JPH09281145A - 異方性導電材を有する検査治具及びその製造方法 - Google Patents
異方性導電材を有する検査治具及びその製造方法Info
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- JPH09281145A JPH09281145A JP9239896A JP9239896A JPH09281145A JP H09281145 A JPH09281145 A JP H09281145A JP 9239896 A JP9239896 A JP 9239896A JP 9239896 A JP9239896 A JP 9239896A JP H09281145 A JPH09281145 A JP H09281145A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】配線回路基板の検査において、被検査体の電極
に検査痕を残さないで、被検査体と検査治具との位置合
わせを改良した検査治具を提供する。 【解決手段】絶縁性基板の一方の面に検査用の端子電極
が、もう一方の面に配線回路が形成されており、前記端
子電極は前記配線回路と電気的に接続された配線回路基
板において、前記配線回路基板の前記端子電極にループ
状のワイヤを少なくとも１個以上形成し、前記ループ状
のワイヤの高さ以上の厚みの絶縁樹脂層を形成した後前
記ループ状のワイヤが露出するまで前記絶縁樹脂層の表
面樹脂を除去して、露出した前記ループ状のワイヤの先
端を検査電極とすることを特徴とする異方性導電材を有
する検査治具としたものである。
に検査痕を残さないで、被検査体と検査治具との位置合
わせを改良した検査治具を提供する。 【解決手段】絶縁性基板の一方の面に検査用の端子電極
が、もう一方の面に配線回路が形成されており、前記端
子電極は前記配線回路と電気的に接続された配線回路基
板において、前記配線回路基板の前記端子電極にループ
状のワイヤを少なくとも１個以上形成し、前記ループ状
のワイヤの高さ以上の厚みの絶縁樹脂層を形成した後前
記ループ状のワイヤが露出するまで前記絶縁樹脂層の表
面樹脂を除去して、露出した前記ループ状のワイヤの先
端を検査電極とすることを特徴とする異方性導電材を有
する検査治具としたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の実装基
板や半導体集積回路素子の実装用基板ならびに半導体装
置の検査用治具に関するものである。
板や半導体集積回路素子の実装用基板ならびに半導体装
置の検査用治具に関するものである。
【０００２】
【従来技術】近年、電子機器の高機能、高性能化要求に
対応して半導体装置の入出力端子電極数が増加し、その
ピッチもますます微細化している。従来、半導体装置実
装用基板に代表される配線回路基板の電気的検査には、
針状の電極を配線基板の電極部に接触させ、電気的な導
通を確保していた。
対応して半導体装置の入出力端子電極数が増加し、その
ピッチもますます微細化している。従来、半導体装置実
装用基板に代表される配線回路基板の電気的検査には、
針状の電極を配線基板の電極部に接触させ、電気的な導
通を確保していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の配線回路基板の
検査方法では、マルチ・チップ・モジュール（複数の集
積回路素子を半導体装置内に納める方法）用の基板に代
表される高精細・高密度の配線回路基板には対応するこ
とが困難な状況にある。また、従来の検査方法では針状
の電極を基板に接触させるため、検査後の基板に検査痕
が残るという問題があった。また、被検査体と検査治具
との位置合わせが非常に困難な状況にある。
検査方法では、マルチ・チップ・モジュール（複数の集
積回路素子を半導体装置内に納める方法）用の基板に代
表される高精細・高密度の配線回路基板には対応するこ
とが困難な状況にある。また、従来の検査方法では針状
の電極を基板に接触させるため、検査後の基板に検査痕
が残るという問題があった。また、被検査体と検査治具
との位置合わせが非常に困難な状況にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明において上記課題
を解決するために、まず請求項１においては、絶縁性基
板の一方の面に検査用の端子電極が、もう一方の面に配
線回路が形成されており、前記端子電極は前記配線回路
と電気的に接続された配線回路基板において、前記配線
回路基板の前記端子電極にループ状のワイヤを少なくと
も１個以上形成し、前記ループ状のワイヤの高さ以上の
厚みの絶縁樹脂層を形成した後前記ループ状のワイヤが
露出するまで前記絶縁樹脂層の表面樹脂を除去して、露
出した前記ループ状のワイヤの先端を検査電極とするこ
とを特徴とする異方性導電材を有する検査治具としたも
のである。
を解決するために、まず請求項１においては、絶縁性基
板の一方の面に検査用の端子電極が、もう一方の面に配
線回路が形成されており、前記端子電極は前記配線回路
と電気的に接続された配線回路基板において、前記配線
回路基板の前記端子電極にループ状のワイヤを少なくと
も１個以上形成し、前記ループ状のワイヤの高さ以上の
厚みの絶縁樹脂層を形成した後前記ループ状のワイヤが
露出するまで前記絶縁樹脂層の表面樹脂を除去して、露
出した前記ループ状のワイヤの先端を検査電極とするこ
とを特徴とする異方性導電材を有する検査治具としたも
のである。
【０００５】また、請求項２においては、下記の（ａ）
〜（ｄ）の一連の工程からなる請求項１記載の異方性導
電材を有する検査治具の製造方法としたものである。 （ａ）前記配線回路基板の前記端子電極にボンディング
性の良好な金属膜を形成する工程。 （ｂ）前記端子電極に形成された前記金属膜にワイヤボ
ンディングによってループ状のワイヤを少なくとも１個
以上形成する工程。 （ｃ）前記ループ状のワイヤが形成された前記端子電極
上に前記ループ状のワイヤの高さ以上の厚みの前記絶縁
樹脂層を形成する工程。 （ｄ）前記ループ状のワイヤが露出するまで前記絶縁樹
脂層の表面樹脂を除去する工程。
〜（ｄ）の一連の工程からなる請求項１記載の異方性導
電材を有する検査治具の製造方法としたものである。 （ａ）前記配線回路基板の前記端子電極にボンディング
性の良好な金属膜を形成する工程。 （ｂ）前記端子電極に形成された前記金属膜にワイヤボ
ンディングによってループ状のワイヤを少なくとも１個
以上形成する工程。 （ｃ）前記ループ状のワイヤが形成された前記端子電極
上に前記ループ状のワイヤの高さ以上の厚みの前記絶縁
樹脂層を形成する工程。 （ｄ）前記ループ状のワイヤが露出するまで前記絶縁樹
脂層の表面樹脂を除去する工程。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１に本発明の検査治具の部分断面図を示
し、図２（ａ）〜（ｄ）に本発明の検査治具の実施例の
製造工程を示す部分断面図を示し、図３（ａ）〜（ｃ）
に本発明の検査治具の実施例の製造工程を示す斜視図を
示す。
て説明する。図１に本発明の検査治具の部分断面図を示
し、図２（ａ）〜（ｄ）に本発明の検査治具の実施例の
製造工程を示す部分断面図を示し、図３（ａ）〜（ｃ）
に本発明の検査治具の実施例の製造工程を示す斜視図を
示す。
【０００７】両面銅張り積層板の一方の面に検査用の端
子電極１０を、もう一方の面に配線回路１３を形成し、
端子電極１０と配線回路１３はスルーホール１２で電気
的に接続された配線回路基板１を作製する（図２（ａ）
参照）。
子電極１０を、もう一方の面に配線回路１３を形成し、
端子電極１０と配線回路１３はスルーホール１２で電気
的に接続された配線回路基板１を作製する（図２（ａ）
参照）。
【０００８】配線回路基板１の端子電極１０上にボンデ
ィング性の良好な金属膜を形成するため、無電解ニッケ
ルめっきならびに金めっきを行う。最初に、無電解ニッ
ケルめっきを用いて、端子電極１０上にニッケル膜を形
成する。めっき厚は１μｍ程度析出させることが望まし
い。次に、９０℃に加熱した無電解金めっき液（ＥＬＧ
Ｂ５１１：上村工業（株）製）に１０分間浸せきするこ
とで、０．１μｍの金めっき膜を形成し、端子電極１０
上にニッケルめっき膜と金めっき膜の２層膜からなる金
属膜を作製する。
ィング性の良好な金属膜を形成するため、無電解ニッケ
ルめっきならびに金めっきを行う。最初に、無電解ニッ
ケルめっきを用いて、端子電極１０上にニッケル膜を形
成する。めっき厚は１μｍ程度析出させることが望まし
い。次に、９０℃に加熱した無電解金めっき液（ＥＬＧ
Ｂ５１１：上村工業（株）製）に１０分間浸せきするこ
とで、０．１μｍの金めっき膜を形成し、端子電極１０
上にニッケルめっき膜と金めっき膜の２層膜からなる金
属膜を作製する。
【０００９】配線回路基板１の端子電極１０上の金属膜
に、ワイヤボンディングマシン（ＵＴＣ−５０：新川
（株）製）を用いて、金線をボンディング接合して、ル
ープ状のワイヤ１４を複数個形成する（図２（ｂ）及び
図３（ａ）参照）。
に、ワイヤボンディングマシン（ＵＴＣ−５０：新川
（株）製）を用いて、金線をボンディング接合して、ル
ープ状のワイヤ１４を複数個形成する（図２（ｂ）及び
図３（ａ）参照）。
【００１０】ループ状のワイヤ１４を形成した後、絶縁
性樹脂（プロビマー：チバガイギ（株）製）をカーテン
コーター等によって配線回路基板上にコーティングし、
絶縁樹脂層１５を形成する（図２（ｃ）及び図３（ｂ）
参照）。絶縁樹脂層１５はループ状のワイヤ１４が絶縁
性樹脂で完全に覆われる厚さに設定する。
性樹脂（プロビマー：チバガイギ（株）製）をカーテン
コーター等によって配線回路基板上にコーティングし、
絶縁樹脂層１５を形成する（図２（ｃ）及び図３（ｂ）
参照）。絶縁樹脂層１５はループ状のワイヤ１４が絶縁
性樹脂で完全に覆われる厚さに設定する。
【００１１】絶縁樹脂層１５を形成した後、ループ状の
ワイヤ１４が露出するまで樹脂層を研磨機によって研磨
し、ループ状のワイヤの先端部１４ａを検査電極とする
検査治具が得られる（図２（ｄ）及び図３（ｃ）参
照）。
ワイヤ１４が露出するまで樹脂層を研磨機によって研磨
し、ループ状のワイヤの先端部１４ａを検査電極とする
検査治具が得られる（図２（ｄ）及び図３（ｃ）参
照）。
【００１２】本発明の検査治具では、端子電極の絶縁樹
脂層に形成された異方性導電材によって被検査体の電極
（ボール・グリッド・アレイ用）との接触を得るように
したため、被検査体の電極に検査痕が残らず、高精細、
高密度の配線基板の検査に用いることができる。さら
に、異方性導電材を複数本使用しているため、若干位置
ずれを起こしても複数本のいずれかの異方性導電材が被
検査体の電極と接触するため、アライメント精度が緩和
される。
脂層に形成された異方性導電材によって被検査体の電極
（ボール・グリッド・アレイ用）との接触を得るように
したため、被検査体の電極に検査痕が残らず、高精細、
高密度の配線基板の検査に用いることができる。さら
に、異方性導電材を複数本使用しているため、若干位置
ずれを起こしても複数本のいずれかの異方性導電材が被
検査体の電極と接触するため、アライメント精度が緩和
される。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照しながら実施例により本発
明を詳細に説明する。
明を詳細に説明する。
【００１４】ガラスエポキシの絶縁性基板１１に厚さ１
８μｍの銅箔が貼着された両面銅張積層板を用いて、両
面の銅箔をフォトリソグラフィー工程によってパターニ
ングして、一方の面に端子電極１０、もう一方の面に配
線回路１３を形成し、端子電極１０と配線回路１３をス
ルーホール１２にて電気的導通を計った配線回路基板１
を作製した（図２（ａ）参照）。
８μｍの銅箔が貼着された両面銅張積層板を用いて、両
面の銅箔をフォトリソグラフィー工程によってパターニ
ングして、一方の面に端子電極１０、もう一方の面に配
線回路１３を形成し、端子電極１０と配線回路１３をス
ルーホール１２にて電気的導通を計った配線回路基板１
を作製した（図２（ａ）参照）。
【００１５】配線回路基板１の端子電極１０上にボンデ
ィング性の良好な金属膜を形成するため、無電解ニッケ
ルめっきならびに金めっきを行う。まず、配線回路基板
１をアルカリ脱脂液（エースクリーン：奥野製薬工業
（株）製）にて７０℃、３０分間脱脂し、洗浄する。そ
の後、１０容量％の塩酸溶液により３０秒間酸洗し、塩
化パラジウム溶液（塩酸５容量％＋塩化パラジウム０．
３ｇ／ｌ）に１０秒間浸せきし、洗浄する。その後９０
℃に加熱した無電解ニッケルめっき液（ニムデンＬＰ
Ｘ：上村工業（株）製）に１０分間浸せきすることで１
μｍ厚のニッケル膜を形成した。次に、９０℃に加熱し
た無電解金めっき液（ＥＬＧＢ５１１：上村工業（株）
製）に１０分間浸せきすることで、０．１μｍの金めっ
き膜を形成し、端子電極１０上にニッケルめっき膜と金
めっき膜の２層膜からなる金属膜を作製した。
ィング性の良好な金属膜を形成するため、無電解ニッケ
ルめっきならびに金めっきを行う。まず、配線回路基板
１をアルカリ脱脂液（エースクリーン：奥野製薬工業
（株）製）にて７０℃、３０分間脱脂し、洗浄する。そ
の後、１０容量％の塩酸溶液により３０秒間酸洗し、塩
化パラジウム溶液（塩酸５容量％＋塩化パラジウム０．
３ｇ／ｌ）に１０秒間浸せきし、洗浄する。その後９０
℃に加熱した無電解ニッケルめっき液（ニムデンＬＰ
Ｘ：上村工業（株）製）に１０分間浸せきすることで１
μｍ厚のニッケル膜を形成した。次に、９０℃に加熱し
た無電解金めっき液（ＥＬＧＢ５１１：上村工業（株）
製）に１０分間浸せきすることで、０．１μｍの金めっ
き膜を形成し、端子電極１０上にニッケルめっき膜と金
めっき膜の２層膜からなる金属膜を作製した。
【００１６】配線回路基板１の端子電極１０上の金属膜
にワイヤボンデングマシン（ＵＴＣ−５０：新川（株）
製）にて、金線をボンディング接合して、ループ状のワ
イヤ１４を複数個形成した（図２（ｂ）及び図３（ａ）
参照）。
にワイヤボンデングマシン（ＵＴＣ−５０：新川（株）
製）にて、金線をボンディング接合して、ループ状のワ
イヤ１４を複数個形成した（図２（ｂ）及び図３（ａ）
参照）。
【００１７】ループ状のワイヤ１４形成した後、絶縁性
樹脂（フォトニース：東レ（株）製）をスピンコーター
によって配線回路基板上に数回コーティングし、ループ
状のワイヤ１４の先端が完全に覆われた絶縁樹脂層１５
を形成した（図２（ｃ）及び図３（ｂ）参照）。
樹脂（フォトニース：東レ（株）製）をスピンコーター
によって配線回路基板上に数回コーティングし、ループ
状のワイヤ１４の先端が完全に覆われた絶縁樹脂層１５
を形成した（図２（ｃ）及び図３（ｂ）参照）。
【００１８】絶縁樹脂層１５を形成した後、ループ状の
ワイヤ１４が露出するまで樹脂層を研磨機によって研磨
し、表面の絶縁樹脂を除去し、ループ状のワイヤの先端
部１４ａを検査電極とする検査治具が完成した（図２
（ｄ）及び図３（ｃ）参照）。
ワイヤ１４が露出するまで樹脂層を研磨機によって研磨
し、表面の絶縁樹脂を除去し、ループ状のワイヤの先端
部１４ａを検査電極とする検査治具が完成した（図２
（ｄ）及び図３（ｃ）参照）。
【００１９】
【発明の効果】本発明の検査治具では、端子電極の絶縁
樹脂層に形成された異方性導電材によって被検査体の電
極（ボール・グリッド・アレイ用）との接触を得るよう
にしたため、被検査体の電極に検査痕をつけることな
く、高精細、高密度の配線基板の検査を可能にすること
ができた。さらに、異方性導電材を複数本使用している
ため、若干位置ずれを起こしても複数本のいずれかの異
方性導電材が被検査体の電極と接触するため、アライメ
ント精度が緩和された。
樹脂層に形成された異方性導電材によって被検査体の電
極（ボール・グリッド・アレイ用）との接触を得るよう
にしたため、被検査体の電極に検査痕をつけることな
く、高精細、高密度の配線基板の検査を可能にすること
ができた。さらに、異方性導電材を複数本使用している
ため、若干位置ずれを起こしても複数本のいずれかの異
方性導電材が被検査体の電極と接触するため、アライメ
ント精度が緩和された。
【図１】本発明の実施の形態を示す部分断面図である。
【図２】本発明の実施例の製造工程を示す部分断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の実施例の製造工程を示す斜視図であ
る。
る。
１………配線回路基板 １１………絶縁性基板 １２………スルーホール １３………配線回路 １４………ループ状のワイヤ １４ａ……ループ状のワイヤの先端部 １５………絶縁樹脂層 １５ａ……表面樹脂除去後の絶縁樹脂層
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁性基板の一方の面に検査用の端子電極
が、もう一方の面に配線回路が形成されており、前記端
子電極は前記配線回路とスルーホールで電気的に接続さ
れた配線回路基板において、前記配線回路基板の前記端
子電極にループ状のワイヤを少なくとも１個以上形成
し、前記ループ状のワイヤの高さ以上の厚みの絶縁樹脂
層を形成した後前記ループ状のワイヤが露出するまで前
記絶縁樹脂層の表面樹脂を除去して、露出した前記ルー
プ状のワイヤの先端を検査電極とすることを特徴とする
異方性導電材を有する検査治具。 - 【請求項２】下記の（ａ）〜（ｄ）の一連の工程からな
る請求項１記載の異方性導電材を有する検査治具の製造
方法。 （ａ）前記配線回路基板の前記端子電極にボンディング
性の良好な金属膜を形成する工程。 （ｂ）前記端子電極に形成された前記金属膜にワイヤボ
ンディングによってループ状のワイヤを少なくとも１個
以上形成する工程。 （ｃ）前記ループ状のワイヤが形成された前記端子電極
上に前記ループ状のワイヤの高さ以上の厚みの前記絶縁
樹脂層を形成する工程。 （ｄ）前記ループ状のワイヤが露出するまで前記絶縁樹
脂層の表面樹脂を除去する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9239896A JPH09281145A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 異方性導電材を有する検査治具及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9239896A JPH09281145A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 異方性導電材を有する検査治具及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09281145A true JPH09281145A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14053319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9239896A Pending JPH09281145A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 異方性導電材を有する検査治具及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09281145A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6452406B1 (en) | 1996-09-13 | 2002-09-17 | International Business Machines Corporation | Probe structure having a plurality of discrete insulated probe tips |
| US6528984B2 (en) | 1996-09-13 | 2003-03-04 | Ibm Corporation | Integrated compliant probe for wafer level test and burn-in |
| US7282945B1 (en) | 1996-09-13 | 2007-10-16 | International Business Machines Corporation | Wafer scale high density probe assembly, apparatus for use thereof and methods of fabrication thereof |
| US7368924B2 (en) | 1993-04-30 | 2008-05-06 | International Business Machines Corporation | Probe structure having a plurality of discrete insulated probe tips projecting from a support surface, apparatus for use thereof and methods of fabrication thereof |
-
1996
- 1996-04-15 JP JP9239896A patent/JPH09281145A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7368924B2 (en) | 1993-04-30 | 2008-05-06 | International Business Machines Corporation | Probe structure having a plurality of discrete insulated probe tips projecting from a support surface, apparatus for use thereof and methods of fabrication thereof |
| US6452406B1 (en) | 1996-09-13 | 2002-09-17 | International Business Machines Corporation | Probe structure having a plurality of discrete insulated probe tips |
| US6528984B2 (en) | 1996-09-13 | 2003-03-04 | Ibm Corporation | Integrated compliant probe for wafer level test and burn-in |
| US7282945B1 (en) | 1996-09-13 | 2007-10-16 | International Business Machines Corporation | Wafer scale high density probe assembly, apparatus for use thereof and methods of fabrication thereof |
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