JPH09286663A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents

誘電体磁器組成物

Info

Publication number
JPH09286663A
JPH09286663A JP8105503A JP10550396A JPH09286663A JP H09286663 A JPH09286663 A JP H09286663A JP 8105503 A JP8105503 A JP 8105503A JP 10550396 A JP10550396 A JP 10550396A JP H09286663 A JPH09286663 A JP H09286663A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
parts
converted
dielectric
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8105503A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Koizumi
成一 小泉
Yasushi Yamaguchi
泰史 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP8105503A priority Critical patent/JPH09286663A/ja
Publication of JPH09286663A publication Critical patent/JPH09286663A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】室温での比誘電率が4500以上と高く、13
00℃未満の低温焼成が可能で、高温負荷寿命が長く、
EIA規格のY5T特性を満足する誘電体磁器組成物を
提供する。 【解決手段】複合酸化物を(Ba1-x Cax )(Ti
1-x Zrx )O3 と表した時、前記xが0.06≦x≦
0.10で示される主成分100重量部に対して、Zn
Oに換算した酸化亜鉛を0.1〜0.9重量部、MnO
2 に換算したマンガン化合物を0.05〜0.3重量
部、TiO2 に換算したチタン化合物を0.1〜1.1
重量部、SiO2 に換算した二酸化ケイ素を0.05〜
0.20重量部、Y2 3 に換算したイットリウム酸化
物を0.3〜0.9重量部、Fe2 3に換算した鉄酸
化物を0.05〜0.2重量部含有してなるものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、低温焼成が可能な
高誘電率系誘電体磁器組成物に関するもので、とりわけ
静電容量の温度特性に優れた高誘電率系セラミックコン
デンサや積層型セラミックコンデンサ、アキシャルコン
デンサ、ディスクコンデンサ、厚膜コンデンサ等の誘電
体材料として好適な誘電体磁器組成物に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、高誘電率系セラミックコンデンサ
や積層型セラミックコンデンサに用いられる誘電体材料
としては、比誘電率が6000〜10000程度のチタ
ン酸バリウム(BaTiO3 )系の誘電体磁器組成物が
あり、なかでも前記誘電体磁器組成物を用いたものとし
て電気容量の観点から積層型セラミックコンデンサに多
く適用されてきた。
【0003】一般に、積層型セラミックコンデンサは、
誘電体磁器組成物から成るグリーンシート上に電極を形
成し、該グリーンシートを所定の電気容量となるように
複数枚積層して前記電極を同時に焼成一体化して構成さ
れている。
【0004】しかしながら、前記チタン酸バリウム(B
aTiO3 )系の誘電体磁器組成物は、焼成温度が13
00〜1400℃程度と高く、また、静電容量の温度特
性が−30℃〜+85℃の範囲において−82%から+
22%と大きかった。しかも積層型セラミックコンデン
サの誘電体材料として使用するためには、同時焼成する
内部電極材料として高融点、高温還元性の貴金属である
パラジウム(Pd)や白金(Pt)等を使用しなければ
ならず、安価で小型・大容量の積層型セラミックコンデ
ンサを製造することが困難であるという欠点があった。
【0005】従来チタン酸バリウム(BaTiO3 )を
主体とした高誘電率系磁器組成物としてチタン酸バリウ
ムに所定のチタン酸カルシウム(CaTiO3 )、五酸
化タンタル(Ta2 5 )、酸化ジスプロシウム(Dy
2 3 )などを添加した高誘電率系磁器組成物が知られ
ている(特開昭58−142705号公報参照)。この
系の誘電体磁器組成物によれば、−30℃〜+85℃の
広い温度範囲で+22%〜−33%と平坦な温度特性が
得られている。
【0006】また、チタン酸バリウム(BaTiO3
に所定量の酸化セリウム(CeO2)、スズ酸カルシウ
ム(CaSnO3 )などを添加した高誘電率系磁器組成
物が知られている(特開昭58−223670号公報参
照)。この系の誘電体磁器組成物によれば、常温付近で
の比誘電率を4500以上にすることができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、チタン
酸バリウム(BaTiO3 )を主体とした高誘電率系磁
器組成物としてチタン酸バリウムに所定のチタン酸カル
シウム(CaTiO3 )、五酸化タンタル(Ta
2 5 )、酸化ジスプロシウム(Dy2 3 )などを添
加した高誘電率系磁器組成物(特開昭58−14270
5号公報)によれば、−30℃〜+85℃の広い温度範
囲で+22%〜−33%と平坦な温度特性が得られ,E
IA規格に基づくY5Tを満足するものの、比誘電率は
せいぜい4000程度であった。従って、小型大容量化
に限界があった。
【0008】また、チタン酸バリウム(BaTiO3
に所定量の酸化セリウム(CeO2)、スズ酸カルシウ
ム(CaSnO3 )などを添加した高誘電率系磁器組成
物(特開昭58−223670号公報)では、常温付近
での比誘電率を4500以上にすることができるもの
の、温度特性はEIAでいうY5U(−56%〜+22
%)を満足する程度であり、−30℃〜+85℃の温度
範囲における静電容量の変化率を−33%〜+22%以
内とするY5T特性を満足する平坦な温度特性をもつコ
ンデンサを得ることはできなかった。
【0009】ところで、ダウンサイジングの進む電子部
品にあっては、より小型化、高容量化を図るために誘電
体磁器組成物からなる誘電体層のより一層の薄板化が要
求されるようになり、現在その要求厚さは10μm以下
となってきている。
【0010】しかしながら、誘電体層を薄くすると一対
の電極間の絶縁耐圧が低下するという問題があった。ま
た、静電容量の増大を図るための別の方法として、比誘
電率が高い磁器を使用する方法があるが、従来のBaT
iO3 系の誘電体磁器では比誘電率に限界があり、高容
量化に限界があった。さらに、前記誘電体材料を用い
て、厚さが5μm以下の薄層から成る積層型コンデンサ
を作製した場合、85℃で電界強度が1.2×104
/mmの直流電圧を印加した高温負荷寿命が40時間未
満と短く、また−30℃〜+85℃の温度範囲における
静電容量の変化率が極めて大となってしまい、前記温度
範囲における静電容量の変化率を−33%〜+22%以
内とするEIA規格のY5T特性を満足することができ
ず、小型・大容量の積層型セラミックコンデンサをはじ
め、そのような各種コンデンサを得ることができないと
いう課題があった。
【0011】本発明は前記課題に鑑みなされたもので、
その目的は、室温での比誘電率が4500以上と高く、
1300℃未満の低温焼成で厚さ5μm以下の表面平滑
な薄板状焼結体を得ることができ、安価な内部電極材料
を用いることができるのは勿論、高温負荷寿命が40時
間以上と長く、−30℃〜+85℃の温度範囲における
静電容量の変化率を−33%〜+22%以内とするY5
T特性を満足する小型・大容量の積層型セラミックコン
デンサをはじめ、各種コンデンサに適用し得る誘電体磁
器組成物を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、チタンジルコン酸バリウムカルシウムから成る複
合酸化物を(Ba1-x Cax )(Ti1-x Zrx )O3
と表した時、前記xが0.06≦x≦0.10で示され
る主成分100重量部に対して、ZnOに換算した酸化
亜鉛を0.1〜0.9重量部、MnO2 に換算したマン
ガン化合物を0.05〜0.3重量部、TiO2 に換算
したチタン化合物を0.1〜1.1重量部、SiO2
換算した二酸化ケイ素を0.05〜0.20重量部、Y
2 3 に換算したイットリウム酸化物を0.3〜0.9
重量部、Fe2 3 に換算した鉄酸化物を0.05〜
0.2重量部含有してなるものである。
【0013】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物によれば、チタンジ
ルコン酸バリウムカルシウムから成る複合酸化物を主成
分とする誘電体磁器組成物に、酸化亜鉛、マンガン化合
物、チタン化合物、二酸化ケイ素、イットリウム酸化
物、鉄酸化物を所定量含有させ、特に、チタン化合物を
過剰に含有させたことから、比誘電率を4500以上に
維持し、かつ1300℃未満の低温焼成を可能としなが
ら、厚さ5μm以下の薄層から成る積層型コンデンサで
あっても、前記Y5T特性を満足することができるよう
になる。
【0014】また、誘電体磁器組成物として基本的な特
性である誘電損失tanδが1.0%以下、絶縁抵抗I
Rが1.0×105 MΩ以上を満足し、85℃で電界強
度が1.2×104 V/mmの直流電圧を印加した高温
負荷試験で40時間以上不良が発生せず、さらに焼成温
度が1300℃未満と工業的にも製造し易くなり、各種
セラミックコンデンサに適用可能な誘電体磁器組成物が
得られる。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明は、チタンジルコン酸バリ
ウムカルシウムから成る複合酸化物を(Ba1-x
x )(Ti1-x Zrx )O3 と表した時、0.06≦
x≦0.10の範囲のものを主成分とする。
【0016】チタンジルコン酸バリウムカルシウムから
成る複合酸化物を(Ba1-x Cax)(Ti1-x
x )O3 と表した時、モル分率xが0.06未満の場
合には静電容量の温度特性が前記Y5T特性を満足せ
ず、モル分率xが0.10を越える場合、室温における
比誘電率εrが4500未満と小さくなる。従って、前
記Y5T特性を満足を満足し、4500以上の高い比誘
電率を維持し、かつ小型・大容量の積層コンデンサをは
じめとする各種コンデンサを得るためには、xの値は
0.06〜0.10、とりわけxの値は0.08〜0.
10の範囲が望ましいものである。
【0017】また、前記酸化亜鉛(ZnO)は、誘電体
磁器組成物の焼成温度と比誘電率を調整するものであ
り、その含有量が前記主成分100重量部に対して、
0.1重量部未満では、焼成温度が1300℃以上とな
り、室温における比誘電率εrが4000未満と小さく
なり、焼成後のシート状焼結体の密度も5.7g/cm
3以下と低くなってしまい実用範囲外となる。また0.
9重量部を越えると、室温における比誘電率εが450
0未満と小さくなり、絶縁抵抗IRが大きく低下してし
まい実用範囲外となるため、0.1〜0.9重量部に特
定され、より望ましくは0.3〜0.5重量部となる。
【0018】更に、前記マンガン化合物は、例えば誘電
体磁器組成物の誘電損失tanδを改善するものであ
り、その含有量が前記主成分100重量部に対して、酸
化マンガン(MnO2 )に換算して0.05重量部未満
では誘電損失tanδが1%以上と大となり、また0.
3重量部を越えると絶縁抵抗IRが大きく低下してしま
う。従って、マンガン化合物の含有量は、前記主成分1
00重量部に対して、酸化マンガン(MnO2 )に換算
して0.05〜0.3重量部に限定され、特に0.1〜
0.2重量部が望ましい。
【0019】一方、前記チタン化合物は、例えば誘電体
磁器組成物の焼結性を向上させるために含有させるもの
であり、その添加量は前記主成分100重量部に対し
て、酸化チタン(TiO2 )に換算して0.1重量部未
満では焼成温度が1300℃以上となり、焼成後のシー
ト状焼結体の密度が5.7g/cm3 以下と低くなり実
用範囲外となり、また、1.1重量部を越えると、誘電
損失tanδが1.0%を越えてしまうことから、前記
含有量は0.1〜1.1重量部に特定され、より望まし
くは0.3〜1.0重量部の範囲となる。
【0020】また、前記二酸化ケイ素(SiO2 )の添
加により、85℃で電界強度が1.2×104 V/mm
の直流電圧を印加した高温負荷試験で40時間以上不良
が発生しにくくなるという効果を有するものであり、ま
た、誘電体磁器組成物の結晶粒径を調整するものであ
り、その含有量が前記主成分100重量部に対して、
0.05重量部未満では、85℃で電界強度が1.2×
104 V/mmの直流電圧を印加した高温負荷試験で4
0時間以内で不良が発生し易く、さらに焼成温度が13
00℃以上となってしまい実用範囲外となり、また、
0.20重量部を越えると、比誘電率が4000未満と
低下してしまい、実用範囲外となってしまうことから、
その含有量は0.05〜0.20重量部に特定され、よ
り望ましくは0.10〜0.15重量部となる。特に、
本願発明では、SiO2 を0.05〜0.2重量部含有
することにより、85℃で電界強度が1.2×104
/mmの直流電圧を印加した高温負荷試験で40時間以
上不良が発生しにくくなる。
【0021】また、イットリウム化合物は誘電体磁器組
成物の焼結性を向上し、比誘電率を高くするために含有
させるもので、その含有量が、前記主成分100重量部
に対して、酸化物Y2 3 に換算して0.3重量部未満
では比誘電率が4500未満と低下してしまい、0.9
重量部を越えるとシート状焼結体の密度及び絶縁抵抗I
Rが低くなって、実用範囲外となってしまうことから、
その含有量は0.3〜0.9重量部に特定され、より望
ましくは0.5〜0.7重量部となる。
【0022】また、鉄化合物は温度特性を平坦化させる
ものであり、酸化物Fe2 3 に換算して0.05重量
部未満になると温度特性が−33%を越えてしまい、
0.2重量部を越えてしまうと比誘電率が4000以下
となってしまう事より、その含有量は0.05〜0.2
重量部に限定され、0.1〜0.15重量部がより望ま
しい。
【0023】本願発明では、チタンジルコン酸バリウム
カルシウムから成る複合酸化物を(Ba1-x Cax
(Ti1-x Zrx )O3 と表した時、前記xが0.08
≦x≦0.10で示される主成分100重量部に対し
て、ZnOに換算した酸化亜鉛を0.3〜0.5重量
部、MnO2 に換算したマンガン化合物を0.1〜0.
2重量部、TiO2 に換算したチタン化合物を0.3〜
1.0重量部、SiO2 に換算した二酸化ケイ素を0.
10〜0.15重量部、Y2 3 に換算したイットリウ
ム酸化物を0.5〜0.7重量部、Fe2 3 に換算し
た鉄酸化物を0.10〜0.15重量部含有してなるこ
とが望ましい。
【0024】本願発明の誘電体磁器組成物は、例えば、
出発原料としてチタン酸バリウム(BaTiO3 )とカ
ルシア(CaO)、ジルコニア(ZrO2 )から成る複
合酸化物として、モル分率xが0.06〜0.10で平
均粒径が1μm以下である(Ba1-x Cax )(Ti
1-x Zrx )O3 100重量部に対して、酸化亜鉛(Z
nO)、マンガン化合物、チタン化合物、二酸化ケイ素
(SiO2 )及びイットリウム酸化物、酸化鉄の各粉末
を、所定量秤量し、それらの粉末を、例えば、ZrO2
を用いたボールミルにて湿式混合粉砕する。
【0025】この後、混合粉砕物にバインダーを添加し
攪拌してセラミック泥漿を調製した後、得られたセラミ
ック泥漿を用いてドクターブレード法等の公知の成形技
術により台板上に誘電体層を成形した。乾燥後繰り返し
誘電体層を100回塗り重ね厚さ1mmの積層成形体を
作製し、大気中1210〜1330℃の範囲の温度で焼
成することにより、本発明の誘電体磁器組成物を得るこ
とができる。
【0026】尚、本願発明においては、原料粉末の不純
物として、La,Nd,Sm等の希土類元素、Hf,N
b等が混入する場合があるが、本願発明の範囲を満足す
る場合には問題ない。また、製造過程で粉砕ボール等か
らその成分が混入する場合があるが、これらについて
も、本願発明の範囲を満足する場合には問題ない。
【0027】
【実施例】以下、本発明の誘電体磁器組成物を実施例に
基づき詳細に説明する。本発明の誘電体磁器組成物を評
価するに際し、出発原料としてチタン酸バリウム(Ba
TiO3 )とカルシア(CaO)、ジルコニア(ZrO
2 )から成る複合酸化物として、平均粒径が1μm以下
である(Ba1-x Cax )(Ti1-x Zrx )O3 (モ
ル分率xが0.06〜0.10)100重量部に対し
て、酸化亜鉛(ZnO)、マンガン化合物、チタン化合
物、二酸化ケイ素(SiO2 )、イットリア(Y
2 3 )、酸化鉄(Fe2 3 )の各粉末を、マンガン
化合物は酸化マンガン(MnO2 )に、チタン化合物は
酸化チタン(TiO2 )に換算して表1,2に示す重量
部となるように秤量し、それらの粉末をZrO2 ボール
を用いたボールミルにて20時間湿式混合粉砕した。
【0028】
【表1】
【0029】
【表2】
【0030】次いで、前記混合粉砕物に有機系粘結剤と
媒体から成るバインダーを添加し攪拌してセラミック泥
漿を調製した後、得られたセラミック泥漿を脱泡し、該
泥漿を用いてドクターブレード法により台板上に厚さ約
10μmの誘電体層を成形した。乾燥後繰り返し誘電体
層を100回塗り重ね厚さ1mmの積層成形体を作製
し、該積層成形体を直径20mmの円板状に打ち抜き、
大気中、1230〜1350℃の範囲の各温度で2時間
焼成して、磁器を作製し、その後、円板状焼結体の両端
面に銀ペーストを用いて電極を焼付け、評価用試料とし
た。
【0031】かくして得られた評価用試料を用い、先
ず、基準温度25℃、周波数1.0kHz、測定電圧
1.0Vrmsの測定条件で、前記評価用試料の比誘電
率εr及び誘電損失tanδを測定し、更に、直流電圧
50Vを1分間印加した時の絶縁抵抗IRを測定すると
ともに、前記基準温度25℃の比誘電率εrに対する−
30℃から+85℃までの温度における静電容量の温度
変化率を測定した。
【0032】前記測定結果から、静電容量の温度変化率
が前記温度範囲で−33%〜+22%の規格(Y5T)
に適合しないものを規格外(NG)とし、また、比誘電
率εrが4500未満では、例えば積層型セラミックコ
ンデンサでは小型化ができないため4500以上を良と
し、更に、誘電損失tanδは1.0%以上になると、
例えばコンデンサのチップ化が困難となる等のため、
1.0%未満を良と評価した。一方、絶縁抵抗IRは、
1.0×105 MΩ未満では、積層型セラミックコンデ
ンサとして絶縁抵抗の規格を満足せず、絶縁不良となる
ため、1.0×105 MΩ以上を良と評価した。
【0033】更に、アルキメデス法で密度を測定し、該
密度が5.7g/cm3 以下ではこれら高誘電率系の誘
電体磁器組成物は焼成不十分であることを示しており、
1300℃未満の低温焼成で実用的な焼結体が得られな
いことから、密度は5.7g/cm3 以上を良と評価し
た。以上の結果を、表3,4に示す。
【0034】
【表3】
【0035】
【表4】
【0036】表3,4から明らかなように、試料番号1
では温度特性が規格外となり、規格に適合しても例え
ば、試料番号7,8,14,15,21,33,34,
35,45は、積層セラミックコンデンサ等の小型・大
容量化に大きく寄与する比誘電率が4500以下と低く
なっている。
【0037】また、試料番号15,28は、誘電損失が
1.2%以上と大きく、試料番号8,21では、焼成温
度を1320〜1350℃とかなり高い温度で焼成して
も密度が5.70g/cm3 未満と低く、焼結不足とな
っている。
【0038】更に、試料番号14,20,40は、いず
れも絶縁抵抗が1.0×105 MΩ未満と低くなってい
る。
【0039】それに対して、本願発明の試料番号のもの
は、いずれも静電容量の温度特性がEIA規格のY5T
特性を満足し、かつ比誘電率も4500以上と高く、焼
成温度は1280℃以下と低く、誘電損失も0.9%以
下、密度は5.72g/cm3 以上、更に絶縁抵抗も2
×105 MΩといずれの要求特性をも満足するものにな
っている。
【0040】次に、表1,2に示す組成で上記と同様に
して調製したセラミック泥漿を用いて成形した厚さ7μ
mの各誘電体層上に、銀−パラジウム(Ag−Pd)粉
末から成る内部電極用ペーストを所定形状にスクリーン
印刷した後、誘電体層を塗り重ね、内部電極用ペースト
の印刷〜誘電体層コートの工程をそれぞれ20回繰り返
した。こうして得られた積層体を、所定寸法に切断して
グリーンチップを作製した。
【0041】得られたグリーンチップを大気中、400
℃の温度で2時間保持してバインダーを完全に分解して
脱バインダーした後、それぞれ各組成に対応した表3,
4に示す焼成温度で、2時間保持して焼成した。
【0042】その後、焼結したチップに銀−パラジウム
(Ag−Pd)から成る外部取り出し電極を焼き付け、
評価用のチップコンデンサを作製した。
【0043】尚、前記評価用チップコンデンサの誘電体
層一層の厚さは、いずれも平均5μmであり、内部電極
により挟持された誘電体層数は20層であった。
【0044】かくして得られた評価用チップコンデンサ
を用い、先ず、基準温度25℃、周波数1.0kHz、
測定電圧1.0Vrmsの測定条件で、前記評価用チッ
プコンデンサの静電容量及び誘電損失を測定し、基準温
度25℃の静電容量に対する−30℃から+85℃まで
の温度における静電容量の温度変化率を測定した。さら
に、85℃で電界強度が1.2×104 V/mmの直流
電圧の印加状態を保つ高温負荷試験を行った。この高温
負荷試験は、300個の評価用チップコンデンサについ
て行い、最初にショートとしたチップコンデンサの、印
加開始からショートに至るまでの時間を測定することに
より行った。高温負荷試験は、40時間未満に不良が発
生した場合、積層型セラミックコンデンサの規格を満足
しなくなることから、40時間以上不良が発生しないこ
とを良とし、300個中の不良個数を表5,6に示し
た。
【0045】また、静電容量の値は、200nF未満で
は積層型セラミックコンデンサとして小型化が困難なこ
とから、200nF以上を良と評価した。
【0046】また、誘電損失が5.0%以上になると積
層型セラミックコンデンサとして実用的でないため、そ
の値は5.0%未満を良とした。
【0047】
【表5】
【0048】
【表6】
【0049】表5,6から明らかなように、試料番号1
では温度特性が規格外となり、規格に適合しても例え
ば、試料番号7,8,14,21,33,34,35,
45は、いずれも静電容量が200nF未満と小さく、
積層型セラミックコンデンサの小型化が実現できない。
【0050】また、試料番号1,15,28,41は、
誘電損失が5.0%以上となって実用範囲外となってい
る。
【0051】高温負荷寿命においても試料番号8,1
4,15,20,21,29,40では40時間以内に
不良が発生している。
【0052】それに対して、本願発明の試料番号のチッ
プコンデンサは、いずれも静電容量が200nF以上と
高く、焼成温度も1280℃以下と低く、かつ誘電損失
も5.0%以下と小さく、温度特性もY5T特性を満足
する。
【0053】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物は、チタンジ
ルコン酸バリウムカルシウムから成る複合酸化物を主成
分とし、該主成分に酸化亜鉛、マンガン化合物、チタン
化合物、二酸化ケイ素、イットリウム酸化物、鉄酸化物
を含有させたことから、EIA規格のY5T特性を満足
するとともに、比誘電率が4500以上、高温負荷寿命
が長く、1300℃未満の低温焼成が可能で、厚さ5μ
m以下の薄板表面が平滑で緻密なシート状焼結体を得る
ことができることから、安価な内部電極材料を用いた小
型・大容量の積層型セラミックコンデンサをはじめ、各
種コンデンサに適用できる誘電体磁器組成物を得ること
ができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】チタンジルコン酸バリウムカルシウムから
    成る複合酸化物を (Ba1-x Cax )(Ti1-x Zrx )O3 と表した時、前記xが 0.06≦x≦0.10 で示される主成分100重量部に対して、ZnOに換算
    した酸化亜鉛を0.1〜0.9重量部、MnO2 に換算
    したマンガン化合物を0.05〜0.3重量部、TiO
    2 に換算したチタン化合物を0.1〜1.1重量部、S
    iO2 に換算した二酸化ケイ素を0.05〜0.20重
    量部、Y2 3 に換算したイットリウム酸化物を0.3
    〜0.9重量部、Fe2 3 に換算した鉄酸化物を0.
    05〜0.2重量部含有してなることを特徴とする誘電
    体磁器組成物。
JP8105503A 1996-04-25 1996-04-25 誘電体磁器組成物 Pending JPH09286663A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8105503A JPH09286663A (ja) 1996-04-25 1996-04-25 誘電体磁器組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8105503A JPH09286663A (ja) 1996-04-25 1996-04-25 誘電体磁器組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09286663A true JPH09286663A (ja) 1997-11-04

Family

ID=14409411

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8105503A Pending JPH09286663A (ja) 1996-04-25 1996-04-25 誘電体磁器組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09286663A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100744918B1 (ko) * 2004-03-31 2007-08-01 삼성전기주식회사 Y5v특성이 우수한 mlcc용 유전체조성물 및 그제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100744918B1 (ko) * 2004-03-31 2007-08-01 삼성전기주식회사 Y5v특성이 우수한 mlcc용 유전체조성물 및 그제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100201201B1 (ko) 모놀리딕 세라믹 커패시터
JP3180681B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JPH10223471A (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP2001006966A (ja) セラミックコンデンサおよびその製造方法
JP2001039765A (ja) 誘電体セラミック組成物、および積層セラミックコンデンサ
JPH1012479A (ja) 積層セラミックコンデンサ
JPH1083932A (ja) 積層セラミックコンデンサ
JPH10335169A (ja) 非還元性誘電体磁器材料
JPH1074660A (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP4821357B2 (ja) 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
JP3039409B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP4717302B2 (ja) 誘電体磁器組成物及び電子部品
WO2004063119A1 (ja) 誘電体磁器組成物、電子部品およびこれらの製造方法
JP3634930B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP3482654B2 (ja) 誘電体磁器組成物粉末およびそれを用いた積層セラミックコンデンサ並びに誘電体磁器組成物粉末の製造方法
JP3600701B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JPH05190376A (ja) セラミックコンデンサ
JPH09286663A (ja) 誘電体磁器組成物
JP3401145B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP3316717B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP2008081351A (ja) 誘電体セラミックス、および積層セラミックコンデンサ、ならびにその製造方法
JP2958826B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP3245313B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP3228649B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JPH0971456A (ja) 誘電体磁器組成物