JPH093625A - 表面処理方法 - Google Patents
表面処理方法Info
- Publication number
- JPH093625A JPH093625A JP7154741A JP15474195A JPH093625A JP H093625 A JPH093625 A JP H093625A JP 7154741 A JP7154741 A JP 7154741A JP 15474195 A JP15474195 A JP 15474195A JP H093625 A JPH093625 A JP H093625A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processed
- treated
- plasma
- gas
- treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理物表面の有機物及び水分を除去すると
共に機械加工変質層を元の組織に変態させて被処理物の
品質を維持し得る表面処理方法を提供する。 【構成】 被処理物Ｓの表面には、機械研磨及び／又は
ブラスト処理が施してあり、これらの物理的処理によっ
て被処理物はその表面の汚れの殆どを除去してある。通
水路４内に冷却水を通流してヘッド１の先端部分を冷却
し、またガス通流路８にシールドガスを供給して外ノズ
ル２の開口部５から被処理物Ｓの表面に吹きつけてガス
カーテンを形成する。そして、直流電源15から所要の出
力で電極10及び内ノズル６に印加してアーク放電させ、
作動ガス通流路９に例えば窒素ガスを所要の流量で導入
し、アーク放電によってプラズマを生成し、内ノズル６
の開口部７からプラズマジェットとして被処理物Ｓの表
面に放射する。
共に機械加工変質層を元の組織に変態させて被処理物の
品質を維持し得る表面処理方法を提供する。 【構成】 被処理物Ｓの表面には、機械研磨及び／又は
ブラスト処理が施してあり、これらの物理的処理によっ
て被処理物はその表面の汚れの殆どを除去してある。通
水路４内に冷却水を通流してヘッド１の先端部分を冷却
し、またガス通流路８にシールドガスを供給して外ノズ
ル２の開口部５から被処理物Ｓの表面に吹きつけてガス
カーテンを形成する。そして、直流電源15から所要の出
力で電極10及び内ノズル６に印加してアーク放電させ、
作動ガス通流路９に例えば窒素ガスを所要の流量で導入
し、アーク放電によってプラズマを生成し、内ノズル６
の開口部７からプラズマジェットとして被処理物Ｓの表
面に放射する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属製の被処理物、特
に、真空チャンバ，真空チャンバと減圧ポンプとの連結
部品等の減圧系装置の構成部品，及び成膜工程で用いる
マスクといった減圧系装置内で使用する治具等の表面を
処理する方法に関する。
に、真空チャンバ，真空チャンバと減圧ポンプとの連結
部品等の減圧系装置の構成部品，及び成膜工程で用いる
マスクといった減圧系装置内で使用する治具等の表面を
処理する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】液晶パ
ネルの製造又はＬＳＩの製造等における成膜工程にあっ
ては、オーステナイト系ステンレス鋼等のマスクを用い
て成膜対象外の領域のマスキングを行っている。このマ
スクは高価であるため、マスクに付着した膜を除去する
再生処理を定期的に実施してマスクを再利用している。
ネルの製造又はＬＳＩの製造等における成膜工程にあっ
ては、オーステナイト系ステンレス鋼等のマスクを用い
て成膜対象外の領域のマスキングを行っている。このマ
スクは高価であるため、マスクに付着した膜を除去する
再生処理を定期的に実施してマスクを再利用している。
【０００３】この再生処理の一方法にマスクを薬剤で洗
浄する化学的処理があるが、薬剤に対するマスクの耐食
性が低いという問題，使用済薬剤の処理の問題，及び化
学的処理の効率が低いという問題があった。これらの問
題のため、マスク表面を機械研磨又はブラスト処理する
物理的処理が実施されている。しかしながら、このよう
な物理的処理を施すと、オーステナイト系ステンレス鋼
ではその表面部分がマルテンサイト化した機械加工変質
層が形成され、加工硬化を生じ、また耐食性が低下する
という問題があった。
浄する化学的処理があるが、薬剤に対するマスクの耐食
性が低いという問題，使用済薬剤の処理の問題，及び化
学的処理の効率が低いという問題があった。これらの問
題のため、マスク表面を機械研磨又はブラスト処理する
物理的処理が実施されている。しかしながら、このよう
な物理的処理を施すと、オーステナイト系ステンレス鋼
ではその表面部分がマルテンサイト化した機械加工変質
層が形成され、加工硬化を生じ、また耐食性が低下する
という問題があった。
【０００４】一方、再生処理したマスクを成膜装置で再
使用する場合、該マスクは成膜装置に備えられた真空チ
ャンバ内に配置されるので、真空チャンバを減圧すると
きの立ち上がり速度を高くするために、マスク表面に付
着した水分を除去しておく必要がある。マスク表面に付
着した水分を除去するには、通常、マスクをベーキング
炉内に搬入し、数百℃でこれを加熱する加熱処理が行わ
れていた。しかし、ベーキング炉のサイズによって加熱
処理できるマスクのサイズが制限されるという問題があ
った。一方、サイズが大きいマスクの加熱処理にも対応
すべくベーキング炉のサイズを大きくすると炉に要する
コストが高いという問題があった。
使用する場合、該マスクは成膜装置に備えられた真空チ
ャンバ内に配置されるので、真空チャンバを減圧すると
きの立ち上がり速度を高くするために、マスク表面に付
着した水分を除去しておく必要がある。マスク表面に付
着した水分を除去するには、通常、マスクをベーキング
炉内に搬入し、数百℃でこれを加熱する加熱処理が行わ
れていた。しかし、ベーキング炉のサイズによって加熱
処理できるマスクのサイズが制限されるという問題があ
った。一方、サイズが大きいマスクの加熱処理にも対応
すべくベーキング炉のサイズを大きくすると炉に要する
コストが高いという問題があった。
【０００５】また、マスク表面に残留する微量の有機物
を除去する方法として、減圧下，オゾンを所定流量で供
給し、これに紫外線（ＵＶ）を照射することによってオ
ゾンを分解し、この化学的に活性な分解物によって有機
物を分解するＵＶ−オゾン処理が知られている。しか
し、この方法は減圧下で行うため、真空チャンバのサイ
ズによって処理可能なマスクのサイズが制限されるとい
う問題があった。
を除去する方法として、減圧下，オゾンを所定流量で供
給し、これに紫外線（ＵＶ）を照射することによってオ
ゾンを分解し、この化学的に活性な分解物によって有機
物を分解するＵＶ−オゾン処理が知られている。しか
し、この方法は減圧下で行うため、真空チャンバのサイ
ズによって処理可能なマスクのサイズが制限されるとい
う問題があった。
【０００６】更に、マスク表面に形成された機械加工変
質層であるマルテンサイト層は、前述したベーキング炉
による水分除去のための加熱処理，及びＵＶ−オゾン処
理によってもその状態を維持しており、これらの処理に
よってはマスクの品質の低下は避けられない。
質層であるマルテンサイト層は、前述したベーキング炉
による水分除去のための加熱処理，及びＵＶ−オゾン処
理によってもその状態を維持しており、これらの処理に
よってはマスクの品質の低下は避けられない。
【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、その目的とするところは被処理物を物理的に
処理した後、プラズマ処理を施すことによって、被処理
物表面の有機物及び水分を除去すると共に機械加工変質
層を元の組織に変態させて被処理物の品質を維持し得る
表面処理方法を提供することにある。
であって、その目的とするところは被処理物を物理的に
処理した後、プラズマ処理を施すことによって、被処理
物表面の有機物及び水分を除去すると共に機械加工変質
層を元の組織に変態させて被処理物の品質を維持し得る
表面処理方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る表面処理方
法は、金属製の被処理物の表面を処理する方法であっ
て、前記被処理物の表面を物理的に処理する工程と、被
処理物の表面をプラズマで処理する工程とを含むことを
特徴とする。
法は、金属製の被処理物の表面を処理する方法であっ
て、前記被処理物の表面を物理的に処理する工程と、被
処理物の表面をプラズマで処理する工程とを含むことを
特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明の表面処理方法にあっては、金属製の被
処理物の表面を、機械研磨及び／又はブラスト処理等の
物理的な処理によって、半導体の成膜工程で使用される
マスクに付着した膜等の汚染物質，又は減圧系装置に用
いられる部品の製造工程で付着した汚れの殆どを除去す
る。そして、被処理物の表面をプラズマで処理すること
によって、被処理物の表面に残留する有機物を分解・ガ
ス化して揮発除去し、また水分を蒸発させる。このと
き、物理的な処理によって被処理物の表面に生じた機械
加工変質層は、プラズマの加熱による軟化焼きなまし効
果によって元の組織に変態する。
処理物の表面を、機械研磨及び／又はブラスト処理等の
物理的な処理によって、半導体の成膜工程で使用される
マスクに付着した膜等の汚染物質，又は減圧系装置に用
いられる部品の製造工程で付着した汚れの殆どを除去す
る。そして、被処理物の表面をプラズマで処理すること
によって、被処理物の表面に残留する有機物を分解・ガ
ス化して揮発除去し、また水分を蒸発させる。このと
き、物理的な処理によって被処理物の表面に生じた機械
加工変質層は、プラズマの加熱による軟化焼きなまし効
果によって元の組織に変態する。
【００１０】
【実施例】以下本発明をその実施例を示す図面に基づい
て具体的に説明する。図１は本発明に係る表面処理方法
の実施態様を示す側断面図であり、図中Ｓは金属製の被
処理物である。被処理物Ｓの表面には、バフ研磨等の機
械研磨及び／又はガラスビーズブラスト（ＧＢＢ）又は
アルミナブラスト等のブラスト処理が施してあり、これ
らの物理的処理によって被処理物はその表面の汚れの殆
どを除去してある。
て具体的に説明する。図１は本発明に係る表面処理方法
の実施態様を示す側断面図であり、図中Ｓは金属製の被
処理物である。被処理物Ｓの表面には、バフ研磨等の機
械研磨及び／又はガラスビーズブラスト（ＧＢＢ）又は
アルミナブラスト等のブラスト処理が施してあり、これ
らの物理的処理によって被処理物はその表面の汚れの殆
どを除去してある。
【００１１】被処理物Ｓはステージ20上に載置してあ
り、該ステージ20によって被処理物Ｓは水平方向であり
直交するｘ軸及びｙ軸方向に移動される。被処理物Ｓの
上方には被処理物Ｓに対向してプラズマ照射用のヘッド
１が配置してあり、該ヘッド１は外ノズル２及び内ノズ
ル６を備える２重構造になっている。外ノズル２は略円
筒状をしており、その先端部分には開口部５に向かうに
つれて内径が徐々に小さくなった肉厚部３が形成してあ
る。この肉厚部３の内部には環状の通水路４が設けてあ
り、通水路４内には冷却水が通流されるようになってい
る。
り、該ステージ20によって被処理物Ｓは水平方向であり
直交するｘ軸及びｙ軸方向に移動される。被処理物Ｓの
上方には被処理物Ｓに対向してプラズマ照射用のヘッド
１が配置してあり、該ヘッド１は外ノズル２及び内ノズ
ル６を備える２重構造になっている。外ノズル２は略円
筒状をしており、その先端部分には開口部５に向かうに
つれて内径が徐々に小さくなった肉厚部３が形成してあ
る。この肉厚部３の内部には環状の通水路４が設けてあ
り、通水路４内には冷却水が通流されるようになってい
る。
【００１２】外ノズル２内には、該外ノズル２の内面形
状と同じ形状の筒状であり導電製の内ノズル６が、その
外周面と外ノズル２の内周面との間に所定の間隙を形成
するように装入してあり、内ノズル６の開口部７の先端
は外ノズル２の開口部５の先端と上下方向の位置を一致
させてある。外ノズル２と内ノズル６との間隙はＮ2，
Ａｒ等のシールドガスを通流させるガス通流路８になっ
ており、内ノズル６内はＮ2 ，Ｈｅ−Ｏ2 等のプラズマ
生成用のガスを通流させる作動ガス通流路９になってい
る。
状と同じ形状の筒状であり導電製の内ノズル６が、その
外周面と外ノズル２の内周面との間に所定の間隙を形成
するように装入してあり、内ノズル６の開口部７の先端
は外ノズル２の開口部５の先端と上下方向の位置を一致
させてある。外ノズル２と内ノズル６との間隙はＮ2，
Ａｒ等のシールドガスを通流させるガス通流路８になっ
ており、内ノズル６内はＮ2 ，Ｈｅ−Ｏ2 等のプラズマ
生成用のガスを通流させる作動ガス通流路９になってい
る。
【００１３】内ノズル６内部には尖鋭な棒状の電極10が
内ノズル６の中心軸上に配置してあり、該電極10の先端
は内ノズル６の開口部７から所定距離を隔てて配してあ
る。この電極10は直流電源15の陰極に接続してあり、直
流電源15の陽極は内ノズル６に接続してある。
内ノズル６の中心軸上に配置してあり、該電極10の先端
は内ノズル６の開口部７から所定距離を隔てて配してあ
る。この電極10は直流電源15の陰極に接続してあり、直
流電源15の陽極は内ノズル６に接続してある。
【００１４】このようなヘッド１にあっては、通水路４
内に冷却水を通流してヘッド１の先端部分を冷却し、ま
たガス通流路８にシールドガスを供給して外ノズル２の
開口部５から被処理物Ｓの表面に吹きつけてガスカーテ
ンを形成する。そして、直流電源15から所要の出力で電
極10及び内ノズル６に印加してアーク放電させ、作動ガ
ス通流路９に例えば窒素ガスを所要の流量で導入し、ア
ーク放電によってプラズマを生成し、内ノズル６の開口
部７からプラズマジェットとして被処理物Ｓの表面に放
射する。
内に冷却水を通流してヘッド１の先端部分を冷却し、ま
たガス通流路８にシールドガスを供給して外ノズル２の
開口部５から被処理物Ｓの表面に吹きつけてガスカーテ
ンを形成する。そして、直流電源15から所要の出力で電
極10及び内ノズル６に印加してアーク放電させ、作動ガ
ス通流路９に例えば窒素ガスを所要の流量で導入し、ア
ーク放電によってプラズマを生成し、内ノズル６の開口
部７からプラズマジェットとして被処理物Ｓの表面に放
射する。
【００１５】ヘッド１は上下方向に移動可能になってお
り、ヘッド１と被処理物Ｓとの間を予め試験によって定
めた距離になるようにヘッド１の高さを調整することに
よって、プラズマジェットの温度を略１８００℃〜２０
００℃の範囲に制御する。
り、ヘッド１と被処理物Ｓとの間を予め試験によって定
めた距離になるようにヘッド１の高さを調整することに
よって、プラズマジェットの温度を略１８００℃〜２０
００℃の範囲に制御する。
【００１６】被処理物Ｓの表面はプラズマジェットによ
って、その表面に付着した水分が蒸発し、有機物が分解
されて除去される一方、プラズマジェットを覆うシール
ドガスによってプラズマジェットが放射された被処理物
Ｓの表面の酸化が防止される。また、前述したプラズマ
ジェットの温度範囲では被処理物Ｓの表面が軟化焼きな
まし効果によって結晶組織変化し、物理的処理によって
生じた機械加工変質層が元の組織に変態する。
って、その表面に付着した水分が蒸発し、有機物が分解
されて除去される一方、プラズマジェットを覆うシール
ドガスによってプラズマジェットが放射された被処理物
Ｓの表面の酸化が防止される。また、前述したプラズマ
ジェットの温度範囲では被処理物Ｓの表面が軟化焼きな
まし効果によって結晶組織変化し、物理的処理によって
生じた機械加工変質層が元の組織に変態する。
【００１７】次に本発明に係る表面処理方法を実施した
結果について説明する。被処理物としてＳＵＳ３０４製
の成膜用マスキング治具を用い、その表面に付着した膜
をバフ研磨及びＧＢＢ処理により除去した。この被処理
物を図１に示した装置にセットし、作動ガスとして窒素
ガスを２５Ｌ／ｍｉｎで供給し、出力２０Ａで生成した
プラズマジェットを、ヘッドと被処理物との距離が４〜
５ｃｍとなるように調整してヘッドから被処理物の表面
に放射し、処理速度１〜２ｃｍ／ｓｅｃでプラズマ処理
を行った。そして、プラズマ処理の前後の被処理物の表
面について、金属結晶組織検査，ガス放出特性，及び接
触角測定によりそれぞれ評価した。
結果について説明する。被処理物としてＳＵＳ３０４製
の成膜用マスキング治具を用い、その表面に付着した膜
をバフ研磨及びＧＢＢ処理により除去した。この被処理
物を図１に示した装置にセットし、作動ガスとして窒素
ガスを２５Ｌ／ｍｉｎで供給し、出力２０Ａで生成した
プラズマジェットを、ヘッドと被処理物との距離が４〜
５ｃｍとなるように調整してヘッドから被処理物の表面
に放射し、処理速度１〜２ｃｍ／ｓｅｃでプラズマ処理
を行った。そして、プラズマ処理の前後の被処理物の表
面について、金属結晶組織検査，ガス放出特性，及び接
触角測定によりそれぞれ評価した。
【００１８】図２はプラズマ処理の前の被処理物の断面
図であり、図３はプラズマ処理の後の被処理物の断面図
である。図２から明らかな如く、物理的処理後プラズマ
処理前の被処理物の金属組織には、その表面近傍に針状
のマルテンサイト組織が認められるが、図３から明らか
な如く、プラズマ処理前後の被処理物の金属組織には、
マルテンサイト組織は認められず、オーステナイト組織
に変態していた。
図であり、図３はプラズマ処理の後の被処理物の断面図
である。図２から明らかな如く、物理的処理後プラズマ
処理前の被処理物の金属組織には、その表面近傍に針状
のマルテンサイト組織が認められるが、図３から明らか
な如く、プラズマ処理前後の被処理物の金属組織には、
マルテンサイト組織は認められず、オーステナイト組織
に変態していた。
【００１９】表１はガス放出特性の測定結果を示すもの
である。ガス放出特性は、加熱装置を備えるチャンバ内
でプラズマ処理前又は処理後の被処理物を加熱し、該チ
ャンバに露点が−１２０℃の窒素ガスを流入し、チャン
バから流出された窒素ガスの露点を測定し、水分量に換
算することによって評価した。
である。ガス放出特性は、加熱装置を備えるチャンバ内
でプラズマ処理前又は処理後の被処理物を加熱し、該チ
ャンバに露点が−１２０℃の窒素ガスを流入し、チャン
バから流出された窒素ガスの露点を測定し、水分量に換
算することによって評価した。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１から明らかな如く、プラズマ処理後は
処理前に比べて水分が大幅に低減されている。
処理前に比べて水分が大幅に低減されている。
【００２２】表２はプラズマ処理前後の被処理物に水滴
をそれぞれ滴下し、その水滴の接触角を測定した結果を
示すものである。表２から明らかな如く、プラズマ処理
後は処理前に比べて水滴の接触角が大幅に低減されてお
り、プラズマ処理によって被処理物表面の有機物は単分
子膜程度まで除去されているものと考えられる。
をそれぞれ滴下し、その水滴の接触角を測定した結果を
示すものである。表２から明らかな如く、プラズマ処理
後は処理前に比べて水滴の接触角が大幅に低減されてお
り、プラズマ処理によって被処理物表面の有機物は単分
子膜程度まで除去されているものと考えられる。
【００２３】
【表２】
【００２４】なお、本実施例にあっては被処理物として
半導体の成膜工程で使用するマスクについて説明してい
るが、本発明はこれに限らず、真空チャンバ又は排気系
部品等，減圧下で使用される金属製部品等の表面処理に
特に好適であり、また常圧下で使用される金属製部品等
の表面処理にも好適であることはいうまでもない。
半導体の成膜工程で使用するマスクについて説明してい
るが、本発明はこれに限らず、真空チャンバ又は排気系
部品等，減圧下で使用される金属製部品等の表面処理に
特に好適であり、また常圧下で使用される金属製部品等
の表面処理にも好適であることはいうまでもない。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明に係る表面処
理方法にあっては、プラズマ処理によって、被処理物の
表面に残留する有機物及び水分を除去し、物理的な処理
によって被処理物の表面に生じた機械加工変質層を元の
組織に変態させるため、被処理物の品質が低下すること
なく被処理物の表面が洗浄・再生され、被処理物の減圧
下での使用にあたって、減圧の立ち上がりが速い。ま
た、シールドガスを利用することによって、プラズマ処
理は常圧で行うことが可能であり、これによって被処理
物のサイズに拘らず表面処理を行うことができ、サイズ
が大きい被処理物であっても低コストで表面処理を行う
ことができる等、本発明は優れた効果を奏する。
理方法にあっては、プラズマ処理によって、被処理物の
表面に残留する有機物及び水分を除去し、物理的な処理
によって被処理物の表面に生じた機械加工変質層を元の
組織に変態させるため、被処理物の品質が低下すること
なく被処理物の表面が洗浄・再生され、被処理物の減圧
下での使用にあたって、減圧の立ち上がりが速い。ま
た、シールドガスを利用することによって、プラズマ処
理は常圧で行うことが可能であり、これによって被処理
物のサイズに拘らず表面処理を行うことができ、サイズ
が大きい被処理物であっても低コストで表面処理を行う
ことができる等、本発明は優れた効果を奏する。
【図１】本発明に係る表面処理方法の実施態様を示す側
断面図である。
断面図である。
【図２】プラズマ処理の前の被処理物の断面図である。
【図３】プラズマ処理の後の被処理物の断面図である。
１ ヘッド ２ 外ノズル ６ 内ノズル １０ 電極 １５ 直流電源 Ｓ 被処理物
Claims (1)
- 【請求項１】 金属製の被処理物の表面を処理する方法
であって、 前記被処理物の表面を物理的に処理する工程と、被処理
物の表面をプラズマで処理する工程とを含むことを特徴
とする表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7154741A JP2920605B2 (ja) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | 表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7154741A JP2920605B2 (ja) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | 表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH093625A true JPH093625A (ja) | 1997-01-07 |
| JP2920605B2 JP2920605B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=15590912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7154741A Expired - Fee Related JP2920605B2 (ja) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | 表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2920605B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303075A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | E Square:Kk | 基板等の乾燥方法および乾燥装置 |
| KR20210004741A (ko) * | 2019-07-05 | 2021-01-13 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 토치 및 이를 구비하는 반도체 제조 설비의 부품 처리 시스템 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01294875A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-28 | Hitake Seiko Kk | 樹脂フィルム等の表面処理方法 |
-
1995
- 1995-06-21 JP JP7154741A patent/JP2920605B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01294875A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-28 | Hitake Seiko Kk | 樹脂フィルム等の表面処理方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303075A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | E Square:Kk | 基板等の乾燥方法および乾燥装置 |
| KR20210004741A (ko) * | 2019-07-05 | 2021-01-13 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 토치 및 이를 구비하는 반도체 제조 설비의 부품 처리 시스템 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2920605B2 (ja) | 1999-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3616442B2 (ja) | 表面処理方法及び装置 | |
| US6344115B1 (en) | Pattern forming method using charged particle beam process and charged particle beam processing system | |
| CN1096313C (zh) | 用辐照选择性清除物质的方法及装置 | |
| KR100445273B1 (ko) | 세라믹 절연체의 세정방법 | |
| KR910007110B1 (ko) | 표면처리장치 | |
| US20080210270A1 (en) | Removing unwanted film from wafer edge region with reactive gas jet | |
| KR101267162B1 (ko) | 연마 방법 | |
| CN113523578B (zh) | 飞机蒙皮化学辅助湿式激光脱漆方法 | |
| JPH06190269A (ja) | ドライ洗浄方法およびその装置 | |
| JPH07303869A (ja) | 長尺体の洗浄方法 | |
| JP2920605B2 (ja) | 表面処理方法 | |
| JPS6362733B2 (ja) | ||
| CN108103430A (zh) | 一种电弧工艺铝熔射层表面尖端毛刺的控制方法 | |
| WO2018034317A1 (ja) | 炭酸水素水及びこれを使用する洗浄方法 | |
| KR100500430B1 (ko) | 흡입형 기체유동을 이용한 대기압 플라즈마 표면처리장치및 그처리방법 | |
| JPH0719764B2 (ja) | 表面洗浄方法 | |
| KR0141927B1 (ko) | 전열관의 표면친수 처리방법 | |
| JP2007007644A (ja) | ディスプレイ製造におけるシャドウマスクの洗浄方法（変形）および装置 | |
| DE102005011887A1 (de) | Verfahren zum Reinigen von Oberflächen | |
| JP2005138041A (ja) | 有機ｅｌ製造装置，半導体製造装置などの有機物汚染除去方法，及び有機物汚染除去装置 | |
| RU2724211C1 (ru) | Способ обработки поверхности нержавеющей стали после термической обработки | |
| CN104091758B (zh) | 一种改善通孔刻蚀后晶圆表面微环境的方法 | |
| CN118577575A (zh) | 一种大气压等离子体清洗不锈钢电极的装置及工艺 | |
| KR100222315B1 (ko) | 티탄제재 압연가공품의 제조방법 | |
| JPS6370429A (ja) | アツシング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080430 Year of fee payment: 9 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100430 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |