JPH0930890A

JPH0930890A - 液相結晶成長方法及び装置

Info

Publication number: JPH0930890A
Application number: JP18278495A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Ozaki; 一男尾▲崎▼
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1995-07-19
Filing date: 1995-07-19
Publication date: 1997-02-04

Abstract

(57)【要約】【目的】基板結晶を汚染を低減し、良好な結晶成長を
行うことができる液相結晶成長技術を提供する。【構成】容器内に、結晶を成長させるべき成長表面を
有する基板結晶、成長させるべき結晶の原料となる結晶
原料、及び遮蔽板を配置し、該容器内を排気して封止す
る工程と、前記結晶原料を加熱して融解し原料溶液を生
成するとともに、前記遮蔽板で前記基板結晶の成長表面
を前記原料溶液が保持されている空間から遮蔽する工程
と、前記原料溶液を前記基板結晶の成長表面に接触さ
せ、該成長表面上に結晶を成長させる工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液相結晶成長技術に関
し、特に閉管式チッピング法を用いた液相エピタキシャ
ル成長技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】図６（Ａ）は、従来例による傾斜式液相
結晶成長装置の概略断面図を示す。石英アンプル５０内
に、カーボン製の台座５１が配置されている。石英アン
プル５０は電熱炉５２内に挿入されている。台座５１の
上面の図中左端近傍は、石英アンプル５０の中心軸に対
して傾いており、石英アンプル５０を左端が低くなるよ
うに所定角度傾けたときに、ほぼ水平になるように形成
されている。

【０００３】基板結晶５３を、台座５１の斜めに形成さ
れた上面に固定し、石英アンプル５０内に結晶原料を投
入して真空封止する。石英アンプル５０をその右端が低
くなるように傾けて結晶原料を融解し、右端に原料溶液
を保持する。原料溶液を均質化した後徐々に降温し、所
定の温度になったところで石英アンプル５０の左端が低
くなるように傾ける。原料溶液５４が石英アンプル５０
内を左方に流れ、基板結晶５３に接触する。このように
して、基板結晶５３の表面に結晶を成長させる。

【０００４】図６（Ｂ）は、従来例による回転式液相結
晶成長装置の概略断面図を示す。石英アンプル５０内
に、カーボン製の台座５１が配置されている。台座５１
の上面に基板結晶５３を固定し、石英アンプル５０内に
結晶原料を投入して真空封止する。台座５１の上面が下
方を向くように石英アンプル５０を配置し、結晶原料を
融解する。石英アンプル５０を約１８０度回転させて、
原料溶液５４を基板結晶５３に接触させる。このように
して、基板結晶５３の表面に結晶を成長させる。

【０００５】このような閉管チッピング法を用いると、
例えばＨｇＣｄＴｅのように蒸気圧の高い原料を含む場
合にも開管系に比べて原料のロスがないため、安定した
組成の結晶を得ることができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図６で説明した閉管チ
ッピング法では、結晶原料を加熱して融解する際に原料
溶液と基板結晶が同一閉管内に収容される。原料溶液中
に不純物が混入している場合には、原料溶液から蒸発し
た不純物蒸気が基板結晶の表面に供給される。原料溶液
中に不純物があっても、液相成長中には不純物が成長結
晶中に取り込まれにくいため問題にならないが、不純物
が気相状態で基板結晶表面に供給されると、基板結晶が
汚染される。基板結晶が汚染されると良好な成長結晶を
得ることができなくなる。

【０００７】本発明の目的は、基板結晶の汚染を低減
し、良好な結晶成長を行うことができる液相結晶成長技
術を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の液相結晶成長方
法は、容器内に、結晶を成長させるべき成長表面を有す
る基板結晶、成長させるべき結晶の原料となる結晶原
料、及び遮蔽板を配置し、該容器内を排気して封止する
工程と、前記結晶原料を加熱して融解し原料溶液を生成
するとともに、前記遮蔽板で前記基板結晶が配置された
空間と前記原料溶液が保持されている空間とを隔離する
工程と、前記原料溶液を前記基板結晶の成長表面に接触
させ、該成長表面上に結晶を成長させる工程とを含む。

【０００９】本発明の液相結晶成長装置は、結晶を成長
させるべき成長表面を有する基板結晶を配置する基板結
晶空間と、成長させるべき結晶の原料となる結晶原料を
配置し加熱して融解させる原料溶液空間とを内部に画定
し、該内部を真空封止可能な容器と、前記容器の内部に
配置され、前記基板結晶空間と前記原料溶液空間とを隔
離し、前記容器を回転させると容器内で落下して前記基
板結晶空間と前記原料溶液空間とを連通させる前記遮蔽
板とを有する。

【００１０】

【作用】原料結晶を融解する時に、基板結晶の成長表面
が遮蔽板によって、原料溶液が保持されている空間から
遮蔽されている。このため、原料溶液から蒸発する不純
物蒸気が基板結晶の成長表面に接触しにくくなる。基板
結晶が不純物蒸気によって汚染されにくくなるため、良
好な成長結晶を得ることが可能になる。

【００１１】

【実施例】ＣｄＴｅ基板上にＨｇＣｄＴｅ結晶を成長さ
せる場合を例にとって、本発明の第１の実施例を説明す
る。

【００１２】図１（Ａ）に示すように、石英アンプル１
内に図中左端にカーボン製もしくは石英製の台座２が配
置されている。台座２は、その上面が石英アンプル１の
中心軸に対して斜めになるように構成されている。台座
２の上面には、円形の凹部７が形成されている。凹部７
の側面には、開口部側が底部側よりも大口径になるよう
に段差が形成されている。

【００１３】当初は、例えば石英アンプル１の図中右端
が開放されている。ＣｄＴｅ単結晶の基板結晶５を凹部
７の小口径部分に載置する。凹部７の小口径部分の深さ
は、基板結晶の厚さよりもやや深くなるように形成され
ている。次に、高純度カーボン製もしくは石英製の遮蔽
板４を凹部７の大口径部分に載置する。遮蔽板４は凹部
７の側面に形成された段差の上面に密着する。密着面
は、精密な擦り合わせになっており、隙間なく密着す
る。さらに、結晶原料を石英アンプル１内に収容する。
結晶原料は、ＨｇＣｄＴｅの多結晶であってもよいし、
Ｈｇ、Ｃｄ及びＴｅの単体の液体もしくは金属であって
もよい。Ｈｇ、Ｃｄ、Ｔｅの重量比が３０：１：９０に
なるようにする。その後、石英アンプル１内を例えば１
０^-4Ｐａ以下の圧力まで真空排気し封止する。

【００１４】封止した石英アンプル１を電熱炉３内に挿
入し、石英アンプル１の中心軸がほぼ水平になり、台座
２の上面が斜め上方を向くように配置する。石英アンプ
ル１内を加熱し、結晶原料を融解し均質化する。結晶原
料を融解して生成した原料溶液６が石英アンプル１内の
低い部分に溜まる。このとき、原料溶液６が遮蔽板４に
接触しないように、凹部７の開口部の高さ及び原料溶液
６の量を調整しておくことが好ましい。

【００１５】基板結晶５が配置されている凹部７の小口
径部は、遮蔽板４によって、原料溶液６が保持されてい
る空間から隔離される。原料溶液６から蒸発したＨｇ蒸
気や不純物蒸気が基板結晶５の表面に接触しにくくなる
ため、Ｈｇ蒸気や不純物蒸気による基板結晶５の汚染を
低減することができる。

【００１６】石英アンプル１内の温度を徐々に低下させ
る。例えば、４００〜５００℃程度まで低下させる。な
お、ＣｄＴｅの融点は、１０９２℃、Ｈｇ_0.8Ｃｄ_0.2
Ｔｅの融点は約７００℃である。

【００１７】図１（Ｂ）に示すように、石英アンプル１
を、台座２の上面がほぼ水平になるまで傾ける。原料溶
液６が台座２の上面を覆う。カーボン製もしくは石英製
の遮蔽板４は原料溶液６よりも軽いため、原料溶液６に
浮く。基板結晶５は原料溶液６よりも重いため、凹部７
の小口径部に止まる。このようにして、基板結晶５の表
面に原料溶液６が接触し、基板結晶５の表面上にＨｇＣ
ｄＴｅ結晶がエピタキシャル成長する。

【００１８】図１（Ｃ）に示すように、石英アンプル１
を水平状態に戻し、基板結晶５と原料溶液６とが接触し
ない状態にする。このとき、遮蔽板４は原料溶液６に浮
いたままであり、基板結晶５の表面上に成長したＨｇＣ
ｄＴｅ結晶に接触しない。このようにして、基板結晶５
の表面上にエピタキシャル成長したＨｇＣｄＴｅ結晶を
得ることができる。例えば、上記重量比の結晶原料を用
いると、組成がＨｇ_1- _xＣｄ_xＴｅ（ｘ＝０．２）の結
晶を得ることができる。

【００１９】上記第１の実施例では、基板結晶が配置さ
れている空間と原料溶液が保持されている空間とを隔離
する場合を説明したが、必ずしも空間を隔離する必要は
ない。原料溶液から蒸発したＨｇもしくは不純物蒸気
が、基板結晶の成長表面に接触しにくくなるような構成
とすればよい。例えば、基板結晶の成長表面に遮蔽板を
密着させてもよい。基板結晶の成長表面に遮蔽板を密着
させる場合には、図１に示す凹部７に段差を形成する必
要はなく、単に円柱状の凹部とすればよい。

【００２０】次に、本発明の第２の実施例を説明する。
図２（Ａ）〜（Ｄ）は、第２の実施例による結晶成長方
法を説明するための、結晶成長容器の断面を示す。基板
結晶及び結晶原料は、第１の実施例で使用したものと同
様のものである。

【００２１】図２（Ａ）に示すように、石英アンプル１
１内にカーボン製もしくは石英製の台座１２が配置され
ている。台座１２の上面には、図１に示す凹部７と同様
の大口径部と小口径部とからなる凹部１７が形成され、
上面がほぼ水平になるように配置されている。台座１２
は、石英アンプル１１内で移動しないように、石英アン
プル１の内壁に固定されている。

【００２２】台座１２の上方には、カーボン製もしくは
石英製の溶液溜め１８が配置されている。溶液溜め１８
の一端は石英アンプル１１の内壁に取り付けられて固定
され、他端と石英アンプル１１の内壁との間には間隙１
９が形成されている。溶液溜め１８は、その上面に原料
溶液を保持することができる。石英アンプル１１を回転
させて溶液溜め１８の上面を傾けると、保持している原
料溶液が間隙１９を通って下方に流れる。溶液溜め１８
の下面はほぼ平坦に形成され、間隙１９側の端部に突起
２０が形成されている。

【００２３】基板結晶１５を、カーボンもしくは石英製
の遮蔽板１４の下面に取り付ける。基板結晶１５は、例
えば遮蔽板１４の下面に取り付けられた爪によって保持
される。遮蔽板１４と基板結晶１５とを一体と考えたと
きの比重が、原料溶液の比重よりも小さくなるようにす
る。

【００２４】基板結晶１５を保持した遮蔽板１４を、基
板結晶１５が下方になるように向けて、凹部１７内に載
置する。基板結晶１５は、凹部１７の小口径部内に挿入
され、遮蔽板１４の下面外周部が凹部１７の側面に形成
された段差の上面に密着する。さらに、溶液溜め１８の
上面に結晶原料を載置する。

【００２５】その後、石英アンプル１１内を真空排気し
封止する。封止した石英アンプル１１を円筒状の加熱空
洞を有する電熱炉１３内に挿入し、石英アンプル１１の
中心軸がほぼ水平になり、台座１２の上面がほぼ水平に
なるように配置する。石英アンプル１１内を加熱し、結
晶原料を融解し均質化する。結晶原料を融解して生成し
た原料溶液１６が溶液溜め１８の上面に溜まる。

【００２６】石英アンプル１１内の温度を所定の温度ま
で徐々に低下させる。図２（Ｂ）に示すように、石英ア
ンプル１１を溶液溜め１８の間隙１９側の端部が、他方
の端部よりも低くなるように傾ける。原料溶液１６が溶
液溜め１８から間隙１９を通って下方に流れ落ちる。

【００２７】図２（Ｃ）に示すように、石英アンプル１
１を元の状態に戻し、台座１２の上面がほぼ水平になる
ようにする。遮蔽板１４と基板結晶１５とを一体と考え
たときの比重が、原料溶液１６の比重よりも軽いため、
基板結晶１５を保持した遮蔽板１４が原料溶液１６中に
浮かび上がる。基板結晶１５の下面に原料溶液１６が接
触し、基板結晶１５の下面上にＨｇＣｄＴｅ結晶がエピ
タキシャル成長する。

【００２８】図２（Ｄ）に示すように、石英アンプル１
１を、溶液溜め１８の石英アンプル１１への取り付け端
側が低くなる向きに回転する。この向きに約２００度回
転すると、溶液溜め１８の下面が上方を向き、間隙１９
側の端部が低くなる。原料溶液１６は、間隙１９を通っ
て溶液溜め１８の上面側（図の下方）に流れる。このと
き、遮蔽板１４は、突起２０に支えられて溶液溜め１８
の平坦な下面に保持される。このようにして、基板結晶
１５の表面上に成長した結晶と原料溶液１６とを分離す
ることができる。

【００２９】次に、本発明の第３の実施例を説明する。
図３（Ａ）〜（Ｃ）は、第３の実施例による結晶成長方
法を説明するための、結晶成長容器の断面を示す。基板
結晶及び結晶原料は、第１の実施例で使用したものと同
様のものである。

【００３０】図３（Ａ）に示すように、石英アンプル２
１内の上方にカーボン製もしくは石英製の台座２２が取
り付けられている。台座２２の下方を向く上面は、図の
左側の３／４程度の領域においてほぼ平坦であり、図の
右側の１／４程度の領域において、石英アンプル２１の
内壁に近づくに従って徐々に下方に湾曲するように形成
されている。

【００３１】台座２２の下方に、カーボン製もしくは石
英製の基板結晶保持部材２８が配置されている。基板結
晶保持部材２８は、図中左側の取付端において石英アン
プル２１の内壁に固定されている。基板結晶保持部材２
８の図の右端は中空に支持され、石英アンプル２１の内
壁との間に間隙２９を形成している。

【００３２】基板結晶保持部材２８の上面には凹部２７
が形成されている。凹部２７の側面には、開口部側が底
部側よりも大口径になるように段差が形成されている。
凹部２７の小口径部分の深さは、小口径部分に配置され
る基板結晶の厚さよりもやや深くなるように形成されて
いる。また、小口径部分の側面には、爪が設けられてお
り、凹部２７の小口径部分に挿入した基板結晶を底面に
押さえつけて固定することができる。

【００３３】基板結晶２５を凹部２７の小口径部分に挿
入し、爪で固定する。遮蔽板２４を凹部２７の大口径部
分に載置する。遮蔽板２４は、白金（Ｐｔ）板を封入し
た石英板であり、原料溶液の比重よりも大きくなるよう
に構成されている。遮蔽板２４の下面外周部が、凹部２
７の側面に形成された段差の上面に密着する。さらに、
結晶原料を石英アンプル２１内に収容し、石英アンプル
２１内を真空排気して封止する。

【００３４】封止した石英アンプル２１を円筒状の加熱
空洞を有する電熱炉２３内に挿入し、石英アンプル２１
の中心軸がほぼ水平になり、台座２２の上面が下方を向
き基板結晶保持部材２８の上面がほぼ水平になるように
配置する。石英アンプル２１内を加熱し、結晶原料を融
解し均質化する。結晶原料を融解して生成した原料溶液
２６が石英アンプル２１内の下部に溜まる。

【００３５】石英アンプル１１内の温度を所定の温度ま
で徐々に低下させる。図３（Ｂ）に示すように、石英ア
ンプル２１を図の時計回りに約１８０度回転させる。原
料溶液２６が台座２２の上面を覆うと同時に、凹部２７
内に侵入する。遮蔽板２４は原料溶液２６よりも重いた
め、原料溶液２６中に沈む。原料溶液２６が基板結晶２
５の表面に接触して、基板結晶１５の表面上にＨｇＣｄ
Ｔｅ結晶がエピタキシャル成長する。なお、石英アンプ
ル２１内の残留ガスが凹部２７内に残った場合には、石
英アンプル２１をさらに時計回りに約９０度回転して凹
部２７から残留ガスを排出し、その後反時計回りに約９
０度回転して元の状態に戻す。

【００３６】図３（Ｃ）に示すように、石英アンプル２
１を図の反時計回りに約１８０度回転させる。原料溶液
２６が下方に流れると同時に、遮蔽板２４も台座２２の
湾曲した上面に沿って移動し、間隙２９を通って下方に
落ちる。このようにして、基板結晶２５と原料溶液２６
とを分離することができる。

【００３７】図４は、図３（Ａ）〜（Ｃ）に示す基板結
晶保持部材２８の他の構成例を示す。図４（Ａ）に示す
ように、基板結晶保持部材は四角形の板状の下側部材２
８Ａと、中央に円形の貫通孔を有する四角形の板状の上
側部材２８Ｂとから構成されている。上側部材２８Ｂの
貫通孔の側面には円周方向に沿った段差が設けられてい
る。円板状の基板結晶２５を下側部材２８Ａの上面に載
置し、上側部材２８Ｂの貫通孔側面の段差部で基板結晶
２５の上面外周部を下側部材２８Ａに押しつけて固定す
る。

【００３８】図４（Ｂ）は、石英アンプル２１の中心軸
を含む断面図を示す。石英アンプル２１の内径よりもや
や小さい外径を有する２つの円柱状部材２８Ｃ及び２８
Ｄのそれぞれの一方の端面には、ほぼ中心を通る半径方
向の溝２８Ｅが形成されている。溝２８Ｅが形成された
端面同士が対向するように円柱状部材２８Ｃ及び２８Ｄ
を配置する。基板結晶２５を挟み込んで保持した基板結
晶保持部材２８Ａ及び２８Ｂの相互に対向する辺を溝２
８Ｅに挿入して保持する。

【００３９】このように基板結晶２５を保持した基板結
晶保持部材２８Ａ、２８Ｂ及び円柱状部材２８Ｃ、２８
Ｄを石英アンプル２１内に挿入する。円柱状部材２８Ｃ
及び２８Ｄの外径が石英アンプル２１の内径よりもやや
小さいため、基板結晶２５は石英アンプル２１内にほぼ
固定される。このとき、基板結晶保持部材２８Ａ及び２
８Ｂと石英アンプル２１の内壁との間に間隙が形成され
るようにする。この間隙が、図３（Ａ）に示す間隙２９
に相当する。

【００４０】次に、本発明の第４の実施例を説明する。
図５（Ａ）〜（Ｃ）は、第４の実施例による結晶成長方
法を説明するための、結晶成長容器の断面を示す。基板
結晶及び結晶原料は、第１の実施例で使用したものと同
様のものである。

【００４１】図５（Ａ）に示すように、石英アンプル３
１の内部の上方に、カーボン製もしくは石英製の台座３
２が取り付けられている。台座３２の下方を向く上面に
は、鉤形の断面形状を有する鉤形段差３９が中心軸方向
に沿って形成されている。基板結晶保持部材３８が、石
英アンプル３１の内壁に取り付けられた支持棒４０によ
り、石英アンプル３１内のほぼ中央に支持されている。
基板結晶保持部材３８及び支持棒４０は、カーボンもし
くは石英で形成されている。基板結晶保持部材３８の上
面に、図１に示す凹部７と同様の大口径部と小口径部と
からなる凹部３７が形成されている。

【００４２】基板結晶３５を、遮蔽板３４の下面に取り
付け、基板結晶３５が下方になるように向けて凹部３７
内に載置する。基板結晶３５は、凹部３７の小口径部内
に挿入され、遮蔽板３４の下面外周部が凹部３７の側面
に形成された段差の上面に密着する。遮蔽板３４は、白
金（Ｐｔ）板を封入した石英板であり、原料溶液の比重
よりも大きくなるように構成されている。また、遮蔽板
３４の厚さは鉤形段差３９の側面に形成されている溝の
幅よりもやや薄い。

【００４３】基板結晶３５は、例えば遮蔽板３４の下面
に取り付けられた爪によって保持される。遮蔽板３４と
基板結晶３５とを一体と考えたときの比重が、原料溶液
の比重よりも大きくなるようにする。

【００４４】石英アンプル３１内に、結晶原料を収容
し、石英アンプル３１内を真空排気し封止する。封止し
た石英アンプル３１を円筒状の加熱空洞を有する電熱炉
３３内に挿入し、石英アンプル３１の中心軸がほぼ水平
になり、台座３２の上面が下方を向き基板結晶保持部材
３８の上面がほぼ水平になるように配置する。石英アン
プル３１内を加熱し、結晶原料を融解し均質化する。結
晶原料を融解して生成した原料溶液３６が石英アンプル
３１内の底部に溜まる。

【００４５】石英アンプル３１内の温度を所定の温度ま
で徐々に低下させる。図５（Ｂ）に示すように、石英ア
ンプル３１を中心軸の回りに約１８０度回転させる。原
料溶液３６が台座３２の上面上に溜まると共に、基板結
晶３５を保持した遮蔽板３４が台座３２の上面に落下し
て原料溶液３６内に沈む。基板結晶３５の表面に原料溶
液３６が接触し、基板結晶３５の表面上にＨｇＣｄＴｅ
結晶がエピタキシャル成長する。

【００４６】図５（Ｃ）に示すように、鉤形段差３９が
遮蔽板３４の下方に回り込むように石英アンプル３１を
中心軸の回りに回転し、台座３２の上面が斜め下方を向
くようにする。このとき、遮蔽板３４の縁が鉤形段差３
９に嵌まり込んで、遮蔽板３４及び基板結晶３５が台座
３２の上面に保持される。このようにして、基板結晶３
５の表面上に成長した結晶と原料溶液３６とを分離する
ことができる。

【００４７】上記第２〜第４の実施例においても、それ
ぞれ図２（Ａ）、図３（Ａ）、及び図５（Ａ）に示すよ
うに、結晶原料を融解する際に、基板結晶が配置されて
いる空間と原料溶液が保持されている空間とが相互に遮
蔽板によって隔離されている。このため、第１の実施例
と同様に、原料溶液から蒸発するＨｇや不純物蒸気によ
る基板結晶の汚染を抑制することができる。

【００４８】上記実施例では、ＣｄＴｅ基板上にＨｇＣ
ｄＴｅ結晶をエピタキシャル成長させる場合を説明した
が、その他の結晶を成長させる場合にも適用できること
は、当業者に自明であろう。

【００４９】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
閉管式液相結晶成長方法において、原料溶液融解時に原
料溶液から蒸発した不純物蒸気が基板結晶表面に接触し
にくくなる。このため、不純物蒸気による基板結晶の汚
染を抑制することができ、良好な成長結晶を得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例による液相結晶成長方法
を説明するための、液相結晶成長装置の断面図である。

【図２】本発明の第２の実施例による液相結晶成長方法
を説明するための、液相結晶成長装置の断面図である。

【図３】本発明の第３の実施例による液相結晶成長方法
を説明するための、液相結晶成長装置の断面図である。

【図４】第３の実施例で用いる基板結晶保持部材の他の
構成例を示す断面図である。

【図５】本発明の第４の実施例による液相結晶成長方法
を説明するための、液相結晶成長装置の断面図である。

【図６】従来例による液相結晶成長方法を説明するため
の、液相結晶成長装置の断面図である。

【符号の説明】

１、１１、２１、３１、５０石英アンプル２、１２、２２、３２、５１台座３、１３、２３、３３、５２電熱炉４、１４、２４、３４遮蔽板５、１５、２５、３５、５３基板結晶６、１６、２６、３６、５４原料溶液７、１７、２７、３７凹部１８溶液溜め１９、２９間隙２０突起２８、３８基板結晶保持部材３９鉤形段差４０支持棒

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】容器内に、結晶を成長させるべき成長表
面を有する基板結晶、成長させるべき結晶の原料となる
結晶原料、及び遮蔽板を配置し、該容器内を排気して封
止する工程と、前記結晶原料を加熱して融解し原料溶液を生成するとと
もに、前記遮蔽板で前記基板結晶の成長表面を前記原料
溶液が保持されている空間から遮蔽する工程と、前記原料溶液を前記基板結晶の成長表面に接触させ、該
成長表面上に結晶を成長させる工程とを含む液相結晶成
長方法。
【請求項２】結晶を成長させるべき成長表面を有する
基板結晶を配置する基板結晶空間と、成長させるべき結
晶の原料となる結晶原料を配置し加熱して融解させる原
料溶液空間とを内部に画定し、該内部を真空封止可能な
容器と、前記容器の内部に配置され、前記基板結晶空間と前記原
料溶液空間とを隔離し、前記容器を回転させると容器内
で落下して前記基板結晶空間と前記原料溶液空間とを連
通させる前記遮蔽板とを有する液相結晶成長装置。