JPH0971456A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高容量化に限界があり、高温負荷寿命が短く、
またＥＩＡ規格のＹ５Ｖ特性を満足することができず、
小型・大容量の積層型セラミックコンデンサに用いるこ
とができなかった。 【解決手段】モル分率ｘ、ｙが０．０１≦ｘ≦０．２、
０．１＜ｙ＜０．１６である複合酸化物（Ｂａ_1-x Ｃａ
_x ）（Ｔｉ_1-y Ｚｒ_y ）Ｏ₃ １００重量部に対し、Ｚｎ
Ｏを０．１〜０．９重量部、ＭｎＯ₂ 換算のマンガン化
合物を０．１〜０．５重量部、ＴｉＯ₂ 換算のチタン化
合物を０．１〜１．１重量部、ＳｉＯ₂ に換算した二酸
化ケイ素を０．０５〜０．２０重量部、更に希土類元素
酸化物を０．８〜１．８重量部含有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、低温焼成が可能な
薄板成形用の高誘電率系誘電体磁器組成物に関するもの
で、とりわけ静電容量の温度特性に優れた高誘電率系セ
ラミックコンデンサや積層型セラミックコンデンサ、更
にはアキシャルコンデンサ、ディスクコンデンサ、厚膜
コンデンサ等の誘電体材料として好適な誘電体磁器組成
物に関するものである。

【０００２】

【従来技術】従来、高誘電率系セラミックコンデンサや
積層型セラミックコンデンサに用いられる誘電体材料と
しては、比誘電率が６０００〜１００００程度のチタン
酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃ ）系の誘電体磁器組成物があ
り、なかでも前記誘電体磁器組成物を用いたものとして
電気容量の観点から積層型セラミックコンデンサに多く
適用されてきた。

【０００３】前記積層型セラミックコンデンサは、一般
に誘電体磁器組成物から成るグリーンシート上に電極を
形成し、該グリーンシートを所定の電気容量となるよう
に複数枚積層し同時に焼成一体化して構成されている。

【０００４】しかしながら、前記チタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｉＯ₃ ）系の誘電体磁器組成物は、焼成温度が１３
００〜１４００℃程度と高く、しかも積層型セラミック
コンデンサの誘電体材料として使用するためには、同時
焼成する内部電極材料として高融点、高温還元性の貴金
属であるパラジウム（Ｐｄ）や白金（Ｐｔ）等を使用し
なければならず、安価で小型・大容量の積層型セラミッ
クコンデンサを製造することが困難であるという欠点が
あった。

【０００５】そこで、係る欠点を解消せんとして、比誘
電率が１００００以上と高い誘電体材料を用い、内部電
極間の誘電体磁器組成物のシート厚さを約３０μｍ程度
まで薄くし、その上、対向面積も極小化して積層型セラ
ミックコンデンサの小型化を図るとともに、低温焼成も
可能となるようにして内部電極材料を高価な前記貴金属
から安価なＡｇ−Ｐｄ等に代替することが行われてい
た。

【０００６】係る誘電体材料としては、チタン酸バリウ
ム（ＢａＴｉＯ₃ ）に所定量のスズ酸バリウム（ＢａＳ
ｎＯ₃ ）や、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ₃ ）、酸
化コバルト（ＣｏＯ）、酸化マンガン（ＭｎＯ₂ ）等を
添加した誘電体磁器組成物、あるいはチタン酸バリウム
（ＢａＴｉＯ₃ ）やジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ
₃ ）に、所定量のチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ₃ ）や、ゲル
マン酸鉛（Ｐｂ₅ Ｇｅ₃ Ｏ₁₁）、チタン酸ビスマス（Ｂ
ｉＴｉ₂ Ｏ₇ ）等を添加した誘電体磁器組成物が知られ
ていた（特公昭６０−５７１６４号公報、特公昭６１−
１６１３２号公報参照）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】前記チタン酸バリウム
（ＢａＴｉＯ₃ ）に所定量のスズ酸バリウム（ＢａＳｎ
Ｏ₃ ）やチタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ₃ ）、酸化コ
バルト（ＣｏＯ）、酸化マンガン（ＭｎＯ₂ ）等を添加
したり、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃ ）、ジルコン
酸カルシウム（ＣａＺｒＯ₃ ）に、所定量のチタン酸鉛
（ＰｂＴｉＯ₃ ）及びゲルマン酸鉛（Ｐｂ₅ Ｇｅ
₃ Ｏ₁₁）、チタン酸ビスマス（ＢｉＴｉ₂ Ｏ₇ ）を添加
した誘電体磁器組成物は、比較的容易に常温での比誘電
率を１００００〜２００００程度に高くすることが可能
となり、１２００℃以下の低温焼成も実現できる。

【０００８】ところで、ダウンサイジングの進む電子部
品にあっては、より小型化、高容量化を図るために誘電
体磁器組成物から成るシート状焼結体のより一層の薄板
化が要求されるようになり、現在その要求厚さは１０μ
ｍ以下となってきている。

【０００９】しかしながら、誘電体層を薄くすると一対
の電極間の絶縁耐圧が低下するという問題があった。ま
た、静電容量の増大を図るための別の方法として、比誘
電率が高い磁器を使用する方法があるが、従来のＢａＴ
ｉＯ₃ 系の誘電体磁器では比誘電率に限界があり、高容
量化に限界があった。さらに、前記誘電体材料を用い
て、厚さが１０μｍ以下の薄層から成る積層型コンデン
サを作製した場合、８５℃で電界強度が１．２×１０⁴
Ｖ／ｍｍの直流電圧を印加した高温負荷寿命が４０時間
未満と短く、また−３０℃〜＋８５℃の温度範囲におけ
る静電容量の変化率が−９０％〜＋５０％と極めて大と
なってしまい、前記温度範囲における静電容量の変化率
を−８２％〜＋２２％以内とするＥＩＡ規格のＹ５Ｖ特
性を満足することができず、小型・大容量の積層型セラ
ミックコンデンサをはじめ、そのような各種コンデンサ
を得ることができないという課題があった。

【００１０】本発明は前記課題に鑑みなされたもので、
その目的は、室温での比誘電率が１２０００以上と高
く、１３００℃未満の低温焼成で厚さ１０μｍ以下の表
面平滑な薄板状焼結体を得ることができ、安価な内部電
極材料を用いることができるのは勿論、高温負荷寿命が
４０時間以上と長く、−３０℃〜＋８５℃の温度範囲に
おける静電容量の変化率を−８２％〜＋２２％以内とす
るＹ５Ｖ特性を満足する小型・大容量の積層型セラミッ
クコンデンサをはじめ、各種コンデンサに適用し得る誘
電体磁器組成物を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、チタンジルコン酸バリウムカルシウムから成る複
合酸化物を（Ｂａ_1-x Ｃａ_x ）（Ｔｉ_1-y Ｚｒ_y ）Ｏ₃
と表した時、ｘ、ｙがそれぞれ０．０１≦ｘ≦０．２、
０．１＜ｙ＜０．１６で示される主成分１００重量部に
対して、ＺｎＯに換算した酸化亜鉛を０．１〜０．９重
量部、ＭｎＯ₂に換算したマンガン化合物を０．１〜
０．５重量部、ＴｉＯ₂ に換算したチタン化合物を０．
１〜１．１重量部、ＳｉＯ₂ に換算した二酸化ケイ素を
０．０５〜０．２０重量部、Ｎｄ₂ Ｏ₃ ，Ｓｍ₂ Ｏ₃ ，
Ｇｄ₂ Ｏ₃ ，Ｌａ₂ Ｏ₃ ，Ｐｒ₆ Ｏ₁₁，ＣｅＯ₂ ，Ｔｂ
₄ Ｏ₇ ，Ｅｕ₂ Ｏ₃ から選ばれた少なくとも一種に換算
した希土類元素酸化物を０．８〜１．８重量部含有して
成るものである。

【００１２】

【作用】本発明の誘電体磁器組成物によれば、チタンジ
ルコン酸バリウムカルシウムから成る複合酸化物を主成
分とする誘電体磁器組成物に、チタン化合物をはじめ、
種々の化合物を含有せしめることによって、比誘電率を
１２０００以上に維持し、かつ１３００℃未満の低温焼
成を可能としながら、厚さ１０μｍ以下の薄層から成る
積層型コンデンサであっても、前記Ｙ５Ｖ特性を満足す
ることができるようになる。

【００１３】その結果、誘電体磁器組成物として基本的
な特性である誘電損失ｔａｎδが１．０％以下、絶縁抵
抗ＩＲが１．０×１０⁵ ＭΩ以上を満足し、８５℃で電
界強度が１．２×１０⁴ Ｖ／ｍｍの直流電圧を印加した
高温負荷試験で４０時間以上不良が発生せず、さらに焼
成温度が１３００℃未満と工業的にも製造し易くなり、
各種セラミックコンデンサに適用可能な誘電体磁器組成
物が得られる。特に、本願発明では、二酸化ケイ素を
０．０５〜０．２重量部含有させることにより、８５℃
で電界強度が１．２×１０⁴ Ｖ／ｍｍの直流電圧を印加
した高温負荷試験で４０時間以上不良が発生しにくくな
る。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明において、９９．０％以上
の高純度のチタンジルコン酸バリウムカルシウムから成
る複合酸化物を（Ｂａ_1-x Ｃａ_x ）（Ｔｉ_1-y Ｚｒ_y ）
Ｏ₃ と表した時、モル分率ｘが０．０１未満の場合には
静電容量の温度特性が前記Ｙ５Ｖ特性を満足せず、モル
分率ｘが０．２を越える場合、あるいはモル分率ｙが
０．１以下や、０．１６以上の場合には、室温における
比誘電率εｒが１２０００未満と小さくなる。

【００１５】従って、前記Ｙ５Ｖ特性を満足し、１２０
００以上の高い比誘電率を維持し、かつ小型・大容量の
積層コンデンサをはじめとする各種コンデンサを得るた
めには、ｘの値は０．０１以上０．２以下、ｙの値は
０．１を越え０．１６未満に特定され、とりわけｘの値
は１５０００以上の高い比誘電率を維持するためには、
０．０１以上０．１以下が望ましく、ｙの値は０．１２
以上０．１３以下が望ましい。誘電体層の厚みを薄くす
ると、静電容量の温度特性が悪化する傾向にあるため、
誘電体層の厚みが５μｍ以下の場合には、ｘの値は温度
特性の観点から０．１〜０．２が望ましく、比誘電率お
よび温度特性の両方を加味すると０．０８〜０．１５が
望ましいものである。

【００１６】また、前記酸化亜鉛（ＺｎＯ）は、誘電体
磁器組成物の焼成温度と比誘電率を調整するものであ
り、その含有量が前記主成分１００重量部に対して、
０．１重量部未満では、焼成温度が１３００℃以上とな
り、室温における比誘電率εｒが１２０００未満と小さ
くなり、焼成後のシート状焼結体の密度も５．７ｇ／ｃ
ｍ³ 以下と低くなってしまい実用範囲外となる。また
０．９重量部を越えると、室温における比誘電率εｒが
１２０００未満と小さくなり、絶縁抵抗ＩＲが大きく低
下してしまい、焼成後のシート状焼結体の密度も５．７
ｇ／ｃｍ³ 以下と低くなってしまい実用範囲外となるた
め、０．１〜０．９重量部に特定され、より望ましくは
０．３〜０．５重量部となる。

【００１７】更に、前記マンガン化合物は、例えば誘電
体磁器組成物の誘電損失ｔａｎδを改善するものであ
り、その含有量が前記主成分１００重量部に対して、酸
化マンガン（ＭｎＯ₂ ）に換算して０．１重量部未満で
は誘電損失が１％以上と大となり、また０．５重量部を
越えると、絶縁抵抗ＩＲが大きく低下してしまう。

【００１８】従って、マンガン化合物の含有量は、前記
主成分１００重量部に対して、酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏ₂ ）に換算して０．１〜０．５重量部に限定され、特
に０．２〜０．３重量部が望ましい。

【００１９】一方、前記チタン化合物は、例えば誘電体
磁器組成物の焼結性を向上させるために含有させるもの
であり、その添加量は前記主成分１００重量部に対し
て、酸化チタン（ＴｉＯ₂ ）に換算して０．１重量部未
満では焼成温度が１３００℃以上となり、焼成後のシー
ト状焼結体の密度が５．７ｇ／ｃｍ³ 以下と低くなり、
さらに誘電損失ｔａｎδが１％以上と大となってしまい
実用範囲外となり、また、１．１重量部を越えると、誘
電損失ｔａｎδが１．０％を越えてしまうことから、前
記含有量は０．１〜１．１重量部に特定され、より望ま
しくは０．３〜０．９重量部の範囲となる。

【００２０】また、前記二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂ ）は、
誘電体磁器組成物の結晶粒径を調整するものであり、そ
の含有量が前記主成分１００重量部に対して、０．０５
重量部未満では、８５℃で電界強度が１．２×１０⁴ Ｖ
／ｍｍの直流電圧を印加した高温負荷試験で４０時間以
内で不良が発生し易く、さらに焼成温度が１３００℃以
上となってしまい実用範囲外となり、また、０．２０重
量部を越えると、比誘電率が１２０００未満と低下して
しまい、実用範囲外となってしまうことから、その含有
量は０．０５〜０．２０重量部に特定され、より望まし
くは０．１０〜０．１５重量部となる。

【００２１】また、希土類化合物は誘電体磁器組成物の
焼結性を向上し、比誘電率を高くするために含有させる
もので、その含有量が、前記主成分１００重量部に対し
て、酸化物（Ｎｄ₂ Ｏ₃ ，Ｓｍ₂ Ｏ₃ ，Ｇｄ₂ Ｏ₃ ，Ｌ
ａ₂ Ｏ₃ ，Ｐｒ₆ Ｏ₁₁，ＣｅＯ₂ ，Ｔｂ₄ Ｏ₇ ，Ｅｕ₂
Ｏ₃ ）に換算して０．８重量部未満では比誘電率が１２
０００未満と低下してしまい、１．８重量部を越えると
シート状焼結体の密度及び絶縁抵抗ＩＲが低くなって、
実用範囲外となってしまうことから、その含有量は０．
８〜１．８重量部に特定され、より望ましくは１．０〜
１．６重量部となる。比誘電率を高くするためには、Ｎ
ｄ₂ Ｏ₃ ，Ｓｍ₂ Ｏ₃ ，Ｇｄ₂ Ｏ₃ ，Ｌａ₂ Ｏ₃ ，Ｐｒ
₆ Ｏ₁₁が望ましい。また、ＣｅＯ₂ ，Ｔｂ₄ Ｏ₇ ，Ｅｕ
₂ Ｏ₃ を添加する場合には、上記ｘの範囲は、０．０１
〜０．１の範囲が望ましい。

【００２２】本発明の誘電体磁器組成物は、例えば、出
発原料としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃ ）とカル
シア（ＣａＯ）、ジルコニア（ＺｒＯ₂ ）から成る複合
酸化物（Ｂａ_1-x Ｃａ_x ）（Ｔｉ_1-y Ｚｒ_y ）Ｏ₃ １０
０重量部に対して、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、マンガン化合
物、チタン化合物、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂ ）及び希土
類元素酸化物の各粉末を所定量添加し、混合粉砕し、こ
れにバインダーを添加しセラミック泥漿を作製する。こ
れを例えば、ドクターブレード法により塗布した後乾燥
し、この塗布〜乾燥の作業を繰り返し所定厚みの成形体
を作製し、例えば、大気中、１２００〜１３００℃で焼
成することにより得られる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の誘電体磁器組成物を実施例に
基づき詳細に説明する。本発明の誘電体磁器組成物を評
価するに際し、出発原料としてチタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯ₃ ）とカルシア（ＣａＯ）、ジルコニア（ＺｒＯ
₂ ）から成る複合酸化物として、モル分率ｘが０〜０．
２１、モル分率ｙが０．１〜０．１６で平均粒径が１μ
ｍ以下である（Ｂａ_1-x Ｃａ_x ）（Ｔｉ_1-y Ｚｒ_y ）Ｏ
₃ を主成分とするチタンジルコン酸バリウムカルシウム
１００重量部に対して、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、マンガン
化合物、チタン化合物、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂ ）及び
希土類元素酸化物の各粉末を、マンガン化合物は酸化マ
ンガン（ＭｎＯ₂ ）に、チタン化合物は酸化チタン（Ｔ
ｉＯ₂ ）に、希土類元素酸化物は酸化物（Ｎｄ₂ Ｏ₃ ，
Ｓｍ₂ Ｏ₃ ，Ｇｄ₂ Ｏ₃ ，Ｌａ₂ Ｏ₃ ，Ｐｒ₆ Ｏ₁₁，Ｃ
ｅＯ₂ ，Ｔｂ₄ Ｏ₇，Ｅｕ₂ Ｏ₃ ）に換算して表１，
２，３に示す重量部となるように秤量し、それらの粉末
をボールミルにて２０時間湿式混合粉砕した。

【００２４】

【表１】

【００２５】

【表２】

【００２６】

【表３】

【００２７】次いで、前記混合粉砕物に有機系粘結剤と
媒体から成るバインダーを添加し攪拌してセラミック泥
漿を調製した後、得られたセラミック泥漿を脱泡し、該
泥漿を用いてドクターブレード法により台板上に厚さ約
１０μｍの誘電体膜を成形した。該誘電体膜の乾燥後、
繰り返し誘電体膜を１００回塗り重ね厚さ１ｍｍの積層
体を作製した。この積層体を直径２０ｍｍの円板状に打
ち抜き、大気中、１２００〜１３３０℃の範囲の各温度
で２時間焼成し、厚み８００μｍの焼結体を得た。その
後、円板状焼結体の両端面に銀ペーストを用いて電極を
焼付け、評価用試料とした。

【００２８】かくして得られた評価用試料を用い、先
ず、基準温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ、測定電圧
１．０Ｖｒｍｓの測定条件で、前記評価用試料の比誘電
率εｒ及び誘電損失ｔａｎδを測定し、更に、直流電圧
５０Ｖを１分間印加した時の絶縁抵抗ＩＲを測定した。

【００２９】比誘電率εｒが１２０００未満では、例え
ば積層型セラミックコンデンサでは小型化ができないた
め、１２０００以上を良とし、更に、誘電損失ｔａｎδ
は、１．０％以上になると、例えばコンデンサのチップ
化が困難となる等のため、１．０％未満を良と評価し
た。一方、絶縁抵抗ＩＲは、１．０×１０⁵ ＭΩ未満で
は、積層型セラミックコンデンサとして絶縁抵抗の規格
を満足せず、絶縁不良となるため、１．０×１０⁵ ＭΩ
以上を良と評価した。

【００３０】更に、アルキメデス法で密度を測定し、該
密度が５．７ｇ／ｃｍ³ 以下ではこれら高誘電率系の誘
電体磁器組成物は焼成不十分であることを示しており、
１３００℃未満の低温焼成で実用的な焼結体が得られな
いことから、密度は５．７ｇ／ｃｍ³ 以上を良と評価し
た。以上の結果を、表４，５，６に示す。

【００３１】

【表４】

【００３２】

【表５】

【００３３】

【表６】

【００３４】表４，５，６から明らかなように、試料番
号１２、１３、１８、１９、２５、４６、４７、５６、
６１、６２、６８、７５、８９、９０では、積層セラミ
ックコンデンサ等の小型・大容量化に大きく寄与する比
誘電率が１２０００以下と低くなっており、試料番号１
９、３２、４１、４７、６２、７５、８４、９０は、い
ずれも焼成温度が１３１０℃以上となっている。

【００３５】また、試料番号１３、２６、３１、３２、
４０、５６、６９、７４、７５、８３は、誘電損失が
１．０５％以上と大きく、試料番号１９、２５、３２、
４７、５４、６２、６８、７５、９０、９７では、高い
温度で焼成しても密度が５．７０ｇ／ｃｍ³ 未満と低
く、焼結不足となっている。

【００３６】更に、試料番号２５、３１、５４、６８、
７４、９７は、いずれも絶縁抵抗が１．０×１０⁵ 未満
と低くなっている。

【００３７】それに対して、本願発明の試料番号のもの
は、比誘電率も１２０００以上と高く、焼成温度は１２
９０℃以下と低く、誘電損失も０．９５％以下、密度は
５．７１ｇ／ｃｍ³ 以上、更に絶縁抵抗も１．１×１０
⁵ ＭΩといずれの要求特性をも満足するものになってい
る。

【００３８】次に、表１，２，３に示す組成で上記と同
様にして調製したセラミック泥漿を用いて成形した厚さ
１０μｍの各誘電体膜上に、銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐ
ｄ）粉末から成る内部電極用ペーストを用いて電極を所
定形状にスクリーン印刷した後、この誘電体膜〜電極用
ペースト塗布の工程を２０回繰り返した。こうして得ら
れた積層体を切断してグリーンチップを作製した。

【００３９】得られたグリーンチップを大気中、４００
℃の温度で２時間保持してバインダーを完全に分解して
脱バインダーした後、それぞれ各組成に対応した表４，
５，６に示す焼成温度で、２時間保持して焼成した。

【００４０】その後、焼結したチップに銀−パラジウム
（Ａｇ−Ｐｄ）から成る外部取り出し電極を焼き付け、
評価用のチップコンデンサを作製した。

【００４１】尚、前記評価用チップコンデンサの誘電体
層一層の厚さは、いずれも平均５μｍであった。

【００４２】かくして得られた評価用チップコンデンサ
を用い、先ず、基準温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ、
測定電圧１．０Ｖｒｍｓの測定条件で、前記評価用チッ
プコンデンサの静電容量及び誘電損失を測定し、更に直
流電圧２５Ｖを１分間印加した時の絶縁抵抗ＩＲを測定
するとともに、基準温度２５℃の静電容量に対する−３
０℃から＋８５℃までの温度における静電容量の温度変
化率を測定した。

【００４３】さらに、８５℃で電界強度が１．２×１０
⁴ Ｖ／ｍｍの直流電圧の印加状態を保つ高温負荷試験を
行った。この高温負荷試験は、３００個の評価用チップ
コンデンサについて行い、最初にショートとしたチップ
コンデンサの、印加開始からショートに至るまでの時間
を測定することにより行った。

【００４４】以上の測定結果から、静電容量の値は、２
００ｎＦ未満では積層型セラミックコンデンサとして小
型化が困難なことから、２００ｎＦ以上を良と評価し
た。

【００４５】また、誘電損失が５．０％以上になると積
層型セラミックコンデンサとして実用的でないため、そ
の値は５．０％未満を良とした。

【００４６】静電容量の温度変化率は、温度範囲で−８
２％〜＋２２％のＥＩＡ規格のＹ５Ｖ特性に適合しない
ものを規格外とし、また、高温負荷試験は、４０時間未
満に不良が発生した場合、積層型セラミックコンデンサ
の規格を満足しなくなることから、４０時間以上不良が
発生しないことを良とした。これらの結果を表７，８，
９に示す。

【００４７】

【表７】

【００４８】

【表８】

【００４９】

【表９】

【００５０】表７，８，９から明らかなように、試料番
号１では温度特性が規格外となり、規格に適合しても例
えば、試料番号１２、１３、１８、１９、３２、４６、
４７、５６、６１、６２、７５、８９、９０は、いずれ
も静電容量が２００ｎＦ未満と小さく、積層型セラミッ
クコンデンサの小型化が実現できない。また、試料番号
１３、２６、３１、３２、４０、５６、６９、７４、７
５、８３、８４、９０は、誘電損失が５．０％以上とな
って実用範囲外となっている。

【００５１】それに対して、本願発明の試料番号のチッ
プコンデンサは、いずれも静電容量が２００ｎＦ以上と
高く、焼成温度も１２９０℃以下と低く、かつ誘電損失
も５．０％以下と小さく、温度特性もＹ５Ｖ特性を満足
する。

【００５２】

【発明の効果】叙上の如く、本発明の誘電体磁器組成物
は、チタンジルコン酸バリウムカルシウムから成る複合
酸化物を主成分とし、該主成分に希土類元素酸化物及び
酸化亜鉛（ＺｎＯ）、マンガン化合物、チタン化合物、
さらにＳｉＯ₂ を含有させたことから、ＥＩＡ規格のＹ
５Ｖ特性を満足するとともに、比誘電率が１２０００以
上、高温負荷寿命が長く、１３００℃未満の低温焼成が
可能で、厚さ１０μｍ以下の薄板表面が平滑で緻密なシ
ート状焼結体を得ることができることから、安価な内部
電極材料を用いた小型・大容量の積層型セラミックコン
デンサをはじめ、各種コンデンサに適用できる誘電体磁
器組成物を得ることができる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】チタンジルコン酸バリウムカルシウムから
   成る複合酸化物を（Ｂａ_1-x Ｃａ_x ）（Ｔｉ_1-y Ｚ
   ｒ_y ）Ｏ₃ と表した時、ｘ、ｙがそれぞれ ０．０１≦ｘ≦０．２ ０．１＜ｙ＜０．１６ で示される主成分１００重量部に対して、ＺｎＯに換算
   した酸化亜鉛を０．１〜０．９重量部、ＭｎＯ₂ に換算
   したマンガン化合物を０．１〜０．５重量部、ＴｉＯ₂
   に換算したチタン化合物を０．１〜１．１重量部、Ｓｉ
   Ｏ₂ に換算した二酸化ケイ素を０．０５〜０．２０重量
   部、Ｎｄ₂ Ｏ₃ ，Ｓｍ₂ Ｏ₃ ，Ｇｄ₂ Ｏ₃，Ｌａ
   ₂ Ｏ₃ ，Ｐｒ₆ Ｏ₁₁，ＣｅＯ₂ ，Ｔｂ₄ Ｏ₇ ，Ｅｕ₂ Ｏ
   ₃ から選ばれた少なくとも一種に換算した希土類元素酸
   化物を０．８〜１．８重量部含有して成ることを特徴と
   する誘電体磁器組成物。