JPH09319066A - ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 比較的単純な工程を付加するのみで欠陥の発
生を抑え、結果として高品質のハーフトーン位相シフト
マスクを得ることができるハーフトーン位相シフトマス
クの製造方法を提供すること。 【解決手段】 レジストパターン３４ａをマスクとして
遮光膜３３をエッチングして第１の遮光膜パターン３３
ａを形成した後、レジストパターン３４ａを剥離し、洗
浄する。剥離と洗浄により異物が除去され、次にきれい
な第１の遮光膜パターン３３ａをマスクにして半透光膜
３２をドライエッチングでき、欠陥発生を防ぐことがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩなどの微細
パターンを投影露光装置にて転写する際に用いられるフ
ォトマスク、特に露光光間に位相差を与えて解像度の向
上を図ったハーフトーン位相シフトマスクの製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ＬＳＩの製造において、微細パタ
ーン転写マスクたるフォトマスクの一つとして位相シフ
トマスクが用いられる。この位相シフトマスクは、マス
クを通過する露光光間に位相差を与えることにより、転
写パターンの解像度を向上できるようにしたものであ
る。この位相シフトマスクの一つに、特に孤立したホー
ルやスペースパターンを転写するのに適したマスクとし
て特開平４−１３６８５４号公報に記載の位相シフトマ
スクが知られている。

【０００３】この位相シフトマスクは、透明基板上に、
実質的に露光に寄与しない強度の光を通過させると同時
に、通過する光の位相をシフトさせる半透光膜を形成
し、この半透光膜の一部を選択的に除去することによ
り、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光
部と、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる
半透光部とを有するマスクパターンを形成したものであ
る。この位相シフトマスクは、半透光部を通過する光の
位相をシフトさせて、該半透光部を通過した光の位相が
上記透光部を通過した光の位相に対して実質的に反転す
る関係になるようにすることにより、前記透光部と半透
光部とに境界近傍を通過して回折により回り込んだ光が
互いに打ち消しあうようにして、境界部のコントラスト
を良好に保持できるようにしたものであり、ハーフトー
ン位相シフトマスクと称されている。

【０００４】この位相シフトマスクにおいては、露光光
の波長をλ、半透光膜の露光光に対する屈折率をｎとし
たとき、一般には半透光膜の膜厚ｔの値が ｔ＝λ／｛２（ｎ−１）｝ を満たす値に設定され、また、露光光の波長における半
透光膜の透過率が１〜５０％程度になるように設定され
るのが普通である。

【０００５】上述のように、ハーフトーン位相シフトマ
スクは、半透光部によって位相シフト機能と遮光機能と
を兼ねさせたものである。すなわち、この半透光部を、
パターンの境界部においては位相シフト層として機能さ
せ、それ以外の部分では遮光層として機能させている。
したがって、本来は完全に露光光を遮断するのが理想的
である部分にもわずかな漏れ光が生じている。通常は、
この漏れ光があっても実質的な露光とまで至らないよう
に、全体の露光量を調整する。

【０００６】このように、ハーフトーン位相シフトマス
クは、半透光部によって遮光部を兼ねているものである
ので、原理的には従来の一般的な位相シフトマスクのよ
うな遮光膜を設ける必要はない。しかしながら、このハ
ーフトーン位相シフトマスクの欠点をカバーするため
に、半透光部を形成する半透光膜の上または下に遮光膜
を設けたものが提案されている。以下、この提案にかか
るハーフトーン位相シフトマスクについてその提案の背
景から説明する。

【０００７】周知のように、ハーフトーン位相シフトマ
スクは、通常、半導体製造に用いられる露光装置である
縮小投影露光装置（ステッパー）のマスク（レチクル）
として用いられる。ステッパーは、レチクルを露光光で
投影して得られる投影像を投影レンズで縮小し、被転写
体である半導体ウエハ上に結像させて縮小投影露光を行
うものである。この縮小投影露光は、通常、１枚の半導
体ウエハ上の異なる位置に同一のレチクルのパターンを
繰り返し転写して露光し、１枚のウエハから多数の半導
体チップを得るものである。このため、このステッパー
を用いてパターン転写を行うときは、ステッパーに備え
られた被覆部材（アパーチャー）によって位相シフトマ
スク（レチクル）の転写領域のみを露出させるように周
縁領域を被覆して露光を行う。

【０００８】しかしながら、アパーチャーは、精度よく
（例えば１μｍ内外の精度）転写領域のみを露出させる
ように設置することは機械精度的に難しく、多くの場
合、露出部が転写領域の外周周辺の非転写領域にはみで
てしまう。また、アパーチャーが仮に高精度であっては
みだし部がない場合であっても、アパーチャーと被転写
体との間に距離があることから、露光光が回折して非転
写領域に達する。

【０００９】このように、アパーチャーが本来の転写領
域よりも広い範囲に露光光を通過させた場合、次の問題
のあることが分った。すなわち、ハーフトーン位相シフ
トマスクは、通常、非転写領域に実質的に露光に寄与し
ない強度の光を通過させる半透光膜が形成されている。
このため、上述のように、アパーチャーが本来の転写領
域よりも広い範囲に露光光を通過させると、このはみだ
した部分で実質的に露光に寄与しない強度の光による露
光がなされる。勿論、このはみだし部分があっても、１
回の露光では何等問題は生じない。

【００１０】しかし、このはみだしで露光された部分
（はみだし露光部）が転写領域に重なったり、あるいは
次の露光の際に同様にはみだして露光された部分と重な
る場合が生じ、この重複露光によって、１回の露光では
実質的に露光に寄与しない露光量であっても、それらが
加算されて露光に寄与する量に達する場合がある。した
がって、これにより、本来は露光されるべきでない領域
に結果的に露光が施されたと同様のことがおこり、欠陥
が発生する。また、このハーフトーン位相シフトマスク
の本来の利点が発揮されるパターンサイズ（例えば、波
長３６５ｎｍのいわゆるｉ線ではおよそ０．３〜０．５
μｍ）よりも大きなパターン（およそ数〜数十倍以上の
大きさ）では、パターン近傍においてサイドローブ効果
が顕著になり、不要なレジスト膜減りが生じて欠陥にな
ってしまうこともある。

【００１１】このような欠点を除去できるものとして、
非転写領域に形成された半透光膜の上であって、転写領
域と非転写領域との境界に隣接する非転写領域に所定以
上の幅を有する遮光部を形成するようにしたハーフトー
ン位相シフトマスクが特開平６−２８２０６３号公報に
示されるように提案されている。

【００１２】図４は、上記提案に係るハーフトーン位相
シフトマスクの製造工程の断面図である。この方法にお
いては、まず図４（ａ）に示すように、透明基板１１上
にスパッタリング法によりクロムからなる半透過遮光膜
１２を形成し、その上にスピンコート法によってＳＯＧ
（スピン・オン・グラス）からなる位相シフト膜１３を
形成する。これら半透過遮光膜１２とＳＯＧからなる位
相シフト膜１３とによって半透光膜１４が構成される。
次に、この半透光膜１４の上にクロムからなる遮光膜１
５をスパッタリング法によって形成し、さらに遮光膜１
５の上にポジ型電子線レジスト１６をスピンコート法に
よって形成する。

【００１３】次に、電子線描画によりレジストパターン
１６ａを形成し、これをマスクとして遮光膜１５をウエ
ットエッチングし、引き続き位相シフト膜１３をドライ
エッチングすることにより、遮光膜パターン１５ａ及び
位相シフト膜パターン１３ａを形成する。次に、レジス
トパターン１６ａを剥離した後、図４（ｃ）に示すよう
にスピンコート法によりネガ型電子線レジスト１７を形
成する。次に、電子線描画により、図４（ｄ）に示すよ
うにレジストパターン１７ａを形成し、これと位相シフ
ト膜パターン１３ａをマスクとして遮光膜パターン１５
ａおよび半透過遮光膜１２をウエットエッチングするこ
とにより、最終形状の遮光膜パターン１５ｂおよび半透
過遮光膜パターン１２ａを形成する。最後に、図４
（ｅ）に示すようにレジストパターン１７ａを剥離する
ことにより、所望のハーフトーン位相シフトマスクが完
成する。

【００１４】しかしながら、上記の従来例では、透明基
板１１上に形成される膜構成が、クロム／ＳＯＧ／クロ
ムという構成となる。このような構成の膜を形成するた
めには、真空装置内でクロム膜を形成し、次に真空装置
から取り出して回転塗布によりＳＯＧを塗布してこれを
炉で焼成することによってＳＯＧ膜を形成し、しかる後
に再度真空装置内に入れクロム膜を形成する必要があ
る。すなわち、工程が煩雑で製造に時間がかかり、かつ
工程が複雑である故に欠陥が発生する確率が高いという
問題がある。また、ＳＯＧを加工したのちクロムを加工
するため、ここでも欠陥が発生する確率が高い。さらに
つけ加えると、ＳＯＧとクロムは密着性に問題があり、
ＳＯＧからクロムが、またはクロム上からＳＯＧが剥離
してしまう可能性がある。

【００１５】そこで、上述の課題を解決するために、例
えば半透光膜にはＭｏＳｉＯＮ単層膜、遮光膜にはＣｒ
を用いた方法が文献（Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ ２
６２１，２６６−２７２（１９９５））に示されてい
る。

【００１６】図５は、上記提案にかかるハーフトーン位
相シフトマスクの製造工程の断面図である。この方法に
おいては、まず図５（ａ）に示すように、透明基板２１
上にスパッタリング法によりＭｏＳｉＯＮからなる半透
光膜２２を形成し、次に、この半透光膜２２の上にクロ
ムからなる遮光膜２３をスパッタリング法によって形成
し、さらにこの遮光膜２３の上にポジ型電子線レジスト
２４をスピンコート法によって形成する。

【００１７】次に、図５（ｂ）に示すように、電子線描
画によりレジストパターン２４ａを形成し、これをマス
クとして遮光膜２３をウエットエッチングし、引き続き
半透光膜２２をドライエッチングすることにより、遮光
膜パターン２３ａ及び半透光膜パターン２２ａを形成す
る。次に、レジストパターン２４ａを剥離した後、図５
（ｃ）に示すようにスピンコート法によりネガ型電子線
レジスト２５を形成する。次に、図５（ｄ）に示すよう
に電子線描画によりレジストパターン２５ａを形成し、
これをマスクとして遮光膜パターン２３ａをウエットエ
ッチングすることにより、最終形状の遮光膜パターン２
３ｂを形成する。最後に、図５（ｅ）に示すようにレジ
ストパターン２５ａを剥離することにより、所望のハー
フトーン位相シフトマスクを得る。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】上述の第２の従来例で
は、半透光膜が単層になったことで、ＳＯＧを使った例
よりもブランク、マスクの製造共に工程が減ったもの
の、まだ以下のような問題があることが分った。すなわ
ち、マスク製造工程において、まず電子線描画によりレ
ジストパターン２４ａを形成し、これをマスクとして遮
光膜２３をウエットエッチングし、引き続き半透光膜２
２をドライエッチングして遮光膜パターン２３ａ及び半
透光膜パターン２２ａを形成するものであるが、この工
程に大きな欠陥発生要因があることが判明した。すなわ
ち、クロムからなる遮光膜２３のエッチングでは、例え
ば硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸からなるエ
ッチング液を用いてウエットエッチングを所定の時間行
い、純水リンス処理して乾燥させるが、この状態ではエ
ッチング液が完全に落とし切れずに結晶化して下地とな
る半透光膜２２上やレジストパターン２４ａ上に残って
しまったり、水の乾燥が充分でないために薄い膜となっ
て残ってしまう。また、クロムのエッチングで塩素や四
塩化炭素を用いたドライエッチングの場合でも同様で、
反応生成物が堆積したりダストが付着する。したがっ
て、そのまま続けて次の工程である半透光膜２２のドラ
イエッチングを行うと、それらの部分がそのままマスク
の作用をして半透光膜２２がエッチングされなくなり、
最終的に多数の半透光膜パターン２２ａの欠陥となって
しまうのである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明（第１の本発明）
は上述の課題を解決するために、次のようなハーフトー
ン位相シフトマスクの製造方法とする。すなわち、ま
ず、透明基板上に半透光膜および遮光膜を順に形成し、
さらに遮光膜上にレジストパターンを形成する。次に、
前記レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッ
チングし遮光膜パターンを形成する。その後、前記レジ
ストパターンを剥離し、洗浄する。その後、前記遮光膜
パターンをマスクにして前記半透光膜をエッチングし半
透光膜パターンを形成する。その後、前記遮光膜パター
ン上にレジストパターンを形成し、そのレジストパター
ンをマスクにして前記遮光膜パターンをエッチングする
ことにより、最終形状の遮光膜パターンを形成する。

【００２０】また、第２の本発明では次のようなハーフ
トーン位相シフトマスクの製造方法とする。まず、透明
基板上に半透光膜および遮光膜を順に形成し、さらに遮
光膜上にレジストパターンを形成する。次に、前記レジ
ストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッチングし
遮光膜パターンを形成する。その後、有機溶剤でリンス
処理する。その後、前記レジストパターンおよび前記遮
光膜パターンをマスクにして前記半透光膜をエッチング
し半透光膜パターンを形成する。その後、前記レジスト
パターンを剥離した後、前記遮光膜パターン上に再度レ
ジストパターンを形成する。その後、前記レジストパタ
ーンをマスクにして前記遮光膜パターンをエッチングす
ることにより、最終形状の遮光膜パターンを形成する。

【００２１】さらに、第３の本発明では次のようなハー
フトーン位相シフトマスクの製造方法とする。まず、透
明基板上に半透光膜および遮光膜を順に形成し、さらに
遮光膜上にレジストの塗布、露光、現像によりレジスト
パターンを形成する。次に、前記レジストパターンをマ
スクにして前記遮光膜をエッチングし遮光膜パターンを
形成する。その後、前記レジストパターンを再度現像処
理する。その後、有機溶剤でリンス処理する。その後、
前記レジストパターンおよび前記遮光膜パターンをマス
クに前記半透光膜をエッチングし半透光膜パターンを形
成する。その後、前記レジストパターンを剥離した後、
前記遮光膜パターン上に再度レジストパターンを形成す
る。その後、前記レジストパターンをマスクにして前記
遮光膜パターンをエッチングすることにより、最終形状
の遮光膜パターンを形成する。

【００２２】

【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明に
よるハーフトーン位相シフトマスクの製造方法の実施の
形態を詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施形
態を示す断面図である。この図において、透明基板３１
は、表面を鏡面研磨した石英ガラス基板（大きさ６イン
チ角、厚さ０．２５インチ）を所定の洗浄を施したもの
である。第１の実施形態では、まず図１（ａ）に示すよ
うに、この透明基板３１上にモリブデン、シリコン、酸
素、窒素からなる半透光膜３２を膜厚を膜厚１６０ｎｍ
スパッタリング法により形成し、続けてその上にクロム
からなる遮光膜３３を膜厚１００ｎｍ形成する。次に、
遮光膜３３上にポジ型電子線レジスト（ＥＢＲ−９：東
レ社製）３４をスピンコート法により膜厚５００ｎｍ塗
布する。

【００２３】次に、レジスト３４に対して所望のパター
ンを電子線描画し、現像して図１（ｂ）に示すようにレ
ジストパターン３４ａを形成する。次に、このレジスト
パターン３４ａをマスクにして遮光膜３３を硝酸第２セ
リウムアンモニウムと過塩素酸からなるエッチング液を
用いてエッチングして第１の遮光膜パターン３３ａを形
成する。次に、レジストパターン３４ａを剥離して所定
の洗浄を施した後、第１の遮光膜パターン３３ａをマス
クにして半透光膜３２をＣＦ₄ ／Ｏ₂ の混合ガス、圧力
０．４Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー１００Ｗの条件でドライエ
ッチングすることにより、図１（ｃ）に示すように半透
光膜パターン３２ａを形成する。

【００２４】その後、所定の洗浄を施した後、図１
（ｄ）に示すように全表面にポジ型電子線レジスト（Ｅ
ＢＲ−９：東レ社製）３５をスピンコート法により膜厚
５００ｎｍ塗布してベークする。次に、このレジスト３
５に対して所望のパターンを電子線描画し、現像して、
第１の遮光膜パターン３３ａ上に図１（ｅ）に示すレジ
ストパターン３５ａを形成する。次に、そのレジストパ
ターン３５ａをマスクにして第１の遮光膜パターン３３
ａを硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸からなる
エッチング液を用いてエッチングすることにより、図１
（ｅ）に示すように最終形状の第２の遮光膜パターン３
３ｂを形成する。最後に、図１（ｆ）に示すようにレジ
ストパターン３５ａを剥離して所定の洗浄を施す。

【００２５】このような第１の実施形態によれば、クロ
ム（遮光膜３３）のエッチング工程で付着した異物はレ
ジストパターン３４ａの剥離および洗浄工程の付加によ
って除去され、きれいなクロムパターン（第１の遮光膜
パターン３３ａ）をマスクにして半透光膜３２をドライ
エッチングでき、欠陥発生を防ぐことができる。したが
って、ハーフトーン位相シフトマスクを無欠陥、高品質
で得ることができた。ただし、この方法では、ドライエ
ッチング条件によってはクロムパターン表面も若干エッ
チングされてしまい、表面の変質およびエッチングされ
たクロム粒子がエッチング中の半透光膜３２上に付着し
てマスクの作用をし、結果的に膜残りあるいは表面荒れ
が発生することもあるため、最適なエッチング条件の設
定が必要となる。

【００２６】図２は、本発明の第２の実施形態を示す断
面図である。この図において、透明基板３１は、表面を
鏡面研磨した石英ガラス基板（大きさ６インチ角、厚さ
０．２５インチ）を所定の洗浄を施したものである。第
２の実施形態では、まず図２（ａ）に示すように、この
透明基板３１上にモリブデン、シリコン、酸素、窒素か
らなる半透光膜３２を膜厚１６０ｎｍスパッタリング法
により形成し、続けてその上にクロムからなる遮光膜３
３を膜厚１００ｎｍ形成する。次に、遮光膜３３上にポ
ジ型電子線レジスト（ＥＢＲ−９：東レ社製）３４をス
ピンコート法により膜厚５００ｎｍ塗布する。

【００２７】次に、レジスト３４に対して所望のパター
ンを電子線描画し、現像して図２（ｂ）に示すようにレ
ジストパターン３４ａを形成する。次に、このレジスト
パターン３４ａをマスクにして遮光膜３３を硝酸第２セ
リウムアンモニウムと過塩素酸からなるエッチング液を
用いてエッチングして第１の遮光膜パターン３３ａを形
成する。次に、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）によ
りリンス処理した後、図２（ｃ）に示すように、レジス
トパターン３４ａと第１の遮光膜パターン３３ａをマス
クにして半透光膜３２をＣＦ₄ ／Ｏ₂ の混合ガス、圧力
０．２Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー１００Ｗの条件でドライエ
ッチングし半透光膜パターン３２ａを形成する。以後の
工程は第１の実施形態と同様であり、レジストパターン
３４ａを剥離し、再度レジスト３５を塗布し（図２
（ｄ））、これをレジストパターン３５ａとして（図２
（ｅ））、このレジストパターン３５ａをマスクとして
エッチングして第２の遮光膜パターン３３ｂを形成し
（図２（ｅ））、レジストパターン３５ａを剥離する
（図２（ｆ））。

【００２８】このような第２の実施形態によれば、クロ
ム（遮光膜３３）のエッチング工程でレジスト（パター
ン３４ａ）上や半透光膜３２上に付着した異物は有機溶
剤のリンス処理によって洗い流され、同時に水分子で覆
われた半透光膜３２表面は有機物で置換されるので、清
浄化され、欠陥の発生を防ぐことができる。したがっ
て、ハーフトーン位相シフトマスクを無欠陥、高品質で
得ることができた。また、この方法は、第１の実施形態
と異なりクロムパターン（遮光膜パターン３３ａ）はレ
ジストパターン３４ａで覆われているため、エッチング
条件は自由に選ぶことができる。

【００２９】次に、本発明の第３の実施形態を、第２の
実施形態で用いた図２を参照して説明する。第３の実施
形態では、第１の遮光膜パターン３３ａを形成するまで
（図２（ｂ）まで）第２の実施形態と同一の工程を進め
る。すなわち、透明基板３１上に半透光膜３２、遮光膜
３３およびレジスト３４を順に形成し（図２（ａ））、
レジスト３４に対して電子線描画、現像を施してレジス
トパターン３４ａを形成し（図２（ｂ））、このレジス
トパターン３４ａをマスクにしてエッチングを行って第
１の遮光膜パターン３３ａを形成する。

【００３０】第３の実施形態では、次に、現像液ＭＩＢ
Ｋ（メチルイソブチルケトン）によりレジストパターン
３４ａに対して再度現像処理を行う。その後、ＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）によりリンス処理を行う。
その後、レジストパターン３４ａと第１の遮光膜パター
ン３３ａをマスクとして半透光膜３２をＣＦ₄ ／Ｏ₂ の
混合ガス、圧力０．２Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー１００Ｗの
条件でドライエッチングすることにより、図２（ｃ）に
示すように半透光膜パターン３２ａを形成する。

【００３１】以後は再び第２の実施形態と同一工程とな
り、まずレジストパターン３４ａを剥離し、再度レジス
ト３５を塗布し（図２（ｄ））、これをレジストパター
ン３５ａとし（図２（ｅ））、このレジストパターン３
５ａをマスクとしてエッチングして第２の遮光膜パター
ン３３ｂを形成し（図２（ｅ））、レジストパターン３
５ａを剥離する。

【００３２】このような第３の実施形態によれば、クロ
ム（遮光膜３３）のエッチング工程でレジストパターン
３４ａ上や半透光膜３２上に付着した異物は再現像およ
び有機溶剤のリンス処理によって洗い流され、同時に水
分子で覆われた半透光膜３２表面は有機物で置換される
ので、清浄化され、欠陥の発生を防ぐことができる。ま
た、第１の遮光膜パターン３３ａを形成した時の第１の
遮光膜パターン３３ａのサイドエッチングによって図３
（ａ）に示すようにレジストパターン３４ａのエッジが
小さく出っ張った状態が再現像工程を付加することで図
３（ｂ）に示すように改善され、次のドライエッチング
によるレジストパターンエッジの損傷を防ぐことがで
き、理想的なマスクの状態にすることができる。さらに
は、レジストパターン３４ａの膜減りによってリンス処
理だけでは除去できない頑固な汚れ、異物等を根こそぎ
除去できる。そして、これらから、第３の実施形態で
は、ハーフトーン位相シフトマスクを無欠陥、高品質で
得ることができた。

【００３３】なお、上記の実施形態で、最終形状の第２
の遮光膜パターン３３ｂは、転写領域内および転写領域
外のいずれか一方または双方の少なくとも一部の領域に
おける半透光膜パターン３２ａ上に設けられる。

【００３４】また、上記の実施形態では、透明基板３１
として石英ガラスを用いているが、他にも、例えば、ソ
ーダライムガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボ
ロシリケートガラス等の他のガラスを用いることができ
る。

【００３５】さらに、レジストパターン３４ａ，３５ａ
を形成する際に、電子線描画露光による方法以外に、光
による露光でもよく、その場合にはその露光条件に応じ
たレジストおよび対応する現像液、リンス液を用いるこ
とは勿論である。

【００３６】

【発明の効果】このように本発明のハーフトーン位相シ
フトマスクの製造方法によれば、比較的単純な工程を付
加するのみで欠陥の発生を抑え、結果として高品質のハ
ーフトーン位相シフトマスクを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるハーフトーン位相シフトマスクの
製造方法の第１の実施形態を示す断面図。

【図２】本発明によるハーフトーン位相シフトマスクの
製造方法の第２の実施形態を示す断面図。

【図３】本発明の第３の実施形態における再現像工程に
よる効果を示す断面図。

【図４】従来のハーフトーン位相シフトマスクの製造工
程を示す断面図。

【図５】従来のハーフトーン位相シフトマスクの製造工
程の他の例を示す断面図。

【符号の説明】

３１ 透明基板 ３２ 半透光膜 ３２ａ 半透光膜パターン ３３ 遮光膜 ３３ａ 第１の遮光膜パターン ３３ｂ 第２の遮光膜パターン ３４ レジスト ３４ａ レジストパターン ３５ レジスト ３５ａ レジストパターン

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板上に半透光膜および遮光膜を順
   に形成し、さらに遮光膜上にレジストパターンを形成す
   る工程と、 前記レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッ
   チングし遮光膜パターンを形成する工程と、 その後、前記レジストパターンを剥離し、洗浄する工程
   と、 その後、前記遮光膜パターンをマスクにして前記半透光
   膜をエッチングし半透光膜パターンを形成する工程と、 その後、前記遮光膜パターン上にレジストパターンを形
   成し、そのレジストパターンをマスクにして前記遮光膜
   パターンをエッチングすることにより、最終形状の遮光
   膜パターンを形成する工程とを具備することを特徴とす
   るハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
2. 【請求項２】 透明基板上に半透光膜および遮光膜を順
   に形成し、さらに遮光膜上にレジストパターンを形成す
   る工程と、 前記レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッ
   チングし遮光膜パターンを形成する工程と、 その後、有機溶剤でリンス処理する工程と、 その後、前記レジストパターンおよび前記遮光膜パター
   ンをマスクにして前記半透光膜をエッチングし半透光膜
   パターンを形成する工程と、 その後、前記レジストパターンを剥離した後、前記遮光
   膜パターン上に再度レジストパターンを形成する工程
   と、 その後、前記レジストパターンをマスクにして前記遮光
   膜パターンをエッチングすることにより、最終形状の遮
   光膜パターンを形成する工程とを具備することを特徴と
   するハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
3. 【請求項３】 透明基板上に半透光膜および遮光膜を順
   に形成し、さらに遮光膜上にレジストの塗布、露光、現
   像によりレジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッ
   チングし遮光膜パターンを形成する工程と、 その後、前記レジストパターンを再度現像処理する工程
   と、 その後、有機溶剤でリンス処理する工程と、 その後、前記レジストパターンおよび前記遮光膜パター
   ンをマスクに前記半透光膜をエッチングし半透光膜パタ
   ーンを形成する工程と、 その後、前記レジストパターンを剥離した後、前記遮光
   膜パターン上に再度レジストパターンを形成する工程
   と、 その後、前記レジストパターンをマスクにして前記遮光
   膜パターンをエッチングすることにより、最終形状の遮
   光膜パターンを形成する工程とを具備することを特徴と
   するハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。