JPH09275081A5 - - Google Patents

Description

【発明の名称】レーザー照射装置、レーザー照射方法及び薄膜トランジスタの作製方法

【０００５】
この基板に対する熱ダメージの問題がないという特徴は、近年その利用範囲が拡大しているアクティブマトリクス型の液晶表示装置を作製する場合に重要となる。

【００１５】
またホモジナイザー１０３と１０４は、光線を水平方向において分割し、水平方向における光学的な補正を行なう機能を有している。

【００２７】
ここで重要となるのは、ホモジナイザーに入射したレーザー光の幅方向におけるシリンドリカルレンズの数を最低でも５個以上、好ましくは１０個以上とすることである。上記レーザー光の幅方向は、レーザー光が最終的に線状となるその長手方向に一致または概略一致していることが必要である。

【００４０】
他の発明の構成は、
線状のレーザー光を照射する装置であって、
線状のレーザー光の長手方向における照射エネルギー密度を制御するホモジナイザーを有し、
前記長手方向に対応する前記ホモジナイザーに入射するレーザー光の幅（ｍｍ）と前記ホモジナイザーを構成するシリンドリカルレンズの幅（ｍｍ）との関係が(30,0.1), (80,0.1), (80,5), (50,5), (30,3)で画定される範囲内にあることを特徴とする。

Claims (17)

1. 線状レーザー光を照射するレーザー照射装置であって、
   前記線状のレーザー光の長手方向におけるエネルギー密度分布を制御するホモジナイザーを有し、
   照射面における前記線状レーザー光の長さをｘ（ｍｍ）とし、前記ホモジナイザーを構成するシリドリカルレンズの数をｙとして、
   前記ｘとｙは、（４３／６００）ｘ−（１／６）≦ｙ≦（ｘ／５）で示される数式を満足することを特徴とするレーザー照射装置。
2. 線状レーザー光を照射するレーザー照射装置であって、
   前記線状のレーザー光の長手方向におけるエネルギー密度分布を制御するホモジナイザーを有し、
   照射面における前記線状レーザー光の長さを、前記ホモジナイザーを構成するシリドリカルレンズの数で割った値が、５ｍｍ〜１５ｍｍであることを特徴とするレーザー照射装置。
3. 線状レーザー光を照射するレーザー照射装置であって、
   前記線状レーザー光の長手方向におけるエネルギー密度分布を制御するホモジナイザーを有し、
   前記ホモジナイザーを構成するシリンドリカルレンズの幅は、０．１ｍｍ〜５ｍｍであることを特徴とするレーザー照射装置。
4. 線状レーザー光を照射する装置であって、
   線状のレーザー光の長手方向におけるエネルギー密度分布を制御するホモジナイザーを有し、
   前記線状のレーザー光の長手方向における長さ（ｍｍ）を横軸とし、前記ホモジナイザーを構成するシリンドリカルレンズの数を縦軸として、
   前記横軸と縦軸の関係が（１００，７），（７００，５０），（７００，１４０），（１００，２０） で示される座標で画定される範囲内にあることを特徴とするレーザー照射装置。
5. 線状レーザー光を照射する装置であって、
   前記線状のレーザー光の長手方向における照射エネルギー密度を制御するホモジナイザーを有し、
   前記長手方向に対応する前記ホモジナイザーに入射するレーザー光の幅（ｍｍ）を横軸とし、前記ホモジナイザーを構成するシリンドリカルレンズの幅（ｍｍ）を縦軸として、
   前記横軸と縦軸の関係が（３０，０．１），（８０，０．１），（８０，５），（５０，５），（３０，３）で画定される範囲内にあることを特徴とするレーザー照射装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
   レーザー光の幅よりホモジナイザーの幅の方が大きいことを特徴とするレーザー照射装置。
7. 請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
   ホモジナイザーは少なくとも２つ配置されており、前記２つのホモジナイザーは直交して配置されていることを特徴とするレーザー照射装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
   前記線状レーザー光は、ＫｒＦエキシマレーザー光又はＸｅＣｌエキシマレーザー光で あることを特徴するレーザー照射装置。
9. レーザー照射装置を用いて線状レーザー光を照射する方法であって、
   前記レーザー照射装置は、前記線状レーザー光の長手方向におけるエネルギー密度分布を制御するホモジナイザーを有し、
   照射面における前記線状レーザー光の長さをｘ（ｍｍ）とし、前記ホモジナイザーを構成するシリドリカルレンズの数をｙとして、
   前記ｘとｙは、（４３／６００）ｘ−（１／６）≦ｙ≦（ｘ／５）で示される数式を満足することを特徴とするレーザー照射方法。
10. レーザー照射装置を用いて線状レーザー光を照射する方法であって、
    前記レーザー照射装置は、前記線状のレーザー光の長手方向におけるエネルギー密度分布を制御するホモジナイザーを有し、
    照射面における前記線状レーザー光の長さを、前記ホモジナイザーを構成するシリドリカルレンズの数で割った値が、５ｍｍ〜１５ｍｍであることを特徴とするレーザー照射方法。
11. レーザー照射装置を用いて線状レーザー光を照射する方法であって、
    前記線状レーザー光の長手方向におけるエネルギー密度分布を制御するホモジナイザーを有し、
    前記ホモジナイザーを構成するシリンドリカルレンズの幅は、０．１ｍｍ〜５ｍｍであることを特徴とするレーザー照射方法。
12. レーザー照射装置を用いて線状レーザー光を照射する方法であって、
    前記レーザー照射装置は、前記線状レーザー光の長手方向における照射エネルギー密度を制御するホモジナイザーを有し、
    前記線状のレーザー光の長手方向における長さ（ｍｍ）を横軸とし、前記ホモジナイザーを構成するシリンドリカルレンズの数を縦軸として、
    前記横軸と縦軸の関係を（１００，７），（７００，５０），（７００，１４０），（１００，２０） で示される座標で画定される範囲内とすることを特徴とするレーザー照射方法。
13. レーザー照射装置を用いて線状レーザー光を照射する方法であって、
    前記レーザー照射装置は、前記線状レーザー光の長手方向における照射エネルギー密度を制御するホモジナイザーを有し、
    前記長手方向に対応する前記ホモジナイザーに入射するレーザー光の幅（ｍｍ）を横軸とし、前記ホモジナイザーを構成するシリンドリカルレンズの幅（ｍｍ）を縦軸とし、
    前記横軸と縦軸の関係を（３０，０．１），（８０，０．１），（８０，５），（５０，５），（３０，３）で画定される範囲内にすることを特徴とするレーザー照射方法。
14. 請求項９乃至請求項１３のいずれか１項において、
    前記線状レーザー光の幅よりホモジナイザーの幅の方が大きいことを特徴とするレーザー照射方法。
15. 請求項９乃至請求項１３のいずれか１項において、
    ホモジナイザーは少なくとも２つ配置されており、前記２つのホモジナイザーは直交して配置されていることを特徴とするレーザー照射方法。
16. 請求項９乃至請求項１５のいずれか１項において、
    前記線状レーザー光は、ＫｒＦエキシマレーザー光又はＸｅＣｌエキシマレーザー光で あることを特徴するレーザー照射装置。
17. 請求項９乃至請求項１６のいずれか１項において、
    基板上に非晶質珪素膜を形成し、
    前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、
    前記結晶性珪素膜に前記レーザー照射方法により前記線状レーザー光を照射し、
    前記結晶性珪素膜をパターニングして活性層を形成し、
    前記活性層上にゲイト絶縁膜及びゲイト電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。