JPH0927656A - リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法 - Google Patents
リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法Info
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- JPH0927656A JPH0927656A JP17530095A JP17530095A JPH0927656A JP H0927656 A JPH0927656 A JP H0927656A JP 17530095 A JP17530095 A JP 17530095A JP 17530095 A JP17530095 A JP 17530095A JP H0927656 A JPH0927656 A JP H0927656A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 8
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 閾電流値が低く、発光効率が高いリッジウェ
イブガイド半導体レーザの製造方法を提供する。 【構成】 ｎ−ＩｎＰ基板１１上にＳｉＯ2 マスク１２
を形成し、エッチングを行いメサストライプ１１Ａを形
成する。そのメサストライプ１１Ａの両側に、高抵抗層
１３を埋め込み成長により、素子を平坦にする。次に、
ＳｉＯ2 マスク１２を除去した後、ｎ−ＩｎＰクラッド
層１４と、活性層１５と、ｐ−ＩｎＰクラッド層１６
と、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１７を順次成長さ
せる。次に、ＳｉＯ2 ストライプマスクを形成し、エッ
チングによりリッジ１８を形成する。次に、ＳｉＯ2 絶
縁膜１９を全面に形成後、リッジ１８の上部にのみ窓１
９Ａを形成し、ｐ側電極２０を形成する。ｎ−ＩｎＰ基
板１１側にはｎ側電極２１を形成する。このようにし
て、リッジウェイブガイド半導体レーザの活性層１５の
下に高抵抗電流ブロック層を導入する。
イブガイド半導体レーザの製造方法を提供する。 【構成】 ｎ−ＩｎＰ基板１１上にＳｉＯ2 マスク１２
を形成し、エッチングを行いメサストライプ１１Ａを形
成する。そのメサストライプ１１Ａの両側に、高抵抗層
１３を埋め込み成長により、素子を平坦にする。次に、
ＳｉＯ2 マスク１２を除去した後、ｎ−ＩｎＰクラッド
層１４と、活性層１５と、ｐ−ＩｎＰクラッド層１６
と、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１７を順次成長さ
せる。次に、ＳｉＯ2 ストライプマスクを形成し、エッ
チングによりリッジ１８を形成する。次に、ＳｉＯ2 絶
縁膜１９を全面に形成後、リッジ１８の上部にのみ窓１
９Ａを形成し、ｐ側電極２０を形成する。ｎ−ＩｎＰ基
板１１側にはｎ側電極２１を形成する。このようにし
て、リッジウェイブガイド半導体レーザの活性層１５の
下に高抵抗電流ブロック層を導入する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信用の光源として
用いるリッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法に
関するものである。
用いるリッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のリッジウェイブガイド半
導体レーザには、例えば、『Ｓｉｎｇｌｅ−ｍｏｄｅ
Ｃ．Ｗ．Ｒｉｄｇｅ−ｗａｖｅｇｕｉｄｅ Ｌａｓｅｒ
Ｅｍｉｔｔｉｎｇ ａｔ １．５５μｍ』 Ｉ．Ｐ．
Ｋａｍｉｎｏｗ，Ｒ．Ｅ．Ｎａｈｏｒｙ，Ｍ．Ａ．Ｐｏ
ｌｌａｃｋ，Ｌ．Ｗ．Ｓｔｕｌｚ，ａｎｄ Ｊ．Ｃ．Ｄ
ｅｗｉｎｔｅｒ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ Ｖｏｌ．１５（１９７９）Ｐ．７６３〜７６５に
開示されるものがあり、以下に説明する。
導体レーザには、例えば、『Ｓｉｎｇｌｅ−ｍｏｄｅ
Ｃ．Ｗ．Ｒｉｄｇｅ−ｗａｖｅｇｕｉｄｅ Ｌａｓｅｒ
Ｅｍｉｔｔｉｎｇ ａｔ １．５５μｍ』 Ｉ．Ｐ．
Ｋａｍｉｎｏｗ，Ｒ．Ｅ．Ｎａｈｏｒｙ，Ｍ．Ａ．Ｐｏ
ｌｌａｃｋ，Ｌ．Ｗ．Ｓｔｕｌｚ，ａｎｄ Ｊ．Ｃ．Ｄ
ｅｗｉｎｔｅｒ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ Ｖｏｌ．１５（１９７９）Ｐ．７６３〜７６５に
開示されるものがあり、以下に説明する。
【０００３】図２は上記文献に示される従来のリッジウ
ェイブガイド半導体レーザの断面図である。この図に示
すように、ｎ−ＩｎＰ基板１上に、ｎ−ＩｎＰクラッド
層２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰバ
ッファ層４、ｐ−ＩｎＰクラッド層５、ｐ−ＩｎＧａＡ
ｓＰキャップ層６を成長させる。
ェイブガイド半導体レーザの断面図である。この図に示
すように、ｎ−ＩｎＰ基板１上に、ｎ−ＩｎＰクラッド
層２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰバ
ッファ層４、ｐ−ＩｎＰクラッド層５、ｐ−ＩｎＧａＡ
ｓＰキャップ層６を成長させる。
【０００４】次に、両端に幅Ｖの開口部（谷部）１０を
持つリッジ用の幅Ｗのマスクを形成し、ＨＣｌ＋Ｈ3 Ｐ
Ｏ4 のエッチャントによりリッジ９を形成する。この
時、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰバッファ層４がエッチングスト
ップ層となる。次に、ＳｉＯ2絶縁膜７をスパッタによ
り全面につけた後、リッジの部分にのみ窓を作る。最後
にｐ側電極８を形成する。
持つリッジ用の幅Ｗのマスクを形成し、ＨＣｌ＋Ｈ3 Ｐ
Ｏ4 のエッチャントによりリッジ９を形成する。この
時、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰバッファ層４がエッチングスト
ップ層となる。次に、ＳｉＯ2絶縁膜７をスパッタによ
り全面につけた後、リッジの部分にのみ窓を作る。最後
にｐ側電極８を形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のリッジウェイブガイド半導体レーザでは、活性
層３の下側で電流の狭窄を行っていないために、電極か
ら注入された電流が活性層３付近で広がり、閾電流値が
高く、発光効率が悪くなる。本発明は、上記問題点を除
去し、閾電流値が低く、発光効率が高いリッジウェイブ
ガイド半導体レーザの製造方法を提供することを目的と
する。
た従来のリッジウェイブガイド半導体レーザでは、活性
層３の下側で電流の狭窄を行っていないために、電極か
ら注入された電流が活性層３付近で広がり、閾電流値が
高く、発光効率が悪くなる。本発明は、上記問題点を除
去し、閾電流値が低く、発光効率が高いリッジウェイブ
ガイド半導体レーザの製造方法を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、リッジウェイブガイド半導体レーザの製
造方法において、第１導電型ＩｎＰ基板上にマスクを形
成し、エッチングを行いメサストライプを形成する工程
と、このメサストライプの両側に高抵抗層を埋め込み平
坦にする工程と、第１導電型ＩｎＰクラッド層と、活性
層と、第２導電型ＩｎＰクラッド層と、第２導電型Ｉｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層を順次成長させる工程と、スト
ライプマスクを形成し、エッチングによりリッジを形成
する工程と、絶縁膜を全面に形成後、前記リッジの上部
にのみ窓を形成し電極を形成する工程とを施すようにし
たものである。
成するために、リッジウェイブガイド半導体レーザの製
造方法において、第１導電型ＩｎＰ基板上にマスクを形
成し、エッチングを行いメサストライプを形成する工程
と、このメサストライプの両側に高抵抗層を埋め込み平
坦にする工程と、第１導電型ＩｎＰクラッド層と、活性
層と、第２導電型ＩｎＰクラッド層と、第２導電型Ｉｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層を順次成長させる工程と、スト
ライプマスクを形成し、エッチングによりリッジを形成
する工程と、絶縁膜を全面に形成後、前記リッジの上部
にのみ窓を形成し電極を形成する工程とを施すようにし
たものである。
【０００７】
【作用】本発明によれば、上記したように、ｎ−ＩｎＰ
基板上にＳｉＯ2 マスクを形成し、エッチングを行いメ
サストライプを形成する。そのメサストライプの両側
に、高抵抗層を埋め込み成長させ、素子を平坦にする。
次に、ｎ−ＩｎＰクラッド層と、活性層と、ｐ−ＩｎＰ
クラッド層と、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層を順次
成長させる。次に、ＳｉＯ2 ストライプマスクを形成
し、エッチングによりリッジを形成する。次に、ＳｉＯ
2 絶縁膜を全面に形成後、リッジの上部にのみ窓を形成
し電極を形成する。
基板上にＳｉＯ2 マスクを形成し、エッチングを行いメ
サストライプを形成する。そのメサストライプの両側
に、高抵抗層を埋め込み成長させ、素子を平坦にする。
次に、ｎ−ＩｎＰクラッド層と、活性層と、ｐ−ＩｎＰ
クラッド層と、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層を順次
成長させる。次に、ＳｉＯ2 ストライプマスクを形成
し、エッチングによりリッジを形成する。次に、ＳｉＯ
2 絶縁膜を全面に形成後、リッジの上部にのみ窓を形成
し電極を形成する。
【０００８】このようにして、リッジウェイブガイド半
導体レーザの活性層の下に高抵抗電流ブロック層を導入
することにより、閾電流値の低減、発光効率の向上を図
ることができる。
導体レーザの活性層の下に高抵抗電流ブロック層を導入
することにより、閾電流値の低減、発光効率の向上を図
ることができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すリ
ッジウェイブガイド半導体レーザの製造工程断面図であ
る。 （１）まず、図１（ａ）に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板
１１上に、幅Ｗ１のＳｉＯ2 マスク１２を形成し、エッ
チングを行いメサストライプ１１Ａを形成する。ここ
で、幅Ｗ１は狭い方が良いが、Ｗ２〔図１（ｄ）参照〕
よりも広くする。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すリ
ッジウェイブガイド半導体レーザの製造工程断面図であ
る。 （１）まず、図１（ａ）に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板
１１上に、幅Ｗ１のＳｉＯ2 マスク１２を形成し、エッ
チングを行いメサストライプ１１Ａを形成する。ここ
で、幅Ｗ１は狭い方が良いが、Ｗ２〔図１（ｄ）参照〕
よりも広くする。
【００１０】（２）次に、図１（ｂ）に示すように、そ
のメサストライプ１１Ａの両側に高抵抗層１３を埋め込
み成長させ、素子を平坦にする。 （３）次いで、図１（ｃ）に示すように、ＳｉＯ2 マス
ク１２を除去した後、ｎ−ＩｎＰクラッド層１４、活性
層１５、ｐ−ＩｎＰクラッド層１６、ｐ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐコンタクト層１７を成長させる。
のメサストライプ１１Ａの両側に高抵抗層１３を埋め込
み成長させ、素子を平坦にする。 （３）次いで、図１（ｃ）に示すように、ＳｉＯ2 マス
ク１２を除去した後、ｎ−ＩｎＰクラッド層１４、活性
層１５、ｐ−ＩｎＰクラッド層１６、ｐ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐコンタクト層１７を成長させる。
【００１１】（４）次いで、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタ
クト層１７上に、幅Ｗ２のＳｉＯ2ストライプマスク
（図示なし）を形成し、図１（ｄ）に示すように、エッ
チングにより、幅Ｗ２のリッジ１８を形成する。この
時、幅Ｗ２は横モードとなるようにする。次に、ＳｉＯ
2 絶縁膜１９を全面に形成する。 （５）最後に、図１（ｅ）に示すように、リッジ１８の
上部にのみ窓１９Ａを形成した後、ｐ側電極２０を形成
し、ｎ−ＩｎＰ基板１１側にはｎ側電極２１を形成す
る。
クト層１７上に、幅Ｗ２のＳｉＯ2ストライプマスク
（図示なし）を形成し、図１（ｄ）に示すように、エッ
チングにより、幅Ｗ２のリッジ１８を形成する。この
時、幅Ｗ２は横モードとなるようにする。次に、ＳｉＯ
2 絶縁膜１９を全面に形成する。 （５）最後に、図１（ｅ）に示すように、リッジ１８の
上部にのみ窓１９Ａを形成した後、ｐ側電極２０を形成
し、ｎ−ＩｎＰ基板１１側にはｎ側電極２１を形成す
る。
【００１２】そこで、図１（ｅ）において、リッジウェ
イブガイド半導体レーザのｐ側電極２０側が＋になるよ
うにバイアスをかけると、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタク
ト層１７から、ｎ−ＩｎＰ基板１１へ向けて電流が流
れ、レーザ発振する。なお、本発明は上記実施例に限定
されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変
形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するも
のではない。
イブガイド半導体レーザのｐ側電極２０側が＋になるよ
うにバイアスをかけると、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタク
ト層１７から、ｎ−ＩｎＰ基板１１へ向けて電流が流
れ、レーザ発振する。なお、本発明は上記実施例に限定
されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変
形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するも
のではない。
【００１３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、リッジウェイブガイド半導体レーザにおいて、
活性層の下に高抵抗電流ブロック層を導入することによ
り、閾電流値の低減、発光効率の向上を図ることができ
る。
よれば、リッジウェイブガイド半導体レーザにおいて、
活性層の下に高抵抗電流ブロック層を導入することによ
り、閾電流値の低減、発光効率の向上を図ることができ
る。
【図１】本発明の実施例を示すリッジウェイブガイド半
導体レーザの製造工程断面図である。
導体レーザの製造工程断面図である。
【図２】従来のリッジウェイブガイド半導体レーザの断
面図である。
面図である。
１１ ｎ−ＩｎＰ基板 １１Ａ メサストライプ １２ ＳｉＯ2 マスク １３ 高抵抗層 １４ ｎ−ＩｎＰクラッド層 １５ 活性層 １６ ｐ−ＩｎＰクラッド層 １７ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 １８ リッジ １９ ＳｉＯ2 絶縁膜 １９Ａ 窓 ２０ ｐ側電極 ２１ ｎ側電極
フロントページの続き (72)発明者 八重樫 浩樹 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 リッジウェイブガイド半導体レーザの製
造方法において、（ａ）第１導電型ＩｎＰ基板上にマス
クを形成し、エッチングを行いメサストライプを形成す
る工程と、（ｂ）該メサストライプの両側に高抵抗層を
埋め込み平坦にする工程と、（ｃ）第１導電型ＩｎＰク
ラッド層と、活性層と、第２導電型ＩｎＰクラッド層
と、第２導電型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層を順次成長
させる工程と、（ｄ）ストライプマスクを形成し、エッ
チングによりリッジを形成する工程と、（ｅ）絶縁膜を
全面に形成後、前記リッジの上部にのみ窓を形成し電極
を形成する工程とを施すことを特徴とするリッジウェイ
ブガイド半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17530095A JPH0927656A (ja) | 1995-07-12 | 1995-07-12 | リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17530095A JPH0927656A (ja) | 1995-07-12 | 1995-07-12 | リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0927656A true JPH0927656A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=15993692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17530095A Withdrawn JPH0927656A (ja) | 1995-07-12 | 1995-07-12 | リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0927656A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2840689A1 (fr) * | 2002-06-06 | 2003-12-12 | Silios Technologies | Guide d'onde comportant un canal et une couche d'adaptation |
| CN102304818A (zh) * | 2011-04-29 | 2012-01-04 | 浙江海森纺机科技有限公司 | 一种无结渔网机上的交叉座 |
| CN102433681A (zh) * | 2011-09-02 | 2012-05-02 | 浙江海森纺机科技有限公司 | 一种无结渔网机上的阀门零件 |
| CN102433682A (zh) * | 2011-09-20 | 2012-05-02 | 浙江海森纺机科技有限公司 | 一种无结渔网机上的压线连杆 |
| CN105826814A (zh) * | 2016-05-19 | 2016-08-03 | 中国科学院半导体研究所 | 磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法 |
-
1995
- 1995-07-12 JP JP17530095A patent/JPH0927656A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2840689A1 (fr) * | 2002-06-06 | 2003-12-12 | Silios Technologies | Guide d'onde comportant un canal et une couche d'adaptation |
| WO2003104865A3 (fr) * | 2002-06-06 | 2006-04-20 | Silios Technologies | Guide d'onde optique comportant un canal et une couche d'adaptation |
| CN102304818A (zh) * | 2011-04-29 | 2012-01-04 | 浙江海森纺机科技有限公司 | 一种无结渔网机上的交叉座 |
| CN102433681A (zh) * | 2011-09-02 | 2012-05-02 | 浙江海森纺机科技有限公司 | 一种无结渔网机上的阀门零件 |
| CN102433682A (zh) * | 2011-09-20 | 2012-05-02 | 浙江海森纺机科技有限公司 | 一种无结渔网机上的压线连杆 |
| CN105826814A (zh) * | 2016-05-19 | 2016-08-03 | 中国科学院半导体研究所 | 磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021001 |