JPH09306842A - インプロセス製膜モニター装置と真空モニター装置およびモニター方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製膜装置における連続使用が可能なインプロ
セス膜厚モニターの適応を計り、薄膜の製造における生
産性を向上させる。 【解決手段】 従来、蒸着装置で使用されることのあっ
た原子吸光による膜厚モニター装置を、真空度やスパッ
タリング電圧の測定によって、装置構成によって単一の
較正曲線を用いて吸光度を製膜レートとして検出するこ
とができる。また、この際の真空度測定として、原子吸
光法を応用した方法によりスパッタリングガスの局所的
な検出も可能となり、モニタリングの高精度化も可能と
なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、製膜装置における
インプロセスでオンライン的な制御が可能なインプロセ
ス製膜モニター装置と真空モニター装置およびモニター
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、製膜装置を用いた製膜は半導体産
業においては不可欠な要素であり、特に製膜厚を精度よ
く制御することの必要性が高まってきた。従来の製膜装
置における製膜厚制御としては、オフライン計測により
膜厚を測定し、その製膜時のオペレーティングパラメー
ターとの関係より時間管理する方法が主に用いられてき
た。インプロセス膜厚モニターとしては、水晶振動子に
よるモニタリング方式、原子吸光法を用いた製膜レート
制御も行われる場合もある。

【０００３】以下、上記従来の製膜装置における原子吸
光法による製膜レート制御装置について説明する。図４
は従来の原子吸光製膜レート制御装置の構成を示すもの
である。図４において、光源１および飛散粒子の特性波
長光のみ透過する光学フィルター２を備えた光検出器３
は、製膜粒子源４および膜を形成する基板５をその内部
に有する真空チャンバ６に絶縁されて固定される。光検
出器３の出力は事前に設定した電圧値との大小関係を判
断するコンパレータ７に信号が送られる。またコンパレ
ータ７の判断結果は真空蒸着器の投入パワー源８にフィ
ードバックできるように接続されている。

【０００４】以上のように構成された製膜装置における
原子吸光法による製膜レート制御装置の動作について説
明する。まず、真空チャンバ６内にある製膜粒子源４に
対して投入パワー源８からエネルギーが導入され、製膜
粒子源４の物質が蒸発し、飛散した粒子が基板５に付着
し、膜となる。この状態で光源１から製膜粒子源４の物
質の特性波長を含む光束９が真空容器６内の粒子飛散領
域を通過すると、光束９中に存在する粒子の数に相関し
て光束強度が減衰する。この減衰の割合は製膜レートと
強い相関があり、予め製膜するレートを用いた場合の減
衰率を調べておき、さらに光学フィルター２通過後の光
束強度を光検出器３を用いて測定し、蒸着開始の直前の
光強度と蒸着中の光強度の比を減衰率とし、前記予め調
べた製膜レートにおける減衰率との大小関係をコンパレ
ータ７により比較し、減衰の割合が大きい場合には投入
パワー源８のパワーを低下させ、小さい場合には投入パ
ワー源８のパワーを上昇させる。

【０００５】このようにして、製膜レートが一定の範囲
内に納まるように投入パワー源を制御し、製膜時間を制
御することで所定の膜厚をもつ膜を形成することができ
る。ここで、外光等が光検出器２で受光する光束に混入
することにより、発生するノイズ成分を除去するために
光源１の電源を以下のような方法で駆動している場合も
ある。まず、光源用電源１０内で一定の周波数のＴＴＬ
レベルの矩形波を形成し、これを増幅してランプの点灯
電圧とし、ランプの駆動を行う。更に光検出器３によっ
て得られた信号を位相検出器１１に入力し、前記ＴＴＬ
レベル矩形波を参照信号として位相比較を行いランプが
点灯されている時刻の信号とランプが点灯されていない
時刻の信号からノイズ成分除去を図る場合もある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の構成では、以下のような問題点を有していた。光
源からの光の減衰率と製膜レートとの関係は、製膜装置
の特性パラメータやモニタリングシステムの配置状況が
定まると図５に示すような関係が成り立つ。ここで、本
来、原子吸光法は粒子群中をその粒子の特性波長の光の
吸収により、光束中の原子の密度を測定するものであ
り、本来、製膜レートは密度に粒子速度を乗じて得られ
るもので、スパッタリング装置にこの方法を適応した場
合には、同じ装置構成でもスパッタリング圧、印加電圧
等により、粒子の速度が極端に変化する場合もあり得
る。このために、同じ装置構成でもスパッタリング圧等
のスパッタリングパラメータごとに較正曲線が必要であ
った。また、同じスパッタリングパラメータの場合でも
微妙な真空度の変化などが高精度測定については影響が
あると考えられる。

【０００７】本発明は上記問題点に鑑み、単一の較正曲
線で製膜モニタリングを可能とするとともに、原子吸光
法によって局所的な真空度を測定できるインプロセス製
膜モニター装置と真空モニター装置及びそれらのモニタ
ー方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のインプロセス製膜モニター装置は、粒子を
飛散させるスパッタリング製膜装置において、原子吸光
法を応用した製膜モニターと、製膜雰囲気中でのスパッ
タリングガス圧を測定し、これを出力できる真空計と、
スパッタリングターゲットに印加する電圧を測定できる
電圧測定器と、スパッタリングガス圧をスパッタリング
電圧で割った商またはその関数で製膜モニター値を規格
化できる演算手段を備え、前記規格値を基に前記製膜装
置内に飛散する粒子によって製膜されるレートを検出す
る構成である。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明のインプロセス製膜モニタ
ー装置の第１の構成は、粒子を飛散させるスパッタリン
グ製膜装置において、原子吸光法を応用した製膜モニタ
ーと、製膜雰囲気中でのスパッタリングガス圧を測定
し、測定されたスパッタリングガス圧を出力できる真空
計と、スパッタリングターゲットに印加する電圧を測定
できる電圧測定器と、前記スパッタリングガス圧を前記
スパッタリングに印加する電圧で割った商またはその関
数で製膜モニター値を規格化できる演算手段を備え、前
記規格値を基に前記製膜装置内に飛散する粒子によって
製膜されるレートを検出することを特徴とする。

【００１０】本発明のインプロセス製膜モニター装置の
第２の構成は、粒子を飛散させるスパッタリング製膜装
置において、原子吸光法を応用した製膜モニターと、前
記製膜モニターにおける光源から発して粒子飛翔領域中
で吸光された飛翔粒子の特性波長の光信号の強度成分
と、スパッタリング粒子飛翔領域中で発生する飛翔粒子
の特性波長の光を含む波長ごとの強度成分の各々につい
て分離して測定できる光測定系と、これらの測定値をも
とに飛翔している基底状態の粒子数および励起状態の粒
子数およびスパッタリングガスのプラズマパラメータを
導出できる演算手段を備え、製膜雰囲気中の物理量およ
び、基底状態、励起状態それぞれの飛翔粒子数および、
製膜レート、製膜厚を検出することを特徴とする。

【００１１】また、本発明の第１のモニター方法は、粒
子を飛散させるスパッタリング製膜装置において、原子
吸光法を応用した製膜モニターで製膜モニター値を得、
製膜雰囲気中でのスパッタリングガス圧を測定し、スパ
ッタリングターゲットに印加する電圧を測定し、各時刻
における前記スパッタリングガス圧をスパッタリング電
圧で割った商を求め、前記製膜モニター値を前記各時刻
におけるスパッタリングガス圧をスパッタリング電圧で
割った商またはその関数により規格化し、これに装置ご
とに定まる定数を乗することにより、前記規格値を基に
前記製膜装置内に飛散する粒子によって製膜されるレー
トを検出することを特徴とする。

【００１２】また、本発明の第２のモニター方法は、粒
子を飛散させるスパッタリング製膜装置において、原子
吸光法を応用した製膜モニターにおける光源から発して
粒子飛翔領域中で吸光された飛翔粒子の特性波長の光信
号の強度成分と、スパッタリング粒子飛翔領域中で発生
する飛翔粒子の特性波長の光を含む波長ごとの強度成分
の各々について分離して測定し、これらの測定値をもと
に飛翔している基底状態の粒子数および励起状態の粒子
数およびスパッタリングガスのプラズマパラメータを導
出し、製膜雰囲気中の物理量および、基底状態、励起状
態それぞれの飛翔粒子数および、製膜レート、製膜厚を
検出することを特徴とする。

【００１３】また、本発明の真空モニター装置は、真空
装置において、粒子飛翔領域内に存在する１つ以上のガ
スの分子または原子の特性波長のうちの少なくとも一つ
の波長を含む光源を発した光束が真空領域中を通過でき
る構成にした光学系と、粒子飛翔領域中を通過後の前記
ガスの分子または原子の特性波長光の強度成分のみを分
離し、さらに飛翔粒子領域内部で発生するあるいは外部
のノイズ光のうちの同波長の光強度成分を分離して測定
できる光強度測定系を備え、前記スパッタリングガスの
分子または原子の特性波長のみを分離した製膜雰囲気中
へ入射する以前と製膜雰囲気中を通過後各々の光強度の
比及び前記光強度の比の対数をとることのできる演算手
段を備え、前記対数値によって真空装置中の各々のガス
圧及びガス分圧を検出することを特徴とする。

【００１４】また、本発明の他のモニター方法は、真空
装置において、粒子飛翔領域内に存在する１つ以上のガ
スの分子または原子の特性波長のうちの少なくとも一つ
の波長を含む光源を発した光束が真空領域中を通過でき
る構成にした光学系と、粒子飛翔領域中を通過後の前記
ガスの分子または原子の特性波長光の強度成分のみを分
離し、さらに飛翔粒子領域内部で発生するあるいは外部
のノイズ光のうちの同波長の光強度成分を分離して測定
できる光強度測定系を設置し、前記スパッタリングガス
の分子または原子の特性波長のみを分離した製膜雰囲気
中へ入射する以前と製膜雰囲気中を通過後各々の光強度
の比及び前記光強度の比の対数をとり、前記対数値によ
って真空装置中の各々のガス圧及びガス分圧を検出する
ことを特徴とする。

【００１５】このように、本発明のインプロセス製膜モ
ニター装置は、スパッタリング圧とスパッタ電圧等を正
確に測定し、吸光度に補正をかけることにより、単一の
較正曲線で製膜モニタリングを可能とする。スパッタリ
ングにおける製膜粒子の速度は、スパッタリング圧をス
パッタ電圧で割った商の関数になっていると考えられる
ため、これによる補正を行い、粒子速度という不安定要
因を取り除いて高精度化を図るとともに、較正曲線を一
つにするという実際の使用上の利便性を大きく改善する
ことが可能となる。また、この際に、スパッタリング領
域のガス圧を高精度で測定することは非常に困難であっ
たが、ガスによる吸光に着目し、ガスの原子あるいは分
子の特性波長光を真空領域に導入し、ここでの吸光度に
よって高精度に局所的ガス圧を測定することを可能とす
る。

【００１６】（実施例１）以下、本発明の第一の実施例
のインプロセス製膜モニター装置をマグネトロンスパッ
タ装置に適応した場合について、図面を参照しながら説
明する。図１は本発明の第一の実施例におけるインプロ
セス製膜モニター装置をマグネトロンスパッタ装置に適
応した場合の構成の概略を示すものである。

【００１７】図１において、モニタリング装置１２は飛
散粒子のもつ特性波長を含む光束を発することが可能な
光源１と光源１から発した光束９が粒子飛散領域１３を
通過し、光検出器３により探査光強度２３を測定する。
また、真空容器６に取り付けられた真空計５１によって
得られた真空度を電気信号５２として出力し、スパッタ
ターゲット４と真空容器６との電位差５３を電圧測定器
５２から出力し、これらの信号を演算処理する演算装置
２４にオンラインにて接続する。真空容器６内で製膜粒
子源４より飛散した粒子は基板（図示せず）に付着し薄
膜を形成する際に、飛散粒子は探査光束１４中を通過
し、光エネルギーが吸収される割合を測定し、製膜レー
トを推定、真空度、スパッタ電圧で補正する。

【００１８】以上のように構成されたインプロセス膜厚
制御装置の動作を説明する。まず、真空容器６内で製膜
粒子源４より飛散した粒子は基板に付着して、膜として
得られ、探査光束１４中を通過した時に探査光束１４中
の光エネルギーを奪い探査光束１４が粒子飛散領域１３
を通過した後の強度が入射前より減少する。粒子飛散領
域１３通過後の探査光１４の強度と製膜開始前の強度と
の比を取ることによって吸光割合と相関する値を得るこ
とができ、これを製膜開始時から時間積分することによ
り、膜厚を得ることが可能となる。ここで、本実施例の
ようにターゲットと基板間距離が非常に大きな場合に
は、スパッタ圧をスパッタ電圧で割った商の逆数によっ
て粒子の飛翔速度が記述できる実験結果が得られたの
で、この数によって補正をかけることにより、スパッタ
リング条件を変えた製膜にもモニターが同一の較正曲線
で使用できるようになる。

【００１９】なお、スパッタリングターゲットと基板間
距離などの装置構成によっては、スパッタ圧をスパッタ
電圧で割った商の逆数ではなく、スパッタ圧をスパッタ
電圧で割った商の別の関数になる場合もある。また、こ
こでは、原子吸光モニターとして最もシンプルなものを
用いたが、高精度化のために種々の構成をとった原子吸
光モニターを使用することも可能である。また、真空計
についても、ここでは真空容器内に取り付けるものを使
用したが、製膜領域付近での局所的な真空度測定ができ
るモニター装置を用いてもよい。

【００２０】尚、本実施例では、インプロセスモニター
としての使用について説明したが、モニター結果を用い
て、モニター値が事前に設定する規定の値よりも大きい
場合には製膜用電源の投入パワーを小さくし、モニター
値が規定の値よりも小さい場合には製膜用電源の投入パ
ワーを大きくする事のできるフィードバック手段を備
え、製膜レートを一定にし、時間を管理することによっ
て製膜厚を管理してもよい。

【００２１】（実施例２）次に本発明の第二の実施例に
ついて説明する。図２は本発明の第二の実施例における
インプロセス製膜モニター装置を真空装置に適応した場
合の構成の概略を示すものである。

【００２２】図２において、真空装置内に存在するガス
の特性波長を含む光源１を発した探査光束１４は真空容
器の製膜領域内に導入し、真空装置内領域を通過後に再
び真空容器外に射出し、これを検出できる位置に設置さ
れた光学測定系１９及びデータ処理系２０によって構成
されている。

【００２３】以上のように構成されたインプロセス製膜
モニター装置の動作を説明する。まず、光源１を発した
探査光束１４にモジュレーションをかけて真空容器中に
導入し、真空容器通過後に光学測定系１９によって探査
光束１４のうちの真空装置内に存在するガスの特性波長
光強度を検出し、さらに位相検波法によって光源１を発
した探査光束１４にかけたモジュレーションを元に真空
容器中で発生した光の成分を除去し、真空容器内が高真
空であった時刻での真空装置内に存在するガスの特性波
長光強度を基準に真空装置内にガスが存在する各時刻で
の光強度との比の値をとり、これの対数をとることによ
って吸光度を得、較正曲線に基づいて真空装置内に存在
するガスの分圧を知ることが可能となる。

【００２４】以上のように本実施例によれば、スパッタ
リング時等におけるガスの分子または原子の特性波長の
みを分離した製膜雰囲気中へ入射する以前と製膜雰囲気
中を通過後各々の光強度の比及び前記光強度の比の対数
をとり、この対数値によって真空装置中のガス分圧を検
出することができる。

【００２５】なお、本実施例では、真空装置内に存在す
るガスは一種類として述べたが、複数の場合には各々の
特性波長ごとに同じ検出を行ってもよい。また、光源お
よび光検出系は真空容器外ということにしたが、大気中
に検出に支障を来す程度以上に存在しているガスについ
ては光学系すべてを真空中に入れる、あるいは、別のガ
スでパージする方法を採ってもよい。また、ガスの圧力
によって、ガス中を特性波長の光が通過する距離を最適
な距離に適応するように光ファイバーおよびバンドルま
たは真空治具等を用いてもよい。さらに、ここでは真空
容器内での発光を考慮した方法を採ったが、ここでは真
空容器内での発光がなければ、位相検波をしなくともよ
い。

【００２６】（実施例３）次に本発明の第三の実施例に
ついて説明する。図３は本発明の第三の実施例における
インプロセス膜厚モニター装置をマグネトロンスパッタ
装置に適応した場合の構成の概略を示すものである。

【００２７】図３において、製膜粒子の特性波長光を含
む光を発する光源１を発した光源光束９にモジュレーシ
ョンをかけ、探査光束１４として製膜粒子飛翔領域に導
入され、製膜粒子飛翔領域通過後の探査光束１４の強度
の製膜粒子の特性波長光成分を検出する光学測定系１９
及びデータ処理系２０によって構成されている。

【００２８】以上のように構成されたインプロセス膜厚
制御装置の動作を説明する。まず、光学測定系１９によ
って得られた探査光強度２３と光源光にかけたモジュレ
ーション信号を用いて位相検出器１１によって光源光が
検出された成分と製膜領域内で発生した成分とを各々検
出する。

【００２９】光源光の成分については製膜開始前の信号
との比をとり、さらにその対数をとることによって吸光
度を導出し、飛翔粒子のうちの基底状態にある粒子の密
度もしくは粒子の数を得ることができ、製膜領域内で発
生した成分については、励起状態にある粒子の密度もし
くは粒子の数を検出することが可能となる。これによっ
てスパッタリング中の製膜領域内の情報が正確にとれ、
製膜レートのモニタリングの高精度化が実現できる。

【００３０】以上のように本実施例によれば、原子吸光
法を応用した製膜モニターにおける光源から発して粒子
飛翔領域中で吸光された飛翔粒子の特性波長の光信号の
強度成分と、スパッタリング粒子飛翔領域中で発生する
飛翔粒子の特性波長の光を含む波長ごとの強度成分の各
々について分離して測定し、これらの測定値をもとに飛
翔している基底状態の粒子数および励起状態の粒子数お
よびスパッタリングガスのプラズマパラメータを導出す
ることにより、製膜雰囲気中の物理量および、基底状
態、励起状態それぞれの飛翔粒子数および、製膜レー
ト、製膜厚を高精度に検出することができる。

【００３１】なお、本実施例では光源光と製膜領域中で
の発光との区別をシンプルに行う方法を採ったが、これ
以外の高精度化の工夫についても併せて行ってもよい。
また製膜領域内で発生した波長成分についてのみ検出し
たが、その他の波長の検出も行って分光分析を行っても
よい。

【００３２】

【発明の効果】以上のように本発明では、真空容器内の
スパッタリングガス圧およびスパッタ電圧を正確にモニ
ターする事により、飛散粒子の速度成分の検出による原
子吸光製膜モニターの補正を行って、さらなる高精度化
を実現し、従来時間制御で行っていた製膜厚制御をイン
プロセスで高精度に行うことにより生産性の向上を促進
することができる。

【００３３】さらに、インプロセス膜厚モニターとして
の使用以外にも、モニター結果を用いてそのレート等を
一定に保つ方向に製膜用電源の投入パワー等を変化させ
ることの可能なフィードバック手段を備えることによ
り、従来の時間管理のみで製膜厚制御をインプロセスで
高精度に行うが可能となり、生産性の向上を促進するこ
とができ、工業的価値が極めて高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の実施例におけるインプロセス膜
厚制御装置をマグネトロンスパッタ装置に適応した場合
の概略構成図

【図２】本発明の第二の実施例における真空容器の概略
構成図

【図３】本発明の第三の実施例におけるインプロセス膜
厚制御装置をマグネトロンスパッタ装置に適応する場合
の概略構成図

【図４】従来の製膜レート制御装置を蒸着装置に適応し
た場合の概略構成図

【図５】従来の製膜レート制御装置を蒸着装置に適応し
た場合の製膜レートと吸光度の関係を示す図

【符号の説明】

１ 光源 ３ 光検出器 ４ 蒸発源 ６ 真空チャンバ ９ 光束 １０ 光源用電源 １１ 位相検出器 １２ 膜厚モニタリング装置 １３ 粒子飛散領域 １４ 探査光束 １９ 光学測定系 ２０ データ処理系 ２２ 参照出力 ２３ 探査出力 ２４ 演算装置 ５１ 真空計 ５２ 電圧測定器

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】粒子を飛散させるスパッタリング製膜装置
   において、原子吸光法を応用した製膜モニターと、製膜
   雰囲気中でのスパッタリングガス圧を測定し、測定され
   たスパッタリングガス圧を出力できる真空計と、スパッ
   タリングターゲットに印加する電圧を測定できる電圧測
   定器と、前記スパッタリングガス圧を前記スパッタリン
   グに印加する電圧で割った商またはその関数で製膜モニ
   ター値を規格化できる演算手段を備え、 前記規格値を基に前記製膜装置内に飛散する粒子によっ
   て製膜されるレートを検出することを特徴とするインプ
   ロセス製膜モニター装置。
2. 【請求項２】粒子を飛散させるスパッタリング製膜装置
   において、原子吸光法を応用した製膜モニターと、製膜
   雰囲気中でのスパッタリングガス圧を測定し、これを出
   力できる真空計と、スパッタリングターゲットに印加す
   る電圧を測定できる電圧測定器を備え、各時刻における
   前記スパッタリングガス圧をスパッタリング電圧で割っ
   た商を求め、製膜モニター値を前記各時刻におけるスパ
   ッタリングガス圧をスパッタリング電圧で割った商また
   はその関数により規格化し、これに装置ごとに定まる定
   数を乗することにより、前記規格値を基に前記製膜装置
   内に飛散する粒子によって製膜されるレートを検出する
   ことを特徴とするモニター方法。
3. 【請求項３】真空装置において、粒子飛翔領域内に存在
   する１つ以上のガスの分子または原子の特性波長のうち
   の少なくとも一つの波長を含む光源を発した光束が真空
   領域中を通過できる構成にした光学系と、 粒子飛翔領域中を通過後の前記ガスの分子または原子の
   特性波長光の強度成分のみを分離し、さらに飛翔粒子領
   域内部で発生するあるいは外部のノイズ光のうちの同波
   長の光強度成分を分離して測定できる光強度測定系と、 前記スパッタリングガスの分子または原子の特性波長の
   みを分離した製膜雰囲気中へ入射する以前と製膜雰囲気
   中を通過後各々の光強度の比及び前記光強度の比の対数
   をとることのできる演算手段を備え、 前記対数値によって真空装置中の各々のガス圧及びガス
   分圧を検出することを特徴とする真空モニター装置。
4. 【請求項４】真空装置において、粒子飛翔領域内に存在
   する１つ以上のガスの分子または原子の特性波長のうち
   の少なくとも一つの波長を含む光源を発した光束が真空
   領域中を通過できる構成にした光学系と、 粒子飛翔領域中を通過後の前記ガスの分子または原子の
   特性波長光の強度成分のみを分離し、さらに飛翔粒子領
   域内部で発生するあるいは外部のノイズ光のうちの同波
   長の光強度成分を分離して測定できる光強度測定系を設
   置し、 前記スパッタリングガスの分子または原子の特性波長の
   みを分離した製膜雰囲気中へ入射する以前と製膜雰囲気
   中を通過後各々の光強度の比及び前記光強度の比の対数
   をとり、前記対数値によって真空装置中の各々のガス圧
   及びガス分圧を検出することを特徴とするモニター方
   法。
5. 【請求項５】真空装置において、光ファイバーあるいは
   バンドルを用いてあるいは光源光を真空中に導入するポ
   ートの形状によって、光源を発した光束が真空領域中を
   通過する距離を能動的に変化させる構造を有することを
   特徴とする請求項３記載の真空モニター装置。
6. 【請求項６】真空装置において、光ファイバーあるいは
   バンドルを用いてあるいは光源光を真空中に導入するポ
   ートの形状によって、光源を発した光束が真空領域中を
   通過する距離を能動的に変化させて使用することを特徴
   とする請求項４記載のモニター方法。
7. 【請求項７】粒子を飛散させるスパッタリング製膜装置
   において、請求項１におけるスパッタリングガス圧を請
   求項３または５の真空モニター装置を用いて測定するこ
   とを特徴とするインプロセス製膜モニター装置。
8. 【請求項８】粒子を飛散させるスパッタリング製膜装置
   において、請求項２におけるスパッタリングガス圧を請
   求項４または６のモニター方法によって測定することを
   特徴とするモニター方法。
9. 【請求項９】粒子を飛散させるスパッタリング製膜装置
   において、原子吸光法を応用した製膜モニターと、前記
   製膜モニターにおける光源から発して粒子飛翔領域中で
   吸光された飛翔粒子の特性波長の光信号の強度成分と、
   スパッタリング粒子飛翔領域中で発生する飛翔粒子の特
   性波長の光を含む波長ごとの強度成分の各々について分
   離して測定できる光測定系と、これらの測定値をもとに
   飛翔している基底状態の粒子数および励起状態の粒子数
   およびスパッタリングガスのプラズマパラメータを導出
   できる演算手段を備え、 製膜雰囲気中の物理量および、基底状態、励起状態それ
   ぞれの飛翔粒子数および、製膜レート、製膜厚を検出す
   ることを特徴とするインプロセス製膜モニター装置。
10. 【請求項１０】粒子を飛散させるスパッタリング製膜装
    置において、原子吸光法を応用した製膜モニターにおけ
    る光源から発して粒子飛翔領域中で吸光された飛翔粒子
    の特性波長の光信号の強度成分と、スパッタリング粒子
    飛翔領域中で発生する飛翔粒子の特性波長の光を含む波
    長ごとの強度成分の各々について分離して測定し、これ
    らの測定値をもとに飛翔している基底状態の粒子数およ
    び励起状態の粒子数およびスパッタリングガスのプラズ
    マパラメータを導出し、製膜雰囲気中の物理量および、
    基底状態、励起状態それぞれの飛翔粒子数および、製膜
    レート、製膜厚を検出することを特徴とするモニター方
    法。