JPH09320885A - 磁性薄膜および磁性薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度磁気記録に適した薄膜磁気ヘッドの磁
性体として主に用いられる磁性薄膜であり、めっき法に
より製造され、飽和磁束密度が高く、軟磁気特性に優
れ、かつ高比抵抗を有する、磁性薄膜および磁性薄膜の
製造方法を提供する 【解決手段】 処理物を電気めっきし、処理物の表面に
磁性薄膜を形成させるめっき浴は、Ｆｅ²⁺イオン、Ｎｉ
²⁺イオン及びＣｏ²⁺イオンを含み、且つＳｉ０₂ 又はＡ
ｌ₂ Ｏ₃ の微粒子がコロイド状に分散されている。製造
された、磁性合金の薄膜中には、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３元
系合金２（磁性体）内に、シリカまたはアルミナ３が分
散されており、比抵抗が高い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁性薄膜および磁
性薄膜の製造方法に関するものである。本発明の磁性薄
膜は、高密度の磁気記録に適した薄膜磁気ヘッドの磁性
体や、磁気シールドとして用いられるものであって、飽
和磁束密度が高く、軟磁気特性に優れ、かつ高比抵抗を
有する。また併せて本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、めっきによる薄膜は、装飾用や防
食用に限らず、特定の機能を備えた機能性薄膜として電
子部品等に幅広く使用されている。例えばコンピュータ
ー用外部記憶造置であるハードディスクドライブの薄膜
磁気ヘッドには、磁性体としてめっき法により製造され
たパーマロイの磁性薄膜が用いられている。パーマロイ
は、典型的な軟磁性薄膜材料であり、特に〔Ｎｉ〕８２
atomic％，〔Ｆｅ〕１８atomic％からなるパーマロイ合
金は、０または負の磁歪定数を有する点が特色である。

【０００３】ところでハードディスクドライブについて
は、年々大容量化および小型化に対する要求が強くなっ
てきており、それに伴って記録の高密度化が進み、これ
を読み取るヘッドの磁性体には、より高い飽和磁束密度
を有する材料が要求されてきている。しかしパーマロイ
の磁性薄膜でより高い飽和磁束密度のものを得るために
は、Ｆｅの含有量を増加させる必要があるが、Ｆｅの含
有量を過度に増加させると、磁歪定数が増加してしま
い、再生性能が不安定となる。従って単なるパーマロイ
の磁性薄膜では高飽和磁束密度化に限界がある。

【０００４】一方、〔Ｎｉ〕８２atomic％，〔Ｆｅ〕１
８atomic％の様なパーマロイに代わる磁性体材料とし
て、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅの３元系合金が注目されている。
図４はＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３元系合金での組成と飽和磁束
密度の分布関係を示す説明図である。この図に示された
中でＡに示す組成領域は飽和磁束密度が高く、かつ磁歪
定数も小さいため、薄膜磁気ヘッドの磁性体材料として
有望であることが予想される。米国特許第4,661,216 号
には、磁歪定数が０で、飽和磁束密度の高いＣｏ−Ｎｉ
−Ｆｅ３元系合金の磁性薄膜について記載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３元系合金の、図４のＡの組成領域
では実効比抵抗の値が約１０μΩ・cmと低い。そのため
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３元系合金を利用した薄膜磁気ヘッド
は、高周波領域での書き込み特性および読み込み特性
が、共に不安定であり、高周波応答性が劣ると言う新た
な問題点がある。この点を詳細に説明すると次の通りで
ある。すなわち薄膜磁気ヘッドが磁化変化にさらされる
と、磁性体の内部に渦電流が発生する。そして薄膜磁気
ヘッドの磁化応答の周波数が増加するにつれて、つまり
薄膜磁気ヘッドの単位時間当たりの磁化変化が増加する
につれて、磁性体内部に流れる渦電流が増大する。一
方、この渦電流はレンツの法則に従って磁束変化を妨げ
るような磁束を生じさせる。その結果、信号が高周波と
なるにつれて磁化変化が抑制される。ここで磁性体内部
に流れる渦電流は、磁性体の比抵抗に逆比例する。

【０００６】そして前述したようにＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３
元系合金の上記した組成領域では、実効比抵抗の値が低
いために、高周波領域での書き込み特性、読み込み特性
とも不安定となり、これを用いて薄膜磁気ヘッドを製造
した場合には、高周波応答性が劣ることとなる。高周波
応答性は、高密度記録に対応できる薄膜磁気ヘッドの磁
性体材料に必要不可欠な特性であり、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
３元系合金の薄膜磁気ヘッドへの採用には、比抵抗を上
昇させることが技術的課題であった。

【０００７】また高周波応答性に優れた高比抵抗磁性薄
膜としてヘテロアモルファス２相構造を有する磁性薄膜
（特開昭61-264698)や、ヘテロアモルファス２相構造を
有する磁性層と非磁性層を積層した積層磁性薄膜（特開
平1-175707）もあるが、これらの膜はアモルファス構造
のために、めっきプロセスで成膜することは事実上不可
能であり、スパッタリング法などのドライプロセスを用
いて成膜せざるを得ない。しかしながらドライプロセス
では高真空を必要とするためにめっきプロセスに比べて
生産効率が悪い。さらに微細素子形成に欠かせないレジ
ストの、ドライプロセス中の温度上昇による焼きつきな
どのため、ミリングプロセスを用いなければならず、工
程が複雑になる。そのためヘテロアモルファス２相構造
を有する磁性薄膜や、ヘテロアモルファス２相構造を有
する磁性層と非磁性層を積層した積層磁性薄膜は、生産
効率上の欠点があり、工業的に採用しがたい。

【０００８】従って、生産性に優れるめっき法の活用が
可能であり、且つ高比抵抗かつ高飽和磁束密度を有する
磁性薄膜及びその製造方法は、未だ開発されていないの
が現状である。そこで本発明は、従来技術の上記した問
題点に注目し、電気めっき法を活用して、高比抵抗かつ
高飽和磁束密度を有する軟磁性の磁性薄膜を製造する方
法を確立すると共に、この方法を利用した薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法の開発を課題とするものである。すなわち
本発明は、書き込みおよび読み取り性能に優れ、高密度
磁気記録に適した薄膜磁気ヘッドの磁性体として主に用
いられる磁性薄膜であり、めっき法により製造され、飽
和磁束密度が高く、軟磁気特性に優れ、かつ高比抵抗を
有する磁性薄膜および磁性薄膜の製造方法を提供するこ
とを課題とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記した様に、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｆｅ３元系合金の磁性薄膜は、飽和磁束密度が高い
と言う利点があるものの、比抵抗が小さく、これを用い
た薄膜磁気ヘッドは高周波領域での書き込みおよび読み
込み特性が不安定であると言う欠点がある。そこで飽和
磁束密度が高いというＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３元系合金の利
点を維持したままで、高比抵抗を有するめっきの磁性薄
膜を得るために、本発明者らは、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３元
系合金をめっき成膜する際、めっき浴中に添加剤を加え
てめっき膜中にシリカやアルミナを含有させることを検
討し、本発明を完成した。

【００１０】すなわち請求項１記載の発明は、めっき浴
中において処理物を電気めっきし、処理物の表面に磁性
薄膜を形成させる磁性薄膜の製造方法において、めっき
浴は、Ｆｅ²⁺イオン、Ｎｉ²⁺イオン及びＣｏ²⁺イオンか
ら選ばれた二種以上のイオンを含有し、かつめっき浴中
には絶縁体の微粒子が分散されていることを特徴とする
磁性薄膜の製造方法である。

【００１１】また請求項１記載の発明をより具体化した
発明は、前記Ｆｅ²⁺イオン、Ｎｉ²⁺イオン及びＣｏ²⁺イ
オンから選ばれた二種以上のイオンは、硫酸塩および／
又は塩酸塩によって供給され、めっき浴は酸性浴であっ
て、めっき浴中に分散された絶縁体の微粒子はＳｉＯ₂
及び／又はＡｌ₂ Ｏ₃ のコロイド粒子であることを特徴
とする請求項１記載の磁性薄膜の製造方法である。

【００１２】また上記した発明を活用した磁性薄膜の発
明は、請求項１又は２に記載の磁性薄膜の製造方法によ
って製造された、磁性合金の薄膜中に絶縁体の微粒子が
分散された磁性薄膜である。

【００１３】さらに同様の目的を達成するためのもう一
つの発明は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金の薄膜中にＳｉＯ₂
及び／又はＡｌ₂ Ｏ₃ が分散されていることを特徴とす
る磁性薄膜である。

【００１４】また上記の発明を薄膜磁気ヘッドの製造に
応用した発明は、基板上に二以上の磁性薄膜と、該磁性
薄膜の間に介在される導体コイル膜を成膜し、磁性薄膜
と導体コイル膜によって磁気回路を構成する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法において、少なくとも一層の磁性薄膜
は、請求項１又は２に記載の磁性薄膜の製造方法によっ
て成膜されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法である。

【００１５】本発明によって製造された磁性薄膜、およ
び本発明の磁性薄膜は、薄膜中に絶縁体の微粒子が分散
されており、比抵抗が高い。前述の様に、磁性体内部に
流れる渦電流は、磁性体の比抵抗に逆比例するため、本
発明の磁性薄膜は磁性体の比抵抗が高く、渦電流による
磁化変化の減少が抑制される。従って本発明の磁性薄膜
を採用した薄膜磁気ヘッドは、高周波応答性に優れる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１は、本発明の磁性薄膜の構造を説明す
る模式図である。

【００１７】本発明は、電気めっき技術を応用して、処
理物の表面に磁性合金の薄膜を形成するものである。本
発明に使用するめっき浴は、Ｆｅ²⁺イオン、Ｎｉ²⁺イオ
ン及びＣｏ²⁺イオンから選ばれた二種以上のイオンを含
有する。このイオンは、処理物の表面に電析し、合金を
構成するものである。本発明の態様として、最も優れる
のは、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３元系合金を電析させるもので
あり、この点から本発明に使用するめっき浴は、Ｆｅ²⁺
イオン、Ｎｉ²⁺イオン及びＣｏ²⁺イオンの全てを含むこ
とが望ましい。

【００１８】ここでＦｅ²⁺イオンの供給源は、硫酸第一
鉄（ FeSO₄・7H₂O )、塩化第一鉄（FeCl₂・4H₂O )、硝
酸第一鉄（ Fe(NO₃)₂ ) 、ほうふっ化第一鉄（ Fe(BF₄)
₂ )、スルファミン酸第一鉄（ Fe( SO₃・NH₂ )₂ )等が
挙げられ、これらが単独又は選択的に混合して使用され
る。そして本発明では、薄膜の密度が高くなると言う点
で、Ｆｅ²⁺イオンの供給源として硫酸第一鉄（ FeSO₄・
7H₂O )、又は塩化第一鉄（ FeCl₂・4H₂O )の採用が望ま
しい。最も適するＦｅ²⁺イオンの供給源は、磁性めっき
に普通に使用される様に、硫酸第一鉄（ FeSO₄・7H₂O )
である。

【００１９】またＮｉ²⁺イオンの供給源は、硫酸ニッケ
ル（ NiSO₄・6H₂O )、塩化ニッケル（ NiSO₄・6H₂O )、
ぎ酸ニッケル(Ni(COOH)₂) 、スルファミン酸ニッケル
(Ni(NH₂SO₃ )₂ ) 、ほうふっ化ニッケル（ Ni(BF₄)₂ )
、臭化ニッケル( NiBr₂)等が挙げられ、これらが単独
又は選択的に混合して使用される。そして本発明では、
合金めっきに普通に使用される硫酸ニッケル（ NiSO₄・
6H₂O )、塩化ニッケル（ NiCl₂・6H₂O )、がＮｉ²⁺イオ
ンの供給源として最も適する。

【００２０】さらにＣｏ²⁺イオンの供給源としては、硫
酸コバルト（ CoSO₄・7H₂O )、塩化コバルト（ CoCl₂・
6H₂O )等が単独または混合して使用される。

【００２１】また本発明の特徴的な構成として、めっき
浴中には絶縁体の微粒子が分散されている。絶縁体の微
粒子としては、ＳｉＯ₂ ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＣｒＯ₃ ，Ｔｉ
Ｏ₂ＺｒＯ₂ ，ＳｉＣ，Ｓｉ₃ Ｎ₄ ，ＷＣ，ＺｒＢ₂ ，
ＣｒＢが挙げられる。上記した絶縁体の微粒子は、単独
又は選択的に混合して使用することが可能であるが、中
でもＳｉＯ₂ 又はＡｌ₂ Ｏ₃ を単独で使用することが推
奨される。

【００２２】ＳｉＯ₂ およびＡｌ₂ Ｏ₃ の粒子径は、１
０ｎｍから３０ｎｍ程度が適当である。

【００２３】ＳｉＯ₂ 又はＡｌ₂ Ｏ₃ は、具体的にはシ
リカゾル、またはアルミナゾルをめっき浴中に配合する
ことによってめっき浴中に混合され、これらはコロイド
粒子となってめっき浴中に分散される。

【００２４】めっき浴中にＦｅ²⁺イオン、Ｎｉ²⁺イオン
及びＣｏ²⁺イオンの全てを含み、且つＳｉＯ₂ （シリ
カ）又はＡｌ₂ Ｏ₃ （アルミナ）を含有させて、処理物
を電気めっきすると、処理物の表面にＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
３元系合金めっき膜によって磁性薄膜が形成され、さら
にその中にＳｉＯ₂ またはＡｌ₂ Ｏ₃ が分散される。本
実施形態の磁性薄膜の製造方法によって製造された磁性
薄膜の構造を模式的に描くと、図１の様である。すなわ
ち、本実施形態の磁性薄膜１では、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３
元系合金２（磁性体）内に、絶縁体たるシリカまたはア
ルミナ３が分散されている。

【００２５】その結果Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３元系合金めっ
き膜の比抵抗が増大する。

【００２６】めっき浴中のＦｅ²⁺イオン、Ｎｉ²⁺イオン
及びＣｏ²⁺イオンの含有量はめっき条件に応じて調整す
る。ここでより磁歪定数が小さい膜を得るためには、膜
中のＦｅ濃度は低い方がよい。めっき浴中のシリカまた
はアルミナ等の濃度は、めっき条件に応じて調整する。
より高い飽和磁束密度を得るためには、めっき浴のpH
は、２以上４以下であることが望ましい。すなわちめっ
き浴のpHが、４以上ではＦｅ²⁺の酸化がおこる可能性が
ある。また逆にめっき浴のpHが２以下の場合は、処理物
の表面で水素が発生し、膜厚の制御が困難になるととも
に、表面の荒れた磁性薄膜となる可能性がある。

【００２７】さらにより高い飽和磁束密度を得るために
は、磁性体２中のＣｏの含有量は５０wt％以上、Ｆｅ含
有量は５wt％以上であることが望ましい。また、優れた
軟磁気特性を得るためには、Ｃｏ含有量は、９０wt％以
下、Ｆｅの含有量は３０wt％以下であることが望まし
い。これらの点を総合すると、磁性薄膜中のＣｏの含有
量は５０wt％から９０wt％であり、Ｆｅの含有量は５wt
％から３０wt％であることが望ましい。

【００２８】また磁性薄膜１中にしめるシリカまたはア
ルミナの割合は、飽和磁束密度の低下を２０％以下とす
るために、20wt％以下であることが望ましい。

【００２９】さらに優れた軟磁気特性を得るためには、
めっき成膜中に磁場を印加することが推奨される。より
具体的には、５０ガウス以上の磁場を印加することが望
ましい。さらに滑らかな表面を得るためには、めっき時
の電流密度は６．０mA/cm²以下であることが望ましい。

【００３０】次に、上記した磁性薄膜の製造方法を薄膜
磁気ヘッドの製造に応用した実施態様について説明す
る。図２は、本発明によって製造された薄膜磁気ヘッド
の概略斜視図である。図３は、図２の薄膜磁気ヘッドの
縦断面図である。

【００３１】薄膜磁気ヘッド１０は、周知の通り、Ａｌ
₂ Ｏ₃ −ＴｉＣのセラミック等からなる基板（処理物）
１１をベースとするものであり、基板１１の上に絶縁膜
１２が設けられ、さらにその上に磁気回路を構成する層
が積層されている。すなわち薄膜磁気ヘッド１１は、下
部磁性薄膜１５と上部磁性薄膜１６を有し、両者の間に
ギャップ膜１７、絶縁膜１８，１９，２０および 導体
コイル膜２２，２３が介在されている。

【００３２】そして下部磁性薄膜１５と、上部磁性薄膜
１６は、後方のリアギャップ２５部分で結合されてい
る。また下部磁性薄膜１５と、上部磁性薄膜１６の前端
側は、ギャップ膜１７を介して対峙し、当該部分で磁気
ギャップを構成している。また導体コイル膜２２は、下
部磁性薄膜１５と、上部磁性薄膜１６の結合部分、すな
わちリアギャップ２５を中心として渦巻き状に設けられ
たものである。

【００３３】本発明を応用した薄膜磁気ヘッドの製造工
程は、下記の通りである。すなわちＡｌ₂ Ｏ₃ −ＴｉＣ
のセラミック等からなる基板１１に、所定の前処理を施
し、スパッタリングによって、Ａｌ₂ Ｏ₃ の絶縁膜１２
を積層する。そして、この絶縁膜１２上に下部磁性薄膜
１５を積層するが、この積層工程に前述した磁性薄膜の
製造方法を応用する。具体的には、絶縁膜１２の表面
に、めっき下地膜（図示せず）を設け、その上にフォト
レジストをスピンコーティング等の手段によって塗布す
る。そしてフォトレジスト上にフォトマスクを配置して
露光し、さらに現像して絶縁膜１２の表面に所定形状の
レジストフレームをパターニングする。

【００３４】続いて、この基板１１をバレルめっき槽に
浸漬し、電気めっきを行う。このバレルめっき槽のめっ
き浴は、Ｆｅ²⁺イオン、Ｎｉ²⁺イオン及びＣｏ²⁺イオン
の全てを含み、且つＳｉＯ₂ （シリカ）又はＡｌ₂ Ｏ₃
（アルミナ）を含有させる。電気めっきでは、レジスト
フレームがマスクとなって、所定パターンの下部磁性薄
膜１５が、形成される。そしてこの下部磁性薄膜１５
は、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３元系合金であり、且つその中に
ＳｉＯ₂ またはＡｌ₂ Ｏ₃ が分散されている。

【００３５】その後、公知のエッチング作業によって、
レジストフレームと、余分のめっき下地膜を除去する。
続いて、公知のスパッタリングによってＡｌ₂ Ｏ₃ のギ
ャップ膜１７を積層する。さらに続いて絶縁膜１８を積
層する。絶縁膜１８は、ノボラック樹脂等の有機絶縁樹
脂で構成された層であり、前記した下部磁性薄膜１５及
びギャップ膜１７上にノボラック樹脂等を塗布してソフ
トベークし、フォトマスクを当てて露光し、現像、熱処
理を経て形成される。

【００３６】またその上にＣｕの導体コイル膜２２を積
層する。導体コイル膜２２の積層には、公知の電気めっ
き技術が利用される。また導体コイル膜２２のパターン
形成手段は、前記した下部磁性薄膜１５の場合と略同様
である。その後、絶縁膜の積層と、導体コイル膜の積層
を繰り返し、絶縁膜１９，２０と導体コイル膜２３を形
成する。

【００３７】さらにその上に、上部磁性薄膜１６を積層
する。上部磁性薄膜１６の積層手段は、前記した下部磁
性薄膜１５と同様であり、Ｆｅ²⁺イオン、Ｎｉ²⁺イオン
及びＣｏ²⁺イオンの全てを含み、且つＳｉＯ₂ （シリ
カ）又はＡｌ₂ Ｏ₃ （アルミナ）が含有しためっき浴中
において電気めっきを行い、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３元系合
金中にＳｉＯ₂ またはＡｌ₂ Ｏ₃ が分散された層を形成
させる。

【００３８】そしてその上に、Ａｌ₂ Ｏ₃ 等の保護層２
１をスパッタリング等の方法によって設ける。

【００３９】この様にして製造された薄膜磁気ヘッド１
０は、磁性薄膜１５，１６の比抵抗が高く、且つ飽和磁
束密度が高く、軟磁気特性にも優れる。従って、薄膜磁
気ヘッド１０は、高周波領域での書き込み特性、読み込
み特性が安定しており、高周波応答性が優れる。

【００４０】

【実施例】以下さらに本発明の実施例および、本発明の
効果を確認するために行った実験について説明する。本
実施例は、本発明を薄膜磁気ヘッドに応用することを前
提として行ったものであり、処理物はウェハーである。
ウェハーにはガラス基板もしくはＡｌ₂ Ｏ₃−ＴｉＣの
セラミックを用い、使用に際してスパッタ法により下地
膜としてパーマロイ合金膜（厚さ約１０００Å）を形成
させた。

【００４１】実験に利用しためっき浴の配合は、表１の
通りである。

【００４２】

【表１】

【００４３】表１中、ほう酸はpH緩衝剤として配合され
ている。サッカリンナトリウムは、めっき薄膜の応力減
少のために配合され、ドデシル硫酸ナトリウムは、めっ
き膜の界面活性剤として配合されている。また表１以外
に、めっき液のpH調節のために塩酸が添加され、めっき
浴のpHは３．０に調整されている

【００４４】そしてこの配合のめっき浴に、シリカゾル
を０．０８ｇ／リットルから２３．４ｇ／リットルまで
６段階に分けて配合し、ウェハーに電気めっきを施し
た。配合したシリカゾルには、無水ケイ酸（ＳｉＯ₂ ）
が２０％含まれている。従って、めっき浴には０．０１
６ｇ／リットルから４．６ｇ／リットルまで６段階の無
水ケイ酸が含まれている。

【００４５】なお、めっき液の温度は電子恒温装置によ
り３５±０．１に設定した。めっき槽へのめっき液供給
量は毎分４リットルとした。電流密度は６．０mA/cm²以
下に保った。

【００４６】その結果、ガラス基板のウェハー上にＣｏ
−Ｎｉ−Ｆｅ３元系合金の磁性薄膜が形成された。そし
てこの磁性薄膜の膜組成、磁気特性および比抵抗を測定
した。その結果は、表２の通りであった。

【００４７】

【表２】

【００４８】表２からめっき浴中にシリカゾルを添加す
ることにより、めっき膜の比抵抗が顕著に上昇すること
が理解できる。めっき膜の比抵抗を上昇させるという観
点からは、めっき浴中のシリカゾル量は多い方が良いと
いえる。

【００４９】ただし実験から、めっき浴中のシリカゾル
の量が増大すると、飽和磁束密度が単調に減少すること
も判った。従って、めっき浴中の無水ケイ酸の最適量
は、０．３１から２３ｇ／リットルである。

【００５０】またシリカゾルに代わってアルミナゾルを
配合し、同様の測定を行った。結果は表３の様であっ
た。

【００５１】

【表３】

【００５２】アルミナゾルを用いた場合にもシリカゾル
を浴中に添加した場合と同様の傾向が見られ、めっき浴
中にアルミナゾルを添加することにより、めっき膜の比
抵抗が顕著に上昇し、まためっき浴中のアルミナゾルの
量が増大すると、飽和磁束密度が単調に減少することが
判った。

【００５３】従って、めっき浴中のアルミナの最適量
は、０．８から８．３ｇ／リットルである。

【００５４】

【発明の効果】本発明の磁性薄膜は、飽和磁束密度が高
く、軟磁気特性に優れ、かつ比抵抗が大きい。従って本
発明の磁性薄膜は、薄膜磁気ヘッドの磁性体として適
し、本発明の磁性薄膜を採用した薄膜磁気ヘッドは、書
き込みおよび読み取り性能に優れ、また高周波応答性が
良い。

【００５５】また本発明の磁性薄膜の製造方法は、電気
めっきを利用したものであり、軟磁気特性に優れ、かつ
比抵抗が大きい磁性薄膜の、大量生産が可能となる効果
がある。

【００５６】さらに本発明の薄膜磁気ヘッドは、書き込
みおよび読み取り性能に優れ、また高周波応答性が良い
という優れた効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁性薄膜の構造を説明する模式図であ
る。

【図２】本発明によって製造された薄膜磁気ヘッドの概
略斜視図である。

【図３】図２の薄膜磁気ヘッドの縦断面図である。

【図４】Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３元系合金での飽和磁束密度
の分布を示す説明図である。

【００５７】

【符号の説明】 １ 磁性薄膜 ２ Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ３元系合金 ３ シリカまたはアルミナ １０ 薄膜磁気ヘッド １１ 基材（処理物） １５ 下部磁性薄膜 １６ 上部磁性薄膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｆ 10/16 Ｈ０１Ｆ 10/16

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 めっき浴中において処理物を電気めっき
   し、処理物の表面に磁性薄膜を形成させる磁性薄膜の製
   造方法において、めっき浴は、Ｆｅ²⁺イオン、Ｎｉ²⁺イ
   オン及びＣｏ²⁺イオンから選ばれた二種以上のイオンを
   含有し、かつめっき浴中には絶縁体の微粒子が分散され
   ていることを特徴とする磁性薄膜の製造方法。
2. 【請求項２】 前記Ｆｅ²⁺イオン、Ｎｉ²⁺イオン及びＣ
   ｏ²⁺イオンから選ばれた二種以上のイオンは、硫酸塩お
   よび／又は塩酸塩によって供給され、めっき浴は酸性浴
   であって、めっき浴中に分散された絶縁体の微粒子はＳ
   ｉＯ₂ 及び／又はＡｌ₂ Ｏ₃ のコロイド粒子であること
   を特徴とする請求項１記載の磁性薄膜の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の磁性薄膜の製造
   方法によって製造された、磁性合金の薄膜中に絶縁体の
   微粒子が分散された磁性薄膜。
4. 【請求項４】 Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金の薄膜中にＳｉＯ
   ₂ 及び／又はＡｌ₂Ｏ₃ が分散されていることを特徴と
   する磁性薄膜。
5. 【請求項５】 基板上に二以上の磁性薄膜と、該磁性薄
   膜の間に介在される導体コイル膜を成膜し、磁性薄膜と
   導体コイル膜によって磁気回路を構成する薄膜磁気ヘッ
   ドの製造方法において、少なくとも一層の磁性薄膜は、
   請求項１又は２に記載の磁性薄膜の製造方法によって成
   膜されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。