JPH09298212A - 樹脂封止型半導体製造装置及び樹脂封止型半導体装置に使用するリードフレーム - Google Patents
樹脂封止型半導体製造装置及び樹脂封止型半導体装置に使用するリードフレームInfo
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- JPH09298212A JPH09298212A JP8114585A JP11458596A JPH09298212A JP H09298212 A JPH09298212 A JP H09298212A JP 8114585 A JP8114585 A JP 8114585A JP 11458596 A JP11458596 A JP 11458596A JP H09298212 A JPH09298212 A JP H09298212A
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H—ELECTRICITY
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 生産性及び信頼性を向上させることができる
樹脂封止型半導体製造装置及び樹脂封止型半導体装置に
使用するリードフレームを提供する。 【解決手段】 上型３ａと下型３ｂを型締めして閉じら
れるキャビティ４内に、封止用半導体部品が搭載された
リードフレーム１０を配置し、その後、加熱溶融された
封止用樹脂材９を注入充填し、固化して樹脂封止型半導
体装置を得る装置であって、封止用樹脂材９がキャビテ
ィ４の対角線で略結ばれる２方向より同時にキャビティ
４内に供給されるようにして、下型３ｂにゲート５ａ，
５ｂを２つ設けた。
樹脂封止型半導体製造装置及び樹脂封止型半導体装置に
使用するリードフレームを提供する。 【解決手段】 上型３ａと下型３ｂを型締めして閉じら
れるキャビティ４内に、封止用半導体部品が搭載された
リードフレーム１０を配置し、その後、加熱溶融された
封止用樹脂材９を注入充填し、固化して樹脂封止型半導
体装置を得る装置であって、封止用樹脂材９がキャビテ
ィ４の対角線で略結ばれる２方向より同時にキャビティ
４内に供給されるようにして、下型３ｂにゲート５ａ，
５ｂを２つ設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
製造装置及び樹脂封止型半導体装置に使用するリードフ
レームに関するものである。
製造装置及び樹脂封止型半導体装置に使用するリードフ
レームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子や金線等を外部からの応力や
湿気、汚染から保護するのに、樹脂材て被覆してなる樹
脂封止型の半導体装置がある。
湿気、汚染から保護するのに、樹脂材て被覆してなる樹
脂封止型の半導体装置がある。
【０００３】図６は、そのような樹脂封止型半導体装置
を製造するモールド型の一例を示す断面図である。図６
において、モールド型５１は、上型５１ａと下型５１ｂ
を有し、この上型５１ａと下型５１ｂとを互いに型締め
すると、内部にキャビティ５２が形成される構造になっ
ている。そして、このキャビティ５２内に、ダイパッド
５３上にチップ（半導体素子）５４をダイボンドして配
置するとともに、チップ５４とインナーリード５５ａと
の間を金線５６で接続している半導体部品が既に搭載さ
れているリードフレーム５５を配置し、その後、加熱溶
融されている封止用樹脂材５７を供給通路となるゲート
５８を通して注入充填し、固化させると、封止用樹脂材
５７で封止された半導体装置５９が形成される。図６
は、この状態を示している。その後、型締めが解かれ
て、その樹脂封止された半導体装置５９が取り出され
る。なお、この従来構造では、キャビティ５２内に封止
用樹脂材５７を供給する通路となるゲート５８は、１箇
所だけ設けている。
を製造するモールド型の一例を示す断面図である。図６
において、モールド型５１は、上型５１ａと下型５１ｂ
を有し、この上型５１ａと下型５１ｂとを互いに型締め
すると、内部にキャビティ５２が形成される構造になっ
ている。そして、このキャビティ５２内に、ダイパッド
５３上にチップ（半導体素子）５４をダイボンドして配
置するとともに、チップ５４とインナーリード５５ａと
の間を金線５６で接続している半導体部品が既に搭載さ
れているリードフレーム５５を配置し、その後、加熱溶
融されている封止用樹脂材５７を供給通路となるゲート
５８を通して注入充填し、固化させると、封止用樹脂材
５７で封止された半導体装置５９が形成される。図６
は、この状態を示している。その後、型締めが解かれ
て、その樹脂封止された半導体装置５９が取り出され
る。なお、この従来構造では、キャビティ５２内に封止
用樹脂材５７を供給する通路となるゲート５８は、１箇
所だけ設けている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のモールド型５１の構造では、キャビティ５２内に封止
用樹脂材５７を注入するゲート５８は１箇所だけとなっ
ている。このため、次の（１）〜（３）に述べるような
問題点があった。 （１）封止用樹脂材５７の流通性が悪く、スムーズに注
入されないので、ダイパッド５３が浮き沈みして上下方
向に位置ズレを起こし、ダイパッド５３やチップ５４等
の露出が生じて不良となることがあり、歩留まりが悪
い。また、パッケージ側端からチップ５４やダイパッド
５３までの距離が一定とならない。そして、距離が極め
て少なくなるとクラックが発生することもあり、信頼性
に影響が生じる。 （２）さらに、パッケージの未充填や、樹脂内部及び表
面に気泡が生じる状態となるボイドが生じ易い。このパ
ッケージの未充填やボイドが生じると、外観不良やパッ
ケージの信頼性に影響が出る。 （３）封止用樹脂材５７を注入するのに時間がかかり、
生産性が悪い。
のモールド型５１の構造では、キャビティ５２内に封止
用樹脂材５７を注入するゲート５８は１箇所だけとなっ
ている。このため、次の（１）〜（３）に述べるような
問題点があった。 （１）封止用樹脂材５７の流通性が悪く、スムーズに注
入されないので、ダイパッド５３が浮き沈みして上下方
向に位置ズレを起こし、ダイパッド５３やチップ５４等
の露出が生じて不良となることがあり、歩留まりが悪
い。また、パッケージ側端からチップ５４やダイパッド
５３までの距離が一定とならない。そして、距離が極め
て少なくなるとクラックが発生することもあり、信頼性
に影響が生じる。 （２）さらに、パッケージの未充填や、樹脂内部及び表
面に気泡が生じる状態となるボイドが生じ易い。このパ
ッケージの未充填やボイドが生じると、外観不良やパッ
ケージの信頼性に影響が出る。 （３）封止用樹脂材５７を注入するのに時間がかかり、
生産性が悪い。
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は生産性及び信頼性を向上させるこ
とができる樹脂封止型半導体製造装置及び樹脂封止型半
導体装置に使用するリードフレームを提供することにあ
る。
のであり、その目的は生産性及び信頼性を向上させるこ
とができる樹脂封止型半導体製造装置及び樹脂封止型半
導体装置に使用するリードフレームを提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、樹脂封止型半導体製造装置では、次の技術
手段を講じたことを特徴とする。すなわち、少なくとも
２つの型を型締めして閉じられるキャビティ内に、封止
用半導体部品が搭載されたリードフレームを配置し、そ
の後、加熱溶融された封止用樹脂材を注入充填し、固化
して樹脂封止型半導体装置を得る樹脂封止型半導体製造
装置において、前記封止用樹脂材を前記キャビティの対
角線で略結ばれる２方向より同時に前記キャビティ内に
供給できるようにして、前記型にゲートを２つ設けてな
る構成としたものである。
するために、樹脂封止型半導体製造装置では、次の技術
手段を講じたことを特徴とする。すなわち、少なくとも
２つの型を型締めして閉じられるキャビティ内に、封止
用半導体部品が搭載されたリードフレームを配置し、そ
の後、加熱溶融された封止用樹脂材を注入充填し、固化
して樹脂封止型半導体装置を得る樹脂封止型半導体製造
装置において、前記封止用樹脂材を前記キャビティの対
角線で略結ばれる２方向より同時に前記キャビティ内に
供給できるようにして、前記型にゲートを２つ設けてな
る構成としたものである。
【０００７】また、本発明は上記目的を達成するため
に、リードフレームでは、次の技術手段を講じたことを
特徴とする。すなわち、少なくとも２つの型を型締めし
て閉じられるキャビティ内に、封止用半導体部品を搭載
して配置され、その後、加熱溶融された封止用樹脂材が
注入充填されて固化し、樹脂封止型半導体装置を得る樹
脂封止型半導体装置のリードフレームにおいて、前記キ
ャビティ内に前記封止用樹脂材を導くためのゲートを設
けてなる構成としたものである。
に、リードフレームでは、次の技術手段を講じたことを
特徴とする。すなわち、少なくとも２つの型を型締めし
て閉じられるキャビティ内に、封止用半導体部品を搭載
して配置され、その後、加熱溶融された封止用樹脂材が
注入充填されて固化し、樹脂封止型半導体装置を得る樹
脂封止型半導体装置のリードフレームにおいて、前記キ
ャビティ内に前記封止用樹脂材を導くためのゲートを設
けてなる構成としたものである。
【０００８】上記構成によれば、キャビティ内には、２
方向より封止用樹脂材が同時に注入されるので、キャビ
ティの全体に封止用樹脂材がスムーズに充填される。こ
れにより、従来装置で問題となっていた、ダイパッドの
浮き沈みによる位置ズレや、パッケージの未充填及びボ
イドの発生を抑えることができるとともに、注入時間も
短縮できて生産性が向上する。
方向より封止用樹脂材が同時に注入されるので、キャビ
ティの全体に封止用樹脂材がスムーズに充填される。こ
れにより、従来装置で問題となっていた、ダイパッドの
浮き沈みによる位置ズレや、パッケージの未充填及びボ
イドの発生を抑えることができるとともに、注入時間も
短縮できて生産性が向上する。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１及び図２は本発明に係る樹脂
封止型半導体製造装置の第１の形態例を示すもので、図
１はキャビティの断面図、図２はモールド型断面構造図
である。図１及び図２において、この半導体製造装置１
は成型機本体２に、モールド型３を２つ並べて設けた構
造になっている。なお、このモールド型３を配置する数
は２つに限らず、必要に応じた数だけ設けられる。
封止型半導体製造装置の第１の形態例を示すもので、図
１はキャビティの断面図、図２はモールド型断面構造図
である。図１及び図２において、この半導体製造装置１
は成型機本体２に、モールド型３を２つ並べて設けた構
造になっている。なお、このモールド型３を配置する数
は２つに限らず、必要に応じた数だけ設けられる。
【００１０】また、各モールド型３は、図示せぬ手段に
より上下方向に移動される上型３ａと固定側の下型３ｂ
を有し、この上型３ａと下型３ｂを互いに型締めする
と、内部に輪郭形成部、すなわちキャビティ４が形成さ
れる。このキャビティ４は、樹脂封止型半導体装置にお
けるパッケージの外形に対応して略扁平な四角形に作ら
れている。さらに、下型３ｂには、対角線で結ばれる対
向し合う２つの位置に、樹脂供給通路となるゲート５
ａ，５ｂがそれぞれ形成されている。このゲート５ａ，
５ｂは、同じく樹脂供給通路となるランナー７を介して
樹脂材供給源となる図示せぬスプールへと通じている。
なお、図２中において符号８はランナー７の途中に設け
られたプランジャーである。
より上下方向に移動される上型３ａと固定側の下型３ｂ
を有し、この上型３ａと下型３ｂを互いに型締めする
と、内部に輪郭形成部、すなわちキャビティ４が形成さ
れる。このキャビティ４は、樹脂封止型半導体装置にお
けるパッケージの外形に対応して略扁平な四角形に作ら
れている。さらに、下型３ｂには、対角線で結ばれる対
向し合う２つの位置に、樹脂供給通路となるゲート５
ａ，５ｂがそれぞれ形成されている。このゲート５ａ，
５ｂは、同じく樹脂供給通路となるランナー７を介して
樹脂材供給源となる図示せぬスプールへと通じている。
なお、図２中において符号８はランナー７の途中に設け
られたプランジャーである。
【００１１】次に、成形動作を説明する。成形するに当
たっては、上型３ａを下型３ｂより大きく離した状態に
おいて、上型３ａと下型３ｂとの間にリードフレーム１
０を配置する。ここでのリードフレーム１０には、既に
ダイパッド１１上にチップ（半導体素子）１２をダイボ
ンドして配置し、チップ１２とインナーリード１３との
間を金線１４で接続している半導体部品が搭載されてい
る。そして、このリードフレーム１０がモールド型３の
所定の位置にセットされたら、図示せぬ手段により上型
３ａと下型３ｂとが互いに型締めされる。
たっては、上型３ａを下型３ｂより大きく離した状態に
おいて、上型３ａと下型３ｂとの間にリードフレーム１
０を配置する。ここでのリードフレーム１０には、既に
ダイパッド１１上にチップ（半導体素子）１２をダイボ
ンドして配置し、チップ１２とインナーリード１３との
間を金線１４で接続している半導体部品が搭載されてい
る。そして、このリードフレーム１０がモールド型３の
所定の位置にセットされたら、図示せぬ手段により上型
３ａと下型３ｂとが互いに型締めされる。
【００１２】次いで、加熱溶融されている封止用樹脂材
９が、対向し合っている２方向よりキャビティ４内に、
ランナー７及びゲート５ａ，５ｂを通して注入される。
また、所定量の注入が終了したら、プランジャー８が駆
動されて封止用樹脂材９に圧力を加え、キャビティ４内
に封止用樹脂材９が隈無く行き渡るようにする。そし
て、この封止用樹脂材９がパッケージとなり、樹脂封止
型の半導体装置３０が作られる。図１及び図２は、この
状態を示している。その後、キャビティ４内の封止用樹
脂材９を冷却させ、固化したら上型３ａと下型３ｂとの
間を開いてモールド型３より取り出す。次いで、同じ動
作が繰り返される。
９が、対向し合っている２方向よりキャビティ４内に、
ランナー７及びゲート５ａ，５ｂを通して注入される。
また、所定量の注入が終了したら、プランジャー８が駆
動されて封止用樹脂材９に圧力を加え、キャビティ４内
に封止用樹脂材９が隈無く行き渡るようにする。そし
て、この封止用樹脂材９がパッケージとなり、樹脂封止
型の半導体装置３０が作られる。図１及び図２は、この
状態を示している。その後、キャビティ４内の封止用樹
脂材９を冷却させ、固化したら上型３ａと下型３ｂとの
間を開いてモールド型３より取り出す。次いで、同じ動
作が繰り返される。
【００１３】したがって、この形態例の構造によれば、
ゲート５ａ，５ｂがキャビティ４の対角線で結ばれる対
向し合う２つの位置に設けられており、この２つのゲー
ト５ａ，５ｂより封止用樹脂材９が同時に注入されるの
で、キャビティ４の全体に封止用樹脂材９がスムーズに
注入されて注入時間の短縮が可能となり、かつ均一に充
填されることになる。これにより、従来装置で問題とな
っていた、ダイパッド１１の浮き沈みによる位置ズレ
や、パッケージの未充填やボイドの発生を抑えることが
でき、信頼性及び生産性を向上させることができる。ま
た、これは薄型パッケージや大きなダイパッドを用いる
半導体装置を製造する場合に特に効果が大きい。
ゲート５ａ，５ｂがキャビティ４の対角線で結ばれる対
向し合う２つの位置に設けられており、この２つのゲー
ト５ａ，５ｂより封止用樹脂材９が同時に注入されるの
で、キャビティ４の全体に封止用樹脂材９がスムーズに
注入されて注入時間の短縮が可能となり、かつ均一に充
填されることになる。これにより、従来装置で問題とな
っていた、ダイパッド１１の浮き沈みによる位置ズレ
や、パッケージの未充填やボイドの発生を抑えることが
でき、信頼性及び生産性を向上させることができる。ま
た、これは薄型パッケージや大きなダイパッドを用いる
半導体装置を製造する場合に特に効果が大きい。
【００１４】図３は図１及び図２に示した樹脂封止型半
導体製造装置に適したリードフレーム１０の一例を示す
ものである。なお、このリードフレーム１０は、モール
ド型３を成型機本体２に３つ並べて配置したタイプの場
合を一例としている。また、図３において図１及び図２
と同一符号を付したものは図１及び図２と同一のものを
示している。
導体製造装置に適したリードフレーム１０の一例を示す
ものである。なお、このリードフレーム１０は、モール
ド型３を成型機本体２に３つ並べて配置したタイプの場
合を一例としている。また、図３において図１及び図２
と同一符号を付したものは図１及び図２と同一のものを
示している。
【００１５】図３において、このリードフレーム１０
は、金属製の板で、サポート１５で接続されているダイ
パッド１１と、インナーリード１３、アウターリード１
６、樹脂封止の際の樹脂止めとなるダムバー１７、貫通
しているゲート用の開口１８ａ、１８ｂ、スリット１
９、ガイドホール２０等を有して形成されており、３つ
の半導体装置が搭載可能になっている。また、上記ゲー
ト用の開口１８ａ，１８ｂは、モールド型３のゲート５
ａ，５ｂに対応して、対角線で結ばれる対向し合ってい
る２つの位置に形成されている。
は、金属製の板で、サポート１５で接続されているダイ
パッド１１と、インナーリード１３、アウターリード１
６、樹脂封止の際の樹脂止めとなるダムバー１７、貫通
しているゲート用の開口１８ａ、１８ｂ、スリット１
９、ガイドホール２０等を有して形成されており、３つ
の半導体装置が搭載可能になっている。また、上記ゲー
ト用の開口１８ａ，１８ｂは、モールド型３のゲート５
ａ，５ｂに対応して、対角線で結ばれる対向し合ってい
る２つの位置に形成されている。
【００１６】そして、このリードフレーム１０もモール
ド型３にセットされるとき、既に半導体部品が搭載され
た状態で配置されるが、モールド型３内にセットされる
と、ゲート用の開口１８ａ，１８ｂがキャビティ４内に
通じるとともに、ランナー７と通じた状態になる。これ
により、スプールから加熱溶融されている封止用樹脂材
９がランナー７を通して供給されて来ると、これが対向
し合っている２方向よりゲート５ａ，５ｂを通してキャ
ビティ４内に同時に注入されるとともに、ゲート用の開
口１８ａ，１８ｂ（本例ではゲート用の開口１８ａ，１
８ｂの一部とゲート５ａ，５ｂはオーバーラップしてい
る）を通してキャビティ４内に同時に注入される。
ド型３にセットされるとき、既に半導体部品が搭載され
た状態で配置されるが、モールド型３内にセットされる
と、ゲート用の開口１８ａ，１８ｂがキャビティ４内に
通じるとともに、ランナー７と通じた状態になる。これ
により、スプールから加熱溶融されている封止用樹脂材
９がランナー７を通して供給されて来ると、これが対向
し合っている２方向よりゲート５ａ，５ｂを通してキャ
ビティ４内に同時に注入されるとともに、ゲート用の開
口１８ａ，１８ｂ（本例ではゲート用の開口１８ａ，１
８ｂの一部とゲート５ａ，５ｂはオーバーラップしてい
る）を通してキャビティ４内に同時に注入される。
【００１７】したがって、このリードフレーム１０を使
用した場合では、ゲート５ａ，５ｂ及びゲート用の開口
１８ａ，１８ｂがキャビティ４の対角線で結ばれる対向
し合う２つの位置に設けられた状態となり、この２つの
ゲート５ａ，５ｂ及び１８ａ，１８ｂより封止用樹脂材
９が同時に注入されるので、キャビティ４の全体に封止
用樹脂材９が、さらにスムーズ、かつ均一に充填される
ことになる。
用した場合では、ゲート５ａ，５ｂ及びゲート用の開口
１８ａ，１８ｂがキャビティ４の対角線で結ばれる対向
し合う２つの位置に設けられた状態となり、この２つの
ゲート５ａ，５ｂ及び１８ａ，１８ｂより封止用樹脂材
９が同時に注入されるので、キャビティ４の全体に封止
用樹脂材９が、さらにスムーズ、かつ均一に充填される
ことになる。
【００１８】図４及び図５は本発明に係る樹脂封止型半
導体製造装置の第２の形態例を示すもので、図４はキャ
ビティの断面図、図５はモールド型断面構造図である。
なお、図４及び図５において図１及び図２と同一符号を
付したものは図１及び図２と同一のものを示している。
そして、図１及び図２に示した第１の形態例の構造と第
２の形態例の構造とで異なる点は、第１の形態例では、
下型３ｂにだけゲート５ａ，５ｂ（以下、「下ゲート５
ａ，５ｂ」と言う）を設けていたのに対して、第２の形
態例では上型３ａにも、下ゲート５ａ，５ｂと対向し合
う位置に上ゲート５Ａ，５Ｂを設けた点にあり、その他
の構造は同じである。
導体製造装置の第２の形態例を示すもので、図４はキャ
ビティの断面図、図５はモールド型断面構造図である。
なお、図４及び図５において図１及び図２と同一符号を
付したものは図１及び図２と同一のものを示している。
そして、図１及び図２に示した第１の形態例の構造と第
２の形態例の構造とで異なる点は、第１の形態例では、
下型３ｂにだけゲート５ａ，５ｂ（以下、「下ゲート５
ａ，５ｂ」と言う）を設けていたのに対して、第２の形
態例では上型３ａにも、下ゲート５ａ，５ｂと対向し合
う位置に上ゲート５Ａ，５Ｂを設けた点にあり、その他
の構造は同じである。
【００１９】また、この第２の形態例での成形方法も、
第１の形態例の場合と略同じである。すなわち、まず上
型３ａを下型３ｂより大きく離した状態において、上型
３ａと下型３ｂとの間にリードフレーム１０を配置す
る。ここでのリードフレーム１０には、既にダイパッド
１１上にチップ（半導体素子）１２をダイボンドして配
置し、チップ１２とインナーリード１３との間を金線１
４で接続している半導体部品が搭載されている。そし
て、このリードフレーム１０がモールド型３の所定の位
置にセットされたら、図示せぬ手段により上型３ａと下
型３ｂとが互いに型締めされる。
第１の形態例の場合と略同じである。すなわち、まず上
型３ａを下型３ｂより大きく離した状態において、上型
３ａと下型３ｂとの間にリードフレーム１０を配置す
る。ここでのリードフレーム１０には、既にダイパッド
１１上にチップ（半導体素子）１２をダイボンドして配
置し、チップ１２とインナーリード１３との間を金線１
４で接続している半導体部品が搭載されている。そし
て、このリードフレーム１０がモールド型３の所定の位
置にセットされたら、図示せぬ手段により上型３ａと下
型３ｂとが互いに型締めされる。
【００２０】次いで、加熱溶融されている封止用樹脂材
９が、対向し合っている２方向よりキャビティ４内に、
ランナー７及びゲート５ａ，５ｂ，５Ａ，５Ｂを通して
同時に注入される。また、所定量の注入が終了したら、
プランジャー８が駆動されて封止用樹脂材９に圧力を加
え、キャビティ４内に封止用樹脂材９が隈無く行き渡る
ように充填する。そして、この封止用樹脂材９がパッケ
ージとなり、樹脂封止型の半導体装置が作られる。図４
及び図５も、この状態を示している。その後、キャビテ
ィ４内の封止用樹脂材９を冷却させ、固化したら上型３
ａと下型３ｂとの間を開いてモールド型３より取り出
す。次いで、同じ動作が繰り返される。
９が、対向し合っている２方向よりキャビティ４内に、
ランナー７及びゲート５ａ，５ｂ，５Ａ，５Ｂを通して
同時に注入される。また、所定量の注入が終了したら、
プランジャー８が駆動されて封止用樹脂材９に圧力を加
え、キャビティ４内に封止用樹脂材９が隈無く行き渡る
ように充填する。そして、この封止用樹脂材９がパッケ
ージとなり、樹脂封止型の半導体装置が作られる。図４
及び図５も、この状態を示している。その後、キャビテ
ィ４内の封止用樹脂材９を冷却させ、固化したら上型３
ａと下型３ｂとの間を開いてモールド型３より取り出
す。次いで、同じ動作が繰り返される。
【００２１】したがって、この第２の形態例の構造の場
合でも、下ゲート５ａ，５ｂと上ゲート５Ａ，５Ｂがキ
ャビティ４の対角線で結ばれる対向し合う２つの位置に
各々設けられており、この上下のゲート５ａ，５ｂ，５
Ａ，５Ｂより封止用樹脂材９が同時に注入されるので、
キャビティ４の全体に封止用樹脂材９がスムーズに注入
されて注入時間の短縮化が可能となり、かつ均一に充填
されることになる。これにより、従来装置で問題となっ
ていた、ダイパッド１１の浮き沈みによる位置ズレや、
パッケージの未充填及びボイドの発生を抑えることがで
き、信頼性及び生産性を向上させることができる。
合でも、下ゲート５ａ，５ｂと上ゲート５Ａ，５Ｂがキ
ャビティ４の対角線で結ばれる対向し合う２つの位置に
各々設けられており、この上下のゲート５ａ，５ｂ，５
Ａ，５Ｂより封止用樹脂材９が同時に注入されるので、
キャビティ４の全体に封止用樹脂材９がスムーズに注入
されて注入時間の短縮化が可能となり、かつ均一に充填
されることになる。これにより、従来装置で問題となっ
ていた、ダイパッド１１の浮き沈みによる位置ズレや、
パッケージの未充填及びボイドの発生を抑えることがで
き、信頼性及び生産性を向上させることができる。
【００２２】なお、この第２の形態例でも、図３に示し
たリードフレームを使用した場合には、第１の形態例で
説明した場合と同じ効果が得られるものである。また、
上記各形態例では、四方にリードのあるＱＦＰ(Quad Fl
at Package) タイプについて説明したが、Ｊ形状をした
リードを四方に持つＱＦＪ(Quad Flat J-leaded Packag
e)タイプやガルウイング形状をしたリードを両側に持つ
ＳＯＰ(Small Outline Package) タイプ、Ｊ形状をした
リードを両側に持つＳＯＪ(SmallOutline-J-leaded Pac
kage)タイプ、等のリードフレームを用いて製造する全
ての半導体装置に適用することができるものである。
たリードフレームを使用した場合には、第１の形態例で
説明した場合と同じ効果が得られるものである。また、
上記各形態例では、四方にリードのあるＱＦＰ(Quad Fl
at Package) タイプについて説明したが、Ｊ形状をした
リードを四方に持つＱＦＪ(Quad Flat J-leaded Packag
e)タイプやガルウイング形状をしたリードを両側に持つ
ＳＯＰ(Small Outline Package) タイプ、Ｊ形状をした
リードを両側に持つＳＯＪ(SmallOutline-J-leaded Pac
kage)タイプ、等のリードフレームを用いて製造する全
ての半導体装置に適用することができるものである。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
キャビティ内には、２方向より封止用樹脂材が同時に注
入されるので、キャビティの全体に封止用樹脂材がスム
ーズに、かつ均一に充填されることになり、従来装置で
問題となっていた、ダイパッドの浮き沈みによる位置ズ
レや、パッケージの未充填及びボイドの発生を抑えるこ
とができる。これにより、信頼性の向上と同時に、注入
時間の短縮化も図れて生産性を向上させることができ
る。
キャビティ内には、２方向より封止用樹脂材が同時に注
入されるので、キャビティの全体に封止用樹脂材がスム
ーズに、かつ均一に充填されることになり、従来装置で
問題となっていた、ダイパッドの浮き沈みによる位置ズ
レや、パッケージの未充填及びボイドの発生を抑えるこ
とができる。これにより、信頼性の向上と同時に、注入
時間の短縮化も図れて生産性を向上させることができ
る。
【図１】本発明の第１の形態例として示す装置における
キャビティの断面図である。
キャビティの断面図である。
【図２】本発明の第１の形態例として示す装置における
モールド型断面構造図である。
モールド型断面構造図である。
【図３】本発明装置に適したリードフレームの一例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図４】本発明の第２の形態例として示す装置における
キャビティの断面図である。
キャビティの断面図である。
【図５】本発明の第２の形態例として示す装置における
モールド型断面構造図である。
モールド型断面構造図である。
【図６】従来装置の一例を示す断面図である。
１ 半導体製造装置 ２ 成型機本体 ３ モールド型 ３ａ 上型 ３ｂ 下型 ４ キャビティ ５ａ，５ｂ，５Ａ，５Ｂ ゲート ７ ランナー ９ 封止用樹脂材 １０ リードフレーム １１ ダイパッド １２ チップ ３０ 半導体装置
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｇ // Ｂ２９Ｌ 31:58
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも２つの型を型締めして閉じら
れるキャビティ内に、封止用半導体部品が搭載されたリ
ードフレームを配置し、その後、加熱溶融された封止用
樹脂材を注入充填し、固化して樹脂封止型半導体装置を
得る樹脂封止型半導体製造装置において、 前記封止用樹脂材を前記キャビティの対角線で略結ばれ
る２方向より同時に前記キャビティ内に供給できるよう
にして、前記型にゲートを２つ設けたことを特徴とする
樹脂封止型半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記ゲートを前記２つの型のうちの一方
の型に設けた請求項１に記載の樹脂封止型半導体製造装
置。 - 【請求項３】 前記ゲートを前記２つの型の両方の型に
各々対向させて設けた請求項１に記載の樹脂封止型半導
体製造装置。 - 【請求項４】 少なくとも２つの型を型締めして閉じら
れるキャビティ内に、封止用半導体部品を搭載して配置
され、その後、加熱溶融された封止用樹脂材が注入充填
されて固化し、樹脂封止型半導体装置を得る樹脂封止型
半導体装置のリードフレームにおいて、 前記キャビティ内に前記封止用樹脂材を導くためのゲー
トを設けたことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項５】 前記ゲートを前記キャビティの対角線で
略結ばれる２つの位置に各々設けた請求項４に記載のリ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8114585A JPH09298212A (ja) | 1996-05-09 | 1996-05-09 | 樹脂封止型半導体製造装置及び樹脂封止型半導体装置に使用するリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8114585A JPH09298212A (ja) | 1996-05-09 | 1996-05-09 | 樹脂封止型半導体製造装置及び樹脂封止型半導体装置に使用するリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09298212A true JPH09298212A (ja) | 1997-11-18 |
Family
ID=14641542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8114585A Pending JPH09298212A (ja) | 1996-05-09 | 1996-05-09 | 樹脂封止型半導体製造装置及び樹脂封止型半導体装置に使用するリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09298212A (ja) |
-
1996
- 1996-05-09 JP JP8114585A patent/JPH09298212A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051205 |