JPH09331152A - 回路基板の製造方法 - Google Patents

回路基板の製造方法

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JPH09331152A
JPH09331152A JP8149498A JP14949896A JPH09331152A JP H09331152 A JPH09331152 A JP H09331152A JP 8149498 A JP8149498 A JP 8149498A JP 14949896 A JP14949896 A JP 14949896A JP H09331152 A JPH09331152 A JP H09331152A
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JP
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wiring pattern
layer
forming
circuit board
plating layer
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JP8149498A
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Takeo Kawahara
武男 河原
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Tokuyama Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は回路基板の製造方法に関し、内層に
微細な配線パターンを形成することができる回路基板の
製造方法を提供することを目的としている。 【解決手段】 絶縁基板の両面に第1の配線パターンを
形成する第1の工程と、該第1の配線パターンの上に絶
縁層を形成する第2の工程と、前記絶縁基板の所定の位
置にスルーホールをあける第3の工程と、該スルーホー
ルに硬化性導電部材を充填し、硬化させる第4の工程
と、該硬化性導電部材を平に加工した後、その上にメッ
キ層を形成する第5の工程と、該メッキ層をエッチング
して所定の第2の配線パターンを形成する第6の工程と
により構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は回路基板の製造方法
に関する。従来、プリント回路基板に部品を実装する場
合は、その表面に回路部品を乗せて、回路部品のリード
をスルーホールに差し込み、ハンダ付けするのが普通で
あった。しかしながら、近年、回路部品の実装密度が向
上し、それに伴い配線パターンも微細化し、回路部品の
ピン数も大幅に増加している。このような回路基板の高
密度化に伴い、プリント回路基板も3層以上のものが用
いられるようになってきており、製造の容易な多層回路
基板が要求されるようになってきている。
【0002】
【従来の技術】図5,図6は従来の多層回路基板の製造
工程を示す図である。(a)において、1は絶縁基板
(プリント基板)、2は該絶縁基板1の表面と裏面とを
貫通するスルーホール、3は絶縁基板1の表面と裏面に
形成された銅箔である。絶縁基板1としては、例えば厚
さ1.2mmのガラスエポキシ基板が用いられる。スル
ーホール2は銅箔3よりなる配線パターン(回路パター
ン)間の間にドリリングによりあけられている。スルー
ホール2の直径としては、例えば0.4mm程度であ
る。
【0003】次に、(b)に示すように、スルーホール
2に硬化性導電部材としての銅ペースト4を、上記配線
パターンより0.25mm程度突出するように、スクリ
ーン印刷法により充填する。この銅ペーストにより、絶
縁基板1の表面と裏面の配線パターンが電気的に接続さ
れることになる。次に、銅ペースト4をエアオーブンで
50゜Cで30分、180゜Cで60分の条件で硬化さ
せる。
【0004】次に、配線パターン(銅箔)3と銅ペース
ト4の硬化体により構成される表面を200番のバフと
360番のバフを順次使用して、(c)に示すように平
滑に研削する。次に、(d)に示すように、スルーホー
ル部分を含む平滑化された導電層表面に、無電解鍍金、
電解鍍金を施し厚さ15μm程度の鍍金層(メッキ層)
5を形成する。次に、メッキ層5の表面にエッチングレ
ジストをラミネートし、露光、現像してレジストパター
ンを形成し、塩化第2鉄エッチング液でエッチングを行
なった後、エッチングレジストを剥離することにより、
(e)に示すような配線パターン6を形成する。
【0005】次に、(f)に示すように絶縁基板1の両
面に絶縁層7を形成し、導通が必要な箇所には開口部8
を形成する。次に、絶縁層7の表面に、(g)に示すよ
うに第2のメッキ層9を形成する。次に、該メッキ層9
の表面にエッチングレジストをラミネートし、露光、現
像してレジストパターンを形成し、塩化第2鉄エッチン
グ液でエッチングを行なった後、エッチングレジストを
剥離することにより、(h)に示すように第2の配線パ
ターン9’を形成する。このようにして、多層回路基板
を製造することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】以上、説明したよう
に、従来の製造工程は、銅箔を有する両面基板にスルー
ホール形成→銅ペースト充填→多層配線パターン形成と
いう工程をとっている。この従来の方法では、銅箔3又
はその上に形成されるメッキ層5の層が厚い場合、エッ
チング時にエッチング液により銅箔及びメッキ層が侵食
されるという問題があった。図7は、従来の製造工程の
問題点の説明図である。図5と同一のものは、同一の符
合を付して示す。図に示すように、銅箔3及びメッキ層
5の側面部分が20に示すようにえぐれてしまう。この
エッチング液による侵食の影響は、銅箔3又はその上に
形成されるメッキ層5が厚い程大きくなる。この結果、
内層に微細な配線パターンを形成できないという問題が
あった。
【0007】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであって、内層に微細な配線パターンを形成するこ
とができる回路基板の製造方法を提供することを目的と
している。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記した課題を解決する
本発明は、絶縁基板の両面に第1の配線パターンを形成
する第1の工程と、該第1の配線パターンの上に絶縁層
を形成する第2の工程と、前記絶縁基板の所定の位置に
スルーホールをあける第3の工程と、該スルーホールに
硬化性導電部材を充填し、硬化させる第4の工程と、該
硬化性導電部材を平に加工した後、その上にメッキ層を
形成する第5の工程と、該メッキ層をエッチングして所
定の第2の配線パターンを形成する第6の工程とにより
構成されることを特徴としている。
【0009】この発明の構成によれば、銅箔層が絶縁層
により覆われた上から第2の配線パターンを形成してい
るので、第1の配線パターンである銅箔層が第2の配線
パターンを形成する時に用いられるエッチング液により
侵食されることがなくなり、内層に微細な配線パターン
を形成することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態例を詳細に説明する。図1は本発明方法の一実
施の形態例を示すフローチャートである。本発明方法
は、絶縁基板の両面に第1の配線パターンを形成する第
1の工程と、該第1の配線パターンの上に絶縁層を形成
する第2の工程と、該絶縁基板の所定の位置にスルーホ
ールをあける第3の工程と、該スルーホールに硬化性導
電部材を充填し、硬化させる第4の工程と、該硬化性導
電部材を平に加工した後、その上にメッキ層を形成する
第5の工程と、該メッキ層をエッチングして所定の第2
の配線パターンを形成する第6の工程とにより構成され
る。そして、このような工程をとることにより、内層に
微細な配線パターンを形成することができる回路基板の
製造方法を提供することができる。
【0011】図2,図3は本発明方法による回路基板の
製造工程の一実施の形態例を示す図である。これら図は
断面を示し、図5と同一のものは、同一の符合を付して
示す。
【0012】(a)絶縁基板1の両面(表面と裏面)に
第1の配線パターンを形成する。図(a)は絶縁基板1
の両面に第1の配線パターンが形成された様子を示して
いる。図において、1は絶縁基板、10は該絶縁基板1
の両面に形成された第1の配線パターンである。絶縁基
板1としては、例えば厚さ1.2mmのガラスエポキシ
基板を用い、該絶縁基板1の両面に形成された銅箔3よ
りなる導電層表面にエッチングレジストをラミネート
し、露光、現像してレジストパターンを形成し、その後
塩化第2鉄エッチング液でエッチングを行なった後、エ
ッチングレジストを剥離することにより、第1の配線パ
ターン10を形成する。
【0013】(b)前記第1の配線パターン10の上に
絶縁層を形成する。図において、11は絶縁基板1と第
1の配線パターン10よりなる両面回路基板の上に形成
された絶縁層、12は該絶縁層11の所定の箇所に形成
された開口部である。このために、感光性絶縁レジスト
(プロビコート5000:商品名日本ペイント社製)を
回路基板の表面に塗布し、乾燥し、露光、現像を行なっ
た後、熱硬化し、電気的接続を必要とする箇所に直径
0.15mm程度の開口部12を形成する。この開口部
12は、絶縁層11の上に形成する第2の配線パターン
と、第1の配線パターン10との間の電気的接続(導
通)をとるためのものである。
【0014】(c)前記絶縁基板1の所定の位置にスル
ーホールをあける。回路基板の表面と裏面の電気的接続
が必要な箇所に、ドリリングによりスルーホールをあけ
る。図の13がこのようにして開けられたスルーホール
である。
【0015】(d)前記絶縁層11の表面を粗面化処理
した後、その両面に無電解鍍金、電気鍍金を施し、厚み
が15μm程度の銅鍍金層(第1のメッキ層)を形成す
る。粗面化処理は、絶縁層11とメッキ層との接着力を
高めるために、絶縁層11の表面を粗くするものであ
る。図(d)の14が第1のメッキ層である。開口部1
2で第1の配線パターン10と第1のメッキ層14とが
電気的に接続される。このメッキを施すのは、第1の配
線パターン10と後述する硬化性導電部材(銅ペース
ト)との電気接続を良好に保つために行なうものであ
る。
【0016】(e)前記スルーホール13に硬化性導電
部材を充填する。硬化性導電部材(銅ペースト)13の
成分としては、バインダ成分として、エポキシ当量が1
73g/当量のビスフェノールAジグリシジルエーテル
と該ビスフェノールAジグリシジルエーテル100重量
部に対して、69重量部のウンデシルグリシジルエーテ
ルと、硬化剤としてノボラック型フェノール樹脂を57
重量部と、銅粉として、平均粒径10.5μmの樹枝状
銅粉をバインダに対し400重量部添加し、更に2−エ
チル−4−メチルイミダゾールを、バインダ100重量
部に対し2.8重量部加えたものを3本ロールで45分
間混練して調整する。
【0017】このような成分の銅ペースト15を、第1
のメッキ層14より0.25mm程度突出するように、
スクリーン印刷法により充填し、エアオーブンで50゜
C−30分、180゜C−60分の条件で硬化させる。
【0018】(f)第1のメッキ層14及び硬化性導電
部材の硬化体(銅ペースト)15によって構成される表
面を200番のバフと360番のバフを順次使用して、
平滑に研削する。
【0019】(g)銅ペースト15の層を含む導電層上
に、無電解鍍金を施し、厚みが5μm程度の鍍金層(第
2のメッキ層)を得る。(g)の16が第2のメッキ層
である。該第2のメッキ層16は、第1のメッキ層14
を介して第1の配線パターン10と電気的に接続され
る。
【0020】(h)第2のメッキ層16の表面に、エッ
チングレジストをラミネートし、露光、現像してレジス
トパターンを形成し、塩化第2鉄液でエッチングを行な
った後、エッチングレジストを剥離することにより、第
2の配線パターン17を形成する。内層の回路パターン
(第1の配線パターン10)と外層の回路パターン(第
2の配線パターン17)とは、第1及び第2のメッキ層
14,16を介して電気的に接続される。これにより、
絶縁基板1の表面と裏面のそれぞれに2層で計4層の配
線パターンを有する多層回路基板を得ることができる。
この場合において、内層と外層よりなる2層のパターン
を絶縁基板1の表面又は裏面の何れか一方にのみ形成す
れば、3層の回路基板となる。
【0021】この実施の形態例によれば、銅箔層(第1
の配線パターン10)が絶縁層11により覆われた上か
ら第2の配線パターン17を形成しているので、第1の
配線パターンである銅箔層10が第2の配線パターン1
7を形成する時に用いられるエッチング液により侵食さ
れることがなくなり、内層に微細な配線パターンを形成
することができる。
【0022】なお、上記の実施の形態例において、第2
の配線パターン17と第1のメッキ層14との厚みが厚
くなりすぎると、第2の配線パターンの形成時のエッチ
ングにおいて、これらの層の側面がえぐれるおそれがあ
るが、第1のメッキ層の厚みは、銅ペースト硬化後の表
面研磨と同時に研磨して調整可能であるため、研磨量を
調整することにより側面のえぐれが生じない程度の厚み
にすればよい。
【0023】このように、本発明によれば、絶縁基板の
両面に第1の配線パターンを形成する第1の工程と、該
第1の配線パターンの上に絶縁層を形成する第2の工程
と、前記絶縁基板の所定の位置にスルーホールをあける
第3の工程と、該スルーホールに硬化性導電部材を充填
し、硬化させる第4の工程と、該硬化性導電部材を平に
加工した後、その上にメッキ層を形成する第5の工程
と、該メッキ層をエッチングして所定の第2の配線パタ
ーンを形成する第6の工程とにより構成されることによ
り、内層に微細な配線パターンを形成することができる
回路基板の製造方法を提供することができる。
【0024】上述の実施の形態例では、絶縁基板1の表
面と裏面にそれぞれ2層ずつ、計4層形成する場合を例
にとったが、表面又は裏面の何れか一方に2層目を形成
するようにしてもよい。この場合には、回路基板は3層
となる。
【0025】上述の実施の形態例によれば、合計4層の
回路基板を実現する場合を例にとった。しかしながら、
本発明はこれに限るものではなく、絶縁層を形成する工
程と、該絶縁層の上にメッキ層を形成する工程と、該メ
ッキ層をエッチングして配線パターンを形成する工程
を、絶縁基板1の表面と裏面又はその何れかの面に任意
の数だけ設けることにより、任意の層数の回路基板を作
成することができる。
【0026】また、上述の実施の形態例では、内層の第
1の配線パターン10と銅ペースト15との接続を確実
に行なうために、絶縁層11の表面を粗面化処理した
後、その両面に無電解鍍金、電気鍍金を施し、厚みが1
5μm程度の銅鍍金層(第1のメッキ層)を形成する工
程(d)を設けた場合を例にとった。しかしながら、内
層の第1の配線パターン10と銅ペースト15との接続
がそのままの状態で確実に行なえる場合には、(d)の
工程は不要である。また、上述の実施の形態例では、最
終的な回路基板の最外層がメッキ層が2層より構成され
ている場合を例にとった。最外層が2層になることを避
ける必要がある場合には、前記工程(f)において、第
1のメッキ層14まで含めて研削するようにすればよ
い。
【0027】
【実施例】前述のようにして得られた多層回路基板の表
裏に位置し、かつ共通するスルーホールに接続する配線
パターン17間の抵抗を測定した結果、平均で23mΩ
であった。また、図4に示すような多層回路基板の表裏
に位置する配線パターン間を含むテストパターンを使用
したJIS C−5012の熱衝撃試験(−65゜C×
30分←→125゜C×30分:図4において(1)と
(1)、(2)と(2)、(3)と(3)間の抵抗測
定)において、サイクル数100回を過ぎても、上記の
多層回路基板の表裏に位置する配線パターン17間を含
むテストパターンの導通があり、また、その後の電気的
抵抗の上昇も殆どなかった。
【0028】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、絶縁基板の両面に第1の配線パターンを形成す
る第1の工程と、該第1の配線パターンの上に絶縁層を
形成する第2の工程と、該絶縁基板の所定の位置にスル
ーホールをあける第3の工程と、該スルーホールに硬化
性導電部材を充填し、硬化させる第4の工程と、該硬化
性導電部材を平に加工した後、その上にメッキ層を形成
する第5の工程と、該メッキ層をエッチングして所定の
第2の配線パターンを形成する第6の工程とにより構成
されることにより、内層に微細な配線パターンを形成す
ることができる回路基板の製造方法を提供することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明方法の一実施の形態例を示すフローチャ
ートである。
【図2】本発明方法による回路基板の製造工程の一実施
の形態例を示す図である。
【図3】本発明方法による回路基板の製造工程の一実施
の形態例を示す図である。
【図4】熱衝撃試験用の回路基板の構造を示す説明図で
ある。
【図5】従来の多層回路基板の製造工程を示す図であ
る。
【図6】従来の多層回路基板の製造工程を示す図であ
る。
【図7】従来の製造工程の問題点の説明図である。
【符号の説明】
1 回路基板 10 第1の配線パターン 11 絶縁層 14 第1のメッキ層 15 銅ペースト 16 第2のメッキ層 17 第2の配線パターン

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁基板の両面に第1の配線パターンを
    形成する第1の工程と、 該第1の配線パターンの上に絶縁層を形成する第2の工
    程と、 前記絶縁基板の所定の位置にスルーホールをあける第3
    の工程と、 該スルーホールに硬化性導電部材を充填し、硬化させる
    第4の工程と、 該硬化性導電部材を平に加工した後、その上にメッキ層
    を形成する第5の工程と、 該メッキ層をエッチングして所定の第2の配線パターン
    を形成する第6の工程とにより構成される回路基板の製
    造方法。
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