JPH10308302A - 酸化亜鉛系磁器組成物とその製造方法および酸化亜鉛バリスタ - Google Patents
酸化亜鉛系磁器組成物とその製造方法および酸化亜鉛バリスタInfo
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- JPH10308302A JPH10308302A JP9115662A JP11566297A JPH10308302A JP H10308302 A JPH10308302 A JP H10308302A JP 9115662 A JP9115662 A JP 9115662A JP 11566297 A JP11566297 A JP 11566297A JP H10308302 A JPH10308302 A JP H10308302A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】優れた電気特性をもち、さらに直流負荷及びサ
ージ負荷に対して信頼性の高い酸化亜鉛系バリスタを、
７５０℃〜１０００℃の低い温度で、しかも高歩留まり
で製造可能な酸化亜鉛系磁器組成物とその製造方法を提
供する。 【解決手段】酸化亜鉛粉末１００重量部に対し、酸化ビ
スマス０．５〜１２重量部と、酸化ビスマスと酸化アン
チモンの二者を混合し４００〜７００℃の範囲の熱処理
を施して得たＢi2Ｏ3とＳb2０3の合成粉末０.５〜８.０
重量部と、Ａl2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3，ＣoＯ、Ｃr2Ｏ3、ＧeＯ
2、Ｌa2Ｏ3、ＭgＯ、ＭnＯ、Ｎb2Ｏ5、Ｎd2Ｏ3、Ｎi
Ｏ、ＰbＯ、Ｐr2Ｏ3、ＳiＯ2、ＳnＯ2、Ｔa2Ｏ5、ＴiＯ
2、ＷＯ3およびＹ2Ｏ3のそれぞれから選ばれる少なくと
も二つ以上の金属酸化物０.５〜８.０重量部を添加し、
ディスク状に加圧成形して焼結し、得られた酸化亜鉛系
磁器組成物の両面に電極を形成し、そこにリード線を付
け、ディスクタイプのバリスタを得る。
ージ負荷に対して信頼性の高い酸化亜鉛系バリスタを、
７５０℃〜１０００℃の低い温度で、しかも高歩留まり
で製造可能な酸化亜鉛系磁器組成物とその製造方法を提
供する。 【解決手段】酸化亜鉛粉末１００重量部に対し、酸化ビ
スマス０．５〜１２重量部と、酸化ビスマスと酸化アン
チモンの二者を混合し４００〜７００℃の範囲の熱処理
を施して得たＢi2Ｏ3とＳb2０3の合成粉末０.５〜８.０
重量部と、Ａl2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3，ＣoＯ、Ｃr2Ｏ3、ＧeＯ
2、Ｌa2Ｏ3、ＭgＯ、ＭnＯ、Ｎb2Ｏ5、Ｎd2Ｏ3、Ｎi
Ｏ、ＰbＯ、Ｐr2Ｏ3、ＳiＯ2、ＳnＯ2、Ｔa2Ｏ5、ＴiＯ
2、ＷＯ3およびＹ2Ｏ3のそれぞれから選ばれる少なくと
も二つ以上の金属酸化物０.５〜８.０重量部を添加し、
ディスク状に加圧成形して焼結し、得られた酸化亜鉛系
磁器組成物の両面に電極を形成し、そこにリード線を付
け、ディスクタイプのバリスタを得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は電気回路中のサー
ジ吸収などに用いられる酸化亜鉛バリスタ用磁器組成物
とその製造方法および酸化亜鉛バリスタに関する。
ジ吸収などに用いられる酸化亜鉛バリスタ用磁器組成物
とその製造方法および酸化亜鉛バリスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】 酸化亜鉛バリスタは、ＺnＯと基本添
加物であるＢi2Ｏ3、ＭnＯおよびＣoＯと、さらに性能
向上のために添加される各種の酸化物とを含む酸化亜鉛
原料粉末を成形し焼成することによって得られる酸化亜
鉛系磁器組成物の焼結体を用いて製造される。酸化亜鉛
バリスタの立ち上がり電圧は、電極間に存在する粒界の
数にほぼ比例して上昇することが知られている。すなわ
ち、一つの粒界あたり３から４ボルト立ち上がり電圧は
上昇する。したがって、厚さ１ｍｍあたり３００〜４０
０Ｖくらいの高電圧用の酸化亜鉛バリスタを製造するた
めには、平均粒径４〜４０μｍ程度の粒径の小さいＺn
Ｏ粒子を有する焼結体を製造することが必要である。そ
こで従来は、高電圧用の酸化亜鉛バリスタを製造するた
めにはＳb2Ｏ3などのＺnＯ粒子の粒成長抑制剤を添加す
ることによって、ＺnＯ粒子の成長を抑制する方法が用
いられて来た。Ｓb2Ｏ3は酸化亜鉛バリスタの非直線抵
抗特性を安定化させるという重要な働きも行なう。
加物であるＢi2Ｏ3、ＭnＯおよびＣoＯと、さらに性能
向上のために添加される各種の酸化物とを含む酸化亜鉛
原料粉末を成形し焼成することによって得られる酸化亜
鉛系磁器組成物の焼結体を用いて製造される。酸化亜鉛
バリスタの立ち上がり電圧は、電極間に存在する粒界の
数にほぼ比例して上昇することが知られている。すなわ
ち、一つの粒界あたり３から４ボルト立ち上がり電圧は
上昇する。したがって、厚さ１ｍｍあたり３００〜４０
０Ｖくらいの高電圧用の酸化亜鉛バリスタを製造するた
めには、平均粒径４〜４０μｍ程度の粒径の小さいＺn
Ｏ粒子を有する焼結体を製造することが必要である。そ
こで従来は、高電圧用の酸化亜鉛バリスタを製造するた
めにはＳb2Ｏ3などのＺnＯ粒子の粒成長抑制剤を添加す
ることによって、ＺnＯ粒子の成長を抑制する方法が用
いられて来た。Ｓb2Ｏ3は酸化亜鉛バリスタの非直線抵
抗特性を安定化させるという重要な働きも行なう。
【０００３】 なお、立ち上がり電圧とは、バリスタに
１ｍＡの電流を流したときの両端子間の電圧をいい、Ｖ
１ｍＡで表す。そして、厚みが１ｍｍの試料に１ｍＡの
電流を流したときの両端子間の電圧をこの材料の定数の
一つとし、Ｖ１ｍＡ／ｍｍで表している。これは試料１
ｍｍの厚み当たりの立ち上がり電圧ということになる。
１ｍＡの電流を流したときの両端子間の電圧をいい、Ｖ
１ｍＡで表す。そして、厚みが１ｍｍの試料に１ｍＡの
電流を流したときの両端子間の電圧をこの材料の定数の
一つとし、Ｖ１ｍＡ／ｍｍで表している。これは試料１
ｍｍの厚み当たりの立ち上がり電圧ということになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、高電
圧用、高性能の酸化亜鉛バリスタを得るには、１１５０
℃〜１３００℃の高い焼結温度を必要とした。高い焼結
温度は電力消費のみならず、Ｂi2Ｏ3などの激しい飛散
とそれに伴う炉材や容器の消耗をもたらすという欠点が
あり、焼結温度の低温度化が要望されていた。すなわ
ち、これらの高い温度で焼成すると大気中においてもＢ
i2Ｏ3などの蒸発は活発である。また、Ｂi2Ｏ3は多くの
種類の物質と反応しやすく、炉材や容器等のセラミック
ス材など多くの物質を容易に腐食する。また、炉内の焼
成物の置かれた場所により温度、昇温速度、Ｂi2Ｏ3や
Ｓb2Ｏ3の蒸気圧などに差が生じ、これらを均一に保つ
ことが困難で、ばらつきを生ずる。
圧用、高性能の酸化亜鉛バリスタを得るには、１１５０
℃〜１３００℃の高い焼結温度を必要とした。高い焼結
温度は電力消費のみならず、Ｂi2Ｏ3などの激しい飛散
とそれに伴う炉材や容器の消耗をもたらすという欠点が
あり、焼結温度の低温度化が要望されていた。すなわ
ち、これらの高い温度で焼成すると大気中においてもＢ
i2Ｏ3などの蒸発は活発である。また、Ｂi2Ｏ3は多くの
種類の物質と反応しやすく、炉材や容器等のセラミック
ス材など多くの物質を容易に腐食する。また、炉内の焼
成物の置かれた場所により温度、昇温速度、Ｂi2Ｏ3や
Ｓb2Ｏ3の蒸気圧などに差が生じ、これらを均一に保つ
ことが困難で、ばらつきを生ずる。
【０００５】 一方、従来の酸化亜鉛バリスタの配合組
成で焼成温度を低くすると、十分な焼結が行なわれず、
立ち上がり電圧が急激に高くなり、ＺnＯの粒径にばら
つきが生じ非直線抵抗特性が低下する。また、電力負
荷、パルス電流負荷などに対して寿命が短くなる。
成で焼成温度を低くすると、十分な焼結が行なわれず、
立ち上がり電圧が急激に高くなり、ＺnＯの粒径にばら
つきが生じ非直線抵抗特性が低下する。また、電力負
荷、パルス電流負荷などに対して寿命が短くなる。
【０００６】 Ｓb2Ｏ3は容易に昇華してＺnＯ粒子の表
面を覆い、そしてＺnＯと反応して粒成長を抑制する働
きをする。その結果、焼結体において、Ｓb2Ｏ3の濃度
がばらつくと粒成長が促進されない部分と促進される部
分が混在してしまうとになり、したがって、従来の製造
方法では粒径のそろった焼結体を製造することが困難で
あった。したがって、品質の不均一やロット間の品質の
ばらつきが生じることがしばしばであった。
面を覆い、そしてＺnＯと反応して粒成長を抑制する働
きをする。その結果、焼結体において、Ｓb2Ｏ3の濃度
がばらつくと粒成長が促進されない部分と促進される部
分が混在してしまうとになり、したがって、従来の製造
方法では粒径のそろった焼結体を製造することが困難で
あった。したがって、品質の不均一やロット間の品質の
ばらつきが生じることがしばしばであった。
【０００７】 酸化亜鉛バリスタの磁器の基本組成であ
るＺnＯ−Ｂi2Ｏ3系には７４０℃の共晶温度をもつ共晶
組成があるので、このＺnＯとＢi2Ｏ3の二者は８００℃
近傍の温度においても容易に反応し、焼結する。しかる
に添加物の中にＳb2Ｏ3が存在するとこの反応を妨げ焼
結を困難にする。Ｓb2Ｏ3は添加物そのものが、あるい
は、Ｓb2Ｏ3の化合物が上記二者の間の接触を妨げる場
合と、Ｂi2Ｏ3と反応すべきＳb2Ｏ3がＢi2Ｏ3と反応す
るよりも先にＺnＯと反応して化学的に安定なパイロク
ロアやスピネルを形成する場合とがある。
るＺnＯ−Ｂi2Ｏ3系には７４０℃の共晶温度をもつ共晶
組成があるので、このＺnＯとＢi2Ｏ3の二者は８００℃
近傍の温度においても容易に反応し、焼結する。しかる
に添加物の中にＳb2Ｏ3が存在するとこの反応を妨げ焼
結を困難にする。Ｓb2Ｏ3は添加物そのものが、あるい
は、Ｓb2Ｏ3の化合物が上記二者の間の接触を妨げる場
合と、Ｂi2Ｏ3と反応すべきＳb2Ｏ3がＢi2Ｏ3と反応す
るよりも先にＺnＯと反応して化学的に安定なパイロク
ロアやスピネルを形成する場合とがある。
【０００８】 さらに、ＺnＯの異常粒成長を十分に制
御することが困難であったので、一つの製造ロットから
得られる酸化亜鉛バリスタの間の電気特性および信頼性
のばらつき（ロット内ばらつき）が大きいという問題が
あった。また、異なる製造ロットから得られるＺnＯバ
リスタの間の電気特性および信頼性のばらつき（ロット
間ばらつき）も大きいという問題があった。
御することが困難であったので、一つの製造ロットから
得られる酸化亜鉛バリスタの間の電気特性および信頼性
のばらつき（ロット内ばらつき）が大きいという問題が
あった。また、異なる製造ロットから得られるＺnＯバ
リスタの間の電気特性および信頼性のばらつき（ロット
間ばらつき）も大きいという問題があった。
【０００９】 上述したように、従来のＺnＯの焼結体
の作成方法では、電気特性および信頼性に優れた低温度
焼結の酸化亜鉛バリスタを安定して製造することができ
なかった。
の作成方法では、電気特性および信頼性に優れた低温度
焼結の酸化亜鉛バリスタを安定して製造することができ
なかった。
【００１０】 なお、酸化亜鉛バリスタにおいて電気特
性が優れているとは、例えば、漏れ電流が少なく、後述
する非直線抵抗指数０.１ｍＡα１ｍＡが高い特性をも
つなどである。また、信頼性が優れているとは、長時間
電圧を印加した場合、あるいは、高温下で長時間電力負
荷を加えた場合、さらにはパルス印加した場合等におい
ても、電気特性の低下などがなく、もとの電気特性が維
持されるなどの事項が挙げられる。
性が優れているとは、例えば、漏れ電流が少なく、後述
する非直線抵抗指数０.１ｍＡα１ｍＡが高い特性をも
つなどである。また、信頼性が優れているとは、長時間
電圧を印加した場合、あるいは、高温下で長時間電力負
荷を加えた場合、さらにはパルス印加した場合等におい
ても、電気特性の低下などがなく、もとの電気特性が維
持されるなどの事項が挙げられる。
【００１１】 本発明は、上記従来の問題を解決するた
め、低温度焼結で非直線抵抗特性などの電気特性および
信頼性に優れた酸化亜鉛バリスタを高歩留まりで製造す
るための酸化亜鉛系磁器組成物とその製造方法を提供す
ることを目的とする。
め、低温度焼結で非直線抵抗特性などの電気特性および
信頼性に優れた酸化亜鉛バリスタを高歩留まりで製造す
るための酸化亜鉛系磁器組成物とその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】 前記の目的を達成する
ため、本発明の酸化亜鉛系磁器組成物は、ＺnＯ粉末１
００重量部に対し、Ｂi2Ｏ3：０.５〜１２重量部、Ｂi2
Ｏ3とＳb2Ｏ3の二者を混合し４００℃〜７００℃の範囲
の熱処理を施して得たＢi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の合成粉末：
０.５〜８重量部と、Ａl2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＣoＯ、Ｃr2Ｏ
3、ＧeＯ2、Ｌa2Ｏ3、ＭgＯ、ＭnＯ、Ｎb2Ｏ5、Ｎd2Ｏ
3、ＮiＯ、ＰbＯ、Ｐr2Ｏ3、ＳiＯ2、ＳnＯ2、Ｔa2Ｏ
5、ＴiＯ2、ＷＯ3、およびＹ2Ｏ3のそれぞれから選ばれ
る少なくとも二つ以上の金属酸化物粉末：０.５〜８重
量部を添加してなるという構成を備えたものである。
ため、本発明の酸化亜鉛系磁器組成物は、ＺnＯ粉末１
００重量部に対し、Ｂi2Ｏ3：０.５〜１２重量部、Ｂi2
Ｏ3とＳb2Ｏ3の二者を混合し４００℃〜７００℃の範囲
の熱処理を施して得たＢi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の合成粉末：
０.５〜８重量部と、Ａl2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＣoＯ、Ｃr2Ｏ
3、ＧeＯ2、Ｌa2Ｏ3、ＭgＯ、ＭnＯ、Ｎb2Ｏ5、Ｎd2Ｏ
3、ＮiＯ、ＰbＯ、Ｐr2Ｏ3、ＳiＯ2、ＳnＯ2、Ｔa2Ｏ
5、ＴiＯ2、ＷＯ3、およびＹ2Ｏ3のそれぞれから選ばれ
る少なくとも二つ以上の金属酸化物粉末：０.５〜８重
量部を添加してなるという構成を備えたものである。
【００１３】 また、上記の酸化亜鉛系磁器組成物にお
いて、熱処理を施して得たＢi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の合成粉末
が、化合物ＢiＳbＯ4粉末であったり、あるいは化合物
Ｂi3ＳbＯ7粉末であるという構成を備えたものである。
いて、熱処理を施して得たＢi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の合成粉末
が、化合物ＢiＳbＯ4粉末であったり、あるいは化合物
Ｂi3ＳbＯ7粉末であるという構成を備えたものである。
【００１４】 さらにまた、前記の酸化亜鉛系磁器組成
物において、熱処理を施して得たＢi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の合
成粉末が、Ｂi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の他にさらにＡl2Ｏ3、Ｂ2
Ｏ3、Ｃr2Ｏ3、ＧeＯ2、Ｌa2Ｏ3、Ｎb2Ｏ5、Ｎd2Ｏ3、
ＰbＯ、Ｐr2Ｏ3、ＳiＯ2、ＳnＯ2、Ｔa2Ｏ5、ＴiＯ2、
ＷＯ3、およびＹ2Ｏ3のそれぞれから選ばれる少なくと
も一つ以上の酸化物を含有する合成粉末よりなるという
構成を備えたものである。
物において、熱処理を施して得たＢi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の合
成粉末が、Ｂi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の他にさらにＡl2Ｏ3、Ｂ2
Ｏ3、Ｃr2Ｏ3、ＧeＯ2、Ｌa2Ｏ3、Ｎb2Ｏ5、Ｎd2Ｏ3、
ＰbＯ、Ｐr2Ｏ3、ＳiＯ2、ＳnＯ2、Ｔa2Ｏ5、ＴiＯ2、
ＷＯ3、およびＹ2Ｏ3のそれぞれから選ばれる少なくと
も一つ以上の酸化物を含有する合成粉末よりなるという
構成を備えたものである。
【００１５】 次に、前記目的を達成するため、本発明
の酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法は、Ｂi2Ｏ3とＳb2
Ｏ3の二者を混合し４００℃〜７００℃の範囲の熱処理
を施してＢi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の合成粉末を得る工程と、酸
化亜鉛（ＺnＯ）粉末１００重量部に対し、Ｂi2Ｏ3を
０.５〜１２重量部と、前記Ｂi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の合成粉
末０.５〜８重量部と、Ａl2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＣoＯ、Ｃr2
Ｏ3、ＧeＯ2、Ｌa2Ｏ3、ＭgＯ、ＭnＯ、Ｎb2Ｏ5、Ｎd2
Ｏ3、ＮiＯ、ＰbＯ、Ｐr2Ｏ3、ＳiＯ2、ＳnＯ2、Ｔa2Ｏ
5、ＴiＯ2、ＷＯ3、および、Ｙ2Ｏ3のそれぞれから選ば
れる少なくとも二つ以上の金属酸化物０.５〜８重量部
とを添加する工程を含有するという構成を備えたもので
ある。
の酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法は、Ｂi2Ｏ3とＳb2
Ｏ3の二者を混合し４００℃〜７００℃の範囲の熱処理
を施してＢi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の合成粉末を得る工程と、酸
化亜鉛（ＺnＯ）粉末１００重量部に対し、Ｂi2Ｏ3を
０.５〜１２重量部と、前記Ｂi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の合成粉
末０.５〜８重量部と、Ａl2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＣoＯ、Ｃr2
Ｏ3、ＧeＯ2、Ｌa2Ｏ3、ＭgＯ、ＭnＯ、Ｎb2Ｏ5、Ｎd2
Ｏ3、ＮiＯ、ＰbＯ、Ｐr2Ｏ3、ＳiＯ2、ＳnＯ2、Ｔa2Ｏ
5、ＴiＯ2、ＷＯ3、および、Ｙ2Ｏ3のそれぞれから選ば
れる少なくとも二つ以上の金属酸化物０.５〜８重量部
とを添加する工程を含有するという構成を備えたもので
ある。
【００１６】 また、前記目的を達成するため、本発明
の酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法は、ＢiＳbＯ4また
はＢi3ＳbＯ7のうちのいずれかの合成粉末を得る工程
と、酸化亜鉛（ＺnＯ）粉末１００重量部に対し、Ｂi2
Ｏ3を０.５〜１２重量部と、前記ＢiＳbＯ4またはＢi3
ＳbＯ7のうちのいずれかの合成粉末０.５〜８重量部
と、Ａl2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＣoＯ、Ｃr2Ｏ3、ＧeＯ2、Ｌa2
Ｏ3、ＭgＯ、ＭnＯ、Ｎb2Ｏ5、Ｎd2Ｏ3、ＮiＯ、Ｐb
Ｏ、Ｐr2Ｏ3、ＳiＯ2、ＳnＯ2、Ｔa2Ｏ5、ＴiＯ2、ＷＯ
3、および、Ｙ2Ｏ3のそれぞれから選ばれる少なくとも
二つ以上の金属酸化物０.５〜８重量部とを添加する工
程を含有するという構成を備えたものである。
の酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法は、ＢiＳbＯ4また
はＢi3ＳbＯ7のうちのいずれかの合成粉末を得る工程
と、酸化亜鉛（ＺnＯ）粉末１００重量部に対し、Ｂi2
Ｏ3を０.５〜１２重量部と、前記ＢiＳbＯ4またはＢi3
ＳbＯ7のうちのいずれかの合成粉末０.５〜８重量部
と、Ａl2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＣoＯ、Ｃr2Ｏ3、ＧeＯ2、Ｌa2
Ｏ3、ＭgＯ、ＭnＯ、Ｎb2Ｏ5、Ｎd2Ｏ3、ＮiＯ、Ｐb
Ｏ、Ｐr2Ｏ3、ＳiＯ2、ＳnＯ2、Ｔa2Ｏ5、ＴiＯ2、ＷＯ
3、および、Ｙ2Ｏ3のそれぞれから選ばれる少なくとも
二つ以上の金属酸化物０.５〜８重量部とを添加する工
程を含有するという構成を備えたものである。
【００１７】 また、前記目的を達成するため、本発明
の酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法は、Ｂi2Ｏ3とＳb2
Ｏ3の二者の他にさらにＡl2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、Ｃr2Ｏ3、Ｇe
Ｏ2、Ｌa2Ｏ3、Ｎb2Ｏ5、Ｎd2Ｏ3、ＰbＯ、Ｐr2Ｏ3、Ｓ
iＯ2、ＳnＯ2、Ｔa2Ｏ5、ＴiＯ2、ＷＯ3、および、Ｙ2
Ｏ3のそれぞれから選ばれる少なくとも一つ以上の酸化
物を含有する粉末を混合し４００℃〜７００℃の範囲の
熱処理を施して合成粉末を得る工程と、酸化亜鉛（Ｚn
Ｏ）粉末１００重量部に対し、Ｂi2Ｏ3を０.５〜１２重
量部と、前記の合成粉末０.５〜８重量部と、Ａl2Ｏ3、
Ｂ2Ｏ3、ＣoＯ、Ｃr2Ｏ3、ＧeＯ2、Ｌa2Ｏ3、ＭgＯ、Ｍ
nＯ、Ｎb2Ｏ5、Ｎd2Ｏ3、ＮiＯ、ＰbＯ、Ｐr2Ｏ3、Ｓi
Ｏ2、ＳnＯ2、Ｔa2Ｏ5、ＴiＯ2、ＷＯ3、および、Ｙ2Ｏ
3のそれぞれから選ばれる少なくとも二つ以上の金属酸
化物０.５〜８重量部とを添加する工程を含有するとい
う構成を備えたものである。
の酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法は、Ｂi2Ｏ3とＳb2
Ｏ3の二者の他にさらにＡl2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、Ｃr2Ｏ3、Ｇe
Ｏ2、Ｌa2Ｏ3、Ｎb2Ｏ5、Ｎd2Ｏ3、ＰbＯ、Ｐr2Ｏ3、Ｓ
iＯ2、ＳnＯ2、Ｔa2Ｏ5、ＴiＯ2、ＷＯ3、および、Ｙ2
Ｏ3のそれぞれから選ばれる少なくとも一つ以上の酸化
物を含有する粉末を混合し４００℃〜７００℃の範囲の
熱処理を施して合成粉末を得る工程と、酸化亜鉛（Ｚn
Ｏ）粉末１００重量部に対し、Ｂi2Ｏ3を０.５〜１２重
量部と、前記の合成粉末０.５〜８重量部と、Ａl2Ｏ3、
Ｂ2Ｏ3、ＣoＯ、Ｃr2Ｏ3、ＧeＯ2、Ｌa2Ｏ3、ＭgＯ、Ｍ
nＯ、Ｎb2Ｏ5、Ｎd2Ｏ3、ＮiＯ、ＰbＯ、Ｐr2Ｏ3、Ｓi
Ｏ2、ＳnＯ2、Ｔa2Ｏ5、ＴiＯ2、ＷＯ3、および、Ｙ2Ｏ
3のそれぞれから選ばれる少なくとも二つ以上の金属酸
化物０.５〜８重量部とを添加する工程を含有するとい
う構成を備えたものである。
【００１８】 次に本発明においては、電極を形成した
酸化亜鉛系磁器組成物がバリスタであるという構成を備
えたものである。前記バリスタにおいては、バリスタ内
部電極として銀を一体焼成したことが望ましい。また、
前記バリスタにおいては、積層タイプのバリスタおよび
ディスクタイプのバリスタから選ばれる少なくとも一つ
であることが好ましい。
酸化亜鉛系磁器組成物がバリスタであるという構成を備
えたものである。前記バリスタにおいては、バリスタ内
部電極として銀を一体焼成したことが望ましい。また、
前記バリスタにおいては、積層タイプのバリスタおよび
ディスクタイプのバリスタから選ばれる少なくとも一つ
であることが好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】 本発明においては、主成分のＺ
nＯと、これと反応する添加物の働きについて詳しく解
析した。その結果、Ｓb2Ｏ3粉体で単独でＺnＯ粉体に添
加されるとかなり低い温度で昇華し、ＺnＯ粒子の表面
に付着し、ＺnＯと反応して強固なアンチモン化合物薄
膜を形成し、続いて起こるべき粒成長を妨げる。一方、
添加されるＳb2Ｏ3と添加されるＢi2Ｏ3の一部とを予め
熱処理を加えて反応させてＢi2Ｏ3とＳb2Ｏ3との合成粉
末を添加すると、Ｓb2Ｏ3の昇華が抑制され、未反応Ｓb
2Ｏ3を添加したとき、ＺnＯ粒子の表面に付着し、ＺnＯ
と反応してできる強固なアンチモン化合物薄膜は形成さ
れず、低温で焼結が進み、活発に粒成長する。ここにお
いて、Ｂi2Ｏ3の一部を未反応の粉体の形で添加する
と、全Ｂi2Ｏ3と全Ｓb2Ｏ3とを予め反応させておいて添
加する場合に比べてより低温で液相焼結が開始されるこ
とが明らかとなった。全Ｂi2Ｏ3と全Ｓb2Ｏ3とを予め反
応させて置いて添加すると、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3反応物質
とＺnＯとの間の共晶発生の温度が上昇することによる
と考えられる。Ｓb2Ｏ3量が多いと焼結温度が高くなり
９５０℃以上となった。一方、焼結温度が上昇すると本
来反応してほしくない添加物の反応が生じ、ばらつきの
原因になることがある。例えば、ＴiＯ2を添加して粒成
長を促進しようとした場合、ＴiＯ2はＢi2Ｏ3と反応し
てほしいにもかかわらず先にＺnＯと反応するものがで
ると、目的を達しないのみでなく、ばらつきの原因にな
る。反応に富んだＢi2Ｏ3の存在が必要となる。かくし
て、本発明の酸化亜鉛系磁器組成物は次の４種を混合
し、所定の形状に加圧成形し、その成形体を７５０〜１
０００℃の範囲内の温度で焼成することが望ましい。こ
の範囲内で焼結することによって、非直線抵抗特性など
の電気特性および信頼性に優れた酸化亜鉛バリスタを歩
留まり高く製造することができる。その４種類とは
（１）ＺnＯ、（２）Ｂi2Ｏ3とＳb2Ｏ3との合成粉末、
（３）Ｂi2Ｏ3、（４）その他の添加物、である。さら
に、均質性を増すため、アルミニウム成分としてＡl2Ｏ
3の代わりにアルミニウム塩の溶液を添加することも好
ましい。
nＯと、これと反応する添加物の働きについて詳しく解
析した。その結果、Ｓb2Ｏ3粉体で単独でＺnＯ粉体に添
加されるとかなり低い温度で昇華し、ＺnＯ粒子の表面
に付着し、ＺnＯと反応して強固なアンチモン化合物薄
膜を形成し、続いて起こるべき粒成長を妨げる。一方、
添加されるＳb2Ｏ3と添加されるＢi2Ｏ3の一部とを予め
熱処理を加えて反応させてＢi2Ｏ3とＳb2Ｏ3との合成粉
末を添加すると、Ｓb2Ｏ3の昇華が抑制され、未反応Ｓb
2Ｏ3を添加したとき、ＺnＯ粒子の表面に付着し、ＺnＯ
と反応してできる強固なアンチモン化合物薄膜は形成さ
れず、低温で焼結が進み、活発に粒成長する。ここにお
いて、Ｂi2Ｏ3の一部を未反応の粉体の形で添加する
と、全Ｂi2Ｏ3と全Ｓb2Ｏ3とを予め反応させておいて添
加する場合に比べてより低温で液相焼結が開始されるこ
とが明らかとなった。全Ｂi2Ｏ3と全Ｓb2Ｏ3とを予め反
応させて置いて添加すると、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3反応物質
とＺnＯとの間の共晶発生の温度が上昇することによる
と考えられる。Ｓb2Ｏ3量が多いと焼結温度が高くなり
９５０℃以上となった。一方、焼結温度が上昇すると本
来反応してほしくない添加物の反応が生じ、ばらつきの
原因になることがある。例えば、ＴiＯ2を添加して粒成
長を促進しようとした場合、ＴiＯ2はＢi2Ｏ3と反応し
てほしいにもかかわらず先にＺnＯと反応するものがで
ると、目的を達しないのみでなく、ばらつきの原因にな
る。反応に富んだＢi2Ｏ3の存在が必要となる。かくし
て、本発明の酸化亜鉛系磁器組成物は次の４種を混合
し、所定の形状に加圧成形し、その成形体を７５０〜１
０００℃の範囲内の温度で焼成することが望ましい。こ
の範囲内で焼結することによって、非直線抵抗特性など
の電気特性および信頼性に優れた酸化亜鉛バリスタを歩
留まり高く製造することができる。その４種類とは
（１）ＺnＯ、（２）Ｂi2Ｏ3とＳb2Ｏ3との合成粉末、
（３）Ｂi2Ｏ3、（４）その他の添加物、である。さら
に、均質性を増すため、アルミニウム成分としてＡl2Ｏ
3の代わりにアルミニウム塩の溶液を添加することも好
ましい。
【００２０】 また、この酸化亜鉛系磁器組成物には９
５０℃以下の温度で焼結して優れた電気特性を有するも
のが含まれているので、これら酸化亜鉛系磁器組成物を
シート状に成形し、電極材料と交互に積層し、焼結し、
電極を所定の接続方法でつなぐと、積層型のバリスタが
得られる。その際、従来の積層型のバリスタでは、良特
性のものを得ようとすると１２００℃以上の焼成温度を
必要としたが、そのためには電極材料として白金などの
貴金属を用いる必要があった。しかるに、９００℃以下
の温度で焼結可能な酸化亜鉛系磁器組成物を用いる場
合、電極材料として低価額の銀を用いることが可能とな
り、バリスタ普及に大きく寄与するであろう。本発明の
利点の一つは、バリスタの内部電極として銀を一体化焼
成できることにある。
５０℃以下の温度で焼結して優れた電気特性を有するも
のが含まれているので、これら酸化亜鉛系磁器組成物を
シート状に成形し、電極材料と交互に積層し、焼結し、
電極を所定の接続方法でつなぐと、積層型のバリスタが
得られる。その際、従来の積層型のバリスタでは、良特
性のものを得ようとすると１２００℃以上の焼成温度を
必要としたが、そのためには電極材料として白金などの
貴金属を用いる必要があった。しかるに、９００℃以下
の温度で焼結可能な酸化亜鉛系磁器組成物を用いる場
合、電極材料として低価額の銀を用いることが可能とな
り、バリスタ普及に大きく寄与するであろう。本発明の
利点の一つは、バリスタの内部電極として銀を一体化焼
成できることにある。
【００２１】 なお、酸化亜鉛バリスタでは、高電流域
における非直線抵抗特性をよくするため、しばしばＡl2
Ｏ3が添加されるが、その添加量はバリスタの用途によ
って決まる。高電流域における非直線抵抗特性をよくし
たい場合はＡl2Ｏ3の添加量を増し、低電流域における
漏れ電流を小さくしたい場合にはＡl2Ｏ3の添加量を少
なくする。
における非直線抵抗特性をよくするため、しばしばＡl2
Ｏ3が添加されるが、その添加量はバリスタの用途によ
って決まる。高電流域における非直線抵抗特性をよくし
たい場合はＡl2Ｏ3の添加量を増し、低電流域における
漏れ電流を小さくしたい場合にはＡl2Ｏ3の添加量を少
なくする。
【００２２】
【実施例】 以下、実施例を用いて本発明をさらに具体
的に説明する。なお、下記の実施例において、「重量」
は「ｗｔ」と表示することがある。
的に説明する。なお、下記の実施例において、「重量」
は「ｗｔ」と表示することがある。
【００２３】 なお、非直線抵抗特性をよくするため、
また、信頼性を高めるため、ＣoＯ、ＭnＯ、ＮiＯなど
のいずれかの鉄族金属の酸化物の添加は不可欠である。
試料間の比較を容易にするため、また、データの信頼性
を高めるため、実施例ではこれらＣoＯ、ＭnＯ、ＮiＯ
の三者を予め混合しておいて、一定量添加した。
また、信頼性を高めるため、ＣoＯ、ＭnＯ、ＮiＯなど
のいずれかの鉄族金属の酸化物の添加は不可欠である。
試料間の比較を容易にするため、また、データの信頼性
を高めるため、実施例ではこれらＣoＯ、ＭnＯ、ＮiＯ
の三者を予め混合しておいて、一定量添加した。
【００２４】（実施例１） Ｂi2Ｏ3の粉末と、Ｓb2Ｏ3
の粉末（各粉末の粒径はそれぞれ、平均粒径が２〜３μ
ｍ）を重量比で１：２.５となるように混合した。この
混合粉を大気雰囲気下、６００℃で１時間の熱処理を施
した後、安定化ジルコニアを玉石とするモノマロンポッ
トのボールミルで微粉砕することによって合成粉末（平
均粒径約０.５〜１.５μｍ）を得た。以下、Ｂi2Ｏ3
と、Ｓb2Ｏ3とをこのようにして調整される合成粉末を
Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3合成粉末と称す。ＺnＯ粉末（平均粒
径約０.３μｍ）と、Ｂi2Ｏ3の粉末と、前記Ｂi2Ｏ3／
Ｓb2Ｏ3合成粉末と、ＣoＯ粉末（平均粒径約０.５〜１.
５μｍ）と、ＭnＯ2粉末（平均粒径約２〜３μｍ）と、
ＮiＯ粉末（平均粒径約０.５〜１.５μｍ）とを、前記
Ｂi2Ｏ3粉末の量を変えながら重量比が１００：０.３〜
１０：３.５：０.９５４：０.４１４：０.３８３となる
ように配合した粉末をモノマロンポットと安定化ジルコ
ニアボールを用いて１８時間、湿式法で混合粉砕し、３
２５メッシュを通過するように粉砕した。得られた配合
粉末を乾燥し、硝酸アルミニウムの水溶液を加えて乳鉢
で混合し、ディスク状に加圧成形した。次に、得られた
成形体を大気中、昇温速度５０℃／時間で昇温し、９５
０℃で１７時間保持した後、降温速度５０℃／時間で降
温して焼結体を得た。焼結体の試料サイズは厚さ１.２
ｍｍ、直径は１４ｍｍであった。
の粉末（各粉末の粒径はそれぞれ、平均粒径が２〜３μ
ｍ）を重量比で１：２.５となるように混合した。この
混合粉を大気雰囲気下、６００℃で１時間の熱処理を施
した後、安定化ジルコニアを玉石とするモノマロンポッ
トのボールミルで微粉砕することによって合成粉末（平
均粒径約０.５〜１.５μｍ）を得た。以下、Ｂi2Ｏ3
と、Ｓb2Ｏ3とをこのようにして調整される合成粉末を
Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3合成粉末と称す。ＺnＯ粉末（平均粒
径約０.３μｍ）と、Ｂi2Ｏ3の粉末と、前記Ｂi2Ｏ3／
Ｓb2Ｏ3合成粉末と、ＣoＯ粉末（平均粒径約０.５〜１.
５μｍ）と、ＭnＯ2粉末（平均粒径約２〜３μｍ）と、
ＮiＯ粉末（平均粒径約０.５〜１.５μｍ）とを、前記
Ｂi2Ｏ3粉末の量を変えながら重量比が１００：０.３〜
１０：３.５：０.９５４：０.４１４：０.３８３となる
ように配合した粉末をモノマロンポットと安定化ジルコ
ニアボールを用いて１８時間、湿式法で混合粉砕し、３
２５メッシュを通過するように粉砕した。得られた配合
粉末を乾燥し、硝酸アルミニウムの水溶液を加えて乳鉢
で混合し、ディスク状に加圧成形した。次に、得られた
成形体を大気中、昇温速度５０℃／時間で昇温し、９５
０℃で１７時間保持した後、降温速度５０℃／時間で降
温して焼結体を得た。焼結体の試料サイズは厚さ１.２
ｍｍ、直径は１４ｍｍであった。
【００２５】 次に、図１を参照しながら酸化亜鉛バリ
スタの作成方法を説明する。図１は本発明の酸化亜鉛系
磁器組成物を用いて作成したディスクタイプの酸化亜鉛
バリスタ１０の概略斜視図である。前記のようにして得
た焼結体１１の両面にアルミニウムを溶射することによ
って、アルミニウム層（図示せず）を形成し、次に、こ
の両面に形成されたアルミニウム層の上に銅を溶射する
ことによって電極１２を形成した。電極１２にハンダを
用いリード線１３を付けた後、リード線以外の成形体を
エポキシ樹脂塗装することによって酸化亜鉛バリスタを
得た。
スタの作成方法を説明する。図１は本発明の酸化亜鉛系
磁器組成物を用いて作成したディスクタイプの酸化亜鉛
バリスタ１０の概略斜視図である。前記のようにして得
た焼結体１１の両面にアルミニウムを溶射することによ
って、アルミニウム層（図示せず）を形成し、次に、こ
の両面に形成されたアルミニウム層の上に銅を溶射する
ことによって電極１２を形成した。電極１２にハンダを
用いリード線１３を付けた後、リード線以外の成形体を
エポキシ樹脂塗装することによって酸化亜鉛バリスタを
得た。
【００２６】 このようにして得られた酸化亜鉛バリス
タの電気特性を評価した。初期の電気特性として、立ち
上がり電圧Ｖ１ｍＡ／ｍｍ（１ｍＡの電流を流したとき
の両端子間の１ｍｍ厚みに対する電圧）および非直線抵
抗指数０.１ｍＡα１ｍＡ（Ｖ１ｍＡとＶ０.１ｍＡとを
用いて求めた値）を測定した（なお、以下の記載におい
ては、非直線抵抗指数０.１ｍＡα１ｍＡを単にα値と
略称することがある）。非直線抵抗指数が大きいほど、
サージ吸収能力が大きくなる。また、直流負荷に対する
信頼性を評価した。８０℃の高温雰囲気中で０.２ワッ
トの直流負荷を５００時間印加し、バリスタ立ち上がり
電圧Ｖ１ｍＡの変化率△Ｖ１ｍＡ／Ｖ１ｍＡ（直流負荷
変化率）を測定した。バリスタ立ち上がり電圧Ｖ１ｍＡ
の変化率△Ｖ１ｍＡ／Ｖ１ｍＡが小さいほど酸化亜鉛バ
リスタの電気特性が安定しており、信頼性が高いことを
示している。さらに、サージに対する信頼性を評価し
た。８×２０μｓｅｃ、０.５ｋＡのパルスの１０回印
加によるバリスタ立ち上がり電圧Ｖ１ｍＡの変化率△Ｖ
１ｍＡ／Ｖ１ｍＡ（サージ変化率）を測定した。表１に
試料の組成を、表２に電気特性の評価結果を示す。サー
ジ変化率の値が小さいほど、酸化亜鉛バリスタの電気特
性が安定しており、信頼性が高いことを示している。い
ずれも変化率が５％以下で信頼性が高いことを示してい
る。なお、電気特性の評価結果を示す数値は、ロット内
の最小値と最大値を示した。
タの電気特性を評価した。初期の電気特性として、立ち
上がり電圧Ｖ１ｍＡ／ｍｍ（１ｍＡの電流を流したとき
の両端子間の１ｍｍ厚みに対する電圧）および非直線抵
抗指数０.１ｍＡα１ｍＡ（Ｖ１ｍＡとＶ０.１ｍＡとを
用いて求めた値）を測定した（なお、以下の記載におい
ては、非直線抵抗指数０.１ｍＡα１ｍＡを単にα値と
略称することがある）。非直線抵抗指数が大きいほど、
サージ吸収能力が大きくなる。また、直流負荷に対する
信頼性を評価した。８０℃の高温雰囲気中で０.２ワッ
トの直流負荷を５００時間印加し、バリスタ立ち上がり
電圧Ｖ１ｍＡの変化率△Ｖ１ｍＡ／Ｖ１ｍＡ（直流負荷
変化率）を測定した。バリスタ立ち上がり電圧Ｖ１ｍＡ
の変化率△Ｖ１ｍＡ／Ｖ１ｍＡが小さいほど酸化亜鉛バ
リスタの電気特性が安定しており、信頼性が高いことを
示している。さらに、サージに対する信頼性を評価し
た。８×２０μｓｅｃ、０.５ｋＡのパルスの１０回印
加によるバリスタ立ち上がり電圧Ｖ１ｍＡの変化率△Ｖ
１ｍＡ／Ｖ１ｍＡ（サージ変化率）を測定した。表１に
試料の組成を、表２に電気特性の評価結果を示す。サー
ジ変化率の値が小さいほど、酸化亜鉛バリスタの電気特
性が安定しており、信頼性が高いことを示している。い
ずれも変化率が５％以下で信頼性が高いことを示してい
る。なお、電気特性の評価結果を示す数値は、ロット内
の最小値と最大値を示した。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】 表１および表２より、本実施例の酸化亜
鉛系磁器を用いた酸化亜鉛バリスタは、極めて低い温度
で焼結することができ、Ｂi2Ｏ3添加量が０.３重量部の
試料(試料番号♯００１)を除いて非直線抵抗特性がよ
く、長時間の直流負荷に対しても、また、サージに対し
ても立ち上がり電圧Ｖ１ｍＡの変化率（△Ｖ１ｍＡ／Ｖ
１ｍＡ）の絶対値が５％以下で、信頼性が優れていた。
また、表２に示されているように、ロット内の電気特性
のばらつきも小さかった。表２には示されていないが、
本実施例の酸化亜鉛系磁器を用いて酸化亜鉛バリスタを
作成すると、ロット間の電気特性のばらつきも、ロット
内の電気特性のばらつきと同様に小さかった。なお、Ｂ
i2Ｏ3添加量が１５重量部を超えると、焼成の際に複数
個の成形体を重ねて焼成しているので、焼結体同士が融
着し（試料がくっつき）、電気特性の測定ができなかっ
た（試料番号♯０１０）。したがって、前記Ｂi2Ｏ3添
加量は、ＺnＯ粉末１００重量部に対して０.５〜１２重
量部がよい。
鉛系磁器を用いた酸化亜鉛バリスタは、極めて低い温度
で焼結することができ、Ｂi2Ｏ3添加量が０.３重量部の
試料(試料番号♯００１)を除いて非直線抵抗特性がよ
く、長時間の直流負荷に対しても、また、サージに対し
ても立ち上がり電圧Ｖ１ｍＡの変化率（△Ｖ１ｍＡ／Ｖ
１ｍＡ）の絶対値が５％以下で、信頼性が優れていた。
また、表２に示されているように、ロット内の電気特性
のばらつきも小さかった。表２には示されていないが、
本実施例の酸化亜鉛系磁器を用いて酸化亜鉛バリスタを
作成すると、ロット間の電気特性のばらつきも、ロット
内の電気特性のばらつきと同様に小さかった。なお、Ｂ
i2Ｏ3添加量が１５重量部を超えると、焼成の際に複数
個の成形体を重ねて焼成しているので、焼結体同士が融
着し（試料がくっつき）、電気特性の測定ができなかっ
た（試料番号♯０１０）。したがって、前記Ｂi2Ｏ3添
加量は、ＺnＯ粉末１００重量部に対して０.５〜１２重
量部がよい。
【００３０】（実施例２） Ｂi2Ｏ3の粉末と、Ｓb2Ｏ3
の粉末を重量比で４６６：２９２となるように混合し
た。この混合粉を大気雰囲気下、５００℃で５時間の熱
処理を施した後、ボールミルで微粉砕しＢi2Ｏ3／Ｓb2
Ｏ3合成粉末を得た。次に、実施例１と類似の方法で試
料を作成した。
の粉末を重量比で４６６：２９２となるように混合し
た。この混合粉を大気雰囲気下、５００℃で５時間の熱
処理を施した後、ボールミルで微粉砕しＢi2Ｏ3／Ｓb2
Ｏ3合成粉末を得た。次に、実施例１と類似の方法で試
料を作成した。
【００３１】 ＺnＯ粉末と、Ｂi2Ｏ3粉末と、前記Ｂi2
Ｏ3/Ｓb2Ｏ3合成粉末と、ＣoＯ粉末と、ＭnＯ2粉末と、
ＮiＯ粉末とを、前記Ｂi2Ｏ3/Ｓb2Ｏ3合成粉末の量を変
えながら重量比が１００：２：０.３７９〜１０.０：
０.９５４：０.４１４：０.３８３となるように配合
し、１８時間、湿式法で混合粉砕し、３２５メッシュを
通過するように粉砕した。得られた配合粉末を乾燥し、
硝酸アルミニウムの水溶液を加えて乳鉢で混合し、ディ
スク状に加圧成形した。次に、得られた成形体を大気
中、昇温速度５０℃／時間で昇温し、９００℃で１０時
間保持した後、降温速度５０℃／時間で降温して焼結体
を得た。次に、実施例１と類似の方法で酸化亜鉛バリス
タを得た。かくして得た酸化亜鉛バリスタの電気特性
を、実施例１と類似の方法で評価した。表３に試料の組
成を、表４に電気特性の評価結果を示す。
Ｏ3/Ｓb2Ｏ3合成粉末と、ＣoＯ粉末と、ＭnＯ2粉末と、
ＮiＯ粉末とを、前記Ｂi2Ｏ3/Ｓb2Ｏ3合成粉末の量を変
えながら重量比が１００：２：０.３７９〜１０.０：
０.９５４：０.４１４：０.３８３となるように配合
し、１８時間、湿式法で混合粉砕し、３２５メッシュを
通過するように粉砕した。得られた配合粉末を乾燥し、
硝酸アルミニウムの水溶液を加えて乳鉢で混合し、ディ
スク状に加圧成形した。次に、得られた成形体を大気
中、昇温速度５０℃／時間で昇温し、９００℃で１０時
間保持した後、降温速度５０℃／時間で降温して焼結体
を得た。次に、実施例１と類似の方法で酸化亜鉛バリス
タを得た。かくして得た酸化亜鉛バリスタの電気特性
を、実施例１と類似の方法で評価した。表３に試料の組
成を、表４に電気特性の評価結果を示す。
【００３２】
【表３】
【００３３】
【表４】
【００３４】 表３および表４より、本実施例の酸化亜
鉛系磁器を用いた酸化亜鉛バリスタは、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2
Ｏ3合成粉末添加量が０.３７９重量部の試料（試料番号
♯１０１）を除いて非直線抵抗特性がよく、長時間の直
流負荷に対しても、また、サージに対しても立ち上がり
電圧Ｖ１ｍＡの変化率（△Ｖ１ｍＡ／Ｖ１ｍＡ）の絶対
値が５％以下で信頼性が優れていた。なお、Ｂi2Ｏ3／
Ｓb2Ｏ3合成粉末添加量が１０重量部を超えると、焼成
の際に複数個の成形体を重ねて焼成しているので、焼結
体同士が融着し（試料がくっつく）、電気特性の測定が
できなかった（試料番号♯１１０）。
鉛系磁器を用いた酸化亜鉛バリスタは、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2
Ｏ3合成粉末添加量が０.３７９重量部の試料（試料番号
♯１０１）を除いて非直線抵抗特性がよく、長時間の直
流負荷に対しても、また、サージに対しても立ち上がり
電圧Ｖ１ｍＡの変化率（△Ｖ１ｍＡ／Ｖ１ｍＡ）の絶対
値が５％以下で信頼性が優れていた。なお、Ｂi2Ｏ3／
Ｓb2Ｏ3合成粉末添加量が１０重量部を超えると、焼成
の際に複数個の成形体を重ねて焼成しているので、焼結
体同士が融着し（試料がくっつく）、電気特性の測定が
できなかった（試料番号♯１１０）。
【００３５】（実施例３） Ｂi2Ｏ3の粉末と、Ｓb2Ｏ3
の粉末と、Ｂ2Ｏ3の粉末を重量比で１.１７：０.７２
８：０.１７４となるように混合した。この混合粉を大
気雰囲気下、４７０℃で５時間の熱処理を施した後、ボ
ールミルで微粉砕しＢi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／Ｂ2Ｏ3合成粉末
を得た。類似の方法で、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／Ｃr2Ｏ3合
成粉末（組成比１.１７：０.７２８：０.３８）、Ｂi2
Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／ＧeＯ2合成粉末（組成比１.１７：０.７
２８：０.２６２）、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／Ｎb2Ｏ5合成粉
末（組成比１.１７：０.７２８：０.６６５）、Ｂi2Ｏ3
／Ｓb2Ｏ3／Ｐr2Ｏ3合成粉末（組成比１.１７：０.７２
８：０.８２４）、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／ＳiＯ2合成粉末
（組成比１.１７：０.７２８：０.１５）、Ｂi2Ｏ3／Ｓ
b2Ｏ3／ＳnＯ2合成粉末（組成比１.１７：０.７２８：
０.３７７７）、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／Ｔa2Ｏ5合成粉末
（組成比１.１７：０.７２８：１.１０５）、Ｂi2Ｏ3／
Ｓb2Ｏ3／ＴiＯ2合成粉末（組成比１.１７：０.７２
８：０.１９９）、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／Ｙ2Ｏ3合成粉末
（組成比１.１７：０.７２８：０.５６５）を得た。次
に、実施例１と類似の方法で酸化亜鉛バリスタを得た。
すなわち、ＺnＯ粉末と、Ｂi2Ｏ3粉末と、前記Ｂi2Ｏ3
／Ｓb2Ｏ3／Ｂ2Ｏ3合成粉末と、ＣoＯ粉末とＭnＯ2粉末
と、ＮiＯ粉末とを、重量比が１００：１：２.０７２：
０.９５４：０.４１４：０.３８３となるように配合
し、１８時間、湿式法で混合粉砕し、３２５メッシュを
通過するように粉砕した。得られた配合粉末を乾燥し、
硝酸アルミニウムの水溶液を加えて乳鉢で混合し、ディ
スク状に加圧成形した。次に、得られた成形体を大気
中、昇温速度５０℃／時間で昇温し、８００℃で１０時
間保持した後、降温速度５０℃／時間で降温して焼結体
を得た。次に、実施例１と類似の方法で酸化亜鉛バリス
タを得た。
の粉末と、Ｂ2Ｏ3の粉末を重量比で１.１７：０.７２
８：０.１７４となるように混合した。この混合粉を大
気雰囲気下、４７０℃で５時間の熱処理を施した後、ボ
ールミルで微粉砕しＢi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／Ｂ2Ｏ3合成粉末
を得た。類似の方法で、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／Ｃr2Ｏ3合
成粉末（組成比１.１７：０.７２８：０.３８）、Ｂi2
Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／ＧeＯ2合成粉末（組成比１.１７：０.７
２８：０.２６２）、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／Ｎb2Ｏ5合成粉
末（組成比１.１７：０.７２８：０.６６５）、Ｂi2Ｏ3
／Ｓb2Ｏ3／Ｐr2Ｏ3合成粉末（組成比１.１７：０.７２
８：０.８２４）、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／ＳiＯ2合成粉末
（組成比１.１７：０.７２８：０.１５）、Ｂi2Ｏ3／Ｓ
b2Ｏ3／ＳnＯ2合成粉末（組成比１.１７：０.７２８：
０.３７７７）、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／Ｔa2Ｏ5合成粉末
（組成比１.１７：０.７２８：１.１０５）、Ｂi2Ｏ3／
Ｓb2Ｏ3／ＴiＯ2合成粉末（組成比１.１７：０.７２
８：０.１９９）、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／Ｙ2Ｏ3合成粉末
（組成比１.１７：０.７２８：０.５６５）を得た。次
に、実施例１と類似の方法で酸化亜鉛バリスタを得た。
すなわち、ＺnＯ粉末と、Ｂi2Ｏ3粉末と、前記Ｂi2Ｏ3
／Ｓb2Ｏ3／Ｂ2Ｏ3合成粉末と、ＣoＯ粉末とＭnＯ2粉末
と、ＮiＯ粉末とを、重量比が１００：１：２.０７２：
０.９５４：０.４１４：０.３８３となるように配合
し、１８時間、湿式法で混合粉砕し、３２５メッシュを
通過するように粉砕した。得られた配合粉末を乾燥し、
硝酸アルミニウムの水溶液を加えて乳鉢で混合し、ディ
スク状に加圧成形した。次に、得られた成形体を大気
中、昇温速度５０℃／時間で昇温し、８００℃で１０時
間保持した後、降温速度５０℃／時間で降温して焼結体
を得た。次に、実施例１と類似の方法で酸化亜鉛バリス
タを得た。
【００３６】 前記Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／Ｂ2Ｏ3合成粉末
に代えて、次の合成粉末を用い、同様の方法で酸化亜鉛
バリスタを得た。ただし、焼成温度は試料によって異な
る。Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／Ｃr2Ｏ3合成粉末：２.２７８、
Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／ＧeＯ2合成粉末：２.１６、Ｂi2Ｏ3
／Ｓb2Ｏ3／Ｎb2Ｏ5合成粉末：２.５６３、Ｂi2Ｏ3／Ｓ
b2Ｏ3／Ｐr2Ｏ3合成粉末：２.７７２、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ
3／ＳiＯ2合成粉末：２.０４８、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／Ｓ
nＯ2合成粉末：２.２７５、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／Ｔa2Ｏ5
合成粉末：３.００３、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／ＴiＯ2合成
粉末：２.０９８、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／Ｙ2Ｏ3合成粉
末：２.４６３。かくして得た酸化亜鉛バリスタの電気
特性を、実施例１と類似の方法で評価した。表５に試料
の組成を、表６に焼成温度と電気特性の評価結果を示
す。
に代えて、次の合成粉末を用い、同様の方法で酸化亜鉛
バリスタを得た。ただし、焼成温度は試料によって異な
る。Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／Ｃr2Ｏ3合成粉末：２.２７８、
Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／ＧeＯ2合成粉末：２.１６、Ｂi2Ｏ3
／Ｓb2Ｏ3／Ｎb2Ｏ5合成粉末：２.５６３、Ｂi2Ｏ3／Ｓ
b2Ｏ3／Ｐr2Ｏ3合成粉末：２.７７２、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ
3／ＳiＯ2合成粉末：２.０４８、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／Ｓ
nＯ2合成粉末：２.２７５、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／Ｔa2Ｏ5
合成粉末：３.００３、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／ＴiＯ2合成
粉末：２.０９８、Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／Ｙ2Ｏ3合成粉
末：２.４６３。かくして得た酸化亜鉛バリスタの電気
特性を、実施例１と類似の方法で評価した。表５に試料
の組成を、表６に焼成温度と電気特性の評価結果を示
す。
【００３７】
【表５】
【００３８】
【表６】
【００３９】 表５および表６より、本実施例の酸化亜
鉛系磁器を用いた酸化亜鉛バリスタは、非直線抵抗特性
がよく、長時間の直流負荷に対しても、また、サージに
対しても立ち上がり電圧Ｖ１ｍＡの変化率（△Ｖ１ｍＡ
／Ｖ１ｍＡ）の絶対値が５％以下で、信頼性が優れてい
た。
鉛系磁器を用いた酸化亜鉛バリスタは、非直線抵抗特性
がよく、長時間の直流負荷に対しても、また、サージに
対しても立ち上がり電圧Ｖ１ｍＡの変化率（△Ｖ１ｍＡ
／Ｖ１ｍＡ）の絶対値が５％以下で、信頼性が優れてい
た。
【００４０】（実施例４） Ｂi2Ｏ3の粉末と、Ｓb2Ｏ3
の粉末を重量比で４６６：２９２となるように混合し
た。この混合粉を大気雰囲気下、６００℃で５時間の熱
処理を施した後、ボールミルで微粉砕した。Ｘ線解析の
結果、ＢiＳbＯ4相が確認された。次に、実施例１と類
似の方法で試料を作成した。ＺnＯ粉末と、Ｂi2Ｏ3粉末
と、前記ＢiＳbＯ4粉末と、Ｃr2Ｏ3粉末と、ＣoＯ粉末
と、ＭnＯ2粉末と、ＮiＯ粉末とを重量比が、１００：
１：１.１９８：０.１：０.９５４：０.４１４：０.３
８３となるように配合し、１８時間、湿式法で混合粉砕
し、３２５メッシュを通過するように粉砕した。得られ
た配合粉末を乾燥し、硝酸アルミニウムの水溶液を加え
て乳鉢で混合し、ディスク状に加圧成形した。次に得ら
れた成形体を大気中、昇温温度５０℃／時間で昇温し、
８５０℃で１０時間保持した後、降温速度５０℃／時間
で降温して焼結体を得た。次に、実施例１と類似の方法
で酸化亜鉛バリスタを得た。かくして得た酸化亜鉛バリ
スタの電気特性を、実施例１と類似の方法で評価した。
表７に試料の組成を、表８に電気特性の評価結果を示
す。
の粉末を重量比で４６６：２９２となるように混合し
た。この混合粉を大気雰囲気下、６００℃で５時間の熱
処理を施した後、ボールミルで微粉砕した。Ｘ線解析の
結果、ＢiＳbＯ4相が確認された。次に、実施例１と類
似の方法で試料を作成した。ＺnＯ粉末と、Ｂi2Ｏ3粉末
と、前記ＢiＳbＯ4粉末と、Ｃr2Ｏ3粉末と、ＣoＯ粉末
と、ＭnＯ2粉末と、ＮiＯ粉末とを重量比が、１００：
１：１.１９８：０.１：０.９５４：０.４１４：０.３
８３となるように配合し、１８時間、湿式法で混合粉砕
し、３２５メッシュを通過するように粉砕した。得られ
た配合粉末を乾燥し、硝酸アルミニウムの水溶液を加え
て乳鉢で混合し、ディスク状に加圧成形した。次に得ら
れた成形体を大気中、昇温温度５０℃／時間で昇温し、
８５０℃で１０時間保持した後、降温速度５０℃／時間
で降温して焼結体を得た。次に、実施例１と類似の方法
で酸化亜鉛バリスタを得た。かくして得た酸化亜鉛バリ
スタの電気特性を、実施例１と類似の方法で評価した。
表７に試料の組成を、表８に電気特性の評価結果を示
す。
【００４１】
【表７】
【００４２】
【表８】
【００４３】 表７及び表８より、本実施例の酸化亜鉛
系磁器を用いた酸化亜鉛バリスタは、８５０℃という低
温焼成にもかかわらず、非直線抵抗特性と信頼性に優れ
ていることがわかる。
系磁器を用いた酸化亜鉛バリスタは、８５０℃という低
温焼成にもかかわらず、非直線抵抗特性と信頼性に優れ
ていることがわかる。
【００４４】（実施例５） Ｂi2Ｏ3の粉末と、Ｓb2Ｏ3
の粉末と、Ｂ2Ｏ3の粉末を重量比で１３９８：２９２と
なるように混合した。この混合粉を大気雰囲気下、５５
０℃で２時間の熱処理を施した後、ボールミルで微粉砕
した。Ｘ線解析の結果、Ｂi3ＳbＯ7相が確認された。次
に、実施例１と類似の方法で試料を作成した。ＺnＯ粉
末と、Ｂi2Ｏ3粉末と、前記Ｂi3ＳbＯ7粉末と、Ｃr2Ｏ3
粉末と、ＣoＯ粉末と、ＭnＯ2粉末と、ＮiＯ粉末とを、
重量比が、１００：１：１.１１４：０.１：０.９５
４：０.４１４：０.３８３となるように配合し、１８時
間、湿式法で混合粉砕し、３２５メッシュを通過するよ
うに粉砕した。得られた配合粉末を乾燥し、硝酸アルミ
ニウムの水溶液を加えて乳鉢で混合し、ディスク状に加
圧成形した。次に、得られた成形体を大気中、昇温速度
５０℃／時間でを昇温し、９００℃で２時間保持した
後、降温速度５０℃／時間で降温して焼結体を得た。次
に、実施例１と類似の方法で酸化亜鉛バリスタを得た。
かくして得た酸化亜鉛バリスタの電気特性を、実施例１
と類似の方法で評価した。表９に試料の組成を、表１０
に電気特性の評価結果を示す。
の粉末と、Ｂ2Ｏ3の粉末を重量比で１３９８：２９２と
なるように混合した。この混合粉を大気雰囲気下、５５
０℃で２時間の熱処理を施した後、ボールミルで微粉砕
した。Ｘ線解析の結果、Ｂi3ＳbＯ7相が確認された。次
に、実施例１と類似の方法で試料を作成した。ＺnＯ粉
末と、Ｂi2Ｏ3粉末と、前記Ｂi3ＳbＯ7粉末と、Ｃr2Ｏ3
粉末と、ＣoＯ粉末と、ＭnＯ2粉末と、ＮiＯ粉末とを、
重量比が、１００：１：１.１１４：０.１：０.９５
４：０.４１４：０.３８３となるように配合し、１８時
間、湿式法で混合粉砕し、３２５メッシュを通過するよ
うに粉砕した。得られた配合粉末を乾燥し、硝酸アルミ
ニウムの水溶液を加えて乳鉢で混合し、ディスク状に加
圧成形した。次に、得られた成形体を大気中、昇温速度
５０℃／時間でを昇温し、９００℃で２時間保持した
後、降温速度５０℃／時間で降温して焼結体を得た。次
に、実施例１と類似の方法で酸化亜鉛バリスタを得た。
かくして得た酸化亜鉛バリスタの電気特性を、実施例１
と類似の方法で評価した。表９に試料の組成を、表１０
に電気特性の評価結果を示す。
【００４５】
【表９】
【００４６】
【表１０】
【００４７】 表９および表１０より、本実施例の酸化
亜鉛系磁器を用いた酸化亜鉛バリスタは、立ち上がり電
圧Ｖ１ｍＡが低く、非直線抵抗特性がよく、長時間の直
流負荷に対しても、また、サージに対しても、立ち上が
り電圧Ｖ１ｍＡの変化率（△Ｖ１ｍＡ／Ｖ１ｍＡ）の絶
対値が５％以下で、信頼性が優れていた。
亜鉛系磁器を用いた酸化亜鉛バリスタは、立ち上がり電
圧Ｖ１ｍＡが低く、非直線抵抗特性がよく、長時間の直
流負荷に対しても、また、サージに対しても、立ち上が
り電圧Ｖ１ｍＡの変化率（△Ｖ１ｍＡ／Ｖ１ｍＡ）の絶
対値が５％以下で、信頼性が優れていた。
【００４８】（実施例６） Ｂi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／ＴiＯ2
合成粉末（１.１７：０.７２８：０.２ｗｔ比）とＢi2
Ｏ3／Ｃr2Ｏ3合成粉末（１.１７：０.３８ｗｔ比）とＢ
i2Ｏ3／Ｂ2Ｏ3合成粉末（１.１７：０.１７４ｗｔ比）
を調整した。ＺnＯ：１００重量部に、Ｂi2Ｏ3：１.５
重量部、それに上記のＢi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／ＴiＯ2合成粉
末：１.５重量部、Ｂi2Ｏ3／Ｃr2Ｏ3合成粉末：０.１重
量部、Ｂi2Ｏ3／Ｂ2Ｏ3合成粉末：０.１重量部を、Ｃo
Ｏ粉末：０.９５４重量部、ＭnＯ2粉末：０.４１４重量
部、と、ＮiＯ粉末：０.３８３重量部と共に添加し、混
合、粉砕し、主としてブチラール樹脂とその可塑剤に溶
剤を混合してシートを成形した。次に、前記シートをカ
ットし、一部のシートの表面に銀を主成分とするペース
トを印刷により塗布した。この銀ペーストを印刷したシ
ート４枚を積層し、さらに一番上と下に印刷していない
シートを積層し、両側面に銀の外部電極用ペーストを塗
布した。その後、８５０℃の温度で、前記混合粉体と銀
電極とを一体焼結し、酸化亜鉛積層チップバリスタを製
造した。
合成粉末（１.１７：０.７２８：０.２ｗｔ比）とＢi2
Ｏ3／Ｃr2Ｏ3合成粉末（１.１７：０.３８ｗｔ比）とＢ
i2Ｏ3／Ｂ2Ｏ3合成粉末（１.１７：０.１７４ｗｔ比）
を調整した。ＺnＯ：１００重量部に、Ｂi2Ｏ3：１.５
重量部、それに上記のＢi2Ｏ3／Ｓb2Ｏ3／ＴiＯ2合成粉
末：１.５重量部、Ｂi2Ｏ3／Ｃr2Ｏ3合成粉末：０.１重
量部、Ｂi2Ｏ3／Ｂ2Ｏ3合成粉末：０.１重量部を、Ｃo
Ｏ粉末：０.９５４重量部、ＭnＯ2粉末：０.４１４重量
部、と、ＮiＯ粉末：０.３８３重量部と共に添加し、混
合、粉砕し、主としてブチラール樹脂とその可塑剤に溶
剤を混合してシートを成形した。次に、前記シートをカ
ットし、一部のシートの表面に銀を主成分とするペース
トを印刷により塗布した。この銀ペーストを印刷したシ
ート４枚を積層し、さらに一番上と下に印刷していない
シートを積層し、両側面に銀の外部電極用ペーストを塗
布した。その後、８５０℃の温度で、前記混合粉体と銀
電極とを一体焼結し、酸化亜鉛積層チップバリスタを製
造した。
【００４９】 得られた積層タイプのバリスタの断面を
図２に示す。図２において、２０は積層タイプの酸化亜
鉛バリスタ、２１は銀からなる内部電極、２２は銀から
なる対向内部電極、２３は有効層、２４は無効層、２５
は銀からなる外部電極である。チップの有効層の厚み
は、４０μｍ、対向する内部電極２２の面積は、長さ２
ｍｍ、幅３ｍｍであった。これらの酸化亜鉛積層チップ
バリスタの初期特性を測定した後、直流電圧を印加し、
パルス印加をして信頼性特性を求めた。直流電圧印加の
条件は、２２Ｖ×５００時間、パルス印加は、３００Ａ
ｍｐ.（８×２０μｓｅｃ）×２回である。表１１に試
料組成を示し、初期特性および負荷特性を表１２に示し
た。
図２に示す。図２において、２０は積層タイプの酸化亜
鉛バリスタ、２１は銀からなる内部電極、２２は銀から
なる対向内部電極、２３は有効層、２４は無効層、２５
は銀からなる外部電極である。チップの有効層の厚み
は、４０μｍ、対向する内部電極２２の面積は、長さ２
ｍｍ、幅３ｍｍであった。これらの酸化亜鉛積層チップ
バリスタの初期特性を測定した後、直流電圧を印加し、
パルス印加をして信頼性特性を求めた。直流電圧印加の
条件は、２２Ｖ×５００時間、パルス印加は、３００Ａ
ｍｐ.（８×２０μｓｅｃ）×２回である。表１１に試
料組成を示し、初期特性および負荷特性を表１２に示し
た。
【００５０】
【表１１】
【００５１】
【表１２】
【００５２】 表１１および表１２より、本実施例の磁
器組成物を用いた酸化亜鉛積層チップバリスタは、極め
て低い温度で焼結することができた。また、小さいバリ
スタにかかわらずよい特性を示した。
器組成物を用いた酸化亜鉛積層チップバリスタは、極め
て低い温度で焼結することができた。また、小さいバリ
スタにかかわらずよい特性を示した。
【００５３】なお、試料間の比較を容易にするため、ま
た、データの信頼性を高めるため、上記実施例におい
て、ＣoＯ、ＭnＯ、ＮiＯの三者を予め混合しておい
て、一定量を添加する方法を採用したが、本発明の酸化
亜鉛系磁器組成物はこのような配合方法に限定するもの
でないことは当然である。さらに、実施例では８００〜
９５０℃の焼成データを示したが、Ｂ2Ｏ3、Ｃr2Ｏ3な
どの添加量を調整することにより７５０℃まで焼成温度
を下げても、良特性のバリスタが得られることが、明ら
かとなった。
た、データの信頼性を高めるため、上記実施例におい
て、ＣoＯ、ＭnＯ、ＮiＯの三者を予め混合しておい
て、一定量を添加する方法を採用したが、本発明の酸化
亜鉛系磁器組成物はこのような配合方法に限定するもの
でないことは当然である。さらに、実施例では８００〜
９５０℃の焼成データを示したが、Ｂ2Ｏ3、Ｃr2Ｏ3な
どの添加量を調整することにより７５０℃まで焼成温度
を下げても、良特性のバリスタが得られることが、明ら
かとなった。
【００５４】
【発明の効果】 以上に説明したように、本発明は、低
温度焼結で非直線抵抗特性などの電気特性および信頼性
に優れた酸化亜鉛バリスタを高い歩留り率で製造するこ
とが可能な酸化亜鉛系磁器組成物を提供できる。本発明
の酸化亜鉛系磁器組成物は、その焼結体を製造する場
合、焼成温度を７５０〜１０００℃まで低くしても均一
に焼結でき、バリスタにとって重要な粒径を均一に成長
させることが可能である。また、焼成温度を低くして
も、高電流パルスにも十分耐えることができ、高性能を
もち続けることができる。
温度焼結で非直線抵抗特性などの電気特性および信頼性
に優れた酸化亜鉛バリスタを高い歩留り率で製造するこ
とが可能な酸化亜鉛系磁器組成物を提供できる。本発明
の酸化亜鉛系磁器組成物は、その焼結体を製造する場
合、焼成温度を７５０〜１０００℃まで低くしても均一
に焼結でき、バリスタにとって重要な粒径を均一に成長
させることが可能である。また、焼成温度を低くして
も、高電流パルスにも十分耐えることができ、高性能を
もち続けることができる。
【００５５】 また、本発明の酸化亜鉛系磁器組成物
は、低温度で焼結することができるので、焼結の際の電
力消費を少なくすることが可能となり、同時に焼結に用
いる電気炉の炉材や焼成物を収容する容器の消耗を少な
くすることができ、省エネルギーや省資源に大きく寄与
することになる。
は、低温度で焼結することができるので、焼結の際の電
力消費を少なくすることが可能となり、同時に焼結に用
いる電気炉の炉材や焼成物を収容する容器の消耗を少な
くすることができ、省エネルギーや省資源に大きく寄与
することになる。
【００５６】 さらにまた、本発明の酸化亜鉛系磁器組
成物には、銀の融解温度よりも低い温度で焼結が可能な
ものがあり、これらの磁器内部に焼成の際に同時に銀電
極を形成することが可能になった。その結果、銀の内部
電極をもった高性能の積層型酸化亜鉛バリスタが容易に
製造できることになった。
成物には、銀の融解温度よりも低い温度で焼結が可能な
ものがあり、これらの磁器内部に焼成の際に同時に銀電
極を形成することが可能になった。その結果、銀の内部
電極をもった高性能の積層型酸化亜鉛バリスタが容易に
製造できることになった。
【図１】本発明の実施例１の酸化亜鉛系磁器組成物を用
いて作成したディスクタイプの酸化亜鉛バリスタの概略
を示した斜視図である。
いて作成したディスクタイプの酸化亜鉛バリスタの概略
を示した斜視図である。
【図２】本発明の酸化亜鉛系磁器組成物を用いて作成し
た積層タイプの酸化亜鉛バリスタの概略を断面図で示し
た側面図である。
た積層タイプの酸化亜鉛バリスタの概略を断面図で示し
た側面図である。
１０ ディスクタイプの酸化亜鉛バリスタ １１ 酸化亜鉛焼結体 １２ 電極 １３ リード線 ２０ 積層タイプの酸化亜鉛バリスタ ２１ 内部電極 ２２ 対向内部電極 ２３ 有効層 ２４ 無効層 ２５ 外部電極
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年４月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】 酸化亜鉛バリスタは、ＺｎＯと基木添
加物であるＢｉ ２ Ｏ ３ 、ＭｎＯおよびＣｏＯと、さらに
性能向上のために添加される各種の酸化物とを含む酸化
亜鉛原料粉末を成形し焼成することによって得られる酸
化亜鉛系磁器組成物の焼結体を用いて製造される。酸化
亜鉛バリスタの立ち上がり電圧は、電極間に存在する粒
界の数にほぼ比例して上昇することが知られている。す
なわち、一つの粒界あたり３から４ボルト立ち上がり電
圧は上昇する。したがって、厚さ１ｍｍあたり３００〜
４００Ｖくらいの高電圧用の酸化亜鉛バリスタを製造す
るためには、平均粒径４〜４０μｍ程度の粒径の小さい
ＺｎＯ粒子を有する焼結体を製造することが必要であ
る。そこで従来は、高電圧用の酸化亜鉛バリスタを製造
するためにはＳｂ ２ Ｏ ３ などのＺｎＯ粒子の粒成長抑制
剤を添加することによって、ＺｎＯ粒子の成長を抑制す
る方法が用いられて来た。Ｓｂ ２ Ｏ ３ は酸化亜鉛バリス
タの非直線抵抗特性を安定化させるという重要な働きも
行なう。
加物であるＢｉ ２ Ｏ ３ 、ＭｎＯおよびＣｏＯと、さらに
性能向上のために添加される各種の酸化物とを含む酸化
亜鉛原料粉末を成形し焼成することによって得られる酸
化亜鉛系磁器組成物の焼結体を用いて製造される。酸化
亜鉛バリスタの立ち上がり電圧は、電極間に存在する粒
界の数にほぼ比例して上昇することが知られている。す
なわち、一つの粒界あたり３から４ボルト立ち上がり電
圧は上昇する。したがって、厚さ１ｍｍあたり３００〜
４００Ｖくらいの高電圧用の酸化亜鉛バリスタを製造す
るためには、平均粒径４〜４０μｍ程度の粒径の小さい
ＺｎＯ粒子を有する焼結体を製造することが必要であ
る。そこで従来は、高電圧用の酸化亜鉛バリスタを製造
するためにはＳｂ ２ Ｏ ３ などのＺｎＯ粒子の粒成長抑制
剤を添加することによって、ＺｎＯ粒子の成長を抑制す
る方法が用いられて来た。Ｓｂ ２ Ｏ ３ は酸化亜鉛バリス
タの非直線抵抗特性を安定化させるという重要な働きも
行なう。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、高電
圧用、高性能の酸化亜鉛バリスタを得るには、１１５０
℃〜１３００℃の高い焼結温度を必要とした。高い焼結
温度は電力消費のみならず、Ｂｉ ２ Ｏ ３ などの激しい飛
散とそれに伴う炉材や容器の消耗をもたらすという欠点
があり、焼結温度の低温度化が要望されていた。すなわ
ち、これらの高い温度で焼成すると大気中においてもＢ
ｉ２Ｏ３などの蒸発は活発である。また、Ｂｉ ２ Ｏ ３ は
多くの種類の物質と反応しやすく、炉材や容器等のセラ
ミックス材など多くの物質を容易に腐食する。また、炉
内の焼成物の置かれた場所により温度、昇温速度、Ｂｉ
２ Ｏ ３ やＳｂ ２ Ｏ ３ の蒸気圧などに差が生じ、これらを
均一に保つことが困難で、ばらつきを生ずる。
圧用、高性能の酸化亜鉛バリスタを得るには、１１５０
℃〜１３００℃の高い焼結温度を必要とした。高い焼結
温度は電力消費のみならず、Ｂｉ ２ Ｏ ３ などの激しい飛
散とそれに伴う炉材や容器の消耗をもたらすという欠点
があり、焼結温度の低温度化が要望されていた。すなわ
ち、これらの高い温度で焼成すると大気中においてもＢ
ｉ２Ｏ３などの蒸発は活発である。また、Ｂｉ ２ Ｏ ３ は
多くの種類の物質と反応しやすく、炉材や容器等のセラ
ミックス材など多くの物質を容易に腐食する。また、炉
内の焼成物の置かれた場所により温度、昇温速度、Ｂｉ
２ Ｏ ３ やＳｂ ２ Ｏ ３ の蒸気圧などに差が生じ、これらを
均一に保つことが困難で、ばらつきを生ずる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】 Ｓｂ ２ Ｏ ３ は容易に昇華してＺｎＯ粒子
の表面を覆い、そしてＺｎＯと反応して粒成長を抑制す
る働きをする。その結果、焼結体において、Ｓｂ ２ Ｏ ３
の濃度がばらつくと粒成長が促進されない部分と促進さ
れる部分が混在してしまうとになり、したがって、従来
の製造方法では粒径のそろった焼結体を製造することが
困難であった。したがって、品質の不均一やロット間の
品質のばらつきが生じることがしばしばであった。
の表面を覆い、そしてＺｎＯと反応して粒成長を抑制す
る働きをする。その結果、焼結体において、Ｓｂ ２ Ｏ ３
の濃度がばらつくと粒成長が促進されない部分と促進さ
れる部分が混在してしまうとになり、したがって、従来
の製造方法では粒径のそろった焼結体を製造することが
困難であった。したがって、品質の不均一やロット間の
品質のばらつきが生じることがしばしばであった。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】 酸化亜鉛バリスタの磁器の基本組成であ
るＺｎＯ−Ｂｉ ２ Ｏ ３ 系には７４０℃の共晶温度をもつ
共晶組成があるので、このＺｎＯとＢｉ ２ Ｏ ３ の二者は
８００℃近傍の温度においても容易に反応し、焼結す
る。しかるに添加物の中にＳｂ ２ Ｏ ３ が存在するとこの
反応を妨げ焼結を困難にする。Ｓｂ ２ Ｏ ３ は添加物その
ものが、あるいは、Ｓｂ ２ Ｏ ３ の化合物が上記二者の間
の接触を妨げる場合と、Ｂｉ ２ Ｏ ３ と反応すべきＳｂ ２
Ｏ ３ がＢｉ ２ Ｏ ３ と反応するよりも先にＺｎＯと反応し
て化学的に安定なパイロクロアやスピネルを形成する場
合とがある。
るＺｎＯ−Ｂｉ ２ Ｏ ３ 系には７４０℃の共晶温度をもつ
共晶組成があるので、このＺｎＯとＢｉ ２ Ｏ ３ の二者は
８００℃近傍の温度においても容易に反応し、焼結す
る。しかるに添加物の中にＳｂ ２ Ｏ ３ が存在するとこの
反応を妨げ焼結を困難にする。Ｓｂ ２ Ｏ ３ は添加物その
ものが、あるいは、Ｓｂ ２ Ｏ ３ の化合物が上記二者の間
の接触を妨げる場合と、Ｂｉ ２ Ｏ ３ と反応すべきＳｂ ２
Ｏ ３ がＢｉ ２ Ｏ ３ と反応するよりも先にＺｎＯと反応し
て化学的に安定なパイロクロアやスピネルを形成する場
合とがある。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】 前記の目的を達成する
ため、本発明の酸化亜鉛系磁器組成物は、ＺｎＯ粉末１
００重量部に対し、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ：０．５〜１２重量部、
Ｂｉ ２ Ｏ ３ とＳｂ ２ Ｏ ３ の二者を混合し４００℃〜７０
０℃の範囲の熱処理を施して得たＢｉ ２ Ｏ ３ とＳｂ ２ Ｏ
３ の合成粉末：０．５〜８重量部と、Ａｌ ２ Ｏ ３ 、Ｂ ２
Ｏ ３ 、ＣｏＯ、Ｃｒ ２ Ｏ ３ 、ＧｅＯ ２ 、Ｌａ ２ Ｏ ３ 、Ｍ
ｇＯ、ＭｎＯ、Ｎｂ ２ Ｏ ５ 、Ｎｄ ２ Ｏ ３ 、ＮｉＯ、Ｐｂ
Ｏ、Ｐｒ ２ Ｏ ３ 、ＳｉＯ ２ 、ＳｎＯ ２ 、Ｔａ ２ Ｏ ５ 、Ｔ
ｉＯ ２ 、ＷＯ ３ 、およびＹ ２ Ｏ ３ のそれぞれから選ばれ
る少なくとも二つ以上の金属酸化物粉末：０．５〜８重
量部を添加してなるという構成を備えたものである。
ため、本発明の酸化亜鉛系磁器組成物は、ＺｎＯ粉末１
００重量部に対し、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ：０．５〜１２重量部、
Ｂｉ ２ Ｏ ３ とＳｂ ２ Ｏ ３ の二者を混合し４００℃〜７０
０℃の範囲の熱処理を施して得たＢｉ ２ Ｏ ３ とＳｂ ２ Ｏ
３ の合成粉末：０．５〜８重量部と、Ａｌ ２ Ｏ ３ 、Ｂ ２
Ｏ ３ 、ＣｏＯ、Ｃｒ ２ Ｏ ３ 、ＧｅＯ ２ 、Ｌａ ２ Ｏ ３ 、Ｍ
ｇＯ、ＭｎＯ、Ｎｂ ２ Ｏ ５ 、Ｎｄ ２ Ｏ ３ 、ＮｉＯ、Ｐｂ
Ｏ、Ｐｒ ２ Ｏ ３ 、ＳｉＯ ２ 、ＳｎＯ ２ 、Ｔａ ２ Ｏ ５ 、Ｔ
ｉＯ ２ 、ＷＯ ３ 、およびＹ ２ Ｏ ３ のそれぞれから選ばれ
る少なくとも二つ以上の金属酸化物粉末：０．５〜８重
量部を添加してなるという構成を備えたものである。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】 また、上記の酸化亜鉛系磁器組成物にお
いて、熱処理を施して得たＢｉ ２ Ｏ ３ とＳｂ ２ Ｏ ３ の合
成粉末が、化合物ＢｉＳｂＯ ４ 粉末であったり、あるい
は化合物Ｂｉ ３ ＳｈＯ ７ 粉末であるという構成を備えた
ものである。
いて、熱処理を施して得たＢｉ ２ Ｏ ３ とＳｂ ２ Ｏ ３ の合
成粉末が、化合物ＢｉＳｂＯ ４ 粉末であったり、あるい
は化合物Ｂｉ ３ ＳｈＯ ７ 粉末であるという構成を備えた
ものである。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】 さらにまた、前記の酸化亜鉛系磁器組成
物において、熱処理を施して得たＢｉ ２ Ｏ ３ とＳｂ ２ Ｏ
３ の合成粉末が、Ｂｉ ２ Ｏ ３ とＳｂ ２ Ｏ ３ の他にさらに
Ａｌ ２ Ｏ ３ 、Ｂ ２ Ｏ ３ 、Ｃｒ ２ Ｏ ３ 、ＧｅＯ ２ 、Ｌａ ２
Ｏ ３ 、Ｎｈ ２ Ｏ ５ 、Ｎｄ ２ Ｏ ３ 、ＰｂＯ、Ｐｒ ２ Ｏ ３ 、
ＳｉＯ ２ 、ＳｎＯ ２ 、Ｔａ ２ Ｏ ５ 、ＴｉＯ ２ 、ＷＯ ３ 、
およびＹ ２ Ｏ ３ のそれぞれから選ばれる少なくとも一つ
以上の酸化物を含有する合成粉末よりなるという構成を
備えたものである。
物において、熱処理を施して得たＢｉ ２ Ｏ ３ とＳｂ ２ Ｏ
３ の合成粉末が、Ｂｉ ２ Ｏ ３ とＳｂ ２ Ｏ ３ の他にさらに
Ａｌ ２ Ｏ ３ 、Ｂ ２ Ｏ ３ 、Ｃｒ ２ Ｏ ３ 、ＧｅＯ ２ 、Ｌａ ２
Ｏ ３ 、Ｎｈ ２ Ｏ ５ 、Ｎｄ ２ Ｏ ３ 、ＰｂＯ、Ｐｒ ２ Ｏ ３ 、
ＳｉＯ ２ 、ＳｎＯ ２ 、Ｔａ ２ Ｏ ５ 、ＴｉＯ ２ 、ＷＯ ３ 、
およびＹ ２ Ｏ ３ のそれぞれから選ばれる少なくとも一つ
以上の酸化物を含有する合成粉末よりなるという構成を
備えたものである。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】 次に、前記目的を達成するため、本発明
の酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法は、Ｂｉ ２ Ｏ ３ とＳ
ｂ ２ Ｏ ３ の二者を混合し４００℃〜７００℃の範囲の熱
処理を施してＢｉ ２ Ｏ ３ とＳｂ ２ Ｏ ３ の合成粉末を得る
工程と、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末１００重量部に対し、
Ｂｉ ２ Ｏ ３ を０．５〜１２重量部と、前記Ｂｉ ２ Ｏ ３ と
Ｓｂ ２ Ｏ ３ の合成粉末０．５〜８重量部と、Ａｌ
２ Ｏ ３ 、Ｂ ２ Ｏ ３ 、ＣｏＯ、Ｃｒ ２ Ｏ ３ 、ＧｅＯ ２ 、Ｌ
ａ ２ Ｏ ３ 、ＭｇＯ、ＭｎＯ、Ｎｂ ２ Ｏ ５ 、Ｎｄ ２ Ｏ ３ 、
ＮｉＯ、ＰｂＯ、Ｐｒ ２ Ｏ ３ 、ＳｉＯ ２ 、ＳｎＯ ２ 、Ｔ
ａ ２ Ｏ ５ 、ＴｉＯ ２ 、ＷＯ ３ 、および、Ｙ ２ Ｏ ３ のそれ
ぞれから選ばれる少なくとも二つ以上の金属酸化物０．
５〜８重量部とを添加する工程を含有するという構成を
備えたものである。
の酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法は、Ｂｉ ２ Ｏ ３ とＳ
ｂ ２ Ｏ ３ の二者を混合し４００℃〜７００℃の範囲の熱
処理を施してＢｉ ２ Ｏ ３ とＳｂ ２ Ｏ ３ の合成粉末を得る
工程と、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末１００重量部に対し、
Ｂｉ ２ Ｏ ３ を０．５〜１２重量部と、前記Ｂｉ ２ Ｏ ３ と
Ｓｂ ２ Ｏ ３ の合成粉末０．５〜８重量部と、Ａｌ
２ Ｏ ３ 、Ｂ ２ Ｏ ３ 、ＣｏＯ、Ｃｒ ２ Ｏ ３ 、ＧｅＯ ２ 、Ｌ
ａ ２ Ｏ ３ 、ＭｇＯ、ＭｎＯ、Ｎｂ ２ Ｏ ５ 、Ｎｄ ２ Ｏ ３ 、
ＮｉＯ、ＰｂＯ、Ｐｒ ２ Ｏ ３ 、ＳｉＯ ２ 、ＳｎＯ ２ 、Ｔ
ａ ２ Ｏ ５ 、ＴｉＯ ２ 、ＷＯ ３ 、および、Ｙ ２ Ｏ ３ のそれ
ぞれから選ばれる少なくとも二つ以上の金属酸化物０．
５〜８重量部とを添加する工程を含有するという構成を
備えたものである。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】 また、前記目的を達成するため、本発明
の酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法は、ＢｉＳｂＯ ４ ま
たはＢｉ ３ ＳｂＯ ７ のうちのいずれかの合成粉末を得る
工程と、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末１００重量部に対し、
Ｂｉ ２ Ｏ ３ を０．５〜１２重量部と、前記ＢＢｉＳｂＯ
４ またはＢｉ ３ ＳｂＯ ７ のうちのいずれかの合成粉末
０．５〜８重量部と、Ａｌ ２ Ｏ ３ 、Ｂ ２ Ｏ ３ 、ＣｏＯ、
Ｃｒ ２ Ｏ ３ 、ＧｅＯ ２ 、Ｌａ ２ Ｏ ３ 、ＭｇＯ、ＭｎＯ、
Ｎｂ ２ Ｏ ５ 、Ｎｄ ２ Ｏ ３ 、ＮｉＯ、ＰｂＯ、Ｐｒ
２ Ｏ ３ 、ＳｉＯ ２ 、ＳｎＯ ２ 、Ｔａ ２ Ｏ ５ 、ＴｉＯ ２ 、
ＷＯ ３ 、および、Ｙ ２ Ｏ ３ のそれぞれから選ばれる少な
くとも二つ以上の金属酸化物０．５〜８重量部とを添加
する工程を含有するという構成を備えたものである。
の酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法は、ＢｉＳｂＯ ４ ま
たはＢｉ ３ ＳｂＯ ７ のうちのいずれかの合成粉末を得る
工程と、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末１００重量部に対し、
Ｂｉ ２ Ｏ ３ を０．５〜１２重量部と、前記ＢＢｉＳｂＯ
４ またはＢｉ ３ ＳｂＯ ７ のうちのいずれかの合成粉末
０．５〜８重量部と、Ａｌ ２ Ｏ ３ 、Ｂ ２ Ｏ ３ 、ＣｏＯ、
Ｃｒ ２ Ｏ ３ 、ＧｅＯ ２ 、Ｌａ ２ Ｏ ３ 、ＭｇＯ、ＭｎＯ、
Ｎｂ ２ Ｏ ５ 、Ｎｄ ２ Ｏ ３ 、ＮｉＯ、ＰｂＯ、Ｐｒ
２ Ｏ ３ 、ＳｉＯ ２ 、ＳｎＯ ２ 、Ｔａ ２ Ｏ ５ 、ＴｉＯ ２ 、
ＷＯ ３ 、および、Ｙ ２ Ｏ ３ のそれぞれから選ばれる少な
くとも二つ以上の金属酸化物０．５〜８重量部とを添加
する工程を含有するという構成を備えたものである。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】 また、前記目的を達成するため、本発明
の酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法は、Ｂｉ ２ Ｏ ３ とＳ
ｂ ２ Ｏ ３ の二者の他にさらにＡｌ ２ Ｏ ３ 、Ｂ ２ Ｏ ３ 、Ｃ
ｒ ２ Ｏ ３ 、ＧｅＯ ２ 、Ｌａ ２ Ｏ ３ 、Ｎｈ ２ Ｏ ５ 、Ｎｄ ２
Ｏ ３ 、ＰｈＯ、Ｐｒ ２ Ｏ ３ 、ＳｉＯ ２ 、ＳｎＯ ２ 、Ｔａ
２ Ｏ ５ 、ＴｉＯ ２ 、ＷＯ ３ 、および、Ｙ ２ Ｏ ３ のそれぞ
れから選ばれる少なくとも一つ以上の酸化物を含有する
粉末を混合し４００℃〜７００℃の範囲の熱処理を施し
て合成粉末を得る工程と、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末１０
０重量部に対し、Ｂｉ ２ Ｏ ３ を０．５〜１２重量部と、
前記の合成粉末０．５〜８重量部と、Ａｌ ２ Ｏ ３ 、Ｂ ２
Ｏ ３ 、ＣｏＯ、Ｃｒ ２ Ｏ ３ 、ＧｅＯ ２ 、Ｌａ ２ Ｏ ３ 、Ｍ
ｇＯ、ＭｎＯ、Ｎｂ ２ Ｏ ５ 、Ｎｄ ２ Ｏ ３ 、ＮｉＯ、Ｐｂ
Ｏ、Ｐｒ ２ Ｏ ３ 、ＳｉＯ ２ 、ＳｎＯ ２ 、Ｔａ ２ Ｏ ５ 、Ｔ
ｉＯ ２ 、ＷＯ ３ 、および、Ｙ ２ Ｏ ３ のそれぞれから選ば
れる少なくとも二つ以上の金属酸化物０．５〜８重量部
とを添加する工程を含有するという構成を備えたもので
ある。
の酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法は、Ｂｉ ２ Ｏ ３ とＳ
ｂ ２ Ｏ ３ の二者の他にさらにＡｌ ２ Ｏ ３ 、Ｂ ２ Ｏ ３ 、Ｃ
ｒ ２ Ｏ ３ 、ＧｅＯ ２ 、Ｌａ ２ Ｏ ３ 、Ｎｈ ２ Ｏ ５ 、Ｎｄ ２
Ｏ ３ 、ＰｈＯ、Ｐｒ ２ Ｏ ３ 、ＳｉＯ ２ 、ＳｎＯ ２ 、Ｔａ
２ Ｏ ５ 、ＴｉＯ ２ 、ＷＯ ３ 、および、Ｙ ２ Ｏ ３ のそれぞ
れから選ばれる少なくとも一つ以上の酸化物を含有する
粉末を混合し４００℃〜７００℃の範囲の熱処理を施し
て合成粉末を得る工程と、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末１０
０重量部に対し、Ｂｉ ２ Ｏ ３ を０．５〜１２重量部と、
前記の合成粉末０．５〜８重量部と、Ａｌ ２ Ｏ ３ 、Ｂ ２
Ｏ ３ 、ＣｏＯ、Ｃｒ ２ Ｏ ３ 、ＧｅＯ ２ 、Ｌａ ２ Ｏ ３ 、Ｍ
ｇＯ、ＭｎＯ、Ｎｂ ２ Ｏ ５ 、Ｎｄ ２ Ｏ ３ 、ＮｉＯ、Ｐｂ
Ｏ、Ｐｒ ２ Ｏ ３ 、ＳｉＯ ２ 、ＳｎＯ ２ 、Ｔａ ２ Ｏ ５ 、Ｔ
ｉＯ ２ 、ＷＯ ３ 、および、Ｙ ２ Ｏ ３ のそれぞれから選ば
れる少なくとも二つ以上の金属酸化物０．５〜８重量部
とを添加する工程を含有するという構成を備えたもので
ある。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】
【発明の実施の形態】 本発明においては、主成分のＺ
ｎＯと、これと反応する添加物の働きについて詳しく解
析した。その結果、Ｓｂ ２ Ｏ ３ 粉体で単独でＺｎＯ粉体
に添加されるとかなり低い温度で昇華し、ＺｎＯ粒子の
表面に付着し、ＺｎＯと反応して強固なアンチモン化合
物薄膜を形成し、続いて起こるべき粒成長を妨げる。一
方、添加されるＳｂ ２ Ｏ ３ と添加されるＢｉ ２ Ｏ ３ の一
部とを予め熱処理を加えて反応させてＢｉ ２ Ｏ ３ とＳｂ
２ Ｏ ３ との合成粉末を添加すると、Ｓｂ ２ Ｏ ３ の昇華が
抑制され、未反応Ｓｂ ２ Ｏ ３ を添加したとき、ＺｎＯ粒
子の表面に付着し、ＺｎＯと反応してできる強固なアン
チモン化合物薄膜は形成されず、低温で焼結が進み、活
発に粒成長する。ここにおいて、Ｂｉ ２ Ｏ ３ の一部を未
反応の粉体の形で添加すると、全Ｂｉ ２ Ｏ ３ と全Ｓｂ ２
Ｏ ３ とを予め反応させておいて添加する場合に比べてよ
り低温で液相焼結が開始されることが明らかとなった。
全Ｂｉ ２ Ｏ ３ と全Ｓｂ ２ Ｏ ３ とを予め反応させて置いて
添加すると、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ 反応物質とＺｎＯ
との間の共晶発生の温度が上昇することによると考えら
れる。Ｓｂ ２ Ｏ ３ 量が多いと焼結温度が高くなり９５０
℃以上となった。一方、焼結温度が上昇すると本来反応
してほしくない添加物の反応が生じ、ばらつきの原因に
なることがある。例えば、ＴｉＯ ２ を添加して粒成長を
促進しようとした場合、ＴｉＯ ２ はＢｉ ２ Ｏ ３ と反応し
てほしいにもかかわらず先にＺｎＯと反応するものがで
ると、目的を達しないのみでなく、ばらつきの原因にな
る。反応に富んだＢｉ ２ Ｏ ３ の存在が必要となる。かく
して、本発明の酸化亜鉛系磁器組成物は次の４種を混合
し、所定の形状に加圧成形し、その成形体を７５０〜１
０００℃の範囲内の温度で焼成することが望ましい。こ
の範囲内で焼結することによって、非直線抵抗特性など
の電気特性および信頼性に優れた酸化亜鉛バリスタを歩
留まり高く製造することができる。その４種類とは
（１）ＺｎＯ、（２）Ｂｉ ２ Ｏ ３ とＳｂ ２ Ｏ ３ との合成
粉末、（３）Ｂｉ ２ Ｏ ３ 、（４）その他の添加物、であ
る。さらに、均質性を増すため、アルミニウム成分とし
てＡｌ ２ Ｏ ３ の代わりにアルミニウム塩の溶液を添加す
ることも好ましい。
ｎＯと、これと反応する添加物の働きについて詳しく解
析した。その結果、Ｓｂ ２ Ｏ ３ 粉体で単独でＺｎＯ粉体
に添加されるとかなり低い温度で昇華し、ＺｎＯ粒子の
表面に付着し、ＺｎＯと反応して強固なアンチモン化合
物薄膜を形成し、続いて起こるべき粒成長を妨げる。一
方、添加されるＳｂ ２ Ｏ ３ と添加されるＢｉ ２ Ｏ ３ の一
部とを予め熱処理を加えて反応させてＢｉ ２ Ｏ ３ とＳｂ
２ Ｏ ３ との合成粉末を添加すると、Ｓｂ ２ Ｏ ３ の昇華が
抑制され、未反応Ｓｂ ２ Ｏ ３ を添加したとき、ＺｎＯ粒
子の表面に付着し、ＺｎＯと反応してできる強固なアン
チモン化合物薄膜は形成されず、低温で焼結が進み、活
発に粒成長する。ここにおいて、Ｂｉ ２ Ｏ ３ の一部を未
反応の粉体の形で添加すると、全Ｂｉ ２ Ｏ ３ と全Ｓｂ ２
Ｏ ３ とを予め反応させておいて添加する場合に比べてよ
り低温で液相焼結が開始されることが明らかとなった。
全Ｂｉ ２ Ｏ ３ と全Ｓｂ ２ Ｏ ３ とを予め反応させて置いて
添加すると、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ 反応物質とＺｎＯ
との間の共晶発生の温度が上昇することによると考えら
れる。Ｓｂ ２ Ｏ ３ 量が多いと焼結温度が高くなり９５０
℃以上となった。一方、焼結温度が上昇すると本来反応
してほしくない添加物の反応が生じ、ばらつきの原因に
なることがある。例えば、ＴｉＯ ２ を添加して粒成長を
促進しようとした場合、ＴｉＯ ２ はＢｉ ２ Ｏ ３ と反応し
てほしいにもかかわらず先にＺｎＯと反応するものがで
ると、目的を達しないのみでなく、ばらつきの原因にな
る。反応に富んだＢｉ ２ Ｏ ３ の存在が必要となる。かく
して、本発明の酸化亜鉛系磁器組成物は次の４種を混合
し、所定の形状に加圧成形し、その成形体を７５０〜１
０００℃の範囲内の温度で焼成することが望ましい。こ
の範囲内で焼結することによって、非直線抵抗特性など
の電気特性および信頼性に優れた酸化亜鉛バリスタを歩
留まり高く製造することができる。その４種類とは
（１）ＺｎＯ、（２）Ｂｉ ２ Ｏ ３ とＳｂ ２ Ｏ ３ との合成
粉末、（３）Ｂｉ ２ Ｏ ３ 、（４）その他の添加物、であ
る。さらに、均質性を増すため、アルミニウム成分とし
てＡｌ ２ Ｏ ３ の代わりにアルミニウム塩の溶液を添加す
ることも好ましい。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】 なお、酸化亜鉛バリスタでは、高電流域
における非直線抵抗特性をよくするため、しばしばＡｌ
２ Ｏ ３ が添加されるが、その添加量はバリスタの用途に
よって決まる。高電流域における非直線抵抗特性をよく
したい場合はＡｌ ２ Ｏ ３ の添加量を増し、低電流域にお
ける漏れ電流を小さくしたい場合にはＡｌ ２ Ｏ ３ の添加
量を少なくする。
における非直線抵抗特性をよくするため、しばしばＡｌ
２ Ｏ ３ が添加されるが、その添加量はバリスタの用途に
よって決まる。高電流域における非直線抵抗特性をよく
したい場合はＡｌ ２ Ｏ ３ の添加量を増し、低電流域にお
ける漏れ電流を小さくしたい場合にはＡｌ ２ Ｏ ３ の添加
量を少なくする。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】（実施例１） Ｂｉ ２ Ｏ ３ の粉末と、Ｓｂ
２ Ｏ ３ の粉末（各粉末の粒径はそれぞれ、平均粒径が２
〜３μｍ）を重量比で１：２．５となるように混合し
た。この混合粉を大気雰囲気下、６００℃で１時間の熱
処理を施した後、安定化ジルコニアを玉石とするモノマ
ロンポットのボールミルで微粉砕することによって合成
粉末（平均粒径約０．５〜１．５μｍ）を得た。以下、
Ｂｉ ２ Ｏ ３ と、Ｓｂ ２ Ｏ ３ とをこのようにして調整され
る合成粉末をＢｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末と称す。
ＺｎＯ粉末（平均粒径約０．３μｍ）と、Ｂｉ ２ Ｏ ３ の
粉末と、前記Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末と、Ｃｏ
Ｏ粉末（平均粒径約０．５〜１．５μｍ）と、ＭｎＯ ２
粉末（平均粒径約２〜３μｍ）と、ＮｉＯ粉末（平均粒
径約０．５〜１．５μｍ）とを、前記Ｂｉ ２ Ｏ ３ 粉末の
量を変えながら重量比が１００：０．３〜１０：３．
５：０．９５４：０．４１４：０．３８３となるように
配合した粉末をモノマロンポットと安定化ジルコニアボ
ールを用いて１８時間、湿式法で混合粉砕し、３２５メ
ッシュを通過するように粉砕した。得られた配合粉末を
乾燥し、硝酸アルミニウムの水溶液を加えて乳鉢で混合
し、ディスク状に加圧成形した。次に、得られた成形体
を大気中、昇温速度５０℃／時間で昇温し、９５０℃で
１７時間保持した後、降温速度５０℃／時間で降温して
焼結体を得た。焼結体の試料サイズは厚さ１．２ｍｍ、
直径は１４ｍｍであった。
２ Ｏ ３ の粉末（各粉末の粒径はそれぞれ、平均粒径が２
〜３μｍ）を重量比で１：２．５となるように混合し
た。この混合粉を大気雰囲気下、６００℃で１時間の熱
処理を施した後、安定化ジルコニアを玉石とするモノマ
ロンポットのボールミルで微粉砕することによって合成
粉末（平均粒径約０．５〜１．５μｍ）を得た。以下、
Ｂｉ ２ Ｏ ３ と、Ｓｂ ２ Ｏ ３ とをこのようにして調整され
る合成粉末をＢｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末と称す。
ＺｎＯ粉末（平均粒径約０．３μｍ）と、Ｂｉ ２ Ｏ ３ の
粉末と、前記Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末と、Ｃｏ
Ｏ粉末（平均粒径約０．５〜１．５μｍ）と、ＭｎＯ ２
粉末（平均粒径約２〜３μｍ）と、ＮｉＯ粉末（平均粒
径約０．５〜１．５μｍ）とを、前記Ｂｉ ２ Ｏ ３ 粉末の
量を変えながら重量比が１００：０．３〜１０：３．
５：０．９５４：０．４１４：０．３８３となるように
配合した粉末をモノマロンポットと安定化ジルコニアボ
ールを用いて１８時間、湿式法で混合粉砕し、３２５メ
ッシュを通過するように粉砕した。得られた配合粉末を
乾燥し、硝酸アルミニウムの水溶液を加えて乳鉢で混合
し、ディスク状に加圧成形した。次に、得られた成形体
を大気中、昇温速度５０℃／時間で昇温し、９５０℃で
１７時間保持した後、降温速度５０℃／時間で降温して
焼結体を得た。焼結体の試料サイズは厚さ１．２ｍｍ、
直径は１４ｍｍであった。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２９】 表１および表２より、本実施例の酸化亜
鉛系磁器を用いた酸化亜鉛バリスタは、極めて低い温度
で焼結することができ、Ｂｉ ２ Ｏ ３ 添加量が０．３重量
部の試料（試料番号＃００１）を除いて非直線抵抗特性
がよく、長時間の直流負荷に対しても、また、サージに
対しても立ち上がり電圧Ｖ１ｍＡの変化率（△Ｖ１ｍＡ
／Ｖ１ｍＡ）の絶対値が５％以下で、信頼性が優れてい
た。また、表２に示されているように、ロット内の電気
特性のばらつきも小さかった。表２には示されていない
が、本実施例の酸化亜鉛系磁器を用いて酸化亜鉛バリス
タを作成すると、ロット間の電気特性のばらつきも、ロ
ット内の電気特性のばらつきと同様に小さかった。な
お、Ｂｉ ２ Ｏ ３ 添加量が１５重量部を超えると、焼成の
際に複数個の成形体を重ねて焼成しているので、、焼結
体同士が融着し（試料がくっつき）、電気特性の測定が
できなかった（試料番号＃０１０）。したがって、前記
Ｂｉ ２ Ｏ ３ 添加量は、ＺｎＯ粉末１００重量部に対して
０．５〜１２重量部がよい。
鉛系磁器を用いた酸化亜鉛バリスタは、極めて低い温度
で焼結することができ、Ｂｉ ２ Ｏ ３ 添加量が０．３重量
部の試料（試料番号＃００１）を除いて非直線抵抗特性
がよく、長時間の直流負荷に対しても、また、サージに
対しても立ち上がり電圧Ｖ１ｍＡの変化率（△Ｖ１ｍＡ
／Ｖ１ｍＡ）の絶対値が５％以下で、信頼性が優れてい
た。また、表２に示されているように、ロット内の電気
特性のばらつきも小さかった。表２には示されていない
が、本実施例の酸化亜鉛系磁器を用いて酸化亜鉛バリス
タを作成すると、ロット間の電気特性のばらつきも、ロ
ット内の電気特性のばらつきと同様に小さかった。な
お、Ｂｉ ２ Ｏ ３ 添加量が１５重量部を超えると、焼成の
際に複数個の成形体を重ねて焼成しているので、、焼結
体同士が融着し（試料がくっつき）、電気特性の測定が
できなかった（試料番号＃０１０）。したがって、前記
Ｂｉ ２ Ｏ ３ 添加量は、ＺｎＯ粉末１００重量部に対して
０．５〜１２重量部がよい。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３０】（実施例２） Ｂｉ ２ Ｏ ３ の粉末と、Ｓｂ
２ Ｏ ３ の粉末を重量比で４６６：２９２となるように混
合した。この混合粉を大気雰囲気下、５００℃で５時間
の熱処理を施した後、ボールミルで微粉砕しＢｉ ２ Ｏ ３
／Ｓｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末を得た。次に、実施例１と類似の
方法で試料を作成した。
２ Ｏ ３ の粉末を重量比で４６６：２９２となるように混
合した。この混合粉を大気雰囲気下、５００℃で５時間
の熱処理を施した後、ボールミルで微粉砕しＢｉ ２ Ｏ ３
／Ｓｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末を得た。次に、実施例１と類似の
方法で試料を作成した。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】 ＺｎＯ粉末と、Ｂｉ ２ Ｏ ３ 粉末と、前記
Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末と、ＣｏＯ粉末と、Ｍ
ｎＯ ２ 粉末と、ＮｉＯ粉末とを、前記Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ
２ Ｏ ３ 合成粉末の量を変えながら重量比が１００：２：
０．３７９〜１０．０：０．９５４：０．４１４：０．
３８３となるように配合し、１８時間、湿式法で混合粉
砕し、３２５メッシュを通過するように粉砕した。得ら
れた配合粉末を乾燥し、硝酸アルミニウムの水溶液を加
えて乳鉢で混合し、ディスク状に加圧成形した。次に、
得られた成形体を大気中、昇温速度５０℃／時間で昇温
し、９００℃で１０時間保持した後、降温速度５０℃／
時間で降温して焼結体を得た。次に、実施例１と類似の
方法で酸化亜鉛バリスタを得た。かくして得た酸化亜鉛
バリスタの電気特性を、実施例１と類似の方法で評価し
た。表３に試料の組成を、表４に電気特性の評価結果を
示す。
Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末と、ＣｏＯ粉末と、Ｍ
ｎＯ ２ 粉末と、ＮｉＯ粉末とを、前記Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ
２ Ｏ ３ 合成粉末の量を変えながら重量比が１００：２：
０．３７９〜１０．０：０．９５４：０．４１４：０．
３８３となるように配合し、１８時間、湿式法で混合粉
砕し、３２５メッシュを通過するように粉砕した。得ら
れた配合粉末を乾燥し、硝酸アルミニウムの水溶液を加
えて乳鉢で混合し、ディスク状に加圧成形した。次に、
得られた成形体を大気中、昇温速度５０℃／時間で昇温
し、９００℃で１０時間保持した後、降温速度５０℃／
時間で降温して焼結体を得た。次に、実施例１と類似の
方法で酸化亜鉛バリスタを得た。かくして得た酸化亜鉛
バリスタの電気特性を、実施例１と類似の方法で評価し
た。表３に試料の組成を、表４に電気特性の評価結果を
示す。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】 表３および表４より、本実施例の酸化亜
鉛系磁器を用いた酸化亜鉛バリスタは、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓ
ｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末添加量が０．３７９重量部の試料（試
料番号＃１０１）を除いて非直線抵抗特性がよく、長時
間の直流負荷に対しても、また、サージに対しても立ち
上がり電圧Ｖ１ｍＡの変化率（△Ｖ１ｍＡ／Ｖ１ｍＡ）
の絶対値が５％以下で信頼性が優れていた。なお、Ｂｉ
２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末添加量が１０重量部を超え
ると、焼成の際に複数個の成形体を重ねて焼成している
ので、焼結体同士が融着し（試料がくっつく）、電気特
性の測定ができなかった（試料番号＃１１０）。
鉛系磁器を用いた酸化亜鉛バリスタは、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓ
ｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末添加量が０．３７９重量部の試料（試
料番号＃１０１）を除いて非直線抵抗特性がよく、長時
間の直流負荷に対しても、また、サージに対しても立ち
上がり電圧Ｖ１ｍＡの変化率（△Ｖ１ｍＡ／Ｖ１ｍＡ）
の絶対値が５％以下で信頼性が優れていた。なお、Ｂｉ
２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末添加量が１０重量部を超え
ると、焼成の際に複数個の成形体を重ねて焼成している
ので、焼結体同士が融着し（試料がくっつく）、電気特
性の測定ができなかった（試料番号＃１１０）。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３５】（実施例３） Ｂｉ ２ Ｏ ３ の粉末と、Ｓｂ
２ Ｏ ３ の粉末と、Ｂ ２ Ｏ ３ の粉末を重量比で１．１７：
０．７２８：０．１７４となるように混合した。この混
合粉を大気雰囲気下、４７０℃で５時間の熱処理を施し
た後、ボールミルで微粉砕しＢｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／
Ｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末を得た。類似の方法で、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／
Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｃｒ ２ Ｏ ３ 合成粉末（組成比１．１７：
０．７２８：０．３８）、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｇ
ｅＯ ２ 合成粉末（組成比１．１７：０．７２８：０．２
６２）、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｎｂ ２ Ｏ ５ 合成粉末
（組成比１．１７：０．７２８：０．６６５）、Ｂｉ ２
Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｐｒ ２ Ｏ ３ 合成粉末（組成比１．１
７：０．７２８：０．８２４）、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ
３ ／ＳｉＯ ２ 合成粉末（組成比１．１７：０．７２８：
０．１５）、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／ＳｎＯ ２ 合成粉
末（組成比１．１７：０．７２８：０．３７７７）、Ｂ
ｉ２Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｔａ ２ Ｏ ５ 合成粉末（組成比
１．１７：０．７２８：１．１０５）、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓ
ｂ ２ Ｏ ３ ／ＴｉＯ ２ 合成粉末（組成比１．１７：０．７
２８：０．１９９）、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｙ ２ Ｏ
３ 合成粉末（組成比１．１７：０．７２８：０．５６
５）を得た。次に、実施例１と類似の方法で酸化亜鉛バ
リスタを得た。すなわち、ＺｎＯ粉末と、Ｂｉ ２ Ｏ ３ 粉
末と、前記Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末
と、ＣｏＯ粉末とＭｎＯ ２ 粉末と、ＮｉＯ粉末とを、重
量比が１００：１：２．０７２：０．９５４：０．４１
４：０．３８３となるように配合し、１８時間、湿式法
で混合粉砕し、３２５メッシュを通過するように粉砕し
た。得られた配合粉末を乾燥し、硝酸アルミニウムの水
溶液を加えて乳鉢で混合し、ディスク状に加圧成形し
た。次に、得られた成形体を大気中、昇温速度５０℃／
時間で昇温し、８００℃で１０時間保持した後、降温速
度５０℃／時間で降温して焼結体を得た。次に、実施例
１と類似の方法で酸化亜鉛バリスタを得た。
２ Ｏ ３ の粉末と、Ｂ ２ Ｏ ３ の粉末を重量比で１．１７：
０．７２８：０．１７４となるように混合した。この混
合粉を大気雰囲気下、４７０℃で５時間の熱処理を施し
た後、ボールミルで微粉砕しＢｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／
Ｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末を得た。類似の方法で、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／
Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｃｒ ２ Ｏ ３ 合成粉末（組成比１．１７：
０．７２８：０．３８）、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｇ
ｅＯ ２ 合成粉末（組成比１．１７：０．７２８：０．２
６２）、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｎｂ ２ Ｏ ５ 合成粉末
（組成比１．１７：０．７２８：０．６６５）、Ｂｉ ２
Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｐｒ ２ Ｏ ３ 合成粉末（組成比１．１
７：０．７２８：０．８２４）、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ
３ ／ＳｉＯ ２ 合成粉末（組成比１．１７：０．７２８：
０．１５）、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／ＳｎＯ ２ 合成粉
末（組成比１．１７：０．７２８：０．３７７７）、Ｂ
ｉ２Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｔａ ２ Ｏ ５ 合成粉末（組成比
１．１７：０．７２８：１．１０５）、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓ
ｂ ２ Ｏ ３ ／ＴｉＯ ２ 合成粉末（組成比１．１７：０．７
２８：０．１９９）、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｙ ２ Ｏ
３ 合成粉末（組成比１．１７：０．７２８：０．５６
５）を得た。次に、実施例１と類似の方法で酸化亜鉛バ
リスタを得た。すなわち、ＺｎＯ粉末と、Ｂｉ ２ Ｏ ３ 粉
末と、前記Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末
と、ＣｏＯ粉末とＭｎＯ ２ 粉末と、ＮｉＯ粉末とを、重
量比が１００：１：２．０７２：０．９５４：０．４１
４：０．３８３となるように配合し、１８時間、湿式法
で混合粉砕し、３２５メッシュを通過するように粉砕し
た。得られた配合粉末を乾燥し、硝酸アルミニウムの水
溶液を加えて乳鉢で混合し、ディスク状に加圧成形し
た。次に、得られた成形体を大気中、昇温速度５０℃／
時間で昇温し、８００℃で１０時間保持した後、降温速
度５０℃／時間で降温して焼結体を得た。次に、実施例
１と類似の方法で酸化亜鉛バリスタを得た。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３６】 前記Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｂ ２ Ｏ ３
合成粉末に代えて、次の合成粉末を用い、同様の方法で
酸化亜鉛バリスタを得た。ただし、焼成温度は試料によ
って異なる。Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｃｒ ２ Ｏ ３ 合成
粉末：２．２７８、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／ＧｅＯ ２
合成粉末：２．１６、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｎｂ ２
Ｏ ５ 合成粉末：２．５６３、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／
Ｐｒ ２ Ｏ ３ 合成粉末：２．７７２、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２
Ｏ ３ ／ＳｉＯ ２ 合成粉末：２．０４８、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓ
ｂ ２ Ｏ ３ ／ＳｎＯ ２ 合成粉末：２．２７５、Ｂｉ ２ Ｏ ３
／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｔａ ２ Ｏ ５ 合成粉末：３．００３、Ｂｉ
２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／ＴｉＯ ２ 合成粉末：２．０９８、
Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｙ ２ Ｏ ３ 合成粉末：２．４６
３。かくして得た酸化亜鉛バリスタの電気特性を、実施
例１と類似の方法で評価した。表５に試料の組成を、表
６に焼成温度と電気特性の評価結果を示す。
合成粉末に代えて、次の合成粉末を用い、同様の方法で
酸化亜鉛バリスタを得た。ただし、焼成温度は試料によ
って異なる。Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｃｒ ２ Ｏ ３ 合成
粉末：２．２７８、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／ＧｅＯ ２
合成粉末：２．１６、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｎｂ ２
Ｏ ５ 合成粉末：２．５６３、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／
Ｐｒ ２ Ｏ ３ 合成粉末：２．７７２、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２
Ｏ ３ ／ＳｉＯ ２ 合成粉末：２．０４８、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓ
ｂ ２ Ｏ ３ ／ＳｎＯ ２ 合成粉末：２．２７５、Ｂｉ ２ Ｏ ３
／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｔａ ２ Ｏ ５ 合成粉末：３．００３、Ｂｉ
２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／ＴｉＯ ２ 合成粉末：２．０９８、
Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／Ｙ ２ Ｏ ３ 合成粉末：２．４６
３。かくして得た酸化亜鉛バリスタの電気特性を、実施
例１と類似の方法で評価した。表５に試料の組成を、表
６に焼成温度と電気特性の評価結果を示す。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正内容】
【表５】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】（実施例４） Ｂｉ ２ Ｏ ３ の粉末と、Ｓｂ
２ Ｏ ３ の粉末を重量比で４６６：２９２となるように混
合した。この混合粉を大気雰囲気下、６００℃で５時間
の熱処理を施した後、ボールミルで微粉砕した。Ｘ線解
析の結果、ＢｉＳｂＯ ４ 相が確認された。次に、実施例
１と類似の方法で試料を作成した。ＺｎＯ粉末と、Ｂｉ
２ Ｏ ３ 粉末と、前記ＢｉＳｂＯ ４ 粉末と、Ｃｒ ２ Ｏ ３ 粉
末と、ＣｏＯ粉末と、ＭｎＯ ２ 粉末と、ＮｉＯ粉末とを
重量比が、１００：１：１．１９８：０．１：０．９５
４：０．４１４：０．３８３となるように配合し、１８
時間、湿式法で混合粉砕し、３２５メッシュを通過する
ように粉砕した。得られた配合粉末を乾燥し、硝酸アル
ミニウムの水溶液を加えて乳鉢で混合し、ディスク状に
加圧成形した。次に得られた成形体を大気中、昇温温度
５０℃／時間で昇温し、８５０℃で１０時間保持した
後、降温速度５０℃／時間で降温して焼結体を得た。次
に、実施例１と類似の方法で酸化亜鉛バリスタを得た。
かくして得た酸化亜鉛バリスタの電気特性を、実施例１
と類似の方法で評価した。表７に試料の組成を、表８に
電気特性の評価結果を示す。
２ Ｏ ３ の粉末を重量比で４６６：２９２となるように混
合した。この混合粉を大気雰囲気下、６００℃で５時間
の熱処理を施した後、ボールミルで微粉砕した。Ｘ線解
析の結果、ＢｉＳｂＯ ４ 相が確認された。次に、実施例
１と類似の方法で試料を作成した。ＺｎＯ粉末と、Ｂｉ
２ Ｏ ３ 粉末と、前記ＢｉＳｂＯ ４ 粉末と、Ｃｒ ２ Ｏ ３ 粉
末と、ＣｏＯ粉末と、ＭｎＯ ２ 粉末と、ＮｉＯ粉末とを
重量比が、１００：１：１．１９８：０．１：０．９５
４：０．４１４：０．３８３となるように配合し、１８
時間、湿式法で混合粉砕し、３２５メッシュを通過する
ように粉砕した。得られた配合粉末を乾燥し、硝酸アル
ミニウムの水溶液を加えて乳鉢で混合し、ディスク状に
加圧成形した。次に得られた成形体を大気中、昇温温度
５０℃／時間で昇温し、８５０℃で１０時間保持した
後、降温速度５０℃／時間で降温して焼結体を得た。次
に、実施例１と類似の方法で酸化亜鉛バリスタを得た。
かくして得た酸化亜鉛バリスタの電気特性を、実施例１
と類似の方法で評価した。表７に試料の組成を、表８に
電気特性の評価結果を示す。
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４４】（実施例５） Ｂｉ ２ Ｏ ３ の粉末と、Ｓｂ
２ Ｏ ３ の粉末と、Ｂ ２ Ｏ ３ の粉末を重量比で１３９８：
２９２となるように混合した。この混合粉を大気雰囲気
下、５５０℃で２時間の熱処理を施した後、ボールミル
で微粉砕した。Ｘ線解析の結果、Ｂｉ ３ ＳｂＯ ７ 相が確
認された。次に、実施例１と類似の方法で試料を作成し
た。ＺｎＯ粉末と、Ｂｉ ２ Ｏ ３ 粉末と、前記Ｂｉ ３ Ｓｂ
Ｏ ７ 粉末と、Ｃｒ ２ Ｏ ３ 粉末と、ＣｏＯ粉末と、ＭｎＯ
２ 粉末と、ＮｉＯ粉末とを、重量比が、１００：１：
１．１１４：０．１：０．９５４：０．４１４：０．３
８３となるように配合し、１８時間、湿式法で混合粉砕
し、３２５メッシュを通過するように粉砕した。得られ
た配合粉末を乾燥し、硝酸アルミニウムの水溶液を加え
て乳鉢で混合し、ディスク状に加圧成形した。次に、得
られた成形体を大気中、昇温速度５０℃／時間でを昇温
し、９００℃で２時間保持した後、降温速度５０℃／時
間で降温して焼結体を得た。次に、実施例１と類似の方
法で酸化亜鉛バリスタを得た。かくして得た酸化亜鉛バ
リスタの電気特性を、実施例１と類似の方法で評価し
た。表９に試料の組成を、表１０に電気特性の評価結果
を示す。
２ Ｏ ３ の粉末と、Ｂ ２ Ｏ ３ の粉末を重量比で１３９８：
２９２となるように混合した。この混合粉を大気雰囲気
下、５５０℃で２時間の熱処理を施した後、ボールミル
で微粉砕した。Ｘ線解析の結果、Ｂｉ ３ ＳｂＯ ７ 相が確
認された。次に、実施例１と類似の方法で試料を作成し
た。ＺｎＯ粉末と、Ｂｉ ２ Ｏ ３ 粉末と、前記Ｂｉ ３ Ｓｂ
Ｏ ７ 粉末と、Ｃｒ ２ Ｏ ３ 粉末と、ＣｏＯ粉末と、ＭｎＯ
２ 粉末と、ＮｉＯ粉末とを、重量比が、１００：１：
１．１１４：０．１：０．９５４：０．４１４：０．３
８３となるように配合し、１８時間、湿式法で混合粉砕
し、３２５メッシュを通過するように粉砕した。得られ
た配合粉末を乾燥し、硝酸アルミニウムの水溶液を加え
て乳鉢で混合し、ディスク状に加圧成形した。次に、得
られた成形体を大気中、昇温速度５０℃／時間でを昇温
し、９００℃で２時間保持した後、降温速度５０℃／時
間で降温して焼結体を得た。次に、実施例１と類似の方
法で酸化亜鉛バリスタを得た。かくして得た酸化亜鉛バ
リスタの電気特性を、実施例１と類似の方法で評価し
た。表９に試料の組成を、表１０に電気特性の評価結果
を示す。
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４８】（実施例６） Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／
ＴｉＯ ２ 合成粉末（１．１７：０．７２８：０．２ｗｔ
比）とＢｉ ２ Ｏ ３ ／Ｃｒ ２ Ｏ ３ 合成粉末（１．１７：
０．３８ｗｔ比）とＢｉ ２ Ｏ ３ ／Ｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末
（１．１７：０．１７４ｗｔ比）を調整した。ＺｎＯ：
１００重量部に、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ：１．５重量部、それに上
記のＢｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／ＴｉＯ ２ 合成粉末：１．
５重量部、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｃｒ ２ Ｏ ３ 合成粉末：０．１重
量部、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末：０．１重量部
を、ＣｏＯ粉末：０．９５４重量部、ＭｎＯ ２ 粉末：
０．４１４重量部、と、ＮｉＯ粉末：０．３８３重量部
と共に添加し、混合、粉砕し、主としてブチラール樹脂
とその可塑剤に溶剤を混合してシートを成形した。次
に、前記シートをカットし、一部のシートの表面に銀を
主成分とするペーストを印刷により塗布した。この銀ペ
ーストを印刷したシート４枚を積層し、さらに一番上と
下に印刷していないシートを積層し、両側面に銀の外部
電極用ペーストを塗布した。その後、８５０℃の温度
で、前記混合粉体と銀電極とを一体焼結し、酸化亜鉛積
層チップバリスタを製造した。
ＴｉＯ ２ 合成粉末（１．１７：０．７２８：０．２ｗｔ
比）とＢｉ ２ Ｏ ３ ／Ｃｒ ２ Ｏ ３ 合成粉末（１．１７：
０．３８ｗｔ比）とＢｉ ２ Ｏ ３ ／Ｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末
（１．１７：０．１７４ｗｔ比）を調整した。ＺｎＯ：
１００重量部に、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ：１．５重量部、それに上
記のＢｉ ２ Ｏ ３ ／Ｓｂ ２ Ｏ ３ ／ＴｉＯ ２ 合成粉末：１．
５重量部、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｃｒ ２ Ｏ ３ 合成粉末：０．１重
量部、Ｂｉ ２ Ｏ ３ ／Ｂ ２ Ｏ ３ 合成粉末：０．１重量部
を、ＣｏＯ粉末：０．９５４重量部、ＭｎＯ ２ 粉末：
０．４１４重量部、と、ＮｉＯ粉末：０．３８３重量部
と共に添加し、混合、粉砕し、主としてブチラール樹脂
とその可塑剤に溶剤を混合してシートを成形した。次
に、前記シートをカットし、一部のシートの表面に銀を
主成分とするペーストを印刷により塗布した。この銀ペ
ーストを印刷したシート４枚を積層し、さらに一番上と
下に印刷していないシートを積層し、両側面に銀の外部
電極用ペーストを塗布した。その後、８５０℃の温度
で、前記混合粉体と銀電極とを一体焼結し、酸化亜鉛積
層チップバリスタを製造した。
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５３】なお、試料間の比較を容易にするため、ま
た、データの信頼性を高めるため、上記実施例におい
て、ＣｏＯ、ＭｎＯ、ＮｉＯの三者を予め混合しておい
て、一定量を添加する方法を採用したが、本発明の酸化
亜鉛系磁器組成物はこのような配合方法に限定するもの
でないことは当然である。さらに、実施例では８００〜
９５０℃の焼成データを示したが、Ｂ ２ Ｏ ３ 、Ｃｒ ２ Ｏ
３ などの添加量を調整することにより７５０℃まで焼成
温度を下げても、良特性のバリスタが得られることが、
明らかとなった。 ─────────────────────────────────────────────────────
た、データの信頼性を高めるため、上記実施例におい
て、ＣｏＯ、ＭｎＯ、ＮｉＯの三者を予め混合しておい
て、一定量を添加する方法を採用したが、本発明の酸化
亜鉛系磁器組成物はこのような配合方法に限定するもの
でないことは当然である。さらに、実施例では８００〜
９５０℃の焼成データを示したが、Ｂ ２ Ｏ ３ 、Ｃｒ ２ Ｏ
３ などの添加量を調整することにより７５０℃まで焼成
温度を下げても、良特性のバリスタが得られることが、
明らかとなった。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年６月２５日
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３７】
【表５】
Claims (12)
- 【請求項１】 酸化亜鉛（ＺnＯ）粉末１００重量部に
対し、酸化ビスマス（Ｂi2Ｏ3）０.５〜１２重量部と、
酸化ビスマス（Ｂi2Ｏ3）と酸化アンチモン（Ｓb2Ｏ3）
の二者を混合し４００℃〜７００℃の範囲の熱処理を施
して得たＢi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の合成粉末０.５〜８重量部
と、酸化アルミニウム（Ａl2Ｏ3）、酸化ほう素（Ｂ2Ｏ
3）、酸化コバルト（ＣoＯ）、酸化クロム（Ｃr2Ｏ
3）、酸化ゲルマニウム（ＧeＯ2）、酸化ランタン（Ｌa
2Ｏ3）、酸化マグネシウム（ＭgＯ）、酸化マンガン
（ＭnＯ）、酸化ニオブ（Ｎb2Ｏ5）、酸化ネオジウム
（Ｎd2Ｏ3）、酸化ニッケル（ＮiＯ）、酸化鉛（Ｐb
Ｏ）、酸化プラセオジウム（Ｐr2Ｏ3）、酸化珪素（Ｓi
Ｏ2）、酸化錫（ＳnＯ2）、酸化タンタル（Ｔa2Ｏ5）、
酸化チタン（ＴiＯ2）、酸化タングステン（ＷＯ3）、
および、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）のそれぞれから選
ばれる少なくとも二つ以上の金属酸化物０.５〜８重量
部添加されてなる酸化亜鉛系磁器組成物。 - 【請求項２】 Ｂi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の合成粉末が化合物Ｂ
iＳbＯ4の粉末よりなる請求項１記載の酸化亜鉛系磁器
組成物。 - 【請求項３】 Ｂi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の合成粉末が化合物Ｂ
i3ＳbＯ7の粉末よりなる請求項１記載の酸化亜鉛系磁器
組成物。 - 【請求項４】 Ｂi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の合成粉末の代わりに
Ｂi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の他にさらにＡl2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、Ｃr2
Ｏ3、ＧeＯ2、Ｌa2Ｏ3、Ｎb2Ｏ5、Ｎd2Ｏ3、ＰbＯ、Ｐr
2Ｏ3、ＳiＯ2、ＳnＯ2、Ｔa2Ｏ5、ＴiＯ2、ＷＯ3、およ
びＹ2Ｏ3のそれぞれから選ばれる少なくとも一つ以上の
酸化物を含有する合成粉末である請求項１記載の酸化亜
鉛系磁器組成物。 - 【請求項５】 Ｂi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の二者を混合し４００
℃〜７００℃の範囲の熱処理を施してＢi2Ｏ3とＳb2Ｏ3
の合成粉末を得る工程と、ＺnＯ粉末１００重量部に対
し、Ｂi2Ｏ3を０.５〜１２重量部と、前記Ｂi2Ｏ3とＳb
2Ｏ3の合成粉末０.５〜８重量部と、Ａl2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、
ＣoＯ、Ｃr2Ｏ3、ＧeＯ2、Ｌa2Ｏ3、ＭgＯ、ＭnＯ、Ｎb
2Ｏ5、Ｎd2Ｏ3、ＮiＯ、ＰbＯ、Ｐr2Ｏ3、ＳiＯ2、Ｓn
Ｏ2、Ｔa2Ｏ5、ＴiＯ2、ＷＯ3、および、Ｙ2Ｏ3のそれ
ぞれから選ばれる少なくとも二つ以上の金属酸化物０.
５〜８重量部とを添加する工程を含有する酸化亜鉛系磁
器組成物の製造方法。 - 【請求項６】 Ｂi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の二者を混合し４００
℃〜７００℃の範囲の熱処理を施してＢi2Ｏ3とＳb2Ｏ3
の合成粉末を得る工程が化合物ＢiＳbＯ4の粉末を調整
する工程である請求項５記載の酸化亜鉛系磁器組成物の
製造方法。 - 【請求項７】 Ｂi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の二者を混合し４００
℃〜７００℃の範囲の熱処理を施してＢi2Ｏ3とＳb2Ｏ3
の合成粉末を得る工程が化合物Ｂi3ＳbＯ7の粉末を調整
する工程である請求項５記載の酸化亜鉛系磁器組成物の
製造方法。 - 【請求項８】 Ｂi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の二者を混合し４００
℃〜７００℃の範囲の熱処理を施してＢi2Ｏ3とＳb2Ｏ3
の合成粉末を得る工程が、Ｂi2Ｏ3とＳb2Ｏ3の他にさら
にＢ2Ｏ3、Ｃr2Ｏ3、ＧeＯ2、Ｌa2Ｏ3、Ｎb2Ｏ5、Ｎd2
Ｏ3、ＰbＯ、Ｐr2Ｏ3、ＳiＯ2、ＳnＯ2、Ｔa2Ｏ5、Ｔi
Ｏ2、ＷＯ3、およびＹ2Ｏ3のそれぞれから少なくとも一
つ以上の酸化物を選んで混合し４００℃〜７００℃の範
囲の熱処理を施して合成粉末を得る工程である請求項５
記載の酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法。 - 【請求項９】 添加されるＡl2Ｏ3のアルミニウム成分
をアルミニウム塩の溶液を用いて添加する工程を含有す
る請求項５、または請求項６、または請求項７、または
請求項８記載の酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法。 - 【請求項１０】 電極が形成された酸化亜鉛系磁器組成
物がバリスタである請求項１、２、３または請求項４に
記載の酸化亜鉛系磁器組成物よりなる酸化亜鉛バリス
タ。 - 【請求項１１】 焼成時に酸化亜鉛系磁器組成物の内部
に銀または銀系合金の電極が同時に形成された請求項１
０に記載の酸化亜鉛バリスタ。 - 【請求項１２】 バリスタがディスクタイプおよび積層
タイプのバリスタから選ばれる少なくとも一つである請
求項１０に記載の酸化亜鉛バリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9115662A JPH10308302A (ja) | 1997-05-06 | 1997-05-06 | 酸化亜鉛系磁器組成物とその製造方法および酸化亜鉛バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9115662A JPH10308302A (ja) | 1997-05-06 | 1997-05-06 | 酸化亜鉛系磁器組成物とその製造方法および酸化亜鉛バリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10308302A true JPH10308302A (ja) | 1998-11-17 |
Family
ID=14668206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9115662A Pending JPH10308302A (ja) | 1997-05-06 | 1997-05-06 | 酸化亜鉛系磁器組成物とその製造方法および酸化亜鉛バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10308302A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104150900A (zh) * | 2014-07-28 | 2014-11-19 | 聊城大学 | 一种ZnO压敏电阻低压化添加剂及其制备方法 |
| CN112280195A (zh) * | 2020-10-12 | 2021-01-29 | 中国电力科学研究院有限公司 | 一种纳米片状ZnO@Ag/绝缘复合材料及其制备方法 |
| CN115368129A (zh) * | 2022-08-23 | 2022-11-22 | 如东宝联电子科技有限公司 | 一种降低残压的叠层氧化锌组合物及其制备方法 |
| CN117303885A (zh) * | 2023-10-16 | 2023-12-29 | 贵阳高新益舸电子有限公司 | 一种以可溶盐形式掺杂制备ZnO压敏陶瓷的方法 |
| CN120965305A (zh) * | 2025-09-18 | 2025-11-18 | 东莞可锐电子科技有限公司 | 一种片式压敏电阻及其制备方法 |
-
1997
- 1997-05-06 JP JP9115662A patent/JPH10308302A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
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| CN112280195A (zh) * | 2020-10-12 | 2021-01-29 | 中国电力科学研究院有限公司 | 一种纳米片状ZnO@Ag/绝缘复合材料及其制备方法 |
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| CN120965305A (zh) * | 2025-09-18 | 2025-11-18 | 东莞可锐电子科技有限公司 | 一种片式压敏电阻及其制备方法 |
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