JPH09282617A - 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドの製造方法Info
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- JPH09282617A JPH09282617A JP9662196A JP9662196A JPH09282617A JP H09282617 A JPH09282617 A JP H09282617A JP 9662196 A JP9662196 A JP 9662196A JP 9662196 A JP9662196 A JP 9662196A JP H09282617 A JPH09282617 A JP H09282617A
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- 230000000694 effects Effects 0.000 title abstract description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 22
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- 230000010485 coping Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 5
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 少ない製造工程で、かつ狭トラックに対応の
磁気抵抗効果ヘッドを提供する。 【解決手段】 磁気抵抗効果層に設ける電極層をトラッ
ク部がブリッジ形状をなすフォトレジストパターンを用
いたリフトオフ工程により形成することを特徴とする。
また、フォトレジスト２のパターンは、単層のフォトレ
ジストからなることを特徴とする。これにより、工数の
削減が可能となるとともに、狭トラック幅にも対応可能
となる。
磁気抵抗効果ヘッドを提供する。 【解決手段】 磁気抵抗効果層に設ける電極層をトラッ
ク部がブリッジ形状をなすフォトレジストパターンを用
いたリフトオフ工程により形成することを特徴とする。
また、フォトレジスト２のパターンは、単層のフォトレ
ジストからなることを特徴とする。これにより、工数の
削減が可能となるとともに、狭トラック幅にも対応可能
となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜形成による磁
気抵抗効果ヘッドの製造方法に関する。
気抵抗効果ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスク装置の小型化・大容
量化に伴って薄膜磁気ヘッドの高性能化・高密度記録化
が要求されている。一方、磁気抵抗効果を用いて磁気的
に書かれた情報を検出することは長年にわたり公知であ
った。
量化に伴って薄膜磁気ヘッドの高性能化・高密度記録化
が要求されている。一方、磁気抵抗効果を用いて磁気的
に書かれた情報を検出することは長年にわたり公知であ
った。
【０００３】ところで、従来の薄膜磁気ヘッドでは、情
報の書き込みと読み取りを１つのヘッド素子で行ってい
るが、書き込みの最適条件と読み取りの最適条件とは必
らずしも同一ではなく、このような場合、例えば、書き
込み性能を向上させると読み取り性能が低下するという
問題がある。しかしながら、インダクティブ型の磁気ヘ
ッドを書き込み専用ヘッドとし、かつ前記磁気抵抗効果
を利用した磁気ヘッドを読み取り専用ヘッド（以下、磁
気抵抗効果ヘッドという）とした複合型磁気ヘッドであ
れば、書き込みヘッドおよび読み取りヘッドをそれぞれ
最適設計を行うことは可能である。
報の書き込みと読み取りを１つのヘッド素子で行ってい
るが、書き込みの最適条件と読み取りの最適条件とは必
らずしも同一ではなく、このような場合、例えば、書き
込み性能を向上させると読み取り性能が低下するという
問題がある。しかしながら、インダクティブ型の磁気ヘ
ッドを書き込み専用ヘッドとし、かつ前記磁気抵抗効果
を利用した磁気ヘッドを読み取り専用ヘッド（以下、磁
気抵抗効果ヘッドという）とした複合型磁気ヘッドであ
れば、書き込みヘッドおよび読み取りヘッドをそれぞれ
最適設計を行うことは可能である。
【０００４】ここで、磁気抵抗効果ヘッドにおいて高密
度記録化をはかるには、磁気抵抗変化を感知する能動領
域（以下、トラック幅という）を狭くすること、および
磁気抵抗変化層を挟む絶縁層を薄膜化することが要求さ
れる。
度記録化をはかるには、磁気抵抗変化を感知する能動領
域（以下、トラック幅という）を狭くすること、および
磁気抵抗変化層を挟む絶縁層を薄膜化することが要求さ
れる。
【０００５】また、絶縁層を薄膜化する場合には、絶縁
層の膜質および絶縁層で覆われる部分の形状が製造上の
重要なポイントとなり、特に段差があるような場合、
例えば、高さ０．１５μｍの段差がある場合、この段差
部を厚さ０．１μｍの絶縁層で覆うことは困難である。
そこで、この段差解消の一方法として、段差部分に傾斜
（テーパー）を持たせることにより、絶縁被覆の加工性
を向上させることができる。
層の膜質および絶縁層で覆われる部分の形状が製造上の
重要なポイントとなり、特に段差があるような場合、
例えば、高さ０．１５μｍの段差がある場合、この段差
部を厚さ０．１μｍの絶縁層で覆うことは困難である。
そこで、この段差解消の一方法として、段差部分に傾斜
（テーパー）を持たせることにより、絶縁被覆の加工性
を向上させることができる。
【０００６】従来、磁気抵抗効果ヘッドにおいてパター
ンを作成する場合は、イオンミリング法やスパッタエッ
チング法などの加工方法を用いるが、例えば、イオンミ
リング法を用いる場合、段差部になだらかな傾斜を持た
せすることは困難である。また、イオンミリング処理を
行った場合には、加工の終了時期を判定することも容易
ではなく、除去する層以外の層までも除去してしまうと
いう欠点がある。
ンを作成する場合は、イオンミリング法やスパッタエッ
チング法などの加工方法を用いるが、例えば、イオンミ
リング法を用いる場合、段差部になだらかな傾斜を持た
せすることは困難である。また、イオンミリング処理を
行った場合には、加工の終了時期を判定することも容易
ではなく、除去する層以外の層までも除去してしまうと
いう欠点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した磁気抵抗効果
ヘッドのパターンを作成する場合、イオンミリング法な
どの技術によらずにパターンを形成する方法としては、
リフトオフ法が一般的に知られている。このリフトオフ
パターンによる形成方法としては、２層や３層のフォト
レジストによるものなど（以下、多層レジストという）
が一般的に知られている。しかしながら、多層レジスト
によるリフトオフパターンの形成には、フォトレジスト
を重ね塗りする工程があるため、加工工数が増加すると
いう欠点がある。
ヘッドのパターンを作成する場合、イオンミリング法な
どの技術によらずにパターンを形成する方法としては、
リフトオフ法が一般的に知られている。このリフトオフ
パターンによる形成方法としては、２層や３層のフォト
レジストによるものなど（以下、多層レジストという）
が一般的に知られている。しかしながら、多層レジスト
によるリフトオフパターンの形成には、フォトレジスト
を重ね塗りする工程があるため、加工工数が増加すると
いう欠点がある。
【０００８】また、高密度記録化によってさらに狭くな
る磁気ヘッドのトラック幅は、トラック部に軸の部分を
残す従来のフォトレジストのリフトオフパターンでは、
作業がより困難になることが予想される。
る磁気ヘッドのトラック幅は、トラック部に軸の部分を
残す従来のフォトレジストのリフトオフパターンでは、
作業がより困難になることが予想される。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述した問題点を解決す
るため、本発明の磁気抵抗効果ヘッドの製造方法では、
磁気抵抗効果層に設ける電極層をトラック部がブリッジ
形状をなすフォトレジストパターンを用いたリフトオフ
工程により形成することを特徴とする。また、前記フォ
トレジストパターンは、単層のフォトレジストからなる
ことを特徴とする。これにより、工数の削減が可能とな
るとともに、狭トラック幅にも対応可能である。
るため、本発明の磁気抵抗効果ヘッドの製造方法では、
磁気抵抗効果層に設ける電極層をトラック部がブリッジ
形状をなすフォトレジストパターンを用いたリフトオフ
工程により形成することを特徴とする。また、前記フォ
トレジストパターンは、単層のフォトレジストからなる
ことを特徴とする。これにより、工数の削減が可能とな
るとともに、狭トラック幅にも対応可能である。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施の形態を示
すものとして、本発明を用いた磁気抵抗効果ヘッドにお
ける電極およびバイアス層の形成方法について説明す
る。
すものとして、本発明を用いた磁気抵抗効果ヘッドにお
ける電極およびバイアス層の形成方法について説明す
る。
【００１１】図１は、本発明の一実施の形態の示す磁気
抵抗効果ヘッドの製造時における単層レジストの断面図
である。
抵抗効果ヘッドの製造時における単層レジストの断面図
である。
【００１２】図１を参照すると、本発明では、画像反転
型の単層レジストを使用し、適切な露光量，全面露光量
および現像時間を設定することにより、基板１上にフォ
トレジスト２からなるステンシル形状が得られる。この
場合のオーバーハング量および軸部分（中央部に残って
いる柱状をなすフォトレジスト）の高さは、露光量およ
び現像時間により規定される。
型の単層レジストを使用し、適切な露光量，全面露光量
および現像時間を設定することにより、基板１上にフォ
トレジスト２からなるステンシル形状が得られる。この
場合のオーバーハング量および軸部分（中央部に残って
いる柱状をなすフォトレジスト）の高さは、露光量およ
び現像時間により規定される。
【００１３】図２は、本発明を適用した磁気抵抗効果ヘ
ッドの電極およびバイアス層の代表的なパターン形状の
一例を示す平面図である。また、図３は、図２のＡ−
Ａ′線断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ′線断面図
である。
ッドの電極およびバイアス層の代表的なパターン形状の
一例を示す平面図である。また、図３は、図２のＡ−
Ａ′線断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ′線断面図
である。
【００１４】図２〜図４を参照すると、磁気抵抗効果ヘ
ッドの下磁性膜３と絶縁膜４とが積層された膜上には磁
気抵抗効果層（以下、ＭＲ素子という）５が形成されて
おり、かつフォトレジスト２が図１に示すステンシル形
状を有することにより、ＭＲ素子５上のフォトレジスト
２は、前記軸部分のない橋型（ブリッジ型）の断面形状
を持つようになる。図４に示す断面図では、ＭＲ素子５
上のフォトレジスト２は、あたかも中空に浮いているよ
うな状態で描かれているが、実際には、図２，図３から
判るように、周辺のフォトレジスト２によって支持され
ている。
ッドの下磁性膜３と絶縁膜４とが積層された膜上には磁
気抵抗効果層（以下、ＭＲ素子という）５が形成されて
おり、かつフォトレジスト２が図１に示すステンシル形
状を有することにより、ＭＲ素子５上のフォトレジスト
２は、前記軸部分のない橋型（ブリッジ型）の断面形状
を持つようになる。図４に示す断面図では、ＭＲ素子５
上のフォトレジスト２は、あたかも中空に浮いているよ
うな状態で描かれているが、実際には、図２，図３から
判るように、周辺のフォトレジスト２によって支持され
ている。
【００１５】ここで、高トラック密度対応の磁気抵抗効
果ヘッドとしてトラック幅がより狭くなった場合、軸部
分を有するステンシル構造では、十分なオーバーハング
量を得ることは困難である。例えば、２μｍのトラック
幅において１μｍのオーバーハング量を得ようとした場
合には、理論的に困難であることが判る。従って、図３
および図４に示すようなトラック部において、軸部分の
ない橋型（ブリッジ型）の断面形状を持つレジストパタ
ーンを用いることにより、上述したような問題点を解決
することができる。
果ヘッドとしてトラック幅がより狭くなった場合、軸部
分を有するステンシル構造では、十分なオーバーハング
量を得ることは困難である。例えば、２μｍのトラック
幅において１μｍのオーバーハング量を得ようとした場
合には、理論的に困難であることが判る。従って、図３
および図４に示すようなトラック部において、軸部分の
ない橋型（ブリッジ型）の断面形状を持つレジストパタ
ーンを用いることにより、上述したような問題点を解決
することができる。
【００１６】図５は、図２に示すレジストパターンにお
いて、電極層などのスパッタ膜を成膜した後のトラック
幅方向から見た状態を示す断面図である。図５におい
て、スパッタ膜（電極層）６を所定時間成膜した後、フ
ォトレジスト２をリフトオフ工程を経ると、ＭＲ素子５
の段差箇所にはスパッタ膜（電極層）６による傾斜面が
形成される。これにより、その後に実施する絶縁膜（図
示せず）の形成が容易になる。
いて、電極層などのスパッタ膜を成膜した後のトラック
幅方向から見た状態を示す断面図である。図５におい
て、スパッタ膜（電極層）６を所定時間成膜した後、フ
ォトレジスト２をリフトオフ工程を経ると、ＭＲ素子５
の段差箇所にはスパッタ膜（電極層）６による傾斜面が
形成される。これにより、その後に実施する絶縁膜（図
示せず）の形成が容易になる。
【００１７】図６は、リフトオフ工程後のスパッタ膜の
成膜状態の一例を示す拡大図であって、スパッタ膜６
は、図６に示すように、例えば膜厚が２００ｎｍの場
合、テーパー角は１０°以下となり、段差が解消され
る。
成膜状態の一例を示す拡大図であって、スパッタ膜６
は、図６に示すように、例えば膜厚が２００ｎｍの場
合、テーパー角は１０°以下となり、段差が解消され
る。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による磁気
抵抗効果ヘッドの製造方法は、単層フォトレジストのリ
フトオフパターンを使用することにより、磁気抵抗効果
ヘッドの製造工程を簡略化することができる。また、ト
ラック部に橋型（ブリッジ型）の断面構造を持つレジス
トパターンを使用することによって、狭トラック幅の磁
気抵抗効果ヘッドに対応可能となる。
抵抗効果ヘッドの製造方法は、単層フォトレジストのリ
フトオフパターンを使用することにより、磁気抵抗効果
ヘッドの製造工程を簡略化することができる。また、ト
ラック部に橋型（ブリッジ型）の断面構造を持つレジス
トパターンを使用することによって、狭トラック幅の磁
気抵抗効果ヘッドに対応可能となる。
【図１】本発明の一実施の形態の示す磁気抵抗効果ヘッ
ドの製造時における単層レジストの断面図である。
ドの製造時における単層レジストの断面図である。
【図２】本発明を適用した磁気抵抗効果ヘッドの電極お
よびバイアス層の代表的なパターン形状の一例を示す平
面図である。
よびバイアス層の代表的なパターン形状の一例を示す平
面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ′線断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ′線断面図である。
【図５】図４においてスパッタ膜の成膜後の状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】リフトオフ後のスパッタ膜の成膜状態の一例を
示す拡大図である。
示す拡大図である。
１ 基板 ２ フォトレジスト ３ 下磁性膜 ４ 絶縁膜 ５ ＭＲ素子（磁気抵抗効果層） ６ スパッタ膜（電極層）
Claims (2)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果層に設ける電極層をトラッ
ク部がブリッジ形状をなすフォトレジストパターンを用
いたリフトオフ工程により形成することを特徴とする磁
気抵抗効果ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 前記フォトレジストパターンは、単層の
フォトレジストからなることを特徴とする請求項１記載
の磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9662196A JP2833579B2 (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9662196A JP2833579B2 (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09282617A true JPH09282617A (ja) | 1997-10-31 |
| JP2833579B2 JP2833579B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=14169922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9662196A Expired - Fee Related JP2833579B2 (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2833579B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6537732B2 (en) | 2000-02-02 | 2003-03-25 | Tdk Corporation | Resist pattern and method of forming same, method of forming thin-film pattern, and method of manufacturing micro device |
| US7007374B2 (en) | 2002-08-09 | 2006-03-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method of making a magnetic head |
-
1996
- 1996-04-18 JP JP9662196A patent/JP2833579B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6537732B2 (en) | 2000-02-02 | 2003-03-25 | Tdk Corporation | Resist pattern and method of forming same, method of forming thin-film pattern, and method of manufacturing micro device |
| US7007374B2 (en) | 2002-08-09 | 2006-03-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method of making a magnetic head |
| US7710689B2 (en) | 2002-08-09 | 2010-05-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Narrow track read sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2833579B2 (ja) | 1998-12-09 |
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