JPH11326376A - レジストを用いた型及びその製造方法、コンタクトプローブ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バンプの凹面形状の被接触部に対して十分な
接触面積を確保できるコンタクトピンを得る。 【解決手段】 コンタクトプローブ１０の樹脂フィルム
１２から先端に突出するコンタクトピン１３ａの下面に
基部１９から突出する凸部２０を設ける。このコンタク
トピン１３ａの製造に当たって、ベースメタル層２２の
上に高感度レジスト層２３と低感度レジスト層２４を積
層する。その上にフォトマスクを施して露光すること
で、その深さ方向に断面積の異なる第一開口部２３ａと
第二開口部２４ａからなる開口部２６を形成する。開口
部２６にコンタクトピン１３ａとなるＮｉまたはＮｉ合
金Ｎをめっき処理により形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、めっき等で金属製
品等を製造するためのレジストを用いた型及びこの型の
製造方法、そしてプローブ装置等に組み込まれて、半導
体ＩＣチップやＬＳＩチップ、液晶デバイス等の被検査
部材の各端子に接触させて電気的なテストを行うために
用いられるコンタクトプローブ及びその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＩＣチップやＬＳＩチップ等の
半導体チップ、またはＬＣＤ（液晶表示体）等の被検査
部材の各端子に接触させて電気的なテストを行うため
に、コンタクトピンが備えられたコンタクトプローブが
用いられる。近年、ＩＣチップ等の高集積化及び微細化
に伴って電極であるコンタクトピンが狭ピッチ化される
と共に、コンタクトピンの多ピン狭ピッチ化が要望され
ている。しかしながら、コンタクトピンとして用いられ
ていたタングステン針のコンタクトプローブでは、多ピ
ン狭ピッチへの対応が困難になっていた。これに対し
て、図１０に示すようなコンタクトプローブ１の技術が
例えば特公平７−８２０２７号公報で提案されている。
このコンタクトプローブ１は、複数のパターン配線３が
樹脂フィルム２上に形成され、これらのパターン配線３
の各先端が樹脂フィルム２から突出状態に配されてコン
タクトピン３ａとされている。この技術では、複数のパ
ターン配線３の先端をコンタクトピン３ａとすることに
よって、多ピン狭ピッチ化を図るものである。

【０００３】ところで、このようなコンタクトプローブ
１の製造は以下の工程を経て行われる。 ステンレス板に銅めっきを施す。 この銅層にレジストマスクを形成し、フォトマスクを
介して露光・現像を行う。 レジストマスクが除去された部分にニッケルめっきを
施してパターン配線３を形成する。 このパターン配線３のうち、コンタクトピン３ａとさ
れる先端部を除いた部分の上面に樹脂フィルム２を被着
させる。 この樹脂フィルム２とパターン配線３と前述の銅層か
らなる部分と、前記ステンレス板を分離させる。 この樹脂フィルム２とパターン配線３とからなる部分
から、銅層を除去してコンタクトプローブ１を製作す
る。

【０００４】そして、上述のように製造されたコンタク
トプローブ１は、例えば図１１に示すようにバーンイン
テスト等に用いられるプローブ装置４に組み込まれて、
ＩＣチップＣ等の被検査部材の電気テストに用いられ
る。このプローブ装置４は、被検査部材としてＩＣチッ
プＣ等を載置する下板５がフレーム本体６に取り付けら
れ、フレーム本体６の上部内側には中央に開口部７ａが
形成された位置決め板７が固定され、その上部にコンタ
クトプローブ１が載置されて位置決め板７の開口部７ａ
からコンタクトピン３ａが突出して配設され、コンタク
トピン３ａが開口部７ａを通してＩＣチップＣのパッド
に接触させられるようになっている。そして、各コンタ
クトプローブ１を上から押さえつけて支持する上板８が
設けられ、さらにその上に、中央部が上板８側に湾曲し
たクランパ９が配設され、その中央部によって上板８を
弾性で押圧する。

【０００５】このようなプローブ装置４に用いられるコ
ンタクトプローブ１のコンタクトピン３ａは断面略四角
形とされ、図１２に示すようにコンタクトピン３ａの接
触面である下面３ｂが平坦面に形成されている。一方、
コンタクトピン３ａに接触するＩＣチップＣのパッド１
２は平板状とされているために、各コンタクトピン３ａ
はパッド１２にそれぞれ十分な接触面積を以て接触して
導通され、電気的テストに供されることになる。ところ
で、近年、電極端子であるバンプとして、図１３に示す
ようにコンタクトピン３ａとの被接触部１４ａが断面視
で両端の突条部１４ｂとその中央の平面状の底部１４ｃ
からなる凹面状とされたパンプ１４を有する、ＩＣチッ
プ等が出回ってきている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】そのため、上述のよう
なコンタクトプローブ１を用い、図１４に示すようにコ
ンタクトピン３ａの平面状の接触面である下面３ｂが、
パンプ１４の凹面状の被接触部１４ａに当接する際、オ
ーバードライブをかけてもコンタクトピン３ａの下面３
ｂはパンプ１４の突条部１４ｂに接触するだけであるた
め、十分な接触面積を確保できず、確実な導通を得られ
にくいという問題がある。また従来のレジストマスク等
によるコンタクトプローブ１のパターン配線３の製造方
法では、レジストマスク等の開口部が縦断面視で略四角
形状の凹部をなすパターンとされるために、上述のよう
にバンプ１４の被接触部１４ａが凹面状等の三次元形状
を有する場合に、十分な接触面積を確保できる接触部形
状を有するコンタクトピンを製造することはできなかっ
た。

【０００７】本発明は、上述のような課題に鑑みて、型
から製造される製品が矩形以外の適宜の三次元形状を呈
することができて、その製造が簡単且つ容易な、レジス
トを用いた型及びその製造方法を提供することを目的と
する。また本発明の他の目的は、被接触面が三次元形状
を有する電極端子に対しても十分な接触面積を確保して
確実な導通を図ることができるコンタクトプローブ及び
その製造方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明によるレジストを
用いた型は、基板の上に重ねられた感度の異なる複数層
のレジストに、その深さ方向に断面積の異なる開口部が
連続して形成されてなることを特徴とする。また本発明
によるレジストを用いた型の製造方法は、基板の上に感
度の異なる複数層のレジストを重ね、これらのレジスト
の上にフォトマスクを施して露光することにより、複数
層のレジストにその深さ方向に断面積の異なる開口部が
形成されるようにしたことを特徴とする。この型は感度
の異なる複数種類のレジスト層を積層して露光すること
でレジスト感度に応じた異なる断面積をその深さ方向即
ちレジスト層の積層方向に有する開口部を形成できて、
その製造が簡単かつ容易であり、その後に例えばめっき
やスパッタリングなどによって型から各種の製品を製造
することができる。尚、基板は金属製基板（第一の金属
層）であることが好ましい。

【０００９】また本発明に係るコンタクトプローブは、
複数のパターン配線がフィルム上に形成され、これらの
パターン配線の各先端がフィルムから突出してコンタク
トピンとされるコンタクトプローブにおいて、コンタク
トピンには、被検査部材の電極端子との接触部に凸部が
設けられていることを特徴とする。この凸部は基部の面
の両側部を残してその中央に突出形成されており、被接
触部が凹面形状をなすパッド等の電極端子の底面に凸部
が接触することで十分な接触面積を以て確実に接触でき
る。またコンタクトプローブのヤング率を制御でき、コ
ンタクトピンの接触部における電界集中度や有機物等の
付着量を制御できる。尚、同時にコンタクトピンの凸部
の両側部が電極端子の両突条部に接触するようにしても
よい。

【００１０】また本発明に係るコンタクトプローブの製
造方法は、フィルム上に複数のパターン配線を形成し、
これらのパターン配線の各先端がフィルムから突出して
コンタクトピンとされるコンタクトプローブの製造方法
であって、コンタクトピンの材質に被着または結合する
材質の第一の金属層を形成する第一の金属層形成工程
と、第一の金属層の上に、断面積がその深さ方向に異な
る開口部を備えたマスクを施すパターン形成工程と、開
口部にコンタクトピンとなる第二の金属層を形成する第
二の金属層形成工程と、マスクを取り除いた第二の金属
層の上にフィルムを被着するフィルム被着工程と、フィ
ルムと第二の金属層とからなる部分を、第一の金属層か
ら分離する分離工程とを備えてなることを特徴とする。
本発明では、コンタクトプローブの製造過程において、
マスクの開口部はその深さ方向に断面積（第一の金属層
に略平行な方向の断面積）が異なるから、電解めっきや
スパッタリング等の方法で第二の金属層を形成させるこ
とで、コンタクトピンに段付きの三次元形状の接触部を
形成することができ、被検査部材のパッド等の電極端子
が凹面形状の被接触部を有していても接触に際して十分
な接触面積を確保できる。

【００１１】尚、マスクは、第一の金属層の上に感度の
異なる複数層のレジストを施して、フォトマスクを介し
て露光することで複数層のレジストに、断面積がその深
さ方向に異なる開口部を形成してなるものでもよい。本
発明では、感度の異なる複数層のレジストを施して露光
することで、感度の異なるレジスト層毎に断面積の異な
る開口部を形成できるから、この開口部で形成されるコ
ンタクトピンの接触部に適宜の凸部を形成でき、被検査
部材の電極端子が凹面形状の被接触部を有していても確
実で十分な接触面積を確保できる。尚、複数層のレジス
トは、ネガ型のレジストとされ、第一の金属層側に比較
的高感度のレジストが設けられ、フォトマスク側に比較
的低感度のレジストが設けられていてもよい。また、複
数層のレジストは、ポジ型のレジストとされ、第一の金
属層側に比較的低感度のレジストが設けられ、フォトマ
スク側に比較的高感度のレジストが設けられていてもよ
い。或いは、マスクは、断面積がその深さ方向に異なる
開口部を備えたマスク用フィルムからなっていてもよ
い。この場合には、上述の製造方法でレジストを用いて
パターン形成する工程が不要になり、更に製造が容易に
なる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面により説明する。図１は実施の形態によるコンタク
トプローブの平面図、図２は図１に示すコンタクトプロ
ーブのＡ−Ａ線縦断面図、図３は図１に示すコンタクト
プローブのＢ−Ｂ線断面図、図４（ａ）〜（ｈ）は実施
の形態によるコンタクトプローブの製作工程を示す図、
図５は図４の（ｂ）、（ｃ）に示すパターン形成工程の
説明図、図６は実施の形態によるコンタクトプローブを
装着したプローブ装置の要部縦断面、図７はコンタクト
ピンとＩＣチップのバンプとを分離状態で示す部分斜視
図、図８は図７に示すコンタクトピンとＩＣチップのバ
ンプとの接触状態を示す断面図である。図１乃至図３に
示すコンタクトプローブ１０は例えばＩＣプローブを示
すものであり、樹脂フィルム１２（フィルム）の片面に
ＮｉまたはＮｉ合金等で形成されるパターン配線１３が
接着剤で張り付けられた構成とされ、樹脂フィルム１２
の端部からパターン配線１３の先端が突出してコンタク
トピン１３ａとされている。

【００１３】樹脂フィルム１２はポリイミド樹脂ＰＩに
金属フィルム（銅箔）１４が一体に設けられた二層テー
プである。この金属フィルム１４はグラウンドとして用
いることができ、これにより、プローブ装置の先端近く
までインピーダンスマッチングをとる設計が可能とな
り、高周波域でのテストを行う場合にも悪影響を防ぐこ
とができる。また樹脂フィルム１２には、パターン配線
１３から得られた信号を引き出し用配線１６を介してプ
リント基板に伝えるための窓１７が設けられている。ま
た本実施の形態によるコンタクトピン１３ａは、図３及
び図７に示されているように、その長手方向に直交する
断面において略四角形の基部１９と基部１９より辺長が
短い略四角形の凸部２０とが階段状に一体形成されてい
て、この基部１９及び凸部２０がコンタクトピン１３ａ
の長手方向に延在して形成されている。凸部２０とその
両側部をなす基部１９の表面１９ａ，１９ａとが、上述
したパッド１４等の電極端子への接触部とされている。

【００１４】次にこのコンタクトプローブ１０の製造方
法について図４及び図５により説明する。図４（ａ）〜
（ｈ）はコンタクトプローブ２０の製造方法を示すもの
であり、図５は図４に示すパターン形成工程を説明する
ための工程図である。〔支持金属板及び金属層形成工
程〕図４（ａ）において、ステンレス製の支持金属板
（基板層）２１上に、Ｃｕ（銅）めっきによりベースメ
タル層（第一の金属層）２２を形成する。このベースメ
タル層２２は支持金属板２１の上面に均一の厚さで形成
される。

【００１５】〔パターン形成工程〕このベースメタル層
２２の上に比較的高感度の第一のフォトレジスト層２３
を形成すると共に、第一のフォトレジスト層２３の上に
比較的低感度の第二のフォトレジスト層２４を形成す
る。これらのフォトレジスト層２３，２４はネガ型フォ
トレジストとされており、第一及び第二のフォトレジス
ト層２３，２４に関して高感度、低感度としたのは相対
的な概念であり、積層すべき複数種類のフォトレジスト
層間の比較において、レジストの感度がより高感度のも
のを第一のフォトレジスト層２３とし、より低感度のも
のを第二のフォトレジスト層２４とすればよい。尚、第
一及び第二のフォトレジスト層２３，２４として、例え
ばフィルムレジストが用いられるが、その他、光に対し
て反応する材料であれば、液体状のレジスト等を用いて
もよく、或いはゴム製レジスト等、化学的処理に対して
不溶性、耐性を持つ各種の材料をレジストとして採用で
きる。

【００１６】そして、図４（ｂ）に示すように第二のフ
ォトレジスト層２４に所定のパターンのフォトマスク２
５を施して露光する。この場合、図５（ａ）に示すよう
に、第一及び第二のフォトレジスト層２３，２４のマス
ク２５で覆われていない光が当たった領域が硬化する
が、第一のフォトレジスト層２３は第二のフォトレジス
ト層２４より高感度であり、そのために第一のレジスト
層２３では光が当たる広い領域ｅ１に亘って十分に硬化
し、第二のフォトレジスト層２４では低感度であるため
に硬化が不十分であり、中央付近の領域ｅ２が硬化する
ことになる。そして、図４（ｃ）、図５（ｂ）に示すよ
うにフォトレジスト層２３，２４を現像してパターン配
線１３となる部分を除去して、残存する第一及び第二の
フォトレジスト層２３，２４に開口部２６が形成され
る。この場合、第一のフォトレジスト層２３と第二のフ
ォトレジスト層２４とは溶解度に差があるために、第一
のフォトレジスト層２３の第一開口部２３ａは第二のフ
ォトレジスト層２４の第二開口部２４ａよりもベースメ
タル層２２に略平行な方向の断面積が小さく形成され、
開口部２６は第一のフォトレジスト層２３の第一開口部
２３ａと第二のフォトレジスト層２４の第二開口部２４
ａとで、各レジスト層の厚みに従って各レジスト層毎に
幅の異なる段付きの断面形状として形成される。このよ
うにしてパターン配線１３をめっき等で形成するための
第一及び第二レジスト層２３，２４による型２７が形成
される。

【００１７】尚、本発明のコンタクトプローブ製造方法
において、パターン配線１３をめっき形成するための型
は、第一及び第二フォトレジスト層２３，２４のように
フォトマスク２５を用いた露光・現像工程を経て開口部
２６が形成されるものに限定されるわけではない。例え
ばめっき処理される箇所に予め第一開口部２３ａが形成
された第一フィルム層と予め第二開口部２４ａが形成さ
れた第二フィルム層とが積層され、第一及び第二開口部
２３ａ，２４ａが同軸に重ねられて連通して開口部２６
とされたマスク用フィルムなどでもよい。本発明におい
てこのようなマスク用フィルムをマスクとして用いる場
合には、本実施の形態におけるパターン形成工程は不要
である。

【００１８】〔電解めっき工程〕図４（ｄ）に示すよう
に、第一及び第二のフォトレジスト層２３，２４の各開
口部２６に、コンタクトピン１３ａに供される第二の金
属層をめっき処理により形成する。即ち、各開口部２６
にパターン配線１３となるＮｉまたはＮｉ合金層Ｎを電
解めっき処理により形成する。これにより、パターン配
線１３は、第一の開口部２３ａにめっき形成される断面
略四角形の凸部２０と、第二の開口部２４ａにめっき形
成される例えば凸部２０より幅の広い断面略四角形の基
部１９とによって一体形成される。その後、図４（ｅ）
に示すように第一及び第二のフォトレジスト層２３，２
４が除去される。

【００１９】〔フィルム被着工程〕次に図４（ｆ）に示
すように、ＮｉまたはＮｉ合金層Ｎの上であって、図１
に示した、パターン配線１３の先端即ちコンタクトピン
１３ａとなる部分以外に、樹脂フィルム１２を接着剤１
２ａにより接着する。この樹脂フィルム１２はポリイミ
ド樹脂ＰＩに金属フィルム（銅箔）１４が一体に設けら
れた二層テープである。この樹脂フィルム１２の被着工
程の前までに、二層テープの金属フィルム１４の銅面
に、銅エッチングの後、用途により金めっきを施して、
グラウンド面を形成しておき、このフィルム被着工程で
は二層テープのうちのポリイミド樹脂ＰＩの樹脂面を接
着剤１２ａを介してＮｉまたはＮｉ合金層Ｎに被着させ
る。尚、金属フィルム１４は必ずしも銅箔である必要は
ない。

【００２０】〔分離工程〕そして、図４（ｇ）に示すよ
うに、樹脂フィルム１２とパターン配線１３とベースメ
タル層２２とからなる部分を、支持金属板２１から分離
させた後、Ｃｕエッチングを経て樹脂フィルム１２にパ
ターン配線１３のみを接着させた形状となる。 〔金コーティング工程〕次に露出状態のパターン配線１
３に、Ａｕめっきを施し、表面にＡｕめっき層Ａを形成
する。このとき、樹脂フィルム１２から突出状態とされ
たコンタクトピン１３ａでは、全種に亘る表面全体にＡ
ｕ層Ａが形成される。以上の工程により、図１乃至図３
に示すような、上述のコンタクトプローブ１０が製作さ
れる。

【００２１】本実施の形態によるコンタクトピン１３ａ
を備えたコンタクトプローブ１０は上述のような構成を
備えており、このコンタクトプローブ１０は例えば図６
に示すようなプローブ装置４０に装着されて被検査部材
の電気的テストに供される。即ち、図６に示すプローブ
装置４０では、トップクランプ４１に支持されたマウン
ティングベース４２の下面にコンタクトプローブ１０が
先端側部分を下方に向けた傾斜状態にして固定されてお
り、パターン配線１３のコンタクトピン１３ａとＩＣチ
ップＣのバンプ１４とが正確に位置合わせさせられてい
る。またコンタクトプローブ１０の窓部１７に設けられ
た引き出し用配線１６に、ボトムクランプ４３の弾性体
４４を押しつけて、引き出し用配線１６をプリント基板
４５の電極に接触させてパターン配線１３から得られた
信号を外部に伝達できるようになっている。他方、被検
査部材の一例としてのＩＣチップＣのバンプ１４は上述
したように被接触部１４ａが凹面形状とされている。

【００２２】そして、プローブ装置４０にコンタクトプ
ローブ１０を装着した状態で、コンタクトピン１３ａを
図７及び８に示すようなバンプ１４の凹面形状の被接触
部１４ａに接触させてオーバードライブをかけた際、各
コンタクトピン１３ａの凸部２０は被接触部１４ａの底
部１４ｃに当接すると共に、凸部２０の両側部で凸部２
０から引っ込められた基部１９の表面１９ａ，１９ａは
被接触部１４ａの突条部１４ｂ，１４ｂに当接する。そ
のためにコンタクトピン１３ａとバンプ１４の被接触部
１４ａとの間で十分な接触面積を確保できて、確実な導
通を図れる。しかもバンプ１４の凹面形状の被接触部１
４ａの底部１４ｃにコンタクトピン１３ａの凸部２０が
落ち込んで接触するから確実な接触状態を得ることがで
きる。

【００２３】上述のように本実施の形態によれば、ＩＣ
チップＣ等のバンプ１４の被接触部１４ａが凹面形状で
あっても、コンタクトプローブ１０のコンタクトピン１
３ａの接触部を確実に接触させることができる上に十分
な接触面積を確保でき、バンプ１４に対するコンタクト
性に優れている。しかも従来のコンタクトプローブの製
造方法において、パターン形成工程で感度の異なる複数
層の第一及び第二フォトレジスト層２３，２４を配置す
るだけで、接触部が凸部２０を有する三次元形状とされ
たコンタクトピン１３ａを製作することができ、製作が
簡単かつ容易である。

【００２４】尚、上述した実施の形態によるコンタクト
プローブ１０の製造方法では、パターン形成工程でフォ
トレジスト層２３，２４をネガ型フォトレジストによっ
て形成したが、ポジ型フォトレジストを採用してもよ
い。図９はポジ型フォトレジストを用いた場合のコンタ
クトプローブ１０の製造方法の一部の工程を示すもので
あり、その他の工程は図４に示す実施の形態と同一であ
る。この場合には、図９（ａ）に示すレジスト層形成工
程において、ベースメタル層２２上に比較的低感度の第
一のフォトレジスト層３０を形成して、その上に比較的
高感度の第二のフォトレジスト層３１を形成する。そし
て、図９（ｂ）に示す露光工程において、フォトマスク
２５を第二のフォトレジスト層３１上に乗せて露光す
る。その後に現像することで、第一のフォトレジスト層
３０では比較的断面積の小さい第一開口部３０ａが形成
され、第二のフォトレジスト層３１では比較的断面積の
大きい第二開口部３１ａが形成される。このようにし
て、これら第一及び第二開口部３０ａ，３１ａからなる
段付き形状の開口部３２が形成されることになる（図９
（ｃ）参照）。

【００２５】尚、上述の実施の形態によるコンタクトピ
ン１３ａの基部１９及び凸部２０を有する構成はパター
ン配線１３の全長に亘って形成されているが、必ずしも
全長に亘って形成されている必要はなく、少なくともバ
ンプ１４等の電極端子との接触部に形成されていればよ
い。また、上述の実施の形態によるコンタクトプローブ
１０の製造方法において、パターン配線１３とされるＮ
ｉまたはＮｉ合金部Ｎは電解めっきによって形成されて
いるが、めっきに限定されることなくその他の方法、例
えばスパッタリングによって製造されることとしてもよ
い。

【００２６】また、上述の実施の形態では、フォトレジ
スト層として第一のレジスト層２３，３０と第二のレジ
スト層２４，３１の２層構造について説明したが、フォ
トレジスト層としては２層構造に限定されることなく、
それぞれ感度の異なる３種以上のフォトレジスト層を積
層してもよく、これによってそれぞれ各層毎に断面積が
異なって各層の境界で段差を有する開口部を形成するこ
とができる。また開口部の構成についても、第一の金属
層２２側の開口部部分の断面積を小さくする構成に限定
されることはなく、フォトレジスト層の積層方向に任意
の感度を有する複数種類のフォトレジストを積層して、
任意の異なる断面積を深さ方向に有する開口部部分を連
結して構成してもよい。また、本発明によるレジストを
用いた型及びその製造方法は、コンタクトプローブ２０
のコンタクトピン１３ａに限定されることなく、各種の
製品を製造するための型及びその型の製造方法として採
用できる。

【００２７】

【発明の効果】上述のように、本発明に係るレジストを
用いた型は、基板の上に重ねられた感度の異なる複数層
のレジストに、その深さ方向に断面積の異なる開口部が
形成され、また本発明に係る型の製造方法は、基板の上
に感度の異なる複数層のレジストを重ね、これらのレジ
ストの上にフォトマスクを施して露光することにより、
複数層のレジストに深さ方向に断面積の異なる開口部が
形成されるようにしたから、レジストの感度に応じて断
面積が変化する段付きの開口部を形成できて、しかも製
作が簡単かつ容易であり、この型を用いて例えばめっき
やスパッタリングなどによって各種の製品を製造するこ
とができる。

【００２８】また本発明に係るコンタクトプローブで
は、コンタクトピンには、被検査部材の電極端子との接
触部に凸部が設けられているから、被検査部材の被接触
部が凹面形状をなす電極端子であっても十分な接触面積
を以て確実に接触して導通ができる。またコンタクトプ
ローブのヤング率を制御でき、コンタクトピンの接触部
における電界集中度や有機物等の付着量を制御できる。

【００２９】また本発明に係るコンタクトプローブの製
造方法は、第一の金属層の上に、断面積がその深さ方向
に異なる開口部を備えたマスクを施すパターン形成工程
と、開口部にコンタクトピンとなる第二の金属層を形成
する第二の金属層形成工程と、マスクを取り除いた第二
の金属層の上にフィルムを被着するフィルム被着工程
と、フィルムと第二の金属層とからなる部分を、第一の
金属層から分離する分離工程とを備えてなるから、開口
部内にめっきやスパッタリング等の適宜の方法で第二の
金属層を形成することで、コンタクトピンに段付きの接
触部を簡単且つ容易に形成することができ、被検査部材
の電極端子が凹面形状の被接触部を有していても接触導
通に際して十分な接触面積を確保できる。

【００３０】また、マスクは、第一の金属層の上に感度
の異なる複数層のレジストを施してフォトマスクを介し
て露光することで、複数層のレジストに断面積がその深
さ方向に異なる開口部を形成したため、従来のコンタク
トプローブの製造方法を用いて、その過程で感度の異な
るレジストを複数層施すだけで、コンタクトピンの接触
部に適宜の凸部を形成でき、その製造が簡単かつ容易で
ある。またマスクは、断面積がその深さ方向に異なる開
口部を備えたマスク用フィルムからなるため、コンタク
トピンの接触部に適宜の凸部を簡単かつ容易に形成でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態によるコンタクトプロー
ブの概略平面図である。

【図２】 図１に示すコンタクトプローブのＡ−Ａ線断
面図である。

【図３】 図１に示すコンタクトプローブのＢ−Ｂ線断
面図である。

【図４】 （ａ）〜（ｈ）は実施の形態によるコンタク
トプローブの製造方法の各工程を示す図である。

【図５】 図４の（ｂ）、（ｃ）に示すパターン形成工
程の説明図であって、（ａ）は露光工程、（ｂ）は開口
部形成工程を示す図である。

【図６】 実施の形態によるコンタクトプローブが装着
されたプローブ装置の中央縦断面図である。

【図７】 実施の形態によるコンタクトプローブのコン
タクトピンとＩＣチップのパッドとを分離状態で示す要
部斜視図である。

【図８】 図７に示すコンタクトピンとパッドの接触状
態を示す断面図である。

【図９】 本発明によるコンタクトプローブの製造方法
の他の例を示すパターン形成に関わる要部工程図であっ
て、（ａ）はレジスト層形成工程、（ｂ）は露光工程、
（ｃ）は開口部形成工程を示す図である。

【図１０】 従来のコンタクトプローブの先端部の構成
を示す要部斜視図である。

【図１１】 図１０に示すコンタクトプローブが装着さ
れたプローブ装置の要部縦断面図である。

【図１２】 プローブ装置のコンタクトピンとＩＣチッ
プのパッドとを分離状態で示す要部斜視図である。

【図１３】 プローブ装置のコンタクトピンとＩＣチッ
プのバンプとを分離状態で示す要部斜視図である。

【図１４】 図１３に示すコンタクトピンとバンプとの
接触状態を示す要部正面図である。

【符号の説明】 １０ コンタクトプローブ １２ 樹脂フィルム １３ パターン配線 １３ａ コンタクトピン １９ 基部 ２０ 凸部 ２３，３０ 第一のフォトレジスト ２３ａ，３０ａ 第一開口部 ２４，３１ 第二のフォトレジスト ２４ａ，３１ａ 第二開口部 ２５ フォトマスク ２６ 開口部 Ｃ ＩＣチップ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の上に重ねられた感度の異なる複数
   層のレジストに、その深さ方向に断面積の異なる開口部
   が形成されてなるレジストを用いた型。
2. 【請求項２】 基板の上に感度の異なる複数層のレジス
   トを重ね、これらのレジストの上にフォトマスクを施し
   て露光することにより、前記複数層のレジストにその深
   さ方向に断面積の異なる開口部が形成されるようにした
   レジストを用いた型の製造方法。
3. 【請求項３】 複数のパターン配線がフィルム上に形成
   され、これらのパターン配線の各先端が前記フィルムか
   ら突出してコンタクトピンとされるコンタクトプローブ
   において、 前記コンタクトピンには、被検査部材の電極端子との接
   触部に凸部が設けられていることを特徴とするコンタク
   トプローブ。
4. 【請求項４】 フィルム上に複数のパターン配線を形成
   し、これらのパターン配線の各先端が前記フィルムから
   突出してコンタクトピンとされるコンタクトプローブの
   製造方法であって、 前記コンタクトピンの材質に被着または結合する材質の
   第一の金属層を形成する第一の金属層形成工程と、 前記第一の金属層の上に断面積がその深さ方向に異なる
   開口部を備えたマスクを施すパターン形成工程と、 前記開口部に前記コンタクトピンとなる第二の金属層を
   形成する第二金属層形成工程と、 前記マスクを取り除いた第二の金属層の上に前記フィル
   ムを被着するフィルム被着工程と、 前記フィルムと第二の金属層とからなる部分を、前記第
   一の金属層から分離する分離工程とを備えてなることを
   特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
5. 【請求項５】 前記マスクは、前記第一の金属層の上に
   感度の異なる複数層のレジストを施して、フォトマスク
   を介して露光することで前記複数層のレジストに断面積
   がその深さ方向に異なる開口部を形成してなることを特
   徴とする請求項４記載のコンタクトプローブの製造方
   法。