JPH0927573A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH0927573A JPH0927573A JP7177682A JP17768295A JPH0927573A JP H0927573 A JPH0927573 A JP H0927573A JP 7177682 A JP7177682 A JP 7177682A JP 17768295 A JP17768295 A JP 17768295A JP H0927573 A JPH0927573 A JP H0927573A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂パッケージの耐久性，加工性，成形性を
低下させることなく、樹脂の剥離及びクラックによって
封止が破れることを防止し得る半導体装置を提供する。 【解決手段】 ダイパッド３，半導体チップ４，ボンデ
ィングワイヤ５，５，…及びリード６，６，…の一部
は、それらを成形用のキャビティ内の所定位置に配置
し、エポキシ樹脂にフィラ又は可撓性付与剤を添加して
所要の熱膨張係数，弾性率又は粘度を調整したモールド
樹脂を充填・硬化させた第１樹脂層１で封止してある。
硬化した第１樹脂層１は、型抜きした後に前述したキャ
ビティより大きいキャビティ内の所定位置に配置し、第
１樹脂層１より大きい熱膨張係数，弾性率又は粘度とな
るように調整したモールド樹脂を充填・硬化させた第２
樹脂層２で封止してある。
低下させることなく、樹脂の剥離及びクラックによって
封止が破れることを防止し得る半導体装置を提供する。 【解決手段】 ダイパッド３，半導体チップ４，ボンデ
ィングワイヤ５，５，…及びリード６，６，…の一部
は、それらを成形用のキャビティ内の所定位置に配置
し、エポキシ樹脂にフィラ又は可撓性付与剤を添加して
所要の熱膨張係数，弾性率又は粘度を調整したモールド
樹脂を充填・硬化させた第１樹脂層１で封止してある。
硬化した第１樹脂層１は、型抜きした後に前述したキャ
ビティより大きいキャビティ内の所定位置に配置し、第
１樹脂層１より大きい熱膨張係数，弾性率又は粘度とな
るように調整したモールド樹脂を充填・硬化させた第２
樹脂層２で封止してある。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は半導体チップを樹脂
製のパッケージで封止した半導体装置に関する。
製のパッケージで封止した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は半導体チップを樹脂製のパッケー
ジで封止した従来の半導体装置を示す模式的正断面図で
あり、図中13は平面視が略正方形状のダイパッドであ
る。ダイパッド13の対向する２辺の外側にはそれぞれ、
ダイパッド13から所定距離を隔てて短冊状のリード16，
16，…複数がダイパッド13と同じ高さとなるように、各
辺に沿って所定の間隔で配してある。ダイパッド13上に
は複数の電極が形成された半導体チップ14がダイボンデ
ィングによって固定してあり、半導体チップ14の各電極
とリード16，16，…の一端とはボンディングワイヤ15，
15，…によって接続してある。ダイパッド13，半導体チ
ップ14，ボンディングワイヤ15，15，…及びリード16，
16，…の一端側は、それらを成形用のキャビティ内の所
定位置に配置した後にエポキシ樹脂を充填・硬化させた
パッケージ20で封止してある。パッケージ20の側面から
はリード16，16，…の他端側が突出しており、リード1
6，16，…の突出した部分はその途中から略直角に曲げ
てある。
ジで封止した従来の半導体装置を示す模式的正断面図で
あり、図中13は平面視が略正方形状のダイパッドであ
る。ダイパッド13の対向する２辺の外側にはそれぞれ、
ダイパッド13から所定距離を隔てて短冊状のリード16，
16，…複数がダイパッド13と同じ高さとなるように、各
辺に沿って所定の間隔で配してある。ダイパッド13上に
は複数の電極が形成された半導体チップ14がダイボンデ
ィングによって固定してあり、半導体チップ14の各電極
とリード16，16，…の一端とはボンディングワイヤ15，
15，…によって接続してある。ダイパッド13，半導体チ
ップ14，ボンディングワイヤ15，15，…及びリード16，
16，…の一端側は、それらを成形用のキャビティ内の所
定位置に配置した後にエポキシ樹脂を充填・硬化させた
パッケージ20で封止してある。パッケージ20の側面から
はリード16，16，…の他端側が突出しており、リード1
6，16，…の突出した部分はその途中から略直角に曲げ
てある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
装置にあっては、半導体チップの発熱によって樹脂製の
パッケージが膨張すると、パッケージと半導体チップと
の熱膨張係数、又はパッケージとダイパッドとの熱膨張
係数が異なるため、半導体チップ又はダイパッドから樹
脂が剥離し、そこからクラックが生じてパッケージによ
る封止が破れて半導体チップが劣化するという問題があ
った。そのため、エポキシ樹脂にフィラと呼ばれる添加
剤を混入してパッケージの熱膨張係数を低下させること
によって、又は、エポキシ樹脂に可撓性付与剤を混入し
てパッケージの弾性率を低下させることによって、樹脂
の剥離を防止していた。しかしながら、フィラ又は可撓
性付与剤の添加量を多くするとパッケージの耐久性，加
工性，成形性が低下するため、添加量には限度があり、
熱膨張係数又は弾性率を十分低下させることができず、
樹脂の剥離及びクラックによるパッケージの封止破壊を
十分に防止することができないという問題があった。
装置にあっては、半導体チップの発熱によって樹脂製の
パッケージが膨張すると、パッケージと半導体チップと
の熱膨張係数、又はパッケージとダイパッドとの熱膨張
係数が異なるため、半導体チップ又はダイパッドから樹
脂が剥離し、そこからクラックが生じてパッケージによ
る封止が破れて半導体チップが劣化するという問題があ
った。そのため、エポキシ樹脂にフィラと呼ばれる添加
剤を混入してパッケージの熱膨張係数を低下させること
によって、又は、エポキシ樹脂に可撓性付与剤を混入し
てパッケージの弾性率を低下させることによって、樹脂
の剥離を防止していた。しかしながら、フィラ又は可撓
性付与剤の添加量を多くするとパッケージの耐久性，加
工性，成形性が低下するため、添加量には限度があり、
熱膨張係数又は弾性率を十分低下させることができず、
樹脂の剥離及びクラックによるパッケージの封止破壊を
十分に防止することができないという問題があった。
【０００４】本発明はかかる事情に基づいてなされたも
のであって、その目的とするところは外側の樹脂層より
内側の樹脂層が熱膨張率，弾性率又は粘度を低くしてあ
る複数の樹脂層で半導体チップを包囲することによっ
て、パッケージの耐久性，加工性，成形性を低下させる
ことなく、樹脂の剥離及びクラックによって封止が破れ
ることを防止し得る半導体装置を提供することにある。
のであって、その目的とするところは外側の樹脂層より
内側の樹脂層が熱膨張率，弾性率又は粘度を低くしてあ
る複数の樹脂層で半導体チップを包囲することによっ
て、パッケージの耐久性，加工性，成形性を低下させる
ことなく、樹脂の剥離及びクラックによって封止が破れ
ることを防止し得る半導体装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る半導体装
置は、半導体チップを樹脂製のパッケージで封止してあ
る半導体装置において、前記パッケージは、前記半導体
チップを包囲する複数の樹脂層を備えており、内側の樹
脂層は外側の樹脂層より膨張率を低くしてあることを特
徴とする。
置は、半導体チップを樹脂製のパッケージで封止してあ
る半導体装置において、前記パッケージは、前記半導体
チップを包囲する複数の樹脂層を備えており、内側の樹
脂層は外側の樹脂層より膨張率を低くしてあることを特
徴とする。
【０００６】第２発明に係る半導体装置は、半導体チッ
プを樹脂製のパッケージで封止してある半導体装置にお
いて、前記パッケージは、前記半導体チップを包囲する
複数の樹脂層を備えており、内側の樹脂層は外側の樹脂
層より弾性率を低くしてあることを特徴とする。
プを樹脂製のパッケージで封止してある半導体装置にお
いて、前記パッケージは、前記半導体チップを包囲する
複数の樹脂層を備えており、内側の樹脂層は外側の樹脂
層より弾性率を低くしてあることを特徴とする。
【０００７】第３発明に係る半導体装置は、半導体チッ
プを樹脂製のパッケージで封止してある半導体装置にお
いて、前記パッケージは、前記半導体チップを包囲する
複数の樹脂層を備えており、内側の樹脂層は外側の樹脂
層より粘度を低くしてあることを特徴とする。
プを樹脂製のパッケージで封止してある半導体装置にお
いて、前記パッケージは、前記半導体チップを包囲する
複数の樹脂層を備えており、内側の樹脂層は外側の樹脂
層より粘度を低くしてあることを特徴とする。
【０００８】第４発明に係る半導体装置は、第１，第２
又は第３発明において、前記半導体チップの近傍には放
熱部材が設けてあることを特徴とする。
又は第３発明において、前記半導体チップの近傍には放
熱部材が設けてあることを特徴とする。
【０００９】第５発明に係る半導体装置は、第４発明に
おいて、前記放熱部材には熱導伝部材の一端が接続して
おり、該熱導伝部材の他端はパッケージから突出してい
ることを特徴とする。
おいて、前記放熱部材には熱導伝部材の一端が接続して
おり、該熱導伝部材の他端はパッケージから突出してい
ることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例の形態を、
図面に基づいて具体的に説明する。図１は本発明に係る
半導体装置を示す模式的正断面図であり、図中３は平面
視が略正方形状のダイパッドである。ダイパッド３は正
断面視が両縁部にテーパが形成してある矩形状の樹脂製
のパッケージ10の略中央に設けてあり、ダイパッド３の
対向する２辺の外側にはそれぞれ、ダイパッド３から所
定距離を隔てて複数のリード６，６，…が配してある。
各リード６，６，…はダイパッド３と同じ高さとなるよ
うに、両辺に沿って所定の間隔で配してあり、各リード
６，６，…は中央付近から略直角下方に曲げてある。ダ
イパッド３上には複数の電極が形成された半導体チップ
４がダイボンディングによって固定してあり、半導体チ
ップ４の各電極とリード６，６，…とはボンディングワ
イヤ５，５，…によってそれぞれ接続してある。
図面に基づいて具体的に説明する。図１は本発明に係る
半導体装置を示す模式的正断面図であり、図中３は平面
視が略正方形状のダイパッドである。ダイパッド３は正
断面視が両縁部にテーパが形成してある矩形状の樹脂製
のパッケージ10の略中央に設けてあり、ダイパッド３の
対向する２辺の外側にはそれぞれ、ダイパッド３から所
定距離を隔てて複数のリード６，６，…が配してある。
各リード６，６，…はダイパッド３と同じ高さとなるよ
うに、両辺に沿って所定の間隔で配してあり、各リード
６，６，…は中央付近から略直角下方に曲げてある。ダ
イパッド３上には複数の電極が形成された半導体チップ
４がダイボンディングによって固定してあり、半導体チ
ップ４の各電極とリード６，６，…とはボンディングワ
イヤ５，５，…によってそれぞれ接続してある。
【００１１】ダイパッド３，半導体チップ４，ボンディ
ングワイヤ５，５，…及びリード６，６，…の一部は、
それらを成形用のキャビティ内の所定位置に配置し、エ
ポキシ樹脂にフィラ又は可撓性付与剤を添加して所要の
熱膨張係数，弾性率又は粘度を調整したモールド樹脂を
充填・硬化させた第１樹脂層１で封止してある。硬化し
た第１樹脂層１は、型抜きした後に前述したキャビティ
より大きいキャビティ内の所定位置に配置し、第１樹脂
層１より大きい熱膨張係数，弾性率又は粘度となるよう
に調整したモールド樹脂を充填・硬化させた第２樹脂層
２で封止してある。
ングワイヤ５，５，…及びリード６，６，…の一部は、
それらを成形用のキャビティ内の所定位置に配置し、エ
ポキシ樹脂にフィラ又は可撓性付与剤を添加して所要の
熱膨張係数，弾性率又は粘度を調整したモールド樹脂を
充填・硬化させた第１樹脂層１で封止してある。硬化し
た第１樹脂層１は、型抜きした後に前述したキャビティ
より大きいキャビティ内の所定位置に配置し、第１樹脂
層１より大きい熱膨張係数，弾性率又は粘度となるよう
に調整したモールド樹脂を充填・硬化させた第２樹脂層
２で封止してある。
【００１２】前述した第１樹脂層１は、フィラとして溶
融性シリカを９０〜８５重量％添加したモールド樹脂を
用いて、熱膨張係数が６〜１０×１０-6／℃となるよう
にしてある。これによって、第１樹脂層１の熱膨張係数
は半導体チップ４の熱膨張係数，２．６〜３．６×１０
-6／℃に近く、半導体チップ４の発熱によっても第１樹
脂層１の半導体チップ４からの剥離及びクラックの発生
が防止される。
融性シリカを９０〜８５重量％添加したモールド樹脂を
用いて、熱膨張係数が６〜１０×１０-6／℃となるよう
にしてある。これによって、第１樹脂層１の熱膨張係数
は半導体チップ４の熱膨張係数，２．６〜３．６×１０
-6／℃に近く、半導体チップ４の発熱によっても第１樹
脂層１の半導体チップ４からの剥離及びクラックの発生
が防止される。
【００１３】また、熱膨張係数を調整する代わりに、第
１樹脂層１は、可撓性付与剤としてシリコンを１０〜５
重量％添加して弾性率を１０００〜１５００ｋｇｆ／ｍ
ｍ2にしてもよい。これによって、半導体チップ４の膨
張・収縮を第１樹脂１の弾性によって吸収し、第１樹脂
層１の半導体チップ４からの剥離及びクラックの発生が
防止される。
１樹脂層１は、可撓性付与剤としてシリコンを１０〜５
重量％添加して弾性率を１０００〜１５００ｋｇｆ／ｍ
ｍ2にしてもよい。これによって、半導体チップ４の膨
張・収縮を第１樹脂１の弾性によって吸収し、第１樹脂
層１の半導体チップ４からの剥離及びクラックの発生が
防止される。
【００１４】一方、半導体チップ４の寸法が小さい場合
は半導体チップ４の発熱による影響が小さいため、熱膨
張係数を調整する代わりに、第１樹脂層１は、溶融性シ
リカを４０〜７０重量％添加して粘度を２０〜１００ｐ
にする。これによって、加工・成形性を損なうことな
く、半導体チップ４の膨張・収縮を第１樹脂１の粘性に
よって吸収し、第１樹脂層１の半導体チップ４からの剥
離及びクラックの発生が防止される。
は半導体チップ４の発熱による影響が小さいため、熱膨
張係数を調整する代わりに、第１樹脂層１は、溶融性シ
リカを４０〜７０重量％添加して粘度を２０〜１００ｐ
にする。これによって、加工・成形性を損なうことな
く、半導体チップ４の膨張・収縮を第１樹脂１の粘性に
よって吸収し、第１樹脂層１の半導体チップ４からの剥
離及びクラックの発生が防止される。
【００１５】第２樹脂層２は、前述した如く第１樹脂層
１より大きい熱膨張係数，弾性率又は粘度となるように
調整してある。即ち、第１樹脂層１が熱膨張係数を調整
してある場合、第２樹脂層２は溶融性シリカを８５〜７
０重量％添加して熱膨張係数を１０〜２２×１０-6／℃
にする。また、第１樹脂層１が弾性率を調整してある場
合、第２樹脂層２はシリコンを５〜１重量％添加して弾
性率を１５００〜２０００ｋｇｆ／ｍｍ2 にする。更
に、第１樹脂層１が粘度を調整してある場合、第２樹脂
層２は溶融性シリカを７０〜８５重量％添加して粘度を
１００〜７００ｐにする。
１より大きい熱膨張係数，弾性率又は粘度となるように
調整してある。即ち、第１樹脂層１が熱膨張係数を調整
してある場合、第２樹脂層２は溶融性シリカを８５〜７
０重量％添加して熱膨張係数を１０〜２２×１０-6／℃
にする。また、第１樹脂層１が弾性率を調整してある場
合、第２樹脂層２はシリコンを５〜１重量％添加して弾
性率を１５００〜２０００ｋｇｆ／ｍｍ2 にする。更
に、第１樹脂層１が粘度を調整してある場合、第２樹脂
層２は溶融性シリカを７０〜８５重量％添加して粘度を
１００〜７００ｐにする。
【００１６】これによって、第１樹脂層１にクラックが
発生した場合であっても、該クラックは第１樹脂層１と
第２樹脂層２との境界で止まり、パッケージ10による半
導体チップ４の封止は破れない。一方、前述した第２樹
脂層２は前述した如き組成であるためその耐久性が高
く、また加工・成形性も良好である。
発生した場合であっても、該クラックは第１樹脂層１と
第２樹脂層２との境界で止まり、パッケージ10による半
導体チップ４の封止は破れない。一方、前述した第２樹
脂層２は前述した如き組成であるためその耐久性が高
く、また加工・成形性も良好である。
【００１７】図２は本発明に係る半導体装置における封
止破壊の防止を説明する説明図である。第１樹脂層１の
熱膨張係数はダイパッド３の熱膨張係数に近いため、半
導体チップが発熱した場合であっても、ダイパッド３か
ら第１樹脂層１が剥離することは防止されるが、例えば
半導体チップ４が過大に発熱した場合は、ダイパッド３
の熱膨張係数と第１樹脂層１の熱膨張係数との僅かな差
によって剥離部Ｅが形成される虞がある。
止破壊の防止を説明する説明図である。第１樹脂層１の
熱膨張係数はダイパッド３の熱膨張係数に近いため、半
導体チップが発熱した場合であっても、ダイパッド３か
ら第１樹脂層１が剥離することは防止されるが、例えば
半導体チップ４が過大に発熱した場合は、ダイパッド３
の熱膨張係数と第１樹脂層１の熱膨張係数との僅かな差
によって剥離部Ｅが形成される虞がある。
【００１８】この剥離が発生すると、膨張・収縮の繰り
返しによって剥離部Ｅにおける僅かな割れ目からクラッ
クＫが成長するが、このクラックＫは第２樹脂層２に達
するとそれ以上成長し得ない。これは、第１樹脂層１と
第２樹脂層２との間でクラックＫによる応力が分散され
るからである。
返しによって剥離部Ｅにおける僅かな割れ目からクラッ
クＫが成長するが、このクラックＫは第２樹脂層２に達
するとそれ以上成長し得ない。これは、第１樹脂層１と
第２樹脂層２との間でクラックＫによる応力が分散され
るからである。
【００１９】図３は本発明の他の実施例の形態を示す模
式的正断面図であり、熱を均一に拡散するようになして
ある。半導体チップ４はダイパッド３の下面に固定して
あり、ダイパッド３の上面には該ダイパッド３の寸法よ
り少し大きい寸法である銅製の放熱板７が固定してあ
る。ダイパッド３，半導体チップ４，放熱板７，ボンデ
ィングワイヤ５，５，…及びリード６，６，…の一端側
は第１樹脂層１によって包囲されており、該第１樹脂層
１は第２樹脂層２によって包囲されている。そして、第
１樹脂層１及び第２樹脂層２は熱膨張係数，弾性率又は
粘度が前述した如く調整してある。なお、第１樹脂層１
の熱膨張係数を調整する場合、放熱板７の熱膨張係数も
考慮して行う。
式的正断面図であり、熱を均一に拡散するようになして
ある。半導体チップ４はダイパッド３の下面に固定して
あり、ダイパッド３の上面には該ダイパッド３の寸法よ
り少し大きい寸法である銅製の放熱板７が固定してあ
る。ダイパッド３，半導体チップ４，放熱板７，ボンデ
ィングワイヤ５，５，…及びリード６，６，…の一端側
は第１樹脂層１によって包囲されており、該第１樹脂層
１は第２樹脂層２によって包囲されている。そして、第
１樹脂層１及び第２樹脂層２は熱膨張係数，弾性率又は
粘度が前述した如く調整してある。なお、第１樹脂層１
の熱膨張係数を調整する場合、放熱板７の熱膨張係数も
考慮して行う。
【００２０】このような半導体装置にあっては、半導体
チップ４の熱を放熱板７に吸収しそれを第１樹脂層１へ
導伝させるため、半導体チップ４の動作特性が保証され
る。このとき、第１樹脂層１及び第２樹脂層２の熱膨張
係数，弾性率又は粘度は前述した如く調整してあるた
め、第１樹脂層１の放熱板７からの剥離及びクラックの
発生が防止される。これによって、従来より放熱効率が
高い放熱板７を用いることが可能となり、高集積されて
発熱量が多い半導体チップに対しても、比較的安価な樹
脂製のパッケージを用いてその動作特性を保証すること
ができる。
チップ４の熱を放熱板７に吸収しそれを第１樹脂層１へ
導伝させるため、半導体チップ４の動作特性が保証され
る。このとき、第１樹脂層１及び第２樹脂層２の熱膨張
係数，弾性率又は粘度は前述した如く調整してあるた
め、第１樹脂層１の放熱板７からの剥離及びクラックの
発生が防止される。これによって、従来より放熱効率が
高い放熱板７を用いることが可能となり、高集積されて
発熱量が多い半導体チップに対しても、比較的安価な樹
脂製のパッケージを用いてその動作特性を保証すること
ができる。
【００２１】図４及び図５は本発明の更に他の実施例の
形態を示す模式的正断面図であり、図４は放熱用のフィ
ンを設けた場合を、また、図５はフィンを取付け可能に
なした場合をそれぞれ示している。図４の如く、放熱板
７上には平板状のフィン８，８，８が互いに所定距離を
隔てて放熱板７と直角に設けてあり、各フィン８，８，
８は第１樹脂層１及び第２樹脂層２を貫通してパッケー
ジ10の外に突出させてある。
形態を示す模式的正断面図であり、図４は放熱用のフィ
ンを設けた場合を、また、図５はフィンを取付け可能に
なした場合をそれぞれ示している。図４の如く、放熱板
７上には平板状のフィン８，８，８が互いに所定距離を
隔てて放熱板７と直角に設けてあり、各フィン８，８，
８は第１樹脂層１及び第２樹脂層２を貫通してパッケー
ジ10の外に突出させてある。
【００２２】また、図５の如く、放熱板７上には熱伝導
率が高いフィン支持棒９，９，９が互いに所定距離を隔
てて起立して設けてあり、各フィン支持棒９，９，９は
第１樹脂層１及び第２樹脂層２を貫通してパッケージ10
の外に突出させてある。フィン支持棒９，９，９の突出
した部分には螺合部9a，9a，9aがそれぞれ形成してあ
り、該螺合部9a，9a，9aにフィン（図示せず）を螺着す
ることによって放熱効率を向上させる。
率が高いフィン支持棒９，９，９が互いに所定距離を隔
てて起立して設けてあり、各フィン支持棒９，９，９は
第１樹脂層１及び第２樹脂層２を貫通してパッケージ10
の外に突出させてある。フィン支持棒９，９，９の突出
した部分には螺合部9a，9a，9aがそれぞれ形成してあ
り、該螺合部9a，9a，9aにフィン（図示せず）を螺着す
ることによって放熱効率を向上させる。
【００２３】このような半導体装置にあっては、フィン
８，８，８のパッケージ10から突出した部分，又はフィ
ン支持棒９，９，９の螺合部9a，9a，9aが急冷されるた
め、第２樹脂層２がフィン８，８，８又はフィン支持棒
９，９，９から剥離してクラックが発生する虞がある
が、該クラックは第２樹脂層２と第１樹脂層１との境界
で止まり、第１樹脂層１の内部まで進入しない。
８，８，８のパッケージ10から突出した部分，又はフィ
ン支持棒９，９，９の螺合部9a，9a，9aが急冷されるた
め、第２樹脂層２がフィン８，８，８又はフィン支持棒
９，９，９から剥離してクラックが発生する虞がある
が、該クラックは第２樹脂層２と第１樹脂層１との境界
で止まり、第１樹脂層１の内部まで進入しない。
【００２４】なお、上述した実施例の形態にあっては第
１樹脂層及び第２樹脂層の２層構造にしてあるが、本発
明はこれに限らず、３層以上の多層構造にしてもよい。
この場合、外側の樹脂層より内側の樹脂層の方が熱膨張
率，弾性率又は粘度を低くする。これによって、クラッ
クによってパッケージの封止が破れることを更に防止す
ることができる。
１樹脂層及び第２樹脂層の２層構造にしてあるが、本発
明はこれに限らず、３層以上の多層構造にしてもよい。
この場合、外側の樹脂層より内側の樹脂層の方が熱膨張
率，弾性率又は粘度を低くする。これによって、クラッ
クによってパッケージの封止が破れることを更に防止す
ることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述した如く第１〜第３発明に係る
半導体装置にあっては、樹脂の剥離及びクラックによっ
て樹脂製のパッケージの封止が破れることが防止される
ため、半導体装置の信頼性及び耐久性が向上する。
半導体装置にあっては、樹脂の剥離及びクラックによっ
て樹脂製のパッケージの封止が破れることが防止される
ため、半導体装置の信頼性及び耐久性が向上する。
【００２６】第４及び第５発明に係る半導体装置にあっ
ては、従来より放熱効率が高い放熱板を封入し、また樹
脂製のパッケージの外に突出するフィン等を設けて放熱
効率を更に向上させても、樹脂製のパッケージによる封
止が破れることが防止される。このため、より高集積さ
れて発熱量が多い半導体チップに対しても樹脂製のパッ
ケージで対応することができ、低いコストで半導体装置
を製造することができる等、本発明は優れた効果を奏す
る。
ては、従来より放熱効率が高い放熱板を封入し、また樹
脂製のパッケージの外に突出するフィン等を設けて放熱
効率を更に向上させても、樹脂製のパッケージによる封
止が破れることが防止される。このため、より高集積さ
れて発熱量が多い半導体チップに対しても樹脂製のパッ
ケージで対応することができ、低いコストで半導体装置
を製造することができる等、本発明は優れた効果を奏す
る。
【図１】 本発明に係る半導体装置を示す模式的正断面
図である。
図である。
【図２】 本発明に係る半導体装置における封止破壊の
防止を説明する説明図である。
防止を説明する説明図である。
【図３】 本発明の他の実施例の形態を示す模式的正断
面図である。
面図である。
【図４】 本発明の更に他の実施例の形態を示す模式的
正断面図である。
正断面図である。
【図５】 本発明の更に他の実施例の形態を示す模式的
正断面図である。
正断面図である。
【図６】 半導体チップを樹脂製のパッケージで封止し
た従来の半導体装置を示す模式的正断面図である。
た従来の半導体装置を示す模式的正断面図である。
１ 第１樹脂層、２ 第２樹脂層、３ ダイパッド、４
半導体チップ、６ リード、７ 放熱板、８ フィ
ン、９ フィン支持棒。
半導体チップ、６ リード、７ 放熱板、８ フィ
ン、９ フィン支持棒。
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体チップを樹脂製のパッケージで封
止してある半導体装置において、 前記パッケージは、前記半導体チップを包囲する複数の
樹脂層を備えており、内側の樹脂層は外側の樹脂層より
膨張率を低くしてあることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体チップを樹脂製のパッケージで封
止してある半導体装置において、 前記パッケージは、前記半導体チップを包囲する複数の
樹脂層を備えており、内側の樹脂層は外側の樹脂層より
弾性率を低くしてあることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 半導体チップを樹脂製のパッケージで封
止してある半導体装置において、 前記パッケージは、前記半導体チップを包囲する複数の
樹脂層を備えており、内側の樹脂層は外側の樹脂層より
粘度を低くしてあることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 前記半導体チップの近傍には放熱部材が
設けてある請求項１，請求項２又は請求項３記載の半導
体装置。 - 【請求項５】 前記放熱部材には熱導伝部材の一端が接
続しており、該熱導伝部材の他端はパッケージから突出
している請求項４記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7177682A JPH0927573A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7177682A JPH0927573A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0927573A true JPH0927573A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=16035269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7177682A Pending JPH0927573A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0927573A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006245989A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| US7170188B2 (en) | 2004-06-30 | 2007-01-30 | Intel Corporation | Package stress management |
| US7425727B2 (en) | 2004-09-16 | 2008-09-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device, method for fabricating the same, lead frame and electronic equipment |
| US7435625B2 (en) * | 2005-10-24 | 2008-10-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device with reduced package cross-talk and loss |
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| JP2011210759A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Casio Computer Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2015095655A (ja) * | 2013-11-14 | 2015-05-18 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| WO2016074176A1 (en) * | 2014-11-12 | 2016-05-19 | Intel Corporation | Flexible system-in-package solutions for wearable devices |
| CN106711098A (zh) * | 2016-12-10 | 2017-05-24 | 无锡中微高科电子有限公司 | Ic塑料封装结构及其制备方法 |
-
1995
- 1995-07-13 JP JP7177682A patent/JPH0927573A/ja active Pending
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| CN106711098A (zh) * | 2016-12-10 | 2017-05-24 | 无锡中微高科电子有限公司 | Ic塑料封装结构及其制备方法 |
| CN106711098B (zh) * | 2016-12-10 | 2019-04-12 | 无锡中微高科电子有限公司 | Ic塑料封装结构及其制备方法 |
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