JPH09311463A

JPH09311463A - レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法

Info

Publication number: JPH09311463A
Application number: JP8125639A
Authority: JP
Inventors: Yasuo Kihara; 康夫木原; Koichi Hashimoto; 浩一橋本; Tatsuya Sekido; 達也関戸; Yuji Okawa; 雄士大川; Takeshi Matsumura; 健松村
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 1996-05-21
Filing date: 1996-05-21
Publication date: 1997-12-02

Abstract

(57)【要約】【課題】物品上の不要となつたレジスト膜画像を、そ
の種類や性状に関係なく、接着シ―ト類を用いて簡便に
かつ確実に除去し、また除去後に物品上にパ─テイクル
が残らなくなるようにする。【解決手段】レジスト除去用接着シ―ト類として、フ
イルム基材上に接着剤層を設け、この接着剤層中に０．
０１〜３重量％の界面活性剤を含ませてなるものを使用
し、この接着シ―ト類をレジスト膜画像が存在する物品
上に貼り付け、この接着シ―ト類が硬化型のものであれ
ばこれを硬化させたのち、この接着シ―ト類とレジスト
材とを一体に剥離して、物品上のレジスト材を除去す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体、回路、各
種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ムなどの微
細加工部品の製造に際して、不要となつたレジスト膜画
像（レジストパタ―ン）を除去する技術に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】半導体のデバイス製造においては、シリ
コンウエハ上にレジスト材を塗布し、通常のフオトプロ
セスにて所定のレジスト膜画像が形成される。これをマ
スクとして、エツチング後、不要となつたレジスト材が
除去され、所定の回路が形成される。ついで、つぎの回
路を形成するため、再度レジスト材を塗布するというサ
イクルが繰り返し行われる。また、各種基板に回路を形
成する場合も、レジスト膜画像の形成後、不要となつた
レジスト材が除去される。

【０００３】この際、不要となつたレジスト材の除去は
アツシヤ―（灰化手段）や溶剤、薬品などにて行われる
のが一般的である。しかし、レジスト材の除去にアツシ
ヤ―を用いると、作業に長時間を要したり、レジスト材
中の不純物がウエハに注入されるおそれがあり、また半
導体基板にダメ─ジを与えることがある。また、溶剤や
薬品を用いると、作業環境を害するという問題があつ
た。

【０００４】このため、レジスト膜画像の除去に際し、
高分子重合体の溶液を上記画像を有する半導体基板上に
塗布し、加熱乾燥などの特定の処理を施したのち、高分
子重合体とレジスト材とを一体に剥離する方法、高分子
重合体からなる接着シ―ト類をレジスト膜画像の上面に
貼り付け、加熱処理などの特定の処理を施したのち、こ
の接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離する方法な
どが提案された。とくに、後者の方法は、簡易な除去方
法として注目されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、接着シ―ト
類を用いる方法は、レジスト膜画像の種類や性状により
レジスト材の一部または微小部分が剥離されないで物品
上に残る場合があり、とくに半導体基板にイオンを注入
したり、半導体基板をドライエツチングしたのちレジス
ト材を除去する際には、全く除去されない場合があり、
接着シ─ト類による除去操作を２度、３度と繰り返す必
要があつた。しかも、レジスト材が剥離された基板上に
レジスト材や接着シ─ト類由来の微粒子状有機物質（以
下、パ─テイクルという）が多量に残るという問題もあ
つた。

【０００６】本発明は、上記の事情に照らし、物品上の
不要となつたレジスト膜画像を、その種類や性状に関係
なく、接着シ―ト類を用いて簡便にかつ確実に除去し、
また除去後に物品上にパ─テイクルが残らなくすること
を目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するため、鋭意検討した結果、接着シ―ト類と
して接着剤層中に界面活性剤を特定量含ませたものを用
いたときに、高いレジスト除去性が得られ、レジスト膜
画像を簡便にかつ確実に除去でき、物品上のパ─テイク
ルの数も低減できることを知り、本発明を完成するに至
つた。

【０００８】すなわち、本発明は、フイルム基材上に接
着剤層が設けられてなり、かつ上記の接着剤層中に０．
０１〜３重量％の界面活性剤が含まれていることを特徴
とするレジスト除去用接着シ―ト類（請求項１，２）
と、レジスト膜画像が存在する物品上に上記構成のレジ
スト除去用接着シ―ト類を貼り付け、この接着シ―ト類
が硬化型のものであればこれを硬化させたのち、この接
着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離して、物品上の
レジスト材を除去することを特徴とするレジスト除去方
法（請求項３）に係るものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明のレジスト除去用接着シ―
ト類において、フイルム基材としては、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレ─ト、アセチ
ルセルロ―スなどからなる厚さが通常１０〜１００μｍ
程度のプラスチツクフイルムが好ましく用いられる。と
くに接着剤層が光硬化型のものであるときは、紫外線な
どの光を透過するプラスチツクフイルムが選択使用され
る。

【００１０】このようなフイルム基材上に通常１０〜１
８０μｍ程度の接着剤層を形成し、シ―ト状やテ―プ状
などのレジスト除去用接着シ―ト類とする。ここで、接
着剤層中に０．０１〜３重量％、好ましくは０．０１〜
１重量％の界面活性剤を含ませると、レジスト材と接着
剤層との一体化に好結果が得られ、レジスト材の種類や
性状に関係なく、高いレジスト除去性と良好なパ─テイ
クル低減効果を発現できる。界面活性剤の量が０．０１
重量％より少ないか、あるいは３重量％より多くなる
と、いずれも上記効果が得られない。

【００１１】界面活性剤としては、アニオン系、ノニオ
ン系、カチオン系またはこれらの混合物のいずれでもよ
い。とくに好ましいのはフツ素系界面活性剤で、たとえ
ば、パ─フルオロアルキルスルホン酸のカリウム塩、パ
─フルオロアルキルポリオキシエチレンエタノ―ル、パ
─フルオロアルキルカルボン酸、パ─フルオロアルキル
第４級アンモニウムヨウ化物などを挙げることができ
る。

【００１２】他の界面活性剤としては、アニオン系界面
活性剤としてｐ−オクチルベンゼンスルホン酸ソ─ダ、
ラウリル酸ソ─ダなどが、ノニオン系界面活性剤として
ポリオキシエチレンノニルフエニルエ―テル、ポリオキ
シエチレンラウリルエ―テル、ポリオキシエチレンポリ
オキシプロピレンブロツクポリマ―などが、カチオン系
界面活性剤としてラウリルトリメチルアンモニウムクロ
ライド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルステアリルアミ
ド酢酸塩などが挙げられる。

【００１３】これらの界面活性剤を含ませる接着剤は、
通常感圧接着性を有し、かつ物品上のレジスト材との親
和性が良好なものであれば、その種類はとくに問われな
い。好ましくは、光照射などにより硬化してレジスト材
と一体となる硬化型接着剤を用いるのがよく、中でも、
高分子重合体に光重合性化合物と光重合開始剤を含ませ
てなる光硬化型接着剤が好ましく用いられる。

【００１４】高分子重合体は、感圧性接着剤に適用され
る公知の各種重合体がいずれも使用可能である。通常
は、重量平均分子量が６千〜１００万の重合体が用いら
れ、アクリル酸などの単量体をラジカル重合して得られ
る。分子量が低すぎると、接着剤層とレジスト材とを一
体に剥離する際に、皮膜強度が十分でないため、破断や
凝集破壊を生じるおそれがあり、レジスト材を十分に剥
離することが難しい。また、分子量が高すぎると、取り
扱い上の問題を生じやすい。

【００１５】このような高分子重合体の中でも、とくに
アクリル酸アルキルエステルおよび／またはメタクリル
酸アルキルエステルを主単量体としたアクリル系重合体
が好ましく用いられる。このアクリル系重合体は、アク
リル酸アルキルエステルおよび／またはメタクリル酸ア
ルキルエステル、つまりアクリル酸やメタクリル酸と炭
素数が通常１２以下のアルコ―ル類とのエステルを主単
量体とし、必要によりカルボキシル基ないし水酸基含有
単量体やその他の改質用単量体を用いて、これらの単量
体を常法により溶液重合、乳化重合、懸濁重合、塊状重
合などの方法で重合させることにより、得ることができ
る。

【００１６】上記のカルボキシル基含有単量体として
は、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸などが、水
酸基含有単量体としては、ヒドロキシエチル（メタ）ア
クリレ─ト、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレ─ト
などが、それぞれ用いられる。また、その他の改質用単
量体としては、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、スチ
レン、（メタ）アクリロニトリル、アクリルアミド、グ
リシジルメタクリレ─トなどを挙げることができる。

【００１７】光重合性化合物は、光照射により硬化しう
る不飽和二重結合を１個以上有する不揮発性化合物であ
り、ここで、不揮発性とは、接着剤の製造工程、たとえ
ば塗布工程や乾燥工程などにおいて、この化合物が簡単
に揮散してしまうことがないことを意味している。この
光重合性化合物の使用量は、高分子重合体１００重量部
あたり、通常２００重量部以下とするのがよい。この使
用量が過多となると、保存時に接着剤が流れ出すため、
好ましくない。

【００１８】このような重合性化合物としては、たとえ
ば、フエノキシポリエチレングリコ―ル（メタ）アクリ
レ─ト、ε−カプロラクトン（メタ）アクリレ─ト、ポ
リエチレングリコ―ルジ（メタ）アクリレ─ト、ポリプ
ロピレングリコ―ルジ（メタ）アクリレ─ト、トリメチ
ロ─ルプロパントリ（メタ）アクリレ─ト、ジペンタエ
リスリト─ルヘキサ（メタ）アクリレ─ト、ウレタン
（メタ）アクリレ─ト、エポキシ（メタ）アクリレ─
ト、オリゴエステル（メタ）アクリレ─トなどが挙げら
れ、これらの中から、１種または２種以上が用いられ
る。

【００１９】光重合開始剤は、紫外線などの光照射によ
りラジカルを発生するものであり、ベンゾイン、ベンゾ
インエチルエ―テル、ジベンジルなどの公知の光重合開
始剤をいずれも使用できる。これらの光重合開始剤は、
高分子重合体１００重量部あたり、通常０．１〜１０重
量部の範囲で使用される。

【００２０】これらの成分からなる光硬化型接着剤は、
弾性率が光硬化前で０．０５〜１kg／mm²、光硬化後で
１〜５００kg／mm²となるように、各成分の種類や量を
決めるのが望ましい。光硬化前つまり貼り付け時の弾性
率が小さすぎると保存時に接着剤が流れ出すおそれがあ
り、逆に大きすぎると貼り付け時にレジスト材との一体
化が不十分となつて、レジスト除去性に劣りやすい。ま
た、光硬化後の弾性率が小さすぎるとレジスト除去性に
劣り、大きすぎると接着剤層の切断が生じやすくなつ
て、レジスト除去性にやはり劣ることになる。

【００２１】本発明のレジスト除去方法においては、ま
ず、レジスト膜画像が存在する半導体ウエハなどの物品
上に、上記構成の接着シ―ト類を貼り付ける。その際、
接着剤層中に界面活性剤が含まれているため、接着剤層
とレジスト材とは容易に一体化する。この一体化を促進
するため、貼り付け時に加熱および／または加圧しても
よい。このように一体化させたのち、接着シ―ト類が硬
化型のものであればこれを硬化させたのち、とくに光硬
化型のものでは紫外線を３００〜３，０００mj／cm² 程
度の照射量で照射して光硬化させたのち、この接着シ―
ト類とレジスト材とを一体に剥離して、物品上のレジス
ト材を除去する。

【００２２】この除去操作によると、物品上のレジスト
膜画像は、その種類や性状に関係なく、たとえばイオン
の注入などによりレジスト材が変質などしているときで
も、レジスト材の一部または微小部分が剥離されないで
物品上に残るといつた心配がなく、簡便な操作にて確実
に剥離除去できる。しかも、このようにレジスト材が剥
離除去された物品の表面にレジスト材や接着シ─ト類由
来のパ─テイクルが残るという心配も少なく、その後の
洗浄工程も容易である。

【００２３】

【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。なお、実施例で剥離除去の対象とした
レジスト膜画像Ａは、つぎの参考例１の方法により半導
体ウエハ上に形成されたものである。

【００２４】参考例１シリコンウエハ（５インチの半導体基板）の表面にノボ
ラツクとナフトキノンジアジドからなるレジスト材を塗
布し、加熱、露光、現像を行い、これを全表面に形成し
たのち、Ｐ⁺イオンを加速エネルギ―８０ＫｅＶでド─
ズ量１×１０¹⁶ｉｏｎｓ／cm²の濃度で全面に注入し
た。このように形成したシリコンウエハ上の画像を、レ
ジスト膜画像Ａとした。

【００２５】実施例１ポリアクリル酸（重量平均分子量５２万）６０ｇ、界面
活性剤としてパ―フルオロアルキルポリオキシエチレン
エタノ―ル（住友スリ─エム社製の商品名「ＦＣ−１７
０Ｃ」）０．０５ｇ、ポリエチレングリコ―ルジアクリ
レ―ト６０ｇ、光重合開始剤２ｇのメタノ―ル溶液を、
厚さが５０μｍのポリエステルフイルムからなるフイル
ム基材上に塗布し、乾燥オ─ブンにて７０℃および１３
０℃で各々３分間乾燥して、厚さが５０μｍの接着剤層
を形成し、光硬化型のレジスト除去用接着シ―トを作製
した。

【００２６】つぎに、半導体ウエハ上のレジスト膜画像
Ａに、上記の接着シ―トを加熱下、圧着ロ─ルにより貼
り付けたのち、高圧水銀ランプにより、紫外線を１Ｊ／
cm²の照射量で照射し、接着シ―トを硬化させた。その
後、この接着シ―トと上記画像Ａとを一体に剥離して、
ウエハ上から上記画像Ａを除去した。

【００２７】実施例２アクリル酸ブチル／アクリル酸／アクリロニトリル＝８
０／５／１５（重量比）の共重合体（重量平均分子量４
２万）６０ｇ、界面活性剤としてパ―フルオロアルキル
カルボン酸（住友スリ─エム社製の商品名「ＦＣ−１２
９」）０．０３ｇ、ポリエチレングリコ―ルジメタクリ
レ―ト４５ｇ、光重合開始剤２ｇの酢酸エチル溶液を使
用し、他は実施例１と全く同様にして、光硬化型のレジ
スト除去用接着シ―トを作製した。また、この接着シ―
トを用いて、実施例１と全く同様にして、レジスト膜画
像Ａの剥離除去を行つた。

【００２８】比較例１界面活性剤（パ―フルオロアルキルポリオキシエチレン
エタノ―ル）の使用量を５ｇに変更した以外は、実施例
１と全く同様にして、光硬化型のレジスト除去用接着シ
―トを作製した。また、この接着シ―トを用いて、実施
例１と全く同様にして、レジスト膜画像Ａの剥離除去を
行つた。

【００２９】比較例２界面活性剤（パ―フルオロアルキルカルボン酸）の使用
を省いた以外は、実施例２と全く同様にして、光硬化型
のレジスト除去用接着シ―トを作製した。また、この接
着シ―トを用いて、実施例１と全く同様にして、レジス
ト膜画像Ａの剥離除去を行つた。

【００３０】上記の実施例１，２および比較例１，２に
よるレジスト膜画像Ａの剥離除去の結果について、その
レジスト除去性を下記の基準で評価した。また、剥離除
去後の半導体ウエハ表面のパ―テイクル数として、レ─
ザ─表面検査装置〔日立電子エンジニアリング（株）製
の商品名「ＬＳ−５０００」〕によりウエハ表面に付着
する０．２μｍ以上の異物数〔５インチウエハ１枚（ウ
エハ面積１２３cm²）あたり〕をカウントし、下記の基
準で評価した。

【００３１】＜レジスト除去性＞ ◎：レジストが全く認められない。 ○：レジストが痕跡量認められる。 △：レジストが部分的にしか除去されない。 ×：レジストが全く除去されない。

【００３２】＜パ―テイクル数＞Ａ：１００個未満であるＢ：１００〜１，０００個であるＣ：１，０００個より多い

【００３３】

【００３４】上記の表１の結果から明らかなように、本
発明の実施例１，２の接着シ―トを用いることにより、
レジスト膜画像Ａの除去性に好結果が得られており、ま
た剥離除去後の半導体ウエハ表面のパ―テイクル数も大
きく低減されている。

【００３５】

【発明の効果】以上のように、本発明は、レジスト除去
用接着シ―ト類として、接着剤層中に界面活性剤を特定
量含ませたものを用いるようにしたことにより、半導体
ウエハなどの物品上の不要となつたレジスト膜画像を、
その種類や性状に関係なく、簡便にかつ確実に除去する
ことができ、しかも、上記除去後に物品上のパ─テイク
ルの数も低減できるという効果が奏される。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大川雄士大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内 (72)発明者松村健大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フイルム基材上に接着剤層が設けられて
なり、かつ上記の接着剤層中に０．０１〜３重量％の界
面活性剤が含まれていることを特徴とするレジスト除去
用接着シ―ト類。
【請求項２】界面活性剤がフツ素系界面活性剤である
請求項１に記載のレジスト除去用接着シ―ト類。
【請求項３】レジスト膜画像が存在する物品上に、請
求項１または２に記載の接着シ―ト類を貼り付け、この
接着シ―ト類が硬化型のものであればこれを硬化させた
のち、この接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離し
て、物品上のレジスト材を除去することを特徴とするレ
ジスト除去方法。