JPH09309172A - 透明導電性フィルムの製造方法 - Google Patents
透明導電性フィルムの製造方法Info
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- JPH09309172A JPH09309172A JP8151622A JP15162296A JPH09309172A JP H09309172 A JPH09309172 A JP H09309172A JP 8151622 A JP8151622 A JP 8151622A JP 15162296 A JP15162296 A JP 15162296A JP H09309172 A JPH09309172 A JP H09309172A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シート抵抗の熱安定性に優れた透明導電性フ
ィルムを提供する。 【解決手段】 樹脂フィルム上に形成した酸化インジウ
ムを主成分とする金属酸化物からなる透明導電膜のスパ
ッタリング成膜において、比抵抗が最小となる酸素含有
量より少ない酸素含有量で成膜を行う。
ィルムを提供する。 【解決手段】 樹脂フィルム上に形成した酸化インジウ
ムを主成分とする金属酸化物からなる透明導電膜のスパ
ッタリング成膜において、比抵抗が最小となる酸素含有
量より少ない酸素含有量で成膜を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電性フィル
ムの製造方法に関し、さらに詳しくは、特に液晶ディス
プレイ用デバイスとして好適に使用しうる、シート抵抗
の熱安定性に優れた透明導電性フィルムの製造方法に関
する。
ムの製造方法に関し、さらに詳しくは、特に液晶ディス
プレイ用デバイスとして好適に使用しうる、シート抵抗
の熱安定性に優れた透明導電性フィルムの製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯用電子手帳、携帯情報端末の
需要増大に伴い、軽量かつコンパクトな液晶ディスプレ
イ用デバイスが注目されている。このようなデバイスに
は、透明導電膜の基板として従来のガラスに代わり樹脂
フィルムを用い、この樹脂フィルム上に透明導電膜を形
成した透明導電性フィルムを製造する技術が開発されて
いる。この透明導電性フィルムは、スパッタリング法に
より樹脂フィルム上に酸化インジウムを主成分とする金
属酸化物の薄膜を形成して製造される。このようにして
製造された透明導電性フィルムは、種々の加工を経て液
晶ディスプレイ用デバイスに組み立てられ、さらに携帯
用電子手帳等に加工される。
需要増大に伴い、軽量かつコンパクトな液晶ディスプレ
イ用デバイスが注目されている。このようなデバイスに
は、透明導電膜の基板として従来のガラスに代わり樹脂
フィルムを用い、この樹脂フィルム上に透明導電膜を形
成した透明導電性フィルムを製造する技術が開発されて
いる。この透明導電性フィルムは、スパッタリング法に
より樹脂フィルム上に酸化インジウムを主成分とする金
属酸化物の薄膜を形成して製造される。このようにして
製造された透明導電性フィルムは、種々の加工を経て液
晶ディスプレイ用デバイスに組み立てられ、さらに携帯
用電子手帳等に加工される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】液晶ディスプレイ用デ
バイスとして機能するためには、透明導電膜のシート抵
抗値が一定の範囲内にあることが要求される。しかし、
従来の樹脂フィルムを基板とする透明導電膜は、その後
の加工によりシート抵抗値が変化し、またその変化量を
予測できないという課題があった。そのため液晶ディス
プレイ用デバイスとして組み立てる過程の熱処理等の種
々の処理や、また熱処理等の条件の変動により、透明導
電膜のシート抵抗値がデバイスとして機能する範囲外に
なるという課題があった。しかして、本発明が解決しよ
うとする課題は、加工や、組み立て過程の熱処理による
シート抵抗値の変動が少ない透明導電性フィルムを製造
する方法を提供することである。
バイスとして機能するためには、透明導電膜のシート抵
抗値が一定の範囲内にあることが要求される。しかし、
従来の樹脂フィルムを基板とする透明導電膜は、その後
の加工によりシート抵抗値が変化し、またその変化量を
予測できないという課題があった。そのため液晶ディス
プレイ用デバイスとして組み立てる過程の熱処理等の種
々の処理や、また熱処理等の条件の変動により、透明導
電膜のシート抵抗値がデバイスとして機能する範囲外に
なるという課題があった。しかして、本発明が解決しよ
うとする課題は、加工や、組み立て過程の熱処理による
シート抵抗値の変動が少ない透明導電性フィルムを製造
する方法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の製造方法は、樹脂フィルム上に、透明導電膜
の比抵抗を最小にする酸素含有量より少ない酸素含有量
の下で酸化インジウムを主成分とする金属酸化物をスパ
ッタリング成膜することを特徴とする透明導電性フィル
ムの製造方法を内容とする。
の本発明の製造方法は、樹脂フィルム上に、透明導電膜
の比抵抗を最小にする酸素含有量より少ない酸素含有量
の下で酸化インジウムを主成分とする金属酸化物をスパ
ッタリング成膜することを特徴とする透明導電性フィル
ムの製造方法を内容とする。
【０００５】本発明は、スパッタリング成膜の際のプロ
セスガス中に含まれる酸素含有量を特定の値以下とする
ことにより、熱処理に対して安定した比抵抗を有する透
明導電性フィルムを製造することを骨子とするものであ
る。スパッタリング成膜はアルゴンなどの不活性ガスと
０〜４体積％の酸素からなる混合ガスをプロセスガスと
して、その気流中でスパッタリング装置を用いてなされ
る。酸素含有量とは、プロセスガス１００体積％に対す
る体積％をいう。スパッタリング装置としては、薄膜の
成膜速度の点からＤＣマグネトロンスパッタリング装置
を用いることが好ましい。またスパッタリング法により
成膜する際の成膜温度は、樹脂フィルムを用いるため１
００℃以下であることが好ましい。
セスガス中に含まれる酸素含有量を特定の値以下とする
ことにより、熱処理に対して安定した比抵抗を有する透
明導電性フィルムを製造することを骨子とするものであ
る。スパッタリング成膜はアルゴンなどの不活性ガスと
０〜４体積％の酸素からなる混合ガスをプロセスガスと
して、その気流中でスパッタリング装置を用いてなされ
る。酸素含有量とは、プロセスガス１００体積％に対す
る体積％をいう。スパッタリング装置としては、薄膜の
成膜速度の点からＤＣマグネトロンスパッタリング装置
を用いることが好ましい。またスパッタリング法により
成膜する際の成膜温度は、樹脂フィルムを用いるため１
００℃以下であることが好ましい。
【０００６】透明導電膜の比抵抗を最小にする酸素含有
量は、以下のようにして求めることができる。透明導電
膜の比抵抗は、スパッタリング成膜の際の酸素含有量に
より変化する。すなわち、比抵抗は、酸素含有量を０か
ら増やしていくと初めは減少するが、ある酸素含有量で
最小になり、さらに酸素含有量を増やすと増大する。し
たがって、透明導電膜の比抵抗を最小にする酸素含有量
は、酸素含有量に対する透明導電膜の比抵抗の変化を測
定することより求めることができる。
量は、以下のようにして求めることができる。透明導電
膜の比抵抗は、スパッタリング成膜の際の酸素含有量に
より変化する。すなわち、比抵抗は、酸素含有量を０か
ら増やしていくと初めは減少するが、ある酸素含有量で
最小になり、さらに酸素含有量を増やすと増大する。し
たがって、透明導電膜の比抵抗を最小にする酸素含有量
は、酸素含有量に対する透明導電膜の比抵抗の変化を測
定することより求めることができる。
【０００７】酸化インジウムを主成分とする金属酸化物
のスパッタリング成膜に用いるターゲットの材質は、酸
化インジウムに酸化スズや酸化亜鉛を添加した複合酸化
物が用いられる。一般的に用いられるインジウム・スズ
複合酸化物（ＩＴＯ）ターゲットは、２〜１５重量％の
酸化スズを含む。
のスパッタリング成膜に用いるターゲットの材質は、酸
化インジウムに酸化スズや酸化亜鉛を添加した複合酸化
物が用いられる。一般的に用いられるインジウム・スズ
複合酸化物（ＩＴＯ）ターゲットは、２〜１５重量％の
酸化スズを含む。
【０００８】透明導電膜の厚さは、目的とするシート抵
抗値、透明性などの液晶ディスプレイ用デバイスの要求
特性によって異なるが、少なくとも１０ｎｍ以上、２０
０ｎｍ以下であることが望ましい。
抗値、透明性などの液晶ディスプレイ用デバイスの要求
特性によって異なるが、少なくとも１０ｎｍ以上、２０
０ｎｍ以下であることが望ましい。
【０００９】本発明により製造される透明導電性フィル
ムは、液晶ディスプレイ用デバイスとして好適に用いら
れるので、その目的に合致させるために、基板フィルム
は、透明性、耐熱性、耐溶剤性などの物性を有する透明
樹脂フィルムであることが望ましい。
ムは、液晶ディスプレイ用デバイスとして好適に用いら
れるので、その目的に合致させるために、基板フィルム
は、透明性、耐熱性、耐溶剤性などの物性を有する透明
樹脂フィルムであることが望ましい。
【００１０】前記透明樹脂フィルムとしては、例えばポ
リアリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリ
エーテルスルホンなどの熱可塑性樹脂からなるフィルム
などが挙げられるが、本発明はこれらの例示にのみに限
定されるものではない。これらの中では、材料入手の点
からポリカーボネートが好ましいが、耐熱性に優れ、透
明導電膜との密着性に優れるという点からポリアリレー
トが特に好ましい。なお、該ポリアリレートには特に限
定がないが、原料の入手が容易であるという点からテレ
フタル酸および／またはイソフタル酸と２価のフェノー
ルの重縮合させて得られるものが好ましい。
リアリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリ
エーテルスルホンなどの熱可塑性樹脂からなるフィルム
などが挙げられるが、本発明はこれらの例示にのみに限
定されるものではない。これらの中では、材料入手の点
からポリカーボネートが好ましいが、耐熱性に優れ、透
明導電膜との密着性に優れるという点からポリアリレー
トが特に好ましい。なお、該ポリアリレートには特に限
定がないが、原料の入手が容易であるという点からテレ
フタル酸および／またはイソフタル酸と２価のフェノー
ルの重縮合させて得られるものが好ましい。
【００１１】前記２価のフェノールの具体例としては、
例えば２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン（以下、ビスフェノールＡという）、４，４′−（α
−メチルベンジリデン）ビスフェノール、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）ブタン、３，３−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）ペンタン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）ヘプタン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）２，５−ジメチルヘプタン、ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）メチルフェニルメタン、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）ジフェニルメタン、２，２−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）オクタン、ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−４−フルオロフェニルメタン、ビス（３，
５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，
２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキ
シフェニル）フェニルエタン、ビス（３−メチル−４−
ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、ビス（３，５
−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−ト
リメチルシクロヘキサンなどが挙げられ、これらは単独
または２種以上を混合して用いることができるが、本発
明はこれらの例示のみに限定されるものではない。
例えば２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン（以下、ビスフェノールＡという）、４，４′−（α
−メチルベンジリデン）ビスフェノール、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）ブタン、３，３−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）ペンタン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）ヘプタン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）２，５−ジメチルヘプタン、ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）メチルフェニルメタン、ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）ジフェニルメタン、２，２−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）オクタン、ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−４−フルオロフェニルメタン、ビス（３，
５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，
２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキ
シフェニル）フェニルエタン、ビス（３−メチル−４−
ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、ビス（３，５
−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−ト
リメチルシクロヘキサンなどが挙げられ、これらは単独
または２種以上を混合して用いることができるが、本発
明はこれらの例示のみに限定されるものではない。
【００１２】前記したような熱可塑性樹脂などをフィル
ム化させる方法には特に限定はなく、例えば樹脂を通常
の押出機などを用いて押出成形する方法や樹脂を溶媒に
溶解させた溶液をキャスティングする方法などが挙げら
れる。これらの方法の中では、得られるフィルムの厚さ
がより均一であり、表面性に優れることからキャスティ
ングによる方法がより好ましい。
ム化させる方法には特に限定はなく、例えば樹脂を通常
の押出機などを用いて押出成形する方法や樹脂を溶媒に
溶解させた溶液をキャスティングする方法などが挙げら
れる。これらの方法の中では、得られるフィルムの厚さ
がより均一であり、表面性に優れることからキャスティ
ングによる方法がより好ましい。
【００１３】このようにして得られるフィルムの厚さ
は、特に限定はないが、最終的に得られる透明導電性フ
ィルムの用途を考慮すると、通常１０〜２００μｍ、好
ましくは４０〜１００μｍであることが望ましい。この
ようにして製造される透明導電性フィルムは、シート抵
抗の熱安定性に優れている。
は、特に限定はないが、最終的に得られる透明導電性フ
ィルムの用途を考慮すると、通常１０〜２００μｍ、好
ましくは４０〜１００μｍであることが望ましい。この
ようにして製造される透明導電性フィルムは、シート抵
抗の熱安定性に優れている。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて更に詳細に
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもので
はない。
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもので
はない。
【００１５】実施例１ 厚さ１００μｍのポリカーボネートフィルム（鐘淵化学
工業株式会社製）上に、酸化スズ１０重量％を添加した
酸化インジウムをターゲット（三井金属株式会社製ＩＴ
Ｏターゲット）として用い、成膜温度５０℃、酸素含有
量１．６体積％のアルゴンガス雰囲気中でＤＣマグネト
ロンスパッタリング装置（連続巻き取り式スパッタリン
グ装置）で厚さ２０ｎｍの透明導電膜を成膜し、透明導
電性フィルムを製造した。なお、この実験系における透
明導電膜の比抵抗を最小にする酸素含有量は、２．０体
積％である。
工業株式会社製）上に、酸化スズ１０重量％を添加した
酸化インジウムをターゲット（三井金属株式会社製ＩＴ
Ｏターゲット）として用い、成膜温度５０℃、酸素含有
量１．６体積％のアルゴンガス雰囲気中でＤＣマグネト
ロンスパッタリング装置（連続巻き取り式スパッタリン
グ装置）で厚さ２０ｎｍの透明導電膜を成膜し、透明導
電性フィルムを製造した。なお、この実験系における透
明導電膜の比抵抗を最小にする酸素含有量は、２．０体
積％である。
【００１６】実施例２ 実施例１において、厚さ７５μｍポリアリレートフィル
ム（鐘淵化学工業株式会社製エルメックＦ−１１００）
上に透明導電膜を成膜させた他は、実施例１と同様にし
て透明導電性フィルムを製造した。
ム（鐘淵化学工業株式会社製エルメックＦ−１１００）
上に透明導電膜を成膜させた他は、実施例１と同様にし
て透明導電性フィルムを製造した。
【００１７】比較例１ 実施例２において、酸素含有量を１．６体積％から２．
０体積％に変更した他は、実施例２と同様にして透明導
電性フィルムを製造した。
０体積％に変更した他は、実施例２と同様にして透明導
電性フィルムを製造した。
【００１８】比較例２ 実施例２において、酸素含有量を１．６体積％から２．
４体積％に変更した他は、実施例２と同様にして透明導
電性フィルムを製造した。
４体積％に変更した他は、実施例２と同様にして透明導
電性フィルムを製造した。
【００１９】実施例１、２及び比較例１、２で製造され
た透明導電性フィルムのシート抵抗の安定性を表１に示
す。透明導電性フィルムのシート抵抗の安定性は、１５
０℃におけるシート抵抗値の経時変化として表した。シ
ート抵抗値（Ω／□）は抵抗率計（三菱油化株式会社製
ロレスタＡＰ）により測定した。
た透明導電性フィルムのシート抵抗の安定性を表１に示
す。透明導電性フィルムのシート抵抗の安定性は、１５
０℃におけるシート抵抗値の経時変化として表した。シ
ート抵抗値（Ω／□）は抵抗率計（三菱油化株式会社製
ロレスタＡＰ）により測定した。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１から明らかなように、実施例１、２に
示した比抵抗が極小となる酸素含有量２．０体積％より
少ない酸素含有量では、１５０℃の加熱処理によるシー
ト抵抗値の上昇が少ない。一方、比較例１、２のように
酸素含有量が２．０体積％以上ではシート抵抗値の大幅
な上昇が見られる。
示した比抵抗が極小となる酸素含有量２．０体積％より
少ない酸素含有量では、１５０℃の加熱処理によるシー
ト抵抗値の上昇が少ない。一方、比較例１、２のように
酸素含有量が２．０体積％以上ではシート抵抗値の大幅
な上昇が見られる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、優れたシー
ト抵抗の熱安定性を示す透明導電性フィルムが得られ、
特に液晶ディスプレイ用デバイスとして好適である。
ト抵抗の熱安定性を示す透明導電性フィルムが得られ、
特に液晶ディスプレイ用デバイスとして好適である。
Claims (2)
- 【請求項１】 樹脂フィルム上に、透明導電膜の比抵抗
を最小にする酸素含有量より少ない酸素含有量の下で酸
化インジウムを主成分とする金属酸化物をスパッタリン
グ成膜することを特徴とする透明導電性フィルムの製造
方法。 - 【請求項２】 樹脂フィルムがポリカーボネートまたは
ポリアリレートからなる請求項１記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8151622A JPH09309172A (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | 透明導電性フィルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8151622A JPH09309172A (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | 透明導電性フィルムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09309172A true JPH09309172A (ja) | 1997-12-02 |
Family
ID=15522577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8151622A Withdrawn JPH09309172A (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | 透明導電性フィルムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09309172A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002042582A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付き基板の製造方法、及び該製造方法により製造された透明導電膜付き基板、並びに該基板を用いたタッチパネル |
-
1996
- 1996-05-22 JP JP8151622A patent/JPH09309172A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002042582A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付き基板の製造方法、及び該製造方法により製造された透明導電膜付き基板、並びに該基板を用いたタッチパネル |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030805 |