JPH0936367A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 安定なしきい値電圧を有する電界効果トランジスタ（２０）であって、
   第１の導電型の半導体材料のかつ１つの面（２２）を有する基板領域（２１）、
   前記基板領域（２１）にかつチャネル領域（３９）に隣接して形成された第２の導電型のソース領域（２９）、
   前記基板領域（２１）に配置された第１の注入領域（３３）であって、該第１の注入領域（３３）は前記面（２２）における前記ソース領域（２９）と隣接しかつ前記基板領域（２１）の前記面（２２）の下で前記チャネル領域（３９）内へと延在し、前記第１の注入領域（３３）は第１の濃度の第１の導電型を有するもの、そして
   前記ソース領域（２９）と前記面（２２）における前記第１の注入領域（３３）を超えてかつ前記チャネル領域（３９）内へ伸びている第１の注入領域（３３）との間に配置された第２の注入領域（３６）であって、前記第１の注入領域（３３）および前記第２の注入領域（３６）はソース領域（２９）との交差部および前記ソース領域（２９）に隣接する前記基板領域（２１）の一部において一定のドーピング量の第１のドーパントプロフィール領域を形成し、前記第２の注入領域（３６）は第２の濃度の第１の導電型を有するもの、
   を具備することを特徴とする安定なしきい値電圧を有する電界効果トランジスタ（２０）。
2. 前記第１の濃度はほぼ１×１０^１７アトム／ｃｍ^３〜１×１０^１８アトム／ｃｍ^３であることを特徴とする請求項１に記載の安定なしきい値電圧を有する電界効果トランジスタ（２０）。
3. さらに、前記ソース領域（２９）と前記第２の注入領域（３６）の間に配置され第２の導電型を有する第３の注入領域（５２）を有することを特徴とする請求項１に記載の安定なしきい値電圧を有する電界効果トランジスタ（２０）。
4. さらに、
   前記基板領域に形成された第２の導電型のドレイン領域（３１）、
   前記ドレイン領域の下に配置されかつ前記ドレイン領域（３１）のチャネル側へと延在する第４の注入領域（５４）であって、該第４の注入領域（５４）は第４の濃度の第１の導電型を有するもの、そして
   前記ドレイン領域（３１）と前記第４の注入領域（５４）との間に配置されかつ前記ドレイン領域（３１）のチャネル側へと延在する第５の注入領域（５６）であって、前記第４および第５の注入領域（５４，５６）は前記ドレイン領域との交差部において一定のドーピング量の第２のドーパントプロフィール領域を形成し、前記第５の注入領域（５６）は第５の濃度の第１の導電型を有するもの、を具備することを特徴とする請求項３に記載の安定なしきい値電圧を有する電界効果トランジスタ（２０）。
5. さらに、前記ドレイン領域（３１）と前記第５の注入領域（５６）の間に配置され第２の導電型を有する第６の注入領域（５３）を有することを特徴とする請求項４に記載の安定なしきい値電圧を有する電界効果トランジスタ（２０）。