JPH09312203A - 酸化亜鉛系磁器組成物とその製造方法及び酸化亜鉛系バリスタ - Google Patents
酸化亜鉛系磁器組成物とその製造方法及び酸化亜鉛系バリスタInfo
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- JPH09312203A JPH09312203A JP8128859A JP12885996A JPH09312203A JP H09312203 A JPH09312203 A JP H09312203A JP 8128859 A JP8128859 A JP 8128859A JP 12885996 A JP12885996 A JP 12885996A JP H09312203 A JPH09312203 A JP H09312203A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電気特性及び直流負荷及びサージに対する信頼
性に優れた高電圧用酸化亜鉛バリスタを、750℃〜1050
℃程度の低温度の焼結で高歩留まりで製造し得る酸化亜
鉛系磁器組成物及びその製造方法を提供する。 【解決手段】酸化亜鉛粉末100重量部に対して、B2O3,Cr
2O3,GeO2,La2O3,MgO,Nb2O5,Nd2O3,PbO,PrO,Sb2O3,SiO2,
SnO2,Ta2O5,WO3,及びY2O3から選ばれる少なくとも一つ
の粉末と、Bi2O3粉末との混合物を400℃〜700℃の範囲
で熱処理し粉砕して合成粉とし、この合成粉末を0.5〜2
0重量部と、CoO,MnO2及びNiOから選ばれる少なくとも1
つの鉄族酸化物粉末を0.1〜5.0重量部添加して粉砕し、
バインダーを添加してシートを形成し、表面に銀ペース
トを塗布して4枚積層し、840℃の温度で一体焼結する。
積層タイプの酸化亜鉛バリスタ20は、内部銀電極21、対
向内部銀電極22、有効層23、無効層24、外部銀電極25で
構成される。
性に優れた高電圧用酸化亜鉛バリスタを、750℃〜1050
℃程度の低温度の焼結で高歩留まりで製造し得る酸化亜
鉛系磁器組成物及びその製造方法を提供する。 【解決手段】酸化亜鉛粉末100重量部に対して、B2O3,Cr
2O3,GeO2,La2O3,MgO,Nb2O5,Nd2O3,PbO,PrO,Sb2O3,SiO2,
SnO2,Ta2O5,WO3,及びY2O3から選ばれる少なくとも一つ
の粉末と、Bi2O3粉末との混合物を400℃〜700℃の範囲
で熱処理し粉砕して合成粉とし、この合成粉末を0.5〜2
0重量部と、CoO,MnO2及びNiOから選ばれる少なくとも1
つの鉄族酸化物粉末を0.1〜5.0重量部添加して粉砕し、
バインダーを添加してシートを形成し、表面に銀ペース
トを塗布して4枚積層し、840℃の温度で一体焼結する。
積層タイプの酸化亜鉛バリスタ20は、内部銀電極21、対
向内部銀電極22、有効層23、無効層24、外部銀電極25で
構成される。
Description
【発明の属する技術分野】本発明は酸化亜鉛系磁器組成
物とその製造方法に関する。詳しくは、電気回路中のサ
ージ吸収などに用いられる酸化亜鉛バリスタを作製する
ための酸化亜鉛系磁器組成物とその製造方法に関する。
物とその製造方法に関する。詳しくは、電気回路中のサ
ージ吸収などに用いられる酸化亜鉛バリスタを作製する
ための酸化亜鉛系磁器組成物とその製造方法に関する。
【従来の技術】酸化亜鉛(ZnO)バリスタは、酸化亜鉛と
基本添加物である酸化ビスマス、二酸化マンガン及び酸
化コバルトと、さらに性能向上のために添加される各種
の酸化物とを含む酸化亜鉛原料粉末を焼成することによ
って得られる酸化亜鉛系磁器組成物の焼結体を用いて製
造される。酸化亜鉛バリスタの立ち上がり電圧は、電極
間に存在する粒界の数にほぼ比例して上昇することが知
られている。すなわち、1つの粒界当たり3から4ボル
ト立ち上がり電圧は上昇する。従って、高電圧用の酸化
亜鉛バリスタを製造するためには、平均粒径4〜40μ
m程度の粒径の小さいZnO粒子を有する焼結体を製造
することが必要である。そこで従来は、高電圧用の酸化
亜鉛バリスタを製造するためには酸化アンチモン(Sb
2O3)などのZnO粒子の成長抑制材を添加することに
よって、ZnO粒子の成長を抑制する方法が用いられて
きた。なお、立ち上がり電圧とは、バリスタに1mAの
電流を流した時の両端子間の電圧をいいV1mA で表す。
そして厚みが1mmの試料に1mAの電流を流した時の
端子間の電圧をこの材料の定数の1つとし、V1mA/mmで
表している。これは試料1mm厚み当たりの立ち上がり
電圧ということになる。
基本添加物である酸化ビスマス、二酸化マンガン及び酸
化コバルトと、さらに性能向上のために添加される各種
の酸化物とを含む酸化亜鉛原料粉末を焼成することによ
って得られる酸化亜鉛系磁器組成物の焼結体を用いて製
造される。酸化亜鉛バリスタの立ち上がり電圧は、電極
間に存在する粒界の数にほぼ比例して上昇することが知
られている。すなわち、1つの粒界当たり3から4ボル
ト立ち上がり電圧は上昇する。従って、高電圧用の酸化
亜鉛バリスタを製造するためには、平均粒径4〜40μ
m程度の粒径の小さいZnO粒子を有する焼結体を製造
することが必要である。そこで従来は、高電圧用の酸化
亜鉛バリスタを製造するためには酸化アンチモン(Sb
2O3)などのZnO粒子の成長抑制材を添加することに
よって、ZnO粒子の成長を抑制する方法が用いられて
きた。なお、立ち上がり電圧とは、バリスタに1mAの
電流を流した時の両端子間の電圧をいいV1mA で表す。
そして厚みが1mmの試料に1mAの電流を流した時の
端子間の電圧をこの材料の定数の1つとし、V1mA/mmで
表している。これは試料1mm厚み当たりの立ち上がり
電圧ということになる。
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高電圧
用、高性能の酸化亜鉛バリスタを得るには、1150℃
〜1300℃の高い焼結温度を必要とした。高い焼結温
度は電力消費のみならず、酸化ビスマスなどの激しい飛
散とそれに伴う炉材や容器の消耗をもたらし、焼結温度
の低温度化が要望されていた。すなわち、これらの高い
温度で焼成すると大気中においても酸化ビスマス等の蒸
発は活発である。また、酸化ビスマスは多くの物質と反
応しやすく、炉材や容器などのセラミックスなど多くの
物質を容易に腐食する。また、炉内の試料の置かれた場
所により、温度、昇温速度、Bi2O3やSb2O3の蒸気圧など
に差が生じ、これらを均一に保つことが困難で、バラツ
キを生ずる。一方、従来の酸化亜鉛バリスタを製造する
ための酸化亜鉛系磁器組成物の配合組成で焼成温度を低
くすると、十分な焼結が行われず、立ち上がり電圧が急
激に高くなり、ZnOの粒径にバラツキが生じ非直線抵
抗特性が低下する。また、電力負荷、パルス電流負荷な
どに対して寿命が短くなる。また従来の製造方法では、
酸化亜鉛原料粉末にたとえば酸化ビスマス、酸化アンチ
モン、酸化クロム、あるいは酸化ホウ素など、配合する
すべての成分をそのまま混合して焼成していたので、複
雑な反応が生じ、酸化アンチモンと酸化亜鉛とが先に反
応する部分、酸化ビスマスと酸化アンチモンが先に反応
する部分等が存在することになる。また、酸化ホウ素は
焼結温度を低温化するため利用されるが、昇温プロセス
で早くから液相を形成して互いに集まる傾向があり、品
質を不均一にし品質のバラツキが発生する原因になりや
すい。特に酸化アンチモンは容易に昇華して酸化亜鉛粒
子の表面を覆い、そしてZnOと反応して粒成長を抑制
する働きをする。その結果、焼結体において、粒成長が
促進されない部分と促進される部分が混在してしまうこ
とになり、従来の製造方法では、粒径のそろった焼結体
を製造することが困難であった。従って、品質の不均一
やロット間の品質のバラツキが生じやすい。ZnOバリ
スタの磁器の基本組成である酸化亜鉛−酸化ビスマス系
には740℃の共晶温度を持つ共晶組成があるので、こ
の2者は容易に反応するが、添加物の中にはこの反応を
妨げるものがある。それらは、添加物そのものが上記2
者の接触を妨げる場合。添加物が酸化亜鉛と反応して化
学的に安定な物質を形成する場合がある。後者の例とし
て、Zn2SnO4,Zn2SiO4 ,Zn2TiO4 ,Zn 2
GeO4 ,Cr2ZnO4,Mn2ZnO4,Zn3Nb2O8 な
どがある。さらに、ZnOの異常粒成長を充分に制御す
ることが困難であったので、一つの製造ロットから得ら
れる酸化亜鉛バリスタの間の電気特性及び信頼性のバラ
ツキ(ロット内バラツキ)が大きいという問題があっ
た。また、異なる製造ロットから得られる酸化亜鉛バリ
スタの間の電気特性及び信頼性のバラツキ(ロット間バ
ラツキ)も大きいという問題があった。上述したよう
に、従来の磁器組成物を用いた方法では、電気特性及び
信頼性に優れた低温度焼結の酸化亜鉛バリスタを安定し
て製造することができなかった。なお、酸化亜鉛バリス
タにおいて電気特性が優れているとは、例えば、漏れ電
流が少なく、後述する非直線抵抗指数0.1mAα1mAが高い
ものなどであり、信頼性は、長時間電圧を印加した場
合、高温下で長時間電力負荷した場合、パルス印加した
場合などに於いても、電気特性の低下がないなどの事項
が挙げられる。本発明は、上記従来の問題を解決するた
め、低温度焼結で非直線抵抗特性などの電気特性及び信
頼性に優れた酸化亜鉛バリスタを高歩留まりで製造する
ための酸化亜鉛系磁器組成物及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
用、高性能の酸化亜鉛バリスタを得るには、1150℃
〜1300℃の高い焼結温度を必要とした。高い焼結温
度は電力消費のみならず、酸化ビスマスなどの激しい飛
散とそれに伴う炉材や容器の消耗をもたらし、焼結温度
の低温度化が要望されていた。すなわち、これらの高い
温度で焼成すると大気中においても酸化ビスマス等の蒸
発は活発である。また、酸化ビスマスは多くの物質と反
応しやすく、炉材や容器などのセラミックスなど多くの
物質を容易に腐食する。また、炉内の試料の置かれた場
所により、温度、昇温速度、Bi2O3やSb2O3の蒸気圧など
に差が生じ、これらを均一に保つことが困難で、バラツ
キを生ずる。一方、従来の酸化亜鉛バリスタを製造する
ための酸化亜鉛系磁器組成物の配合組成で焼成温度を低
くすると、十分な焼結が行われず、立ち上がり電圧が急
激に高くなり、ZnOの粒径にバラツキが生じ非直線抵
抗特性が低下する。また、電力負荷、パルス電流負荷な
どに対して寿命が短くなる。また従来の製造方法では、
酸化亜鉛原料粉末にたとえば酸化ビスマス、酸化アンチ
モン、酸化クロム、あるいは酸化ホウ素など、配合する
すべての成分をそのまま混合して焼成していたので、複
雑な反応が生じ、酸化アンチモンと酸化亜鉛とが先に反
応する部分、酸化ビスマスと酸化アンチモンが先に反応
する部分等が存在することになる。また、酸化ホウ素は
焼結温度を低温化するため利用されるが、昇温プロセス
で早くから液相を形成して互いに集まる傾向があり、品
質を不均一にし品質のバラツキが発生する原因になりや
すい。特に酸化アンチモンは容易に昇華して酸化亜鉛粒
子の表面を覆い、そしてZnOと反応して粒成長を抑制
する働きをする。その結果、焼結体において、粒成長が
促進されない部分と促進される部分が混在してしまうこ
とになり、従来の製造方法では、粒径のそろった焼結体
を製造することが困難であった。従って、品質の不均一
やロット間の品質のバラツキが生じやすい。ZnOバリ
スタの磁器の基本組成である酸化亜鉛−酸化ビスマス系
には740℃の共晶温度を持つ共晶組成があるので、こ
の2者は容易に反応するが、添加物の中にはこの反応を
妨げるものがある。それらは、添加物そのものが上記2
者の接触を妨げる場合。添加物が酸化亜鉛と反応して化
学的に安定な物質を形成する場合がある。後者の例とし
て、Zn2SnO4,Zn2SiO4 ,Zn2TiO4 ,Zn 2
GeO4 ,Cr2ZnO4,Mn2ZnO4,Zn3Nb2O8 な
どがある。さらに、ZnOの異常粒成長を充分に制御す
ることが困難であったので、一つの製造ロットから得ら
れる酸化亜鉛バリスタの間の電気特性及び信頼性のバラ
ツキ(ロット内バラツキ)が大きいという問題があっ
た。また、異なる製造ロットから得られる酸化亜鉛バリ
スタの間の電気特性及び信頼性のバラツキ(ロット間バ
ラツキ)も大きいという問題があった。上述したよう
に、従来の磁器組成物を用いた方法では、電気特性及び
信頼性に優れた低温度焼結の酸化亜鉛バリスタを安定し
て製造することができなかった。なお、酸化亜鉛バリス
タにおいて電気特性が優れているとは、例えば、漏れ電
流が少なく、後述する非直線抵抗指数0.1mAα1mAが高い
ものなどであり、信頼性は、長時間電圧を印加した場
合、高温下で長時間電力負荷した場合、パルス印加した
場合などに於いても、電気特性の低下がないなどの事項
が挙げられる。本発明は、上記従来の問題を解決するた
め、低温度焼結で非直線抵抗特性などの電気特性及び信
頼性に優れた酸化亜鉛バリスタを高歩留まりで製造する
ための酸化亜鉛系磁器組成物及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の酸化亜鉛系磁器組成物は、酸化亜鉛粉末1
00重量部に対して、酸化ほう素(B2O3)、酸化クロム
(Cr2O3)、酸化ゲルマニウム(GeO2)、酸化ランタン
(La2O3)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化ニオブ(Nb
2O5)、酸化ネオジウム(Nd2O3)、酸化鉛(PbO)、酸化
プラセオジウム(PrO)、酸化アンチモン(Sb2O3)、酸
化珪素(SiO2)、酸化錫(SnO2)、酸化タンタル(Ta2O
5)、酸化タングステン(WO3)、及び酸化イットリウム
(Y2O3)から選ばれる少なくとも一つの粉末と、酸化ビ
スマス(Bi2O3)粉末との混合物が400℃〜700℃の
範囲の熱処理を受け粉砕されてなる合成粉または混合合
成粉から調整されてなる合成粉末が0.5−20重量部
と、酸化ニッケル、酸化コバルト及び酸化マンガンから
選ばれる少なくとも1つの鉄族酸化物粉末が0.1〜
5.0重量部添加されてなるという構成を備えたもので
ある。前記酸化亜鉛系磁器組成物においては、酸化亜鉛
の一部が、酸化マグネシウムによって置換されてなるこ
とが好ましい。また前記酸化亜鉛系磁器組成物において
は、アルミニウム成分が、酸化亜鉛粉末100重量部に
対して、酸化アルミニウム換算で0.00062〜0.
372重量部含まれてなることが好ましい。また前記酸
化亜鉛系磁器組成物においては、アルミニウム成分が、
酸化亜鉛粉末と酸化マグネシウムの混合粉末物100重
量部に対して、酸化アルミニウム換算で0.00062
〜0.372重量部含まれてなることが好ましい。この
様にあらかじめ、少なくとも、酸化亜鉛100重量部に
たいして、酸化ほう素(B2O3)と酸化ビスマス(Bi2O3)
粉末との混合物、酸化クロム(Cr2O3)と酸化ビスマス
(Bi2O3)粉末との混合物、酸化ゲルマニウム(GeO2)と
酸化ビスマス(Bi2O3)粉末との混合物、酸化ランタン(L
a2O3)と酸化ビスマス(Bi2O3)粉末との混合物、酸化マ
グネシウム(MgO)と酸化ビスマス(Bi2O3)粉末との混合
物、酸化ニオブ(Nb2O5)と酸化ビスマス(Bi2O3)粉末と
の混合物、酸化ネオジウム(Nd2O 3)と酸化ビスマス(Bi
2O3)粉末との混合物酸化鉛(PbO)と酸化ビスマス(Bi
2O3)粉末との混合物、酸化プラセオジウム(PrO)と酸化
ビスマス(Bi2O3)粉末との混合物、酸化アンチモン(Sb2
O3)と酸化ビスマス(Bi2O3)粉末との混合物、酸化珪素
(SiO2)と酸化ビスマス(Bi2O3)粉末との混合物、酸化
錫(SnO2)と酸化ビスマス粉末(Bi2O3)との混合物、酸
化タンタル(Ta2O5)と酸化ビスマス(Bi2O3)粉末との混
合物、酸化タングステン(WO3)と酸化ビスマス(Bi2O3)粉
末との混合物、および酸化イットリウム(Y2O3)と酸化
ビスマス(Bi2O3)粉末との混合物を、それぞれ400℃
〜700℃で熱処理し、それぞれ合成粉から選ばれた少
なくとも1つの合成粉叉は混合合成粉から調整されてな
る合成粉末が0.5−20重量部、酸化ニッケル、酸化
コバルト及び酸化マンガンから選ばれる少なくとも1つ
の鉄族酸化物粉末が0.1〜5.0重量部添加されてな
る酸化亜鉛系磁器組成物を焼結する際、添加物の、酸化
ほう素(B2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化ゲルマニ
ウム(GeO2)、酸化ランタン(La2O3)、酸化マグネシ
ウム(MgO)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化ネオジウム
(Nd2O3)、酸化鉛(PbO)、酸化プラセオジウム(Pr
O)、酸化アンチモン(Sb2O3)、酸化珪素(SiO2)、酸
化錫(SnO2)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化タングス
テン(WO3)、および酸化イットリウム(Y2O3)などによ
る酸化亜鉛粉末の焼結阻害作用が緩和され、より低い温
度で焼成しても、十分な焼結が可能となり、粒径のそろ
った焼結体とすることができ、低温度焼結で非直線抵抗
特性などの電気特性及び信頼性に優れた酸化亜鉛バリス
タを高歩留まりで製造し得る酸化亜鉛系磁器組成物が提
供できる。また、前記本発明の酸化亜鉛系磁器組成物
は、さらにアルミニウム成分が酸化亜鉛粉末100重量
部に対して、酸化アルミニウム換算で0.00062〜
0.372重量部含まれてなる酸化亜鉛系磁器組成物で
あることが好ましい。この例においては、添加されたア
ルミニウム成分はZnO粒子中に固溶して、半導体のド
ナーとして働くので、他の電気特性を損なうことなくZ
nOの電気抵抗を好ましい程度にまで低下させることが
でき、高電流域のバリスタの非直線抵抗特性を向上させ
るに好適な酸化亜鉛系磁器組成物を提供できる。次に本
発明の第1番目の酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法は、
酸化ほう素(B2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化ゲル
マニウム(GeO2)、酸化ランタン(La2O3)、酸化マグ
ネシウム(MgO)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化ネオジウ
ム(Nd2O3)、酸化鉛(PbO)、酸化プラセオジウム(Pr
O)、酸化アンチモン(Sb2O3)、酸化珪素(SiO2)、酸
化錫(SnO2)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化タングス
テン(WO3)、及び酸化イットリウム(Y2O3)から選ばれ
る少なくとも一つの粉末と、酸化ビスマス(Bi2O3)粉末
との混合物を400℃〜700℃の範囲で熱処理し、粉
砕して合成粉または混合合成粉を調整し、酸化亜鉛10
0重量部にたいして、前記合成粉末を0.5−20重量
部、及び酸化ニッケル、酸化コバルト及び酸化マンガン
から選ばれる少なくとも1つの鉄族酸化物粉末を0.1
〜5.0重量部添加する工程を含むという構成を備えた
ものである。次に本発明の第2番目の酸化亜鉛系磁器組
成物の製造方法は、酸化亜鉛に酸化マグネシウムを加え
て、酸化亜鉛−酸化マグネシウム混合粉末を得る工程
と、酸化ほう素(B2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化
ゲルマニウム(GeO2)、酸化ランタン(La2O3)、酸化
マグネシウム(MgO)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化ネオ
ジウム(Nd2O3)、酸化鉛(PbO)、酸化プラセオジウム
(PrO)、酸化アンチモン(Sb2O3)、酸化珪素(Si
O2)、酸化錫(SnO2)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化
タングステン(WO3)、及び酸化イットリウム(Y2O3)か
ら選ばれる少なくとも一つの粉末と、酸化ビスマス(Bi2
O3)粉末との混合物を400℃〜700℃の範囲で熱処
理し、粉砕して合成粉または混合合成粉を調整する工程
と、前記酸化亜鉛−酸化マグネシウム混合粉末100重
量部にたいして、前記合成粉末0.5−20重量部、及
び酸化ニッケル、酸化コバルト及び酸化マンガンから選
ばれる少なくとも1つの鉄族酸化物粉末を0.1〜5.
0重量部添加する工程を含むという構成を備えたもので
ある。前記方法においては、アルミニウム成分が酸化亜
鉛粉末100重量部または酸化亜鉛粉末と酸化マグネシ
ュウムの混合粉末物100重量部に対して、酸化アルミ
ニウム換算で0.00062〜0.372重量部アルミ
ニウム塩の溶液を用いて含ませる工程を有することが好
ましい。次に本発明の第3番目の酸化亜鉛系磁器組成物
の製造方法は、酸化亜鉛粉末100重量部にたいして、
酸化ほう素、酸化クロム、酸化ゲルマニウム、酸化ラン
タン、酸化マグネシウム、酸化ニオブ、酸化ネオヂウ
ム、酸化鉛、酸化プラセオジウム、酸化アンチモン、酸
化けい素、酸化錫、酸化タンタル、酸化タングステンお
よび酸化イットリウムから選択された少なくとも1つの
酸化物と、酸化ビスマス粉末との混合物が400℃〜7
00℃の熱処理を受け粉砕されてなる合成粉が調整され
てなる合成粉末が0.5−20重量部、酸化コバルト及
び酸化マンガンから選ばれる少なくとも1つの鉄族酸化
物粉末が0.1〜5.0重量部添加されてなるという構
成を備えたものである。次に本発明の第4番目の酸化亜
鉛系磁器組成物の製造方法は、酸化ほう素、酸化クロ
ム、酸化ゲルマニウム、酸化ランタン、酸化マグネシウ
ム、酸化ニオブ、酸化ネオヂウム、酸化鉛、酸化プラセ
オジウム、酸化アンチモン、酸化けい素、酸化錫、酸化
タンタル、酸化タングステンおよび酸化イットリウムか
ら選択された少なくとも1つの酸化物と酸化ビスマス粉
末との混合物に400℃〜700℃の熱処理を施し粉砕
して調整されてなる合成粉末を作る工程と、酸化亜鉛粉
末100重量部にたいして、前記合成粉末を0.5−2
0重量部、酸化コバルト及び酸化マンガンから選ばれる
少なくとも1つの鉄族酸化物粉末を0.1〜5.0重量
部添加する工程を含むという構成を備えたものである。
前記方法においては、アルミニウム成分が酸化亜鉛粉末
100重量部に対して、酸化アルミニウム換算で0.0
0062〜0.372重量部を添加することが好まし
い。この例においては、添加されたアルミニウム成分は
ZnO粒子中に固溶して、半導体のドナーとして働くの
で、他の電気特性を損なうことなくZnOの電気抵抗を
好ましい程度にまで低下させることができ、高電流域の
バリスタの非直線抵抗特性を向上させるに好適な酸化亜
鉛系磁器組成物を提供できる。次に本発明においては、
酸化亜鉛系磁器組成物がバリスタであるという構成を備
えたものである。前記バリスタにおいては、バリスタの
内部電極として、銀を一体焼成したことが好ましい。ま
た前記バリスタにおいては、積層タイプのバリスタ及び
ディスクタイプのバリスタから選ばれる少なくとも一つ
であることが好ましい。
め、本発明の酸化亜鉛系磁器組成物は、酸化亜鉛粉末1
00重量部に対して、酸化ほう素(B2O3)、酸化クロム
(Cr2O3)、酸化ゲルマニウム(GeO2)、酸化ランタン
(La2O3)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化ニオブ(Nb
2O5)、酸化ネオジウム(Nd2O3)、酸化鉛(PbO)、酸化
プラセオジウム(PrO)、酸化アンチモン(Sb2O3)、酸
化珪素(SiO2)、酸化錫(SnO2)、酸化タンタル(Ta2O
5)、酸化タングステン(WO3)、及び酸化イットリウム
(Y2O3)から選ばれる少なくとも一つの粉末と、酸化ビ
スマス(Bi2O3)粉末との混合物が400℃〜700℃の
範囲の熱処理を受け粉砕されてなる合成粉または混合合
成粉から調整されてなる合成粉末が0.5−20重量部
と、酸化ニッケル、酸化コバルト及び酸化マンガンから
選ばれる少なくとも1つの鉄族酸化物粉末が0.1〜
5.0重量部添加されてなるという構成を備えたもので
ある。前記酸化亜鉛系磁器組成物においては、酸化亜鉛
の一部が、酸化マグネシウムによって置換されてなるこ
とが好ましい。また前記酸化亜鉛系磁器組成物において
は、アルミニウム成分が、酸化亜鉛粉末100重量部に
対して、酸化アルミニウム換算で0.00062〜0.
372重量部含まれてなることが好ましい。また前記酸
化亜鉛系磁器組成物においては、アルミニウム成分が、
酸化亜鉛粉末と酸化マグネシウムの混合粉末物100重
量部に対して、酸化アルミニウム換算で0.00062
〜0.372重量部含まれてなることが好ましい。この
様にあらかじめ、少なくとも、酸化亜鉛100重量部に
たいして、酸化ほう素(B2O3)と酸化ビスマス(Bi2O3)
粉末との混合物、酸化クロム(Cr2O3)と酸化ビスマス
(Bi2O3)粉末との混合物、酸化ゲルマニウム(GeO2)と
酸化ビスマス(Bi2O3)粉末との混合物、酸化ランタン(L
a2O3)と酸化ビスマス(Bi2O3)粉末との混合物、酸化マ
グネシウム(MgO)と酸化ビスマス(Bi2O3)粉末との混合
物、酸化ニオブ(Nb2O5)と酸化ビスマス(Bi2O3)粉末と
の混合物、酸化ネオジウム(Nd2O 3)と酸化ビスマス(Bi
2O3)粉末との混合物酸化鉛(PbO)と酸化ビスマス(Bi
2O3)粉末との混合物、酸化プラセオジウム(PrO)と酸化
ビスマス(Bi2O3)粉末との混合物、酸化アンチモン(Sb2
O3)と酸化ビスマス(Bi2O3)粉末との混合物、酸化珪素
(SiO2)と酸化ビスマス(Bi2O3)粉末との混合物、酸化
錫(SnO2)と酸化ビスマス粉末(Bi2O3)との混合物、酸
化タンタル(Ta2O5)と酸化ビスマス(Bi2O3)粉末との混
合物、酸化タングステン(WO3)と酸化ビスマス(Bi2O3)粉
末との混合物、および酸化イットリウム(Y2O3)と酸化
ビスマス(Bi2O3)粉末との混合物を、それぞれ400℃
〜700℃で熱処理し、それぞれ合成粉から選ばれた少
なくとも1つの合成粉叉は混合合成粉から調整されてな
る合成粉末が0.5−20重量部、酸化ニッケル、酸化
コバルト及び酸化マンガンから選ばれる少なくとも1つ
の鉄族酸化物粉末が0.1〜5.0重量部添加されてな
る酸化亜鉛系磁器組成物を焼結する際、添加物の、酸化
ほう素(B2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化ゲルマニ
ウム(GeO2)、酸化ランタン(La2O3)、酸化マグネシ
ウム(MgO)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化ネオジウム
(Nd2O3)、酸化鉛(PbO)、酸化プラセオジウム(Pr
O)、酸化アンチモン(Sb2O3)、酸化珪素(SiO2)、酸
化錫(SnO2)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化タングス
テン(WO3)、および酸化イットリウム(Y2O3)などによ
る酸化亜鉛粉末の焼結阻害作用が緩和され、より低い温
度で焼成しても、十分な焼結が可能となり、粒径のそろ
った焼結体とすることができ、低温度焼結で非直線抵抗
特性などの電気特性及び信頼性に優れた酸化亜鉛バリス
タを高歩留まりで製造し得る酸化亜鉛系磁器組成物が提
供できる。また、前記本発明の酸化亜鉛系磁器組成物
は、さらにアルミニウム成分が酸化亜鉛粉末100重量
部に対して、酸化アルミニウム換算で0.00062〜
0.372重量部含まれてなる酸化亜鉛系磁器組成物で
あることが好ましい。この例においては、添加されたア
ルミニウム成分はZnO粒子中に固溶して、半導体のド
ナーとして働くので、他の電気特性を損なうことなくZ
nOの電気抵抗を好ましい程度にまで低下させることが
でき、高電流域のバリスタの非直線抵抗特性を向上させ
るに好適な酸化亜鉛系磁器組成物を提供できる。次に本
発明の第1番目の酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法は、
酸化ほう素(B2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化ゲル
マニウム(GeO2)、酸化ランタン(La2O3)、酸化マグ
ネシウム(MgO)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化ネオジウ
ム(Nd2O3)、酸化鉛(PbO)、酸化プラセオジウム(Pr
O)、酸化アンチモン(Sb2O3)、酸化珪素(SiO2)、酸
化錫(SnO2)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化タングス
テン(WO3)、及び酸化イットリウム(Y2O3)から選ばれ
る少なくとも一つの粉末と、酸化ビスマス(Bi2O3)粉末
との混合物を400℃〜700℃の範囲で熱処理し、粉
砕して合成粉または混合合成粉を調整し、酸化亜鉛10
0重量部にたいして、前記合成粉末を0.5−20重量
部、及び酸化ニッケル、酸化コバルト及び酸化マンガン
から選ばれる少なくとも1つの鉄族酸化物粉末を0.1
〜5.0重量部添加する工程を含むという構成を備えた
ものである。次に本発明の第2番目の酸化亜鉛系磁器組
成物の製造方法は、酸化亜鉛に酸化マグネシウムを加え
て、酸化亜鉛−酸化マグネシウム混合粉末を得る工程
と、酸化ほう素(B2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化
ゲルマニウム(GeO2)、酸化ランタン(La2O3)、酸化
マグネシウム(MgO)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化ネオ
ジウム(Nd2O3)、酸化鉛(PbO)、酸化プラセオジウム
(PrO)、酸化アンチモン(Sb2O3)、酸化珪素(Si
O2)、酸化錫(SnO2)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化
タングステン(WO3)、及び酸化イットリウム(Y2O3)か
ら選ばれる少なくとも一つの粉末と、酸化ビスマス(Bi2
O3)粉末との混合物を400℃〜700℃の範囲で熱処
理し、粉砕して合成粉または混合合成粉を調整する工程
と、前記酸化亜鉛−酸化マグネシウム混合粉末100重
量部にたいして、前記合成粉末0.5−20重量部、及
び酸化ニッケル、酸化コバルト及び酸化マンガンから選
ばれる少なくとも1つの鉄族酸化物粉末を0.1〜5.
0重量部添加する工程を含むという構成を備えたもので
ある。前記方法においては、アルミニウム成分が酸化亜
鉛粉末100重量部または酸化亜鉛粉末と酸化マグネシ
ュウムの混合粉末物100重量部に対して、酸化アルミ
ニウム換算で0.00062〜0.372重量部アルミ
ニウム塩の溶液を用いて含ませる工程を有することが好
ましい。次に本発明の第3番目の酸化亜鉛系磁器組成物
の製造方法は、酸化亜鉛粉末100重量部にたいして、
酸化ほう素、酸化クロム、酸化ゲルマニウム、酸化ラン
タン、酸化マグネシウム、酸化ニオブ、酸化ネオヂウ
ム、酸化鉛、酸化プラセオジウム、酸化アンチモン、酸
化けい素、酸化錫、酸化タンタル、酸化タングステンお
よび酸化イットリウムから選択された少なくとも1つの
酸化物と、酸化ビスマス粉末との混合物が400℃〜7
00℃の熱処理を受け粉砕されてなる合成粉が調整され
てなる合成粉末が0.5−20重量部、酸化コバルト及
び酸化マンガンから選ばれる少なくとも1つの鉄族酸化
物粉末が0.1〜5.0重量部添加されてなるという構
成を備えたものである。次に本発明の第4番目の酸化亜
鉛系磁器組成物の製造方法は、酸化ほう素、酸化クロ
ム、酸化ゲルマニウム、酸化ランタン、酸化マグネシウ
ム、酸化ニオブ、酸化ネオヂウム、酸化鉛、酸化プラセ
オジウム、酸化アンチモン、酸化けい素、酸化錫、酸化
タンタル、酸化タングステンおよび酸化イットリウムか
ら選択された少なくとも1つの酸化物と酸化ビスマス粉
末との混合物に400℃〜700℃の熱処理を施し粉砕
して調整されてなる合成粉末を作る工程と、酸化亜鉛粉
末100重量部にたいして、前記合成粉末を0.5−2
0重量部、酸化コバルト及び酸化マンガンから選ばれる
少なくとも1つの鉄族酸化物粉末を0.1〜5.0重量
部添加する工程を含むという構成を備えたものである。
前記方法においては、アルミニウム成分が酸化亜鉛粉末
100重量部に対して、酸化アルミニウム換算で0.0
0062〜0.372重量部を添加することが好まし
い。この例においては、添加されたアルミニウム成分は
ZnO粒子中に固溶して、半導体のドナーとして働くの
で、他の電気特性を損なうことなくZnOの電気抵抗を
好ましい程度にまで低下させることができ、高電流域の
バリスタの非直線抵抗特性を向上させるに好適な酸化亜
鉛系磁器組成物を提供できる。次に本発明においては、
酸化亜鉛系磁器組成物がバリスタであるという構成を備
えたものである。前記バリスタにおいては、バリスタの
内部電極として、銀を一体焼成したことが好ましい。ま
た前記バリスタにおいては、積層タイプのバリスタ及び
ディスクタイプのバリスタから選ばれる少なくとも一つ
であることが好ましい。
【発明の実施の形態】本発明においては、主成分の酸化
亜鉛と、これと反応する添加物の働きについて詳しく解
析した。その結果、酸化亜鉛焼結体用の原料は次のよう
に分類される事が分かった。 (1)酸化亜鉛(ZnO) (2)酸化亜鉛に容易にとけ込む酸化物(NiO,MgO,CoO,M
nO-少量,Al2O3-微量)、 (3)酸化亜鉛にはとけ込む事が困難で、高温では液相
を形成し、ZnOの粒子と粒子の間に存在して、粒成長を
制御する。上記(1)の酸化亜鉛は金属亜鉛を空気中で
蒸発・酸化して製造されていて、純度が高く、また細か
く、非常に反応性に富んでいる。従って、できれば酸化
亜鉛は手を加えず、そのまま原料として用いる事が好ま
しい。(2)の鉄族酸化物と酸化マグネシウムは粒子が
細かければ、800℃以下の温度でZnO 粒子と反応して Zn
O に固溶する。一方微量のAl2O3は、ZnOに固溶する。す
なわち、(2)の原料は細かく、そして均質に混合され
れば焼結の障害にはならない。従って、問題は(3)に
属する多種の酸化物である。もともと、ZnO と Bi2O3
との間には Bi2O3-rich 領域に、約740℃の共晶があ
り、両者は容易に反応する。しかるにこれらの(3)の
添加物の存在によって反応が複雑化し、バラツキ等の原
因となる。これらの(3)の添加物のなかには、ZnO と
反応して化合物を形成するものがある。そして粒界にあ
って ZnO の粒成長を妨害する。また、Bi2O3 にとけ込
み、Bi2O3 とともに液相を形成して粒界で液相焼結をす
すめる。それならば、いずれ高温で液相を形成するので
あれば、これらを予めBi2O3と反応させておけば、
(3)の添加物の反応に選択の余地がなくなり、バラツ
キが大幅に減少する事が期待できる。また、粒界にあっ
て粒成長の妨害をしなくなり、焼結の低温化がすすめら
れる。更に、酸化ビスマスと酸化亜鉛の共晶は、酸化ビ
スマスに少量の酸化物が固溶しても、共晶反応への影響
は小さいとみられる。上記のような本発明の酸化亜鉛系
磁器組成物を焼結する場合には、所定の形状に加圧成形
し、その成形体を750〜1100℃程度で焼成するこ
とが好ましい。この範囲の温度で焼成により、非直線抵
抗特性などの電気特性及び信頼性に優れた酸化亜鉛バリ
スタを高歩留まりで製造することが可能となる。また、
この酸化亜鉛系磁器組成物には、900℃以下の温度で
焼結して優れた電気特性を有する焼結体となるものが含
まれている。これらの酸化亜鉛系磁器組成物をシート状
に成形し、電極材料と交互に積層し、焼結し、電極を所
定の接続方法でつなぐと、積層型のバリスタが得られ
る。その際、従来の積層型のバリスターでは、良特性の
ものを得ようとすると1200℃以上の焼成温度を必要
としたが、そのためには電極材料として白金などの貴金
属を用いる。しかるに、900℃以下の温度で焼結可能
な酸化亜鉛系磁器組成物を用いる場合、電極材料として
ずっと低価格の銀を用いることが可能となり、バリスタ
普及に大きく寄与するであろう。本発明の利点の一つ
は、バリスタの内部電極として、銀を一体焼成できる点
にある。なお、ZnOバリスタでは、高電流域における
非直線抵抗特性をよくするため、しばしばアルミニウム
塩が添加されるが、その添加量はバリスタの用途によっ
てきまる。実施例では、統一してZnOの量1モルにた
いして、0.0013gとした。高電流域における非直
線抵抗特性をよくしたい場合は、アルミナ添加量を増
し、低電流域における漏れ電流を少なくしたい場合に
は、少なくする。なお、酸化ビスマス(Bi2O3)-酸化マ
ンガン(MnO)系、酸化ビスマス(Bi2O3)-酸化コバル
ト(CoO)系、酸化ビスマス(Bi2O3)-酸化ニッケル(N
iO)系についても添加効果を検討したが、それぞれ、酸
化マンガン(MnO)、酸化コバルト(CoO)、酸化ニッケ
ル(NiO)を未処理のまま添加した場合に比べて、顕著
な効果は現れなかった。
亜鉛と、これと反応する添加物の働きについて詳しく解
析した。その結果、酸化亜鉛焼結体用の原料は次のよう
に分類される事が分かった。 (1)酸化亜鉛(ZnO) (2)酸化亜鉛に容易にとけ込む酸化物(NiO,MgO,CoO,M
nO-少量,Al2O3-微量)、 (3)酸化亜鉛にはとけ込む事が困難で、高温では液相
を形成し、ZnOの粒子と粒子の間に存在して、粒成長を
制御する。上記(1)の酸化亜鉛は金属亜鉛を空気中で
蒸発・酸化して製造されていて、純度が高く、また細か
く、非常に反応性に富んでいる。従って、できれば酸化
亜鉛は手を加えず、そのまま原料として用いる事が好ま
しい。(2)の鉄族酸化物と酸化マグネシウムは粒子が
細かければ、800℃以下の温度でZnO 粒子と反応して Zn
O に固溶する。一方微量のAl2O3は、ZnOに固溶する。す
なわち、(2)の原料は細かく、そして均質に混合され
れば焼結の障害にはならない。従って、問題は(3)に
属する多種の酸化物である。もともと、ZnO と Bi2O3
との間には Bi2O3-rich 領域に、約740℃の共晶があ
り、両者は容易に反応する。しかるにこれらの(3)の
添加物の存在によって反応が複雑化し、バラツキ等の原
因となる。これらの(3)の添加物のなかには、ZnO と
反応して化合物を形成するものがある。そして粒界にあ
って ZnO の粒成長を妨害する。また、Bi2O3 にとけ込
み、Bi2O3 とともに液相を形成して粒界で液相焼結をす
すめる。それならば、いずれ高温で液相を形成するので
あれば、これらを予めBi2O3と反応させておけば、
(3)の添加物の反応に選択の余地がなくなり、バラツ
キが大幅に減少する事が期待できる。また、粒界にあっ
て粒成長の妨害をしなくなり、焼結の低温化がすすめら
れる。更に、酸化ビスマスと酸化亜鉛の共晶は、酸化ビ
スマスに少量の酸化物が固溶しても、共晶反応への影響
は小さいとみられる。上記のような本発明の酸化亜鉛系
磁器組成物を焼結する場合には、所定の形状に加圧成形
し、その成形体を750〜1100℃程度で焼成するこ
とが好ましい。この範囲の温度で焼成により、非直線抵
抗特性などの電気特性及び信頼性に優れた酸化亜鉛バリ
スタを高歩留まりで製造することが可能となる。また、
この酸化亜鉛系磁器組成物には、900℃以下の温度で
焼結して優れた電気特性を有する焼結体となるものが含
まれている。これらの酸化亜鉛系磁器組成物をシート状
に成形し、電極材料と交互に積層し、焼結し、電極を所
定の接続方法でつなぐと、積層型のバリスタが得られ
る。その際、従来の積層型のバリスターでは、良特性の
ものを得ようとすると1200℃以上の焼成温度を必要
としたが、そのためには電極材料として白金などの貴金
属を用いる。しかるに、900℃以下の温度で焼結可能
な酸化亜鉛系磁器組成物を用いる場合、電極材料として
ずっと低価格の銀を用いることが可能となり、バリスタ
普及に大きく寄与するであろう。本発明の利点の一つ
は、バリスタの内部電極として、銀を一体焼成できる点
にある。なお、ZnOバリスタでは、高電流域における
非直線抵抗特性をよくするため、しばしばアルミニウム
塩が添加されるが、その添加量はバリスタの用途によっ
てきまる。実施例では、統一してZnOの量1モルにた
いして、0.0013gとした。高電流域における非直
線抵抗特性をよくしたい場合は、アルミナ添加量を増
し、低電流域における漏れ電流を少なくしたい場合に
は、少なくする。なお、酸化ビスマス(Bi2O3)-酸化マ
ンガン(MnO)系、酸化ビスマス(Bi2O3)-酸化コバル
ト(CoO)系、酸化ビスマス(Bi2O3)-酸化ニッケル(N
iO)系についても添加効果を検討したが、それぞれ、酸
化マンガン(MnO)、酸化コバルト(CoO)、酸化ニッケ
ル(NiO)を未処理のまま添加した場合に比べて、顕著
な効果は現れなかった。
【実施例】以下実施例を用いて本発明をさらに具体的に
説明する。なお、下記の実施例において「重量」は、
「wt」と表示することがある。 (実施例1)酸化ビスマス(Bi2O3)の粉末と、酸化
錫(SnO2)の粉末(各粉末の粒度はそれぞれ、平均
粒径約2〜3μm)を重量比で92:8となるように混
合した。この混合粉を大気雰囲気下、600℃で5時間
の熱処理を施した後、安定化ジルコニアを玉石とするモ
ノマロンポットのボールミルで微粉砕することによっ
て、合成粉末(平均粒径約0.5〜1.5μm)を得
た。以下、酸化ビスマスと、酸化錫とこのようにして調
製される合成粉末を酸化ビスマス/酸化錫合成粉末と呼
ぶ。酸化亜鉛(ZnO)粉末(平均粒径0.3μm)
と、前記酸化ビスマス/酸化錫合成粉末と、酸化コバル
ト(CoO)粉末(平均粒径約0.5〜1.5μm)
と、二酸化マンガン(MnO2 )粉末(平均粒径約2〜
3μm)と、酸化ニッケル(NiO)粉末(平均粒径約
0.5〜1.5μm)とを、前記酸化ビスマス/酸化錫
合成粉末の量を変えながら重量比が100:0.1〜2
0.0:0.954:0.414:0.383となるよ
うに配合した粉末をモノマロンポットと安定化ジルコニ
アボールを用いて18時間、湿式法で混合粉砕し、32
5メッシュを通過するように粉砕した。得られた配合粉
末を乾燥し、ディスク状に加圧成形した。次に、得られ
た成形体を大気雰囲気中、昇温速度50℃/時間で昇温
し、900℃で17時間保持した後、降温速度50℃/
時間で降温して焼結体を得た。焼結体の試料サイズは厚
さ1.2mm、直径は14mmであった。次に、図1を
参照しながら酸化亜鉛バリスタの作製方法を説明する。
図1は本発明の酸化亜鉛系磁器組成物を用いて作成した
ディスクタイプの酸化亜鉛バリスタ10の概略斜視図で
ある。前記のようにして得た焼結体11の両面にアルミ
ニウムを溶射することによって、アルミニウム層(図示
せず)を形成し、次に、この両面に形成されたアルミニ
ウム層の上に銅を溶射することによって電極12を形成
した。電極12にハンダでリード線13を付けた後、リ
ード線以外の成形体をエポキシ樹脂塗装することによっ
て酸化亜鉛バリスタを得た。このようにして得られた酸
化亜鉛バリスタの電気特性を評価した。初期の電気特性
として、立ち上がり電圧V1mA/mm(1mAの電流を流し
た時の両端子間の1mm厚みに対する電圧)および非直
線抵抗指数0.1mAα1mA(V1mAとV0.1mAとを用いて求め
た値)を測定した(なお、以下の記載においては非直線
抵抗指数0.1m Aα1mAを単にα値と略称する。) 非直線抵抗指数が大きいほど、サージ吸収能力が大きく
なる。また、直流負荷に対する信頼性を評価した。80
℃の高温雰囲気中で0.2ワットの直流負荷を500時
間印加し、バリスタ立ち上がり電圧V1mA の変化率△V
1mA/V1mA(直流負荷変化率)を測定した。バリスタ立
ち上がり電圧V1mAの変化率△V1mA/V 1mAが小さいほ
ど、酸化亜鉛バリスタの電気特性が安定しており、信頼
性がよいことを示している。さらに、サージに対する信
頼性を評価した。8×20μsec、0.5kAのパルスの
10回印加によるバリスタ立ち上がり電圧V1mAの変化
率(サージ変化率)△V1mA/V1mA を求めた。表1に
試料の組成を、表2に電気特性の評価結果を示す。サー
ジ変化率の値が小さいほど酸化亜鉛バリスタの電気特性
が安定しており、いずれも変化率が5%以下で信頼性が
よいことを示している。なお、電気特性の評価結果を示
す数値は、ロット内の最小値と最大値を示した。したが
ってロット内の最小値と最大値の差が小さいほどロット
内の品質のバラツキが小さい事を示している。
説明する。なお、下記の実施例において「重量」は、
「wt」と表示することがある。 (実施例1)酸化ビスマス(Bi2O3)の粉末と、酸化
錫(SnO2)の粉末(各粉末の粒度はそれぞれ、平均
粒径約2〜3μm)を重量比で92:8となるように混
合した。この混合粉を大気雰囲気下、600℃で5時間
の熱処理を施した後、安定化ジルコニアを玉石とするモ
ノマロンポットのボールミルで微粉砕することによっ
て、合成粉末(平均粒径約0.5〜1.5μm)を得
た。以下、酸化ビスマスと、酸化錫とこのようにして調
製される合成粉末を酸化ビスマス/酸化錫合成粉末と呼
ぶ。酸化亜鉛(ZnO)粉末(平均粒径0.3μm)
と、前記酸化ビスマス/酸化錫合成粉末と、酸化コバル
ト(CoO)粉末(平均粒径約0.5〜1.5μm)
と、二酸化マンガン(MnO2 )粉末(平均粒径約2〜
3μm)と、酸化ニッケル(NiO)粉末(平均粒径約
0.5〜1.5μm)とを、前記酸化ビスマス/酸化錫
合成粉末の量を変えながら重量比が100:0.1〜2
0.0:0.954:0.414:0.383となるよ
うに配合した粉末をモノマロンポットと安定化ジルコニ
アボールを用いて18時間、湿式法で混合粉砕し、32
5メッシュを通過するように粉砕した。得られた配合粉
末を乾燥し、ディスク状に加圧成形した。次に、得られ
た成形体を大気雰囲気中、昇温速度50℃/時間で昇温
し、900℃で17時間保持した後、降温速度50℃/
時間で降温して焼結体を得た。焼結体の試料サイズは厚
さ1.2mm、直径は14mmであった。次に、図1を
参照しながら酸化亜鉛バリスタの作製方法を説明する。
図1は本発明の酸化亜鉛系磁器組成物を用いて作成した
ディスクタイプの酸化亜鉛バリスタ10の概略斜視図で
ある。前記のようにして得た焼結体11の両面にアルミ
ニウムを溶射することによって、アルミニウム層(図示
せず)を形成し、次に、この両面に形成されたアルミニ
ウム層の上に銅を溶射することによって電極12を形成
した。電極12にハンダでリード線13を付けた後、リ
ード線以外の成形体をエポキシ樹脂塗装することによっ
て酸化亜鉛バリスタを得た。このようにして得られた酸
化亜鉛バリスタの電気特性を評価した。初期の電気特性
として、立ち上がり電圧V1mA/mm(1mAの電流を流し
た時の両端子間の1mm厚みに対する電圧)および非直
線抵抗指数0.1mAα1mA(V1mAとV0.1mAとを用いて求め
た値)を測定した(なお、以下の記載においては非直線
抵抗指数0.1m Aα1mAを単にα値と略称する。) 非直線抵抗指数が大きいほど、サージ吸収能力が大きく
なる。また、直流負荷に対する信頼性を評価した。80
℃の高温雰囲気中で0.2ワットの直流負荷を500時
間印加し、バリスタ立ち上がり電圧V1mA の変化率△V
1mA/V1mA(直流負荷変化率)を測定した。バリスタ立
ち上がり電圧V1mAの変化率△V1mA/V 1mAが小さいほ
ど、酸化亜鉛バリスタの電気特性が安定しており、信頼
性がよいことを示している。さらに、サージに対する信
頼性を評価した。8×20μsec、0.5kAのパルスの
10回印加によるバリスタ立ち上がり電圧V1mAの変化
率(サージ変化率)△V1mA/V1mA を求めた。表1に
試料の組成を、表2に電気特性の評価結果を示す。サー
ジ変化率の値が小さいほど酸化亜鉛バリスタの電気特性
が安定しており、いずれも変化率が5%以下で信頼性が
よいことを示している。なお、電気特性の評価結果を示
す数値は、ロット内の最小値と最大値を示した。したが
ってロット内の最小値と最大値の差が小さいほどロット
内の品質のバラツキが小さい事を示している。
【表1】
【表2】 表1及び表2からわかるように、本実施例の酸化亜鉛系
磁器を用いた酸化亜鉛バリスタは、酸化ビスマス/酸化
錫合成粉末の量が低い0.1重量部の試料(試料番号#
001)を除いて非直線抵抗特性がよく、長時間の直流
負荷に対しても、またサージに対しても、立ち上がり電
圧V1mAの変化率(△V1mA/V1mA )の絶対値が5%以
下で、信頼性が優れていた。また、表2に示したよう
に、ロット内の電気特性のばらつきも小さかった。表2
には示されていないが、本実施例の磁器組成物で酸化亜
鉛バリスタを作成すると、ロット間の電気特性のばらつ
きもロット内バラツキと同様に小さかった。例えば、#
005の組成の場合、具体的には工程能力指数(生産工
場での製品のバラツキを表示する指数の1つ)が、規格
巾をV1mA で±7%として、熱処理なしの従来の組成物
を用い、1200℃の高温で焼成した試料では、1.0であ
ったのが1.333となった。以上の結果、歩留まりが
熱処理なしの従来の組成物を用いた試料では92%だっ
たのに対して本実施例では97%と顕著に向上した。な
お、Bi2O3/SnO2合成粉末添加量が15重量部を
越えると、焼成の際に複数個の成形体を重ねて焼成して
いるので、焼結体同士が融着し(試料がくっつき)、バ
リスタの量産性に欠けると共に、試料同士がくっついて
しまうので、電気特性の測定が出来なかった(試料番号
#008)。従って、前記合成粉末の添加量はZnO粉
末100重量部に対して0.5〜20重量部がよい。 (実施例2)酸化ビスマス(Bi2O3)の粉末と、酸化
錫(SnO2)の粉末(各粉末の粒度はそれぞれ、粒径
約2〜3μm)を重量比で92:8となるように混合し
た。この混合粉を大気雰囲気下、600℃で5時間の熱
処理を施した後、安定化ジルコニアを玉石とするモノマ
ロンポットのボールミルで微粉砕することによって、合
成粉末(粒径約0.5〜1.5μm)を得た。以下、酸
化ビスマスと、酸化錫とこのようにして調製される合成
粉末を酸化ビスマス/酸化錫合成粉末と呼ぶ。酸化亜鉛
(ZnO)粉末(平均粒径0.3μm)と、前記酸化ビ
スマス/酸化錫合成粉末と、酸化コバルト(CoO)粉
末(粒径約0.5〜1.5μm)と、二酸化マンガン
(MnO2 )粉末(粒径約2〜3μm)と、酸化ニッケ
ル(NiO)粉末(粒径約0.5〜1.5μm)とを、
前記酸化ビスマス/酸化錫合成粉末の量を重量比が10
0:3.0:0.954:0.414:0.383とな
るように配合した粉末をモノマロンポットと安定化ジル
コニアボールを用いて18時間、湿式法で混合粉砕し、
325メッシュを通過するように粉砕した。得られた配
合粉末を乾燥し、ディスク状に加圧成形した。そして得
られた成形体を大気雰囲気中、昇温速度50℃/時間で
昇温し、750℃−1050℃で17時間保持した後、
降温速度50℃/時間で降温して焼結体を得た。焼結体
の試料サイズは厚さ1.2mm、直径は14mmであっ
た。次に、実施例1と類似の方法で酸化亜鉛バリスタを
得た。このようにして得られた酸化亜鉛バリスタの電気
特性を実施例1と類似の方法で評価した。表3に試料の
組成と焼成温度を、表4に電気特性の評価結果を示す。
この組成の場合、焼結温度が800℃以下になると焼結
が不十分で、電気特性の測定が不可能であった。110
0℃以上となると、試料同士のくっつきが急増した。
磁器を用いた酸化亜鉛バリスタは、酸化ビスマス/酸化
錫合成粉末の量が低い0.1重量部の試料(試料番号#
001)を除いて非直線抵抗特性がよく、長時間の直流
負荷に対しても、またサージに対しても、立ち上がり電
圧V1mAの変化率(△V1mA/V1mA )の絶対値が5%以
下で、信頼性が優れていた。また、表2に示したよう
に、ロット内の電気特性のばらつきも小さかった。表2
には示されていないが、本実施例の磁器組成物で酸化亜
鉛バリスタを作成すると、ロット間の電気特性のばらつ
きもロット内バラツキと同様に小さかった。例えば、#
005の組成の場合、具体的には工程能力指数(生産工
場での製品のバラツキを表示する指数の1つ)が、規格
巾をV1mA で±7%として、熱処理なしの従来の組成物
を用い、1200℃の高温で焼成した試料では、1.0であ
ったのが1.333となった。以上の結果、歩留まりが
熱処理なしの従来の組成物を用いた試料では92%だっ
たのに対して本実施例では97%と顕著に向上した。な
お、Bi2O3/SnO2合成粉末添加量が15重量部を
越えると、焼成の際に複数個の成形体を重ねて焼成して
いるので、焼結体同士が融着し(試料がくっつき)、バ
リスタの量産性に欠けると共に、試料同士がくっついて
しまうので、電気特性の測定が出来なかった(試料番号
#008)。従って、前記合成粉末の添加量はZnO粉
末100重量部に対して0.5〜20重量部がよい。 (実施例2)酸化ビスマス(Bi2O3)の粉末と、酸化
錫(SnO2)の粉末(各粉末の粒度はそれぞれ、粒径
約2〜3μm)を重量比で92:8となるように混合し
た。この混合粉を大気雰囲気下、600℃で5時間の熱
処理を施した後、安定化ジルコニアを玉石とするモノマ
ロンポットのボールミルで微粉砕することによって、合
成粉末(粒径約0.5〜1.5μm)を得た。以下、酸
化ビスマスと、酸化錫とこのようにして調製される合成
粉末を酸化ビスマス/酸化錫合成粉末と呼ぶ。酸化亜鉛
(ZnO)粉末(平均粒径0.3μm)と、前記酸化ビ
スマス/酸化錫合成粉末と、酸化コバルト(CoO)粉
末(粒径約0.5〜1.5μm)と、二酸化マンガン
(MnO2 )粉末(粒径約2〜3μm)と、酸化ニッケ
ル(NiO)粉末(粒径約0.5〜1.5μm)とを、
前記酸化ビスマス/酸化錫合成粉末の量を重量比が10
0:3.0:0.954:0.414:0.383とな
るように配合した粉末をモノマロンポットと安定化ジル
コニアボールを用いて18時間、湿式法で混合粉砕し、
325メッシュを通過するように粉砕した。得られた配
合粉末を乾燥し、ディスク状に加圧成形した。そして得
られた成形体を大気雰囲気中、昇温速度50℃/時間で
昇温し、750℃−1050℃で17時間保持した後、
降温速度50℃/時間で降温して焼結体を得た。焼結体
の試料サイズは厚さ1.2mm、直径は14mmであっ
た。次に、実施例1と類似の方法で酸化亜鉛バリスタを
得た。このようにして得られた酸化亜鉛バリスタの電気
特性を実施例1と類似の方法で評価した。表3に試料の
組成と焼成温度を、表4に電気特性の評価結果を示す。
この組成の場合、焼結温度が800℃以下になると焼結
が不十分で、電気特性の測定が不可能であった。110
0℃以上となると、試料同士のくっつきが急増した。
【表3】
【表4】 (実施例3)酸化ビスマスの粉末(粒径約2〜3μm)
と酸化ニオブの粉末(平均粒径約2〜3μm)とを重量
比で1:0.333となるように混合し、空気雰囲気
下、575℃で5時間の熱処理を施し、安定化ジルコニ
アボールを用いてモノマロンポットで18時間湿式で微
粉砕することによって、(酸化ビスマス/酸化ニオブ)
よりなるBi2O3/Nb2O5 合成粉末(2.33/
0.333、平均粒径約2〜3μm)を得た。同様の方
法で、Bi2O3/B2O3 合成粉末(2.33/0.1
0、平均粒径約2〜3μm)、Bi2O3/Cr2O3 合
成粉末(2.33/0.41、平均粒径約2〜3μ
m)、Bi2O3/GeO2 合成粉末(2.33/0.1
0、平均粒径約2〜3μm)、Bi2O3/La2O3 合
成粉末(2.33/0.41、平均粒径約2〜3μ
m)、Bi2O3/MgO 合成粉末(2.33/、平均
粒径約2〜3μm)、Bi2O3/Nd2O3 合成粉末
(2.33/0.50、平均粒径約2〜3μm)、Bi
2O3/PbO 合成粉末(2.33/0.29、平均粒
径約2〜3μm)、Bi2O3/Pr6O11 合成粉末
(2.33/0.64、平均粒径約2〜3μm)、Bi
2O3/Sb2O3 合成粉末(2.33/0.27、平均
粒径約2〜3μm)、Bi2O3/SiO2 合成粉末
(2.33/0.077、平均粒径約2〜3μm)、B
i2O3/SnO2 合成粉末(2.33/0.19、平均
粒径約2〜3μm)、Bi2O3/Ta2O5 合成粉末
(2.33/0.66、平均粒径約2〜3μm)、Bi
2O3/WO3 合成粉末(2.33/0.29、平均粒径
約2〜3μm)、Bi2O3/Y2O3 合成粉末(2.3
3/0.28、平均粒径約2〜3μm)を得た。酸化亜
鉛粉末(平均粒径0.3μm)、前記Bi2O3/Nb2
O5の合成粉末、酸化コバルト粉末(粒径約0.5〜
1.5μm)、二酸化マンガン粉末(粒径約2〜3μ
m)及び酸化ニッケル(粒径約0.5〜1.5μm)
を、重量比が100:2.5:0.80:0.40:
0.40となるように配合した粉末を安定化ジルコニア
ボールを用いてモノマロンポットで18時間湿式で混合
・粉砕した。得られた粉末を乾燥し、前記酸化亜鉛10
0重量部に対してAl2O3に換算して0.0013重量
部の酸化アルミニウム分を含む硝酸アルミニウムを水溶
液の形で加えて配合粉末を調整した後、ディスク状に加
圧成形した。得られた成形体を大気雰囲気中、昇温速度
150℃/時間で昇温し、950℃の温度で15時間保
持した後、降温速度150℃/時間で降温して焼結体を
得た。焼結体の試料サイズは厚さ1.2mm、直径は1
4mmであった。以下実施例1と同様な方法で、酸化亜
鉛バリスタを作製した。また、実施例1と同様に、得ら
れた酸化亜鉛バリスタの電気特性を評価した。他の合成
粉末についても、Bi2O3/Nb2O5粉末の場合と類似
の実験を実施した。表5〜6に試料組成を、表7〜8に
電気特性の評価結果を示した。
と酸化ニオブの粉末(平均粒径約2〜3μm)とを重量
比で1:0.333となるように混合し、空気雰囲気
下、575℃で5時間の熱処理を施し、安定化ジルコニ
アボールを用いてモノマロンポットで18時間湿式で微
粉砕することによって、(酸化ビスマス/酸化ニオブ)
よりなるBi2O3/Nb2O5 合成粉末(2.33/
0.333、平均粒径約2〜3μm)を得た。同様の方
法で、Bi2O3/B2O3 合成粉末(2.33/0.1
0、平均粒径約2〜3μm)、Bi2O3/Cr2O3 合
成粉末(2.33/0.41、平均粒径約2〜3μ
m)、Bi2O3/GeO2 合成粉末(2.33/0.1
0、平均粒径約2〜3μm)、Bi2O3/La2O3 合
成粉末(2.33/0.41、平均粒径約2〜3μ
m)、Bi2O3/MgO 合成粉末(2.33/、平均
粒径約2〜3μm)、Bi2O3/Nd2O3 合成粉末
(2.33/0.50、平均粒径約2〜3μm)、Bi
2O3/PbO 合成粉末(2.33/0.29、平均粒
径約2〜3μm)、Bi2O3/Pr6O11 合成粉末
(2.33/0.64、平均粒径約2〜3μm)、Bi
2O3/Sb2O3 合成粉末(2.33/0.27、平均
粒径約2〜3μm)、Bi2O3/SiO2 合成粉末
(2.33/0.077、平均粒径約2〜3μm)、B
i2O3/SnO2 合成粉末(2.33/0.19、平均
粒径約2〜3μm)、Bi2O3/Ta2O5 合成粉末
(2.33/0.66、平均粒径約2〜3μm)、Bi
2O3/WO3 合成粉末(2.33/0.29、平均粒径
約2〜3μm)、Bi2O3/Y2O3 合成粉末(2.3
3/0.28、平均粒径約2〜3μm)を得た。酸化亜
鉛粉末(平均粒径0.3μm)、前記Bi2O3/Nb2
O5の合成粉末、酸化コバルト粉末(粒径約0.5〜
1.5μm)、二酸化マンガン粉末(粒径約2〜3μ
m)及び酸化ニッケル(粒径約0.5〜1.5μm)
を、重量比が100:2.5:0.80:0.40:
0.40となるように配合した粉末を安定化ジルコニア
ボールを用いてモノマロンポットで18時間湿式で混合
・粉砕した。得られた粉末を乾燥し、前記酸化亜鉛10
0重量部に対してAl2O3に換算して0.0013重量
部の酸化アルミニウム分を含む硝酸アルミニウムを水溶
液の形で加えて配合粉末を調整した後、ディスク状に加
圧成形した。得られた成形体を大気雰囲気中、昇温速度
150℃/時間で昇温し、950℃の温度で15時間保
持した後、降温速度150℃/時間で降温して焼結体を
得た。焼結体の試料サイズは厚さ1.2mm、直径は1
4mmであった。以下実施例1と同様な方法で、酸化亜
鉛バリスタを作製した。また、実施例1と同様に、得ら
れた酸化亜鉛バリスタの電気特性を評価した。他の合成
粉末についても、Bi2O3/Nb2O5粉末の場合と類似
の実験を実施した。表5〜6に試料組成を、表7〜8に
電気特性の評価結果を示した。
【表5】
【表6】
【表7】
【表8】 表5〜表8から明らかなとおり、多種の(Bi2O3/金
属酸化物)合成粉末を用いてZnOを焼成した結果、本
実施例の磁器組成物で製造された酸化亜鉛バリスタは、
良い非直線抵抗特性を持ち、長時間の直流負荷に対して
も、またサージに対しても、立ち上がり電圧V1mA の変
化率△V1mA/V1mAの絶対値が5%以下で、信頼性が優
れていた。また、表7〜8に示したように、ロット内の
電気特性のバラツキも小さかった。表7〜8には示され
ていないが、本実施例の磁器組成物で酸化亜鉛バリスタ
を作成すると、ロット間の電気特性のバラツキもロット
内のバラツキと同様に小さかった。具体的には従来の方
法では、工程能力指数が、規格巾をV1mA で±5%とし
て、熱処理なしの従来の組成物を用いた試料では1.0
以下であったのが1.33以上となった。以上の結果、
歩留まりが熱処理なしの従来の組成物を用いた試料では
90%以下だったのに対して本実施例では95%以上と
顕著に向上した。 (実施例4)Bi2O3、Sb2O3、Xの三種の酸化物を
混合、熱処理(650℃で1時間)、粉砕して[Bi2
O3/Sb2O3/X](X=WO3,Y2O3,SiO2,Nb2O5,Nd
2O3,Pr6O 11)の六種類の合成粉末(粒径約2〜3μm)
を得た。また、酸化コバルト、二酸化マンガン、酸化ニ
ッケルの粉体を、CoO:MnO2:NiO=0.954:0.41
4:0.383の割合で混合した。(これをCoO+MnO2
+NiO混合粉末とよぶことにする。) 酸化亜鉛粉末(平均粒径0.3μm)、前記の[Bi2
O3/Sb2O3/X]合成粉末、 CoO+MnO2+NiO 混合
粉末を所定の割合で秤量し,湿式でジルコニアボールを
用いてモノマロンポットで18時間湿式で混合・粉砕し
た。得られた粉末を乾燥し、これに前記酸化亜鉛100
重量部に対してAl2O3に換算して0.0013重量部
の酸化アルミニウム分を含む硝酸アルミニウムを水溶液
の形で加えた後、ディスク状に成形した。得られた成形
体を大気雰囲気中、昇温速度100℃/時間で昇温し、
950℃で10時間保持した後、降温速度100℃/時
間で降温して焼結体を得た。焼結体の試料サイズは厚さ
1.2mm、直径は14mmであった。以下実施例1と
同様にして、酸化亜鉛バリスタを作製した。また、実施
例1と同様に、得られた酸化亜鉛バリスタの電気特性を
評価した。すなわち、直流負荷に対する信頼性を評価し
た。80℃の高温雰囲気中で0.5ワットの直流負荷を
500時間印加し、バリスタ立ち上がり電圧V1mA の変
化率△V1mA/V1mA(直流負荷変化率)を測定した。バ
リスタ立ち上がり電圧V1m A の変化率△V1mA/V1mAが
小さいほど、酸化亜鉛バリスタの電気特性が安定してお
り、信頼性がよいことを示している。さらに、サージに
対する信頼性を評価した。8×20μsec 、1.0kA
のパルスの10回印加によるバリスタ立ち上がり電圧V
1mAの変化率(サージ変化率)△V1mA/V1mA を求め
た。サージ変化率の値が小さいほど酸化亜鉛バリスタの
電気特性が安定しており、いずれも変化率が5%以下で
信頼性がよいことを示している。表9に試料組成を、表
10に電気特性の評価結果を示した。
属酸化物)合成粉末を用いてZnOを焼成した結果、本
実施例の磁器組成物で製造された酸化亜鉛バリスタは、
良い非直線抵抗特性を持ち、長時間の直流負荷に対して
も、またサージに対しても、立ち上がり電圧V1mA の変
化率△V1mA/V1mAの絶対値が5%以下で、信頼性が優
れていた。また、表7〜8に示したように、ロット内の
電気特性のバラツキも小さかった。表7〜8には示され
ていないが、本実施例の磁器組成物で酸化亜鉛バリスタ
を作成すると、ロット間の電気特性のバラツキもロット
内のバラツキと同様に小さかった。具体的には従来の方
法では、工程能力指数が、規格巾をV1mA で±5%とし
て、熱処理なしの従来の組成物を用いた試料では1.0
以下であったのが1.33以上となった。以上の結果、
歩留まりが熱処理なしの従来の組成物を用いた試料では
90%以下だったのに対して本実施例では95%以上と
顕著に向上した。 (実施例4)Bi2O3、Sb2O3、Xの三種の酸化物を
混合、熱処理(650℃で1時間)、粉砕して[Bi2
O3/Sb2O3/X](X=WO3,Y2O3,SiO2,Nb2O5,Nd
2O3,Pr6O 11)の六種類の合成粉末(粒径約2〜3μm)
を得た。また、酸化コバルト、二酸化マンガン、酸化ニ
ッケルの粉体を、CoO:MnO2:NiO=0.954:0.41
4:0.383の割合で混合した。(これをCoO+MnO2
+NiO混合粉末とよぶことにする。) 酸化亜鉛粉末(平均粒径0.3μm)、前記の[Bi2
O3/Sb2O3/X]合成粉末、 CoO+MnO2+NiO 混合
粉末を所定の割合で秤量し,湿式でジルコニアボールを
用いてモノマロンポットで18時間湿式で混合・粉砕し
た。得られた粉末を乾燥し、これに前記酸化亜鉛100
重量部に対してAl2O3に換算して0.0013重量部
の酸化アルミニウム分を含む硝酸アルミニウムを水溶液
の形で加えた後、ディスク状に成形した。得られた成形
体を大気雰囲気中、昇温速度100℃/時間で昇温し、
950℃で10時間保持した後、降温速度100℃/時
間で降温して焼結体を得た。焼結体の試料サイズは厚さ
1.2mm、直径は14mmであった。以下実施例1と
同様にして、酸化亜鉛バリスタを作製した。また、実施
例1と同様に、得られた酸化亜鉛バリスタの電気特性を
評価した。すなわち、直流負荷に対する信頼性を評価し
た。80℃の高温雰囲気中で0.5ワットの直流負荷を
500時間印加し、バリスタ立ち上がり電圧V1mA の変
化率△V1mA/V1mA(直流負荷変化率)を測定した。バ
リスタ立ち上がり電圧V1m A の変化率△V1mA/V1mAが
小さいほど、酸化亜鉛バリスタの電気特性が安定してお
り、信頼性がよいことを示している。さらに、サージに
対する信頼性を評価した。8×20μsec 、1.0kA
のパルスの10回印加によるバリスタ立ち上がり電圧V
1mAの変化率(サージ変化率)△V1mA/V1mA を求め
た。サージ変化率の値が小さいほど酸化亜鉛バリスタの
電気特性が安定しており、いずれも変化率が5%以下で
信頼性がよいことを示している。表9に試料組成を、表
10に電気特性の評価結果を示した。
【表9】
【表10】 表9及び表10より、本実施例の磁器組成物を用いた酸
化亜鉛バリスタは、α値が大きく、長時間の直流負荷及
びサージに対しても、立ち上がり電圧V1mA の変化率△
V1mA/V1mAの絶対値が5%以下となり信頼性に優れて
いた。 (実施例5)実施例3で作製した[Bi2O3/金属酸化
物]の合成粉など(粒径約2〜3μm)から、2種類の
合成粉、[Bi2O3/X]と[Bi2O3/Y]とを選び
だし、表9の合成粉末の項に示すような重量比で混合し
調整して合成粉末を得た。酸化コバルト、二酸化マンガ
ン、酸化ニッケルの粉体を、CoO:MnO2:NiO=0.95
4:0.414:0.383(重量比)の割合で混合し
た。(これをCoO+MnO2+NiO 混合粉末とよぶことにす
る。) 酸化亜鉛粉末(平均粒径0.3μm)、前記の[酸化ビ
スマス/X]、と[酸化ビスマス/Y]合成粉末、 CoO
+MnO2+NiO 混合粉末を所定の割合で秤量し,湿式でジ
ルコニアボールを用いてモノマロンポットで18時間湿
式で混合・粉砕した。得られた粉末を乾燥し、これに前
記酸化亜鉛100重量部に対してAl2O3に換算して
0.0013重量部の酸化アルミニウム分を含む硝酸ア
ルミニウムを水溶液の形で加えた後、ディスク状に成形
した。得られた成形体を大気雰囲気中、昇温速度100
℃/時間で昇温し、900℃で10時間保持した後、降
温速度100℃/時間で降温して焼結体を得た。焼結体
の試料サイズは厚さ1.2mm、直径は14mmであっ
た。以下実施例1と同様にして、酸化亜鉛バリスタを作
製した。また、実施例1と同様に、得られた酸化亜鉛バ
リスタの電気特性を評価した。表11〜12に試料組成
を、表13に電気特性の評価結果を示した。
化亜鉛バリスタは、α値が大きく、長時間の直流負荷及
びサージに対しても、立ち上がり電圧V1mA の変化率△
V1mA/V1mAの絶対値が5%以下となり信頼性に優れて
いた。 (実施例5)実施例3で作製した[Bi2O3/金属酸化
物]の合成粉など(粒径約2〜3μm)から、2種類の
合成粉、[Bi2O3/X]と[Bi2O3/Y]とを選び
だし、表9の合成粉末の項に示すような重量比で混合し
調整して合成粉末を得た。酸化コバルト、二酸化マンガ
ン、酸化ニッケルの粉体を、CoO:MnO2:NiO=0.95
4:0.414:0.383(重量比)の割合で混合し
た。(これをCoO+MnO2+NiO 混合粉末とよぶことにす
る。) 酸化亜鉛粉末(平均粒径0.3μm)、前記の[酸化ビ
スマス/X]、と[酸化ビスマス/Y]合成粉末、 CoO
+MnO2+NiO 混合粉末を所定の割合で秤量し,湿式でジ
ルコニアボールを用いてモノマロンポットで18時間湿
式で混合・粉砕した。得られた粉末を乾燥し、これに前
記酸化亜鉛100重量部に対してAl2O3に換算して
0.0013重量部の酸化アルミニウム分を含む硝酸ア
ルミニウムを水溶液の形で加えた後、ディスク状に成形
した。得られた成形体を大気雰囲気中、昇温速度100
℃/時間で昇温し、900℃で10時間保持した後、降
温速度100℃/時間で降温して焼結体を得た。焼結体
の試料サイズは厚さ1.2mm、直径は14mmであっ
た。以下実施例1と同様にして、酸化亜鉛バリスタを作
製した。また、実施例1と同様に、得られた酸化亜鉛バ
リスタの電気特性を評価した。表11〜12に試料組成
を、表13に電気特性の評価結果を示した。
【表11】
【表12】
【表13】 表11〜12及び表13より、本実施例の磁器組成物を
用いた酸化亜鉛バリスタは、[Bi2O3/X]と[酸化
ビスマス/Y]の二つの合成粉末が添加された場合、α
値が大きく、長時間の直流負荷及びサージに対しても、
立ち上がり電圧V1mA の変化率△V1mA/V1mAの絶対値
が5%以下となり信頼性に優れていた。 (実施例6)(Bi2O3+Sb2O3), (Bi2O3+SnO2), (Bi2O3+Cr
2O3) のそれぞれの混合粉体に、475℃−5時間の予
備熱処理を施し、粉砕して(Bi2O3/Sb2O3), (Bi2O3/Sn
O2), (Bi2O3/Cr2O3) のそれぞれの合成粉を作製した。
次に、これら合成粉をCoO+MnO2+NiO 混合粉体(酸化コ
バルト、二酸化マンガン、酸化ニッケルの粉体を、CoO:
MnO2:NiO=0.954:0.414:0.383の割
合で混合したもの)とともに酸化亜鉛粉末(平均粒径
0.3μm)に添加して混合粉砕した。次に、前記混合
粉体が50重量%となるように採取し、主としてブチラ
ール樹脂(5重量%)とその可塑剤(フタル酸D−nブ
チルを2.5重量%)に2−ブタノール(7.5重量
%)及び酢酸ブチル溶剤(35重量%)を、前記混合粉
体と混合してシートを形成した。次に前記シートをカッ
トし、一部のシート表面に銀を主成分とするペーストを
印刷により塗布した。前記銀ペーストを印刷したシート
4枚を積層し、一番上と下に印刷していないシートを積
層し、両側面に銀の外部電極用ペーストを塗布した。そ
の後、840℃の温度で、前記混合粉体と銀電極とを一
体焼結し、塩化亜鉛積層チップバリスタを製造した。得
られた積層タイプのバリスタの断面図を図2に示す。図
2において、20は積層タイプの酸化亜鉛バリスタ、2
1は銀からなる内部電極、22は銀からなる対向内部電
極、23は有効層、24は無効層、25は銀からなる外
部電極である。チップの有効層の厚みは40μm、無効
層の厚さは200μm、電極の厚さは5〜6μm、積層
チップバリスタの全体の大きさは、たて:3.2mm、
横:1.6mm、厚さ:0.55mmの直方体であっ
た。これらの酸化亜鉛積層チップバリスタの初期特性を
測定した後、電気的負荷を印加して信頼性特性を求め
た。負荷の条件は、0.02ワット×500時間、パル
ス印加は300Amp.(8×20μsec.)×2回
である。表14に試料組成を示し、初期特性及び負荷特
性を表15に示した。
用いた酸化亜鉛バリスタは、[Bi2O3/X]と[酸化
ビスマス/Y]の二つの合成粉末が添加された場合、α
値が大きく、長時間の直流負荷及びサージに対しても、
立ち上がり電圧V1mA の変化率△V1mA/V1mAの絶対値
が5%以下となり信頼性に優れていた。 (実施例6)(Bi2O3+Sb2O3), (Bi2O3+SnO2), (Bi2O3+Cr
2O3) のそれぞれの混合粉体に、475℃−5時間の予
備熱処理を施し、粉砕して(Bi2O3/Sb2O3), (Bi2O3/Sn
O2), (Bi2O3/Cr2O3) のそれぞれの合成粉を作製した。
次に、これら合成粉をCoO+MnO2+NiO 混合粉体(酸化コ
バルト、二酸化マンガン、酸化ニッケルの粉体を、CoO:
MnO2:NiO=0.954:0.414:0.383の割
合で混合したもの)とともに酸化亜鉛粉末(平均粒径
0.3μm)に添加して混合粉砕した。次に、前記混合
粉体が50重量%となるように採取し、主としてブチラ
ール樹脂(5重量%)とその可塑剤(フタル酸D−nブ
チルを2.5重量%)に2−ブタノール(7.5重量
%)及び酢酸ブチル溶剤(35重量%)を、前記混合粉
体と混合してシートを形成した。次に前記シートをカッ
トし、一部のシート表面に銀を主成分とするペーストを
印刷により塗布した。前記銀ペーストを印刷したシート
4枚を積層し、一番上と下に印刷していないシートを積
層し、両側面に銀の外部電極用ペーストを塗布した。そ
の後、840℃の温度で、前記混合粉体と銀電極とを一
体焼結し、塩化亜鉛積層チップバリスタを製造した。得
られた積層タイプのバリスタの断面図を図2に示す。図
2において、20は積層タイプの酸化亜鉛バリスタ、2
1は銀からなる内部電極、22は銀からなる対向内部電
極、23は有効層、24は無効層、25は銀からなる外
部電極である。チップの有効層の厚みは40μm、無効
層の厚さは200μm、電極の厚さは5〜6μm、積層
チップバリスタの全体の大きさは、たて:3.2mm、
横:1.6mm、厚さ:0.55mmの直方体であっ
た。これらの酸化亜鉛積層チップバリスタの初期特性を
測定した後、電気的負荷を印加して信頼性特性を求め
た。負荷の条件は、0.02ワット×500時間、パル
ス印加は300Amp.(8×20μsec.)×2回
である。表14に試料組成を示し、初期特性及び負荷特
性を表15に示した。
【表14】
【表15】 表14及び表15より、本実施例の磁器組成物を用いた
酸化亜鉛バリスタは、極めて低い温度で焼結することが
できた。また小さなバリスタであるにもかかわらず良い
特性を示した。 (実施例7)酸化亜鉛と酸化マグネシウムの混合粉末 Z
nO+MgO (ZnO:MgO=92:8 wt比)をつくった。つぎに、(Bi
2O3+Sb2O3), (Bi2O3+Cr2O3), (Bi2O3+B2O3), (Bi2O3+S
nO2)混合粉に500℃−2時間の予備熱処理を施し、
4種の合成粉、すなわち、(1) Bi2O3/Sb2O3(Bi
2O3:Sb2O3 = 1.30:0.20 wt比)、(2) Bi2O3/Cr2O
3(Bi2O3:Cr2O3 = 0.18:0.006 wt比 、)(3) Bi2
O3/B2O3 (Bi2O3:B2O3 = 0.23:0.002 wt比)、および
(4) Bi2O3/SnO2(Bi2O3:SnO2 = 0.18:0.006 wt
比)を得た。次に前記合成粉を(Bi2O3/Sb2O3):(Bi2O3/C
r2O3):(Bi2O3/B2O3):(Bi2O3/SnO2)=1.5:0.24 : 0.25:
1.0 wt比で混合して、合成粉末(Bi2O3/Sb2O3+Bi2O3/Cr2
O3+Bi2O3/B2O3+Bi2O3/SnO2)を得た。前記(ZnO+MgO)混合
粉末100wt部にたいし、前記(Bi2O3/Sb2O3+Bi2O3/Cr2
O3+Bi2O3/B2O3+Bi2O3/SnO2)合成粉末 2.99wt部、
(CoO+MnO2+NiO)混合粉末1.751 wt部、を加え、酸
化アルミニウム0.0013 wt部を硝酸アルミニウムの溶液
でくわえて、混合、粉砕、乾燥後、加圧成形して 85
0℃−10時間焼成し、酸化亜鉛バリスタを作製した。
類似の方法で、 (Bi2O3/Sb2O3 + Bi2O3/Cr2O3 + Bi2O3/B2O3 + Bi2O3/SiO2)合成粉末 (Bi2O3/Sb2O3 + Bi2O3/Cr2O3 + Bi2O3/B2O3 + Bi2O3/Nb2O5)合成粉末 (Bi2O3/Sb2O3 + Bi2O3/Cr2O3 + Bi2O3/B2O3 + Bi2O3/PbO)合成粉末 を作製し、さらにZnOバリスタを作成し、電気特性を測
定した。すなわち、直流負荷に対する信頼性を評価し
た。80℃の高温雰囲気中で0.5ワットの直流負荷を
500時間印加し、バリスタ立ち上がり電圧V1mA の変
化率△V1mA/V1mA(直流負荷変化率)を測定した。バ
リスタ立ち上がり電圧V1m A の変化率△V1mA/V1mAが
小さいほど、酸化亜鉛バリスタの電気特性が安定してお
り、信頼性がよいことを示している。さらに、サージに
対する信頼性を評価した。8×20μsec 、1.0kA
のパルスの10回印加によるバリスタ立ち上がり電圧V
1mAの変化率(サージ変化率)△V1mA/V1mA を求め
た。表16に試料の組成を、表17に電気特性の評価結
果を示す。サージ変化率の値が小さいほど酸化亜鉛バリ
スタの電気特性が安定しており、いずれも変化率が5%
以下で信頼性がよいことを示している。
酸化亜鉛バリスタは、極めて低い温度で焼結することが
できた。また小さなバリスタであるにもかかわらず良い
特性を示した。 (実施例7)酸化亜鉛と酸化マグネシウムの混合粉末 Z
nO+MgO (ZnO:MgO=92:8 wt比)をつくった。つぎに、(Bi
2O3+Sb2O3), (Bi2O3+Cr2O3), (Bi2O3+B2O3), (Bi2O3+S
nO2)混合粉に500℃−2時間の予備熱処理を施し、
4種の合成粉、すなわち、(1) Bi2O3/Sb2O3(Bi
2O3:Sb2O3 = 1.30:0.20 wt比)、(2) Bi2O3/Cr2O
3(Bi2O3:Cr2O3 = 0.18:0.006 wt比 、)(3) Bi2
O3/B2O3 (Bi2O3:B2O3 = 0.23:0.002 wt比)、および
(4) Bi2O3/SnO2(Bi2O3:SnO2 = 0.18:0.006 wt
比)を得た。次に前記合成粉を(Bi2O3/Sb2O3):(Bi2O3/C
r2O3):(Bi2O3/B2O3):(Bi2O3/SnO2)=1.5:0.24 : 0.25:
1.0 wt比で混合して、合成粉末(Bi2O3/Sb2O3+Bi2O3/Cr2
O3+Bi2O3/B2O3+Bi2O3/SnO2)を得た。前記(ZnO+MgO)混合
粉末100wt部にたいし、前記(Bi2O3/Sb2O3+Bi2O3/Cr2
O3+Bi2O3/B2O3+Bi2O3/SnO2)合成粉末 2.99wt部、
(CoO+MnO2+NiO)混合粉末1.751 wt部、を加え、酸
化アルミニウム0.0013 wt部を硝酸アルミニウムの溶液
でくわえて、混合、粉砕、乾燥後、加圧成形して 85
0℃−10時間焼成し、酸化亜鉛バリスタを作製した。
類似の方法で、 (Bi2O3/Sb2O3 + Bi2O3/Cr2O3 + Bi2O3/B2O3 + Bi2O3/SiO2)合成粉末 (Bi2O3/Sb2O3 + Bi2O3/Cr2O3 + Bi2O3/B2O3 + Bi2O3/Nb2O5)合成粉末 (Bi2O3/Sb2O3 + Bi2O3/Cr2O3 + Bi2O3/B2O3 + Bi2O3/PbO)合成粉末 を作製し、さらにZnOバリスタを作成し、電気特性を測
定した。すなわち、直流負荷に対する信頼性を評価し
た。80℃の高温雰囲気中で0.5ワットの直流負荷を
500時間印加し、バリスタ立ち上がり電圧V1mA の変
化率△V1mA/V1mA(直流負荷変化率)を測定した。バ
リスタ立ち上がり電圧V1m A の変化率△V1mA/V1mAが
小さいほど、酸化亜鉛バリスタの電気特性が安定してお
り、信頼性がよいことを示している。さらに、サージに
対する信頼性を評価した。8×20μsec 、1.0kA
のパルスの10回印加によるバリスタ立ち上がり電圧V
1mAの変化率(サージ変化率)△V1mA/V1mA を求め
た。表16に試料の組成を、表17に電気特性の評価結
果を示す。サージ変化率の値が小さいほど酸化亜鉛バリ
スタの電気特性が安定しており、いずれも変化率が5%
以下で信頼性がよいことを示している。
【表16】
【表17】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、低温度
焼結で非直線抵抗特性などの電気特性及び信頼性に優れ
た酸化亜鉛バリスタを高歩留まりで製造することが可能
な酸化亜鉛系磁器組成物を提供できる。本発明の酸化亜
鉛系磁器組成物は、その焼結体を製造する場合に、焼成
温度を750℃〜1050℃という低温度まで下げても
酸化亜鉛粒子の成長を均一に促進できる。そして、粒径
分布が狭い酸化亜鉛粒子の焼結体が得られる。その結
果、電気特性及び信頼性が優れた酸化亜鉛バリスタを高
歩留まりで製造することが可能になる。また、本発明の
酸化亜鉛系磁器組成物は低温度で焼結できるので、焼結
の際の電力消費を少なくし、焼結に用いる電気炉の炉材
・容器の消耗を少なくし、省エネルギ−、省資源にも大
きく貢献できる。さらに銀を中心組成とした電極を、磁
器の焼成時、同時に形成出来る事が判明し、銀系電極を
ZnO磁器内部に形成する事に成功した。そして銀を内部
電極とした積層型のZnOバリスタが可能となった。ま
た、本発明の酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法は、上記
の優れた効果を達成し得る酸化亜鉛系磁器組成物を効率
良く合理的に製造する方法を提供できる。
焼結で非直線抵抗特性などの電気特性及び信頼性に優れ
た酸化亜鉛バリスタを高歩留まりで製造することが可能
な酸化亜鉛系磁器組成物を提供できる。本発明の酸化亜
鉛系磁器組成物は、その焼結体を製造する場合に、焼成
温度を750℃〜1050℃という低温度まで下げても
酸化亜鉛粒子の成長を均一に促進できる。そして、粒径
分布が狭い酸化亜鉛粒子の焼結体が得られる。その結
果、電気特性及び信頼性が優れた酸化亜鉛バリスタを高
歩留まりで製造することが可能になる。また、本発明の
酸化亜鉛系磁器組成物は低温度で焼結できるので、焼結
の際の電力消費を少なくし、焼結に用いる電気炉の炉材
・容器の消耗を少なくし、省エネルギ−、省資源にも大
きく貢献できる。さらに銀を中心組成とした電極を、磁
器の焼成時、同時に形成出来る事が判明し、銀系電極を
ZnO磁器内部に形成する事に成功した。そして銀を内部
電極とした積層型のZnOバリスタが可能となった。ま
た、本発明の酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法は、上記
の優れた効果を達成し得る酸化亜鉛系磁器組成物を効率
良く合理的に製造する方法を提供できる。
【図1】本発明の実施例1の酸化亜鉛系磁器組成物を用
いて作成したディスクタイプの酸化亜鉛バリスタの概略
斜視図。
いて作成したディスクタイプの酸化亜鉛バリスタの概略
斜視図。
【図2】本発明の実施例6の酸化亜鉛系磁器組成物を用
いて作成した積層タイプの酸化亜鉛バリスタの断面図。
いて作成した積層タイプの酸化亜鉛バリスタの断面図。
10 ディスクタイプの酸化亜鉛バリスタ 11 酸化亜鉛焼結体 12 電極 13 リ−ド線 20 積層タイプの酸化亜鉛バリスタ 21 内部電極 22 対向内部電極 23 有効層 24 無効層 25 外部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小山 一茂 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (12)
- 【請求項1】 酸化亜鉛粉末100重量部に対して、 酸化ほう素(B2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化ゲル
マニウム(GeO2)、酸化ランタン(La2O3)、酸化マグ
ネシウム(MgO)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化ネオジウ
ム(Nd2O3)、酸化鉛(PbO)、酸化プラセオジウム(Pr
O)、酸化アンチモン(Sb2O3)、酸化珪素(SiO2)、酸
化錫(SnO2)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化タングス
テン(WO3)、及び酸化イットリウム(Y2O3)から選ばれ
る少なくとも一つの粉末と、酸化ビスマス(Bi2O3)粉末
との混合物が400℃〜700℃の範囲の熱処理を受け
粉砕されてなる合成粉または混合合成粉から調整されて
なる合成粉末が0.5−20重量部と、 酸化ニッケル、酸化コバルト及び酸化マンガンから選ば
れる少なくとも1つの鉄族酸化物粉末が0.1〜5.0
重量部添加されてなる酸化亜鉛系磁器組成物。 - 【請求項2】 酸化亜鉛の一部が、酸化マグネシウムに
よって置換されてなる請求項1に記載された酸化亜鉛系
磁器組成物。 - 【請求項3】 アルミニウム成分が、酸化亜鉛粉末10
0重量部に対して、酸化アルミニウム換算で0.000
62〜0.372重量部含まれてなる請求項1に記載の
酸化亜鉛系磁器組成物。 - 【請求項4】 アルミニウム成分が、酸化亜鉛粉末と酸
化マグネシウムの混合粉末物100重量部に対して、酸
化アルミニウム換算で0.00062〜0.372重量
部含まれてなる請求項1に記載の酸化亜鉛系磁器組成
物。 - 【請求項5】 酸化ほう素(B2O3)、酸化クロム(Cr2O
3)、酸化ゲルマニウム(GeO2)、酸化ランタン(La
2O3)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化ニオブ(Nb
2O5)、酸化ネオジウム(Nd2O3)、酸化鉛(PbO)、酸化
プラセオジウム(PrO)、酸化アンチモン(Sb2O3)、酸
化珪素(SiO2)、酸化錫(SnO2)、酸化タンタル(Ta2O
5)、酸化タングステン(WO3)、及び酸化イットリウム
(Y2O3)から選ばれる少なくとも一つの粉末と、酸化ビ
スマス(Bi2O3)粉末との混合物を400℃〜700℃の
範囲で熱処理し、粉砕して合成粉または混合合成粉を調
整し、 酸化亜鉛100重量部にたいして、前記合成粉末を0.
5−20重量部、及び酸化ニッケル、酸化コバルト及び
酸化マンガンから選ばれる少なくとも1つの鉄族酸化物
粉末を0.1〜5.0重量部添加する工程を含む酸化亜
鉛系磁器組成物の製造方法。 - 【請求項6】 酸化亜鉛に酸化マグネシウムを加えて、
酸化亜鉛−酸化マグネシウム混合粉末を得る工程と、 酸化ほう素(B2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化ゲル
マニウム(GeO2)、酸化ランタン(La2O3)、酸化マグ
ネシウム(MgO)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化ネオジウ
ム(Nd2O3)、酸化鉛(PbO)、酸化プラセオジウム(Pr
O)、酸化アンチモン(Sb2O3)、酸化珪素(SiO2)、酸
化錫(SnO2)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化タングス
テン(WO3)、及び酸化イットリウム(Y2O3)から選ばれ
る少なくとも一つの粉末と、酸化ビスマス(Bi2O3)粉末
との混合物を400℃〜700℃の範囲で熱処理し、粉
砕して合成粉または混合合成粉を調整する工程と、 前記酸化亜鉛−酸化マグネシウム混合粉末100重量部
にたいして、前記合成粉末0.5−20重量部、及び酸
化ニッケル、酸化コバルト及び酸化マンガンから選ばれ
る少なくとも1つの鉄族酸化物粉末を0.1〜5.0重
量部添加する工程を含む酸化亜鉛系磁器組成物の製造方
法。 - 【請求項7】 アルミニウム成分が酸化亜鉛粉末100
重量部叉は酸化亜鉛粉末と酸化マグネシュウムの混合粉
末物100重量部に対して、酸化アルミニウム換算で
0.00062〜0.372重量部アルミニウム塩の溶
液を用いて含ませる工程を有する請求項5〜6のいずれ
かに記載の酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法。 - 【請求項8】 酸化亜鉛粉末100重量部にたいして、 酸化ほう素、酸化クロム、酸化ゲルマニウム、酸化ラン
タン、酸化マグネシウム、酸化ニオブ、酸化ネオヂウ
ム、酸化鉛、酸化プラセオジウム、酸化アンチモン、酸
化けい素、酸化錫、酸化タンタル、酸化タングステンお
よび酸化イットリウムから選択された少なくとも1つの
酸化物と、酸化ビスマス粉末との混合物が400℃〜7
00℃の熱処理を受け粉砕されてなる合成粉が調整され
てなる合成粉末が、0.5〜20重量部、酸化コバルト
及び酸化マンガンから選ばれる少なくとも1つの鉄族酸
化物粉末が0.1〜5.0重量部添加されてなる酸化亜
鉛系磁器組成物。 - 【請求項9】 酸化ほう素、酸化クロム、酸化ゲルマニ
ウム、酸化ランタン、酸化マグネシウム、酸化ニオブ、
酸化ネオヂウム、酸化鉛、酸化プラセオジウム、酸化ア
ンチモン、酸化けい素、酸化錫、酸化タンタル、酸化タ
ングステンおよび酸化イットリウムから選択された少な
くとも一つの酸化物と酸化ビスマス粉末との混合物に4
00℃〜700℃の熱処理を施し粉砕して調整されてな
る合成粉末を作る工程と、酸化亜鉛粉末100重量部に
たいして、前記合成粉末を0.5−20重量部、酸化コ
バルト及び酸化マンガンから選ばれる少なくとも1つの
鉄族酸化物粉末を0.1〜5.0重量部添加する工程を
含む酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法。 - 【請求項10】 アルミニウム成分が酸化亜鉛粉末10
0重量部に対して、酸化アルミニウム換算で0.000
62〜0.372重量部添加する請求項9に記載の酸化
亜鉛系磁器組成物の製造方法。 - 【請求項11】 酸化亜鉛系磁器組成物が、バリスタで
ある請求項1〜4,8のいずれかに記載の酸化亜鉛系バ
リスタ。 - 【請求項12】 バリスタの内部電極として、銀を一体
焼成した請求項11に記載の酸化亜鉛系バリスタ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8128859A JPH09312203A (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 酸化亜鉛系磁器組成物とその製造方法及び酸化亜鉛系バリスタ |
| US08/705,129 US5739742A (en) | 1995-08-31 | 1996-08-29 | Zinc oxide ceramics and method for producing the same and zinc oxide varistors |
| EP96113943A EP0761622B1 (en) | 1995-08-31 | 1996-08-30 | Zinc oxide ceramics and method for producing the same and zinc oxide varistors |
| DE69611642T DE69611642T2 (de) | 1995-08-31 | 1996-08-30 | Zinkoxidkeramik, Verfahren zu deren Herstellung und Zinkoxidvaristoren |
| CN96122469A CN1092620C (zh) | 1995-08-31 | 1996-08-31 | 氧化锌系陶瓷组合物及其制造方法和氧化锌系非线性电阻 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8128859A JPH09312203A (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 酸化亜鉛系磁器組成物とその製造方法及び酸化亜鉛系バリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09312203A true JPH09312203A (ja) | 1997-12-02 |
Family
ID=14995140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8128859A Pending JPH09312203A (ja) | 1995-08-31 | 1996-05-23 | 酸化亜鉛系磁器組成物とその製造方法及び酸化亜鉛系バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09312203A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9741477B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-08-22 | Hitachi Metals, Ltd. | Sintered body for varistor, multilayer substrate using same, and production method for these |
| CN108558389A (zh) * | 2018-05-04 | 2018-09-21 | 南阳中祥电力电子有限公司 | 一种新型压敏电阻片高阻层浆料及其制备方法 |
| CN114524670A (zh) * | 2022-03-15 | 2022-05-24 | 福建省乔光电子科技有限公司 | 一种陶瓷电阻配方及加工工艺及设备 |
| WO2023176608A1 (ja) * | 2022-03-18 | 2023-09-21 | 株式会社明電舎 | 酸化アンチモン代替酸化亜鉛素子 |
-
1996
- 1996-05-23 JP JP8128859A patent/JPH09312203A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9741477B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-08-22 | Hitachi Metals, Ltd. | Sintered body for varistor, multilayer substrate using same, and production method for these |
| CN108558389A (zh) * | 2018-05-04 | 2018-09-21 | 南阳中祥电力电子有限公司 | 一种新型压敏电阻片高阻层浆料及其制备方法 |
| CN114524670A (zh) * | 2022-03-15 | 2022-05-24 | 福建省乔光电子科技有限公司 | 一种陶瓷电阻配方及加工工艺及设备 |
| WO2023176608A1 (ja) * | 2022-03-18 | 2023-09-21 | 株式会社明電舎 | 酸化アンチモン代替酸化亜鉛素子 |
| JP7359329B1 (ja) * | 2022-03-18 | 2023-10-11 | 株式会社明電舎 | 酸化アンチモン代替酸化亜鉛素子 |
| US12415760B2 (en) | 2022-03-18 | 2025-09-16 | Meidensha Corporation | Zinc oxide element |
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