JPH09293708A - 排気装置 - Google Patents
排気装置Info
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- JPH09293708A JPH09293708A JP10499396A JP10499396A JPH09293708A JP H09293708 A JPH09293708 A JP H09293708A JP 10499396 A JP10499396 A JP 10499396A JP 10499396 A JP10499396 A JP 10499396A JP H09293708 A JPH09293708 A JP H09293708A
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- joint portion
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- slot
- reaction chamber
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 排気配管内面への反応副生成物の堆積を防止
して、反応室内のパーティクル汚染を抑制し、排気配管
をクリーニングしメンテナンスする回数を減少し、稼動
率を向上すると共に生成膜の膜質を向上する。 【解決手段】 排気配管５の継手部１０にスロット９を
設け、このスロット９にＯリング３を挿設し、前記継手
部１０に、これにフィットする形状を有するテープヒー
タ７を装着することを特徴とする。
して、反応室内のパーティクル汚染を抑制し、排気配管
をクリーニングしメンテナンスする回数を減少し、稼動
率を向上すると共に生成膜の膜質を向上する。 【解決手段】 排気配管５の継手部１０にスロット９を
設け、このスロット９にＯリング３を挿設し、前記継手
部１０に、これにフィットする形状を有するテープヒー
タ７を装着することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置の
排気装置に関するものである。
排気装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ法によるシリコン窒化膜（Ｓｉ3
Ｎ4 ）の形成には、段差被覆性に優れることから反応ガ
スに、ＳｉＨ2Ｃｌ2 及びＮＨ3 を用いる方法が広く採
用されている。しかし、この方法では、反応副生成物と
してＮＨ4Ｃｌ（塩化アンモニウム）を形成し、半導体
製造装置内部に固形物として堆積する。これは、低温壁
面において顕著であり、従来、排気配管内部にＮＨ4Ｃ
ｌが多く見られた。ＮＨ4Ｃｌは、堆積した後、剥離
し、パーティクルとして反応室内に侵入し、生産ウェー
ハを汚染する問題がある。
Ｎ4 ）の形成には、段差被覆性に優れることから反応ガ
スに、ＳｉＨ2Ｃｌ2 及びＮＨ3 を用いる方法が広く採
用されている。しかし、この方法では、反応副生成物と
してＮＨ4Ｃｌ（塩化アンモニウム）を形成し、半導体
製造装置内部に固形物として堆積する。これは、低温壁
面において顕著であり、従来、排気配管内部にＮＨ4Ｃ
ｌが多く見られた。ＮＨ4Ｃｌは、堆積した後、剥離
し、パーティクルとして反応室内に侵入し、生産ウェー
ハを汚染する問題がある。
【０００３】そこで、図２に示すように縦型ＣＶＤ装置
の反応室６に排気配管５を介して排気ポンプ８を連結
し、排気配管５の継手部のフランジ間にＯリング３を介
在させてクランプ２で緊締すると共に排気配管５の周り
にジャケットヒータ１を巻回し、配管５を１５０℃前後
に加熱することにより、ＮＨ4Ｃｌの堆積を防止する試
みがなされている。しかし配管５の継手部に使用するク
ランプ２の形状が複雑であるため、この部分の加熱は行
なっていない。このため、排気配管５の継手部分が低温
となり、この内側にＮＨ4Ｃｌの堆積物（反応副生成
物）４が依然として存在しており、パーティクルが発生
するおそれがある。
の反応室６に排気配管５を介して排気ポンプ８を連結
し、排気配管５の継手部のフランジ間にＯリング３を介
在させてクランプ２で緊締すると共に排気配管５の周り
にジャケットヒータ１を巻回し、配管５を１５０℃前後
に加熱することにより、ＮＨ4Ｃｌの堆積を防止する試
みがなされている。しかし配管５の継手部に使用するク
ランプ２の形状が複雑であるため、この部分の加熱は行
なっていない。このため、排気配管５の継手部分が低温
となり、この内側にＮＨ4Ｃｌの堆積物（反応副生成
物）４が依然として存在しており、パーティクルが発生
するおそれがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来例にあって
は、排気配管５の継手部分を加熱していないため、この
部分に反応副生成物４が生成し、パーティクルが発生す
る原因となり、反応室内がパーティクルで汚染するとい
う課題がある。
は、排気配管５の継手部分を加熱していないため、この
部分に反応副生成物４が生成し、パーティクルが発生す
る原因となり、反応室内がパーティクルで汚染するとい
う課題がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明装置は、従来技術
の課題である排気配管の継手部分の非加熱により生ずる
低温度部への反応副生成物、即ちＮＨ4Ｃｌの堆積をな
くし、反応室内のパーティクル汚染を抑制するため、排
気配管５の継手部１０にスロット９を設け、このスロッ
ト９にＯリング３を挿設し、前記継手部１０に、これに
フィットする形状を有するテープヒータ７を装着するこ
とを特徴とする。
の課題である排気配管の継手部分の非加熱により生ずる
低温度部への反応副生成物、即ちＮＨ4Ｃｌの堆積をな
くし、反応室内のパーティクル汚染を抑制するため、排
気配管５の継手部１０にスロット９を設け、このスロッ
ト９にＯリング３を挿設し、前記継手部１０に、これに
フィットする形状を有するテープヒータ７を装着するこ
とを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１は本発明装置の実施形態の１
例を示す要部の断面図である。この形態は、排気配管５
の周りにジャケットヒータ１を巻回し、排気配管５の継
手部１０にスロット９を設け、このスロット９にＯリン
グ３を挿設すると共に継手部１０に、これにフィットす
る形状を有するテープヒータ７を装着せしめる。
例を示す要部の断面図である。この形態は、排気配管５
の周りにジャケットヒータ１を巻回し、排気配管５の継
手部１０にスロット９を設け、このスロット９にＯリン
グ３を挿設すると共に継手部１０に、これにフィットす
る形状を有するテープヒータ７を装着せしめる。
【０００７】このような構成としたので、排気配管５を
ジャケットヒータ１により加熱し、継手部１０をテープ
ヒータ７により加熱することにより排気配管５の内壁及
び継手部１０の内壁の温度を上げることが可能となり、
排気配管５の内面全部に反応副生成物が堆積せず、反応
副生成物が剥離してパーティクルが発生し反応室内に侵
入することがないので、反応室内のパーティクル汚染を
抑制することができる。又、排気配管５の内面に反応副
生成物が堆積しないので、排気配管をクリーニングしメ
ンテナンスする回数を減少でき、稼動率を向上すること
ができると共にパーティクル汚染を抑制できることによ
りシリコン窒化膜等の生成膜の膜質を向上することがで
きる。
ジャケットヒータ１により加熱し、継手部１０をテープ
ヒータ７により加熱することにより排気配管５の内壁及
び継手部１０の内壁の温度を上げることが可能となり、
排気配管５の内面全部に反応副生成物が堆積せず、反応
副生成物が剥離してパーティクルが発生し反応室内に侵
入することがないので、反応室内のパーティクル汚染を
抑制することができる。又、排気配管５の内面に反応副
生成物が堆積しないので、排気配管をクリーニングしメ
ンテナンスする回数を減少でき、稼動率を向上すること
ができると共にパーティクル汚染を抑制できることによ
りシリコン窒化膜等の生成膜の膜質を向上することがで
きる。
【０００８】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、排気配管
内面への反応副生成物の堆積を防止でき、反応室内のパ
ーティクル汚染を抑制することができるばかりでなく、
排気配管をクリーニングしメンテナンスする回数を減少
でき、稼動率を向上することができると共に生成膜の膜
質を向上することができる。
内面への反応副生成物の堆積を防止でき、反応室内のパ
ーティクル汚染を抑制することができるばかりでなく、
排気配管をクリーニングしメンテナンスする回数を減少
でき、稼動率を向上することができると共に生成膜の膜
質を向上することができる。
【図１】本発明装置の実施形態の１例を示す要部の断面
図である。
図である。
【図２】従来装置の１例を示す断面図である。
１ ジャケットヒータ ２ クランプ ３ Ｏリング ５ 排気配管 ７ テープヒータ ９ スロット １０ 継手部
Claims (2)
- 【請求項１】 排気配管の継手部に、これにフィットす
る形状を有するテープヒータを装着することを特徴とす
る排気装置。 - 【請求項２】 排気配管の継手部にスロットを設け、こ
のスロットにＯリングを挿設することを特徴とする請求
項１の排気装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10499396A JPH09293708A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 排気装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10499396A JPH09293708A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 排気装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293708A true JPH09293708A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=14395628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10499396A Pending JPH09293708A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 排気装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09293708A (ja) |
-
1996
- 1996-04-25 JP JP10499396A patent/JPH09293708A/ja active Pending
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