JPH0934112A - フォトレジスト組成物 - Google Patents
フォトレジスト組成物Info
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- JPH0934112A JPH0934112A JP7278902A JP27890295A JPH0934112A JP H0934112 A JPH0934112 A JP H0934112A JP 7278902 A JP7278902 A JP 7278902A JP 27890295 A JP27890295 A JP 27890295A JP H0934112 A JPH0934112 A JP H0934112A
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- Japan
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- partially
- resin
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- weight
- polyvinylphenol
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/12—Nitrogen compound containing
- Y10S430/121—Nitrogen in heterocyclic ring
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐熱性、残膜率、塗布性、プロファイルなど
に優れるとともに、感度及び解像度にも優れたポジ型フ
ォトレジスト組成物を提供する。 【解決手段】 ポジ型フォトレジスト組成物のアルカリ
可溶性樹脂として、部分アルキルエーテル化ポリビニル
フェノール又はその部分水添物のフェノール性水酸基を
部分的に保護したポリビニルフェノール系樹脂を用い、
酸発生剤として、Ｎ−ヒドロキシイミド化合物のスルホ
ン酸エステルを用いる。アルカリ可溶性樹脂としては、
部分アルキルエーテル化ポリビニルフェノールのフェノ
ール性水酸基を部分的に保護したポリビニルフェノール
系樹脂であって、分散度の小さいものが一層効果的であ
る。 【効果】 この組成物は耐熱性や塗布性に優れ、また遠
紫外線光源、電子線、Ｘ線、放射光などによる露光領域
において、感度、解像度、プロファイル、残膜率などに
優れたポジ型パターンを与える。
に優れるとともに、感度及び解像度にも優れたポジ型フ
ォトレジスト組成物を提供する。 【解決手段】 ポジ型フォトレジスト組成物のアルカリ
可溶性樹脂として、部分アルキルエーテル化ポリビニル
フェノール又はその部分水添物のフェノール性水酸基を
部分的に保護したポリビニルフェノール系樹脂を用い、
酸発生剤として、Ｎ−ヒドロキシイミド化合物のスルホ
ン酸エステルを用いる。アルカリ可溶性樹脂としては、
部分アルキルエーテル化ポリビニルフェノールのフェノ
ール性水酸基を部分的に保護したポリビニルフェノール
系樹脂であって、分散度の小さいものが一層効果的であ
る。 【効果】 この組成物は耐熱性や塗布性に優れ、また遠
紫外線光源、電子線、Ｘ線、放射光などによる露光領域
において、感度、解像度、プロファイル、残膜率などに
優れたポジ型パターンを与える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、遠紫外線（エキシ
マーレーザー等を含む）、電子線、Ｘ線又は放射光によ
って作用するリソグラフィーなどに適したフォトレジス
ト組成物に関するものである。
マーレーザー等を含む）、電子線、Ｘ線又は放射光によ
って作用するリソグラフィーなどに適したフォトレジス
ト組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、集積回路の高集積化に伴い、サブ
ミクロンのパターン形成が要求されるようになってい
る。特にエキシマーレーザーリソグラフィーは、６４MD
RAM 及び２５６MDRAM の製造を可能とすることから、注
目されている。従来、リソグラフィープロセスには主と
して近紫外線が使われていたが、光源の変更に伴って、
レジストには、従来からの耐熱性、残膜率、プロファイ
ルなどの諸性能に加えて、新たに次のような性能も要求
されるようになっている。 ａ）上記光源に対して高感度であること、及び ｂ）高解像度であること。
ミクロンのパターン形成が要求されるようになってい
る。特にエキシマーレーザーリソグラフィーは、６４MD
RAM 及び２５６MDRAM の製造を可能とすることから、注
目されている。従来、リソグラフィープロセスには主と
して近紫外線が使われていたが、光源の変更に伴って、
レジストには、従来からの耐熱性、残膜率、プロファイ
ルなどの諸性能に加えて、新たに次のような性能も要求
されるようになっている。 ａ）上記光源に対して高感度であること、及び ｂ）高解像度であること。
【０００３】このような状況のもとで、酸触媒及び化学
増幅効果を利用した、いわゆる化学増幅型レジストが提
案されている。化学増幅型レジストは、光照射により、
酸発生剤から発生した酸を触媒とする反応によって、露
光部の現像液に対する溶解性を発現させるものであり、
これによってポジ型フォトレジストが得られる。
増幅効果を利用した、いわゆる化学増幅型レジストが提
案されている。化学増幅型レジストは、光照射により、
酸発生剤から発生した酸を触媒とする反応によって、露
光部の現像液に対する溶解性を発現させるものであり、
これによってポジ型フォトレジストが得られる。
【０００４】化学増幅型ポジ型レジストには、従来か
ら、ポリビニルフェノールのフェノール性水酸基を、酸
の作用により脱離する基、例えばtert−ブトキシカルボ
ニル基で保護した樹脂が多く用いられてきた。しかしな
がら、tert−ブトキシカルボニル基を保護基とした場
合、この基は疎水性が大きく、保護率を高めると現像液
を弾いてしまうため、感度や解像度の向上には限界があ
った。また、フェノール性水酸基をtert−ブトキシカル
ボニル基で保護したポリビニルフェノール系の樹脂は、
耐熱性が悪く、環境からの影響が大きいという欠点があ
った。
ら、ポリビニルフェノールのフェノール性水酸基を、酸
の作用により脱離する基、例えばtert−ブトキシカルボ
ニル基で保護した樹脂が多く用いられてきた。しかしな
がら、tert−ブトキシカルボニル基を保護基とした場
合、この基は疎水性が大きく、保護率を高めると現像液
を弾いてしまうため、感度や解像度の向上には限界があ
った。また、フェノール性水酸基をtert−ブトキシカル
ボニル基で保護したポリビニルフェノール系の樹脂は、
耐熱性が悪く、環境からの影響が大きいという欠点があ
った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、耐熱性、残
膜率、塗布性、プロファイルなどの諸性能に優れ、また
感度及び解像度にも優れたポジ型フォトレジスト組成物
を提供することを目的とする。
膜率、塗布性、プロファイルなどの諸性能に優れ、また
感度及び解像度にも優れたポジ型フォトレジスト組成物
を提供することを目的とする。
【０００６】本発明者らは、かかる目的を達成すべく鋭
意研究を行った結果、特定の成分を組み合わせることに
より、優れた性質を有するポジ型フォトレジスト組成物
が得られることを見いだし、本発明を完成した。
意研究を行った結果、特定の成分を組み合わせることに
より、優れた性質を有するポジ型フォトレジスト組成物
が得られることを見いだし、本発明を完成した。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、アル
カリ可溶性樹脂及び酸発生剤を含有するポジ型フォトレ
ジスト組成物であって、上記アルカリ可溶性樹脂が、部
分アルキルエーテル化ポリビニルフェノール又はその部
分水添物のフェノール性水酸基を部分的に保護したもの
を含有し、そして上記酸発生剤が、Ｎ−ヒドロキシイミ
ド化合物のスルホン酸エステルを含有するポジ型フォト
レジスト組成物を提供するものである。
カリ可溶性樹脂及び酸発生剤を含有するポジ型フォトレ
ジスト組成物であって、上記アルカリ可溶性樹脂が、部
分アルキルエーテル化ポリビニルフェノール又はその部
分水添物のフェノール性水酸基を部分的に保護したもの
を含有し、そして上記酸発生剤が、Ｎ−ヒドロキシイミ
ド化合物のスルホン酸エステルを含有するポジ型フォト
レジスト組成物を提供するものである。
【０００８】特に、部分アルキルエーテル化ポリビニル
フェノールのフェノール性水酸基を部分的に保護したポ
リビニルフェノール系樹脂であって、分散度の小さいも
のをアルカリ可溶性樹脂として用いることにより、耐熱
性及びプロファイルが一層向上する。
フェノールのフェノール性水酸基を部分的に保護したポ
リビニルフェノール系樹脂であって、分散度の小さいも
のをアルカリ可溶性樹脂として用いることにより、耐熱
性及びプロファイルが一層向上する。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明では、アルカリ可溶性樹脂
として、部分アルキルエーテル化ポリビニルフェノール
又はその部分水添物のフェノール性水酸基を部分的に保
護したものを用いる。 ここでいうポリビニルフェノー
ル又はその部分水添物とは、ベンゼン環に水酸基及びビ
ニル基が結合した化合物、すなわちビニルフェノール、
の重合体、又はそれの部分水添物をいう。ビニルフェノ
ールにおける水酸基とビニル基の位置は特に限定される
ものでないが、一般にはｐ−ビニルフェノールが好まし
く、したがってその重合体、すなわちポリ（ｐ−ビニル
フェノール）及び水素化ポリ（ｐ−ビニルフェノール）
が好ましく用いられる。ポリビニルフェノールの部分水
添物を用いる場合、ベンゼン環の二重結合が水素添加に
よって飽和している割合（水素化度）は、一般には５０
％以下であり、好ましくは２〜１５％の範囲である。
として、部分アルキルエーテル化ポリビニルフェノール
又はその部分水添物のフェノール性水酸基を部分的に保
護したものを用いる。 ここでいうポリビニルフェノー
ル又はその部分水添物とは、ベンゼン環に水酸基及びビ
ニル基が結合した化合物、すなわちビニルフェノール、
の重合体、又はそれの部分水添物をいう。ビニルフェノ
ールにおける水酸基とビニル基の位置は特に限定される
ものでないが、一般にはｐ−ビニルフェノールが好まし
く、したがってその重合体、すなわちポリ（ｐ−ビニル
フェノール）及び水素化ポリ（ｐ−ビニルフェノール）
が好ましく用いられる。ポリビニルフェノールの部分水
添物を用いる場合、ベンゼン環の二重結合が水素添加に
よって飽和している割合（水素化度）は、一般には５０
％以下であり、好ましくは２〜１５％の範囲である。
【００１０】かかるポリビニルフェノール又はその部分
水添物は、部分的にアルキルエーテル化される。 この
部分的なアルキルエーテル化は、例えば、 N. Rabjohn
他編"Organic Syntheses Collective Volume 4", pp. 8
36-839, John Wiley & Sons(1963) などに記載の方法
に準じて、ポリビニルフェノール又はその部分水添物
を、塩基性条件下でハロゲン化アルキルと反応させるこ
とにより行うことができる。ここでのアルキルは、炭素
数１〜４のものが好ましく、炭素数が３以上の場合は、
直鎖状でも分枝状でもよい。特にここでのアルキルは、
メチル又はエチルであるのが好ましい。一方、ハロゲン
化アルキルにおけるハロゲンは、塩素、臭素、ヨウ素な
どであることができるが、特にヨウ素であるのが好まし
い。したがってハロゲン化アルキルとしては、ヨウ化メ
チルやヨウ化エチルが好ましく用いられる。またこの
際、ポリビニルフェノール又はその部分水添物中の水酸
基のうち、アルキルエーテル化される割合（エーテル化
率）は、一般には０.1〜３５％の範囲が好ましく、さら
には１〜２２％の範囲にあるのがより好ましい。ポリビ
ニルフェノールが水添されている場合は、エーテル化率
が上記範囲のなかでも、０.1〜３０％、さらには１〜２
０％の範囲にあるのが好ましい。
水添物は、部分的にアルキルエーテル化される。 この
部分的なアルキルエーテル化は、例えば、 N. Rabjohn
他編"Organic Syntheses Collective Volume 4", pp. 8
36-839, John Wiley & Sons(1963) などに記載の方法
に準じて、ポリビニルフェノール又はその部分水添物
を、塩基性条件下でハロゲン化アルキルと反応させるこ
とにより行うことができる。ここでのアルキルは、炭素
数１〜４のものが好ましく、炭素数が３以上の場合は、
直鎖状でも分枝状でもよい。特にここでのアルキルは、
メチル又はエチルであるのが好ましい。一方、ハロゲン
化アルキルにおけるハロゲンは、塩素、臭素、ヨウ素な
どであることができるが、特にヨウ素であるのが好まし
い。したがってハロゲン化アルキルとしては、ヨウ化メ
チルやヨウ化エチルが好ましく用いられる。またこの
際、ポリビニルフェノール又はその部分水添物中の水酸
基のうち、アルキルエーテル化される割合（エーテル化
率）は、一般には０.1〜３５％の範囲が好ましく、さら
には１〜２２％の範囲にあるのがより好ましい。ポリビ
ニルフェノールが水添されている場合は、エーテル化率
が上記範囲のなかでも、０.1〜３０％、さらには１〜２
０％の範囲にあるのが好ましい。
【００１１】こうして部分的にアルキルエーテル化され
たポリビニルフェノール又はその部分水添物は、残存す
るフェノール性水酸基の一部を保護するための操作に供
される。本発明におけるフェノール性水酸基の保護基
は、アルコキシカルボニルアルキル、特にtert−ブトキ
シカルボニルメチルが好ましい。かかる保護基をフェノ
ール性水酸基に導入するにあたっては、通常の保護基導
入反応が採用できる。すなわち、アルコキシカルボニル
アルキルを保護基とする場合は、先に説明したような方
法で部分的にアルキルエーテル化されたポリビニルフェ
ノール又はその部分水添物に、塩基性条件下でハロゲノ
アルカン酸アルキルを反応させることによって、フェノ
ール性水酸基の一部をアルコキシカルボニルアルキルエ
ーテル化することができる。 ハロゲノアルカン酸アル
キルにおけるハロゲンは、塩素、臭素、ヨウ素などであ
ることができるが、ここでは塩素又はヨウ素であるのが
好ましい。一般にはクロロアルカン酸アルキルのほうが
入手が容易なので、こうしたクロロ体を用い、ヨウ化ア
ルカリの存在下で反応を行うことも可能である。
たポリビニルフェノール又はその部分水添物は、残存す
るフェノール性水酸基の一部を保護するための操作に供
される。本発明におけるフェノール性水酸基の保護基
は、アルコキシカルボニルアルキル、特にtert−ブトキ
シカルボニルメチルが好ましい。かかる保護基をフェノ
ール性水酸基に導入するにあたっては、通常の保護基導
入反応が採用できる。すなわち、アルコキシカルボニル
アルキルを保護基とする場合は、先に説明したような方
法で部分的にアルキルエーテル化されたポリビニルフェ
ノール又はその部分水添物に、塩基性条件下でハロゲノ
アルカン酸アルキルを反応させることによって、フェノ
ール性水酸基の一部をアルコキシカルボニルアルキルエ
ーテル化することができる。 ハロゲノアルカン酸アル
キルにおけるハロゲンは、塩素、臭素、ヨウ素などであ
ることができるが、ここでは塩素又はヨウ素であるのが
好ましい。一般にはクロロアルカン酸アルキルのほうが
入手が容易なので、こうしたクロロ体を用い、ヨウ化ア
ルカリの存在下で反応を行うことも可能である。
【００１２】こうした保護基導入反応により、ポリビニ
ルフェノール又はその部分水添物中にあった水酸基のう
ちの保護基で置換されたものの割合（保護基導入率）
が、１〜４０％の範囲となるようにするのが好ましい。
また、先のアルキルエーテル化された部分と合わせて、
ポリビニルフェノール又はその部分水添物中の水酸基の
うちの変性されたものの割合（合計変性率）は、１０〜
４５％の範囲にあるのが好ましい。
ルフェノール又はその部分水添物中にあった水酸基のう
ちの保護基で置換されたものの割合（保護基導入率）
が、１〜４０％の範囲となるようにするのが好ましい。
また、先のアルキルエーテル化された部分と合わせて、
ポリビニルフェノール又はその部分水添物中の水酸基の
うちの変性されたものの割合（合計変性率）は、１０〜
４５％の範囲にあるのが好ましい。
【００１３】かくして得られる部分アルキルエーテル化
ポリビニルフェノール又はその部分水添物のフェノール
性水酸基を部分的に保護した樹脂は、 ゲル浸透クロマ
トグラフィー（ＧＰＣ）により求めたポリスチレン換算
の重量平均分子量が 3,000〜35,000の範囲にあるのが好
ましい。より好ましい重量平均分子量は、 5,000以上で
あり、また 32,000 以下、さらには 25,000 以下、とり
わけ 20,000 以下である。上記したアルキルエーテル化
反応及び保護基導入反応によってポリビニルフェノール
又はその部分水添物の重合度自体が変化することはほと
んどないので、上記範囲のなかでもやや下側の重量平均
分子量、例えば 3,000〜30,000の範囲の重量平均分子量
を有するポリビニルフェノール又はその部分水添物を用
いることにより、部分アルキルエーテル化及び部分的保
護基導入後の重量平均分子量を上記範囲とすることがで
きる。
ポリビニルフェノール又はその部分水添物のフェノール
性水酸基を部分的に保護した樹脂は、 ゲル浸透クロマ
トグラフィー（ＧＰＣ）により求めたポリスチレン換算
の重量平均分子量が 3,000〜35,000の範囲にあるのが好
ましい。より好ましい重量平均分子量は、 5,000以上で
あり、また 32,000 以下、さらには 25,000 以下、とり
わけ 20,000 以下である。上記したアルキルエーテル化
反応及び保護基導入反応によってポリビニルフェノール
又はその部分水添物の重合度自体が変化することはほと
んどないので、上記範囲のなかでもやや下側の重量平均
分子量、例えば 3,000〜30,000の範囲の重量平均分子量
を有するポリビニルフェノール又はその部分水添物を用
いることにより、部分アルキルエーテル化及び部分的保
護基導入後の重量平均分子量を上記範囲とすることがで
きる。
【００１４】また、この樹脂の分散度、すなわち重量平
均分子量／数平均分子量の比は、特に限定されるわけで
はないが、一般には分散度の小さいものが好ましい。分
散度は、一般には１〜５程度であることができるが、な
かでも１.0１〜１.5、さらには１.0１〜１.4、とりわけ
１.0１〜１.3５の範囲にあるのが好ましい。特に、水添
されていない部分アルキルエーテル化ポリビニルフェノ
ールのフェノール性水酸基を部分的に保護した樹脂は、
分散度の小さいものであるのが好ましく、このような分
散度の小さい部分アルキルエーテル化ポリビニルフェノ
ールのフェノール性水酸基を部分的に保護した樹脂を用
いることにより、レジストの耐熱性及びプロファイルが
一層向上する。
均分子量／数平均分子量の比は、特に限定されるわけで
はないが、一般には分散度の小さいものが好ましい。分
散度は、一般には１〜５程度であることができるが、な
かでも１.0１〜１.5、さらには１.0１〜１.4、とりわけ
１.0１〜１.3５の範囲にあるのが好ましい。特に、水添
されていない部分アルキルエーテル化ポリビニルフェノ
ールのフェノール性水酸基を部分的に保護した樹脂は、
分散度の小さいものであるのが好ましく、このような分
散度の小さい部分アルキルエーテル化ポリビニルフェノ
ールのフェノール性水酸基を部分的に保護した樹脂を用
いることにより、レジストの耐熱性及びプロファイルが
一層向上する。
【００１５】部分アルキルエーテル化ポリビニルフェノ
ール又はその部分水添物のフェノール性水酸基を部分的
に保護した樹脂は、本発明のフォトレジスト組成物にお
けるアルカリ可溶性樹脂として、それぞれ単独で、又は
２種以上混合して用いることができる。さらには、本発
明の効果を損なわない範囲で、他のアルカリ可溶性樹脂
を混合することもできる。混合して用いられる他の樹脂
としては、例えば、ポリビニルフェノール樹脂、部分ア
ルキルエーテル化ポリビニルフェノール樹脂、ポリイソ
プロペニルフェノール樹脂、 ビニルフェノールとスチ
レンの共重合体（好ましくはビニルフェノールの割合が
５０モル％以上であるもの）、イソプロペニルフェノー
ルとスチレンの共重合体（好ましくはイソプロペニルフ
ェノールの割合が５０モル％以上であるもの）、ポリビ
ニルフェノールを部分的に水素添加した樹脂、部分水添
ポリビニルフェノール樹脂の部分アルキルエーテル化物
などが挙げられる。またこれらの樹脂に、tert−ブトキ
シカルボニルメチルや、酸の作用により脱離する他の保
護基を付した樹脂を混合することもできる。
ール又はその部分水添物のフェノール性水酸基を部分的
に保護した樹脂は、本発明のフォトレジスト組成物にお
けるアルカリ可溶性樹脂として、それぞれ単独で、又は
２種以上混合して用いることができる。さらには、本発
明の効果を損なわない範囲で、他のアルカリ可溶性樹脂
を混合することもできる。混合して用いられる他の樹脂
としては、例えば、ポリビニルフェノール樹脂、部分ア
ルキルエーテル化ポリビニルフェノール樹脂、ポリイソ
プロペニルフェノール樹脂、 ビニルフェノールとスチ
レンの共重合体（好ましくはビニルフェノールの割合が
５０モル％以上であるもの）、イソプロペニルフェノー
ルとスチレンの共重合体（好ましくはイソプロペニルフ
ェノールの割合が５０モル％以上であるもの）、ポリビ
ニルフェノールを部分的に水素添加した樹脂、部分水添
ポリビニルフェノール樹脂の部分アルキルエーテル化物
などが挙げられる。またこれらの樹脂に、tert−ブトキ
シカルボニルメチルや、酸の作用により脱離する他の保
護基を付した樹脂を混合することもできる。
【００１６】本発明のフォトレジスト組成物は、上記の
アルカリ可溶性樹脂に加えて、酸発生剤としてＮ−ヒド
ロキシイミド化合物のスルホン酸エステルを含有する。
このＮ−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステ
ルとしては、例えば、一般式（Ｉ）
アルカリ可溶性樹脂に加えて、酸発生剤としてＮ−ヒド
ロキシイミド化合物のスルホン酸エステルを含有する。
このＮ−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステ
ルとしては、例えば、一般式（Ｉ）
【００１７】
【００１８】（式中、Ｒ1 はアリーレン、置換されてい
てもよいアルキレン又は置換されていてもよいアルケニ
レンを表し、Ｒ2 はフッ素以外の置換基で置換されてい
てもよいアルキル又はフッ素を有しないアリールを表
す）で示されるものが挙げられる。
てもよいアルキレン又は置換されていてもよいアルケニ
レンを表し、Ｒ2 はフッ素以外の置換基で置換されてい
てもよいアルキル又はフッ素を有しないアリールを表
す）で示されるものが挙げられる。
【００１９】一般式（Ｉ）において、Ｒ1 で表されるア
リーレンは、例えばフェニレンやナフチレンなどである
ことができ、これらのフェニレンやナフチレンは、無置
換でも置換されていてもよい。フェニレンやナフチレン
の置換基としては、炭素数１〜４のアルキル、炭素数１
〜４のアルコキシ、フッ素や塩素、臭素、ヨウ素のよう
なハロゲン、ニトロ、アセチルアミノなどが挙げられ
る。フェニレンは、１，２−フェニレンであるのが、ま
たナフチレンは、１，２−、２，３−又は１，８−ナフ
チレンであるのが好ましい。
リーレンは、例えばフェニレンやナフチレンなどである
ことができ、これらのフェニレンやナフチレンは、無置
換でも置換されていてもよい。フェニレンやナフチレン
の置換基としては、炭素数１〜４のアルキル、炭素数１
〜４のアルコキシ、フッ素や塩素、臭素、ヨウ素のよう
なハロゲン、ニトロ、アセチルアミノなどが挙げられ
る。フェニレンは、１，２−フェニレンであるのが、ま
たナフチレンは、１，２−、２，３−又は１，８−ナフ
チレンであるのが好ましい。
【００２０】Ｒ1 で表されるアルキレンは、例えば炭素
数１〜６のものであることができ、無置換でも置換され
ていてもよい。また炭素数２以上のアルキレンは、直鎖
状でも分枝状でもよい。好ましいアルキレンは、エチレ
ン、プロピレン、トリメチレンなどである。アルキレン
の置換基としては、フッ素や塩素、臭素、ヨウ素のよう
なハロゲン、炭素数１〜４のアルコキシ、無置換の又
は、炭素数１〜４のアルキル、炭素数１〜４のアルコキ
シ、ハロゲン、ニトロ、アセチルアミノのような置換基
で置換されたフェニルなどが挙げられる。
数１〜６のものであることができ、無置換でも置換され
ていてもよい。また炭素数２以上のアルキレンは、直鎖
状でも分枝状でもよい。好ましいアルキレンは、エチレ
ン、プロピレン、トリメチレンなどである。アルキレン
の置換基としては、フッ素や塩素、臭素、ヨウ素のよう
なハロゲン、炭素数１〜４のアルコキシ、無置換の又
は、炭素数１〜４のアルキル、炭素数１〜４のアルコキ
シ、ハロゲン、ニトロ、アセチルアミノのような置換基
で置換されたフェニルなどが挙げられる。
【００２１】Ｒ1 で表されるアルケニレンは、 例えば
炭素数２〜４のものであることができ、無置換でも置換
されていてもよく、また直鎖状でも分枝状でもよい。好
ましいアルケニレンは、ビニレンなどである。アルケニ
レンの置換基としては、無置換の又は、炭素数１〜４の
アルキル、炭素数１〜４のアルコキシ、ハロゲン、ニト
ロ、アセチルアミノのような置換基で置換されたフェニ
ルなどが挙げられる。
炭素数２〜４のものであることができ、無置換でも置換
されていてもよく、また直鎖状でも分枝状でもよい。好
ましいアルケニレンは、ビニレンなどである。アルケニ
レンの置換基としては、無置換の又は、炭素数１〜４の
アルキル、炭素数１〜４のアルコキシ、ハロゲン、ニト
ロ、アセチルアミノのような置換基で置換されたフェニ
ルなどが挙げられる。
【００２２】一般式（Ｉ）においてＲ2 で表されるアル
キルは、例えば炭素数１〜８のものであることができ、
無置換でも置換されていてもよい。また炭素数３以上の
アルキルは、直鎖状、分枝状又は環状であることができ
るが、好ましくは直鎖状のものである。アルキルの置換
基としては、塩素、臭素、ヨウ素など、フッ素以外のハ
ロゲン、炭素数１〜４のアルコキシ、 無置換の又は、
炭素数１〜４のアルキル、炭素数１〜４のアルコキシ、
フッ素以外のハロゲン、ニトロ、アセチルアミノのよう
な置換基で置換されたフェニルなどが挙げられる。
キルは、例えば炭素数１〜８のものであることができ、
無置換でも置換されていてもよい。また炭素数３以上の
アルキルは、直鎖状、分枝状又は環状であることができ
るが、好ましくは直鎖状のものである。アルキルの置換
基としては、塩素、臭素、ヨウ素など、フッ素以外のハ
ロゲン、炭素数１〜４のアルコキシ、 無置換の又は、
炭素数１〜４のアルキル、炭素数１〜４のアルコキシ、
フッ素以外のハロゲン、ニトロ、アセチルアミノのよう
な置換基で置換されたフェニルなどが挙げられる。
【００２３】Ｒ2 で表されるアリールは、例えばフェニ
ルやナフチルであることができ、これらのフェニルやナ
フチルは、無置換であっても置換されていてもよい。フ
ェニルやナフチルの置換基としては、炭素数１〜４のア
ルキル、炭素数１〜４のアルコキシ、塩素や臭素、ヨウ
素など、フッ素以外のハロゲン、ニトロ、アセチルアミ
ノなどが挙げられる。Ｒ2 で表されるアリールとして
は、単環のもの、すなわち無置換の又は置換されたフェ
ニルが好ましい。
ルやナフチルであることができ、これらのフェニルやナ
フチルは、無置換であっても置換されていてもよい。フ
ェニルやナフチルの置換基としては、炭素数１〜４のア
ルキル、炭素数１〜４のアルコキシ、塩素や臭素、ヨウ
素など、フッ素以外のハロゲン、ニトロ、アセチルアミ
ノなどが挙げられる。Ｒ2 で表されるアリールとして
は、単環のもの、すなわち無置換の又は置換されたフェ
ニルが好ましい。
【００２４】一般式（Ｉ）で示されるスルホン酸エステ
ルは、例えば、G.F. Jaubert, Ber.Dtsch. Chem. 28, 3
60 (1985)、 D.E. Ames et al., J. Chem. Soc., 35
18(1955)、又は M.A. Stolberg et al., J. Amer. Che
m. Soc., 79, 2615 (1957)に記載の方法に準じて製造さ
れるＮ−ヒドロキシジカルボン酸イミドを、 L.Bauer
et al., J. Org. Chem. 24, 1293 (1959) などに記載
の方法に準じて、塩基性条件下で、アルキル又はアリー
ルスルホニルクロライドと反応させることにより、製造
することができる。
ルは、例えば、G.F. Jaubert, Ber.Dtsch. Chem. 28, 3
60 (1985)、 D.E. Ames et al., J. Chem. Soc., 35
18(1955)、又は M.A. Stolberg et al., J. Amer. Che
m. Soc., 79, 2615 (1957)に記載の方法に準じて製造さ
れるＮ−ヒドロキシジカルボン酸イミドを、 L.Bauer
et al., J. Org. Chem. 24, 1293 (1959) などに記載
の方法に準じて、塩基性条件下で、アルキル又はアリー
ルスルホニルクロライドと反応させることにより、製造
することができる。
【００２５】好適な一般式（Ｉ）で示されるスルホン酸
エステルとしては、例えば次のようなものが挙げられ
る。
エステルとしては、例えば次のようなものが挙げられ
る。
【００２６】
【００２７】
【００２８】酸発生剤としてのＮ−ヒドロキシイミド化
合物のスルホン酸エステル、例えば前記一般式（Ｉ）で
示されるスルホン酸エステルは、この定義に入る化合物
１種のみを単独で、又は２種以上組み合わせて用いるこ
とができる。
合物のスルホン酸エステル、例えば前記一般式（Ｉ）で
示されるスルホン酸エステルは、この定義に入る化合物
１種のみを単独で、又は２種以上組み合わせて用いるこ
とができる。
【００２９】本発明のフォトレジスト組成物は、以上説
明したアルカリ可溶性樹脂及び酸発生剤を含有するもの
であるが、好ましくはさらに、電子供与体及び／又は溶
解阻止剤を含有する。
明したアルカリ可溶性樹脂及び酸発生剤を含有するもの
であるが、好ましくはさらに、電子供与体及び／又は溶
解阻止剤を含有する。
【００３０】電子供与体としては、酸化還元電位が１.7
eV 以下であるものが好ましく、例えば、多環系芳香族
化合物、複素多環系芳香族化合物などが挙げられる。好
ましく用いられる電子供与体は、例えば、２−ヒドロキ
シカルバゾール、β−ナフトール、４−メトキシナフト
ール、インドール酢酸などである。電子移動によって起
こる酸発生剤の分解反応は、電子供与体の存在により促
進され、感度が向上する。
eV 以下であるものが好ましく、例えば、多環系芳香族
化合物、複素多環系芳香族化合物などが挙げられる。好
ましく用いられる電子供与体は、例えば、２−ヒドロキ
シカルバゾール、β−ナフトール、４−メトキシナフト
ール、インドール酢酸などである。電子移動によって起
こる酸発生剤の分解反応は、電子供与体の存在により促
進され、感度が向上する。
【００３１】溶解阻止剤としては、フェノール性水酸基
の水素が、酸の作用により脱離する基、好ましくは例え
ば、tert−ブトキシカルボニルやtert−ブトキシカルボ
ニルメチル、で置換されたフェノール系化合物が挙げら
れ、これらの溶解阻止剤は、それぞれ単独で、又は２種
以上組み合わせて用いることができる。例えば特開平5-
341531 号公報(=EP-A-564,997) に記載されるtert−ブ
トキシカルボニルオキシ基がベンゼン環に結合した化合
物や、特開平 6-92909号公報(=EP-A-569,707)に記載さ
れる炭酸エステル環状化合物などが用いられる。好適な
溶解阻止剤は、例えば次のようなものである。
の水素が、酸の作用により脱離する基、好ましくは例え
ば、tert−ブトキシカルボニルやtert−ブトキシカルボ
ニルメチル、で置換されたフェノール系化合物が挙げら
れ、これらの溶解阻止剤は、それぞれ単独で、又は２種
以上組み合わせて用いることができる。例えば特開平5-
341531 号公報(=EP-A-564,997) に記載されるtert−ブ
トキシカルボニルオキシ基がベンゼン環に結合した化合
物や、特開平 6-92909号公報(=EP-A-569,707)に記載さ
れる炭酸エステル環状化合物などが用いられる。好適な
溶解阻止剤は、例えば次のようなものである。
【００３２】
【００３３】ここに、Ｒは次のいずれかの基を表す。
【００３４】
【００３５】ポジ型フォトレジスト組成物の好ましい組
成比は、この組成物中の全固形分重量を基準に、アルカ
リ可溶性樹脂が２０〜９５重量％、さらには２０〜９０
重量％の範囲、酸発生剤が０.1〜２０重量％の範囲であ
る。電子供与体を用いる場合は、同じく全固形分重量を
基準に０.0０１〜１０重量％、さらには０.0０１〜１重
量％の範囲で、また溶解阻止剤を用いる場合は、同じく
全固形分重量を基準に５〜５０重量％の範囲で、それぞ
れ配合するのが好ましい。本発明のポジ型フォトレジス
ト組成物は、必要に応じてさらに、増感剤、染料、接着
性改良剤など、この分野で慣用されている各種の添加物
を含有することもできる。
成比は、この組成物中の全固形分重量を基準に、アルカ
リ可溶性樹脂が２０〜９５重量％、さらには２０〜９０
重量％の範囲、酸発生剤が０.1〜２０重量％の範囲であ
る。電子供与体を用いる場合は、同じく全固形分重量を
基準に０.0０１〜１０重量％、さらには０.0０１〜１重
量％の範囲で、また溶解阻止剤を用いる場合は、同じく
全固形分重量を基準に５〜５０重量％の範囲で、それぞ
れ配合するのが好ましい。本発明のポジ型フォトレジス
ト組成物は、必要に応じてさらに、増感剤、染料、接着
性改良剤など、この分野で慣用されている各種の添加物
を含有することもできる。
【００３６】このポジ型フォトレジスト組成物は通常、
全固形分濃度が１０〜５０重量％となるよう、上記各成
分を溶剤に混合してレジスト溶液が調製され、シリコン
ウェハーなどの基体上に塗布される。ここで用いる溶剤
は、各成分を溶解するものであればよく、この分野で通
常用いられているものであることができる。例えば、エ
チルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテー
ト、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテー
トのようなグリコールエーテルエステル類、エチルセロ
ソルブ、メチルセロソルブ、プロピレングリコールモノ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエー
テル、ジエチレングリコールジメチルエーテルのような
グリコールモノ又はジエーテル類、乳酸エチル、酢酸ブ
チル、ピルビン酸エチルのようなエステル類、２−ヘプ
タノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンの
ようなケトン類、キシレンのような芳香族炭化水素類な
どが挙げられる。これらの溶剤は、それぞれ単独で、又
は２種以上組み合わせて用いることができる。
全固形分濃度が１０〜５０重量％となるよう、上記各成
分を溶剤に混合してレジスト溶液が調製され、シリコン
ウェハーなどの基体上に塗布される。ここで用いる溶剤
は、各成分を溶解するものであればよく、この分野で通
常用いられているものであることができる。例えば、エ
チルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテー
ト、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテー
トのようなグリコールエーテルエステル類、エチルセロ
ソルブ、メチルセロソルブ、プロピレングリコールモノ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエー
テル、ジエチレングリコールジメチルエーテルのような
グリコールモノ又はジエーテル類、乳酸エチル、酢酸ブ
チル、ピルビン酸エチルのようなエステル類、２−ヘプ
タノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンの
ようなケトン類、キシレンのような芳香族炭化水素類な
どが挙げられる。これらの溶剤は、それぞれ単独で、又
は２種以上組み合わせて用いることができる。
【００３７】
【実施例】次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら
限定されるものではない。例中にある部は、特にことわ
らないかぎり重量基準である。
に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら
限定されるものではない。例中にある部は、特にことわ
らないかぎり重量基準である。
【００３８】参考例１（水素化ポリビニルフェノールの
エチルエーテル化） 水素化ポリ（ｐ−ビニルフェノール） 〔丸善石油化学
（株）製の“リンカーPHM-C”、重量平均分子量 8,20
0、分散度２.2６、水素化度５〜１０％〕１０.0ｇをア
セトン１００mlに溶解し、炭酸カリウム１２.0ｇ及びヨ
ウ化エチル１.5６ｇを加えて６時間還流した。反応液を
濾過したあと、濾液をｐＨ３の酢酸水溶液２リットルに
滴下して再沈澱を行い、沈澱物を濾取した。濾過した樹
脂を６０℃で乾燥したあと、この樹脂の２０重量％アセ
トン溶液／ヘキサンが容量比で２／１となるように混合
溶液とし、この溶液を室温で１時間攪拌したあと、アセ
トン層を分取した。このアセトン層をイオン交換水２リ
ットルに展開し、固体を濾取することによって、水酸基
の１２％がエチルエーテル化された水素化ポリ（ｐ−ビ
ニルフェノール）を得た。
エチルエーテル化） 水素化ポリ（ｐ−ビニルフェノール） 〔丸善石油化学
（株）製の“リンカーPHM-C”、重量平均分子量 8,20
0、分散度２.2６、水素化度５〜１０％〕１０.0ｇをア
セトン１００mlに溶解し、炭酸カリウム１２.0ｇ及びヨ
ウ化エチル１.5６ｇを加えて６時間還流した。反応液を
濾過したあと、濾液をｐＨ３の酢酸水溶液２リットルに
滴下して再沈澱を行い、沈澱物を濾取した。濾過した樹
脂を６０℃で乾燥したあと、この樹脂の２０重量％アセ
トン溶液／ヘキサンが容量比で２／１となるように混合
溶液とし、この溶液を室温で１時間攪拌したあと、アセ
トン層を分取した。このアセトン層をイオン交換水２リ
ットルに展開し、固体を濾取することによって、水酸基
の１２％がエチルエーテル化された水素化ポリ（ｐ−ビ
ニルフェノール）を得た。
【００３９】参考例２（同上） ヨウ化エチルを１.9５ｇ用いた以外は、参考例１と同様
の操作を行って、水酸基の１５％がエチルエーテル化さ
れた水素化ポリ（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
の操作を行って、水酸基の１５％がエチルエーテル化さ
れた水素化ポリ（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
【００４０】参考例３（同上） ヨウ化エチルを０.7８ｇ用いた以外は、参考例１と同様
の操作を行って、 水酸基の６％がエチルエーテル化さ
れた水素化ポリ（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
の操作を行って、 水酸基の６％がエチルエーテル化さ
れた水素化ポリ（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
【００４１】参考例４（ポリビニルフェノールのエチル
エーテル化） ポリ（ｐ−ビニルフェノール）〔日本曹達（株）製の
"VP-5000"、重量平均分子量 12,800 、分散度１.2８〕
１０.0ｇをアセトン１００mlに溶解し、炭酸カリウム１
２.0ｇ及びヨウ化エチル０.1６ｇを加えて６時間還流し
た。反応液を濾過したあと、濾液をｐＨ３の酢酸水溶液
２リットルに滴下して再沈澱を行い、沈澱物を濾取し
た。濾過した樹脂を６０℃で乾燥したあと、この樹脂の
２０重量％アセトン溶液／ヘキサンが容量比で２／１と
なるように混合溶液とし、この溶液を室温で１時間攪拌
したあと、アセトン層を分取した。このアセトン層をイ
オン交換水２リットルに展開し、固体を濾取することに
よって、水酸基の１％がエチルエーテル化されたポリ
（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
エーテル化） ポリ（ｐ−ビニルフェノール）〔日本曹達（株）製の
"VP-5000"、重量平均分子量 12,800 、分散度１.2８〕
１０.0ｇをアセトン１００mlに溶解し、炭酸カリウム１
２.0ｇ及びヨウ化エチル０.1６ｇを加えて６時間還流し
た。反応液を濾過したあと、濾液をｐＨ３の酢酸水溶液
２リットルに滴下して再沈澱を行い、沈澱物を濾取し
た。濾過した樹脂を６０℃で乾燥したあと、この樹脂の
２０重量％アセトン溶液／ヘキサンが容量比で２／１と
なるように混合溶液とし、この溶液を室温で１時間攪拌
したあと、アセトン層を分取した。このアセトン層をイ
オン交換水２リットルに展開し、固体を濾取することに
よって、水酸基の１％がエチルエーテル化されたポリ
（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
【００４２】参考例５（保護基の導入） 参考例１で合成した樹脂５０.0ｇをアセトン５００mlに
溶解し、炭酸カリウム４.8ｇ、ヨウ化カリウム０.9６
ｇ、及びクロロ酢酸tert−ブチル５.0ｇを加えて１０時
間還流した。反応液を濾過したあと、樹脂をメチルイソ
ブチルケトン１リットルに溶解し、５００mlのイオン交
換水で３回洗浄した。メチルイソブチルケトンを減圧留
去して、水酸基の１２％がエチルエーテル化され、８％
がtert−ブトキシカルボニルメチルエーテル化された水
素化ポリ（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
溶解し、炭酸カリウム４.8ｇ、ヨウ化カリウム０.9６
ｇ、及びクロロ酢酸tert−ブチル５.0ｇを加えて１０時
間還流した。反応液を濾過したあと、樹脂をメチルイソ
ブチルケトン１リットルに溶解し、５００mlのイオン交
換水で３回洗浄した。メチルイソブチルケトンを減圧留
去して、水酸基の１２％がエチルエーテル化され、８％
がtert−ブトキシカルボニルメチルエーテル化された水
素化ポリ（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
【００４３】参考例６（同上） 原料仕込み量を、炭酸カリウム３.0ｇ、ヨウ化カリウム
０.6０ｇ及びクロロ酢酸tert−ブチル３.1３ｇとした以
外は、参考例５と同様の操作を行って、水酸基の１２％
がエチルエーテル化され、５％がtert−ブトキシカルボ
ニルメチルエーテル化された水素化ポリ（ｐ−ビニルフ
ェノール）を得た。
０.6０ｇ及びクロロ酢酸tert−ブチル３.1３ｇとした以
外は、参考例５と同様の操作を行って、水酸基の１２％
がエチルエーテル化され、５％がtert−ブトキシカルボ
ニルメチルエーテル化された水素化ポリ（ｐ−ビニルフ
ェノール）を得た。
【００４４】参考例７（同上） 参考例２で合成した樹脂５０.0ｇをアセトン５００mlに
溶解し、炭酸カリウム３.0ｇ、ヨウ化カリウム０.6０ｇ
及びクロロ酢酸tert−ブチル３.1３ｇを加えて１０時間
還流したあと、参考例５と同様の後処理を行って、水酸
基の１５％がエチルエーテル化され、５％がtert−ブト
キシカルボニルメチルエーテル化された水素化ポリ（ｐ
−ビニルフェノール）を得た。
溶解し、炭酸カリウム３.0ｇ、ヨウ化カリウム０.6０ｇ
及びクロロ酢酸tert−ブチル３.1３ｇを加えて１０時間
還流したあと、参考例５と同様の後処理を行って、水酸
基の１５％がエチルエーテル化され、５％がtert−ブト
キシカルボニルメチルエーテル化された水素化ポリ（ｐ
−ビニルフェノール）を得た。
【００４５】参考例８（同上） 参考例３で合成した樹脂５０.0ｇをアセトン５００mlに
溶解し、炭酸カリウム９.6ｇ、ヨウ化カリウム１.9３ｇ
及びクロロ酢酸tert−ブチル１０.0ｇを加えて１０時間
還流したあと、参考例５と同様の後処理を行って、水酸
基の６％がエチルエーテル化され、１６％がtert−ブト
キシカルボニルメチルエーテル化された水素化ポリ（ｐ
−ビニルフェノール）を得た。
溶解し、炭酸カリウム９.6ｇ、ヨウ化カリウム１.9３ｇ
及びクロロ酢酸tert−ブチル１０.0ｇを加えて１０時間
還流したあと、参考例５と同様の後処理を行って、水酸
基の６％がエチルエーテル化され、１６％がtert−ブト
キシカルボニルメチルエーテル化された水素化ポリ（ｐ
−ビニルフェノール）を得た。
【００４６】参考例９（同上） 参考例４で合成した樹脂５０.0ｇをアセトン５００mlに
溶解し、炭酸カリウム１２.6ｇ、ヨウ化カリウム２.5２
ｇ及びクロロ酢酸tert−ブチル１３.1５ｇを加えて１０
時間還流したあと、参考例５と同様の後処理を行って、
水酸基の１％がエチルエーテル化され、２１％がtert−
ブトキシカルボニルメチルエーテル化されたポリ（ｐ−
ビニルフェノール）を得た。
溶解し、炭酸カリウム１２.6ｇ、ヨウ化カリウム２.5２
ｇ及びクロロ酢酸tert−ブチル１３.1５ｇを加えて１０
時間還流したあと、参考例５と同様の後処理を行って、
水酸基の１％がエチルエーテル化され、２１％がtert−
ブトキシカルボニルメチルエーテル化されたポリ（ｐ−
ビニルフェノール）を得た。
【００４７】実施例１ 参考例５で合成した樹脂１３.5部、下式
【００４８】
【００４９】で示される溶解阻止剤Ａ１.3５部及び、酸
発生剤としてＮ−ヒドロキシスクシンイミドの２−クロ
ロエタンスルホン酸エステル１.5部を、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル５１部に溶解した。この溶液を
孔径０.1μm のフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レ
ジスト液を調製した。
発生剤としてＮ−ヒドロキシスクシンイミドの２−クロ
ロエタンスルホン酸エステル１.5部を、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル５１部に溶解した。この溶液を
孔径０.1μm のフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レ
ジスト液を調製した。
【００５０】常法により洗浄したシリコンウェハーに、
スピンコーターを用いて上記レジスト液を乾燥後の膜厚
が０.7μm となるように塗布した。次いでこのシリコン
ウェハーをホットプレート上にて、１００℃で１分間プ
リベークした。 プリベーク後の塗膜を、パターンを有
するクロムマスクを介して、２４８nmの露光波長を有す
る KrFエキシマーレーザーステッパー〔（株）ニコン製
の "NSR-1755 EX8A"、NA=0.45 〕を用いて露光した。露
光後、ウェハーをホットプレート上にて、８０℃で９０
秒間ポストベークして、露光部の脱保護基反応を行っ
た。これをテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドの２.3８重量％水溶液で現像して、ポジ型パターンを
得た。形成されたパターンを電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、２００mJ／cm2 （２４８nm）の露光量で、０.2５μ
m の微細パターンがプロファイルよく解像されていた。
スピンコーターを用いて上記レジスト液を乾燥後の膜厚
が０.7μm となるように塗布した。次いでこのシリコン
ウェハーをホットプレート上にて、１００℃で１分間プ
リベークした。 プリベーク後の塗膜を、パターンを有
するクロムマスクを介して、２４８nmの露光波長を有す
る KrFエキシマーレーザーステッパー〔（株）ニコン製
の "NSR-1755 EX8A"、NA=0.45 〕を用いて露光した。露
光後、ウェハーをホットプレート上にて、８０℃で９０
秒間ポストベークして、露光部の脱保護基反応を行っ
た。これをテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ドの２.3８重量％水溶液で現像して、ポジ型パターンを
得た。形成されたパターンを電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、２００mJ／cm2 （２４８nm）の露光量で、０.2５μ
m の微細パターンがプロファイルよく解像されていた。
【００５１】実施例２ 参考例６で合成した樹脂１３.5部、 実施例１で用いた
のと同じ溶解阻止剤Ａ１.3５部、酸発生剤としてＮ−ヒ
ドロキシスクシンイミドの２−クロロエタンスルホン酸
エステル１.5部及び、 電子供与体として２−ヒドロキ
シカルバゾール０.2７部を、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル５１部に溶解し、孔径０.1μm のフッ素樹
脂製フィルターで濾過してレジスト液を調製した。この
レジスト液を用いて実施例１と同様の操作を行い、形成
されたパターンを電子顕微鏡で観察したところ、１１２
mJ／cm2 （２４８nm）の露光量で、０.2５μm の微細パ
ターンがプロファイルよく解像されていた。また、露光
からポストベークまで４時間引き置きしても、感度及び
プロファイルは変化しなかった。
のと同じ溶解阻止剤Ａ１.3５部、酸発生剤としてＮ−ヒ
ドロキシスクシンイミドの２−クロロエタンスルホン酸
エステル１.5部及び、 電子供与体として２−ヒドロキ
シカルバゾール０.2７部を、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル５１部に溶解し、孔径０.1μm のフッ素樹
脂製フィルターで濾過してレジスト液を調製した。この
レジスト液を用いて実施例１と同様の操作を行い、形成
されたパターンを電子顕微鏡で観察したところ、１１２
mJ／cm2 （２４８nm）の露光量で、０.2５μm の微細パ
ターンがプロファイルよく解像されていた。また、露光
からポストベークまで４時間引き置きしても、感度及び
プロファイルは変化しなかった。
【００５２】実施例３ 参考例６で合成した樹脂１３.5部、下式
【００５３】
【００５４】で示される溶解阻止剤Ｂ１.3５部、酸発生
剤としてＮ−ヒドロキシスクシンイミドの２−クロロエ
タンスルホン酸エステル１.2部及び、電子供与体として
２−ヒドロキシカルバゾール０.2７部を、プロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート／乳酸エチルか
らなる重量比８／２の混合溶剤６６部に溶解し、 孔径
０.1μm のフッ素樹脂製フィルターで濾過してレジスト
液を調製した。このレジスト液を用い、ポストベークの
条件を７５℃で９０秒間とした以外は、実施例１と同様
の操作を行い、形成されたパターンを電子顕微鏡で観察
したところ、７６mJ／cm2 （２４８nm）の露光量で、
０.2５μm の微細パターンがプロファイルよく解像され
ていた。
剤としてＮ−ヒドロキシスクシンイミドの２−クロロエ
タンスルホン酸エステル１.2部及び、電子供与体として
２−ヒドロキシカルバゾール０.2７部を、プロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート／乳酸エチルか
らなる重量比８／２の混合溶剤６６部に溶解し、 孔径
０.1μm のフッ素樹脂製フィルターで濾過してレジスト
液を調製した。このレジスト液を用い、ポストベークの
条件を７５℃で９０秒間とした以外は、実施例１と同様
の操作を行い、形成されたパターンを電子顕微鏡で観察
したところ、７６mJ／cm2 （２４８nm）の露光量で、
０.2５μm の微細パターンがプロファイルよく解像され
ていた。
【００５５】実施例４ 参考例１で合成した樹脂１.3５部、参考例７で合成した
樹脂１２.1５部、酸発生剤としてＮ−ヒドロキシスクシ
ンイミドの２−クロロエタンスルホン酸エステル１.2部
及び、電子供与体として２−ヒドロキシカルバゾール
０.2７部を、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート／酢酸ブチルからなる重量比８／２の混合溶
剤６６部に溶解し、孔径０.1μm のフッ素樹脂製フィル
ターで濾過してレジスト液を調製した。このレジスト液
を用い、ポストベークの条件を８５℃で９０秒間とした
以外は、実施例１と同様の操作を行い、形成されたパタ
ーンを電子顕微鏡で観察したところ、９２mJ／cm2 （２
４８nm）の露光量で、０.3０μm の微細パターンがプロ
ファイルよく解像されていた。
樹脂１２.1５部、酸発生剤としてＮ−ヒドロキシスクシ
ンイミドの２−クロロエタンスルホン酸エステル１.2部
及び、電子供与体として２−ヒドロキシカルバゾール
０.2７部を、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート／酢酸ブチルからなる重量比８／２の混合溶
剤６６部に溶解し、孔径０.1μm のフッ素樹脂製フィル
ターで濾過してレジスト液を調製した。このレジスト液
を用い、ポストベークの条件を８５℃で９０秒間とした
以外は、実施例１と同様の操作を行い、形成されたパタ
ーンを電子顕微鏡で観察したところ、９２mJ／cm2 （２
４８nm）の露光量で、０.3０μm の微細パターンがプロ
ファイルよく解像されていた。
【００５６】実施例５ 参考例８で合成した樹脂１３.5部及び、酸発生剤として
Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドの２−クロロエタンスル
ホン酸エステル１.5部を、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート／乳酸エチルからなる重量比８
／２の混合溶剤６６部に溶解し、孔径０.1μm のフッ素
樹脂製フィルターで濾過してレジスト液を調製した。こ
のレジスト液を用いて実施例１と同様の操作を行い、形
成されたパターンを電子顕微鏡で観察したところ、１３
６mJ／cm2 （２４８nm）の露光量で、０.2５μm の微細
パターンがプロファイルよく解像されていた。
Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドの２−クロロエタンスル
ホン酸エステル１.5部を、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート／乳酸エチルからなる重量比８
／２の混合溶剤６６部に溶解し、孔径０.1μm のフッ素
樹脂製フィルターで濾過してレジスト液を調製した。こ
のレジスト液を用いて実施例１と同様の操作を行い、形
成されたパターンを電子顕微鏡で観察したところ、１３
６mJ／cm2 （２４８nm）の露光量で、０.2５μm の微細
パターンがプロファイルよく解像されていた。
【００５７】実施例６ 実施例５で調製したレジスト液に、電子供与体として２
−ヒドロキシカルバゾール０.2７部を加えた以外は、実
施例５と同様の操作を行った。 形成されたパターンを
電子顕微鏡で観察したところ、５４mJ／cm2 （２４８n
m）の露光量で、０.2５μm の微細パターンがプロファ
イルよく解像されていた。
−ヒドロキシカルバゾール０.2７部を加えた以外は、実
施例５と同様の操作を行った。 形成されたパターンを
電子顕微鏡で観察したところ、５４mJ／cm2 （２４８n
m）の露光量で、０.2５μm の微細パターンがプロファ
イルよく解像されていた。
【００５８】実施例７ 参考例９で合成した樹脂１３.5部、酸発生剤としてＮ−
ヒドロキシスクシンイミドの２−クロロエタンスルホン
酸エステル１.5部及び、電子供与体として４−メトキシ
−１−ナフトール０.2７部を、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート／乳酸エチルからなる重量
比８／２の混合溶剤６６部に溶解し、孔径０.1μm のフ
ッ素樹脂製フィルターで濾過してレジスト液を調製し
た。 このレジスト液を用い、ポストベークの条件を８
５℃で９０秒間とした以外は、実施例１と同様の操作を
行い、形成されたパターンを電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、８４mJ／cm2 （２４８nm）の露光量で、０.2５μm
の微細パターンがプロファイルよく解像されていた。
ヒドロキシスクシンイミドの２−クロロエタンスルホン
酸エステル１.5部及び、電子供与体として４−メトキシ
−１−ナフトール０.2７部を、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート／乳酸エチルからなる重量
比８／２の混合溶剤６６部に溶解し、孔径０.1μm のフ
ッ素樹脂製フィルターで濾過してレジスト液を調製し
た。 このレジスト液を用い、ポストベークの条件を８
５℃で９０秒間とした以外は、実施例１と同様の操作を
行い、形成されたパターンを電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、８４mJ／cm2 （２４８nm）の露光量で、０.2５μm
の微細パターンがプロファイルよく解像されていた。
【００５９】参考例１０（水素化ポリビニルフェノール
のエチルエーテル化） 水素化ポリ（ｐ−ビニルフェノール） 〔丸善石油化学
（株）製の“リンカーPHM-C”、重量平均分子量 8,20
0、分散度２.2６、水素化度５〜１０％〕１０.0ｇをア
セトン１リットルに溶解し、炭酸カリウム１２.0ｇとヨ
ウ化エチル１.0４ｇを加えて６時間還流した。反応液を
濾過したあと、濾液をｐＨ３の酢酸水溶液２リットルに
滴下して再沈澱を行い、沈澱物を濾取した。濾過した樹
脂を６０℃で乾燥したあと、この樹脂の２０重量％アセ
トン溶液／ヘキサンが容量比で２／１となるように混合
溶液とし、これを室温で１時間攪拌したあと、アセトン
層を分取した。このアセトン層をイオン交換水２リット
ルに展開し、固体を濾取することによって、水酸基の８
％がエチルエーテル化された水素化ポリ（ｐ−ビニルフ
ェノール）を得た。
のエチルエーテル化） 水素化ポリ（ｐ−ビニルフェノール） 〔丸善石油化学
（株）製の“リンカーPHM-C”、重量平均分子量 8,20
0、分散度２.2６、水素化度５〜１０％〕１０.0ｇをア
セトン１リットルに溶解し、炭酸カリウム１２.0ｇとヨ
ウ化エチル１.0４ｇを加えて６時間還流した。反応液を
濾過したあと、濾液をｐＨ３の酢酸水溶液２リットルに
滴下して再沈澱を行い、沈澱物を濾取した。濾過した樹
脂を６０℃で乾燥したあと、この樹脂の２０重量％アセ
トン溶液／ヘキサンが容量比で２／１となるように混合
溶液とし、これを室温で１時間攪拌したあと、アセトン
層を分取した。このアセトン層をイオン交換水２リット
ルに展開し、固体を濾取することによって、水酸基の８
％がエチルエーテル化された水素化ポリ（ｐ−ビニルフ
ェノール）を得た。
【００６０】参考例１１（保護基の導入） 参考例１０で合成した樹脂５０.0ｇをアセトン５００ml
に溶解し、炭酸カリウム１０.8ｇ、ヨウ化カリウム２.2
ｇ及びクロロ酢酸tert−ブチル９.8ｇを加えて１０時間
還流した。反応液を濾過したあと、樹脂をメチルイソブ
チルケトン１リットルに溶解し、５００mlのイオン交換
水で３回洗浄した。メチルイソブチルケトンを減圧留去
して、水酸基の８％がエチルエーテル化され、１６％が
tert−ブトキシカルボニルメチルエーテル化された水素
化ポリ（ｐ−ビニルフェノール）を得た。この樹脂の重
量平均分子量は 10,600 、分散度は２.2８であった。
に溶解し、炭酸カリウム１０.8ｇ、ヨウ化カリウム２.2
ｇ及びクロロ酢酸tert−ブチル９.8ｇを加えて１０時間
還流した。反応液を濾過したあと、樹脂をメチルイソブ
チルケトン１リットルに溶解し、５００mlのイオン交換
水で３回洗浄した。メチルイソブチルケトンを減圧留去
して、水酸基の８％がエチルエーテル化され、１６％が
tert−ブトキシカルボニルメチルエーテル化された水素
化ポリ（ｐ−ビニルフェノール）を得た。この樹脂の重
量平均分子量は 10,600 、分散度は２.2８であった。
【００６１】実施例８ 参考例１１で合成した樹脂１３.5部、酸発生剤としてＮ
−ヒドロキシスクシンイミドの２−クロロエタンスルホ
ン酸エステル１.5部及び、電子供与体として２−ヒドロ
キシカルバゾール０.2７部を、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート／乳酸エチルからなる重量
比８／２の混合溶剤６６部に溶解し、孔径０.1μm のフ
ッ素樹脂製フィルターで濾過してレジスト液を調製し
た。このレジスト液を用いて実施例１と同様の操作を行
い、形成されたパターンを電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、６８mJ／cm2 （２４８nm）の露光量で、０.2５μm
の微細パターンが解像されていた。
−ヒドロキシスクシンイミドの２−クロロエタンスルホ
ン酸エステル１.5部及び、電子供与体として２−ヒドロ
キシカルバゾール０.2７部を、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート／乳酸エチルからなる重量
比８／２の混合溶剤６６部に溶解し、孔径０.1μm のフ
ッ素樹脂製フィルターで濾過してレジスト液を調製し
た。このレジスト液を用いて実施例１と同様の操作を行
い、形成されたパターンを電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、６８mJ／cm2 （２４８nm）の露光量で、０.2５μm
の微細パターンが解像されていた。
【００６２】参考例１２（単分散ポリビニルフェノール
のエチルエーテル化） ポリ（ｐ−ビニルフェノール）〔日本曹達（株）製の
"VP-5000"、重量平均分子量 12,800 、分散度１.2８〕
１０.0ｇをアセトン１リットルに溶解し、炭酸カリウム
１２.0ｇとヨウ化エチル１.0４ｇを加えて６時間還流し
た。反応液を濾過したあと、濾液をｐＨ３の酢酸水溶液
２リットルに滴下して再沈澱を行い、沈澱物を濾取し
た。濾過した樹脂を６０℃で乾燥したあと、この樹脂の
２０重量％アセトン溶液／ヘキサンが容量比で２／１と
なるように混合溶液とし、この溶液を室温で１時間攪拌
したあと、アセトン層を分取した。このアセトン層をイ
オン交換水２リットルに展開し、固体を濾取することに
よって、水酸基の８％がエチルエーテル化されたポリ
（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
のエチルエーテル化） ポリ（ｐ−ビニルフェノール）〔日本曹達（株）製の
"VP-5000"、重量平均分子量 12,800 、分散度１.2８〕
１０.0ｇをアセトン１リットルに溶解し、炭酸カリウム
１２.0ｇとヨウ化エチル１.0４ｇを加えて６時間還流し
た。反応液を濾過したあと、濾液をｐＨ３の酢酸水溶液
２リットルに滴下して再沈澱を行い、沈澱物を濾取し
た。濾過した樹脂を６０℃で乾燥したあと、この樹脂の
２０重量％アセトン溶液／ヘキサンが容量比で２／１と
なるように混合溶液とし、この溶液を室温で１時間攪拌
したあと、アセトン層を分取した。このアセトン層をイ
オン交換水２リットルに展開し、固体を濾取することに
よって、水酸基の８％がエチルエーテル化されたポリ
（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
【００６３】参考例１３（同上） ヨウ化エチルを１.5６ｇ用いた以外は、参考例１２と同
様の操作を行って、水酸基の１２％がエチルエーテル化
されたポリ（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
様の操作を行って、水酸基の１２％がエチルエーテル化
されたポリ（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
【００６４】参考例１４（同上） ポリ（ｐ−ビニルフェノール）〔日本曹達（株）製の
"VP-10000" 、重量平均分子量 25,900 、分散度１.1
８〕１０.0ｇをアセトン１リットルに溶解し、炭酸カリ
ウム１２.0ｇとヨウ化エチル０.7８ｇを加えて６時間還
流した。反応液を濾過したあと、濾液をｐＨ３の酢酸水
溶液２リットルに滴下して再沈澱を行い、沈澱物を濾取
した。濾過した樹脂を６０℃で乾燥したあと、この樹脂
の２０重量％アセトン溶液／ヘキサンが容量比で２／１
となるように混合溶液とし、この溶液を室温で１時間攪
拌したあと、アセトン層を分取した。このアセトン層を
イオン交換水２リットルに展開し、固体を濾取すること
によって、水酸基の６％がエチルエーテル化されたポリ
（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
"VP-10000" 、重量平均分子量 25,900 、分散度１.1
８〕１０.0ｇをアセトン１リットルに溶解し、炭酸カリ
ウム１２.0ｇとヨウ化エチル０.7８ｇを加えて６時間還
流した。反応液を濾過したあと、濾液をｐＨ３の酢酸水
溶液２リットルに滴下して再沈澱を行い、沈澱物を濾取
した。濾過した樹脂を６０℃で乾燥したあと、この樹脂
の２０重量％アセトン溶液／ヘキサンが容量比で２／１
となるように混合溶液とし、この溶液を室温で１時間攪
拌したあと、アセトン層を分取した。このアセトン層を
イオン交換水２リットルに展開し、固体を濾取すること
によって、水酸基の６％がエチルエーテル化されたポリ
（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
【００６５】参考例１５（保護基の導入） 参考例１２で合成した樹脂５０.0ｇをアセトン５００ml
に溶解し、炭酸カリウム９.5ｇ、ヨウ化カリウム１.9ｇ
及びクロロ酢酸tert−ブチル８.6ｇを加えて、１０時間
還流した。反応液を濾過したあと、樹脂をメチルイソブ
チルケトン１リットルに溶解し、５００mlのイオン交換
水で３回洗浄した。 メチルイソブチルケトンを減圧留
去して、水酸基の８％がエチルエーテル化され、１４％
がtert−ブトキシカルボニルメチルエーテル化されたポ
リ（ｐ−ビニルフェノール）を得た。この樹脂の重量平
均分子量は 14,800 、分散度は１.2８であった。
に溶解し、炭酸カリウム９.5ｇ、ヨウ化カリウム１.9ｇ
及びクロロ酢酸tert−ブチル８.6ｇを加えて、１０時間
還流した。反応液を濾過したあと、樹脂をメチルイソブ
チルケトン１リットルに溶解し、５００mlのイオン交換
水で３回洗浄した。 メチルイソブチルケトンを減圧留
去して、水酸基の８％がエチルエーテル化され、１４％
がtert−ブトキシカルボニルメチルエーテル化されたポ
リ（ｐ−ビニルフェノール）を得た。この樹脂の重量平
均分子量は 14,800 、分散度は１.2８であった。
【００６６】参考例１６（同上） 原料仕込み量を、炭酸カリウム１０.8ｇ、ヨウ化カリウ
ム２.2ｇ及びクロロ酢酸tert−ブチル９.8ｇとした以外
は、参考例１５と同様の操作を行って、水酸基の８％が
エチルエーテル化され、１６％がtert−ブトキシカルボ
ニルメチルエーテル化されたポリ（ｐ−ビニルフェノー
ル）を得た。この樹脂の重量平均分子量は 15,200 、分
散度は１.2９であった。
ム２.2ｇ及びクロロ酢酸tert−ブチル９.8ｇとした以外
は、参考例１５と同様の操作を行って、水酸基の８％が
エチルエーテル化され、１６％がtert−ブトキシカルボ
ニルメチルエーテル化されたポリ（ｐ−ビニルフェノー
ル）を得た。この樹脂の重量平均分子量は 15,200 、分
散度は１.2９であった。
【００６７】参考例１７（同上） 参考例１３で合成した樹脂５０.0ｇをアセトン５００ml
に溶解し、炭酸カリウム９.4ｇ、ヨウ化カリウム１.9
ｇ、及びクロロ酢酸tert−ブチル８.5ｇを加え、１０時
間還流したあと、 参考例１５と同様の後処理を行っ
て、水酸基の１２％がエチルエーテル化され、１４％が
tert−ブトキシカルボニルメチルエーテル化されたポリ
（ｐ−ビニルフェノール）を得た。 この樹脂の重量
平均分子量は15,000 、分散度は１.2８であった。
に溶解し、炭酸カリウム９.4ｇ、ヨウ化カリウム１.9
ｇ、及びクロロ酢酸tert−ブチル８.5ｇを加え、１０時
間還流したあと、 参考例１５と同様の後処理を行っ
て、水酸基の１２％がエチルエーテル化され、１４％が
tert−ブトキシカルボニルメチルエーテル化されたポリ
（ｐ−ビニルフェノール）を得た。 この樹脂の重量
平均分子量は15,000 、分散度は１.2８であった。
【００６８】参考例１８（同上） 参考例１４で合成した樹脂５０.0ｇをアセトン５００ml
に溶解し、炭酸カリウム１０.9ｇ、ヨウ化カリウム２.2
ｇ及びクロロ酢酸tert−ブチル９.9ｇを加え、１０時間
還流したあと、参考例１５と同様の後処理を行って、水
酸基の６％がエチルエーテル化され、１６％がtert−ブ
トキシカルボニルメチルエーテル化されたポリ（ｐ−ビ
ニルフェノール）を得た。この樹脂の重量平均分子量は
30,400、分散度は１.1９であった。
に溶解し、炭酸カリウム１０.9ｇ、ヨウ化カリウム２.2
ｇ及びクロロ酢酸tert−ブチル９.9ｇを加え、１０時間
還流したあと、参考例１５と同様の後処理を行って、水
酸基の６％がエチルエーテル化され、１６％がtert−ブ
トキシカルボニルメチルエーテル化されたポリ（ｐ−ビ
ニルフェノール）を得た。この樹脂の重量平均分子量は
30,400、分散度は１.1９であった。
【００６９】実施例９ 参考例１５で合成した樹脂１３.5部、酸発生剤としてＮ
−ヒドロキシスクシンイミドの２−クロロエタンスルホ
ン酸エステル１.5部及び、電子供与体として２−ヒドロ
キシカルバゾール０.2７部を、ジエチレングリコールジ
メチルエーテル５１部に溶解し、孔径０.1μm のフッ素
樹脂製フィルターで濾過してレジスト液を調製した。
このレジスト液を用いて実施例１と同様の操作を行い、
形成されたパターンを電子顕微鏡で観察したところ、２
６mJ／cm2 （２４８nm）の露光量で、０.2５μm の微細
パターンがプロファイルよく解像されていた。
−ヒドロキシスクシンイミドの２−クロロエタンスルホ
ン酸エステル１.5部及び、電子供与体として２−ヒドロ
キシカルバゾール０.2７部を、ジエチレングリコールジ
メチルエーテル５１部に溶解し、孔径０.1μm のフッ素
樹脂製フィルターで濾過してレジスト液を調製した。
このレジスト液を用いて実施例１と同様の操作を行い、
形成されたパターンを電子顕微鏡で観察したところ、２
６mJ／cm2 （２４８nm）の露光量で、０.2５μm の微細
パターンがプロファイルよく解像されていた。
【００７０】実施例１０ 参考例１５で合成した樹脂に代えて、参考例１６で合成
した樹脂を同量用いた以外は、実施例９と同様の操作を
行った。その結果、３１mJ／cm2 （２４８nm）の露光量
で、０.2５μm の微細パターンがプロファイルよく解像
されていた。
した樹脂を同量用いた以外は、実施例９と同様の操作を
行った。その結果、３１mJ／cm2 （２４８nm）の露光量
で、０.2５μm の微細パターンがプロファイルよく解像
されていた。
【００７１】実施例１１ 参考例１７で合成した樹脂１３.5部、酸発生剤としてＮ
−ヒドロキシスクシンイミドの２−クロロエタンスルホ
ン酸エステル１.2部及び、電子供与体として２−ヒドロ
キシカルバゾール０.2７部を、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート／乳酸エチルからなる重量
比８／２の混合溶剤６６部に溶解し、孔径０.1μm のフ
ッ素樹脂製フィルターで濾過してレジスト液を調製し
た。このレジスト液を用いて実施例１と同様の操作を行
い、形成されたパターンを電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、２８mJ／cm2 （２４８nm）の露光量で、０.2５μm
の微細パターンがプロファイルよく解像されていた。
−ヒドロキシスクシンイミドの２−クロロエタンスルホ
ン酸エステル１.2部及び、電子供与体として２−ヒドロ
キシカルバゾール０.2７部を、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート／乳酸エチルからなる重量
比８／２の混合溶剤６６部に溶解し、孔径０.1μm のフ
ッ素樹脂製フィルターで濾過してレジスト液を調製し
た。このレジスト液を用いて実施例１と同様の操作を行
い、形成されたパターンを電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、２８mJ／cm2 （２４８nm）の露光量で、０.2５μm
の微細パターンがプロファイルよく解像されていた。
【００７２】実施例１２ 参考例１７で合成した樹脂に代えて、参考例１８で合成
した樹脂を同量用い、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドの
２−クロロエタンスルホン酸エステルの使用量を１.5部
とした以外は、実施例１１と同様の操作を行った。その
結果、３５mJ／cm2 （２４８nm）の露光量で、０.2５μ
m の微細パターンがプロファイルよく解像されていた。
した樹脂を同量用い、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドの
２−クロロエタンスルホン酸エステルの使用量を１.5部
とした以外は、実施例１１と同様の操作を行った。その
結果、３５mJ／cm2 （２４８nm）の露光量で、０.2５μ
m の微細パターンがプロファイルよく解像されていた。
【００７３】実施例８で得られた０.2５μm のラインア
ンドスペースパターンのトップ面が若干丸みを帯びてい
たのに対し、実施例９〜１２で得られた０.2５μm のラ
インアンドスペースパターンは、トップ面が平坦になっ
ており、プロファイルが一層良好であった。また、実施
例８〜１２で得られた２.0μm のラインアンドスペース
パターンにつき、密着型ホットプレートにて１３５℃で
４分間加熱したあと、走査型電子顕微鏡で断面形状を観
察して、耐熱性を評価した。その結果、いずれのパター
ンもその後のエッチングに耐えうる形状を保持していた
が、実施例８のパターンは、トップ面のエッジ部がなく
なり、トップ面が丸みを帯びていたのに対し、実施例９
〜１２のパターンは、トップ面が平坦で、エッジ部がそ
のまま残っており、実施例９〜１２で得られたパターン
は耐熱性に一層優れることが確認された。
ンドスペースパターンのトップ面が若干丸みを帯びてい
たのに対し、実施例９〜１２で得られた０.2５μm のラ
インアンドスペースパターンは、トップ面が平坦になっ
ており、プロファイルが一層良好であった。また、実施
例８〜１２で得られた２.0μm のラインアンドスペース
パターンにつき、密着型ホットプレートにて１３５℃で
４分間加熱したあと、走査型電子顕微鏡で断面形状を観
察して、耐熱性を評価した。その結果、いずれのパター
ンもその後のエッチングに耐えうる形状を保持していた
が、実施例８のパターンは、トップ面のエッジ部がなく
なり、トップ面が丸みを帯びていたのに対し、実施例９
〜１２のパターンは、トップ面が平坦で、エッジ部がそ
のまま残っており、実施例９〜１２で得られたパターン
は耐熱性に一層優れることが確認された。
【００７４】
【発明の効果】本発明のポジ型フォトレジスト組成物
は、遠紫外線（エキシマーレーザーを含む）光源、電子
線、Ｘ線及び放射光による露光領域において、高感度、
優れた解像度、優れたプロファイル及び高い残膜率を示
し、また耐熱性や塗布性に優れ、さらには環境による影
響も少ないという特徴を有している。したがって、上記
のような光源を用いたリソグラフィーにおいて、解像度
及びコントラストを著しく向上でき、微細なフォトレジ
ストパターンを高い精度で形成することができる。特
に、分散度の小さい部分アルキルエーテル化ポリビニル
フェノールのフェノール性水酸基を部分的に保護した樹
脂を用いれば、耐熱性及びプロファイルを一層向上させ
ることができる。
は、遠紫外線（エキシマーレーザーを含む）光源、電子
線、Ｘ線及び放射光による露光領域において、高感度、
優れた解像度、優れたプロファイル及び高い残膜率を示
し、また耐熱性や塗布性に優れ、さらには環境による影
響も少ないという特徴を有している。したがって、上記
のような光源を用いたリソグラフィーにおいて、解像度
及びコントラストを著しく向上でき、微細なフォトレジ
ストパターンを高い精度で形成することができる。特
に、分散度の小さい部分アルキルエーテル化ポリビニル
フェノールのフェノール性水酸基を部分的に保護した樹
脂を用いれば、耐熱性及びプロファイルを一層向上させ
ることができる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年４月１５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４２】参考例５（保護基の導入） 参考例１で合成した樹脂５０.0ｇをアセトン５００mlに
溶解し、炭酸カリウム４.8ｇ、ヨウ化カリウム０.9６
ｇ、及びクロロ酢酸tert−ブチル５.0ｇを加えて１０時
間還流した。反応液を濾過したあと、樹脂溶液をメチル
イソブチルケトン１リットルと混合し、５００mlのイオ
ン交換水で３回洗浄した。メチルイソブチルケトンを減
圧留去して、水酸基の１２％がエチルエーテル化され、
８％がtert−ブトキシカルボニルメチルエーテル化され
た水素化ポリ（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
溶解し、炭酸カリウム４.8ｇ、ヨウ化カリウム０.9６
ｇ、及びクロロ酢酸tert−ブチル５.0ｇを加えて１０時
間還流した。反応液を濾過したあと、樹脂溶液をメチル
イソブチルケトン１リットルと混合し、５００mlのイオ
ン交換水で３回洗浄した。メチルイソブチルケトンを減
圧留去して、水酸基の１２％がエチルエーテル化され、
８％がtert−ブトキシカルボニルメチルエーテル化され
た水素化ポリ（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５９】参考例１０（水素化ポリビニルフェノール
のエチルエーテル化） 水素化ポリ（ｐ−ビニルフェノール） 〔丸善石油化学
（株）製の“リンカーPHM-C”、重量平均分子量 8,20
0、分散度２.2６、水素化度５〜１０％〕１０.0ｇをア
セトン１００mlに溶解し、炭酸カリウム１２.0ｇとヨウ
化エチル１.0４ｇを加えて６時間還流した。反応液を濾
過したあと、濾液をｐＨ３の酢酸水溶液２リットルに滴
下して再沈澱を行い、沈澱物を濾取した。濾過した樹脂
を６０℃で乾燥したあと、この樹脂の２０重量％アセト
ン溶液／ヘキサンが容量比で２／１となるように混合溶
液とし、これを室温で１時間攪拌したあと、アセトン層
を分取した。このアセトン層をイオン交換水２リットル
に展開し、固体を濾取することによって、水酸基の８％
がエチルエーテル化された水素化ポリ（ｐ−ビニルフェ
ノール）を得た。
のエチルエーテル化） 水素化ポリ（ｐ−ビニルフェノール） 〔丸善石油化学
（株）製の“リンカーPHM-C”、重量平均分子量 8,20
0、分散度２.2６、水素化度５〜１０％〕１０.0ｇをア
セトン１００mlに溶解し、炭酸カリウム１２.0ｇとヨウ
化エチル１.0４ｇを加えて６時間還流した。反応液を濾
過したあと、濾液をｐＨ３の酢酸水溶液２リットルに滴
下して再沈澱を行い、沈澱物を濾取した。濾過した樹脂
を６０℃で乾燥したあと、この樹脂の２０重量％アセト
ン溶液／ヘキサンが容量比で２／１となるように混合溶
液とし、これを室温で１時間攪拌したあと、アセトン層
を分取した。このアセトン層をイオン交換水２リットル
に展開し、固体を濾取することによって、水酸基の８％
がエチルエーテル化された水素化ポリ（ｐ−ビニルフェ
ノール）を得た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６０】参考例１１（保護基の導入） 参考例１０で合成した樹脂５０.0ｇをアセトン５００ml
に溶解し、炭酸カリウム１０.8ｇ、ヨウ化カリウム２.2
ｇ及びクロロ酢酸tert−ブチル９.8ｇを加えて１０時間
還流した。反応液を濾過したあと、樹脂溶液をメチルイ
ソブチルケトン１リットルと混合し、５００mlのイオン
交換水で３回洗浄した。メチルイソブチルケトンを減圧
留去して、水酸基の８％がエチルエーテル化され、１６
％がtert−ブトキシカルボニルメチルエーテル化された
水素化ポリ（ｐ−ビニルフェノール）を得た。この樹脂
の重量平均分子量は 10,600 、分散度は２.2８であっ
た。
に溶解し、炭酸カリウム１０.8ｇ、ヨウ化カリウム２.2
ｇ及びクロロ酢酸tert−ブチル９.8ｇを加えて１０時間
還流した。反応液を濾過したあと、樹脂溶液をメチルイ
ソブチルケトン１リットルと混合し、５００mlのイオン
交換水で３回洗浄した。メチルイソブチルケトンを減圧
留去して、水酸基の８％がエチルエーテル化され、１６
％がtert−ブトキシカルボニルメチルエーテル化された
水素化ポリ（ｐ−ビニルフェノール）を得た。この樹脂
の重量平均分子量は 10,600 、分散度は２.2８であっ
た。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６２】参考例１２（単分散ポリビニルフェノール
のエチルエーテル化） ポリ（ｐ−ビニルフェノール）〔日本曹達（株）製の
"VP-5000"、重量平均分子量 12,800 、分散度１.2８〕
１０.0ｇをアセトン１００mlに溶解し、炭酸カリウム１
２.0ｇとヨウ化エチル１.0４ｇを加えて６時間還流し
た。反応液を濾過したあと、濾液をｐＨ３の酢酸水溶液
２リットルに滴下して再沈澱を行い、沈澱物を濾取し
た。濾過した樹脂を６０℃で乾燥したあと、この樹脂の
２０重量％アセトン溶液／ヘキサンが容量比で２／１と
なるように混合溶液とし、この溶液を室温で１時間攪拌
したあと、アセトン層を分取した。このアセトン層をイ
オン交換水２リットルに展開し、固体を濾取することに
よって、水酸基の８％がエチルエーテル化されたポリ
（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
のエチルエーテル化） ポリ（ｐ−ビニルフェノール）〔日本曹達（株）製の
"VP-5000"、重量平均分子量 12,800 、分散度１.2８〕
１０.0ｇをアセトン１００mlに溶解し、炭酸カリウム１
２.0ｇとヨウ化エチル１.0４ｇを加えて６時間還流し
た。反応液を濾過したあと、濾液をｐＨ３の酢酸水溶液
２リットルに滴下して再沈澱を行い、沈澱物を濾取し
た。濾過した樹脂を６０℃で乾燥したあと、この樹脂の
２０重量％アセトン溶液／ヘキサンが容量比で２／１と
なるように混合溶液とし、この溶液を室温で１時間攪拌
したあと、アセトン層を分取した。このアセトン層をイ
オン交換水２リットルに展開し、固体を濾取することに
よって、水酸基の８％がエチルエーテル化されたポリ
（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６４】参考例１４（同上） ポリ（ｐ−ビニルフェノール）〔日本曹達（株）製の
"VP-10000" 、重量平均分子量 25,900 、分散度１.1
８〕１０.0ｇをアセトン１００mlに溶解し、炭酸カリウ
ム１２.0ｇとヨウ化エチル０.7８ｇを加えて６時間還流
した。反応液を濾過したあと、濾液をｐＨ３の酢酸水溶
液２リットルに滴下して再沈澱を行い、沈澱物を濾取し
た。濾過した樹脂を６０℃で乾燥したあと、この樹脂の
２０重量％アセトン溶液／ヘキサンが容量比で２／１と
なるように混合溶液とし、この溶液を室温で１時間攪拌
したあと、アセトン層を分取した。このアセトン層をイ
オン交換水２リットルに展開し、固体を濾取することに
よって、水酸基の６％がエチルエーテル化されたポリ
（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
"VP-10000" 、重量平均分子量 25,900 、分散度１.1
８〕１０.0ｇをアセトン１００mlに溶解し、炭酸カリウ
ム１２.0ｇとヨウ化エチル０.7８ｇを加えて６時間還流
した。反応液を濾過したあと、濾液をｐＨ３の酢酸水溶
液２リットルに滴下して再沈澱を行い、沈澱物を濾取し
た。濾過した樹脂を６０℃で乾燥したあと、この樹脂の
２０重量％アセトン溶液／ヘキサンが容量比で２／１と
なるように混合溶液とし、この溶液を室温で１時間攪拌
したあと、アセトン層を分取した。このアセトン層をイ
オン交換水２リットルに展開し、固体を濾取することに
よって、水酸基の６％がエチルエーテル化されたポリ
（ｐ−ビニルフェノール）を得た。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６５】参考例１５（保護基の導入） 参考例１２で合成した樹脂５０.0ｇをアセトン５００ml
に溶解し、炭酸カリウム９.5ｇ、ヨウ化カリウム１.9ｇ
及びクロロ酢酸tert−ブチル８.6ｇを加えて、１０時間
還流した。反応液を濾過したあと、樹脂溶液をメチルイ
ソブチルケトン１リットルと混合し、５００mlのイオン
交換水で３回洗浄した。メチルイソブチルケトンを減圧
留去して、水酸基の８％がエチルエーテル化され、１４
％がtert−ブトキシカルボニルメチルエーテル化された
ポリ（ｐ−ビニルフェノール）を得た。この樹脂の重量
平均分子量は 14,800 、分散度は１.2８であった。
に溶解し、炭酸カリウム９.5ｇ、ヨウ化カリウム１.9ｇ
及びクロロ酢酸tert−ブチル８.6ｇを加えて、１０時間
還流した。反応液を濾過したあと、樹脂溶液をメチルイ
ソブチルケトン１リットルと混合し、５００mlのイオン
交換水で３回洗浄した。メチルイソブチルケトンを減圧
留去して、水酸基の８％がエチルエーテル化され、１４
％がtert−ブトキシカルボニルメチルエーテル化された
ポリ（ｐ−ビニルフェノール）を得た。この樹脂の重量
平均分子量は 14,800 、分散度は１.2８であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹山 尚幹 大阪市此花区春日出中３丁目１番98号 住 友化学工業株式会社内 (72)発明者 楠本 武宏 大阪市此花区春日出中３丁目１番98号 住 友化学工業株式会社内 (72)発明者 山本 茂樹 大阪市此花区春日出中３丁目１番98号 住 友化学工業株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】部分アルキルエーテル化ポリビニルフェノ
ール又はその部分水添物のフェノール性水酸基を部分的
に保護したポリビニルフェノール系樹脂を含有するアル
カリ可溶性樹脂、及び酸発生剤としてのＮ−ヒドロキシ
イミド化合物のスルホン酸エステルを含有することを特
徴とするポジ型フォトレジスト組成物。 - 【請求項２】部分アルキルエーテル化ポリビニルフェノ
ール又はその部分水添物のフェノール性水酸基がtert−
ブトキシカルボニルメチル基で部分的に保護されている
請求項１記載の組成物。 - 【請求項３】ポリビニルフェノール又はその部分水添物
の水酸基のうち０.1〜３５％がアルキルエーテル化され
ており、該水酸基のうち１〜４０％が保護されている請
求項１又は２記載の組成物。 - 【請求項４】該ポリビニフェノール系樹脂が、ゲル浸透
クロマトグラフィーにより求めたポリスチレン換算重量
平均分子量 3,000〜35,000および分散度１.0１〜１.5を
有する請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。 - 【請求項５】該ポリビニフェノール系樹脂が、部分アル
キルエーテル化ポリビニルフェノールのフェノール性水
酸基を部分的に保護したものである請求項４記載の組成
物。 - 【請求項６】Ｎ−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸
エステルが、一般式（Ｉ） （式中、Ｒ1 はアリーレン、置換されていてもよいアル
キレン又は置換されていてもよいアルケニレンを表し、
Ｒ2 はフッ素以外の置換基で置換されていてもよいアル
キル又はフッ素を有しないアリールを表す）で示される
請求項１〜５のいずれかに記載の組成物。 - 【請求項７】組成物中の全固形分重量を基準に、アルカ
リ可溶性樹脂を２０〜９５重量％、及び酸発生剤を０.1
〜２０重量％含有する請求項１〜６のいずれかに記載の
組成物。 - 【請求項８】さらに、酸化還元電位が１.7 eV 以下であ
る電子供与体を含有する請求項１〜７のいずれかに記載
の組成物。 - 【請求項９】組成物中の全固形分重量を基準に、電子供
与体を０.0０１〜１０重量％含有する請求項８記載の組
成物。 - 【請求項１０】さらに溶解阻止剤として、フェノール性
水酸基の水素が酸の作用により脱離する基で置換された
フェノール系化合物を含有する請求項１〜９のいずれか
に記載の組成物。 - 【請求項１１】組成物中の全固形分重量を基準に、溶解
阻止剤を５〜５０重量％含有する請求項１０記載の組成
物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7278902A JPH0934112A (ja) | 1995-05-12 | 1995-10-26 | フォトレジスト組成物 |
| KR1019960015168A KR960042218A (ko) | 1995-05-12 | 1996-05-09 | 포토레지스트 조성물 |
| US08/644,203 US5846688A (en) | 1995-05-12 | 1996-05-10 | Photoresist composition |
| EP96107446A EP0742488A3 (en) | 1995-05-12 | 1996-05-10 | Photoresist composition |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11444095 | 1995-05-12 | ||
| JP7-114440 | 1995-05-12 | ||
| JP7278902A JPH0934112A (ja) | 1995-05-12 | 1995-10-26 | フォトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0934112A true JPH0934112A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=26453175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7278902A Pending JPH0934112A (ja) | 1995-05-12 | 1995-10-26 | フォトレジスト組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5846688A (ja) |
| EP (1) | EP0742488A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0934112A (ja) |
| KR (1) | KR960042218A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100894260B1 (ko) * | 2001-01-25 | 2009-04-21 | 후지필름 가부시키가이샤 | 포지티브 포토레지스트 조성물 및 이 조성물을 이용한 패턴형성방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09166871A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Sumitomo Chem Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
| TW530192B (en) * | 1997-01-27 | 2003-05-01 | Shinetsu Chemical Co | Partially hydrogenated polymer compound and chemically sensitized positive resist material |
| KR100566042B1 (ko) * | 1997-10-07 | 2006-05-25 | 간사이 페인트 가부시키가이샤 | 포지티브형전착포토레지스트조성물및패턴의제조방법 |
| DE59808434D1 (de) | 1997-11-28 | 2003-06-26 | Infineon Technologies Ag | Chemisch verstärkter Resist für die Elektronenstrahllithographie |
| JP3985359B2 (ja) * | 1998-09-18 | 2007-10-03 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物 |
| TW502133B (en) | 1999-06-10 | 2002-09-11 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Resist composition, agent and method for reducing substrate dependence thereof |
| JP6916672B2 (ja) * | 2016-06-24 | 2021-08-11 | 住友化学株式会社 | 化合物、酸発生剤、重合体、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3647448A (en) * | 1970-03-02 | 1972-03-07 | Eastman Kodak Co | Light-sensitive halocarbon and phenol derivative composition |
| US4371605A (en) * | 1980-12-09 | 1983-02-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photopolymerizable compositions containing N-hydroxyamide and N-hydroxyimide sulfonates |
| DE69027799T2 (de) * | 1989-03-14 | 1997-01-23 | Ibm | Chemisch amplifizierter Photolack |
| US5403695A (en) * | 1991-04-30 | 1995-04-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resist for forming patterns comprising an acid generating compound and a polymer having acid decomposable groups |
| EP0551105A3 (en) * | 1992-01-07 | 1993-09-15 | Fujitsu Limited | Negative type composition for chemically amplified resist and process and apparatus of chemically amplified resist pattern |
| JPH0692909A (ja) * | 1992-04-10 | 1994-04-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | 炭酸エステル環状化合物、その製造方法及びそれを用いてなるポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPH05341531A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-12-24 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPH06236024A (ja) * | 1992-09-24 | 1994-08-23 | Sumitomo Chem Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
| JPH06214392A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | ネガ型フォトレジスト組成物 |
| JPH06214395A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| KR0159808B1 (ko) * | 1993-01-19 | 1999-02-18 | 가나가와 지히로 | 레지스트 조성물 |
| TW288112B (ja) * | 1993-06-02 | 1996-10-11 | Sumitomo Chemical Co | |
| JP2964874B2 (ja) * | 1994-06-10 | 1999-10-18 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
| JP3340864B2 (ja) * | 1994-10-26 | 2002-11-05 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型化学増幅レジスト組成物 |
| JP3198845B2 (ja) * | 1994-12-05 | 2001-08-13 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
| US5700624A (en) * | 1995-05-09 | 1997-12-23 | Shipley Company, L.L.C. | Positive acid catalyzed resists having an alkali soluble resin with acid labile groups and inert blocking groups |
-
1995
- 1995-10-26 JP JP7278902A patent/JPH0934112A/ja active Pending
-
1996
- 1996-05-09 KR KR1019960015168A patent/KR960042218A/ko not_active Ceased
- 1996-05-10 EP EP96107446A patent/EP0742488A3/en not_active Withdrawn
- 1996-05-10 US US08/644,203 patent/US5846688A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100894260B1 (ko) * | 2001-01-25 | 2009-04-21 | 후지필름 가부시키가이샤 | 포지티브 포토레지스트 조성물 및 이 조성물을 이용한 패턴형성방법 |
Also Published As
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|---|---|
| EP0742488A3 (en) | 1997-07-02 |
| EP0742488A2 (en) | 1996-11-13 |
| KR960042218A (ko) | 1996-12-21 |
| US5846688A (en) | 1998-12-08 |
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