JPH0936391A - 半導体集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高性能でしかも高信頼度のＳＢＤを備えてい
る半導体集積回路装置およびそれを簡単に製造できる製
造技術を提供する。 【構成】 半導体素子を形成した半導体基板１の表面に
絶縁膜２を形成した後、絶縁膜２の選択的な領域にコン
タクト孔となる開口部４を形成する工程と、開口部４に
おける絶縁膜２および半導体基板１の側壁に絶縁膜６を
形成する工程と、開口部４により表面が露出している半
導体基板１に白金シリサイド膜８を形成する工程と、白
金シリサイド膜８の上に窒化チタン膜９およびアルミニ
ウム膜１０からなる配線膜を形成する工程を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置お
よびその製造方法に関し、特に、高性能でしかも高信頼
度のＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）を有する半導体
集積回路装置およびその製造技術に適用して有効な技術
に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＳＢＤはｐｎ接合におけるような少数キ
ャリアの蓄積効果がないために、スイッチング速度を速
くすることができることにより、ＳＢＤを有する半導体
集積回路装置は、高速動作を行うことができる。

【０００３】本発明者が検討したＳＢＤを有する半導体
集積回路装置の製造工程は、まずＳＢＤを形成する領域
の半導体基板上に形成した絶縁膜の選択的な領域にコン
タクト孔となる開口部をエッチングにより形成した後、
開口部を含む半導体基板の上に白金膜を形成する。次
に、白金膜を熱処理して白金膜が接触している半導体基
板の領域に白金シリサイド膜を形成した後、熱処理によ
り半導体基板と未反応の白金膜をエッチングにより取り
除くことにより、コンタクト孔となる開口部にＳＢＤの
バリヤメタルとなる白金シリサイド膜を形成している。

【０００４】なお、ＳＢＤを有する半導体集積回路装置
およびその製造方法について記載されている文献として
は、例えば特開昭５６−２３７７４号公報に記載されて
いるものがある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前述した半
導体集積回路装置には、以下に述べるような問題点があ
ることを本発明者は見い出した。

【０００６】すなわち、ＳＢＤを形成する領域の絶縁膜
にコンタクト孔となる開口部を形成する場合、ドライエ
ッチングなどのオーバーエッチングにより、半導体基板
の表面部もエッチングされてその領域に凹部が生じる。

【０００７】この場合、絶縁膜の選択的な領域にコンタ
クト孔となる開口部を形成する際に、種々のエッチング
法を採用してもエッチング量の制御を高精度に行うこと
ができないことにより、開口部の底部の半導体基板もエ
ッチングされて半導体基板に凹部が形成されてしまう。

【０００８】そのため、白金シリサイド膜の上に形成さ
れている配線膜が半導体基板の凹部における側壁と直接
接触してしまい、ＳＢＤの順方向電圧（Ｖ_f ）が低下す
るなどの問題点が発生する。

【０００９】また、前述した開口部における半導体基板
に形成される凹部を解除することができず、その凹部を
少なくしようとしても開口部を形成するエッチング工程
における制約条件が多くなり、複雑な製造工程となると
いう問題点がある。

【００１０】本発明の目的は、高性能でしかも高信頼度
のＳＢＤを備えている半導体集積回路装置を提供するこ
とにある。

【００１１】本発明の他の目的は、高性能でしかも高信
頼度のＳＢＤを備えている半導体集積回路装置を簡単に
製造できる製造技術を提供することにある。

【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明において開示され
る発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、以下
の通りである。

【００１４】（１）本発明の半導体集積回路装置は、半
導体領域およびその半導体領域の表面に設けられている
第１の絶縁膜の選択的な領域に設けられているコンタク
ト孔の側壁における半導体領域および第１の絶縁膜に第
２の絶縁膜が設けられており、コンタクト孔の底部にシ
リサイド膜が設けられているものとする。

【００１５】（２）本発明の半導体集積回路装置の製造
方法は、基板における半導体領域に半導体素子を形成す
る工程と、基板の表面に第１の絶縁膜を形成した後、第
１の絶縁膜の選択的な領域にコンタクト孔となる開口部
を形成する工程と、開口部における第１の絶縁膜および
半導体領域の側壁に第２の絶縁膜を形成する工程と、開
口部により表面が露出している半導体領域にシリサイド
膜を形成する工程を有するものとする。

【００１６】

【作用】

（１）前記した本発明の半導体集積回路装置によれば、
コンタクト孔の側壁における半導体領域および第１の絶
縁膜に第２の絶縁膜が設けられており、コンタクト孔の
底部にシリサイド膜が設けられていることにより、シリ
サイド膜の上に設けられる配線膜がコンタクト孔の側壁
に設けられている第２の絶縁膜により半導体領域と直接
接触することが防止できるので、例えばシリサイド膜を
ＳＢＤのバリヤメタルとして用いている場合、ＳＢＤの
順方向電圧が所定の値となり高性能でしかも高信頼度の
ＳＢＤを備えている半導体集積回路装置とすることがで
きる。

【００１７】（２）前記した本発明の半導体集積回路装
置の製造方法によれば、第１の絶縁膜の選択的な領域に
コンタクト孔となる開口部を形成する工程と、開口部に
おける第１の絶縁膜および半導体領域の側壁に第２の絶
縁膜を形成する工程と、開口部により表面が露出してい
る半導体領域にシリサイド膜を形成する工程を有するこ
とにより、第１の絶縁膜の選択的な領域にコンタクト孔
となる開口部を形成する際にオーバーエッチングにより
開口部の底部の半導体領域がエッチングされてその領域
に凹部が形成されても開口部における第１の絶縁膜およ
び半導体領域の側壁に第２の絶縁膜を形成しているの
で、開口部における半導体領域の側壁は第２の絶縁膜に
より被覆された状態となりその領域の表面が露出してい
ない状態とすることができる。

【００１８】そのため、開口部により表面が露出してい
る半導体領域にシリサイド膜を形成した後に、シリサイ
ド膜の上に設けられる配線膜がコンタクト孔となる開口
部の側壁に設けられている第２の絶縁膜により半導体領
域と直接接触することが防止できることにより、例えば
シリサイド膜をＳＢＤのバリヤメタルとして用いる場
合、ＳＢＤの順方向電圧が所定の値となり優れた特性を
有するＳＢＤを備えている半導体集積回路装置を製作す
ることができる。

【００１９】また、前記した本発明の半導体集積回路装
置の製造方法によれば、開口部における第１の絶縁膜お
よび半導体領域の側壁に第２の絶縁膜を形成する工程を
有することにより、第１の絶縁膜の選択的な領域にコン
タクト孔となる開口部を形成する際にオーバーエッチン
グにより開口部の底部の半導体領域がエッチングされて
その領域に凹部が形成されても開口部における第１の絶
縁膜および半導体領域の側壁に第２の絶縁膜を形成して
いるので、開口部を形成するエッチング工程において半
導体領域のオーバーエッチングに対し必要以上に制御す
ることが不要となり、簡単なエッチング工程により開口
部を形成することができる。

【００２０】また、オーバーエッチングされて半導体領
域に凹部が形成されていてもシリサイド膜の上に設けら
れる配線膜がコンタクト孔となる開口部の側壁に設けら
れている第２の絶縁膜により半導体領域と直接接触する
ことが防止できる。

【００２１】そのため、簡単な製造工程により高性能で
しかも高信頼度のＳＢＤを備えている半導体集積回路装
置を高歩留りでしかも低コストにより製作することがで
きる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。なお、実施例を説明するための全図におい
て同一機能を有するものは同一の符号を付し、重複説明
は省略する。

【００２３】図１〜図８は、本発明の一実施例である半
導体集積回路装置の製造工程を示す断面図である。同図
を用いて、本発明の半導体集積回路装置およびその製造
方法を具体的に説明する。

【００２４】本実施例の半導体集積回路の製造方法は、
ＳＢＤを有する半導体集積回路装置の製造方法であり、
ＳＢＤの製造方法に特徴があり、半導体集積回路装置に
おける例えばＭＯＳＦＥＴ、バイポーラトランジスタな
どの半導体素子の製造方法は種々の先行技術を用いて形
成することができる。したがって、本実施例の半導体集
積回路装置の製造方法を説明する場合、半導体集積回路
装置におけるＳＢＤの製造方法を主として説明すること
にする。

【００２５】まず、図１に示すように、例えばｐ型のシ
リコン単結晶などからなる半導体基板１をスターティン
グマテリアルとして、図示を省略している領域に例えば
ＭＯＳＦＦＥＴなどの半導体素子を複数個形成する。

【００２６】すなわち、半導体基板１の表面の選択的な
領域である素子分離領域に熱酸化処理を用いて酸化シリ
コン膜からなるフィールド絶縁膜を形成する。

【００２７】次に、フィールド絶縁膜によって囲まれた
活性領域に酸化シリコンからなるゲート絶縁膜を形成
し、このゲート絶縁膜上に多結晶シリコンからなるゲー
ト電極を形成する。ゲート電極は、半導体基板１の上に
多結晶シリコン膜および酸化シリコン膜を順次堆積し、
これらを順次エッチングして形成する。その後、ゲート
電極の側壁に酸化シリコンからなるサイドウォール絶縁
膜を形成する。

【００２８】次に、半導体基板１に例えばリン（Ｐ）な
どのｎ型の不純物をイオン注入してソースおよびドレイ
ンとなるｎ型半導体領域を形成する。

【００２９】次に、図１に示すように、半導体基板１の
上に絶縁膜２を形成する。絶縁膜２は、ＣＶＤ法により
形成した酸化シリコン膜などを使用することができる。

【００３０】前述した半導体集積回路装置の製造工程
は、半導体基板１に例えばＭＯＳＬＳＩの構成要素であ
る半導体素子としてｐチャネルＭＯＳＦＥＴを形成した
ものであるが、半導体基板１にｐチャネルＭＯＳＦＥＴ
以外のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦＥＴ、バイ
ポーラトランジスタ、容量素子などの種々の半導体素子
を形成した態様を採用することができる。

【００３１】また、半導体基板１とは別の基板であるＳ
ＯＩ（Silicon On Insulator）構造の絶縁性領域の上に
シリコンの単結晶薄膜などの半導体領域が形成されてい
るＳＯＩ基板を用いることができると共に、半導体基板
１またはＳＯＩ基板における半導体領域に例えばバイポ
ーラＬＳＩの構成要素であるバイポーラトランジスタな
どの半導体素子を複数個形成する態様とすることができ
る。

【００３２】また、先述した半導体集積回路装置の製造
工程は、先行技術を種々組み合わせて行えるものであ
る。本発明の半導体集積回路装置およびその製造方法の
主要部は、半導体集積回路装置のＳＢＤおよびその製造
方法にある。このことを踏まえて、今後の説明を簡便化
するために、前述した製造工程によって形成した半導体
素子を有する半導体基板１における内部構造を省略する
と共に、図示上の寸法を縮小して示すことにする。

【００３３】次に、図２に示すように、絶縁膜２の表面
にフォトレジスト膜３を形成した後、フォトリソグラフ
ィ技術を用いてＳＢＤを形成する領域に開口部を有する
パターンをフォトレジスト膜３に形成する。

【００３４】次に、フォトレジスト膜３をエッチング用
マスクとして使用して、絶縁膜２を例えばドライエッチ
ング法またはウエットエッチング法などのエッチング法
を用いて選択的にエッチングを行い、絶縁膜２にコンタ
クト孔となる開口部４を形成する。

【００３５】この場合、絶縁膜２の選択的な領域に開口
部４を形成する際に、種々のエッチング法を採用しても
エッチング量の制御を高精度に行うことができないこと
により、開口部４の底部の半導体基板１もエッチングさ
れて半導体基板１に凹部５が形成されてしまう。

【００３６】次に、不要となったフォトレジスト膜３を
取り除いた後、図３に示すように、絶縁膜２における開
口部４を被覆するように全面に絶縁膜６を形成する。絶
縁膜６は、例えば酸化シリコン膜、ＰＳＧ（Phospho Si
licate Glass）膜またはＢＰＳＧ（Boro Phospho Silic
ate Glass)膜などをＣＶＤ法により形成することができ
る。

【００３７】次に、絶縁膜６を異方性エッチング法を用
いてエッチングを行い、絶縁膜２の開口部４および半導
体基板１の凹部５の側壁すなわちＳＢＤの形成領域であ
るコンタクト孔の側壁に絶縁膜６を残存させると共に他
の領域の絶縁膜６を取り除く作業を行う。

【００３８】前述した絶縁膜６の異方性エッチング法に
は、優れた異方性エッチングを高精度に行うことができ
るバイアススパッタエッチング法を採用している。

【００３９】前述した異方性エッチング法の他の態様と
しては、リアクティブイオンエッチング、リアクティブ
イオンビームエッチング、イオンミリング、プラズマエ
ッチングまたは高周波スパッタエッチングなどを採用す
ることができる。

【００４０】次に、図５に示すように、半導体基板１の
上に例えばスパッタリング法により白金（Ｐｔ）膜７を
例えば２５０Åの膜厚をもって形成する。

【００４１】次に、白金膜７の熱処理を行い、白金膜７
が接触している半導体基板１の領域に選択的に白金膜７
における白金と半導体基板１におけるシリコンを化学反
応させて白金シリサイド膜８を形成する。白金シリサイ
ド膜８は、白金膜７と半導体基板１とが接触している領
域に自己整合的に形成される白金膜７における白金とシ
リコンが化合したケイ素化合物であり、ＳＢＤのバリヤ
メタルとなるものである。

【００４２】前述した白金膜７の熱処理は、例えば４７
５℃の温度条件により、１０分間の熱処理を行うことに
より白金シリサイド膜８を形成することができる。

【００４３】次に、例えばウエットエッチング法により
未反応の金属元素である白金膜７を除去することによ
り、図６に示すように、白金と化合しているケイ素化合
物である白金シリサイド膜８を半導体基板１の表面に残
存させる。

【００４４】次に、図７に示すように、半導体基板１の
上に配線膜として例えば窒化チタン（ＴｉＮ）膜９をス
パッタリング法により形成する。

【００４５】次に、図８に示すように、半導体基板１の
上に配線膜として例えばアルミニウム（Ａｌ）膜１０を
スパッタリング法により形成する。

【００４６】前述した窒化チタン膜９は白金シリサイド
膜８とアルミニウム膜１０の界面安定性を優れたものに
するために形成するものである。

【００４７】次に、図示していないが、窒化チタン膜９
およびアルミニウム膜１０をフォトリソグラフィ技術お
よび選択エッチング技術を用いて選択的にエッチングし
て配線パターンを形成した後、必要に応じて半導体基板
１の上に層間絶縁膜および配線膜を積層することにより
多層配線構造の配線を形成し、半導体集積回路装置の製
造工程を完了する。

【００４８】前述した本実施例の半導体集積回路装置に
おいて、コンタクト孔となっている開口部４の側壁にお
ける半導体基板１および絶縁膜２に絶縁膜６が設けられ
ており、コンタクト孔となっている開口部４の底部に白
金シリサイド膜８が設けられていることにより、白金シ
リサイド膜８の上に設けられている配線膜としての窒化
チタン膜９およびアルミニウム膜１０がコンタクト孔と
なっている開口部４の側壁に設けられている絶縁膜６に
より半導体基板１と直接接触することが防止できる。そ
の結果、白金シリサイド膜８をＳＢＤのバリヤメタルと
して用いている場合、ＳＢＤの順方向電圧が所定の値と
なり高性能でしかも高信頼度のＳＢＤを備えている半導
体集積回路装置とすることができる。

【００４９】また、本実施例の半導体集積回路装置の製
造方法によれば、絶縁膜２の選択的な領域にコンタクト
孔となる開口部４を形成する工程と、開口部４における
絶縁膜２および半導体基板１の側壁に絶縁膜６を形成す
る工程と、開口部４により表面が露出している半導体基
板１に白金シリサイド膜８を形成する工程を有すること
により、絶縁膜２の選択的な領域にコンタクト孔となる
開口部４を形成する際にオーバーエッチングにより開口
部４の底部の半導体基板１がエッチングされてその領域
に凹部が形成されても開口部４における絶縁膜２および
半導体基板１の側壁に絶縁膜６を形成しているので、開
口部４における半導体基板１の側壁は絶縁膜６により被
覆された状態となりその領域の表面が露出していない状
態とすることができる。

【００５０】そのため、開口部４により表面が露出して
いる半導体基板１に白金シリサイド膜８を形成した後
に、白金シリサイド膜８の上に設けられる配線膜として
の窒化チタン膜９およびアルミニウム膜１０がコンタク
ト孔となる開口部４の側壁に設けられている絶縁膜６に
より半導体基板１と直接接触することが防止できること
により、白金シリサイド膜８をＳＢＤのバリヤメタルと
して用いる場合、ＳＢＤの順方向電圧が所定の値となり
優れた特性を有するＳＢＤを備えている半導体集積回路
装置を製作することができる。

【００５１】また、本実施例の半導体集積回路装置の製
造方法によれば、開口部４における絶縁膜２および半導
体基板１の側壁に絶縁膜６を形成する工程を有すること
により、絶縁膜２の選択的な領域にコンタクト孔となる
開口部４を形成する際にオーバーエッチングにより開口
部４の底部の半導体基板１がエッチングされてその領域
に凹部が形成されても開口部４における絶縁膜２および
半導体基板１の側壁に絶縁膜６を形成しているので、開
口部４を形成するエッチング工程において半導体基板１
のオーバーエッチングに対し必要以上に制御することが
不要となり、簡単なエッチング工程により開口部４を形
成することができる。

【００５２】さらに、オーバーエッチングされて半導体
基板１に凹部が形成されていても白金シリサイド膜８の
上に設けられる配線膜がコンタクト孔となる開口部４の
側壁に設けられている絶縁膜６により半導体基板１と直
接接触することが防止できる。

【００５３】そのため、簡単な製造工程により高性能で
しかも高信頼度のＳＢＤを備えている半導体集積回路装
置を高歩留りでしかも低コストにより製作することがで
きる。

【００５４】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００５５】前述した実施例における白金シリサイド膜
は、ＳＢＤにおけるバリヤメタルとして使用されている
ものであるが、シリサイド膜として配線膜のバリヤメタ
ルとして使用される例えばチタン、タングステンまたは
高融点金属からなる金属膜と例えば半導体基板などの半
導体領域のシリコンのケイ素化合物の態様とすることが
できる。前述した金属元素と化合したケイ素化合物であ
るシリサイド膜は、低抵抗でかつ応力が小さく、電極材
料として優れた特性を有するものである。

【００５６】したがって、本発明の半導体集積回路装置
の製造方法は、高性能でしかも高信頼度のシリサイド膜
および配線膜を製作できることにより、優れたコンタク
ト領域を製作できるので、高性能でしかも高信頼度の半
導体集積回路装置を製作することができる。

【００５７】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。

【００５８】（１）本発明の半導体集積回路装置によれ
ば、コンタクト孔の側壁における半導体領域および第１
の絶縁膜に第２の絶縁膜が設けられており、コンタクト
孔の底部にシリサイド膜が設けられていることにより、
シリサイド膜の上に設けられる配線膜がコンタクト孔の
側壁に設けられている第２の絶縁膜により半導体領域と
直接接触することが防止できるので、例えばシリサイド
膜をＳＢＤのバリヤメタルとして用いている場合、ＳＢ
Ｄの順方向電圧が所定の値となり高性能でしかも高信頼
度のＳＢＤを備えている半導体集積回路装置とすること
ができる。

【００５９】（２）本発明の半導体集積回路装置の製造
方法によれば、第１の絶縁膜の選択的な領域にコンタク
ト孔となる開口部を形成する工程と、開口部における第
１の絶縁膜および半導体領域の側壁に第２の絶縁膜を形
成する工程と、開口部により表面が露出している半導体
領域にシリサイド膜を形成する工程を有することによ
り、第１の絶縁膜の選択的な領域にコンタクト孔となる
開口部を形成する際にオーバーエッチングにより開口部
の底部の半導体領域がエッチングされてその領域に凹部
が形成されても開口部における第１の絶縁膜および半導
体領域の側壁に第２の絶縁膜を形成しているので、開口
部における半導体領域の側壁は第２の絶縁膜により被覆
された状態となりその領域の表面が露出していない状態
とすることができる。

【００６０】そのため、開口部により表面が露出してい
る半導体領域にシリサイド膜を形成した後に、シリサイ
ド膜の上に設けられる配線膜がコンタクト孔となる開口
部の側壁に設けられている第２の絶縁膜により半導体領
域と直接接触することが防止できることにより、例えば
シリサイド膜をＳＢＤのバリヤメタルとして用いる場
合、ＳＢＤの順方向電圧が所定の値となり優れた特性を
有するＳＢＤを備えている半導体集積回路装置を製作す
ることができる。

【００６１】（３）本発明の半導体集積回路装置の製造
方法によれば、開口部における第１の絶縁膜および半導
体領域の側壁に第２の絶縁膜を形成する工程を有するこ
とにより、第１の絶縁膜の選択的な領域にコンタクト孔
となる開口部を形成する際にオーバーエッチングにより
開口部の底部の半導体領域がエッチングされてその領域
に凹部が形成されても開口部における第１の絶縁膜およ
び半導体領域の側壁に第２の絶縁膜を形成しているの
で、開口部を形成するエッチング工程において半導体領
域のオーバーエッチングに対し必要以上に制御すること
が不要となり、簡単なエッチング工程により開口部を形
成することができる。

【００６２】また、オーバーエッチングされて半導体領
域に凹部が形成されていてもシリサイド膜の上に設けら
れる配線膜がコンタクト孔となる開口部の側壁に設けら
れている第２の絶縁膜により半導体領域と直接接触する
ことが防止できる。

【００６３】そのため、簡単な製造工程により高性能で
しかも高信頼度のＳＢＤを備えている半導体集積回路装
置を高歩留りでしかも低コストにより製作することがで
きる。

【００６４】（４）本発明の半導体集積回路装置の製造
方法によれば、シリサイド膜はＳＢＤにおけるバリヤメ
タルとして使用することができる他、配線膜のバリヤメ
タルにおけるシリサイド膜としても使用できる。

【００６５】また、シリサイド膜は、配線膜のバリヤメ
タルとして使用される例えばチタン、タングステンまた
は高融点金属からなる金属膜と例えば半導体基板などの
半導体領域のシリコンのケイ素化合物の態様とすること
ができる。

【００６６】前述した金属元素と化合したケイ素化合物
であるシリサイド膜は、低抵抗でかつ応力が小さく、電
極材料として優れた特性を有するものにできる。

【００６７】したがって、本発明の半導体集積回路装置
の製造方法によれば、高性能でしかも高信頼度のシリサ
イド膜および配線膜を製作できることにより、優れたコ
ンタクト領域を製作できるので、高性能でしかも高信頼
度の半導体集積回路装置を製作することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す断面図である。

【図２】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す断面図である。

【図３】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す断面図である。

【図４】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す断面図である。

【図５】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す断面図である。

【図６】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す断面図である。

【図７】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す断面図である。

【図８】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体基板 ２ 絶縁膜 ３ フォトレジスト膜 ４ 開口部 ５ 凹部 ６ 絶縁膜 ７ 白金膜 ８ 白金シリサイド膜 ９ 窒化チタン膜 １０ アルミニウム膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡田 大介 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 朝香 勝征 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 田辺 慎一 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体領域および前記半導体領域の表面
   に設けられている第１の絶縁膜の選択的な領域に設けら
   れているコンタクト孔の側壁における前記半導体領域お
   よび前記第１の絶縁膜に第２の絶縁膜が設けられてお
   り、前記コンタクト孔の底部にシリサイド膜が設けられ
   ていることを特徴とする半導体集積回路装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体集積回路装置にお
   いて、前記シリサイド膜は、ＳＢＤにおけるバリヤメタ
   ルであることを特徴とする半導体集積回路装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体集積回路
   装置において、前記シリサイド膜は、白金シリサイド膜
   であることを特徴とする半導体集積回路装置。
4. 【請求項４】 基板における半導体領域に半導体素子を
   形成する工程と、 前記基板の表面に第１の絶縁膜を形成した後、前記第１
   の絶縁膜の選択的な領域にコンタクト孔となる開口部を
   形成する工程と、 前記開口部における前記第１の絶縁膜および前記半導体
   領域の側壁に第２の絶縁膜を形成する工程と、 前記開口部により表面が露出している前記半導体領域に
   シリサイド膜を形成する工程を有することを特徴とする
   半導体集積回路装置の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項４記載の半導体集積回路装置の製
   造方法において、前記開口部における前記第１の絶縁膜
   および前記半導体領域の側壁に第２の絶縁膜を形成する
   工程は、前記開口部を含む前記基板の上に第２の絶縁膜
   を形成した後、前記第２の絶縁膜を異方性エッチング法
   によりエッチングすることにより、前記開口部における
   前記第１の絶縁膜および前記半導体領域の側壁に第２の
   絶縁膜を形成する工程であることを特徴とする半導体集
   積回路装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項４または５記載の半導体集積回路
   装置の製造方法において、前記開口部により表面が露出
   している前記半導体領域にシリサイド膜を形成する工程
   は、前記開口部を含む前記基板の上に金属膜を形成した
   後、前記金属膜を熱処理して前記金属膜が接触している
   前記半導体領域の領域にシリサイド膜を形成した後、未
   反応の前記金属膜をエッチングにより取り除く工程であ
   ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項４、５または６記載の半導体集積
   回路装置の製造方法において、前記シリサイド膜は、Ｓ
   ＢＤにおけるバリヤメタルである白金シリサイド膜であ
   ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。