JPH05234716A - 酸化亜鉛バリスタ - Google Patents
酸化亜鉛バリスタInfo
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- JPH05234716A JPH05234716A JP4039097A JP3909792A JPH05234716A JP H05234716 A JPH05234716 A JP H05234716A JP 4039097 A JP4039097 A JP 4039097A JP 3909792 A JP3909792 A JP 3909792A JP H05234716 A JPH05234716 A JP H05234716A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 安定したバリスタ電圧並びに高サージ耐量を
有する１００Ｖ以下の低電圧用として使用する酸化亜鉛
バリスタを提供する。 【構成】 酸化亜鉛を主成分とし、この成分に対して、
酸化ビスマスを０．１〜２．０モル％、酸化コバルトを
０．１〜１．０モル％、酸化マンガンを０．１〜１．５
モル％、酸化アンチモンを０．０１〜０．５０モル％、
酸化アルミニウムを０．０００５〜０．０１００モル
％、チタン酸亜鉛（Ｚｎ2ＴｉＯ4）を０．１〜３．０モ
ル％を添加含有した酸化亜鉛バリスタ。あるいは、Ｚｎ
Ｏを主成分とし、この成分に対して、Ｂｉ2Ｏ3０．１〜
２．０モル％、Ｃｏ2Ｏ3０．１〜１．０モル％、ＭｎＯ
2０．１〜１．５モル％、Ｓｂ2Ｏ3０．０１〜０．５０
モル％、Ａ１2Ｏ3０．０００５〜０．０１００モル％、
ＴｉＯ2０．１〜３．０モル％、及びＣｒ（ＮＯ3）3を
Ｃｒ2Ｏ3に換算して０．００５〜０．２０モル％を添加
含有したＺｎＯバリスタ。
有する１００Ｖ以下の低電圧用として使用する酸化亜鉛
バリスタを提供する。 【構成】 酸化亜鉛を主成分とし、この成分に対して、
酸化ビスマスを０．１〜２．０モル％、酸化コバルトを
０．１〜１．０モル％、酸化マンガンを０．１〜１．５
モル％、酸化アンチモンを０．０１〜０．５０モル％、
酸化アルミニウムを０．０００５〜０．０１００モル
％、チタン酸亜鉛（Ｚｎ2ＴｉＯ4）を０．１〜３．０モ
ル％を添加含有した酸化亜鉛バリスタ。あるいは、Ｚｎ
Ｏを主成分とし、この成分に対して、Ｂｉ2Ｏ3０．１〜
２．０モル％、Ｃｏ2Ｏ3０．１〜１．０モル％、ＭｎＯ
2０．１〜１．５モル％、Ｓｂ2Ｏ3０．０１〜０．５０
モル％、Ａ１2Ｏ3０．０００５〜０．０１００モル％、
ＴｉＯ2０．１〜３．０モル％、及びＣｒ（ＮＯ3）3を
Ｃｒ2Ｏ3に換算して０．００５〜０．２０モル％を添加
含有したＺｎＯバリスタ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は安定したバリスタ電圧並
びに高サージ耐量を有する低電圧用の酸化亜鉛バリスタ
に関するものである。
びに高サージ耐量を有する低電圧用の酸化亜鉛バリスタ
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種酸化亜鉛バリスタの開発には
めざましいものがあり、中でも酸化ビスマス（Ｂｉ
2Ｏ3）を含有した酸化亜鉛系の酸化亜鉛バリスタはその
優れた電圧非直線性、サージ吸収性が認められ、雷サー
ジ及び異常電圧に対する防護用のバリスタとして広く用
いられている。しかし、昨今の半導体素子の進歩に伴っ
て、電子機器の駆動電圧が低減化され、従って半導体素
子を保護するのに用いられるバリスタについてもより低
い駆動電圧に対応する、すなわち、バリスタ電圧の低い
ものが求められてきている。
めざましいものがあり、中でも酸化ビスマス（Ｂｉ
2Ｏ3）を含有した酸化亜鉛系の酸化亜鉛バリスタはその
優れた電圧非直線性、サージ吸収性が認められ、雷サー
ジ及び異常電圧に対する防護用のバリスタとして広く用
いられている。しかし、昨今の半導体素子の進歩に伴っ
て、電子機器の駆動電圧が低減化され、従って半導体素
子を保護するのに用いられるバリスタについてもより低
い駆動電圧に対応する、すなわち、バリスタ電圧の低い
ものが求められてきている。
【０００３】このような酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分と
するバリスタでは、バリスタ電圧は焼結体中の酸化亜鉛
粒子の厚み方向に並んだ数に依存し、バリスタ電圧を低
下させるためには酸化亜鉛（ＺｎＯ）の粒子径を大きく
すればよく、このためには酸化チタン（ＴｉＯ2）を含
有させることによってこの酸化チタン（ＴｉＯ2）が酸
化亜鉛（ＺｎＯ）の粒成長に大きく寄与することが知ら
れており、このような要求に応える技術として特公昭５
６−３６４６号公報に開示されたものがあった。
するバリスタでは、バリスタ電圧は焼結体中の酸化亜鉛
粒子の厚み方向に並んだ数に依存し、バリスタ電圧を低
下させるためには酸化亜鉛（ＺｎＯ）の粒子径を大きく
すればよく、このためには酸化チタン（ＴｉＯ2）を含
有させることによってこの酸化チタン（ＴｉＯ2）が酸
化亜鉛（ＺｎＯ）の粒成長に大きく寄与することが知ら
れており、このような要求に応える技術として特公昭５
６−３６４６号公報に開示されたものがあった。
【０００４】上記公報に開示された技術は、酸化亜鉛
（ＺｎＯ）に酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．１〜５モ
ル％、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）を０．１〜５モル％、
酸化マンガン（ＭｎＯ2）を０．１〜５モル％、酸化ニ
ッケル（ＮｉＯ）を０．１〜５モル％、酸化チタン（Ｔ
ｉＯ2）を０．１〜５モル％、及び酸化銀（Ａｇ2Ｏ）を
５〜３０重量％含むホウケイ酸ビスマスガラスフリット
を０．０１〜０．２５重量％添加して混合、粉砕、乾
燥、造粒及び成形を行い、前記成形体を焼成することに
より低電圧用のバリスタを得るというものである。
（ＺｎＯ）に酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．１〜５モ
ル％、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）を０．１〜５モル％、
酸化マンガン（ＭｎＯ2）を０．１〜５モル％、酸化ニ
ッケル（ＮｉＯ）を０．１〜５モル％、酸化チタン（Ｔ
ｉＯ2）を０．１〜５モル％、及び酸化銀（Ａｇ2Ｏ）を
５〜３０重量％含むホウケイ酸ビスマスガラスフリット
を０．０１〜０．２５重量％添加して混合、粉砕、乾
燥、造粒及び成形を行い、前記成形体を焼成することに
より低電圧用のバリスタを得るというものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の低電圧用の酸化亜鉛バリスタでは、１００Ｖ以下のバ
リスタ電圧を得るために酸化亜鉛粒子の粒径を２０〜１
００μｍまで粒成長させるため、局所的に異常粒成長が
発生し、バリスタ電圧にばらつきが生じていた。また、
酸化亜鉛粒子の異常粒成長は、サージ電流の電流集中を
引き起こすため、所望のサージ耐量を安定的に得ること
ができず、そのために、粒成長を抑制する効果のある酸
化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）を微量添加して、バリスタ電圧の
ばらつきを低くしたり、サージ耐量を向上させるという
技術が知られているが、このような従来の低電圧用の酸
化亜鉛バリスタでは、酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）を粉体と
して微量添加するため、均一に分散させることが困難で
あり、不均一なクロム（Ｃｒ）の分散は逆に酸化亜鉛粒
子の均一な粒成長を妨げ、そのためバリスタ電圧のばら
つき並びにサージ耐量の向上を全く図ることができない
という課題を有していた。
の低電圧用の酸化亜鉛バリスタでは、１００Ｖ以下のバ
リスタ電圧を得るために酸化亜鉛粒子の粒径を２０〜１
００μｍまで粒成長させるため、局所的に異常粒成長が
発生し、バリスタ電圧にばらつきが生じていた。また、
酸化亜鉛粒子の異常粒成長は、サージ電流の電流集中を
引き起こすため、所望のサージ耐量を安定的に得ること
ができず、そのために、粒成長を抑制する効果のある酸
化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）を微量添加して、バリスタ電圧の
ばらつきを低くしたり、サージ耐量を向上させるという
技術が知られているが、このような従来の低電圧用の酸
化亜鉛バリスタでは、酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）を粉体と
して微量添加するため、均一に分散させることが困難で
あり、不均一なクロム（Ｃｒ）の分散は逆に酸化亜鉛粒
子の均一な粒成長を妨げ、そのためバリスタ電圧のばら
つき並びにサージ耐量の向上を全く図ることができない
という課題を有していた。
【０００６】また、酸化チタン（ＴｉＯ2）が酸化亜鉛
粉末中に均一に分散されずに偏析した状態で焼結される
ため、酸化亜鉛粒子の異常粒成長が発生しバリスタ電圧
にばらつきが生じたり、局所的な電流集中が起き所望の
サージ耐量を安定的に得ることができないという課題を
も有したものであった。
粉末中に均一に分散されずに偏析した状態で焼結される
ため、酸化亜鉛粒子の異常粒成長が発生しバリスタ電圧
にばらつきが生じたり、局所的な電流集中が起き所望の
サージ耐量を安定的に得ることができないという課題を
も有したものであった。
【０００７】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、主に１００Ｖ以下の低電圧用の酸化亜鉛バリスタに
関して、バリスタ電圧にばらつきが少なく、高サージ耐
量を有する低電圧用の酸化亜鉛バリスタを提供すること
を目的とするものである。
で、主に１００Ｖ以下の低電圧用の酸化亜鉛バリスタに
関して、バリスタ電圧にばらつきが少なく、高サージ耐
量を有する低電圧用の酸化亜鉛バリスタを提供すること
を目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明による低電圧用の酸化亜鉛バリスタは、酸化亜
鉛（ＺｎＯ）を主成分とし、この成分に対して、酸化ビ
スマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．１〜２．０モル％、酸化コバ
ルト（Ｃｏ2Ｏ3）を０．１〜１．０モル％、酸化マンガ
ン（ＭｎＯ2）を０．１〜１．５モル％、酸化アンチモ
ン（Ｓｂ2Ｏ3）を０．０１〜０．５０モル％、酸化アル
ミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を０．０００５〜０．０１００モ
ル％、チタン酸亜鉛（Ｚｎ2ＴｉＯ4）を０．１〜３．０
モル％を添加含有した組成としたものである。
に本発明による低電圧用の酸化亜鉛バリスタは、酸化亜
鉛（ＺｎＯ）を主成分とし、この成分に対して、酸化ビ
スマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．１〜２．０モル％、酸化コバ
ルト（Ｃｏ2Ｏ3）を０．１〜１．０モル％、酸化マンガ
ン（ＭｎＯ2）を０．１〜１．５モル％、酸化アンチモ
ン（Ｓｂ2Ｏ3）を０．０１〜０．５０モル％、酸化アル
ミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を０．０００５〜０．０１００モ
ル％、チタン酸亜鉛（Ｚｎ2ＴｉＯ4）を０．１〜３．０
モル％を添加含有した組成としたものである。
【０００９】あるいは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分と
し、この成分に対して酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．
１〜２．０モル％、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）を０．１
〜１．０モル％、酸化マンガン（ＭｎＯ2）を０．１〜
１．５モル％、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）を０．０１
〜０．５０モル％、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を
０．０００５〜０．０１００モル％、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2）を０．１〜３．０モル％、及び硝酸クロム（Ｃｒ
（ＮＯ3）3）水溶液を酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）に換算し
て０．００５〜０．２０モル％添加含有した組成とした
ものである。
し、この成分に対して酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．
１〜２．０モル％、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）を０．１
〜１．０モル％、酸化マンガン（ＭｎＯ2）を０．１〜
１．５モル％、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）を０．０１
〜０．５０モル％、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を
０．０００５〜０．０１００モル％、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2）を０．１〜３．０モル％、及び硝酸クロム（Ｃｒ
（ＮＯ3）3）水溶液を酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）に換算し
て０．００５〜０．２０モル％添加含有した組成とした
ものである。
【００１０】
【作用】この構成により、チタン酸亜鉛（Ｚｎ2Ｔｉ
Ｏ4）を予め酸化亜鉛（ＺｎＯ）に混合し粉砕ならびに
焼結するため、粒成長の核となるチタン酸亜鉛（Ｚｎ2
ＴｉＯ4）が均一に分散され、従って焼結中の酸化亜鉛
粒子は均一な粒成長を図ることが可能となり、バリスタ
電圧のばらつき及びサージ耐量のばらつきを低減するこ
とができ、高サージ耐量を有する酸化亜鉛バリスタを得
ることができる。
Ｏ4）を予め酸化亜鉛（ＺｎＯ）に混合し粉砕ならびに
焼結するため、粒成長の核となるチタン酸亜鉛（Ｚｎ2
ＴｉＯ4）が均一に分散され、従って焼結中の酸化亜鉛
粒子は均一な粒成長を図ることが可能となり、バリスタ
電圧のばらつき及びサージ耐量のばらつきを低減するこ
とができ、高サージ耐量を有する酸化亜鉛バリスタを得
ることができる。
【００１１】また、酸化亜鉛粒子の異常粒成長を抑制す
る効果があるクロム（Ｃｒ）を硝酸クロム（Ｃｒ（ＮＯ
3）3）水溶液として液体で微量添加を行う場合には、ク
ロム（Ｃｒ）を均一に分散させることができ、それによ
り焼結体中の酸化亜鉛粒子の均一性を向上させ、異常粒
成長した酸化亜鉛粒子への電流集中を防止することがで
き、従ってバリスタ電圧ばらつきが低く、高サージ耐量
を有する酸化亜鉛バリスタを得ることができる。
る効果があるクロム（Ｃｒ）を硝酸クロム（Ｃｒ（ＮＯ
3）3）水溶液として液体で微量添加を行う場合には、ク
ロム（Ｃｒ）を均一に分散させることができ、それによ
り焼結体中の酸化亜鉛粒子の均一性を向上させ、異常粒
成長した酸化亜鉛粒子への電流集中を防止することがで
き、従ってバリスタ電圧ばらつきが低く、高サージ耐量
を有する酸化亜鉛バリスタを得ることができる。
【００１２】
【実施例】（実施例１）以下、本発明の第１の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１３】まず、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化チタン
（ＴｉＯ2）を２モル％：１モル％の比率となるように
秤量し、ポットミルにて１０時間湿式で混合、粉砕し、
脱水後９００℃以上の温度で１時間熱処理し、チタン酸
亜鉛（Ｚｎ2ＴｉＯ4）を得た。しかる後、主成分である
酸化亜鉛（ＺｎＯ）に対し、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）
を０．０５〜５．０モル％、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）
を０．０５〜３．０モル％、酸化マンガン（ＭｎＯ2）
を０．０５〜５．０モル％、酸化アンチモン（Ｓｂ
2Ｏ3）を０．００５〜３．０モル％、酸化アルミニウム
（Ａｌ2Ｏ3）を０．０００１〜０．２モル％、チタン酸
亜鉛（Ｚｎ2ＴｉＯ4）を０．０５〜３．５モル％を添加
し、ポットミルにて湿式混合し、脱水後、バインダとし
てポリビニルアルコール５ｗｔ％を加えて造粒した。得
られた造粒粉末を１０００kg／cm2の成形圧力のもと
で、直径１３mm、厚み１．３mmの大きさに圧縮成形し、
１２００℃で２時間焼成し焼結体を得た。この焼結体の
両面に、銀（Ａｇ）を主成分とする電極を形成し、電極
にリード線を半田付けし、エポキシ樹脂で被覆して酸化
亜鉛バリスタを作成した。
（ＴｉＯ2）を２モル％：１モル％の比率となるように
秤量し、ポットミルにて１０時間湿式で混合、粉砕し、
脱水後９００℃以上の温度で１時間熱処理し、チタン酸
亜鉛（Ｚｎ2ＴｉＯ4）を得た。しかる後、主成分である
酸化亜鉛（ＺｎＯ）に対し、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）
を０．０５〜５．０モル％、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）
を０．０５〜３．０モル％、酸化マンガン（ＭｎＯ2）
を０．０５〜５．０モル％、酸化アンチモン（Ｓｂ
2Ｏ3）を０．００５〜３．０モル％、酸化アルミニウム
（Ａｌ2Ｏ3）を０．０００１〜０．２モル％、チタン酸
亜鉛（Ｚｎ2ＴｉＯ4）を０．０５〜３．５モル％を添加
し、ポットミルにて湿式混合し、脱水後、バインダとし
てポリビニルアルコール５ｗｔ％を加えて造粒した。得
られた造粒粉末を１０００kg／cm2の成形圧力のもと
で、直径１３mm、厚み１．３mmの大きさに圧縮成形し、
１２００℃で２時間焼成し焼結体を得た。この焼結体の
両面に、銀（Ａｇ）を主成分とする電極を形成し、電極
にリード線を半田付けし、エポキシ樹脂で被覆して酸化
亜鉛バリスタを作成した。
【００１４】（表１），（表２）に、このようにして得
られた酸化亜鉛バリスタの単位厚み当りのバリスタ電圧
（Ｖ1mA／mm）及びそのばらつき（σn）、制限電圧比、
サージ耐量特性を評価した結果を示した。ここで、バリ
スタ電圧（Ｖ1mA）とはバリスタに１ｍＡの電流が流れ
た時にバリスタの両端にかかる電圧であり、直流定電流
電源にて測定した。制限電圧比は８／２０μｓ、１０Ａ
のインパルス電流にて測定し、Ｖ10A／Ｖ1mAの比で評価
した。サージ耐量特性は５００Ａ及び１５００Ａのサー
ジ電流を印加した時のバリスタ電圧変化率（ΔＶ1mA）
で評価した。
られた酸化亜鉛バリスタの単位厚み当りのバリスタ電圧
（Ｖ1mA／mm）及びそのばらつき（σn）、制限電圧比、
サージ耐量特性を評価した結果を示した。ここで、バリ
スタ電圧（Ｖ1mA）とはバリスタに１ｍＡの電流が流れ
た時にバリスタの両端にかかる電圧であり、直流定電流
電源にて測定した。制限電圧比は８／２０μｓ、１０Ａ
のインパルス電流にて測定し、Ｖ10A／Ｖ1mAの比で評価
した。サージ耐量特性は５００Ａ及び１５００Ａのサー
ジ電流を印加した時のバリスタ電圧変化率（ΔＶ1mA）
で評価した。
【００１５】なお、（表１），（表２）において、＊が
付されている試料は比較例であることを示し、＊＊が付
されている試料は従来例、すなわちチタン酸亜鉛（Ｚｎ
2ＴｉＯ4）ではなく酸化チタン（ＴｉＯ2）を添加して
得られた試料であることを示す。
付されている試料は比較例であることを示し、＊＊が付
されている試料は従来例、すなわちチタン酸亜鉛（Ｚｎ
2ＴｉＯ4）ではなく酸化チタン（ＴｉＯ2）を添加して
得られた試料であることを示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】以下、上記実施例１の結果に基づき、各添
加物の範囲を限定した理由を述べる。
加物の範囲を限定した理由を述べる。
【００１９】まず、チタン酸亜鉛（Ｚｎ2ＴｉＯ4）の添
加量が０．１モル％未満の場合、バリスタ電圧のばらつ
きが大きくなりサージ耐量特性が悪化した。また、３．
０モル％を越えるとバリスタ電圧が１００Ｖを越えてし
まい、またサージ耐量特性が悪化した。従って、チタン
酸亜鉛（Ｚｎ2ＴｉＯ4）の添加量を０．１〜３．０モル
％とした。
加量が０．１モル％未満の場合、バリスタ電圧のばらつ
きが大きくなりサージ耐量特性が悪化した。また、３．
０モル％を越えるとバリスタ電圧が１００Ｖを越えてし
まい、またサージ耐量特性が悪化した。従って、チタン
酸亜鉛（Ｚｎ2ＴｉＯ4）の添加量を０．１〜３．０モル
％とした。
【００２０】次に、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）の添加量
が０．１モル％未満であるとサージ耐量特性が悪化し
た。
が０．１モル％未満であるとサージ耐量特性が悪化し
た。
【００２１】また、２．０モル％を越えるとバリスタ電
圧のばらつきが大きくなり、サージ耐量特性も悪化し
た。従って、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）の添加量を０．
１〜２．０モル％とした。
圧のばらつきが大きくなり、サージ耐量特性も悪化し
た。従って、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）の添加量を０．
１〜２．０モル％とした。
【００２２】次に、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）の添加量
が０．１モル％未満であるとサージ耐量特性が悪化し
た。また、１．０モル％を越えるとバリスタ電圧が上昇
するとともに、サージ耐量特性が悪化した。従って、酸
化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）の添加量を０．１〜１．０モル
％とした。
が０．１モル％未満であるとサージ耐量特性が悪化し
た。また、１．０モル％を越えるとバリスタ電圧が上昇
するとともに、サージ耐量特性が悪化した。従って、酸
化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）の添加量を０．１〜１．０モル
％とした。
【００２３】次に、酸化マンガン（ＭｎＯ2）の添加量
が０．１モル％未満であるとサージ耐量が悪化し、１．
５モル％を越えるとバリスタ電圧が上昇するとともに、
サージ耐量特性が悪化した。従って、酸化マンガン（Ｍ
ｎＯ2）の添加量を０．１〜１．５モル％とした。
が０．１モル％未満であるとサージ耐量が悪化し、１．
５モル％を越えるとバリスタ電圧が上昇するとともに、
サージ耐量特性が悪化した。従って、酸化マンガン（Ｍ
ｎＯ2）の添加量を０．１〜１．５モル％とした。
【００２４】次に、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）の添加
量が０．０１モル％未満の場合、サージ耐量特性が悪化
し、また、０．５０モル％を越えるとバリスタ電圧が高
くなり、ばらつきがかなり大きくなった。従って、酸化
アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）の添加量を０．０１〜０．５０
モル％とした。
量が０．０１モル％未満の場合、サージ耐量特性が悪化
し、また、０．５０モル％を越えるとバリスタ電圧が高
くなり、ばらつきがかなり大きくなった。従って、酸化
アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）の添加量を０．０１〜０．５０
モル％とした。
【００２５】次に、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の添
加量が０．０００５モル％未満の場合、サージ耐量特性
が悪化し、また、０．０１０モル％を越えると制限電圧
比が極端に悪化した。従って、酸化アルミニウム（Ａｌ
2Ｏ3）の添加量を０．０００５〜０．０１０モル％とし
た。
加量が０．０００５モル％未満の場合、サージ耐量特性
が悪化し、また、０．０１０モル％を越えると制限電圧
比が極端に悪化した。従って、酸化アルミニウム（Ａｌ
2Ｏ3）の添加量を０．０００５〜０．０１０モル％とし
た。
【００２６】以上の結果から明らかなように、本実施例
に示す組成を有する酸化亜鉛バリスタは、比較例及び従
来例と比較して、単位厚み当りのバリスタ電圧の値（Ｖ
1mA／mm）が小さく、ばらつき（σn）もかなり小さくな
っていることがわかる。また、サージ電流印加後のバリ
スタ電圧変化率（ΔＶ1mA）も小さく、そのばらつき
（σn）も格段に向上しており、バリスタ電圧及びサー
ジ耐量の安定性、並びに高サージ耐量という点で優れた
効果が得られる。
に示す組成を有する酸化亜鉛バリスタは、比較例及び従
来例と比較して、単位厚み当りのバリスタ電圧の値（Ｖ
1mA／mm）が小さく、ばらつき（σn）もかなり小さくな
っていることがわかる。また、サージ電流印加後のバリ
スタ電圧変化率（ΔＶ1mA）も小さく、そのばらつき
（σn）も格段に向上しており、バリスタ電圧及びサー
ジ耐量の安定性、並びに高サージ耐量という点で優れた
効果が得られる。
【００２７】以上の結果より、安定した低バリスタ電圧
と高サージ耐量を有する酸化亜鉛バリスタの組成範囲
は、主成分である酸化亜鉛（ＺｎＯ）に対し、酸化ビス
マス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．１〜２．０モル％、酸化コバル
ト（Ｃｏ2Ｏ3）を０．１〜１．０モル％、酸化マンガン
（ＭｎＯ2）を０．１〜１．５モル％、酸化アンチモン
（Ｓｂ2Ｏ3）を０．０１〜０．５０モル％、酸化アルミ
ニウム（Ａｌ2Ｏ3）を０．０００５〜０．０１００モル
％、チタン酸亜鉛（Ｚｎ2ＴｉＯ4）を０．１〜３．０モ
ル％の範囲にすることが最適であることがわかる。
と高サージ耐量を有する酸化亜鉛バリスタの組成範囲
は、主成分である酸化亜鉛（ＺｎＯ）に対し、酸化ビス
マス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．１〜２．０モル％、酸化コバル
ト（Ｃｏ2Ｏ3）を０．１〜１．０モル％、酸化マンガン
（ＭｎＯ2）を０．１〜１．５モル％、酸化アンチモン
（Ｓｂ2Ｏ3）を０．０１〜０．５０モル％、酸化アルミ
ニウム（Ａｌ2Ｏ3）を０．０００５〜０．０１００モル
％、チタン酸亜鉛（Ｚｎ2ＴｉＯ4）を０．１〜３．０モ
ル％の範囲にすることが最適であることがわかる。
【００２８】なお、本発明の実施例においてチタン酸亜
鉛（Ｚｎ2ＴｉＯ4）以外の添加物として酸化ビスマス
（Ｂｉ2Ｏ3）、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）、酸化マンガ
ン（ＭｎＯ2）、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）、酸化ア
ルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を用いたが、添加物として、酸
化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、
酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）等、他
の金属酸化物を用いても本発明の効果に変化はないこと
は言うまでもない。
鉛（Ｚｎ2ＴｉＯ4）以外の添加物として酸化ビスマス
（Ｂｉ2Ｏ3）、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）、酸化マンガ
ン（ＭｎＯ2）、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）、酸化ア
ルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を用いたが、添加物として、酸
化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、
酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）等、他
の金属酸化物を用いても本発明の効果に変化はないこと
は言うまでもない。
【００２９】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について説明する。
について説明する。
【００３０】まず、主成分である酸化亜鉛（ＺｎＯ）に
対し、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．０５〜５．０モ
ル％、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）を０．０５〜３．０モ
ル％、酸化マンガン（ＭｎＯ2）を０．０５〜５．０モ
ル％、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）を０．００５〜３．
０モル％、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を０．０００
１〜０．２モル％、酸化チタン（ＴｉＯ2）を０．０５
〜５．０モル％、硝酸クロム（Ｃｒ（ＮＯ3）3）水溶液
を酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）に換算して０．００１〜０．
５モル％添加し、ポットミルにて湿式混合し、水分を脱
水・乾燥後、バインダを加えて造粒した。得られた造粒
粉末を１０００kg／cm2の成形圧力のもとで、直径１３m
m、厚み１．３mmに形成し、１２００℃で２時間焼成し
焼結体を得た。この焼結体の両面に、銀（Ａｇ）を主成
分とする電極を形成し、電極にリード線を半田付けし、
エポキシ樹脂で被覆して酸化亜鉛バリスタを作成した。
対し、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．０５〜５．０モ
ル％、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）を０．０５〜３．０モ
ル％、酸化マンガン（ＭｎＯ2）を０．０５〜５．０モ
ル％、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）を０．００５〜３．
０モル％、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を０．０００
１〜０．２モル％、酸化チタン（ＴｉＯ2）を０．０５
〜５．０モル％、硝酸クロム（Ｃｒ（ＮＯ3）3）水溶液
を酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）に換算して０．００１〜０．
５モル％添加し、ポットミルにて湿式混合し、水分を脱
水・乾燥後、バインダを加えて造粒した。得られた造粒
粉末を１０００kg／cm2の成形圧力のもとで、直径１３m
m、厚み１．３mmに形成し、１２００℃で２時間焼成し
焼結体を得た。この焼結体の両面に、銀（Ａｇ）を主成
分とする電極を形成し、電極にリード線を半田付けし、
エポキシ樹脂で被覆して酸化亜鉛バリスタを作成した。
【００３１】（表３），（表４），（表５）に、このよ
うにして得られた酸化亜鉛バリスタの単位厚み当りのバ
リスタ電圧（Ｖ1mA／mm）及びそのばらつき（σn）、制
限電圧比、サージ耐量特性を評価した結果を示した。
うにして得られた酸化亜鉛バリスタの単位厚み当りのバ
リスタ電圧（Ｖ1mA／mm）及びそのばらつき（σn）、制
限電圧比、サージ耐量特性を評価した結果を示した。
【００３２】
【表３】
【００３３】
【表４】
【００３４】
【表５】
【００３５】ここで、バリスタ電圧（Ｖ1mA）とはバリ
スタに１ｍＡの電流が流れた時にバリスタの両端にかか
る電圧であり、直流定電流電源にて測定した。制限電圧
比は、８／２０μｓ、１０Ａのインパルス電流にて測定
し、Ｖ10A／Ｖ1mAの比で評価した。サージ耐量は５００
Ａ及び１５００Ａのサージ電流を印加した時のバリスタ
電圧変化率（ΔＶ1mA）で評価した。なお、（表３），
（表４），（表５）において、＊が付されている試料は
比較例、＊＊が付されている試料はクロム（Ｃｒ）を酸
化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）粉体で添加する従来例であること
を示す。
スタに１ｍＡの電流が流れた時にバリスタの両端にかか
る電圧であり、直流定電流電源にて測定した。制限電圧
比は、８／２０μｓ、１０Ａのインパルス電流にて測定
し、Ｖ10A／Ｖ1mAの比で評価した。サージ耐量は５００
Ａ及び１５００Ａのサージ電流を印加した時のバリスタ
電圧変化率（ΔＶ1mA）で評価した。なお、（表３），
（表４），（表５）において、＊が付されている試料は
比較例、＊＊が付されている試料はクロム（Ｃｒ）を酸
化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）粉体で添加する従来例であること
を示す。
【００３６】以下、上記実施例２の結果に基づき、各添
加物の範囲を限定した理由を述べる。
加物の範囲を限定した理由を述べる。
【００３７】まず、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）の添加量
が０．１モル％未満であるとサージ耐量特性が悪化し
た。また、２．０モル％を越えるとバリスタ電圧のばら
つきが大きくなり、サージ耐量特性も悪化した。従っ
て、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）の添加量を０．１〜２．
０モル％とした。
が０．１モル％未満であるとサージ耐量特性が悪化し
た。また、２．０モル％を越えるとバリスタ電圧のばら
つきが大きくなり、サージ耐量特性も悪化した。従っ
て、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）の添加量を０．１〜２．
０モル％とした。
【００３８】次に、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）の添加量
が０．１モル％未満であるとサージ耐量特性が悪化し
た。また、１．０モル％を越えるとバリスタ電圧が上昇
するとともに、サージ耐量特性が悪化した。従って、酸
化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）の添加量を０．１〜１．０モル
％とした。
が０．１モル％未満であるとサージ耐量特性が悪化し
た。また、１．０モル％を越えるとバリスタ電圧が上昇
するとともに、サージ耐量特性が悪化した。従って、酸
化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）の添加量を０．１〜１．０モル
％とした。
【００３９】次に、酸化マンガン（ＭｎＯ2）の添加量
が０．１モル％未満であるとサージ耐量が悪化し、１．
５モル％を越えるとバリスタ電圧が上昇するとともに、
サージ耐量特性が悪化した。従って、酸化マンガン（Ｍ
ｎＯ2）の添加量を０．１〜１．５モル％とした。
が０．１モル％未満であるとサージ耐量が悪化し、１．
５モル％を越えるとバリスタ電圧が上昇するとともに、
サージ耐量特性が悪化した。従って、酸化マンガン（Ｍ
ｎＯ2）の添加量を０．１〜１．５モル％とした。
【００４０】次に、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）の添加
量が０．０１モル％未満の場合、サージ耐量特性が悪化
し、また、０．５０モル％を越えるとバリスタ電圧が高
くなり、ばらつきが、かなり大きくなった。従って、酸
化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）の添加量を０．０１〜０．５
モル％とした。
量が０．０１モル％未満の場合、サージ耐量特性が悪化
し、また、０．５０モル％を越えるとバリスタ電圧が高
くなり、ばらつきが、かなり大きくなった。従って、酸
化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）の添加量を０．０１〜０．５
モル％とした。
【００４１】次に、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の添
加量が０．０００５モル％未満の場合、サージ耐量特性
が悪化し、また、０．０１０モル％を越えると制限電圧
比が極端に悪化した。従って、酸化アルミニウム（Ａｌ
2Ｏ3）の添加量を０．０００５〜０．０１０モル％とし
た。
加量が０．０００５モル％未満の場合、サージ耐量特性
が悪化し、また、０．０１０モル％を越えると制限電圧
比が極端に悪化した。従って、酸化アルミニウム（Ａｌ
2Ｏ3）の添加量を０．０００５〜０．０１０モル％とし
た。
【００４２】次に、酸化チタン（ＴｉＯ2）の添加量が
０．１０モル％未満の場合、バリスタ電圧がかなり高く
なり、また、３．０モル％を越えるとバリスタ電圧ばら
つきが大きくなり、サージ耐量が悪化した。従って、酸
化チタン（ＴｉＯ2）の添加量を０．１０〜３．０モル
％とした。
０．１０モル％未満の場合、バリスタ電圧がかなり高く
なり、また、３．０モル％を越えるとバリスタ電圧ばら
つきが大きくなり、サージ耐量が悪化した。従って、酸
化チタン（ＴｉＯ2）の添加量を０．１０〜３．０モル
％とした。
【００４３】次に、硝酸クロム（Ｃｒ（ＮＯ3）3）の添
加量が酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）に換算して０．００５モ
ル％未満の場合、バリスタ電圧ばらつきが大きくなり、
サージ耐量が悪化し、また、０．２０モル％を越えると
バリスタ電圧が高くなり、また制限電圧比が悪化した。
従って、硝酸クロム（Ｃｒ（ＮＯ3）3）の添加量を酸化
クロム（Ｃｒ2Ｏ3）に換算して０．００５〜０．２０モ
ル％とした。ここで、硝酸クロム（Ｃｒ（ＮＯ3）3）水
溶液で添加した場合と酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）粉体で添
加した場合とを比較すると、バリスタ電圧ばらつき、並
びにサージ耐量において、硝酸クロム（Ｃｒ（Ｎ
Ｏ3）3）水溶液で添加した場合の方が、格段に良好であ
り、これはクロム（Ｃｒ）が完全に均一分散しているこ
とを示す。また、酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）粉体で添加し
た場合と比較すると、硝酸クロム（Ｃｒ（ＮＯ3）3）水
溶液で添加した場合では添加量が極少量であっても、優
れた添加効果を得ることができる。
加量が酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）に換算して０．００５モ
ル％未満の場合、バリスタ電圧ばらつきが大きくなり、
サージ耐量が悪化し、また、０．２０モル％を越えると
バリスタ電圧が高くなり、また制限電圧比が悪化した。
従って、硝酸クロム（Ｃｒ（ＮＯ3）3）の添加量を酸化
クロム（Ｃｒ2Ｏ3）に換算して０．００５〜０．２０モ
ル％とした。ここで、硝酸クロム（Ｃｒ（ＮＯ3）3）水
溶液で添加した場合と酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）粉体で添
加した場合とを比較すると、バリスタ電圧ばらつき、並
びにサージ耐量において、硝酸クロム（Ｃｒ（Ｎ
Ｏ3）3）水溶液で添加した場合の方が、格段に良好であ
り、これはクロム（Ｃｒ）が完全に均一分散しているこ
とを示す。また、酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）粉体で添加し
た場合と比較すると、硝酸クロム（Ｃｒ（ＮＯ3）3）水
溶液で添加した場合では添加量が極少量であっても、優
れた添加効果を得ることができる。
【００４４】以上の結果から明らかなように、本実施例
に示す組成を有する酸化亜鉛バリスタは、比較例及び従
来例と比較して、単位厚み当りのバリスタ電圧の値（Ｖ
1mA／mm）が低く、ばらつき（σn）もかなり小さくなっ
ていることがわかる。また、サージ電流印加後のバリス
タ電圧変化率（ΔＶ1mA）も小さく、そのばらつき
（σn）も格段に向上しており、バリスタ電圧及びサー
ジ耐量の安定性、並びに高サージ耐量という点で優れた
効果が得られる。また、クロム（Ｃｒ）を硝酸クロム
（Ｃｒ（ＮＯ3）3）で添加することにより、酸化クロム
（Ｃｒ2Ｏ3）粉体で添加するよりもかなり少ない添加量
で、バリスタ電圧ばらつき及びサージ耐量において同等
以上の添加効果を得ることができる。
に示す組成を有する酸化亜鉛バリスタは、比較例及び従
来例と比較して、単位厚み当りのバリスタ電圧の値（Ｖ
1mA／mm）が低く、ばらつき（σn）もかなり小さくなっ
ていることがわかる。また、サージ電流印加後のバリス
タ電圧変化率（ΔＶ1mA）も小さく、そのばらつき
（σn）も格段に向上しており、バリスタ電圧及びサー
ジ耐量の安定性、並びに高サージ耐量という点で優れた
効果が得られる。また、クロム（Ｃｒ）を硝酸クロム
（Ｃｒ（ＮＯ3）3）で添加することにより、酸化クロム
（Ｃｒ2Ｏ3）粉体で添加するよりもかなり少ない添加量
で、バリスタ電圧ばらつき及びサージ耐量において同等
以上の添加効果を得ることができる。
【００４５】以上の結果より、バリスタ電圧ばらつきが
低く、高サージ耐量を有する酸化亜鉛バリスタの組成範
囲は、主成分である酸化亜鉛（ＺｎＯ）に対し、酸化ビ
スマス（Ｂｉ2Ｏ3）０．１〜２．０モル％、酸化コバル
ト（Ｃｏ2Ｏ3）０．１〜１．０モル％、酸化マンガン
（ＭｎＯ2）０．１〜１．５モル％、酸化アンチモン
（Ｓｂ2Ｏ3）０．０１〜０．５０モル％、酸化アルミニ
ウム（Ａｌ2Ｏ3）０．０００５〜０．０１００モル％、
酸化チタン（ＴｉＯ2）０．１〜３．０モル％、及び硝
酸クロム（Ｃｒ（ＮＯ3）3）を酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）
に換算して０．００５〜０．２０モル％の範囲にするこ
とが最適であることがわかる。
低く、高サージ耐量を有する酸化亜鉛バリスタの組成範
囲は、主成分である酸化亜鉛（ＺｎＯ）に対し、酸化ビ
スマス（Ｂｉ2Ｏ3）０．１〜２．０モル％、酸化コバル
ト（Ｃｏ2Ｏ3）０．１〜１．０モル％、酸化マンガン
（ＭｎＯ2）０．１〜１．５モル％、酸化アンチモン
（Ｓｂ2Ｏ3）０．０１〜０．５０モル％、酸化アルミニ
ウム（Ａｌ2Ｏ3）０．０００５〜０．０１００モル％、
酸化チタン（ＴｉＯ2）０．１〜３．０モル％、及び硝
酸クロム（Ｃｒ（ＮＯ3）3）を酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）
に換算して０．００５〜０．２０モル％の範囲にするこ
とが最適であることがわかる。
【００４６】なお、本発明の実施例において添加物とし
て酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、酸化コバルト（Ｃｏ
2Ｏ3）、酸化マンガン（ＭｎＯ2）、酸化アンチモン
（Ｓｂ2Ｏ3）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を用いた
が、添加物として、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化
ニッケル（ＮｉＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）等、他の金
属酸化物を用いても本発明の効果に変化はないことは言
うまでもない。また、硝酸クロム（Ｃｒ（ＮＯ3）3）以
外に、常温で水溶液となるクロム（Ｃｒ）の塩を用いて
も本発明の効果に変化はないことは言うまでもない。
て酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、酸化コバルト（Ｃｏ
2Ｏ3）、酸化マンガン（ＭｎＯ2）、酸化アンチモン
（Ｓｂ2Ｏ3）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を用いた
が、添加物として、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化
ニッケル（ＮｉＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）等、他の金
属酸化物を用いても本発明の効果に変化はないことは言
うまでもない。また、硝酸クロム（Ｃｒ（ＮＯ3）3）以
外に、常温で水溶液となるクロム（Ｃｒ）の塩を用いて
も本発明の効果に変化はないことは言うまでもない。
【００４７】
【発明の効果】以上のように、本発明による低電圧用の
酸化亜鉛バリスタは、予め用意したチタン酸亜鉛（Ｚｎ
2ＴｉＯ4）を添加することにより、あるいは、クロム
（Ｃｒ）を硝酸クロム（Ｃｒ（ＮＯ3）3）水溶液として
添加することにより、酸化亜鉛粒子の均一な粒成長を図
ることができ、１００Ｖ以下の安定した低バリスタ電圧
を得ることができ、高サージ耐量を有するものである。
酸化亜鉛バリスタは、予め用意したチタン酸亜鉛（Ｚｎ
2ＴｉＯ4）を添加することにより、あるいは、クロム
（Ｃｒ）を硝酸クロム（Ｃｒ（ＮＯ3）3）水溶液として
添加することにより、酸化亜鉛粒子の均一な粒成長を図
ることができ、１００Ｖ以下の安定した低バリスタ電圧
を得ることができ、高サージ耐量を有するものである。
Claims (2)
- 【請求項１】酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とし、この成
分に対して、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．１〜２．
０モル％、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）を０．１〜１．０
モル％、酸化マンガン（ＭｎＯ2）を０．１〜１．５モ
ル％、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）を０．０１〜０．５
０モル％、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を０．０００
５〜０．０１００モル％、チタン酸亜鉛（Ｚｎ2Ｔｉ
Ｏ4）を０．１〜３．０モル％添加含有してなる酸化亜
鉛バリスタ。 - 【請求項２】酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とし、この成
分に対して酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．１〜２．０
モル％、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）を０．１〜１．０モ
ル％、酸化マンガン（ＭｎＯ2）を０．１〜１．５モル
％、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）を０．０１〜０．５０
モル％、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を０．０００５
〜０．０１００モル％、酸化チタン（ＴｉＯ2）を０．
１〜３．０モル％、及び硝酸クロム（Ｃｒ（ＮＯ3）3）
を酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）に換算して０．００５〜０．
２０モル％添加含有してなる酸化亜鉛バリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4039097A JPH05234716A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 酸化亜鉛バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4039097A JPH05234716A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 酸化亜鉛バリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234716A true JPH05234716A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12543580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4039097A Pending JPH05234716A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 酸化亜鉛バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05234716A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0645784A3 (en) * | 1993-09-29 | 1995-07-26 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Varistor and process for its manufacture. |
| CN100361238C (zh) * | 2004-11-22 | 2008-01-09 | 山东大学 | 防雷用多元掺杂改性氧化锌压敏材料 |
| WO2014057864A1 (ja) | 2012-10-10 | 2014-04-17 | 日本碍子株式会社 | 電圧非直線性抵抗素子 |
| WO2014083977A1 (ja) | 2012-11-29 | 2014-06-05 | 日本碍子株式会社 | 電圧非直線性抵抗素子 |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP4039097A patent/JPH05234716A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0645784A3 (en) * | 1993-09-29 | 1995-07-26 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Varistor and process for its manufacture. |
| US5592140A (en) * | 1993-09-29 | 1997-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Varistor formed of bismuth and antimony and method of manufacturing same |
| CN100361238C (zh) * | 2004-11-22 | 2008-01-09 | 山东大学 | 防雷用多元掺杂改性氧化锌压敏材料 |
| WO2014057864A1 (ja) | 2012-10-10 | 2014-04-17 | 日本碍子株式会社 | 電圧非直線性抵抗素子 |
| WO2014083977A1 (ja) | 2012-11-29 | 2014-06-05 | 日本碍子株式会社 | 電圧非直線性抵抗素子 |
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