JPH0934133A - レジストの除去方法 - Google Patents

レジストの除去方法

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JPH0934133A
JPH0934133A JP7206472A JP20647295A JPH0934133A JP H0934133 A JPH0934133 A JP H0934133A JP 7206472 A JP7206472 A JP 7206472A JP 20647295 A JP20647295 A JP 20647295A JP H0934133 A JPH0934133 A JP H0934133A
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孝幸 山本
Yasuo Kihara
康夫 木原
Takeshi Matsumura
健 松村
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  • Adhesive Tapes (AREA)
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  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体の製造や回路の作製などにおいて、半
導体基板などの物品上の不要となつたレジスト材を、接
着シ―ト類を用いて確実に除去する。 【構成】 レジストパタ―ンが存在する物品上に、接着
剤からなる層を設け、この層とレジスト材とを一体に剥
離するレジストの除去方法において、上記の剥離に先立
ち、接着剤からなる層を軟化状態から硬化ないし固化状
態に変化させる密着付与処理を施して、この層のレジス
ト材への密着性を高める。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体、回路、各
種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ムなどの微
細加工部品の製造に際し、半導体基板などの物品上の不
要となつたレジスト材を除去する方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】半導体のデバイス製造では、ウエハ上に
レジスト材を塗布し、通常のフオトプロセスにてレジス
トパタ―ンからなる画像を形成し、これをマスクとして
エンツチングしたのち、不要となつたレジスト材を除去
して回路を形成する。つぎの回路を形成するため、再度
レジスト材を塗布し、画像形成−エツチング−レジスト
材の除去というサイクルを繰り返し行う。各種基板に回
路を形成する場合も、レジストパタ―ンの形成後、不要
となつたレジスト材を除去する。
【0003】ここで、不要となつたレジスト材の除去
は、アツシヤ―(灰化手段)や、溶剤(剥離液)などで
行われるのが一般的である。しかしながら、レジスト材
の除去にアツシヤ―を用いると、作業に長時間を要した
り、レジスト材中の不純物イオンがウエハに注入される
おそれがあり、好ましくない。また、溶剤を用いると、
作業環境を害するという問題があつた。
【0004】そこで、本件出願人は、たとえば、特開平
4−345015号公報において、レジスト材の除去
に、シ―ト状やテ―プ状などの接着シ―ト類を用い、こ
れをレジストパタ―ンの上面に貼り付けたのち、レジス
ト材と一体に剥離するという方法を提案している。この
方法によれば、レジスト材中の不純物イオンがウエハに
注入されたり、作業環境を害するといつた問題は回避さ
れる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、本発明者らの
検討によると、上記の接着シ―ト類を用いる方法では、
除去されるべきレジスト材の一部または微小部分が剥離
されないでそのまま物品上に残ることがあり、全面残さ
ず剥離除去することが難しかつた。
【0006】したがつて、本発明は、物品上の不要とな
つたレジスト材を、接着シ―ト類を用いて確実に除去す
る方法を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的に対し、鋭意検討した結果、接着シ―ト類の剥離操作
において、レジスト材が剥離されないまま部分的に残る
のは、接着剤からなる層がレジスト材に対し十分に密着
していないことが原因であると考え、この考えに基づ
き、剥離操作前に、特定の密着付与処理を施すようにし
たところ、上記のような剥離性不良の問題が回避され、
レジスト材の確実な剥離除去を達成できることを知り、
本発明を完成するに至つた。
【0008】すなわち、本発明は、レジストパタ―ンが
存在する物品上に、接着剤からなる層を設け、この層と
レジスト材とを一体に剥離するレジストの除去方法にお
いて、上記の剥離に先立ち、接着剤からなる層を軟化状
態から硬化ないし固化状態に変化させる密着付与処理を
施して、この層のレジスト材への密着性を高めておくこ
とを特徴とするレジストの除去方法に係るものである。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明のレジストの除去方法にお
いては、まず、レジストパタ―ンが存在する物品上に、
接着剤からなる層を設ける。この設け方は、接着剤を上
記物品上に直接塗布する方式で行つてもよいし、あらか
じめ接着剤よりシ―ト状やテ―プ状などの形態とした接
着シ―ト類を作製し、この接着シ―ト類を上記物品に貼
り合わせるようにしてもよい。接着剤からなる層の厚さ
は、とくに限定されないが、通常は約10〜200μm
である。
【0010】ここで、接着剤からなる層を補強するため
に、基材を使用してもよい。基材の使用により、剥離操
作時の上記層の破断が防がれ、レジスト材の効率的な剥
離が容易となる。基材を使用する場合、接着剤を物品上
に直接塗布する方式では、その塗布面に裏打ち材として
基材を貼り合わせればよい。また、接着シ―ト類を貼り
合わせる方式では、基材上に接着剤からなる層を設けて
シ―ト状やテ―プ状などの接着シ―ト類を作製しておけ
ばよい。
【0011】基材の材質には、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリエチレンテレフタレ―ト、アセチルセルロ
―ス、ポリイミド、紙、木綿、硬質ないし軟質のアルミ
ニウム、ステンレス、ガラスなどがある。基材の形状に
は、フイルム、板状のものがあるが、とくに好ましいの
は多孔質の基材である。多孔質の基材は、基材と接着剤
からなる層との結合力を高め、レジスト剥離時に基材と
上記層との投錨破壊を防ぐことができる。また、接着剤
からなる層を紫外線などの光の照射により硬化させると
きには、光透過性の基材が用いられる。
【0012】接着剤は、尿素樹脂、フエノ―ル樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリイソシアネ―ト、ポリ酢酸ビニル、ポ
リビニルアセタ―ル、ポリビニルアルコ―ル、ポリ(メ
タ)アクリル酸エステル、ポリシアノアクリル酸エステ
ル、ポリアミド、各種天然高分子などの熱硬化性樹脂や
熱可塑性樹脂を、接着性ポリマ―として使用したもの、
これらに重合性単量体やオリゴマ―、さらに光ないし熱
重合開始剤などを加えたものなど、公知の接着剤を広く
使用できる。
【0013】本発明においては、物品上にこのような接
着剤からなる層を設け、これを剥離する前に、接着剤の
種類に応じた適宜の密着付与処理、すなわち、接着剤か
らなる層を軟化状態から硬化ないし固化状態に変化させ
る密着付与処理を施すことを大きな特徴とする。ここ
で、上記の“軟化状態”とは、粘度が1012ポアズ以下
になる状態を指している。
【0014】このような密着付与処理のひとつとして、
常態において軟化状態にある硬化性の接着剤からなる層
を光照射または加熱により硬化状態とする処理方式があ
る。この処理方式では、光照射または加熱により硬化す
るタイプのもので、常態において軟化状態にある接着剤
を使用し、これをこの状態のまま層形成して、その剥離
操作前に硬化させるものである。
【0015】密着付与処理の他のひとつとして、接着剤
からなる層を接着性ポリマ―のガラス転移点以上の温度
に加熱して軟化状態(10秒以下のうちに流動)とした
のち、上記ポリマ―のガラス転移点より低い温度に冷却
して固化状態とする処理方式がある。この処理方式は、
接着性ポリマ―として熱可塑性樹脂を選択し、これを用
いた接着剤からなる層に熱を加えて軟化させるととも
に、その剥離操作前に冷却して固化させるものである。
【0016】密着付与処理のさらに他のひとつとして、
接着剤からなる層を水もしくは溶剤により膨潤または溶
解して軟化状態(10秒以下のうちに流動)としたの
ち、水もしくは溶剤を乾燥除去して固化状態とする処理
方式がある。この処理方式では、接着性ポリマ―として
水もしくは溶剤により膨潤または溶解する性質を有する
ものが選択され、溶剤としては各種の有機溶剤を使用で
きる。水もしくは溶剤は、物品上のレジスト材の表面に
接着剤からなる層を設ける前に、接着剤中にあらかじめ
含ませておいてもよいし、上記層を設けたのちに供給す
るようにしてもよい。供給方式は、物品表面への供給、
上記層表面への供給のいずれでもよい。基材として多孔
質のものを用いると、上記供給が容易となり、またその
乾燥除去も容易となるため、好ましい。水もしくは溶剤
は、液状で供給してもよいし、蒸気として供給してもよ
い。
【0017】このような密着付与処理を施すと、接着剤
からなる層のレジスト材への密着性が著しく高められ
る。この状態で、上記の層を基材を有するときはこの基
材と一緒に剥離操作することにより、物品上のレジスト
材は、この層と一体となつて、簡単かつ完全に剥離除去
される。すなわち、この剥離操作によれば、物品上にレ
ジスト材が部分的に残るといつた問題はもはや生じな
い。
【0018】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。
【0019】実施例1 1リツトルの撹拌機付きフラスコに、2−エチルヘキシ
ルアクリレ―ト37.5g、メチルアクリレ―ト22.
5g、アクリル酸90g、メタノ―ル225gを仕込
み、窒素ガス雰囲気下、60℃に昇温し、重合開始剤と
してアゾビスイソブチロニトリル0.3gを入れ、8時
間重合した。重合率はほぼ100重量%で、得られたポ
リマ―の重量平均分子量は20万であつた。このポリマ
―溶液を、厚さが50μmのポリエステルフイルムの上
に、乾燥後の厚さが40μmとなるように塗布し、14
0℃で5分間乾燥して、接着シ―トを作製した。
【0020】一方、シリコンウエハ(半導体基板)の表
面に、ノボラツクとナフトキノンジアジドからなるレジ
スト材を塗布し、加熱、露光および現像を行い、レジス
トパタ―ンをウエハの全表面に形成したのち、Asイオ
ンを加速エネルギ―80KeVでド―ズ量1×1016
ons/cm3 の濃度で全面に注入した。
【0021】このシリコンウエハ上のレジストパタ―ン
の全面に、上記の接着シ―トを貼り付け、80℃のホツ
トプレ―ト上に1分間のせて加熱することにより、感圧
性接着剤の層を軟化状態としたのち、室温(20℃)に
戻して固化した。その後、この接着シ―トを剥離する
と、レジスト材が一体に剥離除去された。シリコンウエ
ハの表面を蛍光顕微鏡で観察したところ、ウエハ表面に
付着残存するレジスト材は全く認められなかつた。
【0022】実施例2 紫外線硬化性エポキシ樹脂を、厚さ100μmのポリエ
チレン不織布からなる基材上に、厚さが40μmとなる
ように塗布し、接着シ―トを作製し、これを、実施例1
の方法でシリコンウエハ上に形成しかつAsイオンを全
面に注入したレジストパタ―ンの全面に、貼り付け、6
00mj/cm2 の紫外線を照射して、エポキシ樹脂を硬
化させた。その後、この接着シ―トを剥離すると、レジ
スト材が一体に剥離除去された。シリコンウエハの表面
を蛍光顕微鏡で観察したところ、ウエハ表面に付着残存
するレジスト材は全く認められなかつた。
【0023】実施例3 重量平均分子量41万のポリアクリル酸を濃度が20重
量%となるように蒸留水に溶解し、この溶液を、厚さが
80μm、密度が縦横共に40本/インチのガラスクロ
スに坪量が50g/m2となるように塗布し、接着シ―ト
を作製した。実施例1の方法でシリコンウエハ上に形成
しかつAsイオンを全面に注入したレジストパタ―ンの
全面に、蒸留水をスポイドによつてウエハ全体にいきわ
たるように滴下したうえで、上記の接着シ―トを貼り付
け、この状態でウエハを100℃のホツトプレ―ト上に
5分間のせて加熱することにより、蒸留水を乾燥させて
ポリアクリル酸を固化させのち、室温(20℃)に戻し
た。その後、この接着シ―トを剥離すると、レジスト材
が一体に剥離除去された。シリコンウエハの表面を蛍光
顕微鏡で観察したところ、ウエハ表面に付着残存するレ
ジスト材は全く認められなかつた。
【0024】実施例4 実施例1の方法でシリコンウエハ上に形成しかつAsイ
オンを全面に注入したレジストパタ―ンの全面に、実施
例3で作製した接着シ―トを接触させ、この状態で上か
ら120℃に加熱したスチ―ムアイロンを用いてスチ―
ムを当てながら約3分間加熱圧着し、ウエハを100℃
のホツトプレ―ト上に5分間のせて水を乾燥させてポリ
アクリル酸を固化させたのち、室温(20℃)に戻し
た。その後、この接着シ―トを剥離すると、レジスト材
が一体に剥離除去された。シリコンウエハの表面を蛍光
顕微鏡で観察したところ、ウエハ表面に付着残存するレ
ジスト材は全く認められなかつた。
【0025】実施例5 実施例1の方法でシリコンウエハ上に形成しかつAsイ
オンを全面に注入したレジストパタ―ンの全面に、メタ
ノ―ルをスポイドによつてウエハ全体にいきわたるよう
に滴下したうえで、実施例1で作製した接着シ―トを接
触させ、この状態でウエハを100℃のホツトプレ―ト
上に5分間のせて加熱することにより、メタノ―ルを乾
燥させてポリマ―を固化させのち、室温(20℃)に戻
した。その後、この接着シ―トを剥離すると、レジスト
材が一体に剥離除去された。シリコンウエハの表面を蛍
光顕微鏡で観察したところ、ウエハ表面に付着残存する
レジスト材は全く認められなかつた。
【0026】比較例1 実施例1の方法でシリコンウエハ上に形成しかつAsイ
オンを全面に注入したレジストパタ―ンの全面に、実施
例1で作製した接着シ―トを、室温(20℃)下でハン
ドロ―ラを用いて貼り付けた。その後、この接着シ―ト
を剥離してみたところ、レジスト材は全く剥離されなか
つた。
【0027】比較例2 実施例1の方法でシリコンウエハ上に形成しかつAsイ
オンを全面に注入したレジストパタ―ンの全面に、実施
例2で作製した接着シ―トを、室温(20℃)下でハン
ドロ―ラを用いて貼り付けた。その後、この接着シ―ト
を剥離してみようとしたところ、接着シ―ト中のエポキ
シ樹脂が大部分残存して、レジスト材は全く剥離されな
かつた。
【0028】比較例3 実施例1の方法でシリコンウエハ上に形成しかつAsイ
オンを全面に注入したレジストパタ―ンの全面に、実施
例3で作製した接着シ―トを、室温(20℃)下でハン
ドロ―ラを用いて貼り付けた。その後、この接着シ―ト
を剥離してみたところ、レジスト材は全く剥離されなか
つた。
【0029】
【発明の効果】以上のように、本発明のレジストの除去
方法によれば、物品上の不要となつたレジスト材を簡単
な方法で確実に除去できるから、半導体の製造工程や、
その他液晶などの各種の分野に利用することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C09J 5/00 JGT C09J 5/00 JHB JHB 6921−4E H05K 3/22 Z H05K 3/22 H01L 21/30 572Z

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レジストパタ―ンが存在する物品上に、
    接着剤からなる層を設け、この層とレジスト材とを一体
    に剥離するレジストの除去方法において、上記の剥離に
    先立ち、接着剤からなる層を軟化状態から硬化ないし固
    化状態に変化させる密着付与処理を施して、この層のレ
    ジスト材への密着性を高めておくことを特徴とするレジ
    ストの除去方法。
  2. 【請求項2】 密着付与処理として、常態において軟化
    状態にある硬化性の接着剤からなる層を光照射または加
    熱により硬化状態とする請求項1に記載のレジストの除
    去方法。
  3. 【請求項3】 密着付与処理として、接着剤からなる層
    を接着性ポリマ―のガラス転移点以上の温度に加熱して
    軟化状態としたのち、上記ポリマ―のガラス転移点より
    低い温度に冷却して固化状態とする請求項1に記載のレ
    ジストの除去方法。
  4. 【請求項4】 密着付与処理として、接着剤からなる層
    を水もしくは溶剤により膨潤または溶解して軟化状態と
    したのち、水もしくは溶剤を乾燥除去して固化状態とす
    る請求項1に記載のレジストの除去方法。
  5. 【請求項5】 接着剤からなる層を基材により補強して
    なる請求項1〜4のいずれかに記載のレジストの除去方
    法。
  6. 【請求項6】 基材が多孔質である請求項5に記載のレ
    ジストの除去方法。
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