が複数の歯形を有する櫛
形形状の電極であり、前記第１の電極が、該第２の電極
の複数の歯形に沿って延びるつづら折り形の電極である
ことを特徴とする請求項１記載のノイズ吸収素子。 - 【請求項３】 前記第１の電極および前記第２の電極が
形成された基板の上にさらに誘電体層が厚膜法で形成さ
れてなることを特徴とする請求項１又は２記載のノイズ
吸収素子。 - 【請求項４】 前記第１の電極および前記第２の電極が
形成された基板の上にさらに磁性体層が厚膜法で形成さ
れてなることを特徴とする請求項１又は２記載のノイズ
吸収素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7770296A JPH09270657A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | ノイズ吸収素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7770296A JPH09270657A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | ノイズ吸収素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09270657A true JPH09270657A (ja) | 1997-10-14 |
Family
ID=13641241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7770296A Withdrawn JPH09270657A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | ノイズ吸収素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09270657A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142991A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ノイズ対策部品 |
| JP2008085390A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-10 | Mitsubishi Materials Corp | バリスタ機能付きノイズフィルタ及びバリスタ機能付きノイズフィルタアレイ |
| JP2008251611A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Mitsubishi Materials Corp | 薄型複合素子及びその製造方法 |
| JP2009135523A (ja) * | 2009-03-09 | 2009-06-18 | Panasonic Electric Works Co Ltd | コイルおよびそれを用いた電流センサ |
| JP5915778B2 (ja) * | 2013-01-22 | 2016-05-11 | 株式会社村田製作所 | Ｌｃ複合部品 |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP7770296A patent/JPH09270657A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142991A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ノイズ対策部品 |
| JP2008085390A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-10 | Mitsubishi Materials Corp | バリスタ機能付きノイズフィルタ及びバリスタ機能付きノイズフィルタアレイ |
| JP2008251611A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Mitsubishi Materials Corp | 薄型複合素子及びその製造方法 |
| JP2009135523A (ja) * | 2009-03-09 | 2009-06-18 | Panasonic Electric Works Co Ltd | コイルおよびそれを用いた電流センサ |
| JP5915778B2 (ja) * | 2013-01-22 | 2016-05-11 | 株式会社村田製作所 | Ｌｃ複合部品 |
| US9577597B2 (en) | 2013-01-22 | 2017-02-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | LC composite component |
| US9960746B2 (en) | 2013-01-22 | 2018-05-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | LC composite component |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101401269B1 (ko) | 관통 콘덴서 어레이 | |
| US5898562A (en) | Integrated dual frequency noise attenuator | |
| JPH0653075A (ja) | 平衡線路用積層セラミックコンデンサ | |
| JP2004505577A (ja) | 集積デュアル周波数ノイズ減衰器および過渡抑制器 | |
| KR102880994B1 (ko) | 적층형 커패시터 | |
| JPH07272975A (ja) | 複合コンデンサ | |
| JPH08162368A (ja) | 複合型積層コンデンサ | |
| JPH0653049A (ja) | チップ型ｌｃフィルタ | |
| JPH10312933A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JPH09270657A (ja) | ノイズ吸収素子 | |
| US5414589A (en) | Capacitor having a changeable dielectric capacity and manufacturing method thereof | |
| JPH09129477A (ja) | 積層コンデンサ | |
| JPH08265083A (ja) | チップ型低域フィルタ | |
| JPH06204075A (ja) | 高周波用積層セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JPH05304042A (ja) | 積層磁器コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2000021640A (ja) | ノイズフィルタ及びその製造方法 | |
| JP2596131B2 (ja) | ノイズフイルタ | |
| JPH09270656A (ja) | ノイズ吸収素子 | |
| JP2982335B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3266477B2 (ja) | 積層コンデンサの製造方法 | |
| JPH0883670A (ja) | チップ型サージアブソーバ | |
| JPS5827302A (ja) | 抵抗を含むチツプ形素子 | |
| JPH10303065A (ja) | チップ型ｃｒ複合部品及びその製造方法 | |
| JP2719458B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサネットワーク | |
| KR100848133B1 (ko) | 표면실장형 이엠아이 필터 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030603 |