JPH09306802A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JPH09306802A JPH09306802A JP8116249A JP11624996A JPH09306802A JP H09306802 A JPH09306802 A JP H09306802A JP 8116249 A JP8116249 A JP 8116249A JP 11624996 A JP11624996 A JP 11624996A JP H09306802 A JPH09306802 A JP H09306802A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- alignment
- substrate stage
- reference member
- mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70791—Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 オフ・アクシス方式の基板アライメント系を
備える投影露光装置において、アライメント時間を短縮
してスループットを増大し、かつ基板ステージのストロ
ークを長くすることなしに大きなサイズの感光基板を露
光することができるようにする。 【解決手段】基板ステージ３１上の異なる位置に基準マ
ークを有する基準部材ＦＰａ，ＦＰｂを複数個配置し、
またそれら複数の基準マークを観察できるオフ・アクシ
ス方式の基板アライメント系６０ａ，６０ｂを複数設け
る。
備える投影露光装置において、アライメント時間を短縮
してスループットを増大し、かつ基板ステージのストロ
ークを長くすることなしに大きなサイズの感光基板を露
光することができるようにする。 【解決手段】基板ステージ３１上の異なる位置に基準マ
ークを有する基準部材ＦＰａ，ＦＰｂを複数個配置し、
またそれら複数の基準マークを観察できるオフ・アクシ
ス方式の基板アライメント系６０ａ，６０ｂを複数設け
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
ディスプレイの製造に使用される投影露光装置に関し、
特にオフ・アクシス方式の基板アライメント系を備えた
投影露光装置に関するものである。
ディスプレイの製造に使用される投影露光装置に関し、
特にオフ・アクシス方式の基板アライメント系を備えた
投影露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】オフ・アクシス方式の基板アライメント
系を備える投影露光装置は、フォトレジスト等の感光剤
を塗布したウエハやガラスプレート等の感光基板を保持
して２次元移動する基板ステージ上に、基準となるマー
クを有する基準部材を固設し、この基準部材を用いてオ
フ・アクシス・アライメント系と投影光学系との間の距
離、いわゆるベースライン量を管理している。
系を備える投影露光装置は、フォトレジスト等の感光剤
を塗布したウエハやガラスプレート等の感光基板を保持
して２次元移動する基板ステージ上に、基準となるマー
クを有する基準部材を固設し、この基準部材を用いてオ
フ・アクシス・アライメント系と投影光学系との間の距
離、いわゆるベースライン量を管理している。
【０００３】図５は、従来の投影露光装置のベースライ
ン計測の原理を模式的に示した図である。マスク１０に
は、図５（ａ）に略示するように、マスク中心Ｃを挟ん
で対称な位置にマークＲＭａとマークＲＭｂが設けられ
ている。マスク１０はマスクステージ１１上に保持さ
れ、このマスクステージ１１はマスク１０の中心Ｃを投
影光学系２０の光軸ＡＸと合致させるように移動され
る。基板ステージ３１上には、感光基板の表面に形成さ
れたアライメントマークと同等の基準マークＦＭを有す
る基準部材ＦＰが感光基板と干渉しない位置に付設さ
れ、この基準マークＦＭが投影光学系２０の投影視野内
の所定位置にくるように基板ステージ３１を位置決めす
ると、マスク１０の上方に設けられたＴＴＬ（スルー・
ザ・レンズ）方式のマスクアライメント系５０ａによっ
て、マスク１０のマークＲＭａと基準マークＦＭとが同
時に検出される。また、基板ステージ３１を別の位置に
移動すると、マスクアライメント系５０ｂによってマス
ク１０のマークＲＭｂと基準マークＦＭを同時に検出す
ることができる。
ン計測の原理を模式的に示した図である。マスク１０に
は、図５（ａ）に略示するように、マスク中心Ｃを挟ん
で対称な位置にマークＲＭａとマークＲＭｂが設けられ
ている。マスク１０はマスクステージ１１上に保持さ
れ、このマスクステージ１１はマスク１０の中心Ｃを投
影光学系２０の光軸ＡＸと合致させるように移動され
る。基板ステージ３１上には、感光基板の表面に形成さ
れたアライメントマークと同等の基準マークＦＭを有す
る基準部材ＦＰが感光基板と干渉しない位置に付設さ
れ、この基準マークＦＭが投影光学系２０の投影視野内
の所定位置にくるように基板ステージ３１を位置決めす
ると、マスク１０の上方に設けられたＴＴＬ（スルー・
ザ・レンズ）方式のマスクアライメント系５０ａによっ
て、マスク１０のマークＲＭａと基準マークＦＭとが同
時に検出される。また、基板ステージ３１を別の位置に
移動すると、マスクアライメント系５０ｂによってマス
ク１０のマークＲＭｂと基準マークＦＭを同時に検出す
ることができる。
【０００４】投影光学系２０の外側（投影視野外）に
は、オフ・アクシス方式の基板アライメント系６０が固
設されている。基板アライメント系６０の光軸は、投影
像側面では投影光学系２０の光軸ＡＸと平行である。そ
して基板アライメント系６０の内部には、感光基板上の
マーク、又は基準マークＦＭをアライメントする際の基
準となる視準マークがガラス板に設けられ、投影像面
（感光基板表面又は基準マークＦＭの面）とほぼ共役に
配置されている。
は、オフ・アクシス方式の基板アライメント系６０が固
設されている。基板アライメント系６０の光軸は、投影
像側面では投影光学系２０の光軸ＡＸと平行である。そ
して基板アライメント系６０の内部には、感光基板上の
マーク、又は基準マークＦＭをアライメントする際の基
準となる視準マークがガラス板に設けられ、投影像面
（感光基板表面又は基準マークＦＭの面）とほぼ共役に
配置されている。
【０００５】図５（ｂ）に示すように、マスクアライメ
ント系５０ａを用いてマスク１０のマークＲＭａと基準
部材ＦＰ上の基準マークＦＭとがアライメントされたと
きの基板ステージ３１の位置Ｘ1をレーザ干渉計で計測
する。同様に、マスクアライメント系５０ｂを用いてマ
スク１０のマークＲＭｂと基準マークＦＭとがアライメ
ントされたときの基板ステージ３１の位置Ｘ2、及び基
板アライメント系６０の指標マークと基準マークＦＭと
がアライメントされたときの基板ステージ３１の位置Ｘ
4をレーザ干渉計等でそれぞれ計測する。位置Ｘ1とＸ2
の中心位置をＸ3とすると、位置Ｘ3は投影光学系２０の
光軸ＡＸ上にあり、レチクル中心Ｃと共役な位置であ
る。
ント系５０ａを用いてマスク１０のマークＲＭａと基準
部材ＦＰ上の基準マークＦＭとがアライメントされたと
きの基板ステージ３１の位置Ｘ1をレーザ干渉計で計測
する。同様に、マスクアライメント系５０ｂを用いてマ
スク１０のマークＲＭｂと基準マークＦＭとがアライメ
ントされたときの基板ステージ３１の位置Ｘ2、及び基
板アライメント系６０の指標マークと基準マークＦＭと
がアライメントされたときの基板ステージ３１の位置Ｘ
4をレーザ干渉計等でそれぞれ計測する。位置Ｘ1とＸ2
の中心位置をＸ3とすると、位置Ｘ3は投影光学系２０の
光軸ＡＸ上にあり、レチクル中心Ｃと共役な位置であ
る。
【０００６】ベースライン量ＢＬは、差（Ｘ3−Ｘ4）を
計算することで求められる。このベースライン量ＢＬ
は、後で感光基板上のアライメントマークを基板アライ
メント系６０でアライメントして投影光学系２０の直下
に送り込むときの基準量となるものである。すなわち、
感光基板上の１ショット（被露光領域）の中心と感光基
板上のアライメントマークとの間隔をＸＰ、感光基板上
のアライメントマークが基板アライメント系６０の指標
マークと合致したときの基板ステージ３１の位置をＸ5
とすると、ショット中心とマスク中心Ｃとを合致させる
ためには、基板ステージ３１を次式の位置に移動させれ
ばよい。
計算することで求められる。このベースライン量ＢＬ
は、後で感光基板上のアライメントマークを基板アライ
メント系６０でアライメントして投影光学系２０の直下
に送り込むときの基準量となるものである。すなわち、
感光基板上の１ショット（被露光領域）の中心と感光基
板上のアライメントマークとの間隔をＸＰ、感光基板上
のアライメントマークが基板アライメント系６０の指標
マークと合致したときの基板ステージ３１の位置をＸ5
とすると、ショット中心とマスク中心Ｃとを合致させる
ためには、基板ステージ３１を次式の位置に移動させれ
ばよい。
【０００７】（Ｘ5−ＢＬ−ＸＰ）又は（Ｘ5−ＢＬ＋Ｘ
Ｐ） このように、オフ・アクシス方式の基板アライメント系
６０を用いて感光基板上のアライメントマーク位置を検
出した後、ベースライン量ＢＬに関連する一定量だけ基
板ステージ３１を送り込むだけで、直ちにマスク１０の
パターンを感光基板上のショット領域に正確に重ね合わ
せて露光することができる。なお、ここでは１次元方向
についてのみ考えたが、実際には２次元で考える必要が
ある。
Ｐ） このように、オフ・アクシス方式の基板アライメント系
６０を用いて感光基板上のアライメントマーク位置を検
出した後、ベースライン量ＢＬに関連する一定量だけ基
板ステージ３１を送り込むだけで、直ちにマスク１０の
パターンを感光基板上のショット領域に正確に重ね合わ
せて露光することができる。なお、ここでは１次元方向
についてのみ考えたが、実際には２次元で考える必要が
ある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の投影露光装置
は、基準マークを設けた基準部材を基板ステージ上の感
光基板と干渉しない位置に１個だけ配置するものである
ため、感光基板のサイズが大型化するに伴い、基板ステ
ージに本来露光のために必要なサイズ以上のストローク
が必要とされたり、有限なストロークにより感光基板の
サイズが制限を受けたり、さらには重ね合わせて露光さ
れる層間の位置合わせを行うアライメント系の配置が制
限されるなどという問題があった。
は、基準マークを設けた基準部材を基板ステージ上の感
光基板と干渉しない位置に１個だけ配置するものである
ため、感光基板のサイズが大型化するに伴い、基板ステ
ージに本来露光のために必要なサイズ以上のストローク
が必要とされたり、有限なストロークにより感光基板の
サイズが制限を受けたり、さらには重ね合わせて露光さ
れる層間の位置合わせを行うアライメント系の配置が制
限されるなどという問題があった。
【０００９】例えば、液晶ディスプレイの製造に使用さ
れる投影露光装置は、ディスプレイの大型化により感光
基板（ガラスプレート）が大型化しているため、プレー
トを載置する基板ステージも大型化し、基板ステージの
ストロークも次第に長いものになってきている。一方、
プレート上に形成するアライメントマークは、マーク間
のスパンを長くして計測精度を高めるため、あるいはデ
バイスのレイアウトによらず常にプレート上の同一位置
にマークを形成してアライメント操作を画一化する等の
目的から、プレートの周辺部に配置されることが多い。
このような大型プレートの両端に配置されたアライメン
トマークを１つのオフ・アクシス方式の基板アライメン
ト系で検出しようとすると、基板ステージのストローク
を非常に長くする必要があり、基板ステージの設計を困
難にすると同時にスループットの低下をまねく。基板ス
テージのストロークを長くしないために、オフ・アクシ
スの基板アライメント系を投影光学系の両側に２つ設け
ることも考えられる。しかし、２つの基板アライメント
系を用いると、アライメント操作時には長いストローク
を必要としないが、基準マークを用いて従来の方法で２
つの基板アライメント系をキャリブレーションしようと
すると基板ステージにはやはり長いストロークが必要と
される。
れる投影露光装置は、ディスプレイの大型化により感光
基板（ガラスプレート）が大型化しているため、プレー
トを載置する基板ステージも大型化し、基板ステージの
ストロークも次第に長いものになってきている。一方、
プレート上に形成するアライメントマークは、マーク間
のスパンを長くして計測精度を高めるため、あるいはデ
バイスのレイアウトによらず常にプレート上の同一位置
にマークを形成してアライメント操作を画一化する等の
目的から、プレートの周辺部に配置されることが多い。
このような大型プレートの両端に配置されたアライメン
トマークを１つのオフ・アクシス方式の基板アライメン
ト系で検出しようとすると、基板ステージのストローク
を非常に長くする必要があり、基板ステージの設計を困
難にすると同時にスループットの低下をまねく。基板ス
テージのストロークを長くしないために、オフ・アクシ
スの基板アライメント系を投影光学系の両側に２つ設け
ることも考えられる。しかし、２つの基板アライメント
系を用いると、アライメント操作時には長いストローク
を必要としないが、基準マークを用いて従来の方法で２
つの基板アライメント系をキャリブレーションしようと
すると基板ステージにはやはり長いストロークが必要と
される。
【００１０】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたもので、オフ・アクシス方式の基板アラ
イメント系を備える投影露光装置において、アライメン
ト時間を短縮してスループットを増大し、かつ基板ステ
ージのストロークを長くすることなしに大きなサイズの
感光基板を露光することができるようにすることを目的
とする。
鑑みてなされたもので、オフ・アクシス方式の基板アラ
イメント系を備える投影露光装置において、アライメン
ト時間を短縮してスループットを増大し、かつ基板ステ
ージのストロークを長くすることなしに大きなサイズの
感光基板を露光することができるようにすることを目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明では、基板ステー
ジ上の異なる位置に基準マークを有する基準部材を複数
個配置し、またそれら複数の基準マークを観察できるオ
フ・アクシス方式の基板アライメント系を複数設けるこ
とで前記目的を達成する。
ジ上の異なる位置に基準マークを有する基準部材を複数
個配置し、またそれら複数の基準マークを観察できるオ
フ・アクシス方式の基板アライメント系を複数設けるこ
とで前記目的を達成する。
【００１２】すなわち、本発明の投影露光装置は、感光
基板を載置して２次元方向に移動可能な基板ステージ
と、マスクのパターンを感光基板上に投影する投影光学
系と、投影光学系の光軸から離れた位置に第１の検出領
域を有し、感光基板上のアライメントマークを検出する
第１のオフ・アクシス方式の基板アライメント系と、投
影光学系の光軸から離れた第１の検出領域と異なる位置
に第２の検出領域を有し、感光基板上のアライメントマ
ークを検出する第２のオフ・アクシス方式の基板アライ
メント系と、第１の基板アライメント系で検出し得る基
準マークを有し、基板ステージ上に設けられた、第１の
基板アライメント系用の第１基準部材と、第２の基板ア
ライメント系で検出し得る基準マークを有し、基板ステ
ージ上で第１基準部材とは異なる位置に設けられた、第
２の基板アライメント系用の第２基準部材とを備えたこ
とを特徴とするものである。
基板を載置して２次元方向に移動可能な基板ステージ
と、マスクのパターンを感光基板上に投影する投影光学
系と、投影光学系の光軸から離れた位置に第１の検出領
域を有し、感光基板上のアライメントマークを検出する
第１のオフ・アクシス方式の基板アライメント系と、投
影光学系の光軸から離れた第１の検出領域と異なる位置
に第２の検出領域を有し、感光基板上のアライメントマ
ークを検出する第２のオフ・アクシス方式の基板アライ
メント系と、第１の基板アライメント系で検出し得る基
準マークを有し、基板ステージ上に設けられた、第１の
基板アライメント系用の第１基準部材と、第２の基板ア
ライメント系で検出し得る基準マークを有し、基板ステ
ージ上で第１基準部材とは異なる位置に設けられた、第
２の基板アライメント系用の第２基準部材とを備えたこ
とを特徴とするものである。
【００１３】基板ステージ上における第１基準部材と第
２基準部材の間隔は、基板アライメント系の第１検出領
域と第２検出領域との間隔に応じて決定される。第１基
準部材と第２基準部材の位置は、ベースライン計測及び
第１と第２のオフ・アクシスの基板アライメント系同士
のキャリブレーションに際して基板ステージのストロー
クができるだけ長くならないように配置されているのが
好ましい。基板ステージ上における第１基準部材と第２
基準部材の間隔をＬ、基板アライメント系の第１検出領
域と第２検出領域との間隔をＬａ、第１基準部材の基準
マークと第２基準部材の基準マークに対応してマスクに
形成された２つのアライメントマークが投影光学系によ
って基板ステージ側に投影される２つの投影位置の間隔
をＬｂとするとき、次式を満たすようにＬを設定するの
も一つの方法である。
２基準部材の間隔は、基板アライメント系の第１検出領
域と第２検出領域との間隔に応じて決定される。第１基
準部材と第２基準部材の位置は、ベースライン計測及び
第１と第２のオフ・アクシスの基板アライメント系同士
のキャリブレーションに際して基板ステージのストロー
クができるだけ長くならないように配置されているのが
好ましい。基板ステージ上における第１基準部材と第２
基準部材の間隔をＬ、基板アライメント系の第１検出領
域と第２検出領域との間隔をＬａ、第１基準部材の基準
マークと第２基準部材の基準マークに対応してマスクに
形成された２つのアライメントマークが投影光学系によ
って基板ステージ側に投影される２つの投影位置の間隔
をＬｂとするとき、次式を満たすようにＬを設定するの
も一つの方法である。
【００１４】Ｌｂ＜Ｌ＜Ｌａ 基板アライメント系の第１の検出領域及び第２の検出領
域は、それぞれ投影光学系の投影視野の外側に設定する
ことができる。また、基準部材は、基板ステージに対し
て昇降可能に設けることで基板ステージ上に載置される
感光基板との干渉を避けることができる。
域は、それぞれ投影光学系の投影視野の外側に設定する
ことができる。また、基準部材は、基板ステージに対し
て昇降可能に設けることで基板ステージ上に載置される
感光基板との干渉を避けることができる。
【００１５】本発明によると、基板ステージ上に基準マ
ークが設けられた基準部材を複数個配置することでオフ
・アクシスの基板アライメント系の間隔をステージスト
ローク以上に設定することができるため、基板ステージ
は感光基板の大型化に対し有効なストロークを有するだ
けで過度に長いストロークを有する必要はない。また、
アライメント系の配置も制限を受けることがない。
ークが設けられた基準部材を複数個配置することでオフ
・アクシスの基板アライメント系の間隔をステージスト
ローク以上に設定することができるため、基板ステージ
は感光基板の大型化に対し有効なストロークを有するだ
けで過度に長いストロークを有する必要はない。また、
アライメント系の配置も制限を受けることがない。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は本発明による投影露光装置
の一例の概略説明図であり、図２はその基板ステージの
概略平面図である。この投影露光装置は２つのオフ・ア
クシス方式の基板アライメント系６０ａ，６０ｂを有す
る。基板ステージ３１上には、第１の基板アライメント
系６０ａに対する基準マークを有する第１の基準部材Ｆ
Ｐａと、第２の基板アライメント系６０ｂに対する基準
マークを有する第２の基準部材ＦＰｂが設けられてい
る。マスク１０の上方には、一対のＴＴＬ（スルー・ザ
・レンズ）方式のマスクアライメント系５０ａ，５０ｂ
が設けられている。基板アライメント系６０ａ，６０ｂ
やマスクアライメント系５０ａ，５０ｂの構造や機能
は、従来のものと同様である。
施の形態を説明する。図１は本発明による投影露光装置
の一例の概略説明図であり、図２はその基板ステージの
概略平面図である。この投影露光装置は２つのオフ・ア
クシス方式の基板アライメント系６０ａ，６０ｂを有す
る。基板ステージ３１上には、第１の基板アライメント
系６０ａに対する基準マークを有する第１の基準部材Ｆ
Ｐａと、第２の基板アライメント系６０ｂに対する基準
マークを有する第２の基準部材ＦＰｂが設けられてい
る。マスク１０の上方には、一対のＴＴＬ（スルー・ザ
・レンズ）方式のマスクアライメント系５０ａ，５０ｂ
が設けられている。基板アライメント系６０ａ，６０ｂ
やマスクアライメント系５０ａ，５０ｂの構造や機能
は、従来のものと同様である。
【００１７】マスクステージ１１上に保持されたマスク
１０は、図示しない照明系からの露光光で照明され、投
影光学系２０はマスク１０に形成されたパターンの像を
基板ステージ３１上に仮想線で示したように載置される
感光基板ＰＴ上に投影する。２次元方向に移動可能な基
板ステージ３１には移動鏡３２ａ，３２ｂが固定されて
おり、レーザ干渉計３３ａ，３３ｂで移動鏡３２ａ，３
２ｂとの距離を計測することで基板ステージ３１の２次
元方向の位置を計測する。主制御系７０は、レーザ干渉
計３３ａ，３３ｂの出力によって基板ステージ３１の位
置をモニターしながらモータ等の駆動手段７１をサーボ
制御することで基板ステージ３１を所望の位置に移動す
る。マスクステージ１１にも基板ステージ３１と同様に
移動鏡１２が固定されており、主制御系７０は移動鏡１
２との距離を計測するレーザ干渉計１３の出力を参照し
てモータ等の駆動手段７２によってマスク１０を所定位
置に移動する。
１０は、図示しない照明系からの露光光で照明され、投
影光学系２０はマスク１０に形成されたパターンの像を
基板ステージ３１上に仮想線で示したように載置される
感光基板ＰＴ上に投影する。２次元方向に移動可能な基
板ステージ３１には移動鏡３２ａ，３２ｂが固定されて
おり、レーザ干渉計３３ａ，３３ｂで移動鏡３２ａ，３
２ｂとの距離を計測することで基板ステージ３１の２次
元方向の位置を計測する。主制御系７０は、レーザ干渉
計３３ａ，３３ｂの出力によって基板ステージ３１の位
置をモニターしながらモータ等の駆動手段７１をサーボ
制御することで基板ステージ３１を所望の位置に移動す
る。マスクステージ１１にも基板ステージ３１と同様に
移動鏡１２が固定されており、主制御系７０は移動鏡１
２との距離を計測するレーザ干渉計１３の出力を参照し
てモータ等の駆動手段７２によってマスク１０を所定位
置に移動する。
【００１８】基板ステージ３１上には、感光基板の表面
に形成されたアライメントマークと同等の基準マークＦ
Ｍａ，ＦＭｂを有する２つの基準部材ＦＰａ，ＦＰｂ
が、後述のように基板ステージ３１に昇降可能に設けら
れている。基準部材ＦＰａの基準マークＦＭａ又は基準
部材ＦＰｂの基準マークＦＭｂが投影光学系２０の投影
視野２１内の所定位置にくるように基板ステージ３１を
位置決めすることで、マスク１０の上方に設けられたマ
スクアライメント系５０ａ又は５０ｂは、マスク１０の
マークＲＭａ又はＲＭｂのうちの一つと基準マークＦＭ
ａもしくはＦＭｂとを同時に検出することができる。
に形成されたアライメントマークと同等の基準マークＦ
Ｍａ，ＦＭｂを有する２つの基準部材ＦＰａ，ＦＰｂ
が、後述のように基板ステージ３１に昇降可能に設けら
れている。基準部材ＦＰａの基準マークＦＭａ又は基準
部材ＦＰｂの基準マークＦＭｂが投影光学系２０の投影
視野２１内の所定位置にくるように基板ステージ３１を
位置決めすることで、マスク１０の上方に設けられたマ
スクアライメント系５０ａ又は５０ｂは、マスク１０の
マークＲＭａ又はＲＭｂのうちの一つと基準マークＦＭ
ａもしくはＦＭｂとを同時に検出することができる。
【００１９】投影光学系２０の投影視野２１の外側に
は、例えば投影光学系２０の直径を挟むようにして検出
領域６１ａ，６１ｂを有する一対のオフ・アクシス方式
の基板アライメント系６０ａ，６０ｂが固設されてい
る。投影光学系２０の投影視野２１、基板アライメント
系６０ａ，６０ｂの検出領域、マスクアライメント系５
０ａ，５０ｂで観察されるマスク１０のアライメントマ
ークＲＭａ，ＲＭｂの投影光学系２０に対して共役な位
置５１ａ，５１ｂ、及び第１及び第２の基準部材ＦＰ
ａ，ＦＰｂは、基板ステージ３１の中心を投影光学系２
０の光軸ＡＸ上に位置させたとき、例えば図２に示すよ
うに配置されている。
は、例えば投影光学系２０の直径を挟むようにして検出
領域６１ａ，６１ｂを有する一対のオフ・アクシス方式
の基板アライメント系６０ａ，６０ｂが固設されてい
る。投影光学系２０の投影視野２１、基板アライメント
系６０ａ，６０ｂの検出領域、マスクアライメント系５
０ａ，５０ｂで観察されるマスク１０のアライメントマ
ークＲＭａ，ＲＭｂの投影光学系２０に対して共役な位
置５１ａ，５１ｂ、及び第１及び第２の基準部材ＦＰ
ａ，ＦＰｂは、基板ステージ３１の中心を投影光学系２
０の光軸ＡＸ上に位置させたとき、例えば図２に示すよ
うに配置されている。
【００２０】第１基準部材ＦＰａに形成された基準マー
クＦＭａと第２基準部材ＦＰｂに形成された基準マーク
ＦＭｂの間隔をＬ、２つの基板アライメント系６０ａ，
６０ｂの検出領域６１ａ，６１ｂ間の間隔をＬａ、マス
クに形成された２つのアライメントマークＲＭａ，ＲＭ
ｂが投影光学系２０によって基板ステージに投影される
２つの投影位置５１ａ，５１ｂの間隔をＬｂとすると
き、Ｌ，Ｌａ，Ｌｂは次の関係を満たす。
クＦＭａと第２基準部材ＦＰｂに形成された基準マーク
ＦＭｂの間隔をＬ、２つの基板アライメント系６０ａ，
６０ｂの検出領域６１ａ，６１ｂ間の間隔をＬａ、マス
クに形成された２つのアライメントマークＲＭａ，ＲＭ
ｂが投影光学系２０によって基板ステージに投影される
２つの投影位置５１ａ，５１ｂの間隔をＬｂとすると
き、Ｌ，Ｌａ，Ｌｂは次の関係を満たす。
【００２１】Ｌｂ＜Ｌ＜Ｌａ そして、右側の基板アライメント系６０ａは、基板ステ
ージ３１に載置された感光基板ＰＴの右端部領域に形成
されたアライメントマークを受け持ち、左側の基板アラ
イメント系６０ｂは感光基板ＰＴの左端部領域に形成さ
れたアライメントマークを受け持つ。２つの基板アライ
メント系６０ａ，６０ｂは、感光基板の左右両端部に形
成されたアライメントマークを同時に観察できる位置に
設置してもよい。同様の基板アライメント系を３個以上
付設して、感光基板の左右端部領域に各々複数形成され
るアライメントマークを同時に観察するようにすること
もできる。
ージ３１に載置された感光基板ＰＴの右端部領域に形成
されたアライメントマークを受け持ち、左側の基板アラ
イメント系６０ｂは感光基板ＰＴの左端部領域に形成さ
れたアライメントマークを受け持つ。２つの基板アライ
メント系６０ａ，６０ｂは、感光基板の左右両端部に形
成されたアライメントマークを同時に観察できる位置に
設置してもよい。同様の基板アライメント系を３個以上
付設して、感光基板の左右端部領域に各々複数形成され
るアライメントマークを同時に観察するようにすること
もできる。
【００２２】図示した投影露光装置では、基準部材ＦＰ
ａ，ＦＰｂは基板ステージ３１の基板載置面内に配置さ
れる。したがって、基準部材ＦＰａ，ＦＰｂは、昇降手
段によって基板ステージに対して昇降可能に設置されて
おり、ベースライン測定時あるいは基板アライメント系
６０ａ，６０ｂとマスクアライメント系５０ａ，５０ｂ
のキャリブレーション時には、そのマーク面が感光基板
の面と同じ高さになるように基板ステージ３１から突出
させられ、通常の露光動作時には感光基板と干渉しない
ように基板ステージ３１内に退避させられる。
ａ，ＦＰｂは基板ステージ３１の基板載置面内に配置さ
れる。したがって、基準部材ＦＰａ，ＦＰｂは、昇降手
段によって基板ステージに対して昇降可能に設置されて
おり、ベースライン測定時あるいは基板アライメント系
６０ａ，６０ｂとマスクアライメント系５０ａ，５０ｂ
のキャリブレーション時には、そのマーク面が感光基板
の面と同じ高さになるように基板ステージ３１から突出
させられ、通常の露光動作時には感光基板と干渉しない
ように基板ステージ３１内に退避させられる。
【００２３】図３は、基準部材の昇降手段の一例を説明
する図２のＡ−Ａ断面図である。ここでは基準部材ＦＰ
ａについて説明するが、他方の基準部材ＦＰｂも同様の
昇降手段によって上下動される。基準部材ＦＰａが配置
される基板ステージ位置には穴８０が設けられ、その中
には第１のガイド部材８１と第２のガイド部材８２が設
けられている。第１のガイド部材８１はガイド部８１ａ
と、図示しないエア配管に接続される孔８１ｂと、シリ
ンダ部８１ｃとを有し、第２のガイド部材８２はガイド
部８２ａと、図示しないエア配管に接続される孔８２ｂ
とシリンダ部８２ｃとを有している。上面に基準マーク
ＦＭａを有する基準部材ＦＰａは、孔８１ｂ又は孔８２
ｂにエアを供給することにより、第１のガイド部材８１
と第２のガイド部材８２に案内されてＺ方向に駆動され
る。
する図２のＡ−Ａ断面図である。ここでは基準部材ＦＰ
ａについて説明するが、他方の基準部材ＦＰｂも同様の
昇降手段によって上下動される。基準部材ＦＰａが配置
される基板ステージ位置には穴８０が設けられ、その中
には第１のガイド部材８１と第２のガイド部材８２が設
けられている。第１のガイド部材８１はガイド部８１ａ
と、図示しないエア配管に接続される孔８１ｂと、シリ
ンダ部８１ｃとを有し、第２のガイド部材８２はガイド
部８２ａと、図示しないエア配管に接続される孔８２ｂ
とシリンダ部８２ｃとを有している。上面に基準マーク
ＦＭａを有する基準部材ＦＰａは、孔８１ｂ又は孔８２
ｂにエアを供給することにより、第１のガイド部材８１
と第２のガイド部材８２に案内されてＺ方向に駆動され
る。
【００２４】ガイド部材８１のシリンダ部８１ｃ内を移
動するエア受け用つば部８３ａとシリンダ８１ｃの上端
部の位置関係は、基準部材ＦＰａが実線で示す上昇位置
にあるとき、その表面に設けられた基準マークＦＭａが
基板ステージ３１上の基板載置面３５に載置される感光
基板ＰＴの表面と同じ高さとなり、また基準部材ＦＰａ
が仮想線で示す下降位置にあるときは、基板ステージ３
１の基板載置面３５上に感光基板ＰＴが載置されても、
感光基板ＰＴと干渉しない位置に基準マークＦＭａが退
避するように定められている。したがって、第２のガイ
ド部材８２の孔８２ｂからエアを供給して基準部材ＦＰ
ａの下端に上方への推力を与えるとともに、第１のガイ
ド部材の孔８１ｂからエアを吸引して、エア受け用つば
部８３ａを第１のガイド部材８１のシリンダ部８１ｃの
上端に当接させることで、基準部材ＦＰａの基準マーク
ＦＭａは、基板ステージ３１上に感光基板ＰＴが載置さ
れたときの感光基板表面と同じ位置まで上昇し、その位
置に固定される。また、第２のガイド部材８２の孔８２
ｂからエアを吸引し、同時に第１のガイド部材８１の孔
８１ｂにエアを供給することで、基準部材ＦＰａは感光
基板ＰＴが載置されても干渉しない位置に退避する。な
お、基準部材の上下動は、モータ等他の駆動手段によっ
て行ってもよい。
動するエア受け用つば部８３ａとシリンダ８１ｃの上端
部の位置関係は、基準部材ＦＰａが実線で示す上昇位置
にあるとき、その表面に設けられた基準マークＦＭａが
基板ステージ３１上の基板載置面３５に載置される感光
基板ＰＴの表面と同じ高さとなり、また基準部材ＦＰａ
が仮想線で示す下降位置にあるときは、基板ステージ３
１の基板載置面３５上に感光基板ＰＴが載置されても、
感光基板ＰＴと干渉しない位置に基準マークＦＭａが退
避するように定められている。したがって、第２のガイ
ド部材８２の孔８２ｂからエアを供給して基準部材ＦＰ
ａの下端に上方への推力を与えるとともに、第１のガイ
ド部材の孔８１ｂからエアを吸引して、エア受け用つば
部８３ａを第１のガイド部材８１のシリンダ部８１ｃの
上端に当接させることで、基準部材ＦＰａの基準マーク
ＦＭａは、基板ステージ３１上に感光基板ＰＴが載置さ
れたときの感光基板表面と同じ位置まで上昇し、その位
置に固定される。また、第２のガイド部材８２の孔８２
ｂからエアを吸引し、同時に第１のガイド部材８１の孔
８１ｂにエアを供給することで、基準部材ＦＰａは感光
基板ＰＴが載置されても干渉しない位置に退避する。な
お、基準部材の上下動は、モータ等他の駆動手段によっ
て行ってもよい。
【００２５】次に、基板アライメント系６０ａ，６０ｂ
及びマスクアライメント系５０ａ，５０ｂを用いたアラ
イメント動作の一例について説明する。基板ステージ３
１はレーザ干渉計３３ａ，３３ｂにて位置計測を行い、
主制御系７０の制御下に駆動手段７０で駆動制御されて
いる。
及びマスクアライメント系５０ａ，５０ｂを用いたアラ
イメント動作の一例について説明する。基板ステージ３
１はレーザ干渉計３３ａ，３３ｂにて位置計測を行い、
主制御系７０の制御下に駆動手段７０で駆動制御されて
いる。
【００２６】まず、基板ステージ３１の基準部材ＦＰａ
に設けられた基準マークＦＭａがマスクアライメント系
５０ａの視野５１ａに入るように基板ステージ３１を移
動し、基準マークＦＭａとマスク１０のマークＲＭａを
用いてマスク１０をアライメントし、その位置情報を基
板ステージ３１のレーザ干渉計３３ａ，３３ｂの計測値
で定義された基板ステージ移動座標系に写像する。次
に、この基準マークＦＭａが基板アライメント系６０ａ
の検出領域６１ａに位置するように基板ステージ３１を
駆動し、基板アライメント系６０ａで基準マークＦＭａ
を計測し、同様に基板アライメント系６０ａの位置情報
を基板ステージ移動座標系に写像する。
に設けられた基準マークＦＭａがマスクアライメント系
５０ａの視野５１ａに入るように基板ステージ３１を移
動し、基準マークＦＭａとマスク１０のマークＲＭａを
用いてマスク１０をアライメントし、その位置情報を基
板ステージ３１のレーザ干渉計３３ａ，３３ｂの計測値
で定義された基板ステージ移動座標系に写像する。次
に、この基準マークＦＭａが基板アライメント系６０ａ
の検出領域６１ａに位置するように基板ステージ３１を
駆動し、基板アライメント系６０ａで基準マークＦＭａ
を計測し、同様に基板アライメント系６０ａの位置情報
を基板ステージ移動座標系に写像する。
【００２７】次いで、他方の基準部材ＦＰｂに形成され
た基準マークＦＭｂを用いて同様の操作を行う。すなわ
ち、基準マークＦＭｂを用いて、すでに基準マークＦＭ
ａでアライメントされたマスク１０を計測し、そののち
基板アライメント系６０ｂの位置を計測する。具体的に
は、マスクアライメント系５０ａで、基準マークＦＭｂ
とマスク１０のマークＭＲａを用いてマスク１０をアラ
イメントし、その位置情報を基板ステージ移動座標系に
写像する。続いて、基板アライメント系６０ｂによって
基準マークＦＭｂを計測し、基板アライメント系６０ｂ
の位置情報を基板ステージ移動座標系に写像する。
た基準マークＦＭｂを用いて同様の操作を行う。すなわ
ち、基準マークＦＭｂを用いて、すでに基準マークＦＭ
ａでアライメントされたマスク１０を計測し、そののち
基板アライメント系６０ｂの位置を計測する。具体的に
は、マスクアライメント系５０ａで、基準マークＦＭｂ
とマスク１０のマークＭＲａを用いてマスク１０をアラ
イメントし、その位置情報を基板ステージ移動座標系に
写像する。続いて、基板アライメント系６０ｂによって
基準マークＦＭｂを計測し、基板アライメント系６０ｂ
の位置情報を基板ステージ移動座標系に写像する。
【００２８】このようにして、一方の基準マークＦＭａ
を用いてマスク１０と基板アライメント系をアライメン
トし、他方の基準マークＦＭｂを用いて同じマスク１０
と基板アライメント系６０ｂをアライメントする。その
結果、マスクアライメント系５０を媒介として全てのア
ライメント系の相対位置が基板ステージ移動座標系上で
決定され、アライメント系のキャリブレーションが行わ
れる。
を用いてマスク１０と基板アライメント系をアライメン
トし、他方の基準マークＦＭｂを用いて同じマスク１０
と基板アライメント系６０ｂをアライメントする。その
結果、マスクアライメント系５０を媒介として全てのア
ライメント系の相対位置が基板ステージ移動座標系上で
決定され、アライメント系のキャリブレーションが行わ
れる。
【００２９】その後、感光基板ＰＴが基板ステージ３１
上に搬送され、基板アライメント系６０ａ，６０ｂによ
るアライメントののち露光される。基板アライメント系
６０ａ，６０ｂは、それぞれの検出領域の近くに位置す
るアライメントマークの検出を分担して受け持つ。
上に搬送され、基板アライメント系６０ａ，６０ｂによ
るアライメントののち露光される。基板アライメント系
６０ａ，６０ｂは、それぞれの検出領域の近くに位置す
るアライメントマークの検出を分担して受け持つ。
【００３０】図２の配置の時に、基準マークＦＭａが検
出領域６１ａと投影位置５１ｂのほぼ中間に位置し、基
準マークＦＭｂが検出領域６１ｂと投影位置５１ａのほ
ぼ中間に位置するように基準部材ＦＰａ，ＦＰｂを配置
すると、すなわち次式を満足するようにＬを設定する
と、アライメント系をキャリブレーションする際の基板
ステージ３１の移動量を少なくすることができる。
出領域６１ａと投影位置５１ｂのほぼ中間に位置し、基
準マークＦＭｂが検出領域６１ｂと投影位置５１ａのほ
ぼ中間に位置するように基準部材ＦＰａ，ＦＰｂを配置
すると、すなわち次式を満足するようにＬを設定する
と、アライメント系をキャリブレーションする際の基板
ステージ３１の移動量を少なくすることができる。
【００３１】Ｌ≒（Ｌａ−Ｌｂ）／２ なお、基板ステージ上に設けられる基準部材は、１個の
基準部材に１個の基準マークを設ける他に、図４に略示
するように、１つの基準部材ＦＰに複数の基準マークＦ
Ｍａ，ＦＭｂを設けるようにしてもかまわない。
基準部材に１個の基準マークを設ける他に、図４に略示
するように、１つの基準部材ＦＰに複数の基準マークＦ
Ｍａ，ＦＭｂを設けるようにしてもかまわない。
【００３２】なお、上述の実施の形態においては、基準
マークＦＭａとＦＭｂとの位置関係は既知として説明し
たが、例えば一方のマスクアライメント系５０ａの視野
中心に基準マークＦＭａとＦＭｂをそれぞれ順次位置合
わせし、その時のレーザ干渉計の計測値から基準マーク
ＦＭａとＦＭｂの位置関係を検出することもできる。
マークＦＭａとＦＭｂとの位置関係は既知として説明し
たが、例えば一方のマスクアライメント系５０ａの視野
中心に基準マークＦＭａとＦＭｂをそれぞれ順次位置合
わせし、その時のレーザ干渉計の計測値から基準マーク
ＦＭａとＦＭｂの位置関係を検出することもできる。
【００３３】
【発明の効果】本発明によると、基板ステージのストロ
ークを必要以上に長くすることなしに、より大型の感光
基板に対応することができ、スループットの向上を図る
ことができる。また、アライメント系の配置に対する制
限が少なくなることで計測スパンを大きくとることがで
き、位置合わせの精度を向上することができる。
ークを必要以上に長くすることなしに、より大型の感光
基板に対応することができ、スループットの向上を図る
ことができる。また、アライメント系の配置に対する制
限が少なくなることで計測スパンを大きくとることがで
き、位置合わせの精度を向上することができる。
【図１】本発明による投影露光装置の概略説明図。
【図２】基板ステージの概略平面図。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図。
【図４】基準部材及び基準マークの他の例を示す図。
【図５】従来の投影露光装置におけるベースライン計測
の説明図。
の説明図。
【符号の説明】 １０…マスク、１１…マスクステージ、１２…移動鏡、
１３…レーザ干渉計、２０…投影光学系、２１…投影視
野、３１…基板ステージ、３２ａ，３２ｂ…移動鏡、３
３ａ，３３ｂ…レーザ干渉計、５０，５０ａ，５０ｂ…
マスクアライメント系、６０，６０ａ，６０ｂ…基板ア
ライメント系、７０…主制御系、７１，７２…駆動手
段、８１…第１のガイド部材、８２…第２のガイド部
材、ＦＭ，ＦＭａ，ＦＭｂ…基準マーク、ＦＰ，ＦＰ
ａ，ＦＰｂ…基準部材、ＰＴ…感光基板
１３…レーザ干渉計、２０…投影光学系、２１…投影視
野、３１…基板ステージ、３２ａ，３２ｂ…移動鏡、３
３ａ，３３ｂ…レーザ干渉計、５０，５０ａ，５０ｂ…
マスクアライメント系、６０，６０ａ，６０ｂ…基板ア
ライメント系、７０…主制御系、７１，７２…駆動手
段、８１…第１のガイド部材、８２…第２のガイド部
材、ＦＭ，ＦＭａ，ＦＭｂ…基準マーク、ＦＰ，ＦＰ
ａ，ＦＰｂ…基準部材、ＰＴ…感光基板
Claims (5)
- 【請求項１】 感光基板を載置して２次元方向に移動可
能な基板ステージと、 マスクのパターンを前記感光基板上に投影する投影光学
系と、 前記投影光学系の光軸から離れた位置に第１の検出領域
を有し、前記感光基板上のアライメントマークを検出す
る第１の基板アライメント系と、 前記投影光学系の光軸から離れた前記第１の検出領域と
異なる位置に第２の検出領域を有し、前記感光基板上の
アライメントマークを検出する第２の基板アライメント
系と、 前記第１の基板アライメント系で検出し得る基準マーク
を有し、前記基板ステージ上に設けられた、前記第１の
基板アライメント系用の第１基準部材と、 前記第２の基板アライメント系で検出し得る基準マーク
を有し、前記基板ステージ上で前記第１基準部材とは異
なる位置に設けられた、前記第２の基板アライメント系
用の第２基準部材とを備えたことを特徴とする投影露光
装置。 - 【請求項２】 前記基板ステージ上における前記第１基
準部材と前記第２基準部材の間隔は、前記第１検出領域
と前記第２検出領域との間隔に応じて決定されることを
特徴とする請求項１記載の投影露光装置。 - 【請求項３】 前記基板ステージ上における前記第１基
準部材と前記第２基準部材の間隔は、前記第１検出領域
と前記第２検出領域の間隔より短いことを特徴とする請
求項１又は２記載の投影露光装置。 - 【請求項４】 前記第１の検出領域及び第２の検出領域
は、それぞれ前記投影光学系の投影視野の外側に設定さ
れていることを特徴とする請求項１、２又は３記載の投
影露光装置。 - 【請求項５】 前記基準部材は、前記基板ステージに対
して昇降可能に設けられていることを特徴とする請求項
１〜４のいずれか１項記載の投影露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8116249A JPH09306802A (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | 投影露光装置 |
| KR1019970015201A KR970077111A (ko) | 1996-05-10 | 1997-04-23 | 투영 노광 장치 |
| US08/853,389 US5920378A (en) | 1995-03-14 | 1997-05-09 | Projection exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8116249A JPH09306802A (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | 投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306802A true JPH09306802A (ja) | 1997-11-28 |
| JPH09306802A5 JPH09306802A5 (ja) | 2004-11-18 |
Family
ID=14682467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8116249A Pending JPH09306802A (ja) | 1995-03-14 | 1996-05-10 | 投影露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09306802A (ja) |
| KR (1) | KR970077111A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015513219A (ja) * | 2012-03-08 | 2015-04-30 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | ウェーハなどのターゲットを処理するためのリソグラフィシステム及び方法 |
| JP2015198202A (ja) * | 2014-04-02 | 2015-11-09 | キヤノン株式会社 | 露光装置および物品製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG186621A1 (en) * | 2004-06-09 | 2013-01-30 | Nikon Corp | Substrate holding device, exposure apparatus having same, exposure method, method for producing device, and liquid repellent plate |
| EP2426700B1 (en) * | 2004-10-15 | 2018-01-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| WO2006049134A1 (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-11 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
-
1996
- 1996-05-10 JP JP8116249A patent/JPH09306802A/ja active Pending
-
1997
- 1997-04-23 KR KR1019970015201A patent/KR970077111A/ko not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015513219A (ja) * | 2012-03-08 | 2015-04-30 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | ウェーハなどのターゲットを処理するためのリソグラフィシステム及び方法 |
| JP2015198202A (ja) * | 2014-04-02 | 2015-11-09 | キヤノン株式会社 | 露光装置および物品製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970077111A (ko) | 1997-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3203719B2 (ja) | 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法 | |
| US6727978B2 (en) | Projection exposure apparatus and projection exposure method | |
| KR100524266B1 (ko) | 리소그래피 투영 장치 | |
| JP2829642B2 (ja) | 露光装置 | |
| KR100211011B1 (ko) | 주사노광장치 및 이것을 사용한 노광방법 | |
| JP4434372B2 (ja) | 投影露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH04317316A (ja) | 投影露光装置 | |
| KR20020011864A (ko) | 스테이지 장치, 계측장치 및 계측방법, 노광장치 및노광방법 | |
| WO2007043535A1 (ja) | 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに検査装置及び計測方法 | |
| TW201101369A (en) | Exposure method and device manufacturing method, and overlay error measuring method | |
| JP2610815B2 (ja) | 露光方法 | |
| US5812271A (en) | Reticle pre-alignment apparatus and method thereof | |
| US5920378A (en) | Projection exposure apparatus | |
| JPH10144598A (ja) | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JPH09306802A (ja) | 投影露光装置 | |
| US4007988A (en) | Manufacture of multi-layer structures | |
| EP1118835B1 (en) | Clearance measuring device and method for exposure | |
| JPH09246168A (ja) | 走査型露光装置および方法ならびに該装置を用いてデバイスを製造する方法 | |
| JP3204253B2 (ja) | 露光装置及びその露光装置により製造されたデバイス、並びに露光方法及びその露光方法を用いてデバイスを製造する方法 | |
| WO2022160564A1 (zh) | 控片量测方法及量测装置 | |
| KR100301139B1 (ko) | 투영노광장치및방법 | |
| JP2000106345A (ja) | 露光装置及びその露光装置により製造されたデバイス、並びに露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法 | |
| USRE37359E1 (en) | Projection exposure method and apparatus capable of performing focus detection with high accuracy | |
| KR100446653B1 (ko) | 웨이퍼 정렬기와 이를 이용한 웨이퍼 정렬 방법 | |
| US4050817A (en) | Manufacture of multi-layer structures |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041109 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061024 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070612 |