JPH09272172A - 積層体 - Google Patents
積層体Info
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- JPH09272172A JPH09272172A JP8082495A JP8249596A JPH09272172A JP H09272172 A JPH09272172 A JP H09272172A JP 8082495 A JP8082495 A JP 8082495A JP 8249596 A JP8249596 A JP 8249596A JP H09272172 A JPH09272172 A JP H09272172A
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 透明基体の一方の主面上に、透明高屈折
率層／金属薄膜層／透明高屈折率層金なる構成で形成し
た積層体において、透明高屈折率層に、高酸素濃度雰囲
気下でスパッタリング法により、１×１０-2Ω・ｃｍ以
上の比抵抗をもち、かつ非晶質の主としてインジウムと
スズからなる酸化物薄膜を用いることを特徴とする積層
体。 【効果】 環境耐久性に優れた透明積層体が提供でき
る。本発明の積層体は透明電極や熱線反射体として使用
できる。
率層／金属薄膜層／透明高屈折率層金なる構成で形成し
た積層体において、透明高屈折率層に、高酸素濃度雰囲
気下でスパッタリング法により、１×１０-2Ω・ｃｍ以
上の比抵抗をもち、かつ非晶質の主としてインジウムと
スズからなる酸化物薄膜を用いることを特徴とする積層
体。 【効果】 環境耐久性に優れた透明積層体が提供でき
る。本発明の積層体は透明電極や熱線反射体として使用
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、片面或いは両面を
透明高屈折率層によっておおわれた金属薄膜層からなる
積層体に関する。さらに詳しくは選択光透明性を有し、
かつ、導電性を有する透明導電性積層体に関する。透明
導電性積層体は、その導電性を利用すれば、例えば、液
晶ディスプレイやエレクトロクロミック表示体等の透明
電極として用いることができるほか、可視光に対しては
透明であるが赤外光は反射するといった選択光透明性を
利用する場合には、透明な熱線反射体として利用でき
る。
透明高屈折率層によっておおわれた金属薄膜層からなる
積層体に関する。さらに詳しくは選択光透明性を有し、
かつ、導電性を有する透明導電性積層体に関する。透明
導電性積層体は、その導電性を利用すれば、例えば、液
晶ディスプレイやエレクトロクロミック表示体等の透明
電極として用いることができるほか、可視光に対しては
透明であるが赤外光は反射するといった選択光透明性を
利用する場合には、透明な熱線反射体として利用でき
る。
【０００２】
【従来の技術】透明基体上に透明導電性薄膜層を形成し
た透明導電性積層体は、液晶ディスプレー用電極、電場
発光素子用電極、帯電防止フィルム、透明発熱体として
広く産業上利用されている。ここで透明基体上に形成す
る透明導電層として従来から知られているものは、 １）金、銀、銅等の単金属もしくは合金属薄膜 ２）酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、ヨウ化銅等の
半導体薄膜 ３）１）を透明高屈折率薄膜で挟んだ積層体 が知られている。特に、３）の具体例を挙げれば、酸化
インジウム／銀／酸化インジウウム、酸化チタン／銀／
酸化チタン、窒化アルミニウム／銀／窒化アルミニウ
ム、窒化珪素／銀／窒化珪素等がある。金属薄膜層の材
料としては導電性が優れ選択光透過性にも優れる銀が好
適に使用されることが多い。
た透明導電性積層体は、液晶ディスプレー用電極、電場
発光素子用電極、帯電防止フィルム、透明発熱体として
広く産業上利用されている。ここで透明基体上に形成す
る透明導電層として従来から知られているものは、 １）金、銀、銅等の単金属もしくは合金属薄膜 ２）酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、ヨウ化銅等の
半導体薄膜 ３）１）を透明高屈折率薄膜で挟んだ積層体 が知られている。特に、３）の具体例を挙げれば、酸化
インジウム／銀／酸化インジウウム、酸化チタン／銀／
酸化チタン、窒化アルミニウム／銀／窒化アルミニウ
ム、窒化珪素／銀／窒化珪素等がある。金属薄膜層の材
料としては導電性が優れ選択光透過性にも優れる銀が好
適に使用されることが多い。
【０００３】１）或いは３）の如く金属薄膜層を導電層
あるいは熱線反射層として利用する場合には、可視光に
対する透明性を維持するために該層の厚さを薄くせざる
を得ない。具体的には２０ｎｍ以下の厚さにすることが
必要であり、これ以上の厚さの金属薄膜層を形成すると
可視光透明性が得られなくなる。
あるいは熱線反射層として利用する場合には、可視光に
対する透明性を維持するために該層の厚さを薄くせざる
を得ない。具体的には２０ｎｍ以下の厚さにすることが
必要であり、これ以上の厚さの金属薄膜層を形成すると
可視光透明性が得られなくなる。
【０００４】しかしながら、金属薄膜層が極めて薄く形
成された積層体は、熱、光、ガス等により性能に劣化が
おこり環境安定性において問題がある。環境安定性の問
題は、金属薄膜層として最も好適に使用し得る材料、銀
において顕著に現れる。銀薄膜は凝集しやすく、熱、光
といったエネルギーの照射や、ガスの付着等が引き金と
なって薄膜の状態から塊の状態に変化してしまう。この
ように凝集現象が起こると、所々に金属の塊が形成され
るため、積層体に金属色の粒が見えてしまい透明な積層
体としては不良となる。
成された積層体は、熱、光、ガス等により性能に劣化が
おこり環境安定性において問題がある。環境安定性の問
題は、金属薄膜層として最も好適に使用し得る材料、銀
において顕著に現れる。銀薄膜は凝集しやすく、熱、光
といったエネルギーの照射や、ガスの付着等が引き金と
なって薄膜の状態から塊の状態に変化してしまう。この
ように凝集現象が起こると、所々に金属の塊が形成され
るため、積層体に金属色の粒が見えてしまい透明な積層
体としては不良となる。
【０００５】この問題を解決するために、銀の替わり
に、銀−金合金を使用する技術が特開昭５５−１１８０
４号に開示されている。該公報においては、銀、金が共
存する金属薄膜層を使用することで耐環境性に優れた積
層体が得られるとする。
に、銀−金合金を使用する技術が特開昭５５−１１８０
４号に開示されている。該公報においては、銀、金が共
存する金属薄膜層を使用することで耐環境性に優れた積
層体が得られるとする。
【０００６】しかしながら、銀−金合金を金属薄膜層と
して用いることは、以下の点から好ましくなく、できれ
ば銀単体でも環境耐久性を付加されることが望ましい。
すなわち、銀−金薄膜層の好ましくない点とは、 １）比抵抗が高くなる。
して用いることは、以下の点から好ましくなく、できれ
ば銀単体でも環境耐久性を付加されることが望ましい。
すなわち、銀−金薄膜層の好ましくない点とは、 １）比抵抗が高くなる。
【０００７】２）特殊な合金を使用することによるコス
トアップ である。銀−金合金はその組成比にもよるが、環境安定
性が得られる程度の合金にすることによって銀単体より
も比抵抗が１．５〜３倍程度になり、同じシート抵抗値
の積層体を得ようとすれば膜厚を厚くするほかない。前
述したように金属薄膜層の膜厚を厚くすることは透明性
が損なわれるので好ましくない。また、合金を使用する
とすれば、その合金を製造するためのプロセスが増える
ことになりコストアップも免れない。
トアップ である。銀−金合金はその組成比にもよるが、環境安定
性が得られる程度の合金にすることによって銀単体より
も比抵抗が１．５〜３倍程度になり、同じシート抵抗値
の積層体を得ようとすれば膜厚を厚くするほかない。前
述したように金属薄膜層の膜厚を厚くすることは透明性
が損なわれるので好ましくない。また、合金を使用する
とすれば、その合金を製造するためのプロセスが増える
ことになりコストアップも免れない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、かかる
問題を解決するために、鋭意調査を重ねた結果、透明高
屈折率層に、高酸素濃度雰囲気下でスパッタリング法に
より形成した、１×１０ -2Ω・ｃｍ以上の比抵抗をも
ち、かつ非晶質の主としてインジウムとスズからなる酸
化物薄膜を用いることにより、金属薄膜層の環境耐久性
を向上し得ることを見いだし本発明に到達した。本発明
は、金属薄膜層を変更することなく、驚くべきことに、
特定の透明高屈折率層を使用することで隣接する金属薄
膜層の環境耐久性を高めたものである。
問題を解決するために、鋭意調査を重ねた結果、透明高
屈折率層に、高酸素濃度雰囲気下でスパッタリング法に
より形成した、１×１０ -2Ω・ｃｍ以上の比抵抗をも
ち、かつ非晶質の主としてインジウムとスズからなる酸
化物薄膜を用いることにより、金属薄膜層の環境耐久性
を向上し得ることを見いだし本発明に到達した。本発明
は、金属薄膜層を変更することなく、驚くべきことに、
特定の透明高屈折率層を使用することで隣接する金属薄
膜層の環境耐久性を高めたものである。
【０００９】
【課題を解決するため手段】すなわち、本発明は、上記
の問題を解決するためになされたものであって、（１）
透明基体（Ａ）の一方の主面上に、少なくとも、透明
高屈折率層（Ｂ）、金属薄膜層（Ｃ）、透明高屈折率層
（Ｄ）とを順次形成した、ＡＢＣＤなる構成の積層体に
おいて、透明高屈折率層（Ｂ）及び透明高屈折率層
（Ｄ）に、高酸素濃度雰囲気下でスパッタリング法によ
り形成した、主としてインジウムとスズとからなる、比
抵抗が１×１０-2Ω・ｃｍ以上で非晶質の酸化物薄膜を
用いることを特徴とする積層体、（２） 透明基体
（Ａ）の一方の主面上に、少なくとも、透明高屈折率層
（Ｂ）、金属薄膜層（Ｃ）、透明高屈折率層（Ｄ）、金
属薄膜層（Ｅ）、透明高屈折率層（Ｆ）とを順次形成し
た、ＡＢＣＤＥＦなる構成の積層体において、透明高屈
折率層（Ｂ）、透明高屈折率層（Ｄ）、及び透明高屈折
率層（Ｆ）に、高酸素濃度雰囲気下でスパッタリング法
により形成した、主としてインジウムとスズとからな
る、比抵抗が１×１０-2Ω・ｃｍ以上で非晶質の酸化物
薄膜を用いることを特徴とする積層体、（３） 透明基
体（Ａ）の一方の主面上に、少なくとも、透明高屈折率
層（Ｂ）、金属薄膜層（Ｃ）、透明高屈折率層（Ｄ）、
金属薄膜層（Ｅ）、透明高屈折率層（Ｆ）、金属薄膜層
（Ｇ）、透明高屈折率層（Ｈ）とを順次形成した、ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨなる構成の積層体において、透明高屈折率
層（Ｂ）、透明高屈折率層（Ｄ）、透明高屈折率層
（Ｆ）、透明高屈折率層（Ｈ）に、高酸素濃度雰囲気下
でスパッタリング法により形成した、主としてインジウ
ムとスズとからなる、比抵抗が１×１０-2Ω・ｃｍ以上
で非晶質の酸化物薄膜を用いることを特徴とする積層
体、
の問題を解決するためになされたものであって、（１）
透明基体（Ａ）の一方の主面上に、少なくとも、透明
高屈折率層（Ｂ）、金属薄膜層（Ｃ）、透明高屈折率層
（Ｄ）とを順次形成した、ＡＢＣＤなる構成の積層体に
おいて、透明高屈折率層（Ｂ）及び透明高屈折率層
（Ｄ）に、高酸素濃度雰囲気下でスパッタリング法によ
り形成した、主としてインジウムとスズとからなる、比
抵抗が１×１０-2Ω・ｃｍ以上で非晶質の酸化物薄膜を
用いることを特徴とする積層体、（２） 透明基体
（Ａ）の一方の主面上に、少なくとも、透明高屈折率層
（Ｂ）、金属薄膜層（Ｃ）、透明高屈折率層（Ｄ）、金
属薄膜層（Ｅ）、透明高屈折率層（Ｆ）とを順次形成し
た、ＡＢＣＤＥＦなる構成の積層体において、透明高屈
折率層（Ｂ）、透明高屈折率層（Ｄ）、及び透明高屈折
率層（Ｆ）に、高酸素濃度雰囲気下でスパッタリング法
により形成した、主としてインジウムとスズとからな
る、比抵抗が１×１０-2Ω・ｃｍ以上で非晶質の酸化物
薄膜を用いることを特徴とする積層体、（３） 透明基
体（Ａ）の一方の主面上に、少なくとも、透明高屈折率
層（Ｂ）、金属薄膜層（Ｃ）、透明高屈折率層（Ｄ）、
金属薄膜層（Ｅ）、透明高屈折率層（Ｆ）、金属薄膜層
（Ｇ）、透明高屈折率層（Ｈ）とを順次形成した、ＡＢ
ＣＤＥＦＧＨなる構成の積層体において、透明高屈折率
層（Ｂ）、透明高屈折率層（Ｄ）、透明高屈折率層
（Ｆ）、透明高屈折率層（Ｈ）に、高酸素濃度雰囲気下
でスパッタリング法により形成した、主としてインジウ
ムとスズとからなる、比抵抗が１×１０-2Ω・ｃｍ以上
で非晶質の酸化物薄膜を用いることを特徴とする積層
体、
【００１０】（４） 透明基体（Ａ）の一方の主面上
に、少なくとも、透明高屈折率層（Ｂ）、金属薄膜層
（Ｃ）、透明高屈折率層（Ｄ）、金属薄膜層（Ｅ）、透
明高屈折率層（Ｆ）、金属薄膜層（Ｇ）、透明高屈折率
層（Ｈ）、・・・、金属薄膜層（Ｇ n-1 ）、透明高屈折
率層（Ｈn-1 ）、金属薄膜層（Ｇn ）、透明高屈折率層
（Ｈ n ）（ｎ＝１、２、・・・）とを順次形成した、Ａ
ＢＣＤＥＦＧＨ・・・Ｇn-1Ｈn-1 Ｇn Ｈn なる構成の
積層体において、透明高屈折率層（Ｂ）、透明高屈折率
層（Ｄ）、透明高屈折率層（Ｆ）、透明高屈折率層
（Ｈ）、・・・、透明高屈折率層（Ｈn-1 ）、透明高屈
折率層（Ｈn ）に、高酸素濃度雰囲気下でスパッタリン
グ法により形成した、主としてインジウムとスズとから
なる、比抵抗が１×１０-2Ω・ｃｍ以上で非晶質の酸化
物薄膜を用いることを特徴とする積層体、（５）
（１）乃至（４）の何れかに記載の金属薄膜層の少なく
とも１つが、銀からなることを特徴とする積層体、
（６） 透明基体（Ａ）が透明な高分子成形体であるこ
とを特徴とする（１）及至（５）の何れかに記載の積層
体に関するものである。
に、少なくとも、透明高屈折率層（Ｂ）、金属薄膜層
（Ｃ）、透明高屈折率層（Ｄ）、金属薄膜層（Ｅ）、透
明高屈折率層（Ｆ）、金属薄膜層（Ｇ）、透明高屈折率
層（Ｈ）、・・・、金属薄膜層（Ｇ n-1 ）、透明高屈折
率層（Ｈn-1 ）、金属薄膜層（Ｇn ）、透明高屈折率層
（Ｈ n ）（ｎ＝１、２、・・・）とを順次形成した、Ａ
ＢＣＤＥＦＧＨ・・・Ｇn-1Ｈn-1 Ｇn Ｈn なる構成の
積層体において、透明高屈折率層（Ｂ）、透明高屈折率
層（Ｄ）、透明高屈折率層（Ｆ）、透明高屈折率層
（Ｈ）、・・・、透明高屈折率層（Ｈn-1 ）、透明高屈
折率層（Ｈn ）に、高酸素濃度雰囲気下でスパッタリン
グ法により形成した、主としてインジウムとスズとから
なる、比抵抗が１×１０-2Ω・ｃｍ以上で非晶質の酸化
物薄膜を用いることを特徴とする積層体、（５）
（１）乃至（４）の何れかに記載の金属薄膜層の少なく
とも１つが、銀からなることを特徴とする積層体、
（６） 透明基体（Ａ）が透明な高分子成形体であるこ
とを特徴とする（１）及至（５）の何れかに記載の積層
体に関するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明は、図１をもって説明する
に、透明基体（Ａ）（１０）の一方の主面上に、少なく
とも、透明高屈折率層（Ｂ）（２０）、金属薄膜層
（Ｃ）（３０）、透明高屈折率層（Ｄ）（４０）とを順
次形成した、ＡＢＣＤなる構成の積層体において、透明
高屈折率層（Ｂ）及び透明高屈折率層（Ｄ）に、高酸素
濃度雰囲気下でスパッタリング法により形成した、主と
してインジウムとスズとからなる、比抵抗が１×１０-2
Ω・ｃｍ以上で非晶質の酸化物薄膜を用いることを特徴
とする積層体である 本発明において使用する透明基体とは、可視光領域にお
ける透明性を有するもので、ある程度表面が平滑であれ
ば使用できる。具体的にはガラス、石英等の無機化合物
成形体と高分子成形体とが挙げられる。ガラスは可視光
領域において優れた透明性を有し、表面も平滑に加工す
ることができるため好適に使用できる。高分子成形体は
さらに軽くて割れないという、ガラスにはない特徴を有
するためより好適に使用できる。
に、透明基体（Ａ）（１０）の一方の主面上に、少なく
とも、透明高屈折率層（Ｂ）（２０）、金属薄膜層
（Ｃ）（３０）、透明高屈折率層（Ｄ）（４０）とを順
次形成した、ＡＢＣＤなる構成の積層体において、透明
高屈折率層（Ｂ）及び透明高屈折率層（Ｄ）に、高酸素
濃度雰囲気下でスパッタリング法により形成した、主と
してインジウムとスズとからなる、比抵抗が１×１０-2
Ω・ｃｍ以上で非晶質の酸化物薄膜を用いることを特徴
とする積層体である 本発明において使用する透明基体とは、可視光領域にお
ける透明性を有するもので、ある程度表面が平滑であれ
ば使用できる。具体的にはガラス、石英等の無機化合物
成形体と高分子成形体とが挙げられる。ガラスは可視光
領域において優れた透明性を有し、表面も平滑に加工す
ることができるため好適に使用できる。高分子成形体は
さらに軽くて割れないという、ガラスにはない特徴を有
するためより好適に使用できる。
【００１２】透明な高分子成形体の種類を具体的にいえ
ば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート、ポリエーテルスルフォン、ポリカーボネート、
ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレート等が好ま
しく用いられる。これら、透明な高分子成形体は板状で
あってもフィルム状であってもよい。板状の高分子成形
体を基体として用いた場合には、寸法安定性と機械的強
度に優れているため、特にそれが要求される場合には好
ましく用いられる。また、フィルム状の高分子成形体を
基体として用いた場合には、それが可撓性を有している
ため積層体を屈曲させて使用する場合に好ましく用いら
れるだけでなく、打ち抜き加工が可能であり、またロー
ルで巻きとりながら連続的に積層体を製造できるため製
造コストを安くできる利点も有する。フィルムの厚さは
通常１０〜２５０μｍのものが用いられる。フィルムの
厚さが１０μｍよりあまり薄いと、基材としての機械的
強度が不足し、２５０μｍよりあまり厚いと可撓性が不
足する。
ば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート、ポリエーテルスルフォン、ポリカーボネート、
ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレート等が好ま
しく用いられる。これら、透明な高分子成形体は板状で
あってもフィルム状であってもよい。板状の高分子成形
体を基体として用いた場合には、寸法安定性と機械的強
度に優れているため、特にそれが要求される場合には好
ましく用いられる。また、フィルム状の高分子成形体を
基体として用いた場合には、それが可撓性を有している
ため積層体を屈曲させて使用する場合に好ましく用いら
れるだけでなく、打ち抜き加工が可能であり、またロー
ルで巻きとりながら連続的に積層体を製造できるため製
造コストを安くできる利点も有する。フィルムの厚さは
通常１０〜２５０μｍのものが用いられる。フィルムの
厚さが１０μｍよりあまり薄いと、基材としての機械的
強度が不足し、２５０μｍよりあまり厚いと可撓性が不
足する。
【００１３】透明高屈折率層（Ｂ）と透明高屈折層
（Ｄ）とに挟まれた金属薄膜層（Ａ）は、電気比抵抗の
小さな金属が好ましく用いられ、具体的には、金、銀等
が好適に用いられる。金属薄膜層の厚さは、比抵抗が小
さく透明性が得られる範囲で決定され、具体的には、５
〜２０ｎｍ程度の範囲が好ましい。
（Ｄ）とに挟まれた金属薄膜層（Ａ）は、電気比抵抗の
小さな金属が好ましく用いられ、具体的には、金、銀等
が好適に用いられる。金属薄膜層の厚さは、比抵抗が小
さく透明性が得られる範囲で決定され、具体的には、５
〜２０ｎｍ程度の範囲が好ましい。
【００１４】金属薄膜層の作製は、例えば、スパッタリ
ング法や真空蒸着法、イオンプレーティング法が好まし
く用いられる。ここでスパッタリング法は、ＤＣマグネ
トロンスパッタ法、ｒｆマグネトロンスパッタリング
法、イオンビームスパッタリング法等の総称である。ス
パッタリング法では、例えば、銀の薄膜を作製するとき
には、銀のターゲットを用いてアルゴンガスをスパッタ
ガスとして用いる。金薄膜を作製するときには金ターゲ
ットを用いる。真空蒸着法で金属薄膜層を作製する場合
にも、所望の材料を蒸着源として、抵抗加熱蒸着法や電
子ビーム蒸着法により形成すればよい。後に述べるが、
本発明による透明高屈折率層はスパッタリング法により
形成するため、積層構成をロール・ツ・ロール法により
生産する場合にはスパッタリング法が好ましく用いられ
る。
ング法や真空蒸着法、イオンプレーティング法が好まし
く用いられる。ここでスパッタリング法は、ＤＣマグネ
トロンスパッタ法、ｒｆマグネトロンスパッタリング
法、イオンビームスパッタリング法等の総称である。ス
パッタリング法では、例えば、銀の薄膜を作製するとき
には、銀のターゲットを用いてアルゴンガスをスパッタ
ガスとして用いる。金薄膜を作製するときには金ターゲ
ットを用いる。真空蒸着法で金属薄膜層を作製する場合
にも、所望の材料を蒸着源として、抵抗加熱蒸着法や電
子ビーム蒸着法により形成すればよい。後に述べるが、
本発明による透明高屈折率層はスパッタリング法により
形成するため、積層構成をロール・ツ・ロール法により
生産する場合にはスパッタリング法が好ましく用いられ
る。
【００１５】本発明で用いる透明高屈折率層は、文字ど
おり、透明であり、屈折率が高い層である。本発明にお
いては、さらに金属薄膜層の環境安定性を付加させるた
めに、高酸素濃度で雰囲気下でスパッタリング法により
形成された、１×１０-2Ω・ｃｍ以上の比抵抗をもち、
かつ非晶質の主としてインジウムとスズからなる酸化物
薄膜を用いる。透明であるということは、可視光領域に
おける吸収が極めて少なく、透明基体に所望の厚みで積
層した場合でも、透明基体の可視光の透過率が５％以
上、より好ましくは、２％以上低下することがないこと
を意味する。また高屈折率とは、屈折率が１．６以上で
あることが好ましい。上記手法で形成した主としてイン
ジウムとスズからなる酸化物薄膜層の屈折率は通常２．
０程度であり、また透明性も十分得られるため好ましく
用いることができる。
おり、透明であり、屈折率が高い層である。本発明にお
いては、さらに金属薄膜層の環境安定性を付加させるた
めに、高酸素濃度で雰囲気下でスパッタリング法により
形成された、１×１０-2Ω・ｃｍ以上の比抵抗をもち、
かつ非晶質の主としてインジウムとスズからなる酸化物
薄膜を用いる。透明であるということは、可視光領域に
おける吸収が極めて少なく、透明基体に所望の厚みで積
層した場合でも、透明基体の可視光の透過率が５％以
上、より好ましくは、２％以上低下することがないこと
を意味する。また高屈折率とは、屈折率が１．６以上で
あることが好ましい。上記手法で形成した主としてイン
ジウムとスズからなる酸化物薄膜層の屈折率は通常２．
０程度であり、また透明性も十分得られるため好ましく
用いることができる。
【００１６】主としてインジウムとスズからなる酸化物
で構成される薄膜は透明導電膜（ＩＴＯ膜）として知ら
れている。本発明では該酸化物薄膜層の成膜条件とし
て、高酸素濃度雰囲気下におけるスパッタリング法によ
らなければならず、形成された薄膜は比抵抗１×１０-2
Ω・ｃｍ以上、かつ非晶質でなければならない。ここで
いう高酸素濃度雰囲気というのは、スパッタガスである
アルゴン・酸素分圧比が、比抵抗が最小となるアルゴン
・酸素分圧比よりも酸素の分圧比が多い雰囲気である。
比抵抗が最小となる酸素分圧比は全圧力、インジウムと
スズとの組成比やターゲットの密度により異なるが、本
発明で肝要なのは比抵抗が１×１０-2Ω・ｃｍ以上とな
るように酸素の分圧比をあげなければならないことであ
る。
で構成される薄膜は透明導電膜（ＩＴＯ膜）として知ら
れている。本発明では該酸化物薄膜層の成膜条件とし
て、高酸素濃度雰囲気下におけるスパッタリング法によ
らなければならず、形成された薄膜は比抵抗１×１０-2
Ω・ｃｍ以上、かつ非晶質でなければならない。ここで
いう高酸素濃度雰囲気というのは、スパッタガスである
アルゴン・酸素分圧比が、比抵抗が最小となるアルゴン
・酸素分圧比よりも酸素の分圧比が多い雰囲気である。
比抵抗が最小となる酸素分圧比は全圧力、インジウムと
スズとの組成比やターゲットの密度により異なるが、本
発明で肝要なのは比抵抗が１×１０-2Ω・ｃｍ以上とな
るように酸素の分圧比をあげなければならないことであ
る。
【００１７】例えばターゲットに酸化インジウムと酸化
スズとの重量比が８０：２０のターゲットを使用した場
合の成膜条件と比抵抗との関係の一例を図４に掲げた。
比抵抗が最小となる酸素分圧は０．０３ｍＴｏｒｒ程度
であり、比抵抗は１×１０-3Ω・ｃｍ以下となるが、比
抵抗を１×１０-2Ω・ｃｍ以上とするためには、酸素分
圧をおよそ０．０８ｍＴｏｒｒ以上にしなければならな
い。このような高酸素濃度雰囲気下で形成した該高屈折
率のＩＴＯ膜は、本発明者らが見いだしたところによれ
ば、酸素欠陥等の構造欠陥の少ない安定な非晶質構造の
ＩＴＯ膜なのである。そして驚くべきことに、金属薄膜
層をこのような安定な非晶質構造の高屈折率層に挟むこ
とによって、金属薄膜層の環境耐久性を向上させること
ができるのである。なお、本発明を実施するに好ましい
範囲は、図４のごとき関係を求めて実験的に定めること
ができる。
スズとの重量比が８０：２０のターゲットを使用した場
合の成膜条件と比抵抗との関係の一例を図４に掲げた。
比抵抗が最小となる酸素分圧は０．０３ｍＴｏｒｒ程度
であり、比抵抗は１×１０-3Ω・ｃｍ以下となるが、比
抵抗を１×１０-2Ω・ｃｍ以上とするためには、酸素分
圧をおよそ０．０８ｍＴｏｒｒ以上にしなければならな
い。このような高酸素濃度雰囲気下で形成した該高屈折
率のＩＴＯ膜は、本発明者らが見いだしたところによれ
ば、酸素欠陥等の構造欠陥の少ない安定な非晶質構造の
ＩＴＯ膜なのである。そして驚くべきことに、金属薄膜
層をこのような安定な非晶質構造の高屈折率層に挟むこ
とによって、金属薄膜層の環境耐久性を向上させること
ができるのである。なお、本発明を実施するに好ましい
範囲は、図４のごとき関係を求めて実験的に定めること
ができる。
【００１８】また、主としてインジウムとスズからなる
酸化物薄膜層は、非晶質であることが必要とされる。該
層が結晶質であると、多くの場合結晶粒子間に隙間が存
在し、そこから金属薄膜層の劣化要因となるガスが浸入
することが考えられるからである。すなわち、インジウ
ムとスズからなる酸化物薄膜は、高酸素濃度雰囲気下で
スパッタリング法により形成することでそれ自体安定で
あり、さらに非晶質とすることで金属薄膜層の両面の全
体を覆い金属薄膜層の劣化を抑制すると解されるのであ
る。
酸化物薄膜層は、非晶質であることが必要とされる。該
層が結晶質であると、多くの場合結晶粒子間に隙間が存
在し、そこから金属薄膜層の劣化要因となるガスが浸入
することが考えられるからである。すなわち、インジウ
ムとスズからなる酸化物薄膜は、高酸素濃度雰囲気下で
スパッタリング法により形成することでそれ自体安定で
あり、さらに非晶質とすることで金属薄膜層の両面の全
体を覆い金属薄膜層の劣化を抑制すると解されるのであ
る。
【００１９】該層を非晶質とするには、成膜温度を低く
すればよい。ＩＴＯ膜の結晶化温度は通常２００℃程度
とされおり、成膜時の基板温度をそれ以下にすればよ
く、好ましくは室温で成膜すればよい。室温で成膜した
ＩＴＯ膜が使用できることは、基体に耐熱温度の低い高
分子成形体を用いる場合に特に有利となる。
すればよい。ＩＴＯ膜の結晶化温度は通常２００℃程度
とされおり、成膜時の基板温度をそれ以下にすればよ
く、好ましくは室温で成膜すればよい。室温で成膜した
ＩＴＯ膜が使用できることは、基体に耐熱温度の低い高
分子成形体を用いる場合に特に有利となる。
【００２０】本発明でいう非晶質のＩＴＯ膜とは、通常
のθ−２θ法によるＸ線回折において、結晶質であるこ
とを示す２θ＝３０゜〜３１゜のＩｎ2Ｏ3（２２２）ピ
ーク、及び２θ＝３５゜〜３６゜のＩｎ2Ｏ3（４００）
ピークを実質的に示さないものをいう。
のθ−２θ法によるＸ線回折において、結晶質であるこ
とを示す２θ＝３０゜〜３１゜のＩｎ2Ｏ3（２２２）ピ
ーク、及び２θ＝３５゜〜３６゜のＩｎ2Ｏ3（４００）
ピークを実質的に示さないものをいう。
【００２１】透明高屈折率層の厚さは、可視光透過率が
最大になるように、もしくは、波長５５０ｎｍの光の透
過率が最大になるように調整され、２０〜７０ｎｍの範
囲が好ましく、より好ましくは、３０〜５０ｎｍであ
る。この透明高屈折率層の厚さが、厚すぎると、光線透
過率が最大になる波長が５５０ｎｍよりも長くなり、逆
に、薄すぎると光線透過率が最大になる波長が５５０ｎ
ｍよりも短くなる。
最大になるように、もしくは、波長５５０ｎｍの光の透
過率が最大になるように調整され、２０〜７０ｎｍの範
囲が好ましく、より好ましくは、３０〜５０ｎｍであ
る。この透明高屈折率層の厚さが、厚すぎると、光線透
過率が最大になる波長が５５０ｎｍよりも長くなり、逆
に、薄すぎると光線透過率が最大になる波長が５５０ｎ
ｍよりも短くなる。
【００２２】透明高屈折率層（Ｂ）と透明高屈折率層
（Ｄ）とは上記の条件を満たしていれば、それらによっ
て挟まれた金属薄膜層（Ｃ）の環境安定性を付与するこ
とができるため、両者を同一の組成、厚さ、比抵抗とす
る必要はなく、上記の条件の範囲内で適宜調整してよ
い。また、シート抵抗値をさらに低下させたい場合に
は、積層体上にさらに、金属薄膜層／透明高屈折層の積
層構成単位を１及至２構成単位さらに積層すればよく、
この場合、１構成積層させた場合には透明基体／透明高
屈折率層／金属薄膜層／透明高屈折率層／金属薄膜層／
透明高屈折率層となる。この構成の断面図を図２に記し
た。
（Ｄ）とは上記の条件を満たしていれば、それらによっ
て挟まれた金属薄膜層（Ｃ）の環境安定性を付与するこ
とができるため、両者を同一の組成、厚さ、比抵抗とす
る必要はなく、上記の条件の範囲内で適宜調整してよ
い。また、シート抵抗値をさらに低下させたい場合に
は、積層体上にさらに、金属薄膜層／透明高屈折層の積
層構成単位を１及至２構成単位さらに積層すればよく、
この場合、１構成積層させた場合には透明基体／透明高
屈折率層／金属薄膜層／透明高屈折率層／金属薄膜層／
透明高屈折率層となる。この構成の断面図を図２に記し
た。
【００２３】さらに２構成単位積層させた場合には、透
明基体／透明高屈折率層／金属薄膜層／透明高屈折率層
／金属薄膜層／透明高屈折率層／金属薄膜層／透明高屈
折率層という構成になるこの構成の断面図を図３に記し
た。この場合においても、それぞれの透明高屈折率層の
組成、厚さ、比抵抗は必ずしも同一にする必要はない。
また、それぞれの金属薄膜層の厚さ等も同一にする必要
はない。なお、さらに３構成単位、４構成単位・・・ｎ
構成単位を積層することは任意である。この際、ｎ＝１
０〜２０程度が実際的であるが、透過性の点からは、３
構成単位程度が好ましい。
明基体／透明高屈折率層／金属薄膜層／透明高屈折率層
／金属薄膜層／透明高屈折率層／金属薄膜層／透明高屈
折率層という構成になるこの構成の断面図を図３に記し
た。この場合においても、それぞれの透明高屈折率層の
組成、厚さ、比抵抗は必ずしも同一にする必要はない。
また、それぞれの金属薄膜層の厚さ等も同一にする必要
はない。なお、さらに３構成単位、４構成単位・・・ｎ
構成単位を積層することは任意である。この際、ｎ＝１
０〜２０程度が実際的であるが、透過性の点からは、３
構成単位程度が好ましい。
【００２４】金属薄膜層や透明高屈折率層の膜厚の測定
には、触針粗さ計、繰り返し反射干渉計、マイクロバラ
ンス、水晶振動子法等があるが、水晶振動子法では成膜
中に膜厚測定が可能なので、所望の膜厚を得るのに適し
ている。また、前もって成膜の条件を定めておき、試験
基材上に成膜を行い、成膜時間と膜厚との関係を調べた
上で成膜時間により膜厚を制御する方法もある。例え
ば、Ｍ（秒）間成膜した時の薄膜の膜厚を触針粗さ計で
測定したところＤ（ｎｍ）であったとすると。ｄ（ｎ
ｍ）の膜厚を得るには、次の式により、成膜時間Ｔ
（秒）を決定する。すなわち、Ｔ＝ｄ×（Ｍ／Ｄ）
（秒）である。例えば、スパッタ法において、銀を１０
００秒間成膜したところ、１００ｎｍのチタン膜を得た
とすると、同一の成膜条件で１ｎｍの銀膜を得るには、
１０秒間成膜すれば良いことになる。水晶振動子法で膜
厚を決めるときには、膜厚がＤ（ｎｍ）の膜を製作した
時の水晶振動子の周波数の減少がＦ（Ｈｚ）であったと
すると、ｄ（ｎｍ）成膜するには、次の式により求めら
れた周波数ｆ（Ｈｚ）が減少した時をもって膜厚を決定
する。すなわち、ｆ＝ｄ×（Ｆ／Ｄ）である。ここで、
Ｄの決定は、触針粗さ計や繰り返し反射干渉計等を用い
ればよい。本発明ではかくのごとき方法により膜厚を決
定しており、本発明で言うところの薄膜層が、常識的な
連続膜もしくは連続層の状態になっている必要はないこ
とは当業者の理解しているところである。
には、触針粗さ計、繰り返し反射干渉計、マイクロバラ
ンス、水晶振動子法等があるが、水晶振動子法では成膜
中に膜厚測定が可能なので、所望の膜厚を得るのに適し
ている。また、前もって成膜の条件を定めておき、試験
基材上に成膜を行い、成膜時間と膜厚との関係を調べた
上で成膜時間により膜厚を制御する方法もある。例え
ば、Ｍ（秒）間成膜した時の薄膜の膜厚を触針粗さ計で
測定したところＤ（ｎｍ）であったとすると。ｄ（ｎ
ｍ）の膜厚を得るには、次の式により、成膜時間Ｔ
（秒）を決定する。すなわち、Ｔ＝ｄ×（Ｍ／Ｄ）
（秒）である。例えば、スパッタ法において、銀を１０
００秒間成膜したところ、１００ｎｍのチタン膜を得た
とすると、同一の成膜条件で１ｎｍの銀膜を得るには、
１０秒間成膜すれば良いことになる。水晶振動子法で膜
厚を決めるときには、膜厚がＤ（ｎｍ）の膜を製作した
時の水晶振動子の周波数の減少がＦ（Ｈｚ）であったと
すると、ｄ（ｎｍ）成膜するには、次の式により求めら
れた周波数ｆ（Ｈｚ）が減少した時をもって膜厚を決定
する。すなわち、ｆ＝ｄ×（Ｆ／Ｄ）である。ここで、
Ｄの決定は、触針粗さ計や繰り返し反射干渉計等を用い
ればよい。本発明ではかくのごとき方法により膜厚を決
定しており、本発明で言うところの薄膜層が、常識的な
連続膜もしくは連続層の状態になっている必要はないこ
とは当業者の理解しているところである。
【００２５】高分子フィルム基材上に透明高屈折率層を
形成するときには、基材の前処理として、コロナ放電処
理、プラズマ放電処理、グロー放電処理、逆スパッタ処
理、表面粗面化処理、化学処理等を行うことや、公知の
アンダーコートを施したりすることは適宜行うことがで
きる。
形成するときには、基材の前処理として、コロナ放電処
理、プラズマ放電処理、グロー放電処理、逆スパッタ処
理、表面粗面化処理、化学処理等を行うことや、公知の
アンダーコートを施したりすることは適宜行うことがで
きる。
【００２６】透明基体に形成された積層体の構成は、深
さ方向の分析能力をもつ分析方法により解析できる。具
体的に挙げるとすると、オージェ電子分光法、エックス
線光電子分光法、２次イオン質量分析法、ラザフォード
後方散乱法等を用いることができる。また、ＩＴＯ膜の
結晶性はＸ線回折法や電子線回折法により測定でき、比
抵抗はホール測定法や、四端子法により測定したシート
抵抗値、Ｒ（Ω／□）と膜厚ｔ（ｃｍ）とから次式で算
出できる。比抵抗（Ω・ｃｍ）＝Ｒ×ｔ
さ方向の分析能力をもつ分析方法により解析できる。具
体的に挙げるとすると、オージェ電子分光法、エックス
線光電子分光法、２次イオン質量分析法、ラザフォード
後方散乱法等を用いることができる。また、ＩＴＯ膜の
結晶性はＸ線回折法や電子線回折法により測定でき、比
抵抗はホール測定法や、四端子法により測定したシート
抵抗値、Ｒ（Ω／□）と膜厚ｔ（ｃｍ）とから次式で算
出できる。比抵抗（Ω・ｃｍ）＝Ｒ×ｔ
【００２７】
【実施例】以下本発明を実施例により説明する。 〔実施例１〕可視光透過率８８％、１２５μｍ厚のポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、ＤＣ
マグネトロンスパッタリング法により、ＩＴＯ（40nm）
／銀（10nm）／ＩＴＯ（40nm）からなる積層体を作製し
た。なお、ＩＴＯ膜の形成は表１に示す反応性スパッタ
法により行った。一層目のＩＴＯ膜を形成した時点でホ
ール測定法により抵抗率を測定し、Ｘ線回折法により該
層の結晶性を確認した後、銀薄膜及び二層目のＩＴＯ膜
を形成した。なお、銀薄膜の形成は表２に示す条件で行
った。
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、ＤＣ
マグネトロンスパッタリング法により、ＩＴＯ（40nm）
／銀（10nm）／ＩＴＯ（40nm）からなる積層体を作製し
た。なお、ＩＴＯ膜の形成は表１に示す反応性スパッタ
法により行った。一層目のＩＴＯ膜を形成した時点でホ
ール測定法により抵抗率を測定し、Ｘ線回折法により該
層の結晶性を確認した後、銀薄膜及び二層目のＩＴＯ膜
を形成した。なお、銀薄膜の形成は表２に示す条件で行
った。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】〔実施例２〜実施例３〕ＩＴＯ成膜時のア
ルゴン分圧を１．８５ｍＴｏｒｒ、酸素分圧を０．１５
ｍＴｏｒｒ（実施例２）、アルゴン分圧を１．８ｍＴｏ
ｒｒ、酸素分圧を０．２ｍとｒｒ（実施例３）とした以
外は実施例１と同じ手法により積層体を作製した。
ルゴン分圧を１．８５ｍＴｏｒｒ、酸素分圧を０．１５
ｍＴｏｒｒ（実施例２）、アルゴン分圧を１．８ｍＴｏ
ｒｒ、酸素分圧を０．２ｍとｒｒ（実施例３）とした以
外は実施例１と同じ手法により積層体を作製した。
【００３１】〔実施例４〕可視光透過率８８％、１２５
μｍ厚のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィル
ム上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ｉ
ＴＯ（40nm）／銀（10nm）／ＩＴＯ（40nm）／銀（10n
m）／ＩＴＯ（40nm）からなる積層体を作製した。な
お、ＩＴＯ膜の形成は表１に示す反応性スパッタ法によ
り行った。一層目のＩＴＯ膜を形成した時点でホール測
定法により抵抗率を測定し、Ｘ線回折法により該層の結
晶性を確認した後、二層目以降の銀薄膜及びＩＴＯ膜を
形成した。なお、二層目以降のＩＴＯ膜の形成も表１に
より行い、銀薄膜の形成は全て表２に示す条件で行っ
た。
μｍ厚のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィル
ム上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ｉ
ＴＯ（40nm）／銀（10nm）／ＩＴＯ（40nm）／銀（10n
m）／ＩＴＯ（40nm）からなる積層体を作製した。な
お、ＩＴＯ膜の形成は表１に示す反応性スパッタ法によ
り行った。一層目のＩＴＯ膜を形成した時点でホール測
定法により抵抗率を測定し、Ｘ線回折法により該層の結
晶性を確認した後、二層目以降の銀薄膜及びＩＴＯ膜を
形成した。なお、二層目以降のＩＴＯ膜の形成も表１に
より行い、銀薄膜の形成は全て表２に示す条件で行っ
た。
【００３２】〔実施例５〕可視光透過率８８％、１２５
μｍ厚のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィル
ム上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ｉ
ＴＯ（40nm）／銀（10nm）／ＩＴＯ（40nm）／銀（10n
m）／ＩＴＯ（40nm）／銀（10nm）／ＩＴＯ（40nm）か
らなる積層体を作製した。なお、ＩＴＯ膜の形成は表１
に示す反応性スパッタ法により行った。一層目のＩＴＯ
膜を形成した時点でホール測定法により抵抗率を測定
し、Ｘ線回折法により該層の結晶性を確認した後、二層
目以降の銀薄膜及びＩＴＯ膜を形成した。なお、二層目
以降のＩＴＯ膜の形成も表１により行い、銀薄膜の形成
は全て表２に示す条件で行った。
μｍ厚のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィル
ム上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ｉ
ＴＯ（40nm）／銀（10nm）／ＩＴＯ（40nm）／銀（10n
m）／ＩＴＯ（40nm）／銀（10nm）／ＩＴＯ（40nm）か
らなる積層体を作製した。なお、ＩＴＯ膜の形成は表１
に示す反応性スパッタ法により行った。一層目のＩＴＯ
膜を形成した時点でホール測定法により抵抗率を測定
し、Ｘ線回折法により該層の結晶性を確認した後、二層
目以降の銀薄膜及びＩＴＯ膜を形成した。なお、二層目
以降のＩＴＯ膜の形成も表１により行い、銀薄膜の形成
は全て表２に示す条件で行った。
【００３３】〔比較例１〕ＩＴＯ成膜時のアルゴン分圧
を１．９７ｍＴｏｒｒ、酸素分圧を０．０３ｍＴｏｒｒ
とした以外は実施例１と同じ手法により積層体を作製し
た。 〔比較例２〕金属薄膜層に銀−金合金（重量比９０：１
０）を用いた以外は実施例１と同じ手法により積層体を
作製した。
を１．９７ｍＴｏｒｒ、酸素分圧を０．０３ｍＴｏｒｒ
とした以外は実施例１と同じ手法により積層体を作製し
た。 〔比較例２〕金属薄膜層に銀−金合金（重量比９０：１
０）を用いた以外は実施例１と同じ手法により積層体を
作製した。
【００３４】以上により作製した実施例１〜実施例３、
及び比較例１、比較例２により作製した積層体の可視光
透過率（波長：５５０ｎｍ）を分光光度計：Ｕ−３４０
０（日立製作所（株）製）により、シート抵抗は四端子
法により測定した。さらに、積層体を１５０℃に設定し
た台に置き、１００Ｗのハロゲンランプを積層体から１
０ｃｍ離して設置し光照射と加熱を同時に行い環境劣化
の促進試験を実施した。評価は試験開始後５００時間に
おける積層体の外観観察により、金属薄膜層の異常の有
無を判定した。その結果を表３、及び表４に掲げる。金
属薄膜層に銀−金合金を使用したものは、シート抵抗値
が高くなってしまっていることが分かる。
及び比較例１、比較例２により作製した積層体の可視光
透過率（波長：５５０ｎｍ）を分光光度計：Ｕ−３４０
０（日立製作所（株）製）により、シート抵抗は四端子
法により測定した。さらに、積層体を１５０℃に設定し
た台に置き、１００Ｗのハロゲンランプを積層体から１
０ｃｍ離して設置し光照射と加熱を同時に行い環境劣化
の促進試験を実施した。評価は試験開始後５００時間に
おける積層体の外観観察により、金属薄膜層の異常の有
無を判定した。その結果を表３、及び表４に掲げる。金
属薄膜層に銀−金合金を使用したものは、シート抵抗値
が高くなってしまっていることが分かる。
【００３５】
【表３】
【００３６】
【表４】
【００３７】
【発明の効果】本発明により、環境安定性に優れた積層
体を提供できる。本発明の積層体は液晶ディスプレイや
エレクトロクロミック表示体等の透明電極や熱線反射体
として好適に使用できる。
体を提供できる。本発明の積層体は液晶ディスプレイや
エレクトロクロミック表示体等の透明電極や熱線反射体
として好適に使用できる。
【図１】本発明の積層体の一例を示す構造断面図
【図２】本発明の積層体の一例を示す構造断面図
【図３】本発明の積層体の一例を示す構造断面図
【図４】ＩＴＯ膜の酸素分圧と比抵抗の関係を示すグラ
フ
フ
１０ 透明基体 ２０ 透明高屈折率層 ３０ 金属薄膜層 ４０ 透明高屈折率層 ５０ 金属薄膜層 ６０ 透明高屈折率層 ７０ 金属薄膜層 ８０ 透明高屈折率層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福田 信弘 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 透明基体（Ａ）の一方の主面上に、少な
くとも、透明高屈折率層（Ｂ）、金属薄膜層（Ｃ）、透
明高屈折率層（Ｄ）とを順次形成した、ＡＢＣＤなる構
成の積層体において、透明高屈折率層（Ｂ）及び透明高
屈折率層（Ｄ）に、高酸素濃度雰囲気下でスパッタリン
グ法により形成した、主としてインジウムとスズとから
なる、比抵抗が１×１０-2Ω・ｃｍ以上で非晶質の酸化
物薄膜を用いることを特徴とする積層体。 - 【請求項２】 透明基体（Ａ）の一方の主面上に、少な
くとも、透明高屈折率層（Ｂ）、金属薄膜層（Ｃ）、透
明高屈折率層（Ｄ）、金属薄膜層（Ｅ）、透明高屈折率
層（Ｆ）とを順次形成した、ＡＢＣＤＥＦなる構成の積
層体において、透明高屈折率層（Ｂ）、透明高屈折率層
（Ｄ）、及び透明高屈折率層（Ｆ）に、高酸素濃度雰囲
気下でスパッタリング法により形成した、主としてイン
ジウムとスズとからなる、比抵抗が１×１０-2Ω・ｃｍ
以上で非晶質の酸化物薄膜を用いることを特徴とする積
層体。 - 【請求項３】 透明基体（Ａ）の一方の主面上に、少な
くとも、透明高屈折率層（Ｂ）、金属薄膜層（Ｃ）、透
明高屈折率層（Ｄ）、金属薄膜層（Ｅ）、透明高屈折率
層（Ｆ）、金属薄膜層（Ｇ）、透明高屈折率層（Ｈ）と
を順次形成した、ＡＢＣＤＥＦＧＨなる構成の積層体に
おいて、透明高屈折率層（Ｂ）、透明高屈折率層
（Ｄ）、透明高屈折率層（Ｆ）、透明高屈折率層（Ｈ）
に、高酸素濃度雰囲気下でスパッタリング法により形成
した、主としてインジウムとスズとからなる、比抵抗が
１×１０-2Ω・ｃｍ以上で非晶質の酸化物薄膜を用いる
ことを特徴とする積層体。 - 【請求項４】 透明基体（Ａ）の一方の主面上に、少な
くとも、透明高屈折率層（Ｂ）、金属薄膜層（Ｃ）、透
明高屈折率層（Ｄ）、金属薄膜層（Ｅ）、透明高屈折率
層（Ｆ）、金属薄膜層（Ｇ）、透明高屈折率層（Ｈ）、
・・・、金属薄膜層（Ｇn-1 ）、透明高屈折率層（Ｈ
n-1 ）、金属薄膜層（Ｇn ）、透明高屈折率層（Ｈn ）
（ｎ＝１、２、・・・）とを順次形成した、ＡＢＣＤＥ
ＦＧＨ・・・Ｇn-1 Ｈn-1 Ｇn Ｈn なる構成の積層体に
おいて、透明高屈折率層（Ｂ）、透明高屈折率層
（Ｄ）、透明高屈折率層（Ｆ）、透明高屈折率層
（Ｈ）、・・・、透明高屈折率層（Ｈn-1 ）、透明高屈
折率層（Ｈn ）に、高酸素濃度雰囲気下でスパッタリン
グ法により形成した、主としてインジウムとスズとから
なる、比抵抗が１×１０-2Ω・ｃｍ以上で非晶質の酸化
物薄膜を用いることを特徴とする積層体。 - 【請求項５】 請求項１乃至４の何れかに記載の金属薄
膜層の少なくとも１つが、銀からなることを特徴とする
積層体。 - 【請求項６】 透明基体（Ａ）が透明な高分子成形体で
あることを特徴とする請求項１及至５の何れかに記載の
積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8082495A JPH09272172A (ja) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | 積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8082495A JPH09272172A (ja) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | 積層体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09272172A true JPH09272172A (ja) | 1997-10-21 |
Family
ID=13776081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8082495A Pending JPH09272172A (ja) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | 積層体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09272172A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7361963B2 (en) | 2004-12-15 | 2008-04-22 | Nippon Sheet Glass Company, Ltd. | Optical film |
| KR100840688B1 (ko) * | 2002-06-25 | 2008-06-24 | 삼성코닝정밀유리 주식회사 | 피디피 필터의 다층박막 구조 |
| CN103246385A (zh) * | 2012-02-10 | 2013-08-14 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 输入装置 |
| JP2014063634A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Konica Minolta Inc | 透明電極、及び電子デバイス |
| JP2020001232A (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-09 | ロック技研工業株式会社 | Ｉｔｏフィルム及び透明導電性フィルム |
-
1996
- 1996-04-04 JP JP8082495A patent/JPH09272172A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100840688B1 (ko) * | 2002-06-25 | 2008-06-24 | 삼성코닝정밀유리 주식회사 | 피디피 필터의 다층박막 구조 |
| US7361963B2 (en) | 2004-12-15 | 2008-04-22 | Nippon Sheet Glass Company, Ltd. | Optical film |
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