JPH09293725A - 配線材のエッチング方法 - Google Patents
配線材のエッチング方法Info
- Publication number
- JPH09293725A JPH09293725A JP10495196A JP10495196A JPH09293725A JP H09293725 A JPH09293725 A JP H09293725A JP 10495196 A JP10495196 A JP 10495196A JP 10495196 A JP10495196 A JP 10495196A JP H09293725 A JPH09293725 A JP H09293725A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- wiring
- layer
- bcl
- etched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＢＮ化合物を含む側壁保護膜は化学的に強い結
合を有するため、エッチングに引き続くアッシング工程
・溶液処理により除去されにくいという課題がある。従
って，ＢＮ化合物に代わって強固でしかもエッチング後
に除去しやすい側壁保護膜を形成する手段が必要にな
る。 【解決手段】枚葉式のドライエッチング装置を用いて、
エッチング室内をＯ2クリーング処理し、エッチング室
の内壁温度を設定・制御した後、試料をエッチング室２
０３に搬送しＢＣｌ3／Ｃｌ2／ＣＨ4／Ａｒガスを用い
てレジスト膜１０５パターンをマスクにしてＴｉＮキャ
ップ層１０４，Ａｌ−Ｃｕ合金層１０３，及びＴｉＮバ
リア層１０２を順次プラズマエッチングする。
合を有するため、エッチングに引き続くアッシング工程
・溶液処理により除去されにくいという課題がある。従
って，ＢＮ化合物に代わって強固でしかもエッチング後
に除去しやすい側壁保護膜を形成する手段が必要にな
る。 【解決手段】枚葉式のドライエッチング装置を用いて、
エッチング室内をＯ2クリーング処理し、エッチング室
の内壁温度を設定・制御した後、試料をエッチング室２
０３に搬送しＢＣｌ3／Ｃｌ2／ＣＨ4／Ａｒガスを用い
てレジスト膜１０５パターンをマスクにしてＴｉＮキャ
ップ層１０４，Ａｌ−Ｃｕ合金層１０３，及びＴｉＮバ
リア層１０２を順次プラズマエッチングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ等で用いら
れる配線材のエッチング方法に係り、特に多層もしくは
単層Ａｌ配線の側面における加工形状の制御に好適な配
線材のエッチング方法に関する。
れる配線材のエッチング方法に係り、特に多層もしくは
単層Ａｌ配線の側面における加工形状の制御に好適な配
線材のエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩのＡｌ配線の多くはＴｉＮキャッ
プ層／Ａｌ−Ｃｕ合金／ＴｉＮバリア層の３層構造が採
用されている。該配線のパターニングにはＢＣｌ3／Ｃ
ｌ2ガスによるドライエッチングが広く用いられてい
る。ＢＣｌ3／Ｃｌ2系のエッチングでは、Ａｌ−Ｃｕ合
金のエッチング速度の方がＴｉＮのエッチング速度より
大きいため，図３の従来の多層Ａｌ配線の断面形状図に
示すようにＡｌ−Ｃｕ合金層３０３にサイドエッチング
３０５が発生したり、ＴｉＮキャップ層３０３直下のＡ
ｌ−Ｃｕ合金層３０３にノッチ３０６が発生するという
課題がある。良好な加工形状を実現するためには、側壁
保護膜の形成を制御しながらＡｌ配線のエッチングを行
う必要がある。その対策として、例えばＪｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃｅ ＆ Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ，Ａ１０巻，第４号，ｐｐ．１２３２−１
２３７に記載されているように，Ｎ2をＢＣｌ3／Ｃｌ2
系のガスに添加してノッチ３０６の低減及びＡｌ−Ｃｕ
合金層３０３の異方性加工を達成している。該手段によ
る側壁保護膜はＢＣｌ3からのＢとＴｉＮ層のＮの反応
によるＢＮ化合物を含んでおり、従来のＢＣｌ3／Ｃｌ2
系エッチングに比べて形状制御に有効な側壁保護膜とな
っている。
プ層／Ａｌ−Ｃｕ合金／ＴｉＮバリア層の３層構造が採
用されている。該配線のパターニングにはＢＣｌ3／Ｃ
ｌ2ガスによるドライエッチングが広く用いられてい
る。ＢＣｌ3／Ｃｌ2系のエッチングでは、Ａｌ−Ｃｕ合
金のエッチング速度の方がＴｉＮのエッチング速度より
大きいため，図３の従来の多層Ａｌ配線の断面形状図に
示すようにＡｌ−Ｃｕ合金層３０３にサイドエッチング
３０５が発生したり、ＴｉＮキャップ層３０３直下のＡ
ｌ−Ｃｕ合金層３０３にノッチ３０６が発生するという
課題がある。良好な加工形状を実現するためには、側壁
保護膜の形成を制御しながらＡｌ配線のエッチングを行
う必要がある。その対策として、例えばＪｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃｅ ＆ Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ，Ａ１０巻，第４号，ｐｐ．１２３２−１
２３７に記載されているように，Ｎ2をＢＣｌ3／Ｃｌ2
系のガスに添加してノッチ３０６の低減及びＡｌ−Ｃｕ
合金層３０３の異方性加工を達成している。該手段によ
る側壁保護膜はＢＣｌ3からのＢとＴｉＮ層のＮの反応
によるＢＮ化合物を含んでおり、従来のＢＣｌ3／Ｃｌ2
系エッチングに比べて形状制御に有効な側壁保護膜とな
っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したＢＣｌ3／Ｃ
ｌ2系エッチングガスにＮ2を添加する方法では、ＢＮ化
合物を含む側壁保護膜が効率良く形成されることにより
ノッチ３０６を低減している。しかし、該ＢＮ化合物を
含む側壁保護膜は化学的に強い結合を有するため、エッ
チングに引き続くアッシング工程・溶液処理により除去
されにくいという課題がある。また、エッチング室内壁
においてもＢＮ化合物の生成・堆積反応が起こるため，
エッチング装置内で異物が発生しやすく，ＬＳＩ量産適
用の際には問題となる。従って，ＢＮ化合物に代わって
強固でしかもエッチング後に除去しやすい側壁保護膜を
形成する手段が必要になる。
ｌ2系エッチングガスにＮ2を添加する方法では、ＢＮ化
合物を含む側壁保護膜が効率良く形成されることにより
ノッチ３０６を低減している。しかし、該ＢＮ化合物を
含む側壁保護膜は化学的に強い結合を有するため、エッ
チングに引き続くアッシング工程・溶液処理により除去
されにくいという課題がある。また、エッチング室内壁
においてもＢＮ化合物の生成・堆積反応が起こるため，
エッチング装置内で異物が発生しやすく，ＬＳＩ量産適
用の際には問題となる。従って，ＢＮ化合物に代わって
強固でしかもエッチング後に除去しやすい側壁保護膜を
形成する手段が必要になる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために有機物の側壁保護膜を形成する。そのために，枚
葉式エッチング装置のエッチング室をＯ2プラズマクリ
−ニングして有機物を除去した後、チャンバの壁面温度
を８０〜２５０℃の所定温度に制御しＢＣｌ3，Ｃｌ2，
ＣＨ4及びＡｒの混合ガスにより有機レジスト膜マスク
を用いて多層Ａｌ配線をプラズマエッチングする。その
ときのガス質量流量比はＣｌ2：１００に対してＢＣ
ｌ3，ＣＨ4及びＡｒが各々５〜５０，１〜２０，５０〜
５００の比である。上記Ｏ2プラズマクリ−ニングは、
複数枚の連続処理毎もしくはウエハ処理１枚毎に行えば
よい。
ために有機物の側壁保護膜を形成する。そのために，枚
葉式エッチング装置のエッチング室をＯ2プラズマクリ
−ニングして有機物を除去した後、チャンバの壁面温度
を８０〜２５０℃の所定温度に制御しＢＣｌ3，Ｃｌ2，
ＣＨ4及びＡｒの混合ガスにより有機レジスト膜マスク
を用いて多層Ａｌ配線をプラズマエッチングする。その
ときのガス質量流量比はＣｌ2：１００に対してＢＣ
ｌ3，ＣＨ4及びＡｒが各々５〜５０，１〜２０，５０〜
５００の比である。上記Ｏ2プラズマクリ−ニングは、
複数枚の連続処理毎もしくはウエハ処理１枚毎に行えば
よい。
【０００５】本発明を用いれば、ＣＨ4から解離した有
機成分が効率良く側壁保護膜を形成するため、サイドエ
ッチング及びノッチを抑制でき、良好な加工形状の多層
Ａｌ配線のエッチングが可能になる。また、Ａｒを添加
していることにより、そのスパッタ効果により、側壁保
護膜の厚さをコントロールでき、加工形状の制御性をさ
らに向上することができる。上記方式により形成された
側壁保護膜は通常の後工程により容易に除去できる。ま
た、ＣＨ4の添加がエッチング装置のメンテナンス性に
影響を与えることはない。通常、ＣＨ4等のような有機
系ガスを添加したエッチングを量産に適用すると加工形
状に経時変化が現れるが、本発明では定期的なＯ2クリ
ーニングによるチャンバ内有機物の除去とチャンバ壁面
温度の制御によりエッチング雰囲気の安定性、再現性の
向上を図かり量産への適用を可能にしている。
機成分が効率良く側壁保護膜を形成するため、サイドエ
ッチング及びノッチを抑制でき、良好な加工形状の多層
Ａｌ配線のエッチングが可能になる。また、Ａｒを添加
していることにより、そのスパッタ効果により、側壁保
護膜の厚さをコントロールでき、加工形状の制御性をさ
らに向上することができる。上記方式により形成された
側壁保護膜は通常の後工程により容易に除去できる。ま
た、ＣＨ4の添加がエッチング装置のメンテナンス性に
影響を与えることはない。通常、ＣＨ4等のような有機
系ガスを添加したエッチングを量産に適用すると加工形
状に経時変化が現れるが、本発明では定期的なＯ2クリ
ーニングによるチャンバ内有機物の除去とチャンバ壁面
温度の制御によりエッチング雰囲気の安定性、再現性の
向上を図かり量産への適用を可能にしている。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図１に示す試
料断面図及び図２に示すエッチング装置の概略図を用い
て説明する。図１（ａ）に示すように半導体基板１００
上に堆積した絶縁膜１０１，ＴｉＮバリア層１０２，Ａ
ｌ−Ｃｕ合金層１０３，及びＴｉＮキャップ層１０４上
に所望のパターンのレジスト膜１０５を具備した試料を
有磁場マイクロ波エッチング装置の試料交換室に投入し
た。該エッチング装置では，図２に示すようにマグネト
ロン２００で発生したμ波が導波管２０１、導入窓２０
２を経てエッチング室２０３に伝わり、そこで磁場制御
コイル２０４により形成された磁場と電子サイクロトロ
ン共鳴を起こし高密度プラズマを生成している。また、
試料ホルダ２０５には高周波電源２０６が接続され、Ｒ
Ｆバイアスを独立して印加することができる。上記試料
をエッチング室２０３に投入する前に、Ｏ2クリーニン
グ処理を施してエッチング室内の有機物を除去した。ク
リーニング条件はＯ2流量１００sccm，全ガス圧２Pa，
μ波出力８００Wである。エッチング室の内壁温度を１
００℃に設定・制御した後、上記試料をエッチング室２
０３に搬送し、前記レジスト膜１０５パターンをマスク
にしてＴｉＮキャップ層１０４，Ａｌ−Ｃｕ合金層１０
３，及びＴｉＮバリア層１０２を順次エッチングした。
このときの主なエッチング条件を、ガス流量ＢＣｌ3：
２０sccm，Ｃｌ2：８０sccm，ＣＨ4：４sccm，全ガス圧
２Pa，μ波出力８００W，ＲＦパワー６０W，基板温度４
０℃とすると図１（ｂ）に示す結果となった。また、ガ
ス流量ＢＣｌ3：２０ｓｃｃｍ，Ｃｌ2：８０ｓｃｃｍ，
ＣＨ4：４ｓｃｃｍ，Ａｒ：９６ｓｃｃｍ，全ガス圧３
Ｐａとすると図１（ｃ）に示す結果となった。ここで、
その他のエッチング条件は図１（ｂ）に示す場合と同様
である。ここでガス流量の制御は何れもマスフロー制御
による流量コントローラ２０７を用いている。尚、プラ
ズマ発光モニタを用いて判定したＴｉＮバリア層１０２
のエッチングが終了した後も、引続き１５秒間、エッチ
ングを継続した。上述したエッチング処理後の試料の断
面形状は図１．（ｂ）ではＣＨ4による側壁保護膜が厚
すぎるために順テーパ（図に示すように下向きに広がっ
たテーパをいう）となるが、図１．（ｃ）のようにＡｒ
を添加することで、そのスパッタ性により側壁保護膜の
厚さが制御され、ＴｉＮキャップ層１０４，Ａｌ−Ｃｕ
合金層１０３，ＴｉＮバリア層１０２の各側面は垂直に
加工され、該側面はエッチング中の副生成物による側壁
保護膜１０６により被われている。
料断面図及び図２に示すエッチング装置の概略図を用い
て説明する。図１（ａ）に示すように半導体基板１００
上に堆積した絶縁膜１０１，ＴｉＮバリア層１０２，Ａ
ｌ−Ｃｕ合金層１０３，及びＴｉＮキャップ層１０４上
に所望のパターンのレジスト膜１０５を具備した試料を
有磁場マイクロ波エッチング装置の試料交換室に投入し
た。該エッチング装置では，図２に示すようにマグネト
ロン２００で発生したμ波が導波管２０１、導入窓２０
２を経てエッチング室２０３に伝わり、そこで磁場制御
コイル２０４により形成された磁場と電子サイクロトロ
ン共鳴を起こし高密度プラズマを生成している。また、
試料ホルダ２０５には高周波電源２０６が接続され、Ｒ
Ｆバイアスを独立して印加することができる。上記試料
をエッチング室２０３に投入する前に、Ｏ2クリーニン
グ処理を施してエッチング室内の有機物を除去した。ク
リーニング条件はＯ2流量１００sccm，全ガス圧２Pa，
μ波出力８００Wである。エッチング室の内壁温度を１
００℃に設定・制御した後、上記試料をエッチング室２
０３に搬送し、前記レジスト膜１０５パターンをマスク
にしてＴｉＮキャップ層１０４，Ａｌ−Ｃｕ合金層１０
３，及びＴｉＮバリア層１０２を順次エッチングした。
このときの主なエッチング条件を、ガス流量ＢＣｌ3：
２０sccm，Ｃｌ2：８０sccm，ＣＨ4：４sccm，全ガス圧
２Pa，μ波出力８００W，ＲＦパワー６０W，基板温度４
０℃とすると図１（ｂ）に示す結果となった。また、ガ
ス流量ＢＣｌ3：２０ｓｃｃｍ，Ｃｌ2：８０ｓｃｃｍ，
ＣＨ4：４ｓｃｃｍ，Ａｒ：９６ｓｃｃｍ，全ガス圧３
Ｐａとすると図１（ｃ）に示す結果となった。ここで、
その他のエッチング条件は図１（ｂ）に示す場合と同様
である。ここでガス流量の制御は何れもマスフロー制御
による流量コントローラ２０７を用いている。尚、プラ
ズマ発光モニタを用いて判定したＴｉＮバリア層１０２
のエッチングが終了した後も、引続き１５秒間、エッチ
ングを継続した。上述したエッチング処理後の試料の断
面形状は図１．（ｂ）ではＣＨ4による側壁保護膜が厚
すぎるために順テーパ（図に示すように下向きに広がっ
たテーパをいう）となるが、図１．（ｃ）のようにＡｒ
を添加することで、そのスパッタ性により側壁保護膜の
厚さが制御され、ＴｉＮキャップ層１０４，Ａｌ−Ｃｕ
合金層１０３，ＴｉＮバリア層１０２の各側面は垂直に
加工され、該側面はエッチング中の副生成物による側壁
保護膜１０６により被われている。
【０００７】本発明によると、Ｏ2クリーング処理に続
いて前記試料を２５枚連続してエッチング処理しても加
工形状の変化は殆ど起こらない。即ち、定期的にＯ2ク
リーング処理を適用することにより、多層Ａｌ配線の量
産加工に適したエッチング方法を提供できる。ここで
は、通常の１ロット２５枚の連続処理について効果を確
認しているが，諸条件の最適化により２５枚以上の連続
処理も可能である。また、２５枚以下の連続処理、例え
ば１枚，５枚，１０枚については言うまでもなく有効で
ある。本実施例では、エッチング室の内壁温度を１００
℃に設定・制御しているが、８０〜２５０℃の範囲内で
制御しても、ＢＣｌ3／Ｃｌ2／ＣＨ4／Ａｒ流量比を適
宜調整して同様の効果を得ることは可能である。好適な
質量流量比の目安は、Ｃｌ2１００に対してＢＣｌ3及び
ＣＨ4が各々５〜５０，１〜２０，５０〜５００の比で
ある。本実施例ではＣＨ4，ＡｒガスをＢＣｌ3／Ｃｌ2
に添加した場合について述べている。他のＣｘＨｙＣｌ
ｚ（ｘ，ｙ，ｚ＝０〜８），ＣｘＨｙＢｒｚ（ｘ，ｙ，
ｚ＝０〜８）ガスのうちの少なくとも１つ以上，及びＡ
ｒ，Ｘｅ，Ｋｒのうちの少なくとも１つ以上の混合ガス
を用いても同様の効果が期待されるが、実験の結果ＣＨ
4，Ａｒガス添加が有効であることが分かった。また、
本実施例ではＢＣｌ3／Ｃｌ2をエッチングガスとして用
いているが、ＳｉＣｌ4，ＣＣｌ4等の他の塩素系ガスを
用いることも有効である。
いて前記試料を２５枚連続してエッチング処理しても加
工形状の変化は殆ど起こらない。即ち、定期的にＯ2ク
リーング処理を適用することにより、多層Ａｌ配線の量
産加工に適したエッチング方法を提供できる。ここで
は、通常の１ロット２５枚の連続処理について効果を確
認しているが，諸条件の最適化により２５枚以上の連続
処理も可能である。また、２５枚以下の連続処理、例え
ば１枚，５枚，１０枚については言うまでもなく有効で
ある。本実施例では、エッチング室の内壁温度を１００
℃に設定・制御しているが、８０〜２５０℃の範囲内で
制御しても、ＢＣｌ3／Ｃｌ2／ＣＨ4／Ａｒ流量比を適
宜調整して同様の効果を得ることは可能である。好適な
質量流量比の目安は、Ｃｌ2１００に対してＢＣｌ3及び
ＣＨ4が各々５〜５０，１〜２０，５０〜５００の比で
ある。本実施例ではＣＨ4，ＡｒガスをＢＣｌ3／Ｃｌ2
に添加した場合について述べている。他のＣｘＨｙＣｌ
ｚ（ｘ，ｙ，ｚ＝０〜８），ＣｘＨｙＢｒｚ（ｘ，ｙ，
ｚ＝０〜８）ガスのうちの少なくとも１つ以上，及びＡ
ｒ，Ｘｅ，Ｋｒのうちの少なくとも１つ以上の混合ガス
を用いても同様の効果が期待されるが、実験の結果ＣＨ
4，Ａｒガス添加が有効であることが分かった。また、
本実施例ではＢＣｌ3／Ｃｌ2をエッチングガスとして用
いているが、ＳｉＣｌ4，ＣＣｌ4等の他の塩素系ガスを
用いることも有効である。
【０００８】また、本実施例ではＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ合
金層／ＴｉＮ積層膜をエッチングしているが、Ａｌ−Ｃ
ｕ合金層の上下の膜がＴｉ／ＴｉＮ膜或いはＴｉＷ膜ま
たはＷ膜等であっても構わない。また、積層膜に限ら
ず、Ａｌ単層膜（ＡｌまたはＡｌ合金の単層膜）であっ
ても同様の効果が得られる。本実施例ではＥＣＲ型エッ
チング装置を用いているが、他のプラズマエッチング装
置、例えばＩＣＰ(Inductively Coupled Plasma)エッチ
ング装置を用いても同様の効果がある。
金層／ＴｉＮ積層膜をエッチングしているが、Ａｌ−Ｃ
ｕ合金層の上下の膜がＴｉ／ＴｉＮ膜或いはＴｉＷ膜ま
たはＷ膜等であっても構わない。また、積層膜に限ら
ず、Ａｌ単層膜（ＡｌまたはＡｌ合金の単層膜）であっ
ても同様の効果が得られる。本実施例ではＥＣＲ型エッ
チング装置を用いているが、他のプラズマエッチング装
置、例えばＩＣＰ(Inductively Coupled Plasma)エッチ
ング装置を用いても同様の効果がある。
【０００９】
【発明の効果】本発明を用いるとＴｉＮキャップ層１０
４直下のＡｌ−Ｃｕ合金層１０３にノッチが発生するこ
となく良好な形状の多層Ａｌ配線のエッチングが行え
る。また、エッチング後工程におけるレジスト膜１０５
及び側壁保護膜１０６の除去が容易である。量産に適用
した場合も多層Ａｌ配線の加工形状の経時変化がなく、
装置のメンテナンス性に支障を与えることも無い。
４直下のＡｌ−Ｃｕ合金層１０３にノッチが発生するこ
となく良好な形状の多層Ａｌ配線のエッチングが行え
る。また、エッチング後工程におけるレジスト膜１０５
及び側壁保護膜１０６の除去が容易である。量産に適用
した場合も多層Ａｌ配線の加工形状の経時変化がなく、
装置のメンテナンス性に支障を与えることも無い。
【図１】本発明の実施例１に係る試料の断面を示す図。
【図２】本発明の実施例１に係るエッチング装置の概略
図。
図。
【図３】従来のＡｌ配線の断面形状を示す図。
１００…半導体基板、１０１…絶縁膜、１０２…ＴｉＮ
バリア層、１０３…Ａｌ−Ｃｕ合金層、１０４…ＴｉＮ
キャップ層、１０５…レジスト膜、１０６…側壁保護
膜、 ２００…マグネトロン、２０１…導波管、２０２
…導入窓、２０３…エッチング室、２０４…磁場制御コ
イル、２０５…試料ホルダ、２０６…高周波電源、 ２
０７…マスフローコントローラ。
バリア層、１０３…Ａｌ−Ｃｕ合金層、１０４…ＴｉＮ
キャップ層、１０５…レジスト膜、１０６…側壁保護
膜、 ２００…マグネトロン、２０１…導波管、２０２
…導入窓、２０３…エッチング室、２０４…磁場制御コ
イル、２０５…試料ホルダ、２０６…高周波電源、 ２
０７…マスフローコントローラ。
Claims (5)
- 【請求項１】半導体基板上に形成された多層もしくは単
層Ａｌ配線をプラズマを用いてエッチングする方法にお
いて、エッチングのための処理ガスをＢＣｌ3，Ｃｌ2，
ＣＨＣｌ3或いは他のＣｘＨｙＣｌｚ（ｘ，ｙ，ｚ＝０
〜８），ＣｘＨｙＢｒｚ（ｘ，ｙ，ｚ＝０〜８）ガスの
内少なくとも１つ以上、及びＡｒ，Ｘｅ，Ｋｒガスの内
少なくとも１つ以上との混合ガスによりエッチングする
ことを特徴とする配線材のエッチング方法。 - 【請求項２】請求項１記載において、前記エッチング装
置のエッチング室の壁面温度を８０〜２５０℃範囲内の
所定温度に制御してＢＣｌ3，Ｃｌ2，及びＣＨＣｌ3或
いは他のＣｘＨｙＣｌｚ（ｘ，ｙ，ｚ＝０〜８），Ｃｘ
ＨｙＢｒｚ（ｘ，ｙ，ｚ＝０〜８）ガスのうちの少なく
とも１つ以上、及びＡｒ，Ｘｅ，Ｋｒガスの内少なくと
も１つ以上との混合ガスにより多層もしくは単層Ａｌ配
線をプラズマエッチングすることを特徴とする配線材の
エッチング方法。 - 【請求項３】請求項１記載において、前記ＢＣｌ3，Ｃ
ｌ2，及びＣＨＣｌ3或いは他のＣｘＨｙＣｌｚ（ｘ，
ｙ，ｚ＝０〜８）ガスの混合ガスの質量流量比がＣ
ｌ2：１００に対してＢＣｌ3及びＣＨＣｌ3或いは他の
ＣｘＨｙＣｌｚ（ｘ，ｙ，ｚ＝０〜８）或いはＣｘＨｙ
Ｂｒｚ（ｘ，ｙ，ｚ＝０〜８）及びＡｒ，Ｘｅ，Ｋｒガ
スが各々５〜５０，１〜２０，５０〜５００の比であ
り、有機レジスト膜をマスクにして多層もしくは単層Ａ
ｌ配線をエッチングする配線材のエッチング方法。 - 【請求項４】請求項１または２記載において、前記エッ
チングを行うエッチング室内部をＯ2を含むガスの放電
によりクリーニングした後、複数枚の半導体基板上の多
層もしくは単層Ａｌ配線を連続してエッチングする配線
材のエッチング方法。 - 【請求項５】請求項１記載において、前記多層Ａｌ配線
がＡｌ−Ｃｕ合金層とＴｉＮ膜，ＴｉＷ膜，Ｗ膜，Ｔｉ
膜のいづれかのバリアメタルを積層してなる配線材のエ
ッチング方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10495196A JPH09293725A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 配線材のエッチング方法 |
| US08/721,732 US6156663A (en) | 1995-10-03 | 1996-09-27 | Method and apparatus for plasma processing |
| TW085111969A TW318265B (ja) | 1995-10-03 | 1996-10-01 | |
| EP96307204A EP0779651A3 (en) | 1995-10-03 | 1996-10-02 | Method and apparatus for plasma processing |
| KR1019960043707A KR100369789B1 (ko) | 1995-10-03 | 1996-10-02 | 플라즈마처리방법및장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10495196A JPH09293725A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 配線材のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293725A true JPH09293725A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=14394414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10495196A Pending JPH09293725A (ja) | 1995-10-03 | 1996-04-25 | 配線材のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09293725A (ja) |
-
1996
- 1996-04-25 JP JP10495196A patent/JPH09293725A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2674488B2 (ja) | ドライエッチング室のクリーニング方法 | |
| JPH10223608A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0855839A (ja) | 窒化チタンのエッチング | |
| US6156663A (en) | Method and apparatus for plasma processing | |
| JPH06326059A (ja) | 銅薄膜のエッチング方法 | |
| JPH0381298B2 (ja) | ||
| US6756314B2 (en) | Method for etching a hard mask layer and a metal layer | |
| JP3318801B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP3258240B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JP2891952B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2650178B2 (ja) | ドライエッチング方法及び装置 | |
| JPH10189537A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH11330047A (ja) | エッチング装置及びエッチング方法 | |
| JPH09251984A (ja) | 多層Ａｌ配線のエッチング方法 | |
| JPH0279446A (ja) | スルーホールへの金属穴埋め方法 | |
| JP3339219B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JP3006508B2 (ja) | アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜のエッチング方法 | |
| JP2001176843A (ja) | ドライクリーニング方法 | |
| JPH05326515A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07235543A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH09199484A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0547720A (ja) | 自然酸化膜の除去方法 | |
| JP3104840B2 (ja) | 試料の後処理方法 | |
| JPH09260351A (ja) | 多層Ａｌ配線のエッチング方法 | |
| JPH04157721A (ja) | プラズマエッチング方法 |