JPH09306372A - 半導体イオン注入設備のイオン発生装置 - Google Patents
半導体イオン注入設備のイオン発生装置Info
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- JPH09306372A JPH09306372A JP8239089A JP23908996A JPH09306372A JP H09306372 A JPH09306372 A JP H09306372A JP 8239089 A JP8239089 A JP 8239089A JP 23908996 A JP23908996 A JP 23908996A JP H09306372 A JPH09306372 A JP H09306372A
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/083—Beam forming
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フィラメントを挿入したベースプレートの貫
通孔付近のフィラメント部分から多量に放出される、イ
オン化反応に寄与しない熱電子の発生を抑制して、イオ
ン発生の効率を高めるとともに、設備を安定して稼動し
て生産性向上を図る。 【解決手段】 フロント・プレート１３、サイド・プレ
ート１４及びベース・プレート１５から成ってイオン反
応室１２を形成するアーク・チャンバー１１と、両端部
がベース・プレート１５の貫通孔１５ａを貫通してアー
ク・チャンバー１１内に設けられた熱電子を放出するフ
ィラメント１６と、ベース・プレート１５の下部に設け
られて、フィラメント１６の両端部が接続されたフィラ
メント・コネクタ・ロード１７とから構成される半導体
イオン注入設備のイオン発生装置において、ベース・プ
レート１５の貫通孔１５ａに絶縁部材１８を挿入、設置
して、フィラメント１６とベース・プレート１５とを絶
縁するようにした。
通孔付近のフィラメント部分から多量に放出される、イ
オン化反応に寄与しない熱電子の発生を抑制して、イオ
ン発生の効率を高めるとともに、設備を安定して稼動し
て生産性向上を図る。 【解決手段】 フロント・プレート１３、サイド・プレ
ート１４及びベース・プレート１５から成ってイオン反
応室１２を形成するアーク・チャンバー１１と、両端部
がベース・プレート１５の貫通孔１５ａを貫通してアー
ク・チャンバー１１内に設けられた熱電子を放出するフ
ィラメント１６と、ベース・プレート１５の下部に設け
られて、フィラメント１６の両端部が接続されたフィラ
メント・コネクタ・ロード１７とから構成される半導体
イオン注入設備のイオン発生装置において、ベース・プ
レート１５の貫通孔１５ａに絶縁部材１８を挿入、設置
して、フィラメント１６とベース・プレート１５とを絶
縁するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体イオン注入
設備のイオン発生装置に関するもので、より詳しくは、
バーナス・ソース(Bernas Source) を装着して使用して
いる、高電流のイオン注入設備のイオン発生装置に関す
る。
設備のイオン発生装置に関するもので、より詳しくは、
バーナス・ソース(Bernas Source) を装着して使用して
いる、高電流のイオン注入設備のイオン発生装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、イオン注入設備のイオン発生
装置には、１つの熱電子放出用のフィラメントを設けた
カスプ・タイプ(Cusp Type) が用いられたが、最近バー
ナス(Bernas) によって、２つの熱電子放出用のフィラ
メントを設けたバーナス・ソース・タイプが開発され
た。バーナス・タイプにおいては、カスプ・タイプに対
して、イオンビームの生成とフィラメントの寿命延長に
よる設備改善が図られており、高電流のイオン注入設備
はすべて、このバーナス・ソースを装着して使用してい
る。
装置には、１つの熱電子放出用のフィラメントを設けた
カスプ・タイプ(Cusp Type) が用いられたが、最近バー
ナス(Bernas) によって、２つの熱電子放出用のフィラ
メントを設けたバーナス・ソース・タイプが開発され
た。バーナス・タイプにおいては、カスプ・タイプに対
して、イオンビームの生成とフィラメントの寿命延長に
よる設備改善が図られており、高電流のイオン注入設備
はすべて、このバーナス・ソースを装着して使用してい
る。
【０００３】図２は、上記のようなバーナス・ソースを
使用した高電流のイオン注入設備のイオン発生装置を示
した断面構造図であって、ボックス型のアーク・チャン
バー(Arc Chamber) １によってイオン反応室２が構成さ
れ、アーク・チャンバー１はフロント・プレート３、サ
イド・プレート４およびベース・プレート５からなる。
使用した高電流のイオン注入設備のイオン発生装置を示
した断面構造図であって、ボックス型のアーク・チャン
バー(Arc Chamber) １によってイオン反応室２が構成さ
れ、アーク・チャンバー１はフロント・プレート３、サ
イド・プレート４およびベース・プレート５からなる。
【０００４】上記のフロント・プレート３には、イオン
反応室２で生成されたイオンビームが抜け出るスリット
３ａが形成されており、サイド・プレート４には、ガス
注入口４ａが形成され、イオン化させるための材料であ
る不純物ガスをイオン反応室に注入するようになってお
り、ベース・プレート５にはアーク電圧(Arc Voltage)
が印加される。このようにアーク・チャンバー１を構成
するフロント・プレート３、サイド・プレート４および
ベース・プレート５は、通常、イオン反応中において発
生する熱に耐えられ、スパッタリングによる損傷が少な
いタングステンを用いて製作される。
反応室２で生成されたイオンビームが抜け出るスリット
３ａが形成されており、サイド・プレート４には、ガス
注入口４ａが形成され、イオン化させるための材料であ
る不純物ガスをイオン反応室に注入するようになってお
り、ベース・プレート５にはアーク電圧(Arc Voltage)
が印加される。このようにアーク・チャンバー１を構成
するフロント・プレート３、サイド・プレート４および
ベース・プレート５は、通常、イオン反応中において発
生する熱に耐えられ、スパッタリングによる損傷が少な
いタングステンを用いて製作される。
【０００５】また、アーク・チャンバー１内には、タン
グステン材質のフィラメント６が設置されており、この
フィラメント６の両端は、ベース・プレート５に形成さ
れた貫通孔５ａを貫通し、下部に設けられたフィラメン
ト・コネクタ・ロード７に接続されており、上記のフィ
ラメント６には、フィラメント・コネクタ・ロード７を
通じて最高２００アンペアの電流が供給される。実際に
はフィラメント６は、前後に２個設けられるが、図面に
は１個だけを図示した。
グステン材質のフィラメント６が設置されており、この
フィラメント６の両端は、ベース・プレート５に形成さ
れた貫通孔５ａを貫通し、下部に設けられたフィラメン
ト・コネクタ・ロード７に接続されており、上記のフィ
ラメント６には、フィラメント・コネクタ・ロード７を
通じて最高２００アンペアの電流が供給される。実際に
はフィラメント６は、前後に２個設けられるが、図面に
は１個だけを図示した。
【０００６】このように構成されたイオン発生装置にお
いてフィラメント６に電流を流すことにより、フィラメ
ント６から発生した熱電子はガス注入口４ａから注入さ
れた不純物ガスと反応し、イオンビームが生成する。イ
オンビームは、フロント・プレート３のスリット３ａを
通じてイオン反応室２を抜け出るようになっており、主
にフィラメント６の上部から放出された熱電子と不純物
ガスとが反応して、イオンビームが生成される。
いてフィラメント６に電流を流すことにより、フィラメ
ント６から発生した熱電子はガス注入口４ａから注入さ
れた不純物ガスと反応し、イオンビームが生成する。イ
オンビームは、フロント・プレート３のスリット３ａを
通じてイオン反応室２を抜け出るようになっており、主
にフィラメント６の上部から放出された熱電子と不純物
ガスとが反応して、イオンビームが生成される。
【０００７】このようにして生成したイオンビームの
量、即ちビーム電流(Beam Current)は、ベース・プレー
ト５に印加されるアーク電圧と、フィラメントに流れる
フィラメント電流に比例して生成するので、これらを設
定することによって必要とする量のビーム電流が得られ
る。ビーム電流は、ガス反応時に熱電子がガス分子と衝
突し、ガス分子から解離した電子がアーク・チャンバー
１の内壁に衝突したときに発生するアーク電流を検知し
て知ることができる。
量、即ちビーム電流(Beam Current)は、ベース・プレー
ト５に印加されるアーク電圧と、フィラメントに流れる
フィラメント電流に比例して生成するので、これらを設
定することによって必要とする量のビーム電流が得られ
る。ビーム電流は、ガス反応時に熱電子がガス分子と衝
突し、ガス分子から解離した電子がアーク・チャンバー
１の内壁に衝突したときに発生するアーク電流を検知し
て知ることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のイオ
ン発生装置は、フィラメント６がベース・プレート５の
貫通孔５ａを貫通して設けられているので、フィラメン
ト６とベース・プレート５との間に隙間ａが形成され
る。この隙間ａが存在する場所はベース・プレート５が
フィラメント６に近接している部分であり、このためこ
の部分から非常に多くの熱電子が放出される。
ン発生装置は、フィラメント６がベース・プレート５の
貫通孔５ａを貫通して設けられているので、フィラメン
ト６とベース・プレート５との間に隙間ａが形成され
る。この隙間ａが存在する場所はベース・プレート５が
フィラメント６に近接している部分であり、このためこ
の部分から非常に多くの熱電子が放出される。
【０００９】上記の隙間ａ部分からは多量の熱電子が放
出されるが、この熱電子とガスとの反応はほとんど起こ
らない。さらに、反応しなかった熱電子は隙間ａを通じ
て抜け出るので、イオンビームの生成量は少なくなっ
て、要望するビーム電流を得ることができない。従っ
て、要望するビーム電流を得るためにはさらに高いフィ
ラメント電流およびアーク電圧を印加しなければならな
いので、アーク・チャンバーおよびフィラメントに過度
な負担がかかり、部品の寿命を短縮させていた。
出されるが、この熱電子とガスとの反応はほとんど起こ
らない。さらに、反応しなかった熱電子は隙間ａを通じ
て抜け出るので、イオンビームの生成量は少なくなっ
て、要望するビーム電流を得ることができない。従っ
て、要望するビーム電流を得るためにはさらに高いフィ
ラメント電流およびアーク電圧を印加しなければならな
いので、アーク・チャンバーおよびフィラメントに過度
な負担がかかり、部品の寿命を短縮させていた。
【００１０】また、隙間ａによって、ベース・プレート
とフィラメントとの間の絶縁が不確実なものになり、フ
ィラメント電流およびアーク電流に揺らぎが発生してイ
オン反応室２のプラズマが不安定になるので、設備の故
障が頻繁に起こり、設備の稼動中断が頻発して生産性を
低下させる原因となる。さらに、ベース・プレート５の
貫通孔５ａに位置したフィラメント６の部分から過度な
熱電子が放出されるので、この部分においてブローイン
グ(Blowing) 現象が発生して、フィラメントの寿命が短
かくなるという問題点があった。
とフィラメントとの間の絶縁が不確実なものになり、フ
ィラメント電流およびアーク電流に揺らぎが発生してイ
オン反応室２のプラズマが不安定になるので、設備の故
障が頻繁に起こり、設備の稼動中断が頻発して生産性を
低下させる原因となる。さらに、ベース・プレート５の
貫通孔５ａに位置したフィラメント６の部分から過度な
熱電子が放出されるので、この部分においてブローイン
グ(Blowing) 現象が発生して、フィラメントの寿命が短
かくなるという問題点があった。
【００１１】本発明は上記のような従来の問題点を解決
するためのもので、フィラメントとベース・プレートと
を確実に絶縁するようにして、イオンビームの生成効率
を高めるとともにイオン反応室のプラズマを安定させ
て、設備の故障頻度を低減して生産性を向上させること
ができる、半導体イオン注入設備のイオン発生装置を提
供することを目的とする。
するためのもので、フィラメントとベース・プレートと
を確実に絶縁するようにして、イオンビームの生成効率
を高めるとともにイオン反応室のプラズマを安定させ
て、設備の故障頻度を低減して生産性を向上させること
ができる、半導体イオン注入設備のイオン発生装置を提
供することを目的とする。
【００１２】本発明の他の目的は、フィラメントの一部
分からの過度な熱電子の放出によって起こるブローイン
グ現象を防止して、フィラメントの寿命を長く保つこと
ができる、半導体イオン注入設備のイオン発生装置を提
供することである。
分からの過度な熱電子の放出によって起こるブローイン
グ現象を防止して、フィラメントの寿命を長く保つこと
ができる、半導体イオン注入設備のイオン発生装置を提
供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明では、フロント・プレート、サイド・プレ
ート及びベース・プレートから成ってイオン反応室を形
成するアーク・チャンバーと、両端部がベース・プレー
トの貫通孔を貫通してアーク・チャンバー内に設けられ
た熱電子を放出するフィラメントと、ベース・プレート
の下部に設けられて、フィラメントの両端部が接続され
たフィラメント・コネクタ・ロードとから構成される半
導体イオン注入設備のイオン発生装置において、ベース
・プレートの貫通孔に絶縁部材を挿入、設置して、フィ
ラメントとベース・プレートとを絶縁するようにした。
めに、本発明では、フロント・プレート、サイド・プレ
ート及びベース・プレートから成ってイオン反応室を形
成するアーク・チャンバーと、両端部がベース・プレー
トの貫通孔を貫通してアーク・チャンバー内に設けられ
た熱電子を放出するフィラメントと、ベース・プレート
の下部に設けられて、フィラメントの両端部が接続され
たフィラメント・コネクタ・ロードとから構成される半
導体イオン注入設備のイオン発生装置において、ベース
・プレートの貫通孔に絶縁部材を挿入、設置して、フィ
ラメントとベース・プレートとを絶縁するようにした。
【００１４】特に、前記絶縁部材は、貫通孔を貫通して
ベース・プレートをフィラメントから電気的に遮断する
挿入部と、挿入部の下部に延長、形成されて、ベース・
プレートをフィラメント・コネクタ・ロードから絶縁す
る延長絶縁部とから構成することが望ましい。またさら
に、前記絶縁部材の材料としては、窒化ホウ素またはセ
ラミックを用いることが望ましい。
ベース・プレートをフィラメントから電気的に遮断する
挿入部と、挿入部の下部に延長、形成されて、ベース・
プレートをフィラメント・コネクタ・ロードから絶縁す
る延長絶縁部とから構成することが望ましい。またさら
に、前記絶縁部材の材料としては、窒化ホウ素またはセ
ラミックを用いることが望ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体イオン
注入設備のイオン発生装置を、図面を参照しながら詳細
に説明する。図１は本発明によるイオン発生装置を示し
たもので、アーク・チャンバー１１がイオン反応室１２
を構成するようになっており、アーク・チャンバー１１
はフロント・プレート１３、サイド・プレート１４およ
びベース・プレート１５からなる。
注入設備のイオン発生装置を、図面を参照しながら詳細
に説明する。図１は本発明によるイオン発生装置を示し
たもので、アーク・チャンバー１１がイオン反応室１２
を構成するようになっており、アーク・チャンバー１１
はフロント・プレート１３、サイド・プレート１４およ
びベース・プレート１５からなる。
【００１６】また、イオン反応室１２内へ熱電子を放出
するフィラメント１６が設けられており、フィラメント
１６の両端部はベース・プレート１５の貫通孔１５ａを
貫通して下方に導かれ、このフィラメント１６の両端部
はフィラメント・コネクタ・ロード１７に接続され、こ
れを通じてフィラメント１６に電流が供給されるように
なっている。
するフィラメント１６が設けられており、フィラメント
１６の両端部はベース・プレート１５の貫通孔１５ａを
貫通して下方に導かれ、このフィラメント１６の両端部
はフィラメント・コネクタ・ロード１７に接続され、こ
れを通じてフィラメント１６に電流が供給されるように
なっている。
【００１７】この際、ベース・プレート１５にはアーク
電圧が印加され、サイド・プレート１４の一側には、不
純物ガスを注入するガス注入口１４ａが備えられてお
り、フロント・プレート１３には、生成したイオンビー
ムがイオン反応室１２から抜け出るスリット１３ａが形
成されている。
電圧が印加され、サイド・プレート１４の一側には、不
純物ガスを注入するガス注入口１４ａが備えられてお
り、フロント・プレート１３には、生成したイオンビー
ムがイオン反応室１２から抜け出るスリット１３ａが形
成されている。
【００１８】本発明によるイオン発生装置においては、
ベース・プレート１５の貫通孔１５ａに挿入されて、ベ
ース・プレート１５とフィラメント１６との間を絶縁す
る絶縁部材１８が設けられる。絶縁部材１８は、貫通孔
１５ａを貫通してベース・プレート１５とフィラメント
１６とを電気的に遮断するとともに、熱電子が貫通孔１
５ａを通じてイオン反応室１２の外に放出されないよう
にする挿入部１８ａと、挿入部１８ａの下部に一体とし
て形成されて、ベース・プレート１５とフィラメント・
コネクタ・ロード１７との間を電気的に遮断する延長絶
縁部１８ｂとから構成されている。
ベース・プレート１５の貫通孔１５ａに挿入されて、ベ
ース・プレート１５とフィラメント１６との間を絶縁す
る絶縁部材１８が設けられる。絶縁部材１８は、貫通孔
１５ａを貫通してベース・プレート１５とフィラメント
１６とを電気的に遮断するとともに、熱電子が貫通孔１
５ａを通じてイオン反応室１２の外に放出されないよう
にする挿入部１８ａと、挿入部１８ａの下部に一体とし
て形成されて、ベース・プレート１５とフィラメント・
コネクタ・ロード１７との間を電気的に遮断する延長絶
縁部１８ｂとから構成されている。
【００１９】絶縁部材１８は、反応ガスと反応せず、高
温に強く、かつ絶縁性がよい材料、例えば窒化ホウ素、
またはセラミックで製造することが目的に適合した材料
選択であって望ましい。
温に強く、かつ絶縁性がよい材料、例えば窒化ホウ素、
またはセラミックで製造することが目的に適合した材料
選択であって望ましい。
【００２０】このような構成の本発明によれば、フィラ
メント１６に近接するベース・プレート１５の貫通孔１
５ａの部位が絶縁部材１８によってフィラメント１６か
ら電気的に遮断されて、確実な絶縁がなされ、熱電子は
正常にフィラメント１６の上部から放出される。フィラ
メント１６の上部から放出された熱電子は、ガス注入口
１４ａから供給された不純物ガスと反応して、安定した
プラズマ状態を維持しながら効率的なイオンビーム生成
を実現する。
メント１６に近接するベース・プレート１５の貫通孔１
５ａの部位が絶縁部材１８によってフィラメント１６か
ら電気的に遮断されて、確実な絶縁がなされ、熱電子は
正常にフィラメント１６の上部から放出される。フィラ
メント１６の上部から放出された熱電子は、ガス注入口
１４ａから供給された不純物ガスと反応して、安定した
プラズマ状態を維持しながら効率的なイオンビーム生成
を実現する。
【００２１】従って、必要とするビーム電流を得るため
には、フィラメント電流およびアーク電圧を設定する
時、従来のイオン発生装置における設定値よりもより低
い設定値で同じビーム電流を得ることができる。例えば
８ｍＡのイオンビームを得ようとする場合に必要とされ
る、フィラメント電流、フィラメント１６とベース・プ
レート１５との間に印加されるアーク電圧、及びイオン
反応時に測定されるアーク電流を、従来のイオン発生装
置の場合と比較して表１に示す。
には、フィラメント電流およびアーク電圧を設定する
時、従来のイオン発生装置における設定値よりもより低
い設定値で同じビーム電流を得ることができる。例えば
８ｍＡのイオンビームを得ようとする場合に必要とされ
る、フィラメント電流、フィラメント１６とベース・プ
レート１５との間に印加されるアーク電圧、及びイオン
反応時に測定されるアーク電流を、従来のイオン発生装
置の場合と比較して表１に示す。
【００２２】
【表１】 表１からわかるように、従来より低いフィラメント電流
およびアーク電圧で同じ８ｍＡのイオンビームが得られ
て、フィラメント電流およびアーク電圧のイオンビーム
生成の効率が向上している。また、イオン反応時に測定
されるアーク電流が従来よりも低く現れているので、ア
ーク電流の損失がより小さく、イオンビームがより効率
的に生成されていることが認められる。
およびアーク電圧で同じ８ｍＡのイオンビームが得られ
て、フィラメント電流およびアーク電圧のイオンビーム
生成の効率が向上している。また、イオン反応時に測定
されるアーク電流が従来よりも低く現れているので、ア
ーク電流の損失がより小さく、イオンビームがより効率
的に生成されていることが認められる。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明の通り本発明によれば、従来
よりも低いフィラメント電流及びアーク電圧で効率よく
イオンビームを生成することができるとともに、低電
圧、低電流稼動によってアーク・チャンバーとフィラメ
ントにかかる負担を軽くして、各部品の長寿命化を図る
ことができる。
よりも低いフィラメント電流及びアーク電圧で効率よく
イオンビームを生成することができるとともに、低電
圧、低電流稼動によってアーク・チャンバーとフィラメ
ントにかかる負担を軽くして、各部品の長寿命化を図る
ことができる。
【００２４】また本発明は、フィラメントとベース・プ
レートを確実に絶縁しているので、安定したプラズマ状
態が維持されることによりビーム電流が著しく安定化さ
れ、これによって、設備の故障および修理のための設備
の稼動中断率を低減することができ、生産性を向上させ
ることができる。
レートを確実に絶縁しているので、安定したプラズマ状
態が維持されることによりビーム電流が著しく安定化さ
れ、これによって、設備の故障および修理のための設備
の稼動中断率を低減することができ、生産性を向上させ
ることができる。
【００２５】さらに、フィラメントの一部分から熱電子
が過度に放出されることが防止でき、このため、従来あ
ったブローイング現象を除去してフィラメントの寿命が
延長される効果がある。
が過度に放出されることが防止でき、このため、従来あ
ったブローイング現象を除去してフィラメントの寿命が
延長される効果がある。
【図１】本発明によるイオン発生装置を示す断面構造図
である。
である。
【図２】従来のイオン発生装置を示す断面構造図であ
る。
る。
１１ アーク・チャンバー １２ イオン反応室 １３ フロント・プレート １３ａ スリット １４ サイド・プレート １４ａ ガス注入口 １５ ベース・プレート １５ａ 貫通孔 １６ フィラメント １７ フィラメント・コネクタ・ロード １８ 絶縁部材 １８ａ 挿入部 １８ｂ 延長絶縁部
フロントページの続き (72)発明者 趙 洪 來 大韓民国京畿道水原市八達区遠川洞78−36 番地
Claims (4)
- 【請求項１】 フロント・プレート、サイド・プレート
及びベース・プレートから成ってイオン反応室を形成す
るアーク・チャンバーと、両端部が前記ベース・プレー
トの貫通孔を貫通して前記アーク・チャンバー内に設け
られた熱電子を放出するフィラメントと、前記ベース・
プレートの下部に設けられて、前記フィラメントの両端
部が接続されたフィラメント・コネクタ・ロードとから
構成される半導体イオン注入設備のイオン発生装置にお
いて、前記ベース・プレートの貫通孔にフィラメントと
ベース・プレートとを絶縁する絶縁部材が挿入、設置さ
れていることを特徴とする、半導体イオン注入設備のイ
オン発生装置。 - 【請求項２】 前記絶縁部材が、前記貫通孔を貫通して
前記ベース・プレートを前記フィラメントから電気的に
遮断する挿入部と、前記挿入部の下部に延長、形成され
て、ベース・プレートを前記フィラメント・コネクタ・
ロードから絶縁する延長絶縁部とから構成された、請求
項１に記載の半導体イオン注入設備のイオン発生装置。 - 【請求項３】 前記絶縁部材の材料として窒化ホウ素を
用いた、請求項１に記載の半導体イオン注入設備のイオ
ン発生装置。 - 【請求項４】 前記絶縁部材の材料としてセラミックを
用いた、請求項１に記載の半導体イオン注入設備のイオ
ン発生装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960015150A KR970077182A (ko) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | 반도체 이온주입설비의 이온발생장치 |
| KR1996-15150 | 1996-05-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306372A true JPH09306372A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=19458134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8239089A Pending JPH09306372A (ja) | 1996-05-08 | 1996-09-10 | 半導体イオン注入設備のイオン発生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09306372A (ja) |
| KR (1) | KR970077182A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6349749B2 (ja) * | 1982-05-07 | 1988-10-05 | Insuchi* Mashinobedenia Imeni Ee Ee Buragonraboba An Sssr | |
| JPH08111198A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-04-30 | Ulvac Japan Ltd | イオン源 |
-
1996
- 1996-05-08 KR KR1019960015150A patent/KR970077182A/ko not_active Abandoned
- 1996-09-10 JP JP8239089A patent/JPH09306372A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6349749B2 (ja) * | 1982-05-07 | 1988-10-05 | Insuchi* Mashinobedenia Imeni Ee Ee Buragonraboba An Sssr | |
| JPH08111198A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-04-30 | Ulvac Japan Ltd | イオン源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970077182A (ko) | 1997-12-12 |
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