JPH09330679A

JPH09330679A - 走査形顕微鏡

Info

Publication number: JPH09330679A
Application number: JP8145447A
Authority: JP
Inventors: Hideo Todokoro; 秀男戸所; Osamu Yamada; 理山田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1996-06-07
Filing date: 1996-06-07
Publication date: 1997-12-22
Anticipated expiration: 2016-06-07
Also published as: EP0811999A2; EP0811999B1; EP0811999A3; US5929439A; JP3346172B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は荷電粒子または光を検査する試料上に
走査することで走査像を得る走査形顕微鏡に関係し、特
に照射強度を任意に設定することが出来るようにした走
査形顕微鏡に関係する。【解決手段】観察あるいは記録する走査像を複数回（Ｎ
回）の二次元走査で形成し、二次元走査単位で照射荷電
粒子または光をブランキングし、Ｎ回のうちの複数回
(＜Ｎ)を間引くことにより、平均の照射強度を調整す
る。【効果】照射荷電粒子または光をブランキングのみで、
照射強度が調整できることから照射系の軸調整を行う必
要がない。この結果、容易にかつ任意に時点で照射強度
を変更することが可能になり、観察試料に対応した最適
の照射強度を選択することができ、これまで問題となっ
た試料の温度上昇，絶縁物試料でのチャージアップ，コ
ンタミネーションの問題が解決できた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は荷電粒子または光を
検査する試料上に走査することで走査像を得る走査形顕
微鏡に関係し、特に試料上を走査する荷電粒子または光
の強度を容易に制御し、試料に与える影響（例えば、発
熱，コンタミネーション，チャージアップ等）を軽減す
るようにした走査形顕微鏡に関係する。

【０００２】

【従来の技術】走査形顕微鏡では、荷電粒子または光を
走査し、そこから二次的に得られる信号を検出し、検出
された信号を該荷電粒子または光と同期して走査されて
いるブラウン管の輝度変調とすることで像を得る。試料
を照射する荷電粒子または光の強度は試料へ与える影
響、例えば温度上昇，コンタミネーション，チャージア
ップを考慮して調整される。走査形電子顕微鏡を例にと
ると、これまでこの強度調整は走査する電子ビームを形
成する電子光学系の条件変更（例えば、電子源の放出電
子の量，縮小率，開口の大きさ）を変えることにより実
施していた。ところが、これを実施すると電子光学系の
軸（光軸）が狂ってしまうため、再度光軸を合わせる調
整が必要であった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】前述したように、試料
を照射する電子の強度を変化させると、光軸の再調整が
必要になる。この再調整を速やかに行うには熟練を必要
とし、１０−２０分の調整時間を必要とした。このため
電子強度は出来るだけ固定して使う傾向があり、実用装
置では必ずしも最適な条件で観察されていない。このた
め、温度上昇による形状の変化，コンタミネーションに
よる微細部分の消失，チャージアップによる画像の歪み
等の問題が生じていた。

【０００４】本発明は光軸の再調整を必要とすることな
しに、容易に試料に照射している電子の強度を変えるこ
とのできる走査形顕微鏡の提供を目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明では上記の目的を
達成するために以下のような構成とした。

【０００６】試料の二次元走査を単位として電子照射を
周期的に遮断（ブランキング）する機能を持たせ、ブラ
ンキングする割合を変えることで平均の照射電子強度を
変える。ここで問題となるのは得られる走査像のちらつ
きであるが、二次元走査を商用テレビジョン（ＴＶ）周
波数とし、複数の二次元走査像を加算して表示する構成
とすれば、ブランキングによる走査像のちらつきは問題
ない程度に軽減される。

【０００７】この手段を用いると、軸調整することな
く、試料の条件に適した電子の強度に容易に設定するこ
とができ、これまで問題となっていた観察条件（温度上
昇，チャージアップ，コンタミネーション等）を最適な
状態に設定することができる。また本発明では単なるブ
ランキングではなく二次元走査単位でのブランキングを
行っているので、走査像を積算して試料像を得るという
技術に適用することが容易になる。

【０００８】換言すれば、複数の走査像を積算し試料像
を得るという技術に複雑な演算手段を介さずとも直接適
用が可能となる。

【０００９】これは本発明では試料に対する電子線照射
を行わないようにするのに、ブランキング用に設けられ
た電極に偏向電圧を印可するだけで、他の構成要件の状
態を一切変える必要がないためである。即ち本発明では
ブランキングを行うのに、荷電粒子線の出力や二次元走
査のための偏向電極に印可する電圧の値を固定したまま
適用することが可能であるからである。

【００１０】更に本発明によれば上述してきたような構
成以外にも同様の効果を得るのに以下のような構成も採
用し得る。

【００１１】それはブランキング用の偏向信号を二次元
走査用の偏向電極に印可される電圧に重畳することによ
って達成される。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１は本発明を走査形電子顕微鏡
に適用した実施例である。細く絞った電子ビーム１を走
査偏向板（Ｙ）２と走査偏向板（Ｘ）３を用いて、観察
しようとする試料４上に二次元走査５を行う（ここでは
電子ビーム１を細く絞るための収束系は省略した）。１
４は画像メモリで、例えば５１２×５１２の画素で、深
さ方向に２５６段階の階調を持ったものである。書き込
みクロック１３を同期信号として書き込みアドレス生成
回路１２が動作される。書き込みクロック１３の速度が
一回の二次元走査の時間を決めている。例えば、書き込
みクロック１３の周期が６０ｎｓであれば、１／６０秒
に一枚の二次元走査を行うＴＶ走査となる。このクロッ
クの周期は任意に決めることができ１枚の画像を１秒で
形成するようなゆっくりした走査も可能である。

【００１３】画像メモリ１４のメモリ位置に対応したア
ドレス信号が書き込みアドレス生成回路１２で生成さ
れ、Ｙ走査Ｄ−Ａ変換器９，Ｘ走査Ｄ−Ａ変換器１１に
出力される。Ｘ走査Ｄ−Ａ変換器１１に出力されるアド
レス信号は０から５１２を繰り返すデジタル信号で、こ
れをアナログ信号に変換する。Ｙ走査Ｄ−Ａ変換器９に
出力される信号はＸ走査Ｄ−Ａ変換器１１の出力が０か
ら５１２に到達したときにプラス１される０から５１２
の繰返しのデジタル信号で、これを鋸歯波のアナログ信
号に変換する。これらの鋸歯状アナログ信号はＹ走査ア
ンプ８とＸ走査アンプ１０で増幅され、走査偏向板
（Ｙ）２と走査偏向板（Ｘ）３に供給される。Ｙ走査ア
ンプ８とＸ走査アンプ１０の増幅度を変えることで試料
４上での電子ビーム１の二次元走査５の大きさをを任意
に変えることができる。

【００１４】試料４上に電子ビーム１を走査させると電
子照射により二次電子２５（反射電子等も放出されるが
ここでは二次電子で説明する）放出される。この二次電
子２５を二次電子検出器６で検知し、これを信号Ａ−Ｄ
変換器７でデジタル化し、画像メモリ１４に記録する。
画像メモリ１４のアドレスと電子ビーム１を走査したア
ドレスが対応しているので、画像メモリ１４には試料４
内の二次元走査５の二次元像が記録される。画像メモリ
１４内の信号は読み出しクロック１７で同期された読み
出しアドレス生成回路１６で時系列で順次に読み出すこ
とができる。アドレスに対応して読み出された信号は信
号Ｄ−Ａ変換器１５でデジタルからアナログに変換さ
れ、像表示ブラウン管２０の輝度変調入力となる。

【００１５】一方、読み出しクロック１７で制御された
読み出しアドレス生成回路１６に対応したアドレス信号
がＸ偏向Ｄ−Ａ変換器１８，Ｙ偏向Ｄ−Ａ変換器１９に
出力され、Ｘ偏向アンプ２１とＹ偏向アンプ２２で電圧
に変換される。変換された電圧は像表示ブラウン管２０
のＸ偏向板２３，Ｙ偏向板２４に供給され、ブラウン管
の電子ビームを矩形状に走査する。読み出しアドレス信
号で画像メモリ１４内から読み出されたデジタル信号は
信号Ｄ−Ａ変換器１５でアナログ化され、像表示ブラウ
ン管２０の輝度変調入力となる。この結果、試料４の走
査像２６が像表示ブラウン管２０上に走査像２６として
表示される。なお、読み出しクロック１７の速度は書き
込みクロック１３の速度と同一である必要はない。これ
までの走査形電子顕微鏡は１回の走査に１０秒を要する
低速走査のものが多かったが、操作性を良くするため、
走査速度を速くする方法が主流となっている。例えば、
１回走査が１／６０秒のようなＴＶ周波数による走査で
ある。

【００１６】書き込みクロック１３の速度が速い場合に
は、Ｓ／Ｎ改善のため、画像の加算が行われる。例え
ば、８回の走査像を重ねて表示して、Ｓ／Ｎ改善を計
る。図２を用いて走査像の重ね表示を説明する。この説
明で用いている８回は正確には走査回数ではなく、１枚
の完全な画像を作る走査である。例えば、ＴＶではイン
タレースという手法が用いられ１／６０秒の２回の走査
で１枚の完全な画像を形成している。４回の走査で１枚
の画像を形成する方法もある。この１枚の完全な像を作
る走査を以後、二次元走査と言い、得られた像を二次元
走査像と言うことにする。ここの説明では２回の走査で
１枚の二次元走査像が形成される。（ａ）は二次元走査
の様子を示すもので、Ｙ走査の鋸歯状波を示している。
２回のＹ走査で一枚の二次元走査像が形成される。
（ｂ）は試料への電子ビーム照射の様子を示したもの
で、電子は連続的に照射されている。（ｃ）は二次元走
査像が作られる様子を示し、２回のＹ走査に対応して二
次元走査像が作られている。（ｄ）は二次元走査像のＳ
／Ｎ改善を行う走査像の積算処理の様子を示すものであ
る。観察時点（ｔ＝０）から８回の前までの二次元走査
像〔（−１）から（−８）〕が積算され、その加算平均
がＳ／Ｎ改善された二次元走査像として表示される。次
の二次元走査（＋１）が実行されると、（＋１）の二次
元走査像が加算され、二次元走査像（−８）は消去され
る。この説明では８枚の二次元走査像の均等平均である
が、（−１）から（−８）の二次元走査像に７／８を掛
け、これに次の走査（＋１）を加算するような重み加算
平均を行うことも可能である。

【００１７】本発明はこのような加算平均二次元走査画
像を用いて試料の観察，記録，計算機への取り込みを行
う走査形電子顕微鏡に適合して極めて有効な、電子ビー
ム１の試料４への照射強度（ビーム電流）を調整，制御
する方法に関するものである。この目的のために、図１
に示すように電子ビーム１の通路に、ブランキング偏向
板２８とブランキングアパーチャ２９が設けられてい
る。ブランキング電源２７はＹ走査Ｄ−Ａ変換器９と同
期した矩形電圧を発生し、電子ビーム１を二次元走査単
位で遮断（ブランキング）する。このブランキングの実
行は計算機３０で制御されている。

【００１８】図３でこのブランキング動作を説明する。
（ａ）は図２と同様にＹ走査の鋸歯状波である。（ｂ）
はブランキングで制御された試料への電子ビーム照射の
様子を示す。この例では、二次元走査の一回置きにブラ
ンキングが実施されている。（ｃ）は二次元走査像が作
られる様子を示している。ブランキングしていないとき
のみ二次元走査像が作られている。（ｄ）は二次元走査
像の加算平均処理で、８回の走査の平均像を表示してい
る状態である。処理としては８回の平均を行っている
が、二次元走査像が一回置きにしか作られていないので
実質的には４回の加算平均になる。ここで積算した像の
強度が減少するが、ブランキングに応じて信号を増幅す
るようにすればよい。加算平均処理回数（加算周期）内
の二次元走査像の間引きであれば観察者はちらつき等の
違和感を感じることはほとんどない。ここで、注目する
ことは、電子ビーム強度（ビーム電流）が半分になって
いることである。連続的な減少でなく平均値であるが、
試料へ与える影響を半減することができる。さらに特記
すべきことは、電子光学系の条件を変えることなく、ブ
ランキングのみ実行できることから、瞬時に、任意のタ
イミングでビーム電流を変えることが出来ることであ
る。ブランキングの周期は加算平均の周期と一致させれ
ば良く、この範囲でビーム電流を可変できる。例えば、
加算平均が８回の場合、１／８，２／８，３／８，４／
８，５／８,６／８,７／８,８／８(１.０)の８段階にビ
ーム電流を調整することが出来る。

【００１９】本発明によれば、ブランキングは周期的に
行われるので、ビーム電流の変動を確認する上でも有効
である。

【００２０】図４は本発明を積極的に活用し、ビーム電
流調整を行った実施例である。本実施ではブランキング
偏向板２８で偏向された電子ビーム１は中央に開口を持
ったブランキングカップ３１に入り、ビーム電流として
プローブ電流計３２で測定される。この電流測定はブラ
ンキング偏向板２８に計算機の指令で一定期間の直流電
圧を印加することで実行され、測定されたビーム電流は
計算機に記憶される。この測定値はビーム電流の基準と
して用いられる。例えば、測定値が８ｐＡであったとす
ると、計算機画面上（表示３２）に図５のように表示す
ることが出来る。（ａ）は、加算回数が４の場合で、
８，６，４，２ｐＡを選択できる。（ｂ）は加算回数が
８の場合で、８，７，６，５，４，３，２，１ｐＡを選
択することが出来る。また、この表示のどれかを操作者
がキーボードまたはマウスで選択すると、その条件のブ
ランキングが設定されるようになっている。これは一例
であって、加算回数と減少比の選択は自由に行うことが
出来る。この実施例では表示から遮断割合を選択した
が、遮断割合を入力することでビーム電流値を表示する
ことももちろん可能である。

【００２１】また本発明によれば試料に与えられる累積
的なビーム電流の合計値或いは時間を設定することでブ
ランキングの回数、或いは信号の増幅度を自動的に設定
することも可能である。

【００２２】これは試料にどの程度、ビームを照射すれ
ば試料の形状変化やチャージアップが起こり得るかが経
験的に判っている場合に特に有効である。

【００２３】このように構成することによって、上述し
たような弊害が起こり得ないような累積的ビーム電流値
に基づいて加算回数やその際の信号の増幅率を設定す
る。

【００２４】ブランキング電源には、さらに計算機３０
より試料の交換時等に電子ビーム１を遮断する長期のブ
ランキングと操作の帰線を消去するブランキング（Ａ）
等も入力となる。なおここでは長期ブランキング，帰線
ブランキングを回路で加算していたが、ブランキング偏
向板２８の対抗する電極を用いても良い。

【００２５】また上述してきた例では、ブランキングの
ためにブランキング偏向板２８，ブランキングカップ３
１を設けているがこれらを設けずとも本発明を実施する
手段もある。

【００２６】それは走査偏向板２或いは３で試料の二次
元走査範囲外にビームを外すようにすればよい。それに
はブランキングタイミングに、走査偏光板に試料の走査
範囲外にビームが偏向されるような大きな電圧を加算印
加する手段が有効である。

【００２７】このような構成によればブランキングのた
めの構成を別段設けずとも、簡単な偏向信号の制御を行
うだけで上述したような効果を得ることが出来る。

【００２８】但し、このような例の場合ブランキングカ
ップを備えていないので、ブランキング時にも二次電子
が検出されてしまうため、ブランキング時に得られた信
号は取り込まないようにする等の配慮は必要となる。

【００２９】しかし走査偏光板２，３の下にビームを遮
断する構成を配置すれば、この問題すらも解消すること
が可能となる。

【００３０】本発明を半導体プロセスにおける寸法測定
に用いると特に大きな効果が得られる。半導体プロセス
における寸法測定では、スループットを向上させるため
に無人動作の自動運転が必須となってきている。

【００３１】図６は半導体の寸法測定を行う場合のフロ
ーを示したものである。まず、従来の測定フローから説
明する。測定するウエーハを１０から２０枚を納めたカ
セットを自動ローダにセットする。搬送ロボットにより
カセット内に納められウエーハを１枚ずつ、順次に取り
出して装置内に自動ロードする。次に、電子光学系を調
節して、ロードしたウエーハの観察に適合した電子ビー
ムの条件に合致させる。半導体の寸法測定では、電子ビ
ームのエネルギーは８００Ｖ程度の低い値を用いる。観
察条件としてエネルギーを変化させることもあるが、８
００Ｖにまで低下させるとほとんどの半導体ウエーハに
適合できる。そこで、残る条件設定はビーム電流であ
る。ビーム電流の強度は測定寸法値のコンタミネーショ
ンによるふとり変化，熱等による変形，チャージアップ
による偏向歪に起因する測定誤差を押えるためにウエー
ハによって適宜変更をする必要がある。このビーム電流
設定の操作には、技術者の介在が必要で、時間的にも１
０−２０分を必要とする。次にウエーハ内の特定箇所
（例えば周辺に作られたマーカー）によりウエーハ位置
を計算機に認識させる。これにより、指定した任意の箇
所を観察，測定することができる。測定はウエーハ内の
数１０から数１００のチップの特定のチップ(Ｎ)を選択
し、この中の特定の点（ｎ）を順次移動させて行う。典
型的例ではＮ，ｎともに５点でウエーハ内の２５点を測
定する。測定が完了するとウエーハをアンロードし、次
のウエーハをロードする。全く同じ観察条件のウエーハ
の場合には電子ビーム強度の設定は不要であるが、通常
は新たに適合する条件に合わせる。この時、再度技術者
の介在が必要である。この一連の測定を２０ウエーハに
ついて実施するとロード，アンロードに要する時間の３
０分と実質的な測定時間は３０分程度であるのに対し、
調整に要する時間は２００−４００分に達する。しか
も、無人自動化は不可能で、半導体の無人自動化の阻害
要因となっていた。

【００３２】図７は本発明を適用した寸法測定のフロー
を示す。本実施例では測定を開始する前に、テスト用の
試料（例えばメッシュ）を用いて電子光学系調整を行
う。この調整では電子ビームを連続で照射する条件で必
要な最大ビーム電流が得られるに要する。このウエーハ
を自動ロードし、ウエーハのアライメントを実施する。
アライメント後、本発明によるビーム電流調整により測
定するウエーハの観察条件に設定する。ロードしたウエ
ーハの測定を完了後、ウエーハを自動アンロードする。
次のウエーハをロードした後、ウエーハのアライメント
を実施し、電子ビーム強度の設定を行う。本実施例によ
ればこれまで１０〜２０分を要していた電子ビーム強度
の設定が瞬時（＜１秒）に行うことができる。この結
果、ロードとアンロードに要する時間３０分と測定に要
する時間３０分のみの６０分で完了し、測定の高速化と
無人化を可能にする。

【００３３】また本発明では試料の温度上昇，絶縁物で
のチャージアップ，コンタミネーションの程度に基づ
き、照射強度を最適に設定するという効果を達成するた
めに電子光学系の調整手段についても配慮が成されてい
る。

【００３４】即ち、多少上述したような弊害が起こって
もきれいな像情報を得たい場合はビームの走査回数を優
先すればよい。上述したような弊害を絶対に起こしたく
ないような場合はビームの電流値や累積加算電流値に基
づいて他の条件を設定する。このように対象試料の条件
や走査電子顕微鏡自体の性能等に鑑み、技術者の経験則
に基づいて測定状態を設定できるようにすれば、経験豊
かな技術者にとって使い勝手の良い装置の提供が可能と
なる。

【００３５】このような効果を達成するための具体的構
成としては、上述した寸法測定フロー内の、技術者の介
在の行程において、ビーム走査回数を優先するか、ビー
ム電流値或いはビームの累積加算電流値を優先するかの
選択を技術者に委ねるようにすればよい。より具体的に
表現するならば、技術者の介在の行程において表示装置
３２にいずれを選択するのかを技術者が決定し得るよう
な表示を出せばよい。技術者がその選択を行うと優先す
べき条件を先に決定し、その値に基づいて残りの条件が
手動、或いは自動的に決定される。

【００３６】

【発明の効果】本発明の方法を用いると走査形顕微鏡の
操作上の課題であった電子ビ−ム強度（ビーム電流）の
設定を任意に、照射系の軸調整を行うことなく実行で
き、これまで問題となった試料の温度上昇，絶縁物での
チャージアップ，コンタミネーションに対し照射強度を
最適に設定することが可能になり、半導体の寸法測定で
は自動測定の高速化が図れると共に無人化が実現出来
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例を示す図。

【図２】積算画像の表示法を説明する図。

【図３】ブランキングを実行している時の積算画像の表
示を説明する図。

【図４】ブランキング時にビーム電流を測定する本発明
の他の実施例を説明する図。

【図５】選択出来るビーム電流表示の一例を示す図。

【図６】これまでの半導体における寸法測定のフローを
説明する図。

【図７】本発明を用いた寸法測定を説明する図。

【符号の説明】

１…電子ビーム、２…走査偏向板（Ｙ）、３…走査偏向
板（Ｘ）、４…試料、５…二次元走査、６…二次電子検
出器、７…信号Ａ−Ｄ変換器、８…Ｙ走査アンプ、９…
Ｙ走査Ｄ−Ａ変換器、１０…Ｘ走査アンプ、１１…Ｘ走
査Ｄ−Ａ変換器、１２…書き込みアドレス生成回路、１
３…書き込みクロック、１４…画像メモリ、１５…信号
Ｄ−Ａ変換器、１６…読み出しアドレス生成回路、１７
…読み出しクロック、１８…Ｘ偏向Ｄ−Ａ変換器、１９
…Ｙ偏向ＤーＡ変換器、２０…ブラウン管、２１…Ｘ偏
向アンプ、２２…Ｙ偏向アンプ、２３…Ｘ偏向板、２４
…Ｙ偏向板、２５…二次電子、２６…走査像、２７…ブ
ランキング電源、２８…ブランキング偏向板、２９…ブ
ランキングアパーチャ、３０…計算機、３１…ブランキ
ングカップ、３２…プローブ電流計。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】荷電粒子または光を試料上に走査し、該荷
電粒子または光の照射により試料から二次的に発生する
荷電粒子または光を検知することで、該試料の形状また
は組成の走査像を得る走査形顕微鏡において、２回以上
の二次元走査像を積算して走査像として表示する機能を
備え、且つ前記荷電粒子または光を二次元走査単位で遮
断する機能を備えたことを特徴とする走査形顕微鏡。
【請求項２】前記遮断する機能は、１つの走査像を得る
に必要な走査回数の設定に基づき機能することを特徴と
する請求項１に記載の走査形顕微鏡。
【請求項３】前記遮断する機能は前記荷電粒子または光
の強度設定に基づき、遮断回数或いは遮断周期を設定す
ることを特徴とする請求項１に記載の走査形顕微鏡。
【請求項４】前記遮断周期は前記走査像を得るための積
算周期と一致することを特徴とする請求項３に記載の走
査形顕微鏡。
【請求項５】前記遮断回数は前記走査像を得るための二
次元走査回数未満であることを特徴とする請求項３に記
載の走査形顕微鏡。
【請求項６】前記荷電粒子または光の二次元走査が商用
テレビジョン周波数またはこれに近い走査周波数で行わ
れていることを特徴とする請求項１に記載の走査形顕微
鏡。
【請求項７】前記二次元走査単位の荷電粒子または光の
遮断の割合を表示する機能を備えたことを特徴とする請
求項１に記載の走査形顕微鏡。
【請求項８】前記積算回数から実行可能な遮断割合のリ
ストを計算機の画面上に表示し、該表示されたリスト中
の遮断割合を選択することにより、荷電粒子または光を
試料上への二次元走査単位での遮断を実行することを特
徴とする請求項１に記載の走査形顕微鏡。
【請求項９】前記二次元走査単位の荷電粒子または光の
遮断は、前記荷電粒子または光の偏向手段によって成さ
れることを特徴とする請求項１に記載の走査形顕微鏡。
【請求項１０】前記二次元走査単位の荷電粒子または光
の遮断は前記荷電粒子または光の偏向手段と、該偏向手
段によって偏向された荷電粒子または光の光路上に位置
する遮断手段によって成されることを特徴とする請求項
９に記載の走査形顕微鏡。
【請求項１１】前記遮断手段に、該遮断手段に照射され
た荷電粒子または光を測定する機能を備えたことを特徴
とする請求項１０に記載の走査形顕微鏡。
【請求項１２】前記荷電粒子または光の強度を予め測定
し、該測定強度と遮断の割合から計算された荷電粒子ま
たは光の平均強度を計算機上の画面に表示し、該表示の
１つを選択することにより、該表示強度を得る荷電粒子
または光を試料上への二次元走査単位での遮断割合を実
行することを特徴とする請求項１または１１に記載の走
査形顕微鏡。
【請求項１３】前記二次元走査単位の荷電粒子の遮断
は、該荷電粒子の遮断は該荷電粒子の光路近傍に備えら
れた静電偏光板による偏向と、該偏向によってその開口
部から荷電粒子が外れるように配置されたアパーチャに
より成されることを特徴とする請求項１に記載の走査形
顕微鏡。
【請求項１４】前記アパーチャは中央底部に開口を持っ
たカップ状であることを特徴とする請求項１３に記載の
走査形顕微鏡。
【請求項１５】前記二次元走査単位の荷電粒子または光
の遮断は前記二次元走査を行うための走査手段によって
成されることを特徴とする請求項１に記載の走査形顕微
鏡。
【請求項１６】前記二次元走査単位の荷電粒子または光
の遮断は、前記走査手段に対しその遮断タイミングに、
走査信号とは異なる信号であると共に前記二次元走査の
領域を外れるような信号を重畳することを特徴とする請
求項１５に記載の走査形顕微鏡。
【請求項１７】試料を自動的にロード，アンロードする
機能と、計算機により制御された試料ステージ機能と、
ステージ上の試料に荷電粒子または光により二次的に発
生する荷電粒子または光を検知することで試料の形状寸
法，組成等を計測また分析を行う荷電粒子または光の走
査顕微鏡機能で構成される計測，分析システムにおい
て、該走査形電子顕微鏡が２回以上の二次元走査像を積
算して二次元走査像として表示する機能と、走査する荷
電粒子または光を二次元走査単位で遮断する機能と、該
二次元走査単位の遮断周期が二次元走査の積算周期以内
で、かつ該周期内での遮断走査回数が二次元走査像の積
算回数未満である走査形顕微鏡の観察機能を備えている
ことを特徴とする計測分析システム。
【請求項１８】荷電粒子または光を試料上に走査し、該
荷電粒子または光の照射により試料から二次的に発生す
る荷電粒子または光を検知することで、該試料の形状ま
たは組成の走査像を得る走査形顕微鏡において、２回以
上の二次元走査像を積算して走査像として表示する機能
を備え、該積算の回数から実行可能な遮断割合を計算機
の画面上に表示し、該表示された遮断割合を選択するこ
とにより、荷電粒子または光を試料上への二次元走査単
位での遮断を実行することを特徴とする走査形顕微鏡。