JPH09298176A - 研磨方法及びそれを用いた研磨装置 - Google Patents
研磨方法及びそれを用いた研磨装置Info
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- JPH09298176A JPH09298176A JP13961396A JP13961396A JPH09298176A JP H09298176 A JPH09298176 A JP H09298176A JP 13961396 A JP13961396 A JP 13961396A JP 13961396 A JP13961396 A JP 13961396A JP H09298176 A JPH09298176 A JP H09298176A
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- Japan
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- polishing
- film layer
- film thickness
- detecting
- insulating film
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学的機械的研磨で誘電体層を積層したウエ
ハの表面の平坦化を図る際の研磨終了点を適切に判断
し、良好に平坦化された半導体デバイスが得られる研磨
方法及びそれを用いた研磨装置を得ること。 【解決手段】 基板面に設けた膜層の表面をそれよりも
小さな面積の研磨パッドを有する研磨手段で双方を相対
的に駆動させて研磨する研磨方法において、該研磨手段
の一部に設けた検出手段で該膜層の表面情報を求め、該
検出手段からの信号に基づいて制御手段で該膜層の研磨
の続行又は停止を制御していること。
ハの表面の平坦化を図る際の研磨終了点を適切に判断
し、良好に平坦化された半導体デバイスが得られる研磨
方法及びそれを用いた研磨装置を得ること。 【解決手段】 基板面に設けた膜層の表面をそれよりも
小さな面積の研磨パッドを有する研磨手段で双方を相対
的に駆動させて研磨する研磨方法において、該研磨手段
の一部に設けた検出手段で該膜層の表面情報を求め、該
検出手段からの信号に基づいて制御手段で該膜層の研磨
の続行又は停止を制御していること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体デバイスの製
造工程等において、誘電体層等を積層したウエハ等基板
の表面を化学的機械的に研磨して平坦化する際の研磨方
法及びそれを用いた研磨装置に関し、例えばシリコン基
板上に塗布した絶縁膜層（膜層）の研磨工程の研磨終了
点を精度良く検出して、絶縁膜層の膜厚を所定範囲にす
るとともに絶縁膜層の表面形状の平坦化加工を効率的に
行なうことによって高集積度の半導体デバイスを得るリ
ソグラフィー工程において好適なものである。
造工程等において、誘電体層等を積層したウエハ等基板
の表面を化学的機械的に研磨して平坦化する際の研磨方
法及びそれを用いた研磨装置に関し、例えばシリコン基
板上に塗布した絶縁膜層（膜層）の研磨工程の研磨終了
点を精度良く検出して、絶縁膜層の膜厚を所定範囲にす
るとともに絶縁膜層の表面形状の平坦化加工を効率的に
行なうことによって高集積度の半導体デバイスを得るリ
ソグラフィー工程において好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化に伴っ
て、回路パターンの微細化とともにデバイス構造の３次
元化が進んでいる。半導体デバイスの高集積化を図るた
めに投影光学系の開口数を大きくするとそれに伴って投
影光学系の焦点深度が浅くなり配線や誘電体を積層した
ウエハ等基板の表面の凹凸を最少限とし、焦点深度の確
保が必要となっている。更に多層化の進展に伴い、表面
の凹凸は配線パターンの成膜を難しくし、局所的にパタ
ーンの細りによる信頼性の低下を招く。このため、配線
や誘電体層を積層したウエハ等基板の表面を研磨して段
差部や凹凸部を取り除いて表面を平坦化し、平坦化した
表面上へフォトレジストを塗布して、投影露光して高解
像力化を図ることが重要になっている。
て、回路パターンの微細化とともにデバイス構造の３次
元化が進んでいる。半導体デバイスの高集積化を図るた
めに投影光学系の開口数を大きくするとそれに伴って投
影光学系の焦点深度が浅くなり配線や誘電体を積層した
ウエハ等基板の表面の凹凸を最少限とし、焦点深度の確
保が必要となっている。更に多層化の進展に伴い、表面
の凹凸は配線パターンの成膜を難しくし、局所的にパタ
ーンの細りによる信頼性の低下を招く。このため、配線
や誘電体層を積層したウエハ等基板の表面を研磨して段
差部や凹凸部を取り除いて表面を平坦化し、平坦化した
表面上へフォトレジストを塗布して、投影露光して高解
像力化を図ることが重要になっている。
【０００３】又、シリコン基板上に設ける絶縁膜層を研
磨して、均一な厚さの膜層にすることは層間容量のバラ
ツキや、ビアホールの深さを一定とするための重要な要
件となっている。
磨して、均一な厚さの膜層にすることは層間容量のバラ
ツキや、ビアホールの深さを一定とするための重要な要
件となっている。
【０００４】従来より配線や誘電体層を積層したウエハ
等基板の表面の凹凸部や段差部を除去して平坦化する平
坦化技術として化学的機械的研磨方法が提案されてい
る。
等基板の表面の凹凸部や段差部を除去して平坦化する平
坦化技術として化学的機械的研磨方法が提案されてい
る。
【０００５】化学的機械的研磨では、研磨を効率化する
ために、研磨レートや研磨液中のスラリー濃度、研磨面
の温度等を適切に制御する必要がある。この制御に不備
があるとシリコン基板上に設けた絶縁膜が所定の膜厚に
ならず、平坦化できずに前述の焦点深度の確保不可や配
線の信頼性低下を起こしたり、又絶縁膜と電極配線部分
の研磨速度差によるディッシング現象やシンニング現象
が発生したり、ビアホール間のショート等も発生させる
ことになってくる。
ために、研磨レートや研磨液中のスラリー濃度、研磨面
の温度等を適切に制御する必要がある。この制御に不備
があるとシリコン基板上に設けた絶縁膜が所定の膜厚に
ならず、平坦化できずに前述の焦点深度の確保不可や配
線の信頼性低下を起こしたり、又絶縁膜と電極配線部分
の研磨速度差によるディッシング現象やシンニング現象
が発生したり、ビアホール間のショート等も発生させる
ことになってくる。
【０００６】この為、誘電体等を積層したウエハ等基板
の表面を研磨して平坦化するとき、研磨終了点を適切に
判断して下層の材料を除去することなく表面を平坦化す
ることが重要となってくる。
の表面を研磨して平坦化するとき、研磨終了点を適切に
判断して下層の材料を除去することなく表面を平坦化す
ることが重要となってくる。
【０００７】例えば研磨対象となる誘電体等を積層した
ウエハ等基板の表面層の膜厚と表面形状分布をその場で
同時にモニターしながら、表面全面や局所的な平坦化の
レベルを把握し、研磨終了の最適位置を判断する終了点
検出方法が化学的機械的研磨において重要になってい
る。研磨終了点の検出方法としては、例えば研磨量を研
磨時間より求める方法や研磨抵抗の変化を研磨定盤駆動
モーターの電流変化より求める方法等がある。
ウエハ等基板の表面層の膜厚と表面形状分布をその場で
同時にモニターしながら、表面全面や局所的な平坦化の
レベルを把握し、研磨終了の最適位置を判断する終了点
検出方法が化学的機械的研磨において重要になってい
る。研磨終了点の検出方法としては、例えば研磨量を研
磨時間より求める方法や研磨抵抗の変化を研磨定盤駆動
モーターの電流変化より求める方法等がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】化学的機械的研磨によ
る誘電体等を積層したウエハ等基板の表面の平坦化にお
ける研磨の終了点の検出方法として研磨量を研磨時間よ
り求める方法は、研磨加工面への押圧力、研磨パッドの
摩耗度、研磨液中のスラリー濃度、研磨加工面の温度等
の条件を一定に制御する必要がある為、終了点を精度よ
く検出するのが難しい。
る誘電体等を積層したウエハ等基板の表面の平坦化にお
ける研磨の終了点の検出方法として研磨量を研磨時間よ
り求める方法は、研磨加工面への押圧力、研磨パッドの
摩耗度、研磨液中のスラリー濃度、研磨加工面の温度等
の条件を一定に制御する必要がある為、終了点を精度よ
く検出するのが難しい。
【０００９】又、研磨抵抗の変化を研磨定盤駆動モータ
ーの電流変化から検出する方法は、信号波形とノイズを
高精度に分離する必要がある為、終了点を精度よく検出
するのが難しいこと及び研磨加工面の場所的な研磨状況
は、検出できない。
ーの電流変化から検出する方法は、信号波形とノイズを
高精度に分離する必要がある為、終了点を精度よく検出
するのが難しいこと及び研磨加工面の場所的な研磨状況
は、検出できない。
【００１０】一方、誘電体等を積層したウエハ等基板の
表面の研磨工程では該表面が投影光学系の焦点深度内に
入るように表面を平坦化することと、表面の絶縁膜層の
厚さが所定範囲内となるようにすることが層間容量のバ
ラツキを防止するとともにビアホールの深さを一定とす
る為に必要となってくる。
表面の研磨工程では該表面が投影光学系の焦点深度内に
入るように表面を平坦化することと、表面の絶縁膜層の
厚さが所定範囲内となるようにすることが層間容量のバ
ラツキを防止するとともにビアホールの深さを一定とす
る為に必要となってくる。
【００１１】本発明は誘電体等を積層したウエハ等基板
の表面を化学的機械的研磨により平坦化する際に、該表
面に設けられている絶縁膜層の表面形状と膜厚分布を検
出し、これらの値を用いることによって研磨工程の終了
点を的確に判断することによって半導体プロセスでの表
面を効率良く平坦化し、高集積度の半導体デバイスを製
造するのに好適な研磨方法及びそれを用いた研磨装置の
提供を目的とする。
の表面を化学的機械的研磨により平坦化する際に、該表
面に設けられている絶縁膜層の表面形状と膜厚分布を検
出し、これらの値を用いることによって研磨工程の終了
点を的確に判断することによって半導体プロセスでの表
面を効率良く平坦化し、高集積度の半導体デバイスを製
造するのに好適な研磨方法及びそれを用いた研磨装置の
提供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の研磨方法は、 (1-1) 基板面に設けた膜層の表面をそれよりも小さな面
積の研磨パッドを有する研磨手段で双方を相対的に駆動
させて研磨する研磨方法において、該研磨手段の一部に
設けた検出手段で該膜層の表面情報を求め、該検出手段
からの信号に基づいて制御手段で該膜層の研磨の続行又
は停止を制御していることを特徴としている。
積の研磨パッドを有する研磨手段で双方を相対的に駆動
させて研磨する研磨方法において、該研磨手段の一部に
設けた検出手段で該膜層の表面情報を求め、該検出手段
からの信号に基づいて制御手段で該膜層の研磨の続行又
は停止を制御していることを特徴としている。
【００１３】特に、 (1-1-1) 前記研磨手段は前記膜層の表面と平行な面内で
移動可能となっており、前記検出手段は該研磨手段の該
面内での位置情報を検出する位置検出手段からの位置情
報を利用して該膜層の表面情報を求めていること。
移動可能となっており、前記検出手段は該研磨手段の該
面内での位置情報を検出する位置検出手段からの位置情
報を利用して該膜層の表面情報を求めていること。
【００１４】(1-1-2) 前記検出手段は前記膜層の表面か
ら基準面までの距離を検出するとともに該膜層の膜厚を
測定する距離測定手段を有していること。
ら基準面までの距離を検出するとともに該膜層の膜厚を
測定する距離測定手段を有していること。
【００１５】(1-1-3) 前記検出手段は前記膜層の膜厚を
測定する膜厚測定手段を有していること。
測定する膜厚測定手段を有していること。
【００１６】(1-1-4) 前記制御手段は前記検出手段から
得られた前記膜層の表面形状と膜厚分布が予め設定した
許容範囲内にあるか否かを判定部で判定し、該判定部か
らの信号に基づいて該膜層の研磨の続行又は停止するか
を制御していること。等を特徴としている。
得られた前記膜層の表面形状と膜厚分布が予め設定した
許容範囲内にあるか否かを判定部で判定し、該判定部か
らの信号に基づいて該膜層の研磨の続行又は停止するか
を制御していること。等を特徴としている。
【００１７】本発明の研磨装置は、 (2-1) 基板面に設けた膜層の表面をそれよりも小さな面
積の研磨パッドを有する研磨手段で双方を相対的に駆動
させて研磨する研磨装置において該研磨手段には該膜層
の表面情報を検出する検出手段が固設されていることを
特徴としている。
積の研磨パッドを有する研磨手段で双方を相対的に駆動
させて研磨する研磨装置において該研磨手段には該膜層
の表面情報を検出する検出手段が固設されていることを
特徴としている。
【００１８】特に、 (2-1-1) 前記研磨手段は前記膜層の表面と平行な面内で
移動可能となっており、前記検出手段は該研磨手段の該
面内での位置情報を検出する位置検出手段からの位置情
報を利用して該膜層の表面情報を求めていること。
移動可能となっており、前記検出手段は該研磨手段の該
面内での位置情報を検出する位置検出手段からの位置情
報を利用して該膜層の表面情報を求めていること。
【００１９】(2-1-2) 前記検出手段は前記膜層の表面か
ら基準面までの距離を検出するとともに該膜層の膜厚を
測定する距離測定手段を有していること。
ら基準面までの距離を検出するとともに該膜層の膜厚を
測定する距離測定手段を有していること。
【００２０】(2-1-3) 前記検出手段は前記膜層の膜厚を
測定する膜厚測定手段を有していること。
測定する膜厚測定手段を有していること。
【００２１】(2-1-4) 前記制御手段は前記検出手段から
得られた前記膜層の表面形状と膜厚分布が予め設定した
許容範囲内にあるか否かを判定部で判定し、該判定部か
らの信号に基づいて該膜層の研磨の続行又は停止するか
を制御していること。等を特徴としている。
得られた前記膜層の表面形状と膜厚分布が予め設定した
許容範囲内にあるか否かを判定部で判定し、該判定部か
らの信号に基づいて該膜層の研磨の続行又は停止するか
を制御していること。等を特徴としている。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態１の要部
概略図である。図１において１は化学的機械的な研磨装
置である。図１では被加工物１０１の表面を研磨してい
る様子を示している。
概略図である。図１において１は化学的機械的な研磨装
置である。図１では被加工物１０１の表面を研磨してい
る様子を示している。
【００２３】図２は図１の部分研磨工具４の概略図であ
る。部分研磨工具４の内部にはセンサー２が固定保持さ
れている。センサー２は部分研磨工具４内に外部から密
閉して設け、これにより研磨工程におけるスラリーやゴ
ミ等の付着を防止している。センサー２は被加工物１０
１の表面情報（表面形状と膜厚分布）を後述する制御手
段１０３とともに検出している。制御手段１０３は被加
工物１０１の表面情報の検出結果に基づいて被加工物１
０１の研磨工程の終了点又は続行するか否かを制御して
いる。
る。部分研磨工具４の内部にはセンサー２が固定保持さ
れている。センサー２は部分研磨工具４内に外部から密
閉して設け、これにより研磨工程におけるスラリーやゴ
ミ等の付着を防止している。センサー２は被加工物１０
１の表面情報（表面形状と膜厚分布）を後述する制御手
段１０３とともに検出している。制御手段１０３は被加
工物１０１の表面情報の検出結果に基づいて被加工物１
０１の研磨工程の終了点又は続行するか否かを制御して
いる。
【００２４】被加工物１０１はシリコン基板６上に絶縁
膜層（膜層）５を形成した構成より成っており、基板保
持具７に保持されている。
膜層（膜層）５を形成した構成より成っており、基板保
持具７に保持されている。
【００２５】本実施形態では部分研磨工具４によってシ
リコン基板６上の絶縁膜層５を部分的に化学的機械的研
磨している。基板保持具７は被加工物１０１を保持し、
回転軸Ｃを中心に駆動手段（不図示）により角速度ω１
で回転している。同図では回転軸ＣをＺ軸に、それと直
交する平面をＸ，Ｙ平面としている。
リコン基板６上の絶縁膜層５を部分的に化学的機械的研
磨している。基板保持具７は被加工物１０１を保持し、
回転軸Ｃを中心に駆動手段（不図示）により角速度ω１
で回転している。同図では回転軸ＣをＺ軸に、それと直
交する平面をＸ，Ｙ平面としている。
【００２６】４は部分研磨工具である。部分研磨工具は
研磨パッド（４ａ１）と該研磨パッド（４ａ１）を保持
する保持具（４ａ２）とを有し、回転軸Ｃ′を中心に駆
動手段（不図示）により角速度ω２で回転している。同
図では１つの研磨パッド（４ａ１）によってシリコン基
板６上の絶縁膜層５を部分研磨している場合を示してい
る。尚、部分研磨工具４を複数用いても良い。
研磨パッド（４ａ１）と該研磨パッド（４ａ１）を保持
する保持具（４ａ２）とを有し、回転軸Ｃ′を中心に駆
動手段（不図示）により角速度ω２で回転している。同
図では１つの研磨パッド（４ａ１）によってシリコン基
板６上の絶縁膜層５を部分研磨している場合を示してい
る。尚、部分研磨工具４を複数用いても良い。
【００２７】本実施形態では図３に示すように研磨パッ
ド（４ａ１）の研磨開口は被加工物１０１の被研磨面
（絶縁膜層）５よりも小さくなっている。これによって
部分研磨している。部分研磨工具４は図３に示すように
Ｚ軸からＸ軸方向に距離ｒの位置にあり、位置１から位
置２へとＸ軸上を距離ｐだけ移動可能となっている。２
２はリニアエンコーダであり、部分研磨工具４のＸ軸方
向の位置情報を検出している。
ド（４ａ１）の研磨開口は被加工物１０１の被研磨面
（絶縁膜層）５よりも小さくなっている。これによって
部分研磨している。部分研磨工具４は図３に示すように
Ｚ軸からＸ軸方向に距離ｒの位置にあり、位置１から位
置２へとＸ軸上を距離ｐだけ移動可能となっている。２
２はリニアエンコーダであり、部分研磨工具４のＸ軸方
向の位置情報を検出している。
【００２８】２１はロータリーエンコーダであり、回転
軸Ｃの回転情報を検出している。センサー２によりシリ
コン基板６上の絶縁膜層５の表面形状や膜厚分布等の表
面状態を後述する方法によって検査している。
軸Ｃの回転情報を検出している。センサー２によりシリ
コン基板６上の絶縁膜層５の表面形状や膜厚分布等の表
面状態を後述する方法によって検査している。
【００２９】本実施形態において絶縁膜層５の表面を研
磨するときは部分研磨工具４を回転軸Ｃ′を中心に回転
させると共に基板保持具７を回転軸Ｃを中心に回転さ
せ、双方を相対的に駆動させ、又必要に応じて双方のＸ
方向とＹ方向の相対的位置を変位させながらノズル（不
図示）から研磨材を含むスラリーを被加工物１０１面上
に流出させて、絶縁膜層５と研磨パッド（４ａ１）との
界面に均一に供給している。
磨するときは部分研磨工具４を回転軸Ｃ′を中心に回転
させると共に基板保持具７を回転軸Ｃを中心に回転さ
せ、双方を相対的に駆動させ、又必要に応じて双方のＸ
方向とＹ方向の相対的位置を変位させながらノズル（不
図示）から研磨材を含むスラリーを被加工物１０１面上
に流出させて、絶縁膜層５と研磨パッド（４ａ１）との
界面に均一に供給している。
【００３０】このとき絶縁膜層５と部分研磨工具４との
圧力、回転数の比率、及びスラリー供給量を適切に選択
して研磨している。これによってシリコン基板６上に形
成した絶縁膜層５を部分研磨工具４で部分研磨してその
表面の平坦化を図っている。
圧力、回転数の比率、及びスラリー供給量を適切に選択
して研磨している。これによってシリコン基板６上に形
成した絶縁膜層５を部分研磨工具４で部分研磨してその
表面の平坦化を図っている。
【００３１】そして予め設定した時間、部分研磨した後
に図２に示すように部分研磨工具４内に設けたセンサー
２で後述する方法により絶縁膜層５の膜厚と表面位置情
報を測定している。
に図２に示すように部分研磨工具４内に設けたセンサー
２で後述する方法により絶縁膜層５の膜厚と表面位置情
報を測定している。
【００３２】本実施形態では被加工物１０１の絶縁膜層
５の表面状態をそれが液体中であっても測定することが
出来、これによってスループットの向上を図っている。
５の表面状態をそれが液体中であっても測定することが
出来、これによってスループットの向上を図っている。
【００３３】次いで後述する方法でセンサー２から得ら
れた出力信号に基づいて制御手段１０３により絶縁膜層
５全体の表面形状及び膜厚分布等の表面状態を求めてい
る。このとき制御手段１０３は絶縁膜層５の表面上の凹
凸や段差等の表面形状と膜厚分布の双方が予め設定した
範囲内にあるか否かを判定部で判断している。そして双
方が予め設定した範囲内にあるときは研磨の終了点であ
ると判断して研磨工程を停止する。又そうでないときは
再度研磨工程を続行するように制御している。
れた出力信号に基づいて制御手段１０３により絶縁膜層
５全体の表面形状及び膜厚分布等の表面状態を求めてい
る。このとき制御手段１０３は絶縁膜層５の表面上の凹
凸や段差等の表面形状と膜厚分布の双方が予め設定した
範囲内にあるか否かを判定部で判断している。そして双
方が予め設定した範囲内にあるときは研磨の終了点であ
ると判断して研磨工程を停止する。又そうでないときは
再度研磨工程を続行するように制御している。
【００３４】そして制御手段１０３は研磨工程中に絶縁
膜層５の表面形状と膜厚分布の双方が予め設定した範囲
に入らないと判断したとき、（例えば研磨しすぎて薄く
なりすぎてしまったとき等）は研磨工程を停止するよう
にしている。このとき被加工物１０１を不良品と判断し
ている。
膜層５の表面形状と膜厚分布の双方が予め設定した範囲
に入らないと判断したとき、（例えば研磨しすぎて薄く
なりすぎてしまったとき等）は研磨工程を停止するよう
にしている。このとき被加工物１０１を不良品と判断し
ている。
【００３５】以上のように本実施形態ではシリコン基板
６の絶縁膜層５を平坦化することによって投影露光する
際に絶縁膜層５の対象となる領域全体が投影光学系の焦
点深度内に入るようにしている。又絶縁膜層５の膜厚が
所定の範囲内となるようにして層間容量のバラツキを防
止すると共にビアホールの深さを統一している。
６の絶縁膜層５を平坦化することによって投影露光する
際に絶縁膜層５の対象となる領域全体が投影光学系の焦
点深度内に入るようにしている。又絶縁膜層５の膜厚が
所定の範囲内となるようにして層間容量のバラツキを防
止すると共にビアホールの深さを統一している。
【００３６】図４は本実施形態のセンサー２の要部概略
図である。センサー２はシリコン基板６上の絶縁膜層５
の膜厚を測定する膜厚測定手段８と絶縁膜層５の表面形
状を求める為に基準面から研磨加工面（絶縁膜層５）ま
での距離を測定する距離測定手段９とを有している。
図である。センサー２はシリコン基板６上の絶縁膜層５
の膜厚を測定する膜厚測定手段８と絶縁膜層５の表面形
状を求める為に基準面から研磨加工面（絶縁膜層５）ま
での距離を測定する距離測定手段９とを有している。
【００３７】図６は部分研磨工具４をＺ軸の下方（ロー
タリーエンコーダ２１側）からみたときの概略図であ
る。図６（Ａ）は研磨パッド４ａ１を基準面を含むプリ
ズム領域以外に設けており、これによって全面研磨をし
ている。図６（Ｂ）は研磨パッド４ａ１を輪帯状とし、
輪帯状研磨をする場合を示している。図６（Ｂ）におい
て６１は研磨効果のない緩衝部材（スクラブ材）であ
る。
タリーエンコーダ２１側）からみたときの概略図であ
る。図６（Ａ）は研磨パッド４ａ１を基準面を含むプリ
ズム領域以外に設けており、これによって全面研磨をし
ている。図６（Ｂ）は研磨パッド４ａ１を輪帯状とし、
輪帯状研磨をする場合を示している。図６（Ｂ）におい
て６１は研磨効果のない緩衝部材（スクラブ材）であ
る。
【００３８】尚スクラブ材６１はスラリー排除のための
純水、または空気の還流が効率よく行えるように閉じら
れた空間を作るための部材材質は、親水性で耐摩耗性の
良いナイロン、ポリビニール発泡体等から成っている。
純水、または空気の還流が効率よく行えるように閉じら
れた空間を作るための部材材質は、親水性で耐摩耗性の
良いナイロン、ポリビニール発泡体等から成っている。
【００３９】本実施形態では目的に応じて図６（Ａ）又
は図６（Ｂ）の構成を用いている。
は図６（Ｂ）の構成を用いている。
【００４０】図７（Ａ），（Ｂ）は本実施形態において
被加工物１０１の絶縁膜層５における各位置での膜厚と
表面位置情報を部分研磨工具４内に設けたセンサー２で
測定するときの位置関係を示す説明図である。
被加工物１０１の絶縁膜層５における各位置での膜厚と
表面位置情報を部分研磨工具４内に設けたセンサー２で
測定するときの位置関係を示す説明図である。
【００４１】同図（Ａ）では絶縁膜層５の回転位置θを
ロータリーエンコーダ２１を用いて駆動制御しながら部
分研磨工具４をＸ方向の位置ｒにリニアエンコーダ２２
を用いて駆動制御している。そして絶縁膜層５と部分研
磨工具４との位置情報（回転軸Ｃからの距離ｒと角度
θ）を記憶し、その位置における絶縁膜層５の表面位置
情報をセンサー２で検出して制御手段１０３内の記憶部
（不図示）に記憶している。
ロータリーエンコーダ２１を用いて駆動制御しながら部
分研磨工具４をＸ方向の位置ｒにリニアエンコーダ２２
を用いて駆動制御している。そして絶縁膜層５と部分研
磨工具４との位置情報（回転軸Ｃからの距離ｒと角度
θ）を記憶し、その位置における絶縁膜層５の表面位置
情報をセンサー２で検出して制御手段１０３内の記憶部
（不図示）に記憶している。
【００４２】次いで同図（Ｂ）に示すように部分研磨工
具４をＸ軸方向に所定量リニアセンサー２２を用いて移
動させ、その位置での表面位置情報を同図（Ａ）と同様
に検出して記憶部に記憶している。これを角度θの値を
種々変えて絶縁膜層５の表面全体にわたって表面位置情
報を求め、これより絶縁膜層５全体の膜厚分布と表面形
状を求めている。
具４をＸ軸方向に所定量リニアセンサー２２を用いて移
動させ、その位置での表面位置情報を同図（Ａ）と同様
に検出して記憶部に記憶している。これを角度θの値を
種々変えて絶縁膜層５の表面全体にわたって表面位置情
報を求め、これより絶縁膜層５全体の膜厚分布と表面形
状を求めている。
【００４３】図５は図４の一部分の拡大摸式図であり、
センサー２でシリコン基板６上の絶縁膜層５の表面形状
と膜厚を測定するときの光路を示している。
センサー２でシリコン基板６上の絶縁膜層５の表面形状
と膜厚を測定するときの光路を示している。
【００４４】次にセンサー２の膜厚測定手段８と距離測
定手段９の構成及びその測定方法について図４，図５を
用いて説明する。まず、距離測定手段９によって絶縁膜
層５の膜厚ｄ（ρ）を求める方法について説明する。
定手段９の構成及びその測定方法について図４，図５を
用いて説明する。まず、距離測定手段９によって絶縁膜
層５の膜厚ｄ（ρ）を求める方法について説明する。
【００４５】絶縁層膜５の膜厚と基準面（プリズム面）
から研磨加工面（絶縁膜層５の表面）までの距離を算出
する距離測定手段９は、可干渉距離を時間分割で変更で
きる光源（半導体レーザ）１７、その光源１７から射出
する光束を平行光に変換し、プリズム１１を介して測定
対象となる絶縁膜層５の２次元領域ρへ照射するレンズ
１８、そしてその２次元領域ρからの反射光束をプリズ
ム１１を介して撮像素子２０に発散光束として入射させ
るレンズ１９を有している。
から研磨加工面（絶縁膜層５の表面）までの距離を算出
する距離測定手段９は、可干渉距離を時間分割で変更で
きる光源（半導体レーザ）１７、その光源１７から射出
する光束を平行光に変換し、プリズム１１を介して測定
対象となる絶縁膜層５の２次元領域ρへ照射するレンズ
１８、そしてその２次元領域ρからの反射光束をプリズ
ム１１を介して撮像素子２０に発散光束として入射させ
るレンズ１９を有している。
【００４６】図４において１２は純水供給用の給水ノズ
ルであり、被加工面（絶縁膜層）に純水を放出して、そ
こに付着しているスラリーやゴミ等を排除して、被加工
物の表面状態の高精度な検出を容易にしている。１３は
純水排水用の排水ノズルである。
ルであり、被加工面（絶縁膜層）に純水を放出して、そ
こに付着しているスラリーやゴミ等を排除して、被加工
物の表面状態の高精度な検出を容易にしている。１３は
純水排水用の排水ノズルである。
【００４７】尚、本実施形態において被加工面上に純水
を放出する代わりにエアノズルを用いて空気を放出する
ようにしても良い。
を放出する代わりにエアノズルを用いて空気を放出する
ようにしても良い。
【００４８】図５において１０は純水層で、研磨パッド
４の表面より数百μｍ程度低い位置を基準面１１ａ（ｚ
＝０）としてプリズム１１の平面部を一致させて配置
し、その平面部と絶縁膜層５によって挟まれる層に、給
水ノズル１２，排水ノズル１３によって純水を循環させ
ることにより生成している。ここで基準面１１ａは絶縁
膜層５の膜厚よりも十分長い位置となるようにしてい
る。
４の表面より数百μｍ程度低い位置を基準面１１ａ（ｚ
＝０）としてプリズム１１の平面部を一致させて配置
し、その平面部と絶縁膜層５によって挟まれる層に、給
水ノズル１２，排水ノズル１３によって純水を循環させ
ることにより生成している。ここで基準面１１ａは絶縁
膜層５の膜厚よりも十分長い位置となるようにしてい
る。
【００４９】可干渉距離を時間分割で変更する手段とし
ての光源１７からの光束は発振中心波長λ0 ＝７８０ｎ
ｍのシングルモードの半導体レーザを使用し、測定対象
となる各膜層の厚みに対して十分長い可干渉距離を有し
ている。
ての光源１７からの光束は発振中心波長λ0 ＝７８０ｎ
ｍのシングルモードの半導体レーザを使用し、測定対象
となる各膜層の厚みに対して十分長い可干渉距離を有し
ている。
【００５０】光源１７を図示しない高周波重畳回路によ
りレーザ発振閾値を切り込む高周波電流でマルチモード
化し、可干渉距離が１０数μｍ以下程度と短くなるよう
な操作を行なう。このような可干渉距離を短くした光源
からの第１光束で各膜層を照射すると、図５に示すよう
に、プリズム１１の平面部と一致する基準面からの反射
光ａ、純水層１０／絶縁膜層５の境界面（絶縁膜層５の
表面）からの反射光ｂ、絶縁膜層５／シリコン基板６の
境界面からの反射光ｃの３つの反射光が発生する。
りレーザ発振閾値を切り込む高周波電流でマルチモード
化し、可干渉距離が１０数μｍ以下程度と短くなるよう
な操作を行なう。このような可干渉距離を短くした光源
からの第１光束で各膜層を照射すると、図５に示すよう
に、プリズム１１の平面部と一致する基準面からの反射
光ａ、純水層１０／絶縁膜層５の境界面（絶縁膜層５の
表面）からの反射光ｂ、絶縁膜層５／シリコン基板６の
境界面からの反射光ｃの３つの反射光が発生する。
【００５１】光源からの光束の可干渉距離が短い為にこ
れらの３つの反射光ａ，ｂ，ｃのうち、光路長差の短い
反射光ｂ，ｃのみが干渉し、反射光ａは他の反射光と干
渉せず直流成分となる。この時の撮像素子１７上に形成
される干渉パターンの干渉強度Ｉ1 （ρ）は次のように
表わされる。
れらの３つの反射光ａ，ｂ，ｃのうち、光路長差の短い
反射光ｂ，ｃのみが干渉し、反射光ａは他の反射光と干
渉せず直流成分となる。この時の撮像素子１７上に形成
される干渉パターンの干渉強度Ｉ1 （ρ）は次のように
表わされる。
【００５２】 Ｉ1 （ρ）＝ｕa2＋ｕb2＋ｕc2＋２ｕb ｕc cos （σb −σc ）…（１） ここでｋは波数で２ｎ／λである。又σb -σc は、 σb −σc ＝ｋ×２×ｎ1 ×ｄ（ρ）cos φ1 である。ｋ，ｎ1 ，φ1 は既知であり、（１）式はｄ
（ρ）、即ち前述した絶縁膜層５の平均した膜厚を変数
として変化することになる。このｄ（ρ）については、
絶縁膜層５は通常膜厚を管理されてシリコン基板６上に
形成されるものなので、ｄ（ρ）の概略値を予め決める
ことができ、またｄ（ρ）に基づく干渉強度のデータテ
ーブル等を参考にしながら演算処理によりｄ（ρ）算出
している。
（ρ）、即ち前述した絶縁膜層５の平均した膜厚を変数
として変化することになる。このｄ（ρ）については、
絶縁膜層５は通常膜厚を管理されてシリコン基板６上に
形成されるものなので、ｄ（ρ）の概略値を予め決める
ことができ、またｄ（ρ）に基づく干渉強度のデータテ
ーブル等を参考にしながら演算処理によりｄ（ρ）算出
している。
【００５３】一方、本実施形態の膜厚測定手段８は必要
に応じて用いられるものであり、分光反射率測定により
絶縁膜層５の２次元領域ρの平均膜厚ｄ（ρ）を測定し
ており、光源と分光器を含むユニット１４，ハーフミラ
ー１５，フォトマルチプライア（光電素子）１６を有し
ている。ユニット１４から波長が連続的に変化する単色
光が射出し、絶縁膜層５の表面と絶縁膜層５／シリコン
基板６の境界面で反射する。このとき反射した２光束は
干渉する。
に応じて用いられるものであり、分光反射率測定により
絶縁膜層５の２次元領域ρの平均膜厚ｄ（ρ）を測定し
ており、光源と分光器を含むユニット１４，ハーフミラ
ー１５，フォトマルチプライア（光電素子）１６を有し
ている。ユニット１４から波長が連続的に変化する単色
光が射出し、絶縁膜層５の表面と絶縁膜層５／シリコン
基板６の境界面で反射する。このとき反射した２光束は
干渉する。
【００５４】本実施形態ではこの２光束による干渉強度
の変化から絶縁膜層５の平均膜厚ｄ（ρ）を求めてい
る。今、干渉強度が最大，最小になるときの波長をλ
1 ，λ2、絶縁膜層５の屈折率をｎ1 、前述の境界面で
の反射角度をφ1 とすると、２次元領域ρ内の微小領域
ｘにおける膜厚は、 ｄ（ｘ）＝１／［（４ｎ1 cos φ1 ）（１／λ2 −１／λ1 ）］‥‥（２） と表わされる。ここで２次元領域ρ内で複数箇所を測定
した膜厚の平均をｄ（ρ）とする。
の変化から絶縁膜層５の平均膜厚ｄ（ρ）を求めてい
る。今、干渉強度が最大，最小になるときの波長をλ
1 ，λ2、絶縁膜層５の屈折率をｎ1 、前述の境界面で
の反射角度をφ1 とすると、２次元領域ρ内の微小領域
ｘにおける膜厚は、 ｄ（ｘ）＝１／［（４ｎ1 cos φ1 ）（１／λ2 −１／λ1 ）］‥‥（２） と表わされる。ここで２次元領域ρ内で複数箇所を測定
した膜厚の平均をｄ（ρ）とする。
【００５５】なおこの場合、純水層１０，プリズム１１
による干渉信号も発生するが、絶縁膜層５の膜厚が数μ
ｍ程度等に比べてこれらは十分大きな厚みを有するの
で、干渉信号の周波数が非常に高くなり、絶縁膜層５か
らの干渉信号と容易に分離することができる。
による干渉信号も発生するが、絶縁膜層５の膜厚が数μ
ｍ程度等に比べてこれらは十分大きな厚みを有するの
で、干渉信号の周波数が非常に高くなり、絶縁膜層５か
らの干渉信号と容易に分離することができる。
【００５６】尚、本実施形態において膜厚測定手段８は
前述した距離測定手段９で膜厚を測定すれば、特に設け
なくても良い。
前述した距離測定手段９で膜厚を測定すれば、特に設け
なくても良い。
【００５７】次に本実施形態において距離測定手段９に
より基準面から膜厚表面（研磨加工面）までの距離を求
め、膜層５の表面形状を求める場合について説明する。
より基準面から膜厚表面（研磨加工面）までの距離を求
め、膜層５の表面形状を求める場合について説明する。
【００５８】今、可干渉性光源１７として、発振中心波
長λ0 ＝７８０ｎｍのシングルモードの半導体レーザか
ら測定対象となる各膜層の厚みに対して十分長い可干渉
距離の第２光束で各膜層を照射する。そうすると図５に
示すようにプリズム１１の平面部と一致する基準面から
の反射光ａ、純水層１０／絶縁膜層５の境界面（絶縁膜
層５の表面）からの反射光ｂ、絶縁膜層５／シリコン基
板６の境界面からの反射光ｃが発生し、これら３つの反
射光は互いに干渉して撮像素子１７上に干渉強度Ｉ2
（ρ）の干渉パターンを形成する。
長λ0 ＝７８０ｎｍのシングルモードの半導体レーザか
ら測定対象となる各膜層の厚みに対して十分長い可干渉
距離の第２光束で各膜層を照射する。そうすると図５に
示すようにプリズム１１の平面部と一致する基準面から
の反射光ａ、純水層１０／絶縁膜層５の境界面（絶縁膜
層５の表面）からの反射光ｂ、絶縁膜層５／シリコン基
板６の境界面からの反射光ｃが発生し、これら３つの反
射光は互いに干渉して撮像素子１７上に干渉強度Ｉ2
（ρ）の干渉パターンを形成する。
【００５９】各反射光ａ，ｂ，ｃを各々ａ＝ｕa ｅi σ a
，ｂ＝ｕb ｅi σ b ，ｃ＝ｕc ｅi σ c とすると、その
干渉強度Ｉ2 （ρ）は次のように表わされる。
，ｂ＝ｕb ｅi σ b ，ｃ＝ｕc ｅi σ c とすると、その
干渉強度Ｉ2 （ρ）は次のように表わされる。
【００６０】 Ｉ2 （ρ）＝ｕa2＋ｕb2＋ｕc2＋２ｕa ｕb cos （σa −σb ） ＋２ｕa ｕc cos （σa −σc ） ＋２ｕb ｕc cos （σb −σc ）‥‥（３） この時間分割により得られた２つの干渉強度の差をとる
と（４）式のようになる。
と（４）式のようになる。
【００６１】 Ｉ2 （ρ）−Ｉ1 （ρ）＝２ｕa ｕb cos （σa −σb ） ＋２ｕa ｕc cos （σa −σc ）‥‥（４） ここで純水層１０の厚み、即ち基準面と研磨加工面まで
の距離をｄ（ρ）′、純水層１０の屈折率をｎ0 、前述
の純水層１０／絶縁膜層５の境界面での反射角度をφ
0 、プリズム１１の材質の屈折率をＮ、光源１４の発振
スペクトルの中心波長をλ、ｋ＝２π／λとすると、 σa −σb ＝ｋ［２ｎ0 ｄ（ρ）′cos φ0 ］ また、 σa −σc ＝ｋ［２ｎ0 ｄ（ρ）′cos φ0 ＋２ｎ1 ｄ
（ρ）cos φ1 ] となる。
の距離をｄ（ρ）′、純水層１０の屈折率をｎ0 、前述
の純水層１０／絶縁膜層５の境界面での反射角度をφ
0 、プリズム１１の材質の屈折率をＮ、光源１４の発振
スペクトルの中心波長をλ、ｋ＝２π／λとすると、 σa −σb ＝ｋ［２ｎ0 ｄ（ρ）′cos φ0 ］ また、 σa −σc ＝ｋ［２ｎ0 ｄ（ρ）′cos φ0 ＋２ｎ1 ｄ
（ρ）cos φ1 ] となる。
【００６２】ここでｎ0 ，ｎ1 ，φ0 ，φ1 と（３）式
からｄ（ρ）は既知なので、２つの干渉強度の差を示す
（４）式は、ｄ（ρ）′、即ち前述した基準面と研磨加
工面までの距離を変数として変化することになる。この
ｄ（ρ）′を演算処理により算出することによって研磨
加工面の表面形状を算出している。
からｄ（ρ）は既知なので、２つの干渉強度の差を示す
（４）式は、ｄ（ρ）′、即ち前述した基準面と研磨加
工面までの距離を変数として変化することになる。この
ｄ（ρ）′を演算処理により算出することによって研磨
加工面の表面形状を算出している。
【００６３】本実施形態ではこのような方法、及び装置
により求められる研磨加工面の膜厚分布と表面形状測定
値を測定毎に記憶部に記憶し、最終的に目標とする膜厚
分布との差分を比較している。この差分が所定の値の範
囲にない場合は、差分値や表面形状測定値より研磨レー
トや研磨液中のスラリー濃度、研磨面の温度、研磨圧力
分布等を適切に補正して平坦化が不適正な部分の研磨が
効率よく促進されるように制御している。
により求められる研磨加工面の膜厚分布と表面形状測定
値を測定毎に記憶部に記憶し、最終的に目標とする膜厚
分布との差分を比較している。この差分が所定の値の範
囲にない場合は、差分値や表面形状測定値より研磨レー
トや研磨液中のスラリー濃度、研磨面の温度、研磨圧力
分布等を適切に補正して平坦化が不適正な部分の研磨が
効率よく促進されるように制御している。
【００６４】この差分の比較作業を複数回繰り返した
後、この差分が所定の値の範囲になった場合に研磨加工
を終了する。以上説明した化学的機械的研磨による平坦
化加工の終了点検出のフローを図８に示す。
後、この差分が所定の値の範囲になった場合に研磨加工
を終了する。以上説明した化学的機械的研磨による平坦
化加工の終了点検出のフローを図８に示す。
【００６５】尚本実施形態では、光源の可干渉距離を異
ならせる手段としてシングルモード半導体レーザ１７を
高周波重畳回路によりマルチモード化し時間分割するこ
とで前述のＩ1 （ρ），Ｉ2 （ρ）の測定を行うように
しているが、可干渉距離の異なる２つの光源を空間的に
分離して配置し、それぞれに対応する撮像素子を２つ設
けて前述のＩ1 （ρ），Ｉ2 （ρ）の測定を行うように
しても良い。
ならせる手段としてシングルモード半導体レーザ１７を
高周波重畳回路によりマルチモード化し時間分割するこ
とで前述のＩ1 （ρ），Ｉ2 （ρ）の測定を行うように
しているが、可干渉距離の異なる２つの光源を空間的に
分離して配置し、それぞれに対応する撮像素子を２つ設
けて前述のＩ1 （ρ），Ｉ2 （ρ）の測定を行うように
しても良い。
【００６６】また、基準面と研磨加工面までの距離を測
定する距離測定手段９において照射光束の入射角度を０
°（ｚ軸と平行）にし、絶縁膜層５の膜厚を測定する膜
厚測定手段８と光路を一部共通にする配置にしても良
い。
定する距離測定手段９において照射光束の入射角度を０
°（ｚ軸と平行）にし、絶縁膜層５の膜厚を測定する膜
厚測定手段８と光路を一部共通にする配置にしても良
い。
【００６７】以上は絶縁膜について説明しましたが、半
導体プロセスでの化学的機械的研磨の応用としてコンタ
クトやビアホールでのタングステン成膜後、或は配線成
膜後等の研磨においても金属膜の薄層での膜厚分布，表
面形状，更には金属膜が除去され、絶縁膜での膜厚分
布、表面形状測定による研磨方法及び研磨装置にも適用
可能である。
導体プロセスでの化学的機械的研磨の応用としてコンタ
クトやビアホールでのタングステン成膜後、或は配線成
膜後等の研磨においても金属膜の薄層での膜厚分布，表
面形状，更には金属膜が除去され、絶縁膜での膜厚分
布、表面形状測定による研磨方法及び研磨装置にも適用
可能である。
【００６８】
【発明の効果】本発明によれば以上のように、誘電体を
積層したウエハでの表面を化学的機械的研磨により平坦
化する際に、該表面に設けられている絶縁膜層の表面形
状と膜厚分布を検出し、これらの値を用いることによっ
て研磨工程の終了点を的確に判断することによって誘電
体を積層したウエハプロセスでの表面を効率良く平坦化
し、高集積度の半導体デバイスを製造するのに好適な研
磨方法及びそれを用いた研磨装置を達成することができ
る。
積層したウエハでの表面を化学的機械的研磨により平坦
化する際に、該表面に設けられている絶縁膜層の表面形
状と膜厚分布を検出し、これらの値を用いることによっ
て研磨工程の終了点を的確に判断することによって誘電
体を積層したウエハプロセスでの表面を効率良く平坦化
し、高集積度の半導体デバイスを製造するのに好適な研
磨方法及びそれを用いた研磨装置を達成することができ
る。
【図１】本発明の実施形態１の要部概略図
【図２】図１の一部分の要部概略図
【図３】図１の一部分の概略図
【図４】本発明に係るセンサーの要部概略図
【図５】図４の一部分の拡大説明図
【図６】図１の一部分の拡大説明図
【図７】本発明の実施形態１の測定方法の説明図
【図８】本発明の動作のフローチャート
１ 研磨装置 ２ センサー ４ 部分研磨工具 ４ａ１ 研磨パッド ５ 絶縁膜層 ６ シリコン基板 ７ 基板保持具 ８ 膜厚測定手段 ９ 距離測定手段 １１ プリズム １２ 給水ノズル １３ 排水ノズル １４ 光源部 １５ ハーフミラー ２１ ロータリーエンコーダ ２２ リニアエンコーダ １７ 光源 １８，１９ レンズ ２０ 撮像素子
Claims (10)
- 【請求項１】 基板面に設けた膜層の表面をそれよりも
小さな面積の研磨パッドを有する研磨手段で双方を相対
的に駆動させて研磨する研磨方法において、該研磨手段
の一部に設けた検出手段で該膜層の表面情報を求め、該
検出手段からの信号に基づいて制御手段で該膜層の研磨
の続行又は停止を制御していることを特徴とする研磨方
法。 - 【請求項２】 前記研磨手段は前記膜層の表面と平行な
面内で移動可能となっており、前記検出手段は該研磨手
段の該面内での位置情報を検出する位置検出手段からの
位置情報を利用して該膜層の表面情報を求めていること
を特徴とする請求項１の研磨方法。 - 【請求項３】 前記検出手段は前記膜層の表面から基準
面までの距離を検出するとともに該膜層の膜厚を測定す
る距離測定手段を有していることを特徴とする請求項１
の研磨方法。 - 【請求項４】 前記検出手段は前記膜層の膜厚を測定す
る膜厚測定手段を有していることを特徴とする請求項１
の研磨方法。 - 【請求項５】 前記制御手段は前記検出手段から得られ
た前記膜層の表面形状と膜厚分布が予め設定した許容範
囲内にあるか否かを判定部で判定し、該判定部からの信
号に基づいて該膜層の研磨の続行又は停止するかを制御
していることを特徴とする請求項１の研磨方法。 - 【請求項６】 基板面に設けた膜層の表面をそれよりも
小さな面積の研磨パッドを有する研磨手段で双方を相対
的に駆動させて研磨する研磨装置において該研磨手段に
は該膜層の表面情報を検出する検出手段が固設されてい
ることを特徴とする研磨装置。 - 【請求項７】 前記研磨手段は前記膜層の表面と平行な
面内で移動可能となっており、前記検出手段は該研磨手
段の該面内での位置情報を検出する位置検出手段からの
位置情報を利用して該膜層の表面情報を求めていること
を特徴とする請求項６の研磨装置。 - 【請求項８】 前記検出手段は前記膜層の表面から基準
面までの距離を検出するとともに該膜層の膜厚を測定す
る距離測定手段を有していることを特徴とする請求項６
の研磨装置。 - 【請求項９】 前記検出手段は前記膜層の膜厚を測定す
る膜厚測定手段を有していることを特徴とする請求項６
の研磨装置。 - 【請求項１０】 前記制御手段は前記検出手段から得ら
れた前記膜層の表面形状と膜厚分布が予め設定した許容
範囲内にあるか否かを判定部で判定し、該判定部からの
信号に基づいて該膜層の研磨の続行又は停止するかを制
御していることを特徴とする請求項６の研磨装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13961396A JPH09298176A (ja) | 1996-05-09 | 1996-05-09 | 研磨方法及びそれを用いた研磨装置 |
| EP97302916A EP0806266A3 (en) | 1996-05-09 | 1997-04-29 | Polishing method and polishing apparatus using the same |
| US08/848,159 US6093081A (en) | 1996-05-09 | 1997-04-29 | Polishing method and polishing apparatus using the same |
| KR1019970017694A KR100305537B1 (ko) | 1996-05-09 | 1997-05-08 | 연마방법및그것을사용한연마장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13961396A JPH09298176A (ja) | 1996-05-09 | 1996-05-09 | 研磨方法及びそれを用いた研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09298176A true JPH09298176A (ja) | 1997-11-18 |
Family
ID=15249377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13961396A Pending JPH09298176A (ja) | 1996-05-09 | 1996-05-09 | 研磨方法及びそれを用いた研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09298176A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11262858A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-09-28 | Zygo Corp | ワークピースの仕上げ方法及び装置 |
| JP2002343754A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-29 | Nikon Corp | 研磨装置、研磨方法およびこの研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法 |
| JP2003019659A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-21 | Nec Kyushu Ltd | 化学機械研磨装置および化学機械研磨方法 |
| JP2004501368A (ja) * | 2000-06-21 | 2004-01-15 | ヨー ウント エルンスト リンク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | サンプルのサイズを検出するための測定装置 |
| JP2007535131A (ja) * | 2003-12-11 | 2007-11-29 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | スラリーの還流を減少したケミカルメカニカルポリッシング方法 |
| JP2009521129A (ja) * | 2005-12-20 | 2009-05-28 | コーニング インコーポレイテッド | 絶縁体上半導体構造の研磨方法 |
| JP2011206881A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Disco Corp | 研磨装置 |
| JP2015134383A (ja) * | 2014-01-16 | 2015-07-27 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
| JP2015157331A (ja) * | 2014-02-24 | 2015-09-03 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
| WO2018216445A1 (ja) * | 2017-05-26 | 2018-11-29 | 株式会社荏原製作所 | 基板研磨装置および基板研磨方法 |
| JP2022084666A (ja) * | 2018-03-20 | 2022-06-07 | 株式会社東京精密 | 研磨装置 |
| KR20220135181A (ko) | 2021-03-29 | 2022-10-06 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 연마 장치 및 기판 연마 방법 |
-
1996
- 1996-05-09 JP JP13961396A patent/JPH09298176A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11262858A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-09-28 | Zygo Corp | ワークピースの仕上げ方法及び装置 |
| JP2004501368A (ja) * | 2000-06-21 | 2004-01-15 | ヨー ウント エルンスト リンク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | サンプルのサイズを検出するための測定装置 |
| JP2002343754A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-29 | Nikon Corp | 研磨装置、研磨方法およびこの研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法 |
| JP2003019659A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-21 | Nec Kyushu Ltd | 化学機械研磨装置および化学機械研磨方法 |
| JP2007535131A (ja) * | 2003-12-11 | 2007-11-29 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | スラリーの還流を減少したケミカルメカニカルポリッシング方法 |
| JP2009521129A (ja) * | 2005-12-20 | 2009-05-28 | コーニング インコーポレイテッド | 絶縁体上半導体構造の研磨方法 |
| JP2011206881A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Disco Corp | 研磨装置 |
| JP2015134383A (ja) * | 2014-01-16 | 2015-07-27 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
| JP2015157331A (ja) * | 2014-02-24 | 2015-09-03 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
| WO2018216445A1 (ja) * | 2017-05-26 | 2018-11-29 | 株式会社荏原製作所 | 基板研磨装置および基板研磨方法 |
| JP2018200938A (ja) * | 2017-05-26 | 2018-12-20 | 株式会社荏原製作所 | 基板研磨装置および基板研磨方法 |
| KR20200013675A (ko) * | 2017-05-26 | 2020-02-07 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 연마 장치 및 기판 연마 방법 |
| TWI742279B (zh) * | 2017-05-26 | 2021-10-11 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 基板研磨裝置及基板研磨方法 |
| US20240087963A1 (en) * | 2017-05-26 | 2024-03-14 | Ebara Corporation | Substrate polishing apparatus and substrate polishing method |
| JP2022084666A (ja) * | 2018-03-20 | 2022-06-07 | 株式会社東京精密 | 研磨装置 |
| KR20220135181A (ko) | 2021-03-29 | 2022-10-06 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 연마 장치 및 기판 연마 방법 |
| US12318881B2 (en) | 2021-03-29 | 2025-06-03 | Ebara Corporation | Substrate polishing apparatus and substrate polishing method |
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