JPH09320110A

JPH09320110A - デジタルビデオディスク基板

Info

Publication number: JPH09320110A
Application number: JP32629796A
Authority: JP
Inventors: Masaya Okamoto; 正哉岡本
Original assignee: Idemitsu Petrochemical Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Petrochemical Co Ltd
Priority date: 1996-03-07
Filing date: 1996-12-06
Publication date: 1997-12-12
Anticipated expiration: 2016-12-06
Also published as: JP3436466B2; US5783653A; EP0794209A3; DE69722288D1; EP0794209A2; DE69722288T2; EP0794209B1

Abstract

(57)【要約】【課題】成形時の割れが少ない上、複屈折が小さく、
かつ転写性に優れるデジタルビデオディスク基板を提供
すること。【解決手段】主鎖が、一般式（Ｉ）【化１】で表される構造を有するとともに、一般式（II) 【化２】（式中、Ｒ³はハロゲン原子，炭素数１〜２０のアルキ
ル基又は炭素数６〜２０のアリール基、ｒは０〜５の整
数を示す。）で表される末端基を有し、かつその末端基
の少なくとも２５モル％が、式（III)又は式（IV) 【化３】で表されるものであって、粘度平均分子量が１００００
〜１７０００のポリカーボネートからなるデジタルビデ
オディスク基板である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はデジタルビデオディスク
基板（ＤＶＤ基板又はデジタルバーサタイルディスク基
板ともいう）に関し、さらに詳しくは、成形時の割れが
少ない上、複屈折が小さく、かつ転写性に優れるポリカ
ーボネートからなるデジタルビデオディスク基板に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の光ディスクであるＣＤやＣＤ−Ｒ
ＯＭなどの規格は、ディスク径：１２０ｍｍ、ディスク
厚：1.２ｍｍ、構造：単板片面である。これに対し、デ
ジタルビデオディスク（ＤＶＤ）の規格は、ディスク
径：１２０ｍｍ、ディスク厚：1.２ｍｍ、構造：両面貼
せであり、したがって、ディスク基板としては、厚み0.
６ｍｍとなる。このように、ディスク基板の厚みが1.２
ｍｍから0.６ｍｍに薄くなると、成形時に破損が生じた
り、複屈折が増大するなど、好ましくない事態を招来す
る。このディスク基板材料としては、透明性，耐熱性，
耐衝撃性，耐水性などに優れることから、近年、ポリカ
ーボネートが多用されている。該ディスク基板の成形時
の割れを防止するために、基板材料のポリカーボネート
の分子量を増加させると、複屈折がさらに増大する。ま
た複屈折を低減するために、超音波成形，多段圧縮成
形、高速充填成形などの方法を用いて、デジタルビデオ
ディスク基板を成形する試みがなされているが、これら
の成形方法でも、複屈折の低減は充分ではない上、むし
ろ、通常の成形方法に比べて破損が生じやすいという問
題がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況下で、成形時の割れが少ない上、複屈折が小さく、
かつ転写性に優れるデジタルビデオディスク基板を提供
することを目的とするものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者は、成形時の割
れが少なく、かつ複屈折の小さいデジタルビデオディス
ク基板について鋭意研究を重ねた結果、基板材料とし
て、特定の末端構造と分子量を有するポリカーボネート
を用いることにより、前記目的を達成しうることを見出
した。本発明はかかる知見に基づいて完成したものであ
る。すなわち、本発明は、主鎖が、一般式（Ｉ）

【０００５】

【化７】

【０００６】（式中、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれハロゲ
ン原子，炭素数１〜６のアルキル基又はフェニル基を示
し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、Ｚ
は単結合，炭素数１〜２０のアルキレン基若しくはアル
キリデン基，炭素数５〜２０のシクロアルキレン基若し
くはシクロアルキリデン基，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ
−，−ＳＯ₂−又は−ＣＯ−を示し、ｐ及びｑは、それ
ぞれ０〜４の整数、ｎは繰り返し数を示す。）で表され
る構造を有するとともに、一般式（II)

【０００７】

【化８】（式中、Ｒ³はハロゲン原子，炭素数１〜２０のアルキ
ル基又は炭素数６〜２０のアリール基を示し、ｒは０〜
５の整数を示す。）で表される末端基を有し、かつその
末端基の少なくとも２５モル％が、式（III)又は式（I
V)

【０００８】

【化９】で表されるものであって、粘度平均分子量が１0,０００
〜１7,０００の範囲にあるポリカーボネートからなるデ
ジタルビデオディスク基板を提供するものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明のデジタルビデオディスク
基板の材料として用いられるポリカーボネートは、主鎖
が、一般式（Ｉ）

【００１０】

【化１０】

【００１１】で表される構造を有するものである。上記
一般式（Ｉ）において、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれハロ
ゲン原子，炭素数１〜６のアルキル基又はフェニル基を
示す。ここで、ハロゲン原子としては、塩素，臭素，フ
ッ素，ヨウ素原子が挙げられ、炭素数１〜６のアルキル
基としては、直鎖状，分岐状，環状のいずれであっても
よく、例えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イ
ソプロピル基，ｎ−ブチル基，イソブチル基，ｔ−ブチ
ル基，アミル基，イソアミル基，ヘキシル基，イソヘキ
シル基，シクロヘキシル基などが挙げられる。このＲ¹
及びＲ²は、たがいに同一でも異なっていてもよい。ま
た、Ｒ¹が複数ある場合は、複数のＲ¹は同一でも異な
っていてもよく、Ｒ²が複数ある場合は、複数のＲ²は
同一でも異なっていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ０
〜４の整数である。そして、Ｚは単結合，炭素数１〜２
０のアルキレン基若しくはアルキリデン基，炭素数５〜
２０のシクロアルキレン基若しくはシクロアルキリデン
基，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，−ＳＯ₂−又は−ＣＯ
−を示す。ここで、炭素数１〜２０のアルキレン基若し
くはアルキリデン基としては、例えばメチレン基，エチ
レン基，プロピレン基，ブチレン基，ペンチレン基，ヘ
キシレン基，エチリデン基，イソプロピリデン基などが
挙げられ、炭素数５〜２０のシクロアルキレン基若しく
はシクロアルキリデン基としては、例えばシクロペンチ
レン基，シクロヘキシレン基，シクロペンチリデン基，
シクロヘキシリデン基などが挙げられる。ｎは繰り返し
数を示し、ポリカーボネートの粘度平均分子量が１００
００〜１７０００の範囲にあるような数である。また、
このポリカーボネートは、一般式（II）

【００１２】

【化１１】

【００１３】で表される末端基を有することが必要であ
る。上記一般式(II)において、Ｒ³はハロゲン原子，炭
素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリー
ル基を示す。ここで、ハロゲン原子としては、塩素，臭
素，フッ素，ヨウ素原子が挙げられる。炭素数１〜２０
のアルキル基としては、直鎖状，分岐状，環状のいずれ
であってもよく、例えばメチル基，エチル基，ｎ−プロ
ピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，イソブチル
基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔｅｒｔ−ブチル基，ペンチル
基，ヘキシル基，オクチル基，デシル基，ドデシル基，
シクロペンチル基，シクロヘキシル基などが挙げられ
る。一方、炭素数６〜２０のアリール基としては、芳香
環上に置換基を有しないものであってもよいし、低級ア
ルキル基などの適当な置換基を有するものであってもよ
く、例えばフェニル基，トリル基，キシリル基，ナフチ
ル基，メチルナフチル基などが挙げられる。ｒは０〜５
の整数を示し、Ｒ³が複数ある場合は、複数のＲ³は同
一でも異なっていてもよい。この一般式(II)で表される
末端基は一種含まれていてもよく、二種以上含まれてい
てもよいが、特にｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基及
びフェノキシ基、又はこれと後述の式(III) あるいは式
（IV) で表される末端基が好適である。また、本発明に
おいては、式(III) で表されるｐ−クミルフェノキシ基
あるいは式（IV) で表される４−（１，１，３，３−テ
トラメチルブチル）フェノキシ基

【００１４】

【化１２】

【００１５】が必須末端基として、一般式(II)で表され
る末端基に対し、少なくとも２５モル％含まれている。
この割合が２５モル％未満ではＤＶＤ基板成形時に割れ
が生じるおそれがある。ＤＶＤ基板成形時の割れを効果
的に抑制するには、この一般式（III)で表される末端基
あるいは一般式（IV) で表される末端基の好ましい割合
は５０〜１００モル％の範囲であり、特に８０〜１００
モル％の範囲が好適である。上記一般式（II）〜(IV)の
いずれかで表される末端基の割合の調整方法としては、
例えばポリカーボネートの製造時に、末端停止剤とし
て、ｐ−クミルフェノールあるいは４−（１，１，３，
３−テトラメチルブチル）フェノール又はこのいずれか
と一般式（Ｖ）

【００１６】

【化１３】

【００１７】（式中、Ｒ³及びｒは上記と同じであ
る。）で表される一価フェノールとの混合物を用いる方
法、あるいは、ポリカーボネートの製造時に、末端停止
剤として、ｐ−クミルフェノール及び４−（１，１，
３，３−テトラメチルブチル）フェノールのいずれかと
各々のフェノール以外の上記一般式（Ｖ）で表される一
価フェノールとをそれぞれ用い、両末端にｐ−クミルフ
ェノキシ基を有するかあるいは４−（１，１，３，３−
テトラメチルブチル）フェノキシ基を有するポリカーボ
ネート及び両末端にｐ−クミルフェノキシ基又は４−
（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノキシ基
以外の一般式(II)で表される基を有するポリカーボネー
トを製造し、それらを混合する方法などを挙げることが
できる。さらに、本発明のディスク基板の材料として用
いられるポリカーボネートは、粘度平均分子量が１0,０
００〜１7,０００の範囲にあることを要する。この粘度
平均分子量が１0,０００未満ではＤＶＤ基板成形時に割
れが生じるおそれがあり、また１7,０００を超えると得
られるＤＶＤ基板の複屈折が増大する。ＤＶＤ基板成形
時の割れ防止及びＤＶＤ基板の複屈折などの面から、こ
の粘度平均分子量の好ましい範囲は１2,０００〜１5,０
００であり、特に１2,５００〜１4,５００の範囲が好適
である。本発明のＤＶＤ基板の材料として用いられるポ
リカーボネートの製造方法としては、上記性状を有する
ポリカーボネートが得られる方法であればよく、特に制
限されず様々な方法を用いることができるが、例えば次
に示す二つの方法を好ましく用いることができる。ま
ず、第１の方法は、原料モノマーとして、一般式（VI）

【００１８】

【化１４】

【００１９】（式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｚ，ｐ及びｑは前記
と同じである。）で表される二価フェノールを用い、不
活性有機溶剤の存在下に、アルカリ水溶液に溶解させた
上記二価フェノールとホスゲンとを反応させるに際し、
反応前又は反応後に、末端停止剤として、ｐ−クミルフ
ェノールあるいは４−（１，１，３，３−テトラメチル
ブチル）フェノールと各々のフェノール以外の前記一般
式（Ｖ）で表される一価フェノールとを、それぞれ２５
〜１００モル％及び７５〜０モル％の割合で加えて、界
面重縮合反応を行うことにより、所望のポリカーボネー
トを得る方法、あるいは一般式（VI）で表される二価フ
ェノールと上記末端停止剤をピリジン又はピリジンと不
活性有機溶剤との混合溶媒に溶解し、この溶液にホスゲ
ンを吹込んで反応させ、所望のポリカーボネートを得る
方法である。次に、第２の方法は、末端停止剤として、
ｐ−クミルフェノールあるいは４−（１，１，３，３−
テトラメチルブチル）フェノールと各々のフェノール以
外の一般式（Ｖ）で表される一価フェノールとをそれぞ
れ用い、上記第１の方法の場合と同様にして、両末端に
ｐ−クミルフェノキシ基が結合するかあるいは４−
（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノキシ基
が結合したポリカーボネート及び両末端に一般式（II)
で表される基が結合したポリカーボネートを製造し、こ
れらのポリカーボネートを、ｐ−クミルフェノキシ基あ
るいは４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フ
ェノキシ基が２５〜１００モル％で、一般式（II) で表
される基が７５〜０モル％になるように混合する方法で
ある。

【００２０】上記一般式（VI）で表される二価フェノー
ルの例としては、様々なものがあるが、特に２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン〔ビスフェノー
ルＡ〕が好適である。ビスフェノールＡ以外の二価フェ
ノールとしては、例えばビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン；ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシ
フェニル）メタン；ビス（３，５−ジメチル−４−ヒド
ロキシフェニル）メタン；１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）エタン；１，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）エタン；２−メチル−１，１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン；２，２−ビス（３，５−ジ
メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン；１−エチ
ル−１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン；２，２−−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン；２，２−ビス（３，５−ジブロ
モ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン；２，２−ビス
（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン；
２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン；２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）ブタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）ブタン；１，４−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ブタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
ペンタン；４−メチル−２，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）ペンタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）ヘキサン；４，４−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）ヘプタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ノナン；１，１０−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）デカン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン；２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，
３−ヘキサフルオロプロパンなどのジヒドロキシジアリ
ールアルカン類、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン；１，１−ビス（３，５−ジクロロ
−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン；１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロデカンなどのジ
ヒドロキシジアリールシクロアルカン類、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）スルホン；ビス（３，５−ジメチル
−４−ヒドロキシフェニル）スルホン；ビス（３−クロ
ロ−４−ヒドロキシフェニル）スルホンなどのジヒドロ
キシジアリールスルホン類、ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）エーテル；ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロ
キシフェニル）エーテルなどのジヒドロキシジアリール
エーテル類、４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン；
３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジヒド
ロキシベンゾフェノンなどのジヒドロキシジアリールケ
トン類、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド；
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィ
ド；ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）スルフィドなどのジヒドロキシジアリールスルフィ
ド類、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシドな
どのジヒドロキシジアリールスルホキシド類などが挙げ
られる。これらの二価フェノールは単独で用いてもよ
く、二種以上を組み合わせて用いてもよい。

【００２１】一方、一般式（Ｖ）で表される一価フェノ
ールとしては、例えばフェノール；ｏ−ｎ−ブチルフェ
ノール；ｍ−ｎ−ブチルフェノール；ｐ−ｎ−ブチルフ
ェノール；ｏ−イソブチルフェノール；ｍ−イソブチル
フェノール；ｐ−イソブチルフェノール；ｏ−ｔ−ブチ
ルフェノール；ｍ−ｔ−ブチルフェノール；ｐ−ｔ−ブ
チルフェノール；ｏ−ｎ−ペンチルフェノール；ｍ−ｎ
−ペンチルフェノール；ｐ−ｎ−ペンチルフェノール；
ｏ−ｎ−ヘキシルフェノール；ｍ−ｎ−ヘキシルフェノ
ール；ｐ−ｎ−ヘキシルフェノール；ｏ−シクロヘキシ
ルフェノール；ｍ−シクロヘキシルフェノール；ｐ−シ
クロヘキシルフェノール；ｏ−フェニルフェノール；ｍ
−フェニルフェノール；ｐ−フェニルフェノール；ｏ−
ｎ−ノニルフェノール；ｍ−ｎ−ノニルフェノール；ｐ
−ｎ−ノニルフェノール；ｏ−ナフチルフェノール；ｍ
−ナフチルフェノール；ｐ−ナフチルフェノール；２，
６−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，５−ジ−ｔ−ブチ
ルフェノール；２，４−ジ−ｔ−ブチルフェノール；
３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノール；，ｐ−ｔ−アミル
フェノールなどが挙げられる。これらは単独で用いても
よく、二種以上を組み合わせて用いてもよいが、これら
の中で、特にｐ−ｔ−ブチルフェノール及びフェノール
が好適である。

【００２２】このようにして得られたポリカーボネート
には、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により
各種添加剤、例えば酸化防止剤，滑剤（離型剤），無機
充填剤，難燃剤，着色剤などを適宜配合してもよい。

【００２３】上記酸化防止剤としては、リン系酸化防止
剤が好ましく、例えばトリメチルホスファイト，トリエ
チルホスファイト，トリブチルホスファイト，トリオク
チルホスファイト，トリノニルホスファイト，トリデシ
ルホスファイト，トリオクタデシルホスファイト，ジス
テアリルペンタエリスチルジホスファイト，トリス（２
−クロロエチル）ホスファイト，トリス（２，３−ジク
ロロプロピル）ホスファイトなどのトリアルキルホスフ
ァイト；トリシクロヘキシルホスファイトなどのトリシ
クロアルキルホスファイト；トリフェニルホスファイ
ト，トリクレジルホスファイト，トリス（エチルフェニ
ル）ホスファイト，トリス（ブチルフェニル）ホスファ
イト，トリス（ノニルフェニル）ホスファイト，トリス
（ヒドロキシフェニル）ホスファイトなどのトリアリー
ルホスファイト；２−エチルヘキシルジフェニルホォス
ファイトなどのモノアルキルジアリールホスファイト；
トリメチルホスフェート，トリエチルホスフェート，ト
リブチルホスフェート，トリオクチルホスフェート，ト
リデシルホスフェート，トリオクタデシルホスフェー
ト，ジステアリルペンタエリスリチルジホスフェート，
トリス（２−クロロエチル）ホスフェート，トリス
（２，３−ジクロロプロピル）ホスフェートなどのトリ
アルキルホスフェート；トリシクロヘキシルホスフェー
トなどのトリシクロアルキルホスフェート；トリフェニ
ルホスフェート，トリクレジルホスフェート，トリス
（ノニルフェニル）ホスフェート，２−エチルフェニル
ジフェニルホスフェートなどのトリアリールホスフェー
トなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、二
種以上を組み合わせて用いてもよい。

【００２４】また、滑剤（離型剤）としては、例えばス
テアリルアルコールや、ステアリン酸モノグリセリド，
ペンタエリスリトールステアリン酸エステルなどのステ
アリン酸エステル、あるいは蜜ろうなどが挙げられる。
これらの滑剤は成形時の離型性を向上させる作用を有し
ている。上記ポリカーボネート及び所望により用いられ
る各種添加成分からなる成形材料を用い、本発明のＤＶ
Ｄ基板を成形する方法としては特に制限はなく、ディス
ク成形用金型を使用し、射出成形又は圧縮成形する通常
の成形法の他に、超音波成形，多段圧縮成形，高速充填
成形などの方法も用いることができる。

【００２５】成形温度は、通常３００〜３９０℃、好ま
しくは３００〜３４５℃の範囲、金型温度は通常８０〜
１２５℃の範囲である。複屈折の低減及び転写性向上の
ためには、樹脂の流動性を向上させる必要があるが、成
形温度が３９０℃、特に３４５℃を超えるとポリカーボ
ネートの劣化が生じ、透明性が低下するおそれがある。
ＤＶＤ基板は透明性に優れていることが不可欠である。
また、金型温度についても、流動性向上の点からは、高
い方が好ましいが、１２５℃を超えると基板の形が崩れ
るおそれがある。さらに、射出率に関しては１５０ｃｍ
³／秒以上、好ましくは２００ｃｍ³／秒以上が有利で
ある。この射出率が１５０ｃｍ³／秒未満では金型内で
成形材料が急冷されて流動圧力損失が大きくなり、樹脂
の配向性が増加し、その結果、成形品に歪みなどの不良
が生じるおそれがある。また、金型の材質としては特に
制限はなく、金属，セラミックス，グラファイトなどが
用いられる。

【００２６】このようにして得られた本発明のＤＶＤ基
板は再生専用型，追記型，書換え型など各種デジタルビ
デオディスク（ＤＶＤファミリー）の基板として好適で
ある。本発明のＤＶＤ基板を用いてデジタルビデオディ
スク基板を製造する方法としては特に制限はなく、通常
のコンパンクトディスクの場合と同様の方法を用いるこ
とができる。例えば成膜工程により、該基板上に、保護
層及び記録層を設け、さらにその上にハードコート層及
び必要に応じてオーバーコート層を設けて２枚のディス
ク単板を作製したのち、一般的な方法、例えばホットメ
ルト型接着剤や粘着シートを用いて貼合し、必要に応じ
ハブ付けを行うことにより、所望のデジタルビデオディ
スクが得られる。この際用いられるホットメルト型接着
剤としては、例えばエチレン−酢酸ビニル共重合体（Ｅ
ＶＡ）系，ポリオレフィン系，合成ゴム系，ポリエステ
ル系，ポリアミド系などが挙げられる。一方、粘着シー
トの接着剤としては、例えばゴム系，アクリル系，シリ
コーン系などが挙げられ、またシートの材料としては、
例えばポリエステル系，ポリイミド系，ポリウレタン
系，ポリオレフィン系などの樹脂シートやアルミ箔など
の金属のシートを挙げることができる。

【００２７】

【実施例】次に、本発明を実施例によりさらに詳しく説
明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定さ
れるものではない。製造例１ポリカーボネートオリゴマーの調製５重量％水酸化ナトリウム水溶液４００リットルに、ビ
スフェノールＡ６０ｋｇを溶解し、ビスフェノールＡの
水酸化ナトリウム水溶液を調製した。次いで、室温に保
持したこのビスフェノールＡの水酸化ナトリウム水溶液
を、１３８リットル／時間の流量で、またメチレンクロ
ライドを６９リットル／時間の流量で、内径１０ｍｍ，
管長１０ｍの管型反応器にオリフィス板を通して導入
し、これにホスゲンを並流して１0.７ｋｇ／時間の流量
で吹き込み、３時間連続的に反応させた。ここで用いた
管型反応器は二重管となっており、ジャケット部分には
冷却水を通して反応液の排出温度を２５℃に保った。ま
た、排出液のｐＨは１０〜１１を示すように調整した。
このようにして得られた反応液を静置することにより、
水相を分離除去し、メチレンクロライド相（２２０リッ
トル）を採取し、ポリカーボネートオリゴマーを得た。

【００２８】製造例２ポリカーボネート樹脂Ａの製造製造例１で得られたポリカーボネートオリゴマー１0.０
リットルに、ｐ−クミルフェノール１６6.７ｇを溶解さ
せ、これに、水酸化ナトリウム水溶液（ＮａＯＨ：７５
ｇ，水：1.０リットル）とトリエチルアミン1.１７ミリ
リットルを加え、３００ｒｐｍで常温にて３０分間攪拌
した。次いで、メチレンクロライド８リットル及びビス
フェノールＡの水酸化ナトリウム水溶液（ビスフェノー
ルＡ：６０７ｇ，ＮａＯＨ：３２０ｇ，水：５リット
ル）を加え、５００ｒｐｍで常温にて１時間攪拌した。
その後、メチレンクロライド５リットル及び水５リット
ルを加え、５００ｒｐｍで常温にて１０分間攪拌した。
攪拌停止後、静置分離し、有機相を得た。この有機相を
0.０３規定の水酸化ナトリウム水溶液５リットルでアル
カリ洗浄、0.２規定の塩酸５リットルで酸洗浄及び水５
リットルで水洗（２回）を順次行ったのち、メチレンク
ロライドを留去し、フレーク状のポリカーボネート樹脂
Ａを得た。

【００２９】製造例３ポリカーボネート樹脂Ｂの製造製造例２において、ｐ−クミルフェノール１６6.７ｇの
代わりに、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１１8.０ｇ
を用いた以外は、製造例２と同様にしてポリカーボネー
ト樹脂Ｂを得た。製造例４ポリカーボネート樹脂Ｃの製造製造例２において、ｐ−クミルフェノール１６6.７ｇの
代わりに、フェノール７3.９ｇを用いた以外は、製造例
２と同様にしてポリカーボネート樹脂Ｃを得た。製造例５ポリカーボネート樹脂Ｄの製造製造例２において、ｐ−クミルフェノール１６6.７ｇの
代わりに、ｐ−クミルフェノール１４1.７ｇ及びｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェノール１7.７ｇを用いた以外は、製
造例２と同様にしてポリカーボネート樹脂Ｄを得た。な
お、ｐ−クミルフェノール：ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ノールモル比は８５：１５である。

【００３０】製造例６ポリカーボネート樹脂Ｅの製造製造例２において、ｐ−クミルフェノール１６6.７ｇを
１８8.４ｇに変更した以外は製造例２と同様にしてポリ
カーボネート樹脂Ｅを得た。製造例７ポリカーボネート樹脂Ｆの製造製造例２において、ｐ−クミルフェノール１６6.７ｇの
代わりに、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１３3.３ｇ
を用いた以外は、製造例２と同様にしてポリカーボネー
ト樹脂Ｆを得た。製造例８ポリカーボネート樹脂Ｇの製造製造例２において、ｐ−クミルフェノール１６6.７ｇの
代わりに、ｐ−クミルフェノール５2.４ｇ及びｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェノール８6.４ｇを用いた以外は、製造
例２と同様にしてポリカーボネート樹脂Ｇを得た。な
お、ｐ−クミルフェノール：ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ノールモル比は３０：７０である。

【００３１】製造例９ポリカーボネート樹脂Ｈの製造製造例２において、ｐ−クミルフェノール１６6.７ｇの
代わりに、ｐ−クミルフェノール３4.９ｇ及びｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェノール９8.８ｇを用いた以外は、製造
例２と同様にしてポリカーボネート樹脂Ｈを得た。な
お、ｐ−クミルフェノール：ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ノールモル比は２０：８０である。製造例１０ポリカーボネート樹脂Ｉの製造製造例２において、ｐ−クミルフェノール１６6.７ｇを
１１7.２ｇに変更した以外は製造例２と同様にしてポリ
カーボネート樹脂Ｉを得た。製造例１１ポリカーボネート樹脂Ｊの製造製造例２において、ｐ−クミルフェノール１６6.７ｇを
３６2.０ｇに変更した以外は製造例２と同様にしてポリ
カーボネート樹脂Ｊを得た。

【００３２】実施例１〜８及び比較例１〜７第１表に示す配合割合で、各成分をドライブレンドし、
２３０℃にて押出して、ペレット化した。なお、酸化防
止剤としては、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
フェニル）ホスファイトを、離型剤としては、ステアリ
ン酸モノグリセリドを用いた。得られたペレットの粘度
平均分子量（Ｍｖ）を第１表に示す。この粘度平均分子
両（Ｍｖ）は、ウベローデ型粘度管にて、２０℃におけ
るメチレンクロライド溶液の極限粘度〔η〕を測定し、
次の関係式より計算した。〔η〕＝1.２３×１０^-5・Ｍｖ^0.83

【００３３】次に、得られたペレットを、成形機：東芝
機械社製ＩＳ８０ＥＰＮ，型締力：５０トン，射出率：
２５０ｃｍ³／秒，射出圧力：２６００ｋｇ／ｃｍ²，
金型材質：ジュラルミン２０２４，成形温度：３４０
℃，金型温度：１１５℃，冷却時間：５秒，キャビティ
部：無電解ニッケルメッキの条件で射出成形し、径１２
０ｍｍ，厚さ0.６ｍｍのＤＶＤ基板を作成した。各１０
０枚成形し、割れなかった枚数を第２表に示す。また、
成形後、４８時間経過時の成形品の落錘衝撃強度を荷重
3.７６ｋｇ，速度１ｍ／秒，受台長径５０ｍｍで測定し
た。なお、半径１８ｍｍの所の内部を打撃した落錘衝撃
強度のエネルギー（Ｊ）を第２表に示す。さらに、実施
例１，６〜８及び比較例１，５，６のものについて、転
写性及び複屈折（Δｎ）を測定した。

【００３４】ここで、転写性とは、〔成形品の凸部の高
さ／金型面の凹部深さ（５μｍ）〕×１００をいい、２
０箇所の平均値を用いた。なお、測定はニコン社製メジ
ャースコープＵＭ−３を用いた。結果を第３表に示す。
また、複屈折（Δｎ）の測定は、オーク社製ダブルリフ
ラクションメジャーメントシステムＡＤＲ−２０００を
用い、ディスクの中心から３０ｍｍ及び５０ｍｍの円周
上の任意の点を選んで測定した。第３表にレターデーシ
ョンの絶対値（Ｒ＝Δｎ・ｔ）の値を示す。ここで、ｔ
はディスク厚さ（ｎｍ）である。

【００３５】

【表１】

【００３６】

【表２】

【００３７】

【表３】

【００３８】製造例１２ポリカーボネート樹脂Ｋの製
造製造例１で得られたポリカーボネートオリゴマー溶液１
0.０リットルに、４−（１，１，３，３−テトラメチル
ブチル）フェノール１６2.０ｇを溶解させ、これに、水
酸化ナトリウム水溶液（ＮａＯＨ：７５ｇ，水：1.０リ
ットル）とトリエチルアミン1.１７ミリリットルを加
え、３００ｒｐｍで常温にて３０分間攪拌した。次い
で、メチレンクロライド８リットル及びビスフェノール
Ａの水酸化ナトリウム水溶液（ビスフェノールＡ：６０
７ｇ，ＮａＯＨ：３２０ｇ，水：５リットル）を加え、
５００ｒｐｍで常温にて１時間攪拌した。その後、メチ
レンクロライド５リットル及び水５リットルを加え、５
００ｒｐｍで常温にて１０分間攪拌した。攪拌停止後、
静置分離し、有機相を得た。この有機相を0.０３規定の
水酸化ナトリウム水溶液５リットルでアルカリ洗浄、0.
２規定の塩酸５リットルで酸洗浄及び水５リットルで水
洗（２回）を順次行ったのち、メチレンクロライドを留
去し、フレーク状のポリカーボネート樹脂Ｋを得た。

【００３９】製造例１３ポリカーボネート樹脂Ｌの製
造製造例１２において、４−（１，１，３，３−テトラメ
チルブチル）フェノール１６2.０ｇの代わりに、ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェノール１１8.０ｇを用いた以外は、
製造例１２と同様にしてポリカーボネート樹脂Ｌを得
た。製造例１４ポリカーボネート樹脂Ｍの製造製造例１２において、４−（１，１，３，３−テトラメ
チルブチル）フェノール１６2.０ｇの代わりに、フェノ
ール７3.９ｇを用いた以外は、製造例１２と同様にして
ポリカーボネート樹脂Ｍを得た。製造例１５ポリカーボネート樹脂Ｎの製造製造例１２において、４−（１，１，３，３−テトラメ
チルブチル）フェノール１６2.０ｇの代わりに、４−
（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノール１
３7.７ｇ及びｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１7.７ｇ
を用いた以外は、製造例１２と同様にしてポリカーボネ
ート樹脂Ｎを得た。なお、４−（１，１，３，３−テト
ラメチルブチル）フェノール：ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェノールモル比は８５：１５である。

【００４０】製造例１６ポリカーボネート樹脂Ｏの製
造製造例１２において、４−（１，１，３，３−テトラメ
チルブチル）フェノール１６2.０ｇを１８3.１ｇに変更
した以外は製造例１２と同様にしてポリカーボネート樹
脂Ｏを得た。製造例１７ポリカーボネート樹脂Ｐの製造製造例１２において、４−（１，１，３，３−テトラメ
チルブチル）フェノール１６2.０ｇの代わりに、ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェノール１３3.３ｇを用いた以外は、
製造例１２と同様にしてポリカーボネート樹脂Ｐを得
た。製造例１８ポリカーボネート樹脂Ｑの製造製造例１２において、４−（１，１，３，３−テトラメ
チルブチル）フェノール１６2.０ｇの代わりに、４−
（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノール５
0.９ｇ及びｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール８6.４ｇを
用いた以外は、製造例１２と同様にしてポリカーボネー
ト樹脂Ｑを得た。なお、４−（１，１，３，３−テトラ
メチルブチル）フェノール：ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ノールモル比は３０：７０である。

【００４１】製造例１９ポリカーボネート樹脂Ｒの製
造製造例１２において、４−（１，１，３，３−テトラメ
チルブチル）フェノール１６2.０ｇの代わりに、４−
（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノール３
3.９ｇ及びｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール９8.８ｇを
用いた以外は、製造例１２と同様にしてポリカーボネー
ト樹脂Ｒを得た。なお、４−（１，１，３，３−テトラ
メチルブチル）フェノール：ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ノールモル比は２０：８０である。製造例２０ポリカーボネート樹脂Ｓの製造製造例１２において、４−（１，１，３，３−テトラメ
チルブチル）フェノール１６2.０ｇを１１3.９ｇに変更
した以外は製造例１２と同様にしてポリカーボネート樹
脂Ｓを得た。

【００４２】製造例２１ポリカーボネート樹脂Ｔの製
造製造例１２において、４−（１，１，３，３−テトラメ
チルブチル）フェノール１６2.０ｇを３５1.８ｇに変更
した以外は製造例１２と同様にしてポリカーボネート樹
脂Ｔを得た。製造例２２ポリカーボネート樹脂Ｕの製造製造例１２において、４−（１，１，３，３−テトラメ
チルブチル）フェノール１６2.０ｇの代わりに、４−
（ｎ−オクチル）フェノール１８3.１ｇを用いた以外は
製造例１２と同様にしてポリカーボネート樹脂Ｕを得
た。

【００４３】実施例９〜１６及び比較例８〜１４第４表に示す配合割合で、各成分をドライブレンドし、
２３０℃にて押出して、ペレット化した。なお、酸化防
止剤としては、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
フェニル）ホスファイトを、離型剤としては、ステアリ
ン酸モノグリセリドを用いた。得られたペレットの粘度
平均分子量（Ｍｖ）を実施例１と同様に測定し第４表に
示す。次に、得られたペレットを、成形機：東芝機械社
製ＩＳ８０ＥＰＮ，型締力：５０トン，射出率：２５０
ｃｍ³／秒，射出圧力：１５００ｋｇ／ｃｍ²，金型材
質：ジュラルミン２０２４，成形温度：３４０℃，金型
温度：１１５℃，冷却時間：５秒，キャビティ部：無電
解ニッケルメッキの条件で射出成形し、径１２０ｍｍ，
厚さ0.６ｍｍのＤＶＤ基板を作成した。

【００４４】ＤＶＤ基板を各１００枚成形し、割れなか
った枚数を第５表に示す。なお、ここでの割れとは、ス
プルー部とディスクが切断され、成形機内にスプルー部
が残ることをいう。また、成形後、４８時間経過時の成
形品の落錘衝撃強度を荷重3.７６ｋｇ，速度１ｍ／秒，
受台長径５０ｍｍで測定した。なお、半径１８ｍｍの所
の内部を打撃した落錘衝撃強度のエネルギー（Ｊ）を第
５表に示す。さらに、実施例９，１４〜１６及び比較例
８，１２，１３のものについて、実施例１と同様にして
転写性及び複屈折（Δｎ）を測定した。

【００４５】

【表４】

【００４６】

【表５】

【００４７】

【表６】

【００４８】

【発明の効果】本発明のデジタルビデオディスク基板
は、特定の末端構造を有するポリカーボネートからなる
ものであって、成形時の割れが少ない上、複屈折が小さ
く、かつ転写性に優れており、再生専用型，追記型，書
換え型などのデジタルビデオディスク（ＤＶＤファミリ
ー）の基板として好適に用いられる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】主鎖が、一般式（Ｉ）【化１】（式中、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれハロゲン原子，炭素
数１〜６のアルキル基又はフェニル基を示し、それらは
たがいに同一でも異なっていてもよく、Ｚは単結合，炭
素数１〜２０のアルキレン基若しくはアルキリデン基，
炭素数５〜２０のシクロアルキレン基若しくはシクロア
ルキリデン基，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，−ＳＯ₂−
又は−ＣＯ−を示し、ｐ及びｑは、それぞれ０〜４の整
数、ｎは繰り返し数を示す。）で表される構造を有する
とともに、一般式（II) 【化２】（式中、Ｒ³はハロゲン原子，炭素数１〜２０のアルキ
ル基又は炭素数６〜２０のアリール基を示し、ｒは０〜
５の整数を示す。）で表される末端基を有し、かつその
末端基の少なくとも２５モル％が、式（III) 【化３】で表されるものであって、粘度平均分子量が１0,０００
〜１7,０００の範囲にあるポリカーボネートからなるデ
ジタルビデオディスク基板。
【請求項２】主鎖が、一般式（Ｉ）【化４】（式中、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれハロゲン原子，炭素
数１〜６のアルキル基又はフェニル基を示し、それらは
たがいに同一でも異なっていてもよく、Ｚは単結合，炭
素数１〜２０のアルキレン基若しくはアルキリデン基，
炭素数５〜２０のシクロアルキレン基若しくはシクロア
ルキリデン基，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，−ＳＯ₂−
又は−ＣＯ−を示し、ｐ及びｑは、それぞれ０〜４の整
数、ｎは繰り返し数を示す。）で表される構造を有する
とともに、一般式（II) 【化５】（式中、Ｒ³はハロゲン原子，炭素数１〜２０のアルキ
ル基又は炭素数６〜２０のアリール基を示し、ｒは０〜
５の整数を示す。）で表される末端基を有し、かつその
末端基の少なくとも２５モル％が、式（IV) 【化６】で表されるものであって、粘度平均分子量が１0,０００
〜１7,０００の範囲にあるポリカーボネートからなるデ
ジタルビデオディスク基板。
【請求項３】一般式(II)で表される末端基が、ｐ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェノキシ基又はフェノキシ基である請
求項１記載のデジタルビデオディスク基板。
【請求項４】一般式(II)で表される末端基が、式（II
I)で表される末端基、又は式（III)で表される末端基と
ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基又はフェノキシ基で
ある請求項１記載のデジタルビデオディスク基板。
【請求項５】一般式(II)で表される末端基の少なくと
も８０モル％が、式（III)で表されるものである請求項
１記載のデジタルビデオディスク基板。
【請求項６】一般式(II)で表される末端基が、式（I
V) で表される末端基、又は式（IV) で表される末端基
とｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基又はフェノキシ基
である請求項２記載のデジタルビデオディスク基板。
【請求項７】一般式(II)で表される末端基の少なくと
も８０モル％が、式（IV) で表されるものである請求項
２記載のデジタルビデオディスク基板。
【請求項８】一般式（Ｉ）で表される主鎖構造が、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンとホ
スゲンとの重縮合により形成されたものである請求項１
又は２に記載のデジタルビデオディスク基板。
【請求項９】粘度平均分子量が１2,５００〜１4,５０
０の範囲にある請求項１又は２に記載のデジタルビデオ
ディスク基板。
【請求項１０】粘度平均分子量が１2,５００〜１4,５０
０の範囲にある請求項５又は７に記載のデジタルビデオ
ディスク基板。