JPS62120033A - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長装置Info
- Publication number
- JPS62120033A JPS62120033A JP26194485A JP26194485A JPS62120033A JP S62120033 A JPS62120033 A JP S62120033A JP 26194485 A JP26194485 A JP 26194485A JP 26194485 A JP26194485 A JP 26194485A JP S62120033 A JPS62120033 A JP S62120033A
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- Japan
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- melt
- growth
- holder
- growing
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- Pending
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
閉管チッピング方式のエピタキシャル成長装置において
、通常の基板ホルダーでは結晶成長時に基板面に均一な
る厚さのエピタキシャル層が得られず、成長面の周辺部
では成長の進行が速くなる。
、通常の基板ホルダーでは結晶成長時に基板面に均一な
る厚さのエピタキシャル層が得られず、成長面の周辺部
では成長の進行が速くなる。
本発明の成長装置では基板ホルダーの形状に改良を加え
てエピタキシャル成長層の均一化を図った。
てエピタキシャル成長層の均一化を図った。
本発明は、閉管チッピング方式の液相エピタキシャル成
長装置における基板ホルダーの改良に関する。
長装置における基板ホルダーの改良に関する。
エピタキシャル成長法は気相成長法と液相成長法とに大
きく分類され、特に化合物半導体の成長では液相成長法
を適用することが多い。
きく分類され、特に化合物半導体の成長では液相成長法
を適用することが多い。
化合物半導体の液相成長では、一般にはスライド・ボー
ト法と呼ばれる開管方式が主として用いられるが、水銀
を含む化合物の成長では水銀の蒸気圧が高いため周囲の
雰囲気より密閉された閉管方式を用い、Ｈｇの蒸発によ
るメルトの組成変化を防いでいる。
ト法と呼ばれる開管方式が主として用いられるが、水銀
を含む化合物の成長では水銀の蒸気圧が高いため周囲の
雰囲気より密閉された閉管方式を用い、Ｈｇの蒸発によ
るメルトの組成変化を防いでいる。
また、エピタキシャル成長に際して、反応管をチッピン
グ（傾斜、あるいは回転）させることにより溶融せるメ
ルト中に基板をディップしてエピタキシャル成長が行わ
れる。
グ（傾斜、あるいは回転）させることにより溶融せるメ
ルト中に基板をディップしてエピタキシャル成長が行わ
れる。
そのためエピタキシャル層の成長は、基板面で均一性が
得られず改善が要望されている。
得られず改善が要望されている。
従来の閉管チッピング方式のエピタキシャル成長装置と
その成長法を第３図を用いて説明する。
その成長法を第３図を用いて説明する。
第３図（ａｌは成長装置の軸方向に沿っての断面図、第
３図（ｂ）はその垂直方向の断面図を示す。
３図（ｂ）はその垂直方向の断面図を示す。
石英よりなる円筒状の反応管１の中にメルト２を収容す
る支持板３が反応管の両端に挿入されている。基板ホル
ダー４とこれに搭載された基板５は、共に前記支持板３
に固定れれている。
る支持板３が反応管の両端に挿入されている。基板ホル
ダー４とこれに搭載された基板５は、共に前記支持板３
に固定れれている。
反応管１はメルト材料と基板を収容した後、端部は封着
れれて反応炉に挿入される。ＨｇＣｄＴｅの結晶の成長
では炉の温度は５００℃前後まで加熱される。
れれて反応炉に挿入される。ＨｇＣｄＴｅの結晶の成長
では炉の温度は５００℃前後まで加熱される。
成長温度まで到達すれば、反応管は中心軸の周りに１８
０６回転させることにより、基板５は溶融せるメルト中
にディップされることになる。この状態を第４図断面図
にて示す。
０６回転させることにより、基板５は溶融せるメルト中
にディップされることになる。この状態を第４図断面図
にて示す。
その後、制御された温度降下手順に従って、炉の温度を
低下させることにより基板上にエピタキシャル層の成長
が行われる。
低下させることにより基板上にエピタキシャル層の成長
が行われる。
上記に述べた、第３図の構造の成長装置では一様なる厚
さの成長層が得ることは困難であるという問題を生ずる
。
さの成長層が得ることは困難であるという問題を生ずる
。
成長後の基板断面は、第５図に示すごとく中央では成長
層は薄＜、周辺部では厚い成長層が得られる。
層は薄＜、周辺部では厚い成長層が得られる。
この理由は、このようなメルト中での結晶の析出は、第
４図の周辺部ＡｊＩ域では中央部のＢ領域よりも広い方
向から溶質の拡散が起こるため、Ａ領域での結晶成長が
Ｂ領域よりも早く進行することによる。
４図の周辺部ＡｊＩ域では中央部のＢ領域よりも広い方
向から溶質の拡散が起こるため、Ａ領域での結晶成長が
Ｂ領域よりも早く進行することによる。
上記問題点は、閉管チッピング方式のエピタキシャル成
長装置において、基板（５）の成長面とほぼ同一寸法の
底面で、且つメルトも収容可能なる深さを持つ容器を有
する基板ホルダーを設けたことよりなる本発明のエピタ
キシャル成長装置によって解決される。
長装置において、基板（５）の成長面とほぼ同一寸法の
底面で、且つメルトも収容可能なる深さを持つ容器を有
する基板ホルダーを設けたことよりなる本発明のエピタ
キシャル成長装置によって解決される。
本発明では基板の成長面とほぼ嵌合状態となる容器を有
する基板ホルダーを設けることにより、結晶の成長時に
は基板の成長面の上にのみメルトが存在することになる
。
する基板ホルダーを設けることにより、結晶の成長時に
は基板の成長面の上にのみメルトが存在することになる
。
そのため、溶質の拡散析出は基板面の全面にわたって均
一化され、エピタキシャル層の厚さも均一化れれる。
一化され、エピタキシャル層の厚さも均一化れれる。
本発明による一実施例を図面により詳細説明する。従来
の技術の項において用いた符号と同一のものは説明を省
略する。
の技術の項において用いた符号と同一のものは説明を省
略する。
第１図は反応管１の軸方向に直角方向での断面図を示す
。基板ホルダー４は丁度基板の成長面とほぼ同一寸法の
底面を持つ容器６よりなり、基板を搭載後メルト溶液を
収容するだけの深さの余裕をもっている。
。基板ホルダー４は丁度基板の成長面とほぼ同一寸法の
底面を持つ容器６よりなり、基板を搭載後メルト溶液を
収容するだけの深さの余裕をもっている。
使用に当たっては、メルトの溶融後反応管１を中心軸の
周りに３６０°回転させる。これにより第２図（ａｌに
示すごとく基板ホルダー４の凹部にはメルトが充填され
る。
周りに３６０°回転させる。これにより第２図（ａｌに
示すごとく基板ホルダー４の凹部にはメルトが充填され
る。
この状態で炉の温度の降温プロセスを行うことにより結
晶の成長が行われる。成長プロセスの完了後、再度反応
管を３６０°回転させることにより基板ホルダー内のメ
ルトを除去する。これを第２図（ｂｌに示す。
晶の成長が行われる。成長プロセスの完了後、再度反応
管を３６０°回転させることにより基板ホルダー内のメ
ルトを除去する。これを第２図（ｂｌに示す。
上記のごとく本発明の成長装置を用いることにより結晶
の成長時に、基板面にはその直上方向にのみメルトが存
在することになり、結晶の成長は基板面の全面にわたっ
て均一化される。
の成長時に、基板面にはその直上方向にのみメルトが存
在することになり、結晶の成長は基板面の全面にわたっ
て均一化される。
以上に説明せるごとく、本発明の閉管チッピング方式〇
液相成長装置を用いることにより、基板上に成長するエ
ピタキシャル層の厚さは基板全面で均一化され、歩留り
の向上に寄与する所大である。
液相成長装置を用いることにより、基板上に成長するエ
ピタキシャル層の厚さは基板全面で均一化され、歩留り
の向上に寄与する所大である。
第１図は本発明にかかわる成長装置の断面図、第２図（
ａ）、 （ｂ）は本発明にかかわる成長装置の機能説明
図、 第３図（ａｌ、 （ｂｌは従来の成長装置の断面図、第
４図は基板をメルト中にディップした時の断面図、 第５図は成長後の基板断面図、 を示す。 図面において、 １は反応管、 ２はメルト、 ３は支持板、 ４は基板ホルダー、 ５ は基羊反、 ６は容器、 不発−＋：ＩＪ切・ね３厳麦１酎面口 第１図 不発明１；ｖ・祐シヘｋを勤碌花設呵図第２図
ａ）、 （ｂ）は本発明にかかわる成長装置の機能説明
図、 第３図（ａｌ、 （ｂｌは従来の成長装置の断面図、第
４図は基板をメルト中にディップした時の断面図、 第５図は成長後の基板断面図、 を示す。 図面において、 １は反応管、 ２はメルト、 ３は支持板、 ４は基板ホルダー、 ５ は基羊反、 ６は容器、 不発−＋：ＩＪ切・ね３厳麦１酎面口 第１図 不発明１；ｖ・祐シヘｋを勤碌花設呵図第２図
Claims (1)
- 閉管チッピング方式の成長装置において、基板（５）の
成長面とほぼ同一寸法の底面で、且つメルトも収容可能
なる深さを持つ容器（６）を有する基板ホルダー（４）
を設けたことを特徴とする液相エピタキシャル成長装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26194485A JPS62120033A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26194485A JPS62120033A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62120033A true JPS62120033A (ja) | 1987-06-01 |
Family
ID=17368840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26194485A Pending JPS62120033A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62120033A (ja) |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP26194485A patent/JPS62120033A/ja active Pending
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