JPH09272997A - セラミック電子部品のめっき方法 - Google Patents
セラミック電子部品のめっき方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はセラミック電子部品のめっき方法に
関するもので、セラミック素体の強度低下を防止するも
のである。 【解決手段】 遷移金属酸化物を含むセラミック素体４
に設けられた外部電極７表面上に、めっき液２としてｐ
Ｈが７より高いアルカリ性の液を使用してめっき膜８，
９を形成する。
関するもので、セラミック素体の強度低下を防止するも
のである。 【解決手段】 遷移金属酸化物を含むセラミック素体４
に設けられた外部電極７表面上に、めっき液２としてｐ
Ｈが７より高いアルカリ性の液を使用してめっき膜８，
９を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック電子部
品のめっき方法に関するものである。
品のめっき方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】セラミック電子部品においては、そのセ
ラミック素体に設けた電極上に、この電極の耐熱性を高
めるため、あるいは半田付性を改善するためにめっき膜
を形成している。
ラミック素体に設けた電極上に、この電極の耐熱性を高
めるため、あるいは半田付性を改善するためにめっき膜
を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記めっき膜の形成は
セラミック素体をめっき液中に浸漬して行うのである
が、従来のめっき液はめっきスピードを高めるためにｐ
Ｈが６以下の酸性のものを用いていた。
セラミック素体をめっき液中に浸漬して行うのである
が、従来のめっき液はめっきスピードを高めるためにｐ
Ｈが６以下の酸性のものを用いていた。
【０００４】しかしながらこの様な酸性のめっき液を用
いてめっき膜を形成した際に、セラミック素体が遷移金
属酸化物を含むものであると、その強度が低下してしま
うという問題があった。
いてめっき膜を形成した際に、セラミック素体が遷移金
属酸化物を含むものであると、その強度が低下してしま
うという問題があった。
【０００５】強度が低下してしまう理由は、酸性のめっ
き液中の水素イオンが、セラミック素体を構成する遷移
金属酸化物から酸素を奪う結果、遷移金属がイオンとな
って酸性のめっき液中に溶出し、その結果としてセラミ
ック素体がやせ細り、強度が低下してしまうのであっ
た。
き液中の水素イオンが、セラミック素体を構成する遷移
金属酸化物から酸素を奪う結果、遷移金属がイオンとな
って酸性のめっき液中に溶出し、その結果としてセラミ
ック素体がやせ細り、強度が低下してしまうのであっ
た。
【０００６】そこで本発明はこの強度低下を防止するこ
とを目的とするものである。
とを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
るために本発明は、遷移金属酸化物を含むセラミック素
体に設けられた電極表面上に、めっき液としてｐＨが７
より高いアルカリ性の液を使用してめっき膜を形成する
ものであり、これによって所期の目的を達成する。
るために本発明は、遷移金属酸化物を含むセラミック素
体に設けられた電極表面上に、めっき液としてｐＨが７
より高いアルカリ性の液を使用してめっき膜を形成する
ものであり、これによって所期の目的を達成する。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明は
遷移金属酸化物を含むセラミック素体に設けられた電極
表面上に、めっき液としてｐＨが７より高いアルカリ性
の液を使用してめっき膜を形成することを特徴とするセ
ラミック電子部品のめっき方法であって、めっき液中の
水素イオン濃度が激減することによって遷移金属がイオ
ンとなってめっき液中に溶出することはきわめて少なく
なり、その結果としてセラミック素体のやせ細りはな
く、強度の低下はおきなくなるのである。
遷移金属酸化物を含むセラミック素体に設けられた電極
表面上に、めっき液としてｐＨが７より高いアルカリ性
の液を使用してめっき膜を形成することを特徴とするセ
ラミック電子部品のめっき方法であって、めっき液中の
水素イオン濃度が激減することによって遷移金属がイオ
ンとなってめっき液中に溶出することはきわめて少なく
なり、その結果としてセラミック素体のやせ細りはな
く、強度の低下はおきなくなるのである。
【０００９】また、請求項２に記載の発明は、遷移金属
酸化物が、Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｒの少な
くとも一つの酸化物よりなる請求項１に記載のセラミッ
ク電子部品のめっき方法であって、Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，
Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｒの少なくとも一つの酸化物よりなる遷
移金属酸化物製のセラミック素体の強度低下を防止でき
るものとなる。
酸化物が、Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｒの少な
くとも一つの酸化物よりなる請求項１に記載のセラミッ
ク電子部品のめっき方法であって、Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，
Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｒの少なくとも一つの酸化物よりなる遷
移金属酸化物製のセラミック素体の強度低下を防止でき
るものとなる。
【００１０】さらに、請求項３に記載の発明は、セラミ
ック素体が遷移金属酸化物を主成分として構成された請
求項１、または２に記載のセラミック電子部品のめっき
方法であって、同遷移金属酸化物を主成分とするセラミ
ック素体の強度低下を防止できるものとなる。
ック素体が遷移金属酸化物を主成分として構成された請
求項１、または２に記載のセラミック電子部品のめっき
方法であって、同遷移金属酸化物を主成分とするセラミ
ック素体の強度低下を防止できるものとなる。
【００１１】さらにまた請求項４に記載の発明は、セラ
ミック素体の、８０ａｔ％以上が遷移金属酸化物で構成
された請求項３に記載のセラミック電子部品のめっき方
法であって、同遷移金属酸化物を主成分とするセラミッ
ク素体の強度低下を防止できるものとなる。
ミック素体の、８０ａｔ％以上が遷移金属酸化物で構成
された請求項３に記載のセラミック電子部品のめっき方
法であって、同遷移金属酸化物を主成分とするセラミッ
ク素体の強度低下を防止できるものとなる。
【００１２】また、請求項５に記載の発明は、Ｍｎの酸
化物を主成分としてセラミック素体を形成するととも
に、ｐＨが７．６よりも高いめっき液を用いて電極表面
にめっきを行う請求項１または４に記載のセラミック電
子部品のめっき方法であって、ＭｎはｐＨが７．６より
も高くなると急激にイオン化しにくくなり、それによっ
てめっき液中への溶出はおきず、セラミック素体の強度
低下を防止できるものである。
化物を主成分としてセラミック素体を形成するととも
に、ｐＨが７．６よりも高いめっき液を用いて電極表面
にめっきを行う請求項１または４に記載のセラミック電
子部品のめっき方法であって、ＭｎはｐＨが７．６より
も高くなると急激にイオン化しにくくなり、それによっ
てめっき液中への溶出はおきず、セラミック素体の強度
低下を防止できるものである。
【００１３】さらに請求項６に記載の発明は、めっき
を、電流密度が１Ａ／ｄｍ2以下の低電流密度で行う請
求項１〜５のいずれか一つに記載のセラミック電子部品
のめっき方法であって、セラミック素体表面への不用意
なめっき膜の形成がなくなるものである。
を、電流密度が１Ａ／ｄｍ2以下の低電流密度で行う請
求項１〜５のいずれか一つに記載のセラミック電子部品
のめっき方法であって、セラミック素体表面への不用意
なめっき膜の形成がなくなるものである。
【００１４】さらにまた請求項７に記載の発明は、内部
電極を有するセラミック素体の面取りを行って前記内部
電極の一部を、このセラミック素体外に露出させ、その
後このセラミック素体のアニール処理を行い、次に前記
セラミック素体外に露出した内部電極と電気的に接続さ
れるごとくこのセラミック素体表面に外部電極を設け、
この外部電極の表面上にめっき膜を形成する請求項１〜
６のいずれか一つに記載のセラミック電子部品のめっき
方法であって、アニール処理を行うことによって、その
前工程の面取りで荒らされ、活性化されたセラミック素
体表面を不活性化し、それによってこのセラミック素体
表面への不用意なめっき膜の形成を防ぐものである。
電極を有するセラミック素体の面取りを行って前記内部
電極の一部を、このセラミック素体外に露出させ、その
後このセラミック素体のアニール処理を行い、次に前記
セラミック素体外に露出した内部電極と電気的に接続さ
れるごとくこのセラミック素体表面に外部電極を設け、
この外部電極の表面上にめっき膜を形成する請求項１〜
６のいずれか一つに記載のセラミック電子部品のめっき
方法であって、アニール処理を行うことによって、その
前工程の面取りで荒らされ、活性化されたセラミック素
体表面を不活性化し、それによってこのセラミック素体
表面への不用意なめっき膜の形成を防ぐものである。
【００１５】請求項８に記載の発明は、アニール温度を
８００℃〜１１００℃とし、外部電極の塗布後前記アニ
ール温度以下の温度で、この外部電極をセラミック素体
に焼付ける請求項７に記載のセラミック電子部品のめっ
き方法であって、アニール温度をセラミック素体の焼成
温度よりも低くすることによってセラミック素体の電気
的特性の変動を抑制しているものである。
８００℃〜１１００℃とし、外部電極の塗布後前記アニ
ール温度以下の温度で、この外部電極をセラミック素体
に焼付ける請求項７に記載のセラミック電子部品のめっ
き方法であって、アニール温度をセラミック素体の焼成
温度よりも低くすることによってセラミック素体の電気
的特性の変動を抑制しているものである。
【００１６】さらに請求項９に記載の発明は、外部電極
をＣｕ、またはＡｇを含む導電ペーストをセラミック素
体に塗布後、中性雰囲気中、または還元雰囲気中で焼付
けて形成する請求項８に記載のセラミック電子部品のめ
っき方法であって、これらの雰囲気中で導電ペーストの
焼付けを行えば外部電極とセラミック素体との接着強度
を高めることが出来る反面、セラミック素体表面から酸
素を奪って活性化しやすくしてしまうが、事前にアニー
ルを行っておけば、この表面から酸素を奪うことは少な
く、よってこの表面への不用意なめっき膜形成はおきな
くなる。
をＣｕ、またはＡｇを含む導電ペーストをセラミック素
体に塗布後、中性雰囲気中、または還元雰囲気中で焼付
けて形成する請求項８に記載のセラミック電子部品のめ
っき方法であって、これらの雰囲気中で導電ペーストの
焼付けを行えば外部電極とセラミック素体との接着強度
を高めることが出来る反面、セラミック素体表面から酸
素を奪って活性化しやすくしてしまうが、事前にアニー
ルを行っておけば、この表面から酸素を奪うことは少な
く、よってこの表面への不用意なめっき膜形成はおきな
くなる。
【００１７】さらにまた請求項１０に記載の発明は、セ
ラミック素体は、焼結前のグリーンチップ状態で、その
内部電極の一部を露出させ、その後焼成して形成された
ものである請求項１〜６のいずれか一つに記載のセラミ
ック電子部品のめっき方法であって、グリーンチップ状
態で、内部電極の一部露出をさせておけば、その後面取
りを行わなくても良いので、面取りによる上記セラミッ
ク素体表面の活性面が形成されず、よってこの表面への
不用意なめっき膜の形成はおきないものとなる。
ラミック素体は、焼結前のグリーンチップ状態で、その
内部電極の一部を露出させ、その後焼成して形成された
ものである請求項１〜６のいずれか一つに記載のセラミ
ック電子部品のめっき方法であって、グリーンチップ状
態で、内部電極の一部露出をさせておけば、その後面取
りを行わなくても良いので、面取りによる上記セラミッ
ク素体表面の活性面が形成されず、よってこの表面への
不用意なめっき膜の形成はおきないものとなる。
【００１８】以下本発明の一実施形態を図を用いて説明
する。図１において、１は耐めっき液性の合成樹脂より
なるめっき槽で、その内部のめっき液２中にはバレル３
が浸漬されている。このバレル３内には図３に示す状態
のセラミック素体４と導電球５が多数個収納され、図示
していないモータ等によって回転駆動されるようになっ
ている。
する。図１において、１は耐めっき液性の合成樹脂より
なるめっき槽で、その内部のめっき液２中にはバレル３
が浸漬されている。このバレル３内には図３に示す状態
のセラミック素体４と導電球５が多数個収納され、図示
していないモータ等によって回転駆動されるようになっ
ている。
【００１９】さてセラミック素体４は図２に示すごとく
その内部上、下に二枚の内部電極６が所定間隔を有して
対向して設けられているものであるが、Ｍｎの酸化物
（６８ａｔ％）、Ｎｉの酸化物（２３ａｔ％）、Ｃｕの
酸化物（９ａｔ％）の複合体よりなるもので形成され、
１２００℃で焼結される。
その内部上、下に二枚の内部電極６が所定間隔を有して
対向して設けられているものであるが、Ｍｎの酸化物
（６８ａｔ％）、Ｎｉの酸化物（２３ａｔ％）、Ｃｕの
酸化物（９ａｔ％）の複合体よりなるもので形成され、
１２００℃で焼結される。
【００２０】そして焼結後に回転バレルによって面取り
を行い、それによって内部電極６の端部をセラミック素
体４の両端に露出させる。
を行い、それによって内部電極６の端部をセラミック素
体４の両端に露出させる。
【００２１】その後９００℃で１５分間のアニールを行
い、これによってセラミック素体４表面を不活性化す
る。
い、これによってセラミック素体４表面を不活性化す
る。
【００２２】そして次に図３、図６のごとくセラミック
素体４の両端およびそれに続く上、下、前、後端部分に
導電ペーストよりなる外部電極７を形成し、内部電極６
と導通させる。
素体４の両端およびそれに続く上、下、前、後端部分に
導電ペーストよりなる外部電極７を形成し、内部電極６
と導通させる。
【００２３】導電ペーストはＣｕを主成分とするもので
あって、中性雰囲気中で８００℃で焼付けて上記外部電
極７を形成するのである。
あって、中性雰囲気中で８００℃で焼付けて上記外部電
極７を形成するのである。
【００２４】そしてこの図３の状態のセラミック素体４
を図１のごとくバレル３内に導電球５とともに収納させ
て図４のごとく外部電極７上にＮｉよりなるめっき膜８
を形成する。
を図１のごとくバレル３内に導電球５とともに収納させ
て図４のごとく外部電極７上にＮｉよりなるめっき膜８
を形成する。
【００２５】めっき膜８を形成するためのめっき槽１内
のめっき液２は、Ｎｉキレートを有するｐＨが９のＮｉ
めっき液を用いており、Ｎｉキレートを効果的に作用さ
せるために５０℃に加熱している。
のめっき液２は、Ｎｉキレートを有するｐＨが９のＮｉ
めっき液を用いており、Ｎｉキレートを効果的に作用さ
せるために５０℃に加熱している。
【００２６】またその時めっき液２中における陰極の電
流密度は０．５５Ａ／ｄｍ2と小さくなるように設定し
ており、その分めっき時間は４５分と長くしている。
流密度は０．５５Ａ／ｄｍ2と小さくなるように設定し
ており、その分めっき時間は４５分と長くしている。
【００２７】そしてこれによって膜厚が２μｍ前後のめ
っき膜８が形成されるのである。図４のごとくめっき膜
が形成されたセラミック素体４はめっき槽１上に上げら
れ、十分に水洗され、水切を行った後に図示していない
が次のめっき槽中に同様に導電球とともにバレル内に収
納され、浸漬される。
っき膜８が形成されるのである。図４のごとくめっき膜
が形成されたセラミック素体４はめっき槽１上に上げら
れ、十分に水洗され、水切を行った後に図示していない
が次のめっき槽中に同様に導電球とともにバレル内に収
納され、浸漬される。
【００２８】次のめっき槽中にはＳｎキレートを有する
ｐＨが８のＳｎめっき液が入れられており、その温度は
Ｓｎキレートを効果的に作用させるために２５℃として
いる。またその時の陰極の電流密度は０．３３Ａ／ｄｍ
2と小さくしており、めっき時間は６０分と長くしてい
る。
ｐＨが８のＳｎめっき液が入れられており、その温度は
Ｓｎキレートを効果的に作用させるために２５℃として
いる。またその時の陰極の電流密度は０．３３Ａ／ｄｍ
2と小さくしており、めっき時間は６０分と長くしてい
る。
【００２９】そしてこれによってめっき膜８上には図
５、図６に示すごとく２μｍ以上のＳｎのめっき膜９が
形成されることになるのであるが、この様にして形成さ
れたものの寸法は縦０．６〜０．８mm、横が０．８mm、
長さが１．６mmのものとなる。
５、図６に示すごとく２μｍ以上のＳｎのめっき膜９が
形成されることになるのであるが、この様にして形成さ
れたものの寸法は縦０．６〜０．８mm、横が０．８mm、
長さが１．６mmのものとなる。
【００３０】この様にして形成されたセラミック電子部
品は、チップサーミスタと呼ばれるものであって、携帯
電話において、発振周波数を安定化させるための温度補
償用として用いられる。
品は、チップサーミスタと呼ばれるものであって、携帯
電話において、発振周波数を安定化させるための温度補
償用として用いられる。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明は遷移金属酸化物を
含むセラミック素体に設けられた電極表面上に、めっき
液としてｐＨが７より高いアルカリ性の液を使用してめ
っき膜を形成することを特徴とするセラミック電子部品
のめっき方法であって、めっき液中の水素イオン濃度が
激減することによって遷移金属がイオンとなってめっき
液中に溶出することはきわめて少なくなり、その結果と
してセラミック素体のやせ細りはなく、強度の低下はお
きなくなるのである。
含むセラミック素体に設けられた電極表面上に、めっき
液としてｐＨが７より高いアルカリ性の液を使用してめ
っき膜を形成することを特徴とするセラミック電子部品
のめっき方法であって、めっき液中の水素イオン濃度が
激減することによって遷移金属がイオンとなってめっき
液中に溶出することはきわめて少なくなり、その結果と
してセラミック素体のやせ細りはなく、強度の低下はお
きなくなるのである。
【図１】本発明の一実施形態を示す断面図
【図２】同セラミック素体の断面図
【図３】同セラミック素体の断面図
【図４】同セラミック素体の断面図
【図５】同セラミック素体の断面図
【図６】同セラミック素体の一部切欠斜視図
１ めっき槽 ２ めっき液 ３ バレル ４ セラミック素体 ５ 導電球 ６ 内部電極 ７ 外部電極 ８ めっき膜 ９ めっき膜
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 義之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 野添 研治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 馬場 康孝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 遷移金属酸化物を含むセラミック素体に
設けられた電極表面上に、めっき液としてｐＨが７より
高いアルカリ性の液を使用してめっき膜を形成すること
を特徴とするセラミック電子部品のめっき方法。 - 【請求項２】 遷移金属酸化物は、Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，
Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｒの少なくとも一つの酸化物よりなる請
求項１に記載のセラミック電子部品のめっき方法。 - 【請求項３】 セラミック素体は遷移金属酸化物を主成
分として構成された請求項１、または２に記載のセラミ
ック電子部品のめっき方法。 - 【請求項４】 セラミック素体の、８０ａｔ％以上が遷
移金属酸化物で構成された請求項３に記載のセラミック
電子部品のめっき方法。 - 【請求項５】 Ｍｎの酸化物を主成分としてセラミック
素体を形成するとともに、ｐＨが７．６よりも高いめっ
き液を用いて電極表面にめっきを行う請求項１または４
に記載のセラミック電子部品のめっき方法。 - 【請求項６】 めっきは、電流密度が１Ａ／ｄｍ2以下
の低電流密度で行う請求項１〜５のいずれか一つに記載
のセラミック電子部品のめっき方法。 - 【請求項７】 内部電極を有するセラミック素体の面取
りを行って前記内部電極の一部を、このセラミック素体
外に露出させ、その後このセラミック素体のアニール処
理を行い、次に前記セラミック素体外に露出した内部電
極と電気的に接続されるごとくこのセラミック素体表面
に外部電極を設け、この外部電極の表面上にめっき膜を
形成する請求項１〜６のいずれか一つに記載のセラミッ
ク電子部品のめっき方法。 - 【請求項８】 アニール温度を８００℃〜１１００℃と
し、外部電極の塗布後前記アニール温度以下の温度で、
この外部電極をセラミック素体に焼付ける請求項７に記
載のセラミック電子部品のめっき方法。 - 【請求項９】 外部電極はＣｕ、またはＡｇを含む導電
ペーストをセラミック素体に塗布後、中性雰囲気中、ま
たは還元雰囲気中で焼付けて形成する請求項８に記載の
セラミック電子部品のめっき方法。 - 【請求項１０】 セラミック素体は、焼結前のグリーン
チップ状態で、その内部電極の一部を露出させ、その後
焼成して形成されたものである請求項１〜６のいずれか
一つに記載のセラミック電子部品のめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08368196A JP3277804B2 (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | セラミック電子部品のめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08368196A JP3277804B2 (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | セラミック電子部品のめっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09272997A true JPH09272997A (ja) | 1997-10-21 |
| JP3277804B2 JP3277804B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=13809240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08368196A Expired - Fee Related JP3277804B2 (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | セラミック電子部品のめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3277804B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086450A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Murata Mfg Co Ltd | セラミックス電子部品の製造方法 |
| JP2007270301A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Tdk Corp | 無電解めっき液及びセラミック電子部品の製造方法 |
-
1996
- 1996-04-05 JP JP08368196A patent/JP3277804B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086450A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Murata Mfg Co Ltd | セラミックス電子部品の製造方法 |
| JP2007270301A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Tdk Corp | 無電解めっき液及びセラミック電子部品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3277804B2 (ja) | 2002-04-22 |
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