JPH0935314A - 光ピックアップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、高精度に各半導体基板に形成され
ている第一光検出器と第二光検出器とを位置決めできる
光ピックアップを提供する。 【解決手段】 第一半導体基板１に第一光検出器２０と
第一貫通穴２７とを形成し、第二半導体基板２に第二光
検出器２２と、第一半導体基板１の第一貫通穴２７を通
過した光を基に位置決め信号を出力する第三光検出器２
３とを形成して、第三光検出器２３による位置決め信号
により第二半導体基板２を第一半導体基板１に積層接合
するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、情報を記録再生す
る光記録装置に用いられる光ピックアップに関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体に記録された情報を再生
する光ピックアップにおいては、半導体レーザ等の発光
部材からの光を、集光レンズを経て光磁気記録媒体にス
ポット状に照射し、この光磁気記録媒体で反射される戻
り光を、偏光方向が互いに直行する二つの光束に分離し
て、それらの光束の強度変化から光磁気信号を検出する
と共に、その光磁気信号を正確に検出するために、光磁
気記録媒体からの戻り光に基づいて、集光レンズの光磁
気記録媒体に対する相対的位置ズレを表すフォーカスエ
ラー信号及びトラッキングエラー信号を検出する必要が
ある。

【０００３】例えば、従来例として、図９に示すよう
に、実開昭６２−１３３２２４号公報にプリズム５７を
半導体基板５１の稜線に合わせた半導体レーザ装置が提
案されている。

【０００４】図９に示す半導体基板５１には、三つ面が
エッチングにより高精度に形成されている。即ち、互い
に段違いになっている第一の面５２及び第二の面５３
と、これら第一の面５２及び第二の面５３に対して傾斜
した状態でこれらの第一の面５２及び第二の面５３に連
なっている第三の面５４である。第一の面５２及び第二
の面５３にはそれぞれ第一の光検出器５５及び第二の光
検出器５６が形成され、そして、第一の光検出器５５の
上にはプリズム５７が第一の面５２と第三の面５４との
なす稜線５８にプリズム５７の外形を合わせて配置され
ている。さらに、第三の面５４には半導体レーザ５９が
配置されている。尚、図９において、６１、６２はレー
ザ光学系を構成するレンズ、６２は反射部材である。

【０００５】また、特開平４−２４０７８９号公報に
は、図１０に示すように、半導体レーザ５９を位置決め
する技術が提案されている。

【０００６】半導体レーザ５９等の発光部材から出射さ
れた光は半導体基板６０に加工して作られた反射ミラー
７１において反射され、ホログラム素子、集光レンズを
通して光磁気記録媒体へ入射し、さらにそこで反射され
た光が集光レンズを通り、ホログラム素子で回折されて
光検出器７２に達し信号が検知される。そして、反射ミ
ラー７１を構成する半導体基板６０の窪み部、つまり、
段差部の側壁面を主面に対して４５°をなす斜面７３と
９０°をなす垂直な面７４との２面により構成し、主面
に対して４５°をなす斜面７３を反射ミラー７１を固定
する際の当て付け基準とし、垂直な面７４を半導体レー
ザ５９を固定する際の当て付け基準として用いている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来例の特開平４−２
４０７８９号公報に開示されたような半導体基板６０
は、様々な方向に所定角度の半導体面を形成する必要が
あり、一般的な異方性エッチングだけで製造することが
できず、リアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）
等の方法を併用しなければならない。

【０００８】また、リアクティブ・イオン・エッチン
グ、コーティングをそれぞれ行うため、各工程で多くの
マスクが必要となっている。さらに、エッチングで反射
ミラーを形成するためには、エッチング面の表面粗さを
小さくする必要性から、長時間のエッチング処理が不可
欠となっている。

【０００９】よって、半導体基板６０を利用して大量に
製作できるが、工程が複雑になったり、マスクの種類が
多くなったり、製作時間もかかる等の問題が発生し、製
作コストが増大する問題がある。

【００１０】また、実開昭６２−１３３２２４号公報に
おいては、エッチングより高精度に形成された稜線を用
いてプリズム５７を配置しているが、プリズム５７の外
形を稜線に合わせる時にも、高精度の位置決め装置等を
用いる必要があり、稜線はあくまでも位置決め目標とし
てしか使用できない。また、半導体基板６０の製作精度
に対して、プリズム５７の加工精度が一般に悪く、例え
正確に稜線とプリズム５７の外形を合せられたとして
も、光学特性上満足できるものではない。

【００１１】本発明は、上記従来の課題に鑑みてなされ
たものであり、構成要素を簡略かつ高精度に位置決めで
きる光ピックアップを提供する。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
光を出射する発光部材と、この発光部材からの出射光を
反射させる第一の面を有するプリズムと、このプリズム
の第一の面に設けられた偏光膜と、この偏光膜で反射さ
れる前記発光部材からの出射光を、ホログラムを透過し
て、光磁気記録媒体にスポット光として照射する集光手
段と、前記光磁気記録媒体で反射され、前記集光手段に
入射した戻り光のうち、ホログラムにより２つに分離さ
れた光を受光する第一光検出器と、前記戻り光のうち、
ホログラムを透過し、前記偏光膜に入射し、さらに前記
プリズムを屈折透過して、該プリズムの第二の面から出
射される光を受光する第二光検出器と、を有する光ピッ
クアップにおいて、前記第一光検出器と、第一貫通穴と
が形成された第一半導体基板と、前記第二光検出器と、
第一半導体基板の第一貫通穴を通過した光を基に位置決
め信号を出力する第三光検出器とが形成され、前記第一
半導体基板に積層接合される第二半導体基板とを有する
ことを特徴とするものである。

【００１３】請求項２記載の発明は、光を出射する発光
部材と、この発光部材からの出射光を反射させる第一の
面を有するプリズムと、このプリズムの第一の面に設け
られた偏光膜と、この偏光膜で反射される前記発光部材
からの出射光を、光磁気記録媒体にスポット光として照
射する集光手段と、前記光磁気記録媒体で反射され、前
記集光手段に入射した戻り光を受光する第一光検出器
と、前記戻り光のうち、前記偏光膜を透過し、さらに前
記プリズムを屈折透過して、該プリズムの第二の面から
出射される光を受光する第二光検出器とを有する光ピッ
クアップにおいて、前記第一光検出器と第一貫通穴が形
成された第一半導体基板と、前記第二光検出器と、第一
半導体基板に形成された第一貫通穴を通過した光を基に
位置決め信号を出力する第三光検出器とが形成され、前
記第一半導体基板と積層接合される第二半導体基板とを
有することを特徴とするものである。

【００１４】請求項３記載の発明は、光を出射する発光
部材と、この発光部材からの出射光を反射させる第一の
面を有するプリズムと、このプリズムの第一の面に設け
られた偏光膜と、この偏光膜で反射される前記発光部材
からの出射光を、光磁気記録媒体にスポット光として照
射する集光手段と、前記光磁気記録媒体で反射され、前
記集光手段に入射した戻り光を受光する第一光検出器
と、前記戻り光のうち、前記偏光膜を透過し、さらに前
記プリズムを屈折透過して、該プリズムの第二の面から
出射される光を受光する第二光検出器とからなる光ピッ
クアップにおいて、前記第一光検出器と第一貫通穴とが
形成された第一半導体基板と、前記第二光検出器と第二
貫通穴とが形成され、前記第一貫通穴及び第二貫通穴を
通過した光の照射に基づき外部の第三光検出器が出力す
る位置決め信号により第一半導体基板と位置決めされて
この第一半導体基板に積層接合される第二半導体基板と
を有することを特徴とするものである。

【００１５】以下に本発明の動作を説明する。請求項１
記載の発明によれば、第一半導体基板に前記第一光検出
器と、第一貫通穴とを形成し、第二半導体基板に前記第
二光検出器と、第一半導体基板の第一貫通穴を通過した
光を基に位置決め信号を出力する第三光検出器とを形成
して、第三光検出器による位置決め信号により第二半導
体基板を第一半導体基板に積層接合するものであるか
ら、第三光検出器から出力される信号を判断することに
よって、第一半導体基板と第二半導体基板との位置ずれ
が判定でき、高精度に各半導体基板に形成されている第
一光検出器と第二光検出器とを位置決めすることがで
き、光磁気記録媒体に関するフォーカスエラー信号とト
ラッキングエラー信号と光磁気信号とを高感度に検出す
ることができる。

【００１６】請求項２記載の発明の動作を以下に説明す
る。本発明の光学系の概略図を図１に示す。発光部材で
ある半導体レーザ１４からの出射光は、一軸性複屈折結
晶からなるプリズム１５の第一の面１６に設けた偏光膜
で反射された後、ホログラム１７及び集光手段１８を経
て光磁気記録媒体１９にスポット光として照射される。
また、光磁気記録媒体１９で反射される戻り光は、集光
手段１８を経てホログラム１７に入射し、ここで、回折
される＋１次回折光及び／又は−１次回折光は、第一光
検出器２０で受光され、その出力に基づいて、集光手段
１８の光磁気記録媒体１９に対する相対的位置ズレを表
すエラー信号が検出される。

【００１７】前記ホログラム１７を通過する０次光は、
プリズム１５の第一の面１６に設けられた偏光膜を透過
し、さらに、プリズム１５を屈折透過して非点収差を有
する常光と異常光に分離される。これら常光及び異常光
がプリズム１５の第二の面２１から出射されて、非点収
差の焦線位置近傍に配置された第二光検出器２２で受光
され、その出力に基づいて光磁気信号が検出される。

【００１８】ここで、第一光検出器２０と第二光検出器
２２は、ミクロンオーダーで正確に実装することが光学
特性上重要である。従来例にもあるように、半導体基板
を異方性エッチングすることにより、高精度の構造物が
製作できることは一般によく知られていることである。
例えば、表面が（１，０，０）面のＳｉ基板に対する異
方性エッチングにより、表面に対して１２５．３°傾斜
した（１，１，１）面のエッチング面が得られる。

【００１９】第一光検出器２０が形成されている第一半
導体基板１には、異方性エッチングにより第一貫通穴２
７が形成されている。また、第二光検出器２２が形成さ
れている第二半導体基板２には、第一貫通穴２７と同形
状の第三光検出器２３が設けられている。

【００２０】第一光検出器２０と第一貫通穴２７の位置
関係、第二光検出器２２と第三光検出器２３の位置関係
は、半導体プロセス又は異方性エッチングにより構成で
きるため、ミクロンオーダーの精度でこれらを配置する
ことが可能である。

【００２１】第一光検出器２０と第二光検出器２２があ
らかじめ所定の位置関係になるように、第一貫通穴２７
と第三光検出器２３はそれぞれ配置され、そして、第一
貫通穴２７を通過する光が第三光検出器２３に照射され
るようになっている。

【００２２】つまり、第三光検出器２３から出力される
信号を判断することによって、第一半導体基板１と第二
半導体基板２との位置ずれが判定でき、高精度に各半導
体基板１、２に形成されている第一光検出器２０と第二
光検出器２２とを位置決めすることができ、フォーカス
エラー信号とトラッキングエラー信号と光磁気信号とを
高感度に検出することができる。

【００２３】請求項３記載の発明の動作を以下に説明す
る。第一光検出器２０が形成されている第一半導体基板
１には、請求項１記載の発明の場合と同様、異方性エッ
チングにより第一貫通穴２７が形成されている。また、
第二光検出器２２が形成されている第二半導体基板２に
も、図には示してないが第一貫通穴２７と同形状、同面
積の第二貫通穴が形成されている。第一光検出器２０と
第一貫通穴２７の位置関係、第二光検出器２２と第二貫
通穴の位置関係は、半導体プロセス又は異方性エッチン
グにより構成できるため、ミクロンオーダーの精度で配
置することが可能である。

【００２４】第一光検出器２０と第二光検出器２２があ
らかじめ所定の位置関係になるように、第一貫通穴２７
と第二貫通穴がそれぞれ設けられている。

【００２５】請求項２記載の発明においては、第一貫通
穴２７、第二貫通穴を通過した光が、第一貫通穴２７、
第二貫通穴と同形状、同面積に形成された図１には示さ
ない第三光検出器に照射されるようにしている。尚、こ
の第三光検出器は外部の部材に配置され、光ピックアッ
プには内蔵されないため、種々の光ピックアップに対し
て本発明を適用することができる。

【００２６】つまり、第三光検出器から出力される信号
を判断することによって、第一半導体基板１と第二半導
体基板２の位置ずれを判定し、高精度に各半導体基板
１、２に形成されている第一光検出器２０と第二光検出
器２２を位置決めすることができ、フォーカスエラー信
号とトラッキングエラー信号と光磁気信号を高感度に検
出することができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を詳
細に説明する。

【００２８】［発明の実施の形態１］図２、図３、図４
に本発明の実施の形態１を示す。図２は本発明の実施の
形態１の斜視図、図３は第一半導体基板、第二半導体基
板の分解斜視図、図４は本発明の実施の形態の第一貫通
穴２７と第三光検出器２３の位置ずれ状態を示す説明図
である。

【００２９】本発明の実施の形態では、発光部材１４と
して半導体レーザを用い、第一光検出器２０、第二光検
出器２２、第三光検出器２３としてフォトダイオードを
用いる。前記第一光検出器２０は、第一半導体基板２４
（Ｓｉ基板）上に形成され、図示しない光磁気記録媒体
で反射した戻り光のホログラムパターンでの±１次回折
光を分離して受光するため、２つの受光部をもって構成
され、各受光部を光磁気記録媒体の記録トラックと平行
な方向の分割線で分割した３分割受光領域を形成してい
る。

【００３０】この第一光検出器２０の２つの受光部の間
には、フォトリソグラフによるエッチングマスクに沿っ
て、異方性エッチングが行われ形成された切り欠き部２
５を設けている。本発明の実施の形態では、表面が
（１，０，０）面の結晶面を有するＳｉ基板を第一半導
体基板２４として用い、表面に対して１２５．３°傾斜
した（１，１，１）面のエッチング面を切り欠き部２５
の側壁面として形成している。この切り欠き部２５は、
Ｓｉ基板の結晶方向の影響により略長方形の形状とな
り、プリズム１５が挿通される穴となる。

【００３１】そして、この切り欠き部２５の側壁面と表
面とのなす第一稜線２６と、半導体レーザ１４の出射端
面を合せて半導体レーザ１４を固定する。この半導体レ
ーザ１４は、第一半導体基板２４の表面に対して、水平
方向に光を出射する。なお、この第一稜線２６と第一光
検出器２０の分割線は平行な位置関係に形成されてい
る。

【００３２】また、第一半導体基板２４の一部には、フ
ォトリソグラフによるエッチングマスクに沿って、異方
性エッチングが行われた第一貫通穴２７が形成されてお
り、この第一貫通穴２７は、略長方形（正方形を含む）
で、穴斜面は表面に対して１２５．３°傾斜した（１，
１，１）面のエッチング面が側壁面となっている。

【００３３】第二光検出器２２は、第二半導体基板２８
（Ｓｉ基板）上に形成され、プリズム１５による常光と
異常光の屈折率により発生する非点収差の焦線位置近傍
に、常光と異常光をそれぞれ受光するための２つの受光
部をもって構成される。なお、第二光検出器２２の形成
位置は、第一半導体基板２４の切り欠き部２５内に相当
する位置に形成される。

【００３４】また、第一半導体基板２４の第一貫通穴２
７に相当する位置に、第一貫通穴２７と同形状、同面積
の第三光検出器２３が形成されている。このとき、第一
光検出器２０と第二光検出器２２が所定の位置関係にな
るように、第一貫通穴２７と第三光検出器２３とは配置
されるようになっている。

【００３５】第一貫通穴２７を通過する外部光源からの
光を第三光検出器２３が受光し、第三光検出器２３の出
力信号を所定値になるように、第一半導体基板２４と第
二半導体基板２８が積層接合される。

【００３６】そして、第二光検出器２２の上に接合され
るプリズム１５は、一軸性複屈折結晶材のニオブ酸リチ
ウムにより構成された三角プリズムで、半導体レーザ１
４から出射される光が照射される第一の面１６は約４５
°の傾斜面になっている。この傾斜面１６にはＳ偏光成
分の反射率が５０％以上、Ｐ偏光成分の透過率が８０％
以上の特性を有する偏光膜がコーティングにより形成さ
れている。

【００３７】このプリズム１５の第一の面１６に形成さ
れた偏光膜により、半導体レーザ１４からの出射光を第
一半導体基板２４のほぼ法線方向に反射させ、図１に示
すようなホログラム１７に入射する。

【００３８】また、図示しない光磁気記録媒体１９で反
射した戻り光はホログラム１７により分離され、そのう
ちの０次光がプリズム１５の第一の面１６の偏光膜に入
射する。偏光膜に入射した戻り光のうち、偏光膜を透過
してプリズム１５内部に侵入する戻り光は、常光と異常
光に分離され、プリズム１５の第二の面２１から出射
し、第二半導体基板２８の第二光検出器２２にて受光さ
れる。尚、プリズム１５を構成する一軸性複屈折結晶の
光学軸方向は戻り光の光軸に垂直な面内で、直線偏光方
向に対して４５°傾いた方向となっている。

【００３９】（動作）第一光検出器２０が形成されてい
る第一半導体基板２４には、異方性エッチングにより第
一貫通穴２７が形成されており、また、第二光検出器２
２が形成されている第二半導体基板２８には、第一貫通
穴２７と同形状、同面積の第三光検出器２３が形成され
ている。従って、第一光検出器２０と第一貫通穴２７の
位置関係、第二光検出器２２と第三光検出器２３の位置
関係は、半導体プロセス又は異方性エッチングにより構
成できるため、ミクロンオーダーの精度で配置すること
が可能である。

【００４０】第一光検出器２０と第二光検出器２２があ
らかじめ所定の位置関係になるように、第一貫通穴２７
と第三光検出器２３はそれぞれ形成され、そして、第一
貫通穴２７を通過する光が第三光検出器２３に照射され
るため、図４に示すように、第一半導体基板２４と第二
半導体基板２８が位置ずれを生じていると、第三光検出
器２３からの出力信号は小さくなる。従って、第三光検
出器２３からの出力信号が最大となるように、第一半導
体基板２４と第二半導体基板２８を位置合せすること
で、各半導体基板２４、２８にそれぞれ形成されている
第一光検出器２０と第二光検出器２２を高精度に位置決
めすることができる。

【００４１】尚、第一貫通穴２７と第三光検出器２３の
面積を極力小さくすると位置決め精度をより向上でき
る。

【００４２】このように、第一光検出器２０と第二光検
出器２２が、容易にミクロンオーダーで正確に配置する
ことができ、高感度のフォーカスエラー信号とトラッキ
ングエラー信号と光磁気信号を検出することが可能とな
る。

【００４３】（効果）第三光検出器２３の出力信号を判
定して、第一半導体基板２４と第二半導体基板２８とを
合せることにより、第一光検出器２０と第二光検出器２
２とを高精度に位置決めでき、良好な特性を有する光ピ
ックアップを提供することができる。

【００４４】また、第三光検出器２３からの定量的な出
力信号により位置決めを行うため、製作が容易で、自動
化による製作が可能となり、安価な光ピックアップを提
供することができる。

【００４５】［発明の実施の形態２］図５に発明の実施
の形態２を示す。発明の実施の形態２において、発明の
実施の形態１と異なる部分のみ説明し、他の説明は省略
する。

【００４６】図５に示す第一半導体基板２９には、フォ
トリソグラフによるエッチングマスクに沿って、異方性
エッチングが行われた２個の第一貫通穴３０ａ、３０ｂ
が形成されている。第一貫通穴３０ａ、３０ｂは各々略
長方形形状をなし、長手方向が直交するように配置され
ている。

【００４７】図５に示す第二半導体基板３１には、第一
半導体基板２９の第一貫通穴３０ａ、３０ｂと同形状、
同面積の第三光検出器３２ａ、３２ｂが２個形成されて
いる。第一半導体基板２９上に形成された第一光検出器
２０と、第二半導体基板３１上に形成された第二光検出
器２２とがあらかじめ所定の位置関係になるように、第
一貫通穴３０ａ、３０ｂと第三光検出器３２ａ、３２ｂ
とが、各半導体基板２９、３１にそれぞれ配置され、第
一貫通穴３０ａ、３０ｂを通過した光が第三光検出器３
２ａ、３２ｂに照射されるようになっている。その他の
構成は発明の実施の形態１と同様である。

【００４８】（動作）第一貫通穴３０ａ、第三光検出器
３２ａ、第一貫通穴３０ｂと第三光検出器３２ｂを対応
関係に形成したことにより、第一半導体基板２９と第二
半導体基板３１の位置ずれ量をさらに検出しやすくな
り、第一光検出器２０と第二光検出器２２をさらに高精
度に位置決めすることができる。本発明の実施の形態の
場合も、第三光検出器３２ａ、３２ｂからの出力値が最
大となるように各半導体基板２９、３１を位置決めする
ことにより、高精度な組立が容易に実施することができ
る。

【００４９】また、第一貫通穴３０ａ、３０ｂと第三光
検出器３２ａ、３２ｂは、上述した各々２個の場合に限
定されるものではなく、複数個を対をなして形成するこ
とによって、さらに良好な位置決めが可能となる。さら
に、本発明の実施の形態のように、第一貫通穴３０ａ、
３０ｂと第三光検出器３２ａ、３２ｂの形状が長方形形
状の場合、形状の向きには全く関係がなく、スペースレ
イアウトに応じて、各半導体基板２９、３１上に自由に
配置できる。その他の作用は発明の実施の形態１と同様
である。

【００５０】［発明の実施の形態３］図６、図７に発明
の実施の形態３を示す。尚、発明の実施の形態１と異な
る部分のみ説明し、他の説明は省略する。図６は本発明
の実施の形態の第一半導体基板２４と第二半導体基板３
３を示している。図７は本発明の実施の形態の第一貫通
穴２７と第三光検出器３４の位置が一致している時の状
態を示している。

【００５１】本発明の実施の形態において、第一半導体
基板２４の一部には、フォトリソグラフによるエッチン
グマクスに沿って、異方性エッチングが行われた略長方
形形状の第一貫通穴２７が形成されている。

【００５２】第二半導体基板３３は、第一半導体基板２
４の第一貫通穴２７と同形状、同面積の第三光検出器３
４が形成され、さらに、第三光検出器３４は２つの領域
に分割されている。第一半導体基板２４上に形成された
第一光検出器２０と、第二半導体基板３３上に形成され
た第二光検出器２２とがあらかじめ所定の位置関係にな
るように、第一貫通穴２７と第三光検出器３４は、各半
導体基板２４、３３にそれぞれ配置され、第一貫通穴２
７を通過した光が第三光検出器３４に照射されるように
なっている。その他の構成は発明の実施の形態１と同様
であるので説明を省略する。

【００５３】（動作）第三光検出器３４を２つの領域に
分割し、第一貫通穴２７を通過した光をそれぞれの領域
で検出し、各領域の出力信号を比較することにより、半
導体基板２４、３３の位置ずれ量をさらに正確に検出す
ることができ、第一光検出器２０と第二光検出器２２の
高精度の位置決めを容易な方法で行うことができる。

【００５４】例えば、図７のように、第三光検出器３４
を等分に分割した場合には、２つの領域から出力される
出力信号を同値とするように各半導体基板２４、３３を
合せる。各半導体基板２４、３３に位置ずれが生じてい
ると、２つの領域からの出力信号の大きさが異なり、容
易に位置ずれを検出できる。

【００５５】尚、このような第一貫通穴２７と、２分割
された第三光検出器３４を一対として複数形成した場合
には、さらに、位置決め精度を向上できるということは
言うまでもない。その他の作用は発明の実施の形態１と
同様である。

【００５６】（効果）第一貫通穴２７を通過した光を２
つの領域に分割された第三光検出器３４により検出する
ことにより、各半導体基板２４、３３の位置ずれ量を検
出することができ、第一光検出器２０と第二光検出器２
２の位置決め精度を向上することができ、高特性を有す
る光ピックアップを簡単な方法で組立ることができる。
その他の効果は発明の実施の形態１と同様である。

【００５７】［発明の実施の形態４］図８に発明の実施
の形態４を示す。本発明の実施の形態において発明の実
施の形態１と異なる部分のみ説明し、他の説明は省略す
る。

【００５８】本発明の実施の形態では、第三光検出器３
５を外部の部材３６に設置している。第一半導体基板２
４には、フォトリソグラフによるエッチングマスクに沿
って、異方性エッチングが行われた略長方形形状の第一
貫通穴２７が形成されている。

【００５９】また、第二半導体基板３７にも同様にフォ
トリソグラフによるエッチングマスクに沿って、異方性
エッチングが行われた第一貫通穴２７と同形状、同面積
の第二貫通穴３８が形成されている。

【００６０】そして、外部の部材３６には、第一半導体
基板２４の第一貫通穴２７と同形状、同面積の第三光検
出器３５が設置されている。第一半導体基板２４上に形
成された第一光検出器２０と、第二半導体基板３７上に
形成された第二光検出器２２とが予め所定の位置関係に
なるように、第一貫通穴２７と第二貫通穴３８は各半導
体基板２４、３７にそれぞれ配置され、第一貫通穴２
７、そして、第二貫通穴３８を通過した光が第三光検出
器３５に照射されるようになっている。その他の構成は
発明の実施の形態１と同様であるので説明を省略する。

【００６１】（動作）本発明の実施の形態においても、
第一光検出器２０と第一貫通穴２７の位置関係、第二光
検出器２２と第二貫通穴３８の位置関係は、半導体プロ
セス又は異方性エッチングにより構成できるため、ミク
ロンオーダーの精度で配置することが可能である。

【００６２】第一光検出器２０と第二光検出器２２が予
め所定の位置関係になるように、第一貫通穴２７と第二
貫通穴３８はそれぞれ配置され、そして、第一貫通穴２
７と第二貫通穴３８を通過した光が、第一貫通穴２７・
第二貫通穴３８と同形状・同面積に形成された第三光検
出器３５に照射されるので、発明の実施の形態１と同様
に、第三光検出器３５から出力される信号を最大になる
ようにすることによって、各半導体基板２４、３７に形
成されている第一光検出器２０と第二光検出器２２を、
容易にミクロンオーダーで配置することができ、高感度
のフォーカスエラー信号とトラッキングエラー信号と光
磁気信号を検出することが可能となる。

【００６３】本発明の実施の形態の場合、第三光検出器
３５は外部の部材３６に配置されているので、複数の光
ピックアップの組立に対して、一個の第三光検出器３５
だけでよい。

【００６４】尚、発明の実施の形態２のように第一貫通
穴２７、第二貫通穴３８、第三光検出器３５を複数形成
したり、発明の実施の形態３のように第三光検出器３５
を分割したりすることによって、位置決め精度の向上が
実現されることは言うまでもない。その他の作用は発明
の実施の形態１と同様である。

【００６５】（効果）本発明の実施の形態によれば、第
一光検出器２０と第二光検出器２２を簡略な方法で高精
度に位置決め製作することができ、さらに、第三光検出
器３５を外部の部材３６に形成したので、非常に生産性
に優れ、安価な光ピックアップを実現することができ
る。この他の効果は発明の実施の形態１と同様である。

【００６６】尚、本発明は、上述した発明の実施の形態
の他、その要旨の範囲内で種々の変形が可能である。

【００６７】例えば、上述した各発明の実施の形態にお
いて、第一貫通穴、第二貫通穴、第三光検出器を一対と
して、これらを複数個形成することにより、半導体基板
の位置ずれ量をさらに正確に検出することができ、位置
決め精度を向上させるてさらに高特性を有する光ピック
アップを簡単な方法で組立ることができる。

【００６８】また、前記第一貫通穴を通過した光が、２
分割の領域を有する第三光検出器に照射する構成とし、
第一貫通穴を通過した光を第三光検出器のそれぞれの領
域で検出し各領域の出力信号を比較することにより、半
導体基板の位置ずれ量をさらに正確に検出することがで
き、位置決め精度をより向上させることができ、良好な
特性を有する光ピックアップを簡単な方法で組立ること
ができる。

【００６９】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、第三光検
出器の位置決め信号を用いて、第一半導体基板と第二半
導体基板とを積層接合することにより、第一光検出器と
第二光検出器を高精度に位置決めでき、良好な特性を有
し、しかも位置決め製作が簡単に行える安価な光ピック
アップを提供することができる。

【００７０】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の発明と同様第三光検出器の定量的な出力信号を用い
て、第一半導体基板と第二半導体基板を合せることによ
り、第一光検出器と第二光検出器を高精度に位置決めで
き、良好な特性を有し、しかも位置決め製作が簡単に行
える安価な光ピックアップを提供することができる。

【００７１】請求項３記載の発明によれば、第一光検出
器と第二光検出器を簡単な方法で高精度に位置決め製作
することができ、さらに、第三光検出器を外部の部材に
形成したので、非常に生産性に優れ、製作コストの安い
光ピックアップを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光ピックアップの光学系を示す斜視図
である。

【図２】本発明の光ピックアップの実施の形態１を示す
斜視図である。

【図３】発明の実施の形態１の光ピックアップの第一、
第二半導体基板の分解斜視図である。

【図４】発明の実施の形態１の光ピックアップの第一貫
通穴と第三光検出器の位置ずれの状態を示す説明図であ
る。

【図５】本発明の光ピックアップの実施の形態２の第
一、第二半導体基板の分解斜視図である。

【図６】本発明の光ピックアップの実施の形態３の第一
１、第二半導体基板の分解斜視図である。

【図７】発明の実施の形態３の第一貫通穴と第三光検出
器の位置ずれの状態を示す説明図である。

【図８】本発明の光ピックアップの実施の形態４の第
一、第二半導体基板及び外部の部材の分解斜視図であ
る。

【図９】従来の半導体レーザ装置の一例を示す側面図で
ある。

【図１０】従来の半導体レーザ装置の他例を示す斜視図
である。

【符号の説明】

１ 第一半導体基板 ２ 第二半導体基板 １４ 半導体レーザ １５ プリズム １６ 第一の面 １７ ホログラム １８ 集光手段 １９ 光磁気記録媒体 ２０ 第一光検出器 ２２ 第二光検出器 ２３ 第三光検出器 ２７ 第一貫通穴

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光を出射する発光部材と、 この発光部材からの出射光を反射させる第一の面を有す
   るプリズムと、 このプリズムの第一の面に設けられた偏光膜と、 この偏光膜で反射される前記発光部材からの出射光を、
   ホログラムを透過して、光磁気記録媒体にスポット光と
   して照射する集光手段と、 前記光磁気記録媒体で反射され、前記集光手段に入射し
   た戻り光のうち、ホログラムにより２つに分離された光
   を受光する第一光検出器と、 前記戻り光のうち、ホログラムを透過し、前記偏光膜に
   入射し、さらに前記プリズムを屈折透過して、該プリズ
   ムの第二の面から出射される光を受光する第二光検出器
   と、 を有する光ピックアップにおいて、 前記第一光検出器と、第一貫通穴とが形成された第一半
   導体基板と、 前記第二光検出器と、第一半導体基板の第一貫通穴を通
   過した光を基に位置決め信号を出力する第三光検出器と
   が形成され、前記第一半導体基板に積層接合される第二
   半導体基板と、 を有することを特徴とする光ピックアップ。
2. 【請求項２】 光を出射する発光部材と、 この発光部材からの出射光を反射させる第一の面を有す
   るプリズムと、 このプリズムの第一の面に設けられた偏光膜と、 この偏光膜で反射される前記発光部材からの出射光を、
   光磁気記録媒体にスポット光として照射する集光手段
   と、 前記光磁気記録媒体で反射され、前記集光手段に入射し
   た戻り光を受光する第一光検出器と、 前記戻り光のうち、前記偏光膜を透過し、さらに前記プ
   リズムを屈折透過して、該プリズムの第二の面から出射
   される光を受光する第二光検出器と、 を有する光ピックアップにおいて、 前記第一光検出器と第一貫通穴が形成された第一半導体
   基板と、 前記第二光検出器と、第一半導体基板に形成された第一
   貫通穴を通過した光を基に位置決め信号を出力する第三
   光検出器とが形成され、前記第一半導体基板と積層接合
   される第二半導体基板と、 を有することを特徴とする光ピックアップ。
3. 【請求項３】 光を出射する発光部材と、 この発光部材からの出射光を反射させる第一の面を有す
   るプリズムと、 このプリズムの第一の面に設けられた偏光膜と、 この偏光膜で反射される前記発光部材からの出射光を、
   光磁気記録媒体にスポット光として照射する集光手段
   と、 前記光磁気記録媒体で反射され、前記集光手段に入射し
   た戻り光を受光する第一光検出器と、 前記戻り光のうち、前記偏光膜を透過し、さらに前記プ
   リズムを屈折透過して、該プリズムの第二の面から出射
   される光を受光する第二光検出器と、 からなる光ピックアップにおいて、 前記第一光検出器と第一貫通穴とが形成された第一半導
   体基板と、 前記第二光検出器と第二貫通穴とが形成され、前記第一
   貫通穴及び第二貫通穴を通過した光の照射に基づき外部
   の第三光検出器が出力する位置決め信号により第一半導
   体基板と位置決めされてこの第一半導体基板に積層接合
   される第二半導体基板と、 を有することを特徴とする光ピックアップ。