JPH09321067A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH09321067A JPH09321067A JP8137141A JP13714196A JPH09321067A JP H09321067 A JPH09321067 A JP H09321067A JP 8137141 A JP8137141 A JP 8137141A JP 13714196 A JP13714196 A JP 13714196A JP H09321067 A JPH09321067 A JP H09321067A
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- Japan
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- heat sink
- semiconductor chip
- mount material
- semiconductor device
- manufacturing
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高い生産性を有して多品種の半導体チップのマ
ウントを可能にする半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】ヒートシンク１にスクリーン印刷により、
膜厚５０μｍ〜３００μｍのマウント材５を塗布形成す
る。
ウントを可能にする半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】ヒートシンク１にスクリーン印刷により、
膜厚５０μｍ〜３００μｍのマウント材５を塗布形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に係わり、特にヒートシンクを有する半導体装置の製
造方法に関する。
法に係わり、特にヒートシンクを有する半導体装置の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４及び図５を参照して従来技術を説明
する。
する。
【０００３】まず図４に示すように、それぞれの半導体
チップの大きさに合った幅Ｗを有するマウント用テープ
２６、例えば金テープを台２１上の切断下金型２２上に
載置し、切断上金型２３を矢印２４に示すように下降さ
せてマウント用テープ２６の部分２５を切断しマウント
用テープ個片２５を得る。またこのように切断加工を行
うから、またテープ製造の精度上からテープを薄くする
ことが出来ず、、マウント用テープ２６は５００μｍ以
上の厚さが必要である。
チップの大きさに合った幅Ｗを有するマウント用テープ
２６、例えば金テープを台２１上の切断下金型２２上に
載置し、切断上金型２３を矢印２４に示すように下降さ
せてマウント用テープ２６の部分２５を切断しマウント
用テープ個片２５を得る。またこのように切断加工を行
うから、またテープ製造の精度上からテープを薄くする
ことが出来ず、、マウント用テープ２６は５００μｍ以
上の厚さが必要である。
【０００４】一方、図５（Ａ）に示すように、ヒートシ
ンク１を内部リードパターン１２を形成し外部リード１
３を配設した積層セラミック１１に固着し、全体をヒー
タブロック２７上に載置する。
ンク１を内部リードパターン１２を形成し外部リード１
３を配設した積層セラミック１１に固着し、全体をヒー
タブロック２７上に載置する。
【０００５】次に、図４により得られたマウント用テー
プ個片２５を移送治工具（図示省略）で移送し、矢印２
８に示すように下降し（図５（Ｂ））、ヒートシンク１
上に載置する（図５（Ｃ））。
プ個片２５を移送治工具（図示省略）で移送し、矢印２
８に示すように下降し（図５（Ｂ））、ヒートシンク１
上に載置する（図５（Ｃ））。
【０００６】次に、半導体チップ７を移送治工具（図示
省略）で移送し、矢印２９に示すように下降し（図５
（Ｄ））、ヒートシンク１上のマウント用テープ個片２
５上に載置し溶融状態のマウント用テープ個片２５上で
半導体チップ７を、矢印３０で示すように、治工具（図
示省略）で押しつけながら左右振動させてスクラブする
（図５（Ｅ））。
省略）で移送し、矢印２９に示すように下降し（図５
（Ｄ））、ヒートシンク１上のマウント用テープ個片２
５上に載置し溶融状態のマウント用テープ個片２５上で
半導体チップ７を、矢印３０で示すように、治工具（図
示省略）で押しつけながら左右振動させてスクラブする
（図５（Ｅ））。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来技術
では、半導体チップの大きさ毎に異なる幅のテープを用
意しなければならないから、製造管理が煩雑になり、マ
ウントテープ材料費用が高くなるという問題を有する。
では、半導体チップの大きさ毎に異なる幅のテープを用
意しなければならないから、製造管理が煩雑になり、マ
ウントテープ材料費用が高くなるという問題を有する。
【０００８】このように多種の幅のテープを必要とする
理由は、大きな半導体チップの場合に細い幅のテープを
用いると接着に必要な量のマウント材（ろう材）が得ら
れず、不完全の接着になってしまうからであり、一方、
太い幅のテープを用意して多品種の半導体チップ（大小
さまざまな半導体チップ）に共用しようとすると、加熱
してマウント材を溶かした後に半導体チップを押しつけ
てスクラブする際に、余ったマウント材が半導体チップ
の上にはい上がり、半導体チップ（半導体装置）の動作
不良が発生する場合を生じるからである。
理由は、大きな半導体チップの場合に細い幅のテープを
用いると接着に必要な量のマウント材（ろう材）が得ら
れず、不完全の接着になってしまうからであり、一方、
太い幅のテープを用意して多品種の半導体チップ（大小
さまざまな半導体チップ）に共用しようとすると、加熱
してマウント材を溶かした後に半導体チップを押しつけ
てスクラブする際に、余ったマウント材が半導体チップ
の上にはい上がり、半導体チップ（半導体装置）の動作
不良が発生する場合を生じるからである。
【０００９】また従来技術では、上から機械的に半導体
チップ押さえて半導体チップを左右に振動させるスクラ
ブ工程を必要とするから、このスクラブ工程でゴミが発
生し半導体チップ（半導体装置）の動作不良を起こすと
いう問題を有する。
チップ押さえて半導体チップを左右に振動させるスクラ
ブ工程を必要とするから、このスクラブ工程でゴミが発
生し半導体チップ（半導体装置）の動作不良を起こすと
いう問題を有する。
【００１０】このようにマウント材がテープの場合にス
クラブが必要な理由は、テープを切断してヒートシンク
上に載置した時に切断工程に起因して皺が寄ったり曲が
ったり、あるいは位置合わせ精度も良くないので半導体
チップに対してずれたりする場合があるから、マウント
材を溶かしたあとで半導体チップで押しつけ左右に振動
させるスクラブ工程により半導体チップの下に均一にマ
ウント材を形成しなければならないからである。
クラブが必要な理由は、テープを切断してヒートシンク
上に載置した時に切断工程に起因して皺が寄ったり曲が
ったり、あるいは位置合わせ精度も良くないので半導体
チップに対してずれたりする場合があるから、マウント
材を溶かしたあとで半導体チップで押しつけ左右に振動
させるスクラブ工程により半導体チップの下に均一にマ
ウント材を形成しなければならないからである。
【００１１】したがって本発明の目的は、上記不都合を
伴うことなく多品種の半導体チップのマウントを可能に
する半導体装置の製造方法を提供することである。
伴うことなく多品種の半導体チップのマウントを可能に
する半導体装置の製造方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、ヒート
シンクを有する半導体装置の製造方法において、ヒート
シンクにスクリーン印刷により、膜厚５０μｍ〜３００
μｍのマウント材を塗布形成する半導体装置の製造方法
にある。
シンクを有する半導体装置の製造方法において、ヒート
シンクにスクリーン印刷により、膜厚５０μｍ〜３００
μｍのマウント材を塗布形成する半導体装置の製造方法
にある。
【００１３】本発明の他の特徴は、ヒートシンクにスク
リーン印刷によりマウント材を塗布形成する工程と、前
記マウント材を塗布形成したヒートシンクに外部リード
ピンおよび内部リードパターンを有する積層セラミック
を接着する工程と、前記ヒートシンク上の前記マウント
材に半導体チップを接着する工程とを有する半導体装置
の製造方法にある。
リーン印刷によりマウント材を塗布形成する工程と、前
記マウント材を塗布形成したヒートシンクに外部リード
ピンおよび内部リードパターンを有する積層セラミック
を接着する工程と、前記ヒートシンク上の前記マウント
材に半導体チップを接着する工程とを有する半導体装置
の製造方法にある。
【００１４】このような本発明によればマウント材をヒ
ートシンクにスクリーン印刷により塗布するから、上記
不都合を伴うことなく多品種の半導体チップをマウント
するためのマウント材の載置法およびゴミ発生をスクラ
ブを省略することが可能なマウント法が得られる。
ートシンクにスクリーン印刷により塗布するから、上記
不都合を伴うことなく多品種の半導体チップをマウント
するためのマウント材の載置法およびゴミ発生をスクラ
ブを省略することが可能なマウント法が得られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明を説明
する。
する。
【００１６】まず図１（Ａ）に示すように、ヒートシン
ク１上に治工具の枠２を載置し、スキージ３を矢印４の
方向に移動させることにより、枠２の内容積により定め
られた形状にマウント材５、例えば銀ペーストをヒート
シンク１上にスクリーン印刷により塗布する。
ク１上に治工具の枠２を載置し、スキージ３を矢印４の
方向に移動させることにより、枠２の内容積により定め
られた形状にマウント材５、例えば銀ペーストをヒート
シンク１上にスクリーン印刷により塗布する。
【００１７】次に図１（Ｂ）に示すように枠２を除去す
る。図１（Ｂ）の状態におけるマウント材５の膜厚は５
０μｍ〜３００μｍである。
る。図１（Ｂ）の状態におけるマウント材５の膜厚は５
０μｍ〜３００μｍである。
【００１８】すなわち半導体チップをヒートシンクに確
実に固定するためには５０μｍ以上の膜厚を必要とする
からである。
実に固定するためには５０μｍ以上の膜厚を必要とする
からである。
【００１９】一方、多品種の半導体チップに対応するた
めに３００μｍ以下の膜厚にする必要がある。すなわち
実質的にそのヒートシンク上に搭載することが出来る異
なる大きさの半導体チップのうち最も大きな半導体チッ
プに合わせた範囲にマウント材を塗布する。すると、小
さい半導体チップをマウントする場合には、マウント材
が半導体チップの外側にはみだしてしまう。この場合、
マウント材の厚さが３００μｍを越えると、マウント材
を加熱して半導体チップを置き、半導体チップを押さえ
てマウントする時に、従来の問題点のように、はみ出し
た部分のマウント材が半導体チップの端からはい上がり
その表面にあがってしまう。したがって３００μｍ以下
にする必要がある。
めに３００μｍ以下の膜厚にする必要がある。すなわち
実質的にそのヒートシンク上に搭載することが出来る異
なる大きさの半導体チップのうち最も大きな半導体チッ
プに合わせた範囲にマウント材を塗布する。すると、小
さい半導体チップをマウントする場合には、マウント材
が半導体チップの外側にはみだしてしまう。この場合、
マウント材の厚さが３００μｍを越えると、マウント材
を加熱して半導体チップを置き、半導体チップを押さえ
てマウントする時に、従来の問題点のように、はみ出し
た部分のマウント材が半導体チップの端からはい上がり
その表面にあがってしまう。したがって３００μｍ以下
にする必要がある。
【００２０】先に説明したように従来技術はテープを用
いていたから５００μｍ以下にすることが出来なかっ
た。
いていたから５００μｍ以下にすることが出来なかっ
た。
【００２１】次に図２（Ａ）に示すように、外部リード
ピン１３と内部リードパターン１２を設けた積層セラミ
ック１１をヒートシンク１にヒータブロック６上でガラ
ス系樹脂（図示省略）を介在した熱圧着により張りつけ
る。
ピン１３と内部リードパターン１２を設けた積層セラミ
ック１１をヒートシンク１にヒータブロック６上でガラ
ス系樹脂（図示省略）を介在した熱圧着により張りつけ
る。
【００２２】次に図２（Ｂ）に示すように、１６０℃、
１分間加熱した状態のマウント材５上に半導体チップ７
を移送治工具（図示省略）で移送し、マウント材５に接
着するように、矢印８に示すように、下降させる。
１分間加熱した状態のマウント材５上に半導体チップ７
を移送治工具（図示省略）で移送し、マウント材５に接
着するように、矢印８に示すように、下降させる。
【００２３】次に図２（Ｃ）に示すように、半導体チッ
プ７をマウント材５に、矢印９に示すように、垂直方向
のみに治工具（図示省略）で押しつける。
プ７をマウント材５に、矢印９に示すように、垂直方向
のみに治工具（図示省略）で押しつける。
【００２４】先に説明した理由により従来技術では左右
振動であるスクラブが必要であったが、本発明のマウン
ト材は、皺が寄ったり曲がったりするものではなく均一
な膜厚で所定の平坦表面を有するものであり、また所定
の位置にスクリーン印刷することが出来るものであるか
ら、スクラブを行う必要はない。
振動であるスクラブが必要であったが、本発明のマウン
ト材は、皺が寄ったり曲がったりするものではなく均一
な膜厚で所定の平坦表面を有するものであり、また所定
の位置にスクリーン印刷することが出来るものであるか
ら、スクラブを行う必要はない。
【００２５】図３は本発明の実施の形態により得られた
ピングリッドアレイ型半導体装置を示す図であり、
（Ａ）は上面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ部の断面図で
ある。なお図３においてマウント材の図示は省略してあ
る。
ピングリッドアレイ型半導体装置を示す図であり、
（Ａ）は上面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ部の断面図で
ある。なお図３においてマウント材の図示は省略してあ
る。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したよう本発明によれば、この
塗布方法によりいろいろな大きさの半導体チップに対応
した、マウント材形成のヒートシンクを製造することが
でき、同じ形状にマウント材を形成した多数のヒートシ
ンクを用意しておき、たがいに異なる大きさの所定の半
導体チップを上記同一のタイプのそれぞれのヒートシン
クに搭載接着することが出来るから、さらに外部リード
ピンの配列や内部リード配線が異なる積層セラミックを
上記同一のタイプのそれぞれのヒートシンクに接着する
ことが出来るから、製造コストを低廉化し、製造管理を
簡素化することができる。
塗布方法によりいろいろな大きさの半導体チップに対応
した、マウント材形成のヒートシンクを製造することが
でき、同じ形状にマウント材を形成した多数のヒートシ
ンクを用意しておき、たがいに異なる大きさの所定の半
導体チップを上記同一のタイプのそれぞれのヒートシン
クに搭載接着することが出来るから、さらに外部リード
ピンの配列や内部リード配線が異なる積層セラミックを
上記同一のタイプのそれぞれのヒートシンクに接着する
ことが出来るから、製造コストを低廉化し、製造管理を
簡素化することができる。
【００２７】また本発明によれば、スクラブを省略する
ことが出来るから、ゴミの発生を防止することが出来
る。
ことが出来るから、ゴミの発生を防止することが出来
る。
【００２８】また本発明によれば、品種に合わせてテー
プを製造し切断するということがないから、テープの製
造コストや切断装置のコストが不要となり、この点から
も半導体装置の製造コストを低廉化することが出来る。
プを製造し切断するということがないから、テープの製
造コストや切断装置のコストが不要となり、この点から
も半導体装置の製造コストを低廉化することが出来る。
【図１】本発明の実施の形態を製造工程順に示した図で
ある。
ある。
【図２】図１の続きの工程を順に示した図である。
【図３】本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法で
得られた半導体装置を示した図であり、（Ａ）は上面
図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ部の断面図である。
得られた半導体装置を示した図であり、（Ａ）は上面
図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ部の断面図である。
【図４】従来技術の一工程を示した図である。
【図５】従来技術を製造工程順に示した図である。
１ ヒートシンク ２ 治工具の枠 ３ スキージ ４ スキージの移動方向 ５ マウント材 ６ ヒータブロック ７ 半導体チップ ８ 半導体チップの移動方向 ９ 半導体チップを押しつける方向 １１ 積層セラミック １２ 内部リードパターン １３ 外部リードピン ２１ 台 ２２ 切断下金型 ２３ 切断上金型 ２４ 切断上金型の移動方向 ２５ マウント用テープ個片 ２６ マウント用テープ ２７ ヒータブロック ２８ マウント用テープ個片の移動方向 ２９ 半導体チップの移動方向 ３０ 半導体チップのスクラブ方向
Claims (3)
- 【請求項１】 ヒートシンクを有する半導体装置の製造
方法において、ヒートシンクにスクリーン印刷により、
膜厚５０μｍ〜３００μｍのマウント材を塗布形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 ヒートシンクにスクリーン印刷によりマ
ウント材を塗布形成する工程と、前記マウント材を塗布
形成したヒートシンクに外部リードピンおよび内部リー
ドパターンを有する積層セラミックを接着する工程と、
前記ヒートシンク上の前記マウント材に半導体チップを
接着する工程とを有することを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項３】 前記スクリーン印刷により塗布形成した
状態の前記マウント材の膜厚は５０μｍ〜３００μｍで
あることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08137141A JP3119582B2 (ja) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08137141A JP3119582B2 (ja) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09321067A true JPH09321067A (ja) | 1997-12-12 |
| JP3119582B2 JP3119582B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=15191784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08137141A Expired - Fee Related JP3119582B2 (ja) | 1996-05-30 | 1996-05-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3119582B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113937010A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-01-14 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 | 半导体装置的制造方法 |
-
1996
- 1996-05-30 JP JP08137141A patent/JP3119582B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113937010A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-01-14 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 | 半导体装置的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3119582B2 (ja) | 2000-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981201 |
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